JP5169046B2 - 光照射式加熱処理装置 - Google Patents
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Description
このようなRTPを行う光照射式加熱処理装置においては、例えば発光管の内部にタングステンからなるフィラメントが配設されてなるフィラメントランプが熱源として使用されている。
ところが、金属シリサイド膜を形成するに際して、電気炉を使用して加熱処理を行う場合には、Si基板が電気炉内で長時間の間にわたって高温に晒されることとなるため、MOSチャネルにおける拡散層が劣化し、半導体素子が損傷するおそれがある、という問題があった。
このような急速熱処理において、例えば、被処理体がφ300mmのSi基板である場合を考えると、昇温加熱処理において、Si基板の表面温度を例えば100℃/秒程度の昇温速度で急速に上昇させるためには、定格電力が例えば90kW程度の大電力が投入可能に構成された光照射式加熱処理装置を用いることが必要とされ、このような光照射式加熱処理装置に設けられたフィラメントランプによって定温加熱処理を行うに際しては、Si基板の表面温度を所望の温度状態に維持するために、フィラメントランプに投入する電力量を例えば5kW程度の低電力に抑えた状態で、フィラメントランプが点灯駆動される。
従って、定格電力に比して十分に低い投入電力で点灯駆動されることによりフィラメントの温度が定格点灯時より低下することに伴って、発光波長が長波長側、例えば1.1μm以上にシフトされた、フィラメントランプから放射される光の大部分は、Si基板に吸収されることなくSi基板を透過することとなる。
前記2種類のフィラメントランプは、いずれも、定格点灯時におけるフィラメントの色温度が2100K(ケルビン)以上であるものであり、
昇温加熱工程においては、少なくとも、定格電力密度が相対的に高いフィラメントランプが点灯されると共に、定温加熱工程においては、定格電力密度が相対的に低いフィラメントランプのみが点灯されるよう、フィラメントランプの点灯状態を制御する制御手段を備えることを特徴とする。
ここに、「定格電力密度」とは、フィラメントの単位長さ当たりの定格電力〔W/cm〕の大きさをいう。
各フィラメントランプ10は、両端に封止部が形成された、例えばガラス材料よりなる発光管を備えており、発光管の内部空間には、例えばハロゲンガスが封入されるとともに、例えばタングステン素線がコイル状に巻回されて形成されたコイル状のフィラメント20が、発光管の管軸に沿って伸びるよう配置されている。
固定台42A,42Bは導電性部材からなる導電台43と、セラミックス等の絶縁部材からなる保持台44とにより構成されており、保持台44は、チャンバ31の内壁に設けられており、導電台43を保持している。
電源供給ポート36Aは、一方の固定台42Aの導電台43と電気的に接続されており、この固定台42Aの導電台43は、一のフィラメントランプ10におけるフィラメント20の一端側の外部リードと電気的に接続されている。また、電源供給ポート36Bは、他方の固定台42Bの導電台43と電気的に接続されており、この固定台42Bの導電台43は、フィラメントの他端側の外部リードと電気的に接続されている。なお、ランプユニット40を構成するフィラメントランプ10と電源部35を構成する給電装置との具体的な電気的接続状態については、後述する。
このような構成とされていることにより、ランプユニット40における各フィラメントランプ10に対して電源部35における各給電装置により給電することが可能となり、被処理体W上の放射照度分布を任意に、かつ、高精度に設定することができる。
具体的には、チャンバ31の外部に設けられた冷却風ユニット45からの冷却風がチャンバ31に設けられた冷却風供給ノズル46の吹出し口46Aを介してランプユニット収容空間S1に導入され、当該冷却風がランプユニット40における各フィラメントランプ10に吹き付けられることにより、各フィラメントランプ10における発光管が冷却され、その後、熱交換により高温になった冷却風がチャンバ31に形成された冷却風排出口47から外部に排出される。
このような冷却機構は、各フィラメントランプ10の封止部は他の箇所に比して耐熱性が低いため、冷却風供給ノズル46の吹出し口46Aが、各フィラメントランプ10の封止部に対向するよう形成され、各フィラメントランプ10の封止部が優先的に冷却されるように構成されていることが望ましい。
処理台33は、例えば被処理体Wが半導体ウエハである場合には、モリブデンやタングステン、タンタルのような高融点金属材料やシリコンカーバイド(SiC)などのセラミック材料、または石英、シリコン(Si)からなる薄板の環状体であって、その円形開口部の内周部に半導体ウエハを支持する段差部が形成されてなるガードリング構造のものにより構成されていることが好ましい。このような構成の処理台33においては、被処理体Wが円形開口部に嵌め込まれ、段差部によって下面より支持された状態で配置される。
処理台33は、処理台33それ自体も光照射によって高温とされるので、対面する半導体ウエハの外周縁が補助的に放射加熱され、これにより、半導体ウエハの外周縁からの熱放射などに起因する半導体ウエハの周縁部の温度低下が補償される。
各温度測定部51は温度計50に接続されており、所定のタイミング(例えば1秒間毎に50回など)でモニタリングされた温度情報を温度計50に送信する。
また、主制御部55は、ランプユニット40におけるフィラメントランプ10の点灯時において、冷却風ユニット45に指令を送出し、冷却風ユニット45は、この指令に基づいて、発光管および反射鏡41、窓部材32が高温状態とならないよう冷却風を供給する。
また、温度制御部52には、例えば被処理体Wの種類、目的とする処理等に応じた到達目標となる温度情報を予め設定しておくことができる。
この実施例のランプユニット40においては、図2に示すように、15本の昇温加熱用ランプ10Bと、16本の定温加熱用ランプ10Aとが交互に並んで同一平面上に配置されている。ここに、互いに隣接する昇温加熱用ランプ10Bと定温加熱用ランプ10Aとの間の離間距離は、例えば15mmである。
昇温加熱用ランプ10Bは、被処理体Wの温度を例えば10℃/sec以上の昇温速度で上昇させることのできるよう、フィラメントに対して大電力が投入可能とされた定格電力密度を有するものであることが好ましい。
このような被処理体W上の温度分布制御を行うために、ランプユニット40を構成する昇温加熱用ランプ10Bおよび定温加熱用ランプ10Aは、それぞれ、被処理体Wの各ゾーンZ1〜Z3に対応して複数本毎にグループ化されており、グループ毎に別個の給電装置に接続されている。
また、ランプユニット40を構成する定温加熱用ランプ10Aについては、中央に位置される4本の定温加熱用ランプ10Aがグループ化されてランプグループ2Aが構成され、このランプグループ2Aの両側に並ぶ定温加熱用ランプが3本を一単位としてグループ化されてランプグループ2B〜2Eが構成されており、各ランプグループ(2A〜2E)がそれぞれ別個の給電装置R1〜R5に電気的に接続されている。
そして、このランプユニット40においては、中央に位置される3つのランプグループ(1A〜1Cおよび2A〜2C)が、被処理体Wの各ゾーンZ1〜Z3に対応しており、ランプユニット40の両側に位置されるランプグループ(1D,1Eおよび2D,2E)が、被処理体Wの周縁部領域(Z4,Z5)の温度低下を補償するものとして機能する。
そして、給電開始信号が温度制御部52から主制御部55に送信されると、主制御部55によって、温度制御部52を介して各給電装置S1〜S5,R1〜R5に対して給電開始信号が送信され、例えば図3(ロ)に示すように、各昇温加熱用ランプ10Bおよび各定温加熱用ランプ10Aに対して適正な大きさに制御された電力(定格電力)が投入されて各昇温加熱用ランプ10Bおよび各定温加熱用ランプ10Aが点灯される。
各昇温加熱用ランプ10Bおよび各定温加熱用ランプ10Aによる光照射によって昇温加熱処理が開始されると、温度制御部52によって、予め設定された加熱処理温度T2と温度計50により取得される実際の被処理体Wの表面温度に関する温度情報とが比較判断され、被処理体Wの実測温度が加熱処理温度T2よりも低いことが確認された場合には、昇温加熱用ランプ10Bおよび定温加熱用ランプ10Aに対する給電が継続して行われる。
また、被処理体Wの温度を加熱処理温度T2まで上昇させる過程において、温度制御部52によって、被処理体Wの温度分布状態が監視される。すなわち、被処理体Wの3つに分割された各ゾーンZ1〜Z3の温度が均一となるよう、各温度計50により検出される被処理体Wの各ゾーンZ1〜Z3の温度情報に基づいて、ランプグループ1A〜1E,2A〜2E毎に供給する電力量が調整される。
すなわち、温度制御部52によって、予め設定された加熱処理温度T2と温度計50から送信された実際の被処理体Wの表面温度に関する温度情報とが比較判断され、被処理体Wの実測温度が加熱処理温度T2より高いことが確認されると、各定温加熱用ランプ10Aに対する給電量を低減するよう主制御部55に対して給電量低減信号が送信され、主制御部55によって、温度制御部52を介して給電装置R1〜R5に対して給電量低減信号が送信され各定温加熱用ランプ10Aに対する給電量が低減される。
一方、被処理体Wの実測温度が加熱処理温度T2より低いことが確認されると、各定温加熱用ランプ10Aに対する給電量を増加するよう主制御部55に対して給電量増加信号が送信され、主制御部55によって、温度制御部52を介して給電装置R1〜R5に対して給電量増加信号が送信され各定温加熱用ランプ10Aに対する給電量が増加される。
このような定温加熱用ランプ10Aに対する給電量調整が行われることにより、被処理体Wの温度が一定の加熱処理温度T2に維持される。
被処理体Wの温度を加熱処理温度T2で一定に維持させる過程において、被処理体の3つに分割された各ゾーンZ1〜Z3の温度が均一となるよう、各温度計50により検出される被処理体Wの各ゾーンZ1〜Z3の温度情報に基づいて、ランプグループ2A〜2E毎に供給する電力量が調整される。
また、図3(ハ)に示すように、昇温加熱用ランプ10Bのみが点灯されることにより昇温加熱処理が行われるよう制御されてもよく、被処理体Wに対して行われるべきプロセス、加熱処理温度等の目的に応じて適宜に設定することができる。
本発明の光照射式加熱処理装置においては、ランプユニットを構成するフィラメントランプの個数および配列方法は、上記実施例のものに限定されず、目的に応じて適宜に設計変更することができる。
ランプユニット40は、例えば図4に示すように、複数本の定温加熱用ランプ10Aが、各々のランプ中心軸が同一平面上において互いに平行に伸びるよう所定の間隔で離間して並列配置されてなる第1のランプ群と、複数本の昇温加熱用ランプ10Bが、各々の管軸が同一の平面上において互いに平行に伸び、かつ、前記第1のランプ群のフィラメントランプのランプ中心軸と直交するよう、所定の間隔で離間して並列配置されてなる第2のランプ群とを有し、第1のランプ群に係るランプ中心軸配置面および第2のランプ群に係るランプ中心軸配置面が互いに平行となるよう構成されており、定温加熱用ランプ10Aよりなる第1のランプ群が被処理体W側に位置される。
具体的には、例えば、昇温加熱用ランプ10Bの3本が一単位としてグループ化されて、合計5つのランプグループ(1A〜1E)が構成されており、各ランプグループ(1A〜1E)がそれぞれ別個の給電装置S1〜S5に電気的に接続されている。
また、ランプユニット40を構成する定温加熱用ランプ10Aについては、中央に位置される4本の定温加熱用ランプ10Aがグループ化されてランプグループ2Aが構成され、このランプグループ2Aの両側に並ぶ定温加熱用ランプが3本を一単位としてグループ化されてランプグループ2B〜2Eが構成されており、各ランプグループ(2A〜2E)がそれぞれ別個の電源装置R1〜R5に電気的に接続されている。
10A 定温加熱処理用のフィラメントランプ
10B 昇温加熱処理用のフィラメントランプ
20 フィラメント
30 光照射式加熱処理装置
31 チャンバ
32 窓部材
33 処理台
35 電源部
36A,36B 電源供給ポート
40 ランプユニット
41 反射鏡
42A,42B 固定台
43 導電台
44 保持台
45 冷却風ユニット
46 冷却風供給ノズル
46A 吹出し口
47 冷却風排出口
50 温度計
51 温度測定部
52 温度制御部
55 主制御部
60 フィラメントランプ
61 リフレクタ
62 窓部材
65 チャンバ
S1 ランプユニット収容空間
S2 加熱処理空間
Claims (3)
- 互いに定格電力密度が異なる2種類のフィラメントランプによって面状光源が構成されてなり、当該フィラメントランプからの光照射により、半導体基板を所定の加熱処理温度まで急速に上昇させる昇温加熱工程と、当該昇温加熱工程に連続して行われる、当該加熱処理温度を維持した状態で前記半導体基板を、表面温度が100〜500℃となる温度条件で加熱する定温加熱工程とから成る加熱処理を行う光照射式加熱処理装置であって、
前記2種類のフィラメントランプは、いずれも、定格点灯時におけるフィラメントの色温度が2100K(ケルビン)以上であるものであり、
昇温加熱工程においては、少なくとも、定格電力密度が相対的に高いフィラメントランプが点灯されると共に、定温加熱工程においては、定格電力密度が相対的に低いフィラメントランプのみが点灯されるよう、フィラメントランプの点灯状態を制御する制御手段を備えることを特徴とする光照射式加熱処理装置。 - 前記半導体基板がシリコンウエハであることを特徴とする請求項1に記載の光照射式加熱処理装置。
- 定格電力密度が相対的に低いフィラメントランプの複数が、各々のランプ中心軸が同一の平面上において互いに平行に伸びるよう並列配置されてなる第1のランプ群と、定格電力密度が相対的に高いフィラメントランプの複数が、各々の管軸が同一の平面上において互いに平行に伸び、かつ、前記第1のランプ群のフィラメントランプのランプ中心軸と直交するよう、並列配置されてなる第2のランプ群とを有し、第1のランプ群に係るランプ中心軸配置面および第2のランプ群に係るランプ中心軸配置面が互いに平行であって、第1のランプ群が半導体基板側に位置されるよう構成されたランプユニットを備えてなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光照射式加熱処理装置。
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