JP2008186940A - 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーWを保持するサセプタ72に、平面視で半導体ウェハーWの直径よりも小さな直径を有する円板形状の凹部78が形設されている。凹部78の深さtは0.15mm以上2.0mm以下であり、また、凹部78の直径r1は半導体ウェハーWの直径r2の80%以上99%以下である。半導体ウェハーWの外縁部が凹部78のエッジによって支持されており、ウェハー中心部近傍領域は全く拘束されていないため、閃光照射時に半導体ウェハーWが割れるのを防止することができる。また、凹部78の気体層を隔てて半導体ウェハーWが加熱されるため、ウェハー面内温度分布を均一にすることができる。
【選択図】図3
Description
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
78 凹部
711〜716 ゾーン
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- フラッシュランプから基板に閃光を照射することによって該基板の熱処理を行うときに該基板を保持する熱処理用サセプタであって、
平面視で前記基板の平面サイズよりも小さな平板状の凹部を備え、
前記熱処理用サセプタに保持された前記基板と前記凹部の底面とが平行となることを特徴とする熱処理用サセプタ。 - 請求項1記載の熱処理用サセプタにおいて、
前記基板は円板形状を有し、
前記凹部は前記基板よりも小径の円板形状であることを特徴とする熱処理用サセプタ。 - 請求項2記載の熱処理用サセプタにおいて、
前記凹部の深さは0.15mm以上2.0mm以下であることを特徴とする熱処理用サセプタ。 - 請求項2または請求項3記載の熱処理用サセプタにおいて、
前記凹部の直径は、前記基板の直径の80%以上99%以下であることを特徴とする熱処理用サセプタ。 - 基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板に閃光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプの下方に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光を透過するチャンバー窓を上部に備えるチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
を備え、
前記保持手段は、請求項2から請求項4のいずれかに記載の熱処理用サセプタを有することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記保持手段は、前記熱処理用サセプタを載置するとともに、前記熱処理用サセプタに保持された前記基板を閃光照射前に予備加熱するホットプレートをさらに備え、
前記ホットプレートは、前記基板の外縁部を予備加熱する円環形状の外縁部領域と、当該外縁部領域よりも内側の円形の内側領域とに分割され、前記外縁部領域と前記内側領域とを仕切る境界円の直径と前記凹部の直径との差は5mm以内であり、前記外縁部領域の温度が前記内側領域の温度よりも低いことを特徴とする熱処理装置。
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