JP2002316041A - 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 - Google Patents
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法Info
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- Y02W10/30—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies
- Y02W10/37—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies using solar energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種の処理を高品位で行い、かつ、高速度で
あるいは高効率で行うことが出来る誘電体バリヤ放電ラ
ンプを利用した処理方法を提供すること 【解決手段】 上記本発明の目的は、波長が異なる紫外
線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘
電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と少なくとも酸
素を含む処理用流体とを接触させ第１の誘電体バリヤ放
電ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、第
２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活
性酸素を生成させる。また、第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプからの紫外線を照射して分解、活性化させ、処理用
流体と被処理物とを接触させて前記第２の誘電体バリヤ
放電ランプからの紫外線を照射し再活性化させて、前記
被処理物を処理する。
あるいは高効率で行うことが出来る誘電体バリヤ放電ラ
ンプを利用した処理方法を提供すること 【解決手段】 上記本発明の目的は、波長が異なる紫外
線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘
電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と少なくとも酸
素を含む処理用流体とを接触させ第１の誘電体バリヤ放
電ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、第
２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活
性酸素を生成させる。また、第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプからの紫外線を照射して分解、活性化させ、処理用
流体と被処理物とを接触させて前記第２の誘電体バリヤ
放電ランプからの紫外線を照射し再活性化させて、前記
被処理物を処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光化学反応用の光
源として誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法に
関し、例えば、フロンガスまたは各種の廃ガスの処理、
あるいは上水、下水、各種の工場廃水の処理、あるいは
洗浄、あるいは太陽電池などに使用される水素化アモル
ファスシリコン薄膜等を製造する成膜方法など、各種被
処理体を処理する方法の改良に関する。
源として誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法に
関し、例えば、フロンガスまたは各種の廃ガスの処理、
あるいは上水、下水、各種の工場廃水の処理、あるいは
洗浄、あるいは太陽電池などに使用される水素化アモル
ファスシリコン薄膜等を製造する成膜方法など、各種被
処理体を処理する方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明に関連した技術としては、例え
ば、日本国公開特許公報平３−２１１２８３号には、誘
電体バリヤ放電（別名オゾナイザ放電。電気学会発行改
定新版「放電ハンドブック」平成１年６月再版７刷発行
第２６３ページ参照）を使用したランプから放射される
紫外線を利用したＣＶＤ法による薄膜の製造装置につい
て記載されている。また、日本国公開特許公報平３−１
２２２８７号には、誘電体バリヤ放電を使用したランプ
から放射される紫外線を利用した基板の金属化方法につ
いて記載されている。上記のような誘電体バリヤ放電ラ
ンプを利用した処理方法は、誘電体バリヤ放電ランプが
従来の低圧水銀放電ランプや高圧アーク放電ランプには
無い種々の特長を有しており、従って特長ある処理が得
られるため有用である。例えば、誘電体バリヤ放電ラン
プを利用した薄膜の製造方法は、太陽電池、各種半導体
素子用の薄膜を高品質で作製出来るため有用である。
ば、日本国公開特許公報平３−２１１２８３号には、誘
電体バリヤ放電（別名オゾナイザ放電。電気学会発行改
定新版「放電ハンドブック」平成１年６月再版７刷発行
第２６３ページ参照）を使用したランプから放射される
紫外線を利用したＣＶＤ法による薄膜の製造装置につい
て記載されている。また、日本国公開特許公報平３−１
２２２８７号には、誘電体バリヤ放電を使用したランプ
から放射される紫外線を利用した基板の金属化方法につ
いて記載されている。上記のような誘電体バリヤ放電ラ
ンプを利用した処理方法は、誘電体バリヤ放電ランプが
従来の低圧水銀放電ランプや高圧アーク放電ランプには
無い種々の特長を有しており、従って特長ある処理が得
られるため有用である。例えば、誘電体バリヤ放電ラン
プを利用した薄膜の製造方法は、太陽電池、各種半導体
素子用の薄膜を高品質で作製出来るため有用である。
【０００３】上記した従来の処理方法は、処理用流体あ
るいは被処理物又は前記両者に１種類の紫外線を１回だ
け照射する方法を採用していた。例えば、誘電体バリヤ
放電ランプを利用した薄膜の製造方法においては、処理
用流体である複数のプロセスガスと被処理物である基板
を１個の反応室内に収納し、１種類の誘電体バリヤ放電
ランプから放射される１種類の紫外線を１回だけプロセ
スガスに照射してプロセスガスを分解、活性化する方法
によって、基板上に成膜していた。なおこの時、基板に
も、プロセスガスによって吸収されなかった紫外線が照
射される。上記した従来の処理方法において、紫外線の
照射を２回以上繰り返したとしても、プロセスガスおよ
び基板上に発生する化学反応の種類は１回目の紫外線を
照射した時と同一であり、単に、１回目の紫外線の照射
時間を長くしたことに相当するだけである。
るいは被処理物又は前記両者に１種類の紫外線を１回だ
け照射する方法を採用していた。例えば、誘電体バリヤ
放電ランプを利用した薄膜の製造方法においては、処理
用流体である複数のプロセスガスと被処理物である基板
を１個の反応室内に収納し、１種類の誘電体バリヤ放電
ランプから放射される１種類の紫外線を１回だけプロセ
スガスに照射してプロセスガスを分解、活性化する方法
によって、基板上に成膜していた。なおこの時、基板に
も、プロセスガスによって吸収されなかった紫外線が照
射される。上記した従来の処理方法において、紫外線の
照射を２回以上繰り返したとしても、プロセスガスおよ
び基板上に発生する化学反応の種類は１回目の紫外線を
照射した時と同一であり、単に、１回目の紫外線の照射
時間を長くしたことに相当するだけである。
【０００４】一般的に、ある物質を光化学反応によって
活性化、分解、イオン化あるいは合成するのに最適な条
件、すなわち照射する紫外線の波長と強度、物質の温度
などは、物質の種類によって異なる。従って、被処理物
と処理用流体を接触させて該被処理物を処理する方法に
おいて、被処理物あるいは処理用流体の少なくとも一方
に誘電体バリヤ放電ランプからの１種の紫外線照射を１
回だけ照射して処理する方法は、処理が不完全であった
り、あるいは処理の速度あるいは処理効率が必ずしも十
分ではないという問題があった。
活性化、分解、イオン化あるいは合成するのに最適な条
件、すなわち照射する紫外線の波長と強度、物質の温度
などは、物質の種類によって異なる。従って、被処理物
と処理用流体を接触させて該被処理物を処理する方法に
おいて、被処理物あるいは処理用流体の少なくとも一方
に誘電体バリヤ放電ランプからの１種の紫外線照射を１
回だけ照射して処理する方法は、処理が不完全であった
り、あるいは処理の速度あるいは処理効率が必ずしも十
分ではないという問題があった。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、各
種の処理を高品位で行い、かつ、高速度であるいは高効
率で行うことが出来る誘電体バリヤ放電ランプを利用し
た処理方法を提供することである。
種の処理を高品位で行い、かつ、高速度であるいは高効
率で行うことが出来る誘電体バリヤ放電ランプを利用し
た処理方法を提供することである。
【０００６】
【問題を解決するための手段】上記本発明の目的は、波
長が異なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプと第２の誘電体バリヤ放電ランプにより、被処理物
と処理用流体とを接触させて処理する誘電体バリヤ放電
ランプを使用した処理方法とすることによって達成され
る。
長が異なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプと第２の誘電体バリヤ放電ランプにより、被処理物
と処理用流体とを接触させて処理する誘電体バリヤ放電
ランプを使用した処理方法とすることによって達成され
る。
【０００７】すなわち、被処理物としてのガスを処理す
るガス処理方法においては、波長が異なる紫外線を放射
する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリ
ヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体とを接触さ
せて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方
法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体からな
り、前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ラン
プからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２
の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性
酸素を生成させて、前記被処理物を処理することを特徴
とすることによって達成される。
るガス処理方法においては、波長が異なる紫外線を放射
する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリ
ヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体とを接触さ
せて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方
法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体からな
り、前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ラン
プからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２
の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性
酸素を生成させて、前記被処理物を処理することを特徴
とすることによって達成される。
【０００８】また、被処理物を水に浸して当該被処理物
の外表面を洗浄する湿式洗浄方法においては、波長が異
なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと
第２の誘電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理
用流体とを接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプ
を使用した処理方法であって、前記処理用流体は酸素を
含む流体からなり、前記処理用流体に前記第１の誘電体
バリヤ放電ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成
させ、前記第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線
を照射して活性酸素を生成させて、該処理用流体を前記
水に混入し、前記被処理物を処理することを特徴とする
ことによって達成される。
の外表面を洗浄する湿式洗浄方法においては、波長が異
なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと
第２の誘電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理
用流体とを接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプ
を使用した処理方法であって、前記処理用流体は酸素を
含む流体からなり、前記処理用流体に前記第１の誘電体
バリヤ放電ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成
させ、前記第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線
を照射して活性酸素を生成させて、該処理用流体を前記
水に混入し、前記被処理物を処理することを特徴とする
ことによって達成される。
【０００９】また、被処理物としてのフォトレジストを
灰化処理する灰化方法においては、波長が異なる紫外線
を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電
体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体とを
接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体か
らなり、前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電
ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記
第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して
活性酸素を生成させて、前記被処理物を処理することを
特徴とすることによって達成される。
灰化処理する灰化方法においては、波長が異なる紫外線
を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電
体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体とを
接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体か
らなり、前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電
ランプからの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記
第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して
活性酸素を生成させて、前記被処理物を処理することを
特徴とすることによって達成される。
【００１０】また、被処理物としてのプラスチックを表
面改質する表面改質方法においては、波長が異なる紫外
線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘
電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体と
を接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用し
た処理方法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体
からなり、前記被処理物を窒素雰囲気中で前記第１の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射し、前記処理
用流体と前記被処理物とを接触させて前記第２の誘電体
バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して前記被処理物
を処理することを特徴とすることによって達成される。
面改質する表面改質方法においては、波長が異なる紫外
線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘
電体バリヤ放電ランプにより、被処理物と処理用流体と
を接触させて処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用し
た処理方法であって、前記処理用流体は酸素を含む流体
からなり、前記被処理物を窒素雰囲気中で前記第１の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射し、前記処理
用流体と前記被処理物とを接触させて前記第２の誘電体
バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して前記被処理物
を処理することを特徴とすることによって達成される。
【００１１】また、被処理物としての基板に膜を形成す
る成膜方法においては、波長が異なる紫外線を放射する
第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放
電ランプにより、被処理物と処理用流体とを接触させて
処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法で
あって、前記処理用流体はモノシランガス及びメタンガ
スを含むガスからなり、前記処理用流体に前記第１の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して分解、活
性化させ、前記処理用流体と前記被処理物とを接触させ
て前記第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照
射して再活性化させて、前記被処理物を処理することを
特徴とすることによって達成される。
る成膜方法においては、波長が異なる紫外線を放射する
第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放
電ランプにより、被処理物と処理用流体とを接触させて
処理する誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法で
あって、前記処理用流体はモノシランガス及びメタンガ
スを含むガスからなり、前記処理用流体に前記第１の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して分解、活
性化させ、前記処理用流体と前記被処理物とを接触させ
て前記第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照
射して再活性化させて、前記被処理物を処理することを
特徴とすることによって達成される。
【００１２】また、被処理物を殺菌処理する殺菌方法に
おいては、波長が異なる紫外線を放射する第１の誘電体
バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプによ
り、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する誘電
体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、前記
処理用流体は酸素を含む流体からなり、前記処理用流体
に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照
射してオゾンを生成させ、前記第２の誘電体バリヤ放電
ランプからの紫外線を照射して活性酸素を生成させて、
前記被処理物を処理することを特徴とすることによって
達成される。
おいては、波長が異なる紫外線を放射する第１の誘電体
バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプによ
り、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する誘電
体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、前記
処理用流体は酸素を含む流体からなり、前記処理用流体
に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照
射してオゾンを生成させ、前記第２の誘電体バリヤ放電
ランプからの紫外線を照射して活性酸素を生成させて、
前記被処理物を処理することを特徴とすることによって
達成される。
【００１３】
【作用】少なくとも紫外線による光化学反応を利用しか
つ被処理物と処理用流体を接触させて該被処理物を処理
する際に、紫外線の光源として誘電体バリヤ放電ランプ
を使用すると、従来の低圧水銀放電ランプや高圧アーク
放電ランプに比較して、誘電体バリヤ放電ランプが、特
定の紫外線を高効率で発生できる、ほぼ単色光である、
ランプの温度が低い、形状の自由度が大きいなどの特長
があるので、小型の装置で高効率、高速の処理が可能に
なる。そして、本願発明によれば、波長が異なる紫外線
を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電
体バリヤ放電ランプを使用するので、１回目の紫外線照
射、および、２回目の紫外線照射を最適な条件で行うこ
とが可能になり、したがって、活性化、分解、イオン化
および合成が最適に行われ、その結果、小型の装置で高
効率、高速の処理が可能になる。
つ被処理物と処理用流体を接触させて該被処理物を処理
する際に、紫外線の光源として誘電体バリヤ放電ランプ
を使用すると、従来の低圧水銀放電ランプや高圧アーク
放電ランプに比較して、誘電体バリヤ放電ランプが、特
定の紫外線を高効率で発生できる、ほぼ単色光である、
ランプの温度が低い、形状の自由度が大きいなどの特長
があるので、小型の装置で高効率、高速の処理が可能に
なる。そして、本願発明によれば、波長が異なる紫外線
を放射する第１の誘電体バリヤ放電ランプと第２の誘電
体バリヤ放電ランプを使用するので、１回目の紫外線照
射、および、２回目の紫外線照射を最適な条件で行うこ
とが可能になり、したがって、活性化、分解、イオン化
および合成が最適に行われ、その結果、小型の装置で高
効率、高速の処理が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例である水処
理方法の概略図を図１に示す。箱形の反応容器５は、両
面に紫外線を放射する構造の平板上の２個の誘電体バリ
ヤ放電ランプ６，７によって実質的に２箇の反応空間領
域を有している。誘電体バリヤ放電ランプの概略図を図
２に示す。紫外線を透過する平板上の誘電体２０，２１
と側板２２によって放電空間２３が形成されており、該
放電空間２３内に発光ガスが充填されている。誘電体２
０，２１の表面に設けられた金属網からなる透明電極２
４，２５に交流電源２６によって電圧を印加すると、放
電空間２３内にいわゆる誘電体バリヤ放電、別名オゾナ
イザ放電あるいは無声放電が発生して、誘電体２０，２
１，透明電極２４，２５を通して、高効率で紫外線が放
射される。図には示していないが、必要に応じて、透明
電極２４，２５の表面を紫外線透過性の樹脂、ガラスな
どで覆い電気的に絶縁する。
理方法の概略図を図１に示す。箱形の反応容器５は、両
面に紫外線を放射する構造の平板上の２個の誘電体バリ
ヤ放電ランプ６，７によって実質的に２箇の反応空間領
域を有している。誘電体バリヤ放電ランプの概略図を図
２に示す。紫外線を透過する平板上の誘電体２０，２１
と側板２２によって放電空間２３が形成されており、該
放電空間２３内に発光ガスが充填されている。誘電体２
０，２１の表面に設けられた金属網からなる透明電極２
４，２５に交流電源２６によって電圧を印加すると、放
電空間２３内にいわゆる誘電体バリヤ放電、別名オゾナ
イザ放電あるいは無声放電が発生して、誘電体２０，２
１，透明電極２４，２５を通して、高効率で紫外線が放
射される。図には示していないが、必要に応じて、透明
電極２４，２５の表面を紫外線透過性の樹脂、ガラスな
どで覆い電気的に絶縁する。
【００１５】第１の誘電体バリヤ放電ランプ６は、発光
ガスの主成分としてキセノンガスが封入されており、１
７２ｎｍ付近で最大値を有する１２０から１９０ｎｍの
波長範囲の紫外線を放出する。また、第２の誘電体バリ
ヤ放電ランプ７は、発光ガスの主成分としてクリプトン
と塩素の混合ガスが封入されており、２２２ｎｍ付近で
最大値を有する２００から２４０ｎｍの波長範囲の紫外
線を放出する。処理用流体である空気１が処理用流体供
給口２から反応容器５に供給されると、第１の誘電体バ
リヤ放電ランプ６から放射される１７２ｎｍ付近で最大
値を有する１２０から１９０ｎｍの範囲の紫外線によっ
て空気１中の酸素から反応空間領域８においてオゾンが
生成される。該オゾンは、反応空間領域９に移動して、
第２の誘電体バリヤ放電ランプ７から放射される２２２
ｎｍ付近で最大値を有する２００から２４０ｎｍの波長
範囲の紫外線を照射され、活性酸素原子と酸素分子に分
解される。該活性酸素原子と酸素分子と、被処理物供給
口４から反応容器５に供給された被処理物である水３が
混合され、反応空間領域１０，１１における該混合流体
に第２および第１の誘電体バリヤ放電ランプ７および６
からの紫外線が照射される。
ガスの主成分としてキセノンガスが封入されており、１
７２ｎｍ付近で最大値を有する１２０から１９０ｎｍの
波長範囲の紫外線を放出する。また、第２の誘電体バリ
ヤ放電ランプ７は、発光ガスの主成分としてクリプトン
と塩素の混合ガスが封入されており、２２２ｎｍ付近で
最大値を有する２００から２４０ｎｍの波長範囲の紫外
線を放出する。処理用流体である空気１が処理用流体供
給口２から反応容器５に供給されると、第１の誘電体バ
リヤ放電ランプ６から放射される１７２ｎｍ付近で最大
値を有する１２０から１９０ｎｍの範囲の紫外線によっ
て空気１中の酸素から反応空間領域８においてオゾンが
生成される。該オゾンは、反応空間領域９に移動して、
第２の誘電体バリヤ放電ランプ７から放射される２２２
ｎｍ付近で最大値を有する２００から２４０ｎｍの波長
範囲の紫外線を照射され、活性酸素原子と酸素分子に分
解される。該活性酸素原子と酸素分子と、被処理物供給
口４から反応容器５に供給された被処理物である水３が
混合され、反応空間領域１０，１１における該混合流体
に第２および第１の誘電体バリヤ放電ランプ７および６
からの紫外線が照射される。
【００１６】その結果、水に不純物として含まれている
メタノール、イソプロピルアルコイド等が分解され、無
害な炭酸ガス、水等に変換される。処理された水は、処
理用空気とともに、出口１２から排出される。
メタノール、イソプロピルアルコイド等が分解され、無
害な炭酸ガス、水等に変換される。処理された水は、処
理用空気とともに、出口１２から排出される。
【００１７】本実施例の利点として、第１に、オゾンの
生成用の紫外線の波長範囲とオゾンの分解用の紫外線の
波長範囲を異ならせたので、従って高効率の処理が可能
になり、第２に、被処理物と前処理された処理用流体の
混合物に、第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線
に加えて、第１の誘ール、メチルエチルケトン、トリク
ロルエチレン、ドデシルベンゼンスルフォン酸、ポリオ
キシエチレンオクチルフェニルエーテル、トリメチルア
ミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ電体バ
リヤ放電ランプによって従来の低圧水銀放電ランプや高
圧アークランプでは発生できない短波長の紫外線を高効
率で照射することが出来るので、従来の方法では分解が
困難であったトリメチルアミン、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド等が分解可能になり、第３に、
第１および第２の誘電体バリヤ放電ランプの光出力特性
が周囲温度によって変化しないので、比較的低温度でし
かも温度の一定化には多大のエネルギーが必要である水
の処理を安定に行うことが出来、第４に、第１および第
２の誘電体バリヤ放電ランプの形状の変更に大きな自由
度があるので、第１の工程と第２の工程およびそれに続
く工程を直近して行うことが可能になり、従って高効率
の処理が出来るようになる。
生成用の紫外線の波長範囲とオゾンの分解用の紫外線の
波長範囲を異ならせたので、従って高効率の処理が可能
になり、第２に、被処理物と前処理された処理用流体の
混合物に、第２の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線
に加えて、第１の誘ール、メチルエチルケトン、トリク
ロルエチレン、ドデシルベンゼンスルフォン酸、ポリオ
キシエチレンオクチルフェニルエーテル、トリメチルア
ミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ電体バ
リヤ放電ランプによって従来の低圧水銀放電ランプや高
圧アークランプでは発生できない短波長の紫外線を高効
率で照射することが出来るので、従来の方法では分解が
困難であったトリメチルアミン、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド等が分解可能になり、第３に、
第１および第２の誘電体バリヤ放電ランプの光出力特性
が周囲温度によって変化しないので、比較的低温度でし
かも温度の一定化には多大のエネルギーが必要である水
の処理を安定に行うことが出来、第４に、第１および第
２の誘電体バリヤ放電ランプの形状の変更に大きな自由
度があるので、第１の工程と第２の工程およびそれに続
く工程を直近して行うことが可能になり、従って高効率
の処理が出来るようになる。
【００１８】本発明の第２の実施例は、第１の実施例に
おいて、被処理物供給口４を閉じてしまい、被処理物３
と処理用流体１の混合物を処理用流体供給口２から混合
供給する方法である。この方法は装置が簡単になる利点
がある。
おいて、被処理物供給口４を閉じてしまい、被処理物３
と処理用流体１の混合物を処理用流体供給口２から混合
供給する方法である。この方法は装置が簡単になる利点
がある。
【００１９】本発明の第３の実施例は、第１あるいは第
２の実施例において、処理用流体として過酸化水素を使
用したものである。過酸化水素は、過酸化水素水として
供給される。供給された過酸化水素水は、反応空間領域
８，９において紫外線の照射によってヒドロキシラジカ
ルを生成する。被処理物と該前処理された過酸化水素水
の混合物に、反応空間領域１０，１１において紫外線が
照射され、被処理物が処理される。
２の実施例において、処理用流体として過酸化水素を使
用したものである。過酸化水素は、過酸化水素水として
供給される。供給された過酸化水素水は、反応空間領域
８，９において紫外線の照射によってヒドロキシラジカ
ルを生成する。被処理物と該前処理された過酸化水素水
の混合物に、反応空間領域１０，１１において紫外線が
照射され、被処理物が処理される。
【００２０】本発明の第４の実施例は、第１から第２の
実施例において、被処理物を工業廃水や、下水としたも
のである。この実施例においても、被処理物に含まれて
いる固形物の分離などの前処理工程が必要になる場合が
あるが、第１から第３の実施例と同様の機構で被処理物
が処理される。
実施例において、被処理物を工業廃水や、下水としたも
のである。この実施例においても、被処理物に含まれて
いる固形物の分離などの前処理工程が必要になる場合が
あるが、第１から第３の実施例と同様の機構で被処理物
が処理される。
【００２１】第１から第４までの実施例は被処理物が液
体であったが、第５の実施例は第１から第５の実施例に
おける被処理物を、ガスに置き換えたものである。例え
ば、被処理物を成層圏オゾン層を破壊するＣＦＣ−１
１，ＣＦＣ−１２，ＣＦＣ−１１４およびＣＦＣ−１１
２等のフロンガスとし、処理用流体として酸素を使用す
ると、炭素、塩素、フッ素の化合物であるフロンを、該
処理方法によって無害な低級フッ素樹脂、炭酸ガス、或
いは塩化水素に変換する事が可能になる。なお、塩化水
素ガスは、別工程でナトリウム化合物等にして処理す
る。四塩化炭素やメチルクロロホルムなどを含む工業廃
ガスなど各種の廃ガスも第６の実施例の方法で処理する
ことが出来る。
体であったが、第５の実施例は第１から第５の実施例に
おける被処理物を、ガスに置き換えたものである。例え
ば、被処理物を成層圏オゾン層を破壊するＣＦＣ−１
１，ＣＦＣ−１２，ＣＦＣ−１１４およびＣＦＣ−１１
２等のフロンガスとし、処理用流体として酸素を使用す
ると、炭素、塩素、フッ素の化合物であるフロンを、該
処理方法によって無害な低級フッ素樹脂、炭酸ガス、或
いは塩化水素に変換する事が可能になる。なお、塩化水
素ガスは、別工程でナトリウム化合物等にして処理す
る。四塩化炭素やメチルクロロホルムなどを含む工業廃
ガスなど各種の廃ガスも第６の実施例の方法で処理する
ことが出来る。
【００２２】第６の実施例である湿式洗浄方法の概略図
を図３に示す。箱形の洗浄槽３０内に、両面に紫外線を
放射する構造の平板状の２個の誘電体バリヤ放電ランプ
６，７が設置されている。誘電体バリヤ放電ランプの構
造は、図２に示すものと実質的に同一である。第１の誘
電体バリヤ放電ランプ６は、発光ガスの主成分としてキ
セノンガスが封入されており、１７２ｎｍ付近で最大値
を有する１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫外線を放
出する。また、第２の誘電体バリヤ放電ランプ７は、発
光ガスの主成分としてクリプトンとフッ素の混合ガスが
封入されており、２４９ｎｍ付近で最大値を有する２４
０から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線を放出する。処理
用流体である空気１が処理用流体供給口２から供給され
ると、第１の誘電体バリヤ放電ランプ６から放出される
１７２ｎｍ付近で最大値を有する１２０から１９０ｎｍ
の範囲の紫外線によって空気１中の酸素から反応空間領
域８においてオゾンが生成される。該オゾンは、反応空
間領域９に移動して、第２の誘電体バリヤ放電ランプ７
から放射される２４９ｎｍ付近で最大値を有する２４０
から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線を照射され、活性酸
素原子と酸素分子に分解される。該活性酸素原子と酸素
分子は、洗浄槽３０の底に設けられた泡立て器３１を通
して洗浄槽３０内の水３２のなかに混入される。
を図３に示す。箱形の洗浄槽３０内に、両面に紫外線を
放射する構造の平板状の２個の誘電体バリヤ放電ランプ
６，７が設置されている。誘電体バリヤ放電ランプの構
造は、図２に示すものと実質的に同一である。第１の誘
電体バリヤ放電ランプ６は、発光ガスの主成分としてキ
セノンガスが封入されており、１７２ｎｍ付近で最大値
を有する１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫外線を放
出する。また、第２の誘電体バリヤ放電ランプ７は、発
光ガスの主成分としてクリプトンとフッ素の混合ガスが
封入されており、２４９ｎｍ付近で最大値を有する２４
０から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線を放出する。処理
用流体である空気１が処理用流体供給口２から供給され
ると、第１の誘電体バリヤ放電ランプ６から放出される
１７２ｎｍ付近で最大値を有する１２０から１９０ｎｍ
の範囲の紫外線によって空気１中の酸素から反応空間領
域８においてオゾンが生成される。該オゾンは、反応空
間領域９に移動して、第２の誘電体バリヤ放電ランプ７
から放射される２４９ｎｍ付近で最大値を有する２４０
から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線を照射され、活性酸
素原子と酸素分子に分解される。該活性酸素原子と酸素
分子は、洗浄槽３０の底に設けられた泡立て器３１を通
して洗浄槽３０内の水３２のなかに混入される。
【００２３】被処理物、例えばプラスチッックの瓶３３
は、支持具３４によってオゾンの混入した水３２に沈め
られ、第１および第２の誘電体バリヤ放電ランプからの
紫外線の照射によって外表面が洗浄される。該洗浄によ
って、瓶３３の外表面への印刷などが高品位で行えるよ
うになる。支持具３４を回転させることにより被処理物
であるプラスチックの瓶３３を回転させる方法や、第
１、第２の誘電体バリヤ放電ランプに対向して第３，４
の誘電体バリヤ放電ランプを瓶３３を挟むように設ける
ことにより、処理速度を大きくすることが出来る。
は、支持具３４によってオゾンの混入した水３２に沈め
られ、第１および第２の誘電体バリヤ放電ランプからの
紫外線の照射によって外表面が洗浄される。該洗浄によ
って、瓶３３の外表面への印刷などが高品位で行えるよ
うになる。支持具３４を回転させることにより被処理物
であるプラスチックの瓶３３を回転させる方法や、第
１、第２の誘電体バリヤ放電ランプに対向して第３，４
の誘電体バリヤ放電ランプを瓶３３を挟むように設ける
ことにより、処理速度を大きくすることが出来る。
【００２４】第７の実施例であるフォトレジストの灰化
方法の概略図を図４に示す。灰化ダクト４０内に注入さ
れた処理用流体酸素１は、灰化ダクト４０内に設けられ
た第１の誘電体バリヤ放電ランプ群４１から放射される
紫外線によってオゾンに変換される。第１の誘電体バリ
ヤ放電ランプ群４１は、図５に示したような中空同軸円
筒形の誘電体バリヤ放電ランプ４１ａを台座４４に複数
束ねたもので、各誘電体バリヤ放電ランプ４１ａの構造
は、内側誘電体５１の内側に紫外線の反射板と電極を兼
ねたアルミニウム箔５２が設けてあり、該内側誘電体５
１と同軸に設けられた外側誘電体５３の外側には紫外線
を透過する電極５４が設けられた構造である。該内側誘
電体５１と外側誘電体５３によって形成された中空円筒
部５５に、発光用ガスが充填されている。電極５２，５
４間に電源２６によって電圧を印加すると、中空円筒部
５５にオゾナイザ放電が発生し、外側誘電体５４から紫
外線が放射される。
方法の概略図を図４に示す。灰化ダクト４０内に注入さ
れた処理用流体酸素１は、灰化ダクト４０内に設けられ
た第１の誘電体バリヤ放電ランプ群４１から放射される
紫外線によってオゾンに変換される。第１の誘電体バリ
ヤ放電ランプ群４１は、図５に示したような中空同軸円
筒形の誘電体バリヤ放電ランプ４１ａを台座４４に複数
束ねたもので、各誘電体バリヤ放電ランプ４１ａの構造
は、内側誘電体５１の内側に紫外線の反射板と電極を兼
ねたアルミニウム箔５２が設けてあり、該内側誘電体５
１と同軸に設けられた外側誘電体５３の外側には紫外線
を透過する電極５４が設けられた構造である。該内側誘
電体５１と外側誘電体５３によって形成された中空円筒
部５５に、発光用ガスが充填されている。電極５２，５
４間に電源２６によって電圧を印加すると、中空円筒部
５５にオゾナイザ放電が発生し、外側誘電体５４から紫
外線が放射される。
【００２５】第１の誘電体バリヤ放電ランプ群４１から
放射される紫外線によって生成されたオゾンは第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線によって活性化酸素
原子に変換される。被処理物である半導体基板４３に塗
布されたフォトレジストは、第２の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群４２からの紫外線の照射のもとに活性化酸素原子
と反応し、灰化する。個々の放電ランプ４２ａの構造
は、放電ランプ４１ａと同一であって、かつ台座４４に
取り付けられている。２箇の台座４４の位置調節をすれ
ば、ランプ群４１とランプ群４２の距離は調節できる。
放射される紫外線によって生成されたオゾンは第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線によって活性化酸素
原子に変換される。被処理物である半導体基板４３に塗
布されたフォトレジストは、第２の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群４２からの紫外線の照射のもとに活性化酸素原子
と反応し、灰化する。個々の放電ランプ４２ａの構造
は、放電ランプ４１ａと同一であって、かつ台座４４に
取り付けられている。２箇の台座４４の位置調節をすれ
ば、ランプ群４１とランプ群４２の距離は調節できる。
【００２６】第２の誘電体バリヤ放電ランプ群４２が、
比較的波長の長い２４０から２５５ｎｍ，２００から２
４０ｎｍ，３００から３２０ｎｍの範囲の紫外線を放射
するように発光物質を選択すると、基板４３に照射され
る光子のエネルギーが小さいので、基板４３を損傷する
ことが少ない。また、第２の誘電体バリヤ放電ランプ群
４２が、比較的波長の短い１８０から２００ｎｍ，１６
０から１９０ｎｍの範囲の紫外線を放射するように発光
物質を選択すると、該紫外線は、酸素分子の吸収断面積
が大きいので基板表面近くにおいて化学活性の高い酸素
原子の密度を極めて高く生成することが出来ることにな
り、かつ、基板４３に照射される光子のエネルギーが大
きいので、イオンが注入されて灰化しにくくなったフォ
トレジストも灰化することが出来る。
比較的波長の長い２４０から２５５ｎｍ，２００から２
４０ｎｍ，３００から３２０ｎｍの範囲の紫外線を放射
するように発光物質を選択すると、基板４３に照射され
る光子のエネルギーが小さいので、基板４３を損傷する
ことが少ない。また、第２の誘電体バリヤ放電ランプ群
４２が、比較的波長の短い１８０から２００ｎｍ，１６
０から１９０ｎｍの範囲の紫外線を放射するように発光
物質を選択すると、該紫外線は、酸素分子の吸収断面積
が大きいので基板表面近くにおいて化学活性の高い酸素
原子の密度を極めて高く生成することが出来ることにな
り、かつ、基板４３に照射される光子のエネルギーが大
きいので、イオンが注入されて灰化しにくくなったフォ
トレジストも灰化することが出来る。
【００２７】第８の実施例である表面改質方法の概略図
を図６に示す。被処理物であるプラスチック６０は、上
部から供給された窒素６２の雰囲気で満たされた第１の
処理ダクト６１に設置され、第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群６３からの１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫
外線の照射をうけ、表面に存在する分子の結合が切断さ
れる。しかるのちに、プラスチック６０は、搬送装置６
４によって第２の処理ダクト６５に運ばれ、処理用流体
供給口２から供給された酸素もしくは空気１の雰囲気中
で第２の誘電体バリヤ放電ランプ群６６からの紫外線の
照射を受け、表面に−ＣＯＯＨ基、−ＯＨ基が生成され
る。上記のような処理によって、プラスチック表面への
印刷、接着などが高品位で出来るようになる。この実施
例では被処理物は大気圧以上の雰囲気にあるので、被処
理物の移動が簡単であるという利点が生じる。また、第
１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３から１０７から１６
５ｎｍの波長範囲の紫外線が放射されると、フッ素樹脂
のような非常に安定な樹脂の表面の改質を行うことが出
来るようになる。
を図６に示す。被処理物であるプラスチック６０は、上
部から供給された窒素６２の雰囲気で満たされた第１の
処理ダクト６１に設置され、第１の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群６３からの１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫
外線の照射をうけ、表面に存在する分子の結合が切断さ
れる。しかるのちに、プラスチック６０は、搬送装置６
４によって第２の処理ダクト６５に運ばれ、処理用流体
供給口２から供給された酸素もしくは空気１の雰囲気中
で第２の誘電体バリヤ放電ランプ群６６からの紫外線の
照射を受け、表面に−ＣＯＯＨ基、−ＯＨ基が生成され
る。上記のような処理によって、プラスチック表面への
印刷、接着などが高品位で出来るようになる。この実施
例では被処理物は大気圧以上の雰囲気にあるので、被処
理物の移動が簡単であるという利点が生じる。また、第
１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３から１０７から１６
５ｎｍの波長範囲の紫外線が放射されると、フッ素樹脂
のような非常に安定な樹脂の表面の改質を行うことが出
来るようになる。
【００２８】第９の実施例である成膜方法の概略図を図
７に示す。反応容器７０の上部に設けられた発光用ガス
供給口７５に近接して、窓部材を有さない第１の誘電体
バリヤ放電ランプ群６３が設けられている。発光用ガス
供給口７５から発光用ガスアルゴン７４が供給される
と、第１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３からアルゴン
のエキシマ分子から放射される１０７から１６５ｎｍの
波長範囲の紫外線が放射される。処理用流体供給口２か
ら供給された処理用流体モノシランガスとメタンガスの
混合ガス１は第１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３から
放射される１０７から１６５ｎｍの波長範囲の紫外線に
よって分解、活性化され、被処理物である基板７１の表
面において第２の誘電体バリヤ放電ランプ群６６からの
紫外線によって再活性化され水素化アモルファス炭化シ
リコンの薄膜を形成する。第２の誘電体バリヤ放電ラン
プ群６６として比較的長い波長の紫外線を放射するラン
プを採用すると、膜に照射される光子のエネルギーが小
さいので、膜を損傷することが少なく、高品質の膜が得
られる。処理用流体を第１の誘電体バリヤ放電ランプの
紫外線で分解、活性化し、さらに成膜時に第２の紫外線
を照射することにより、良質な膜の形成が可能になっ
た。被処理物の支持装置７２に被処理物の温度を調整す
る機構を組み込み被処理物の温度を調整したり、支持具
７３によって被処理物と第１の誘電体バリヤ放電ランプ
群６３との距離を調整したりすることにより、さらに良
質の膜を形成することが可能になる。尚、７６は放電用
ガスや処理用ガスの排出口である。
７に示す。反応容器７０の上部に設けられた発光用ガス
供給口７５に近接して、窓部材を有さない第１の誘電体
バリヤ放電ランプ群６３が設けられている。発光用ガス
供給口７５から発光用ガスアルゴン７４が供給される
と、第１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３からアルゴン
のエキシマ分子から放射される１０７から１６５ｎｍの
波長範囲の紫外線が放射される。処理用流体供給口２か
ら供給された処理用流体モノシランガスとメタンガスの
混合ガス１は第１の誘電体バリヤ放電ランプ群６３から
放射される１０７から１６５ｎｍの波長範囲の紫外線に
よって分解、活性化され、被処理物である基板７１の表
面において第２の誘電体バリヤ放電ランプ群６６からの
紫外線によって再活性化され水素化アモルファス炭化シ
リコンの薄膜を形成する。第２の誘電体バリヤ放電ラン
プ群６６として比較的長い波長の紫外線を放射するラン
プを採用すると、膜に照射される光子のエネルギーが小
さいので、膜を損傷することが少なく、高品質の膜が得
られる。処理用流体を第１の誘電体バリヤ放電ランプの
紫外線で分解、活性化し、さらに成膜時に第２の紫外線
を照射することにより、良質な膜の形成が可能になっ
た。被処理物の支持装置７２に被処理物の温度を調整す
る機構を組み込み被処理物の温度を調整したり、支持具
７３によって被処理物と第１の誘電体バリヤ放電ランプ
群６３との距離を調整したりすることにより、さらに良
質の膜を形成することが可能になる。尚、７６は放電用
ガスや処理用ガスの排出口である。
【００２９】第１０の実施例である殺菌方法の概略図を
図８に示す。誘電体バリヤ放電ランプは、図８に示した
ように、３本の管状の誘電体を同軸的に配置してなるも
のであって、内側誘電体５１、中間誘電体８８および外
側誘電体５３を同軸に配置して独立した内側放電室８７
と外側放電室８６を形成し、中間誘電体８８内に埋め込
まれた中間電極８９と内側誘電体５１の内面に設けられ
た透明電極８２および外側誘電体５３の外面に設けられ
た透明外側電極５４の間にそれぞれ交流電源２６ａおよ
び２６ｂによって電圧を印加して、内側放電室８７と外
側放電室８６で誘電体バリヤ放電を行う方式のランプで
ある。内側放電室８７の発光用ガスとしてキセノンガス
を使用して１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫外線を
放射させ、外側放電室８６の発光用ガスとしてクリプト
ンとフッ素の混合ガスを使用し、２４０から２５５ｎｍ
の波長範囲の紫外線を放射させる。
図８に示す。誘電体バリヤ放電ランプは、図８に示した
ように、３本の管状の誘電体を同軸的に配置してなるも
のであって、内側誘電体５１、中間誘電体８８および外
側誘電体５３を同軸に配置して独立した内側放電室８７
と外側放電室８６を形成し、中間誘電体８８内に埋め込
まれた中間電極８９と内側誘電体５１の内面に設けられ
た透明電極８２および外側誘電体５３の外面に設けられ
た透明外側電極５４の間にそれぞれ交流電源２６ａおよ
び２６ｂによって電圧を印加して、内側放電室８７と外
側放電室８６で誘電体バリヤ放電を行う方式のランプで
ある。内側放電室８７の発光用ガスとしてキセノンガス
を使用して１２０から１９０ｎｍの波長範囲の紫外線を
放射させ、外側放電室８６の発光用ガスとしてクリプト
ンとフッ素の混合ガスを使用し、２４０から２５５ｎｍ
の波長範囲の紫外線を放射させる。
【００３０】処理用流体である酸素ガス１を管状の内側
誘電体５１の一端８１から流し込み、第１の反応空間８
３内で内側放電室８７から放射された１２０から１９０
ｎｍの波長範囲の紫外線によって生成したオゾンを内側
誘電体５１の他の一端８４から噴出させる。該オゾンは
反応空間８５内で外側放電室８６から放射された２４０
から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線によって分解され、
活性な酸素原子を生成し、活性な酸素原子が被処理物で
ある食品用カップ９０の内面を殺菌する。さらに、食品
用カップ９０の内面を照射した外側放電室８６から放射
された２４０から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線は、こ
の波長領域の紫外線は殺菌作用が最適であるため食品用
カップ９０の内面を直接殺菌し、従って、短時間で殺
菌、消毒を行うことが出来る。
誘電体５１の一端８１から流し込み、第１の反応空間８
３内で内側放電室８７から放射された１２０から１９０
ｎｍの波長範囲の紫外線によって生成したオゾンを内側
誘電体５１の他の一端８４から噴出させる。該オゾンは
反応空間８５内で外側放電室８６から放射された２４０
から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線によって分解され、
活性な酸素原子を生成し、活性な酸素原子が被処理物で
ある食品用カップ９０の内面を殺菌する。さらに、食品
用カップ９０の内面を照射した外側放電室８６から放射
された２４０から２５５ｎｍの波長範囲の紫外線は、こ
の波長領域の紫外線は殺菌作用が最適であるため食品用
カップ９０の内面を直接殺菌し、従って、短時間で殺
菌、消毒を行うことが出来る。
【００３１】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、波長
が異なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ラン
プと第２の誘電体バリヤ放電ランプを使用したので、各
種の処理を高品質で、高効率で、十分な速度で行うこと
ができる処理方法を提供できる。
が異なる紫外線を放射する第１の誘電体バリヤ放電ラン
プと第２の誘電体バリヤ放電ランプを使用したので、各
種の処理を高品質で、高効率で、十分な速度で行うこと
ができる処理方法を提供できる。
【図１】本発明を使用した水処理方法の説明図である。
【図２】誘電体バリヤ放電ランプの概略図である。
【図３】本発明を使用した湿式洗浄方法の説明図であ
る。
る。
【図４】本発明を使用したフォトレジストの灰化方法の
説明図である。
説明図である。
【図５】他の構造の誘電体バリヤ放電ランプの概略図で
ある。
ある。
【図６】本発明を使用したプラスチックの表面改質方法
の説明図である。
の説明図である。
【図７】本発明を使用した成膜方法の説明図である。
【図８】本発明を使用した殺菌方法の説明図である。
１ 処理用流体 ３ 被処理物 ６，７ 誘電体バリヤ放電ランプ ８，９，１０，１１ 反応空間領域 ２０，２１ 誘電体 ２３ 放電空間 ２４，２５ 透明電極 ２６ 交流電源
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｊ 65/00 Ｂ ４Ｇ０７５ Ｇ２１Ｋ 5/00 Ａ６１Ｌ 2/10 Ｈ０１Ｊ 65/00 2/20 Ｊ // Ａ６１Ｌ 2/10 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４Ｅ 2/20 ＺＡＢ (72)発明者 五十嵐 龍志 兵庫県姫路市別所町佐土1194番地 ウシオ 電機株式会社内 (72)発明者 平本 立躬 兵庫県姫路市別所町佐土1194番地 ウシオ 電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 LA02 LA03 4C058 AA06 BB06 BB07 CC02 CC04 JJ14 JJ28 KK02 KK42 4D002 AA21 AA22 BA05 BA09 EA06 4D037 AA11 AB11 BA18 BB09 4G042 CA03 CE04 4G075 AA02 AA30 AA37 BA06 CA33 CA51 CA57 DA02 EB01 EB31 EC21
Claims (6)
- 【請求項１】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物としてのガスを処理するガス処理方法であ
り、 前記処理用流体は酸素を含む流体からなり、 前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプか
らの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性酸素
を生成させて、 前記被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。 - 【請求項２】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物を水に浸して当該被処理物の外表面を洗浄
する湿式洗浄方法であり、 前記処理用流体は酸素を含む流体からなり、 前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプか
らの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性酸素
を生成させて、該処理用流体を前記水に混入し、 前記被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。 - 【請求項３】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物としてのフォトレジストを灰化処理する灰
化方法であり、 前記処理用流体は酸素を含む流体からなり、 前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプか
らの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性酸素
を生成させて、 前記被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。 - 【請求項４】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物としてのプラスチックを表面改質する表面
改質方法であり、 前記処理用流体は酸素を含む流体からなり、 窒素雰囲気中で前記第１の誘電体バリヤ放電ランプから
の紫外線を前記被処理物に照射し、 前記処理用流体と前記被処理物とを接触させて前記第２
の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して前記
被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ放電
ランプを使用した処理方法。 - 【請求項５】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物としての基板に膜を形成する成膜方法であ
り、 前記処理用流体はモノシランガス及びメタンガスを含む
ガスからなり、 前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプか
らの紫外線を照射して分解、活性化させ、 前記処理用流体と前記被処理物とを接触させて前記第２
の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して再活
性化させて、 前記被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。 - 【請求項６】 波長が異なる紫外線を放射する第１の誘
電体バリヤ放電ランプと第２の誘電体バリヤ放電ランプ
により、被処理物と処理用流体とを接触させて処理する
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法であって、 前記被処理物を殺菌処理する殺菌方法であり、 前記処理用流体は酸素を含む流体からなり、 前記処理用流体に前記第１の誘電体バリヤ放電ランプか
らの紫外線を照射してオゾンを生成させ、前記第２の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線を照射して活性酸素
を生成させて、 前記被処理物を処理することを特徴とする誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。
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