JPS60211077A - 合金導電膜の形成方法 - Google Patents
合金導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60211077A JPS60211077A JP6796284A JP6796284A JPS60211077A JP S60211077 A JPS60211077 A JP S60211077A JP 6796284 A JP6796284 A JP 6796284A JP 6796284 A JP6796284 A JP 6796284A JP S60211077 A JPS60211077 A JP S60211077A
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- JP
- Japan
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- substrate
- alloy
- electrically conductive
- gaseous
- light
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、例えばＡＪとＳｔの合金などからなる合金導
電膜を基体上に形成する方法に関する・〔従来技術とそ
の問題点〕 Ａ！導電膜は半導体装置Ｏ８１基板上の配線等に多く用
いられるが、 ＡＪが８１と合金してアロイスパイクが
生じ、内部接合を貫通して所望の特性が得られｋいこと
がある。従って予めＡｎにＳｔを合金させて導電膜を形
成し、基板のＳｔが合金するのを防止することが行われ
る。あるいはＡＩはエレクトロマイクレージョンを起こ
しやすいので、その対策としてＡｌ−Ｃｕ合金あるいｔ
ｌＡｌ−８ｔ−Ｃｕ合金により導電膜を形成することも
ある＠このような合金導電膜の形成は、従来蒸着法やス
パッタリング法で行われるのが一般的であった。しかし
スパッタリングは言うに及ばず、蒸着法でさえも導電膜
の構成原子がかなシ大きな運動エネルギーを持って基板
に衝突するために、基体に損傷を与えるという現象があ
り、特にシリコン基板の場合には基板に作り込まれてデ
バイスの特性を劣化させる問題がある。そのため、蒸着
あるいはスパッタリング工程後に必ずアニール工程を施
さねばならなかった◇また、これらの方法では、たとえ
マスクを使用しても堆積粒子がマスクの下側に廻シ込む
ため、μｍ程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形
成することは不可能であり、堆積後のリソ゛グラフイエ
程が必須であった。さらに、例えばＳｌ基板上のＭ−８
１合金導電膜において抹、基板との界面における合金組
成が重要であり、Ｓ１濃度が高すぎると接触成を精密に
制御しなければならず、それよシ上側の層では電気抵抗
の減少のため、むしろＳ１濃度の低いことが望ましい。
電膜を基体上に形成する方法に関する・〔従来技術とそ
の問題点〕 Ａ！導電膜は半導体装置Ｏ８１基板上の配線等に多く用
いられるが、 ＡＪが８１と合金してアロイスパイクが
生じ、内部接合を貫通して所望の特性が得られｋいこと
がある。従って予めＡｎにＳｔを合金させて導電膜を形
成し、基板のＳｔが合金するのを防止することが行われ
る。あるいはＡＩはエレクトロマイクレージョンを起こ
しやすいので、その対策としてＡｌ−Ｃｕ合金あるいｔ
ｌＡｌ−８ｔ−Ｃｕ合金により導電膜を形成することも
ある＠このような合金導電膜の形成は、従来蒸着法やス
パッタリング法で行われるのが一般的であった。しかし
スパッタリングは言うに及ばず、蒸着法でさえも導電膜
の構成原子がかなシ大きな運動エネルギーを持って基板
に衝突するために、基体に損傷を与えるという現象があ
り、特にシリコン基板の場合には基板に作り込まれてデ
バイスの特性を劣化させる問題がある。そのため、蒸着
あるいはスパッタリング工程後に必ずアニール工程を施
さねばならなかった◇また、これらの方法では、たとえ
マスクを使用しても堆積粒子がマスクの下側に廻シ込む
ため、μｍ程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形
成することは不可能であり、堆積後のリソ゛グラフイエ
程が必須であった。さらに、例えばＳｌ基板上のＭ−８
１合金導電膜において抹、基板との界面における合金組
成が重要であり、Ｓ１濃度が高すぎると接触成を精密に
制御しなければならず、それよシ上側の層では電気抵抗
の減少のため、むしろＳ１濃度の低いことが望ましい。
しかし従来の方法では、膜中の成分元素濃度をそのよう
に微妙に変化させることは困難であった〇 〔発明の目的〕 本発明は、上述の欠点を除去して基体上の合金導電膜の
形成が基体へ好ましくない影響を及埋すことな〈実施で
き、また微細パターンの形成あるいは膜中の成分元素の
濃度の微妙な調整が可能な方法を提供することを目的と
する。
に微妙に変化させることは困難であった〇 〔発明の目的〕 本発明は、上述の欠点を除去して基体上の合金導電膜の
形成が基体へ好ましくない影響を及埋すことな〈実施で
き、また微細パターンの形成あるいは膜中の成分元素の
濃度の微妙な調整が可能な方法を提供することを目的と
する。
本発明によれば、基体表面に合金成分元素のすべてを含
む反応ガスを接触させ、光の照射によｐ反応エネルギー
を与えることによって反応ガスよシ合金導電膜を基体上
に成長させることにより上記の目的が達成される。照射
光としては、必要な反応エネルギーに対応する波長よシ
短いが、吸収が著しくなるほど短くない波長をもつ光が
望ましく、そのため１０００〜６０００Ａの波長の紫外
乃至可視領域のレーザ光が有効に用いられる。
む反応ガスを接触させ、光の照射によｐ反応エネルギー
を与えることによって反応ガスよシ合金導電膜を基体上
に成長させることにより上記の目的が達成される。照射
光としては、必要な反応エネルギーに対応する波長よシ
短いが、吸収が著しくなるほど短くない波長をもつ光が
望ましく、そのため１０００〜６０００Ａの波長の紫外
乃至可視領域のレーザ光が有効に用いられる。
以下、本発明の実施のための装置を示す第１図を引用し
てシリコン基板上の酸化シリコン膜の上にシリコン含有
アルミニウム配線を形成する実施例について説明する０
１μｍ厚さの酸化シリコン膜を被着したシリコン基板１
を反応室２内に収容し、反応室内を真空ポンプ３により
排気し、他側より〜≦シ、。−２−２４よよ□□１１□
ゎえ１００ ｍｌ／ｍのＡＪ？（ＣＨ３）ガスをボンベ
５よシ、１０ｍｌ／―のＳ ｉＨ４ガスをボンベ６より
、またキャリヤガスとして３０００ ｍ１７”のＨｅガ
スをボンベ７よシ導入して１００Ｔｏｒｒ前後の圧力に
保つ０そこへＡｒＦエキシマレーザの１９３０Ｘ発振光
８を鏡９、レンズ１０を介して基板１上に焦点を入射さ
せる。基板上で光ビームの径は２μｍ１パワ一密度は５
ＭＷ／−である。ビームを図示しない格子の転回、シ
ャッタの開閉等を利用してシリコン基板１の所定の領域
上を走査すれば、２．５μｍ幅の１ｔ１６のシリコンを
含むアルミニウム／シリコン合金配線パター／が得られ
る。もちろんビームの全面走査により基板１上を合金導
電膜で全面被覆することもできる。
てシリコン基板上の酸化シリコン膜の上にシリコン含有
アルミニウム配線を形成する実施例について説明する０
１μｍ厚さの酸化シリコン膜を被着したシリコン基板１
を反応室２内に収容し、反応室内を真空ポンプ３により
排気し、他側より〜≦シ、。−２−２４よよ□□１１□
ゎえ１００ ｍｌ／ｍのＡＪ？（ＣＨ３）ガスをボンベ
５よシ、１０ｍｌ／―のＳ ｉＨ４ガスをボンベ６より
、またキャリヤガスとして３０００ ｍ１７”のＨｅガ
スをボンベ７よシ導入して１００Ｔｏｒｒ前後の圧力に
保つ０そこへＡｒＦエキシマレーザの１９３０Ｘ発振光
８を鏡９、レンズ１０を介して基板１上に焦点を入射さ
せる。基板上で光ビームの径は２μｍ１パワ一密度は５
ＭＷ／−である。ビームを図示しない格子の転回、シ
ャッタの開閉等を利用してシリコン基板１の所定の領域
上を走査すれば、２．５μｍ幅の１ｔ１６のシリコンを
含むアルミニウム／シリコン合金配線パター／が得られ
る。もちろんビームの全面走査により基板１上を合金導
電膜で全面被覆することもできる。
本発明は上記の実施例にとどまらず、使用ガス、使用光
源を変えることによ？） 、ＡＩ−８１−Ｃｕ合金ある
いはその他の各種金属の組合せからなる合金の導電膜を
容易に形成することができる。反応ガスとしては、各成
分金属に対するアルキル金属ガスを混合することが有効
である０膜厚方向において合金成分濃度を変化させよう
とするときは、各成分金属に対する配合ガスの混合比、
すなわち流量比を調整することによシ容易に可能である
〇〔発明の効果〕 本発明は、混合ガスを用いた光ＣＶＤ法によシ基体上に
合金導電膜を堆積するもので、合金の構成原子が基体に
衝突しないので損傷を与えることなく、照射光を絞って
走査することによシ堆積と同時に所望の微細形状のパタ
ーンの形成が可能であシ、また生ずる導電膜は段差被覆
性が優れている等、各ａ製品において本発明によシ得ら
れる効果はすこぶる大きい。
源を変えることによ？） 、ＡＩ−８１−Ｃｕ合金ある
いはその他の各種金属の組合せからなる合金の導電膜を
容易に形成することができる。反応ガスとしては、各成
分金属に対するアルキル金属ガスを混合することが有効
である０膜厚方向において合金成分濃度を変化させよう
とするときは、各成分金属に対する配合ガスの混合比、
すなわち流量比を調整することによシ容易に可能である
〇〔発明の効果〕 本発明は、混合ガスを用いた光ＣＶＤ法によシ基体上に
合金導電膜を堆積するもので、合金の構成原子が基体に
衝突しないので損傷を与えることなく、照射光を絞って
走査することによシ堆積と同時に所望の微細形状のパタ
ーンの形成が可能であシ、また生ずる導電膜は段差被覆
性が優れている等、各ａ製品において本発明によシ得ら
れる効果はすこぶる大きい。
第１図は本発明の一実施例のための装置の断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・ＡＩ（Ｃ）１３）３ポンベ、６・・・・
・・ＳｉＨ４ボンベ、７・・・・・・ｌｅボンベ、８・
・・・・・ＡｒＦエキシマレーサ光。
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・ＡＩ（Ｃ）１３）３ポンベ、６・・・・
・・ＳｉＨ４ボンベ、７・・・・・・ｌｅボンベ、８・
・・・・・ＡｒＦエキシマレーサ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体表面に合金成分元素のすべてを含む反応ガスを
接触させ、光の照射によシ反応エネルギーを与えること
によって反応ガスよシ合金導電膜を基体上に成長させる
ことを特徴とする合金導電膜の形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、照射さ
れる光が１０００ないし５ｏｏｏＸの波長を有する紫外
ないし可視光であることを特徴とする合金導電膜の形成
方法。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、光の照射をレーザ光ビームの走査によって行うこ
とを特徴とする合金導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6796284A JPS60211077A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 合金導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6796284A JPS60211077A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 合金導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211077A true JPS60211077A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH036992B2 JPH036992B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=13360095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6796284A Granted JPS60211077A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 合金導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211077A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767161A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-23 | Nec Corp | Forming device for thin film by laser |
| JPS60178622A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60206019A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-10-17 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光分解析出による層形成方法および装置 |
| JPS60206445A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Canon Inc | 光化学気相成長方法 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6796284A patent/JPS60211077A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767161A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-23 | Nec Corp | Forming device for thin film by laser |
| JPS60178622A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60206019A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-10-17 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光分解析出による層形成方法および装置 |
| JPS60206445A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Canon Inc | 光化学気相成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036992B2 (ja) | 1991-01-31 |
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