JPS60211860A - 多層導電膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
多層導電膜パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60211860A JPS60211860A JP6795584A JP6795584A JPS60211860A JP S60211860 A JPS60211860 A JP S60211860A JP 6795584 A JP6795584 A JP 6795584A JP 6795584 A JP6795584 A JP 6795584A JP S60211860 A JPS60211860 A JP S60211860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pattern
- conductive film
- substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
に関する。
多層導電膜としては、例えばシリコン基板上の酸化膜の
上に設けられる配線として、酸化膜となじみのよい多結
晶シリコン膜と通電抵抗を下けて半導体装置の動作温度
を上げるためのアルミニウム膜との積層、あるいはシリ
コン基板上に設けられる電極としてシリコンとの密着性
のよいチタン膜とろう付は性のよい銅膜との積層などが
知られている。従来、金属よりなる導電膜の形成は、蒸
着法やスパッタリング法で行われるのが一般的であった
。しかし、スパッタリング法は言うに及ばず、蒸着法で
さえも導電膜の構成原子がかなυ大き彦運動エネルギー
をもって基体に衝突するため、上層形成の場合にも基体
に損傷を与えるという現象がある。特に半導体基板の場
合は、基板中に作り込まれているテパイスの特性を劣化
させるという問題がある。このため蒸着あるいはスパッ
タリング工程後に必ずアニール工程を通さねばならなか
った。さらに、蒸着あるいはスパッタリング工程の際に
マスクを用いても、堆積粒子のマスク下側への１１１Ａ
シ込みなどによシ、μｍ程度の微細なパターンを堆積工
程と同時に形成することは不可能であシ、それらの工程
後のリングラフィ工程が必須であった。
上に設けられる配線として、酸化膜となじみのよい多結
晶シリコン膜と通電抵抗を下けて半導体装置の動作温度
を上げるためのアルミニウム膜との積層、あるいはシリ
コン基板上に設けられる電極としてシリコンとの密着性
のよいチタン膜とろう付は性のよい銅膜との積層などが
知られている。従来、金属よりなる導電膜の形成は、蒸
着法やスパッタリング法で行われるのが一般的であった
。しかし、スパッタリング法は言うに及ばず、蒸着法で
さえも導電膜の構成原子がかなυ大き彦運動エネルギー
をもって基体に衝突するため、上層形成の場合にも基体
に損傷を与えるという現象がある。特に半導体基板の場
合は、基板中に作り込まれているテパイスの特性を劣化
させるという問題がある。このため蒸着あるいはスパッ
タリング工程後に必ずアニール工程を通さねばならなか
った。さらに、蒸着あるいはスパッタリング工程の際に
マスクを用いても、堆積粒子のマスク下側への１１１Ａ
シ込みなどによシ、μｍ程度の微細なパターンを堆積工
程と同時に形成することは不可能であシ、それらの工程
後のリングラフィ工程が必須であった。
本発明は、上述の欠点を除去し、基体に影響を与えるこ
となくパターンを有する多層導電膜を基体上に形成する
方法を提供することを目的とする。
となくパターンを有する多層導電膜を基体上に形成する
方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、基体表面に順次導なる種類の反応ガス
を接触させ、所期の導電膜パターンと同一の透光パター
ンを有するマスクを通して反応エネルギーを与える光を
基体上に照射することによυ、それぞれの反応ガスから
導電膜を基体上に積層成長させることによって上記の目
的が達成される。照射される光としては、必要な反応エ
ネルギーに相当する波長よシ短波長で、かつ吸収が著し
くなるほど短くない波長、すなわち１０００〜６０００
Ａの紫外ないし可視領域の光を用いることが望まし−い
Ｏ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施のための装置を示した第１図を引用
して、シリコン基板上の酸化シリコン膜表面にｎ型多結
晶シリコンとアルミニウムとの２層からなる配線を形成
する実施例を説明する。１μｍ厚さの酸化シリコン膜を
被着したシリコン基板１を反応室２の底部の上に置き、
反応室２内を真空ポンプ３で排気し、他方からまずマヌ
フローメータ４により流量制御された１ ５００ ｍｌ
／−ｉ−のＳｉＨ４ガスをボンベ５から、２００ｍｊ！
７−のＰＨ３ガスをボンベ６から、７００ｍｂ−のＨ。
を接触させ、所期の導電膜パターンと同一の透光パター
ンを有するマスクを通して反応エネルギーを与える光を
基体上に照射することによυ、それぞれの反応ガスから
導電膜を基体上に積層成長させることによって上記の目
的が達成される。照射される光としては、必要な反応エ
ネルギーに相当する波長よシ短波長で、かつ吸収が著し
くなるほど短くない波長、すなわち１０００〜６０００
Ａの紫外ないし可視領域の光を用いることが望まし−い
Ｏ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施のための装置を示した第１図を引用
して、シリコン基板上の酸化シリコン膜表面にｎ型多結
晶シリコンとアルミニウムとの２層からなる配線を形成
する実施例を説明する。１μｍ厚さの酸化シリコン膜を
被着したシリコン基板１を反応室２の底部の上に置き、
反応室２内を真空ポンプ３で排気し、他方からまずマヌ
フローメータ４により流量制御された１ ５００ ｍｌ
／−ｉ−のＳｉＨ４ガスをボンベ５から、２００ｍｊ！
７−のＰＨ３ガスをボンベ６から、７００ｍｂ−のＨ。
ガスをボンベ７から導入し、反応室内の圧力を１０Ｔｏ
ｒｒ前後に保つ。そこへＡｒ＋レーザ５１４４久の発振
光７を、鏡８、レンズ９および石英板に所望の導電膜・
くターンと同一パターンを透光パターンとして残るよう
にクロム膜１１を設けたマスク１０を介して、基板１上
で焦点を結ぶように入射させる。マスク１０は基板上１
鵡の位置に設置されておシ、マスク位置でのパワー密度
は基板上での、例えば１．０ Ｍ豐夕のノくワー密度に
比してＺｏ以下と低いため、マスクには多結晶シリコン
は堆積せず、マスクの透光ノくターン通υのｎ型多結晶
シリコンの配線ノくターンが形成される。次にガスを切
換えて、ボンベ１２からのＡＩ （ＣＨ３）３ガスを１
０ ｍｌ／ｂ、ボンベ７からのＨ８ガスを２５００ ｍ
ｂ−の流量でそれぞれ導入し、反応宿２内を１００ Ｔ
ｏｒｒ前後の圧力に設定する。入射光として周波数逓倍
されたＡｒ＋レーザ２５７２Ｘ線１３を使用し、同様に
マスク１０を通して０．５ ＭＷ／−のパワー密度で照
射する。これによシ基板１上に堆積原子の衝突による損
傷を蒙ることなく良好な付着性で密着した多結晶シリコ
ン層パターンの上にアルミニウム層が堆積し、極めて低
電気抵抗の微細配線が得られる。
ｒｒ前後に保つ。そこへＡｒ＋レーザ５１４４久の発振
光７を、鏡８、レンズ９および石英板に所望の導電膜・
くターンと同一パターンを透光パターンとして残るよう
にクロム膜１１を設けたマスク１０を介して、基板１上
で焦点を結ぶように入射させる。マスク１０は基板上１
鵡の位置に設置されておシ、マスク位置でのパワー密度
は基板上での、例えば１．０ Ｍ豐夕のノくワー密度に
比してＺｏ以下と低いため、マスクには多結晶シリコン
は堆積せず、マスクの透光ノくターン通υのｎ型多結晶
シリコンの配線ノくターンが形成される。次にガスを切
換えて、ボンベ１２からのＡＩ （ＣＨ３）３ガスを１
０ ｍｌ／ｂ、ボンベ７からのＨ８ガスを２５００ ｍ
ｂ−の流量でそれぞれ導入し、反応宿２内を１００ Ｔ
ｏｒｒ前後の圧力に設定する。入射光として周波数逓倍
されたＡｒ＋レーザ２５７２Ｘ線１３を使用し、同様に
マスク１０を通して０．５ ＭＷ／−のパワー密度で照
射する。これによシ基板１上に堆積原子の衝突による損
傷を蒙ることなく良好な付着性で密着した多結晶シリコ
ン層パターンの上にアルミニウム層が堆積し、極めて低
電気抵抗の微細配線が得られる。
本発明は、上記の実施例にとどまらず、使用ガス、使用
光源を変えることによυ、カドミウム、すす、亜鉛、ガ
リウム、ゲルマニウム、鉄、タングステン、クロム、モ
リブデン咎の組合せからなる多層導電膜を容易に得るこ
とができる。ガスとして堆積金属のアルキル金属が有効
であシ、光源としては、例えばカドミウムの場合ＡｒＦ
エキシマレーザ、モリブデンの場合Ｃｕ＋レーザが用い
られる◇〔発明の効果〕 本発明は、所望のパターンの透光領域を有するマスクを
通し、ての光による光ＣＶＤ法によって、異なる種類の
反応ガスから順次導を肢を積層して多層導電膜パターン
を形成するもので、同一反応室内の連続工程のみで基体
へ損傷を与えることなく、段差被覆性の優れた多層導電
膜パターンを所望の微細形状で得ることができる。従っ
て半導体装置における多層配線パターンの形成をはじめ
として、他の製品のための多層導電膜パターンの形成に
も極めて有効に適用できる。
光源を変えることによυ、カドミウム、すす、亜鉛、ガ
リウム、ゲルマニウム、鉄、タングステン、クロム、モ
リブデン咎の組合せからなる多層導電膜を容易に得るこ
とができる。ガスとして堆積金属のアルキル金属が有効
であシ、光源としては、例えばカドミウムの場合ＡｒＦ
エキシマレーザ、モリブデンの場合Ｃｕ＋レーザが用い
られる◇〔発明の効果〕 本発明は、所望のパターンの透光領域を有するマスクを
通し、ての光による光ＣＶＤ法によって、異なる種類の
反応ガスから順次導を肢を積層して多層導電膜パターン
を形成するもので、同一反応室内の連続工程のみで基体
へ損傷を与えることなく、段差被覆性の優れた多層導電
膜パターンを所望の微細形状で得ることができる。従っ
て半導体装置における多層配線パターンの形成をはじめ
として、他の製品のための多層導電膜パターンの形成に
も極めて有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例に用いる装置の断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・５ｔｌ（４ボンベ、６・・・・・・ＰＨ
３ボンベ、７・・・・・・Ｈｅボンベ、７・・・・・・
Ａｒ＋レーサ光、１０・・・・・・マスク、１１・・・
・・・クロムｇ、１２・・・・・・届（ＣＨａ）３ボン
ベ、１３・・・・・・逓倍Ａｒ＋レーザ光。
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・５ｔｌ（４ボンベ、６・・・・・・ＰＨ
３ボンベ、７・・・・・・Ｈｅボンベ、７・・・・・・
Ａｒ＋レーサ光、１０・・・・・・マスク、１１・・・
・・・クロムｇ、１２・・・・・・届（ＣＨａ）３ボン
ベ、１３・・・・・・逓倍Ａｒ＋レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体表面に順次異なる種類の反応ガスを接触させ、
所期の導電膜パターンと同一の透光パターンを有するマ
スクを通して反応エネルギーを与える光を基体上に照射
することによシ、それぞれの反応ガスから導電膜を基体
上にａ層成長させることを特徴とする多層導電膜パター
ンの形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、照射さ
れる光が１０００ないし６０００Ａの波長を有する可視
ないし紫外光であることを特徴とする多層導を膜パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795584A JPS60211860A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795584A JPS60211860A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211860A true JPS60211860A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13359884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6795584A Pending JPS60211860A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100746A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子における配線接続方法及びその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130369A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6795584A patent/JPS60211860A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130369A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100746A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子における配線接続方法及びその装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459098A (en) | Maskless laser writing of microscopic metallic interconnects | |
| US5401544A (en) | Method for manufacturing a surface acoustic wave device | |
| US5863706A (en) | Processing method for patterning a film | |
| AU609493B2 (en) | Method for chemical vapor deposition of copper, silver, and gold using a cyclopentadienyl metal complex | |
| CN106471604A (zh) | 具有无定形层的远紫外反射元件及其制造方法 | |
| EP0110882A1 (en) | Maskless growth of patterned films | |
| EP0371854A3 (en) | Method for selectively depositing refractory metal on semiconductor substrates | |
| Dupuy et al. | Laser induced deposition of copper from (triethylphosphine) cyclopentadienylcopper (I) | |
| US5824455A (en) | Processing method and apparatus | |
| JPS60211860A (ja) | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 | |
| EP0466320B1 (en) | Process for preparing a semiconductor device including the selective deposition of a metal | |
| KR840005934A (ko) | 이면 반사기가 형성된 대면적 광전소자 제조장치 및 방법 | |
| WO1982000794A1 (en) | Use of metallic glasses for fabrication of structures with submicron dimensions | |
| JP3077393B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS60211076A (ja) | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01104776A (ja) | レーザ光による所定の微細構造の析出方法 | |
| JPS63239811A (ja) | 光反応装置 | |
| JPS63283122A (ja) | 薄膜作製装置 | |
| JPH0654756B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6037119A (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
| JPS62150749A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPS60211075A (ja) | 合金導電膜パタ−ンの形成方法 | |
| JPH02164784A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPS6161665B2 (ja) | ||
| Moreau et al. | Nonresist Processes |