JP3077393B2 - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- ray
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- exposure mask
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターンの半導体
装置の製造に使用されるＸ線リソグラフィー技術等に用
いられるＸ線露光用マスクに関するものである。
装置の製造に使用されるＸ線リソグラフィー技術等に用
いられるＸ線露光用マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化にとも
ない、配線パターンの線間並びに幅はますます微細化す
る傾向にあり、そのための微細加工技術としてＸ線リソ
グラフィー技術の研究開発が急速に進展している。この
Ｘ線リソグラフィー技術では、サブミクロンオーダーの
所定のパターンが形成されたＸ線露光用マスクと露光対
象物とを１０μm程度の間隔で平行に保持し、Ｘ線露光
用マスクを通して露光対象物にＸ線を照射し、パターン
を露光対象物に転写する（ここにサブミクロンは、ミク
ロン（μm）よりも一桁単位の低いオーダーをいう）。
ない、配線パターンの線間並びに幅はますます微細化す
る傾向にあり、そのための微細加工技術としてＸ線リソ
グラフィー技術の研究開発が急速に進展している。この
Ｘ線リソグラフィー技術では、サブミクロンオーダーの
所定のパターンが形成されたＸ線露光用マスクと露光対
象物とを１０μm程度の間隔で平行に保持し、Ｘ線露光
用マスクを通して露光対象物にＸ線を照射し、パターン
を露光対象物に転写する（ここにサブミクロンは、ミク
ロン（μm）よりも一桁単位の低いオーダーをいう）。
【０００３】Ｘ線露光用マスクは、（図１）に示すよう
に、サブミクロンオーダーのパターニングがされたＸ線
吸収体５と、Ｘ線吸収体５を支持するＸ線透過体２と、
両者を固定する支持枠１からなる。従来、Ｘ線吸収体に
はタンタル（Ｔａ）やタングステン（Ｗ）などの重金属
薄膜が、Ｘ線透過体には窒化シリコン（ＳｉＮx）薄膜
が、支持枠にはシリコン（Ｓｉ）ウェーハをエッチング
した円形のＳｉがそれぞれ用いられてきた。ＳｉＮx薄
膜は減圧化学的気相堆積法で、重金属薄膜はスパッタ法
で形成されてきた。
に、サブミクロンオーダーのパターニングがされたＸ線
吸収体５と、Ｘ線吸収体５を支持するＸ線透過体２と、
両者を固定する支持枠１からなる。従来、Ｘ線吸収体に
はタンタル（Ｔａ）やタングステン（Ｗ）などの重金属
薄膜が、Ｘ線透過体には窒化シリコン（ＳｉＮx）薄膜
が、支持枠にはシリコン（Ｓｉ）ウェーハをエッチング
した円形のＳｉがそれぞれ用いられてきた。ＳｉＮx薄
膜は減圧化学的気相堆積法で、重金属薄膜はスパッタ法
で形成されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記Ｘ線リソグラフィ
ー技術を用いて、サブミクロンオーダーのパターニング
を前記露光対象物に施す場合、Ｘ線露光用マスクのＸ線
吸収体のパターン精度により、露光後の、露光対象物の
パターン精度が大きく変化する。例えば、前記ＳｉＮx
Ｘ線透過体は１０9ｄｙｎ／ｃｍ2台の引っ張り応力を有
しているため、裏面のＳｉ支持枠がパターン面側に凹に
変形する問題がある。そのＳｉ支持枠の変形のため、Ｘ
線露光用マスクの表面平滑性が悪くなり、露光後の露光
対象物のパターン精度が悪くなる。もっともＳｉ支持枠
の変形に関しては、Ｓｉ支持枠の厚みを厚くし、補強材
を設けることで解決できる。
ー技術を用いて、サブミクロンオーダーのパターニング
を前記露光対象物に施す場合、Ｘ線露光用マスクのＸ線
吸収体のパターン精度により、露光後の、露光対象物の
パターン精度が大きく変化する。例えば、前記ＳｉＮx
Ｘ線透過体は１０9ｄｙｎ／ｃｍ2台の引っ張り応力を有
しているため、裏面のＳｉ支持枠がパターン面側に凹に
変形する問題がある。そのＳｉ支持枠の変形のため、Ｘ
線露光用マスクの表面平滑性が悪くなり、露光後の露光
対象物のパターン精度が悪くなる。もっともＳｉ支持枠
の変形に関しては、Ｓｉ支持枠の厚みを厚くし、補強材
を設けることで解決できる。
【０００５】ところで、Ｘ線露光用マスクの変形により
パターン精度を悪くするもう一つの要因として、Ｘ線吸
収体の内部応力がある。すなわち、ＴａやＷのＸ線吸収
体薄膜を製造する場合、ＴａやＷは高い融点を有するた
め、ＴａあるいはＷ金属材料の真空加熱によって気化し
た蒸気を基板に接触させてＴａあるいはＷの薄膜を堆積
させる、真空加熱蒸着法を用いることが困難であり、一
般には、不活性ガスの放電雰囲気でのスパッタ現象を利
用したスパッタ法が用いられている。
パターン精度を悪くするもう一つの要因として、Ｘ線吸
収体の内部応力がある。すなわち、ＴａやＷのＸ線吸収
体薄膜を製造する場合、ＴａやＷは高い融点を有するた
め、ＴａあるいはＷ金属材料の真空加熱によって気化し
た蒸気を基板に接触させてＴａあるいはＷの薄膜を堆積
させる、真空加熱蒸着法を用いることが困難であり、一
般には、不活性ガスの放電雰囲気でのスパッタ現象を利
用したスパッタ法が用いられている。
【０００６】しかしながら、スパッタ法を用いて金属薄
膜を形成した場合、薄膜中への不活性ガスの混入やスパ
ッタダメージによる、スパッタ法に固有の薄膜の内部応
力の増大の問題があり、形成したＴａあるいはＷは１０
10ｄｙｎ／ｃｍ2と大きい圧縮応力を有する。スパッタ
法により形成したＴａあるいはＷの内部応力は、薄膜形
成のためのスパッタ条件を変えることで制御が可能であ
るが、スパッタ条件を変えて内部応力を減少させたＴａ
あるいはＷ薄膜は、薄膜の結晶性が悪く密度が小さいた
めに、パターニングの際のエッチング特性が悪く、パタ
ーン形状が悪くなる。
膜を形成した場合、薄膜中への不活性ガスの混入やスパ
ッタダメージによる、スパッタ法に固有の薄膜の内部応
力の増大の問題があり、形成したＴａあるいはＷは１０
10ｄｙｎ／ｃｍ2と大きい圧縮応力を有する。スパッタ
法により形成したＴａあるいはＷの内部応力は、薄膜形
成のためのスパッタ条件を変えることで制御が可能であ
るが、スパッタ条件を変えて内部応力を減少させたＴａ
あるいはＷ薄膜は、薄膜の結晶性が悪く密度が小さいた
めに、パターニングの際のエッチング特性が悪く、パタ
ーン形状が悪くなる。
【０００７】このスパッタ条件を変えた場合、内部応力
と密度は相反する関係になるため、スパッタ条件のコン
トロールにより、内部応力が小さく、かつパターン形状
の良好なＸ線吸収体を得るのは困難である。その結果、
Ｘ線吸収体であるＴａあるいはＷ薄膜の内部応力によ
り、Ｘ線露光用マスクが変形し、上記理由によって露光
後の露光対象物のパターン精度が悪くなる課題は、Ｘ線
吸収体であるＴａあるいはＷの薄膜材料の本質に関わる
問題であった。
と密度は相反する関係になるため、スパッタ条件のコン
トロールにより、内部応力が小さく、かつパターン形状
の良好なＸ線吸収体を得るのは困難である。その結果、
Ｘ線吸収体であるＴａあるいはＷ薄膜の内部応力によ
り、Ｘ線露光用マスクが変形し、上記理由によって露光
後の露光対象物のパターン精度が悪くなる課題は、Ｘ線
吸収体であるＴａあるいはＷの薄膜材料の本質に関わる
問題であった。
【０００８】上記のＸ線露光用マスクだけでなく薄膜を
用いたデバイス全般にわたって、薄膜の内部応力の問題
は重要であり、内部応力が大きな薄膜をデバイスに用い
た場合では、薄膜材料の性能が十分発揮できない、ある
いは、薄膜が剥がれデバイスの作製が困難になるなどの
様々な問題があった。
用いたデバイス全般にわたって、薄膜の内部応力の問題
は重要であり、内部応力が大きな薄膜をデバイスに用い
た場合では、薄膜材料の性能が十分発揮できない、ある
いは、薄膜が剥がれデバイスの作製が困難になるなどの
様々な問題があった。
【０００９】本発明は、このような従来のＸ線露光用マ
スクの課題を考慮し、薄膜材料の本質的な性質により、
内部応力を小さく出来る薄膜組成物を利用したＸ線露光
用マスクを提供することを目的とするものである。
スクの課題を考慮し、薄膜材料の本質的な性質により、
内部応力を小さく出来る薄膜組成物を利用したＸ線露光
用マスクを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、転移現象によ
り複数の結晶構造を取り得る物質としてのＴａと、複数
の結晶構造を取り得る物質への添加により転移現象を誘
起する物質としてのＷとを主体とし、Ｗの含有量を５〜
３０ａｔ％、より好ましくは１５〜２５ａｔ％とした薄
膜組成物をＸ線吸収体として用いてＸ線露光用マスクを
構成したものである。
り複数の結晶構造を取り得る物質としてのＴａと、複数
の結晶構造を取り得る物質への添加により転移現象を誘
起する物質としてのＷとを主体とし、Ｗの含有量を５〜
３０ａｔ％、より好ましくは１５〜２５ａｔ％とした薄
膜組成物をＸ線吸収体として用いてＸ線露光用マスクを
構成したものである。
【００１１】
【作用】本発明によって、同じ作製条件のもとで形成し
た薄膜組成物の内部応力を、組成比を特定しない従来の
薄膜組成物に比較して１／１０以下に低減でき、内部応
力が１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の小さな値を示す薄膜
が比較的容易に実現できる。この薄膜組成物をＸ線露光
用マスクのＸ線吸収体の薄膜材料として使用することに
より、薄膜の剥がれの問題をなくすことができるととも
に、薄膜材料の特性を十分に引き出してＸ線吸収体の内
部応力に起因する露光対象物のパターン精度を向上させ
ることができる。
た薄膜組成物の内部応力を、組成比を特定しない従来の
薄膜組成物に比較して１／１０以下に低減でき、内部応
力が１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の小さな値を示す薄膜
が比較的容易に実現できる。この薄膜組成物をＸ線露光
用マスクのＸ線吸収体の薄膜材料として使用することに
より、薄膜の剥がれの問題をなくすことができるととも
に、薄膜材料の特性を十分に引き出してＸ線吸収体の内
部応力に起因する露光対象物のパターン精度を向上させ
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】転移現象により複数の結晶構造を取り得る
物質としてＴａを、また、複数の結晶構造を取り得る物
質への添加により転移現象を誘起する物質としてＷを選
択した。ＴａとＷを主体とした薄膜組成物（以後Ｔａ−
Ｗ薄膜組成物と記述）の形成方法についてまず説明す
る。
物質としてＴａを、また、複数の結晶構造を取り得る物
質への添加により転移現象を誘起する物質としてＷを選
択した。ＴａとＷを主体とした薄膜組成物（以後Ｔａ−
Ｗ薄膜組成物と記述）の形成方法についてまず説明す
る。
【００１４】使用した装置は、対向する１対の平板電極
（カソードとアノード）を真空槽に有し、平板電極間に
１ケのシャッターを有する高周波二極マグネトロンスパ
ッタ装置である。Ｔａ金属板（直径１００ｍｍ）上に均
等にＷ板（５×５ｍｍ）を所定量ちりばめてなる金属タ
ーゲットを上記スパッタ装置のカソードに配置した。ま
た、アノードには基板としてガラス板を配置した。
（カソードとアノード）を真空槽に有し、平板電極間に
１ケのシャッターを有する高周波二極マグネトロンスパ
ッタ装置である。Ｔａ金属板（直径１００ｍｍ）上に均
等にＷ板（５×５ｍｍ）を所定量ちりばめてなる金属タ
ーゲットを上記スパッタ装置のカソードに配置した。ま
た、アノードには基板としてガラス板を配置した。
【００１５】真空槽内部を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下にま
で真空引きした後、バリアブルリークバルブを通して真
空槽内にアルゴンガスを導入し、真空槽内の圧力を５×
１０-3Ｔｏｒｒに調整した。前記シャッターを平板電極
間に配置した状態でターゲットに３００Ｗの高周波電力
を印加し、アルゴンプラズマを発生させてスパッタを開
始した（プリスパッタという）。
で真空引きした後、バリアブルリークバルブを通して真
空槽内にアルゴンガスを導入し、真空槽内の圧力を５×
１０-3Ｔｏｒｒに調整した。前記シャッターを平板電極
間に配置した状態でターゲットに３００Ｗの高周波電力
を印加し、アルゴンプラズマを発生させてスパッタを開
始した（プリスパッタという）。
【００１６】このプリスパッタを５分間行いターゲット
表面を清浄化した後、シャッターを開け、ターゲットの
材料であるＴａとＷのスパッタ粒子を上記基板に供給し
て所定の組成のＴａ−Ｗ薄膜組成物を基板上に堆積し
た。その際の、基板温度は室温とした。このスパッタ時
間を制御してＴａ−Ｗ薄膜組成物の厚みを５００ｎｍと
した。
表面を清浄化した後、シャッターを開け、ターゲットの
材料であるＴａとＷのスパッタ粒子を上記基板に供給し
て所定の組成のＴａ−Ｗ薄膜組成物を基板上に堆積し
た。その際の、基板温度は室温とした。このスパッタ時
間を制御してＴａ−Ｗ薄膜組成物の厚みを５００ｎｍと
した。
【００１７】上記手法により形成したＴａ−Ｗ薄膜組成
物のＷ含有量を誘導結合プラズマ質量分析法で、またＴ
ａ−Ｗ薄膜組成物の構造をＸ線回折法で調べた。さら
に、薄膜のストレスを光学顕微鏡により測定した基板の
反りから算出した。
物のＷ含有量を誘導結合プラズマ質量分析法で、またＴ
ａ−Ｗ薄膜組成物の構造をＸ線回折法で調べた。さら
に、薄膜のストレスを光学顕微鏡により測定した基板の
反りから算出した。
【００１８】（図２）は、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物の構造及
び内部応力と膜中のＷ含有量との関係を示す図であり、
本発明にかかる一実施例のＴａ−Ｗ薄膜組成物の組成
は、Ｔａ1-xＷx（なお、ｘ＝０.０５〜０.３０、すなわ
ち、Ｗ含有量５〜３０ａｔ％）である。
び内部応力と膜中のＷ含有量との関係を示す図であり、
本発明にかかる一実施例のＴａ−Ｗ薄膜組成物の組成
は、Ｔａ1-xＷx（なお、ｘ＝０.０５〜０.３０、すなわ
ち、Ｗ含有量５〜３０ａｔ％）である。
【００１９】（図２）に示す通り、Ｗ含有量が５ａｔ％
未満のＴａ−Ｗ薄膜組成物はテトラゴナル(tetragonal)
構造を、Ｗ含有量が約３０ａｔ％超のＴａ−Ｗ薄膜組成
物はキュービック(cubic)構造を主体とした構造を、Ｗ
含有量が５〜３０ａｔ％のＴａ−Ｗ薄膜組成物は、tetr
agonal構造とcubic構造とが混在した構造を有する。
未満のＴａ−Ｗ薄膜組成物はテトラゴナル(tetragonal)
構造を、Ｗ含有量が約３０ａｔ％超のＴａ−Ｗ薄膜組成
物はキュービック(cubic)構造を主体とした構造を、Ｗ
含有量が５〜３０ａｔ％のＴａ−Ｗ薄膜組成物は、tetr
agonal構造とcubic構造とが混在した構造を有する。
【００２０】Ｔａ−Ｗ薄膜組成物の構造と薄膜内部応力
とは密接な関係があり、構造がtetragonalからcubicへ
と変化した後のcubic構造を有するＷ含有量３０超〜５
５ａｔ％の薄膜では圧縮応力が高くなり、最大１.７×
１０10ｄｙｎ／ｃｍ2の値にまで達した。この原因は、
この組成のＴａ−Ｗ薄膜組成物では、ＴａとＷの原子配
列が不規則的になっているためであると考えられる。
とは密接な関係があり、構造がtetragonalからcubicへ
と変化した後のcubic構造を有するＷ含有量３０超〜５
５ａｔ％の薄膜では圧縮応力が高くなり、最大１.７×
１０10ｄｙｎ／ｃｍ2の値にまで達した。この原因は、
この組成のＴａ−Ｗ薄膜組成物では、ＴａとＷの原子配
列が不規則的になっているためであると考えられる。
【００２１】一方、構造がtetragonalからcubicへと変
化する途中過程の、Ｗ含有量約２０ａｔ％の薄膜では極
端に圧縮応力が低減し、１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の
低い内部応力を実現できた。この原因は、Ｔａ−Ｗ薄膜
組成物のＸ線回折パターンに、tetragonal構造に加えて
cubic構造のピークが観察されることから、tetragonal
構造とcubic構造の混在に起因すると考えられる。
化する途中過程の、Ｗ含有量約２０ａｔ％の薄膜では極
端に圧縮応力が低減し、１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の
低い内部応力を実現できた。この原因は、Ｔａ−Ｗ薄膜
組成物のＸ線回折パターンに、tetragonal構造に加えて
cubic構造のピークが観察されることから、tetragonal
構造とcubic構造の混在に起因すると考えられる。
【００２２】以上のように、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物中のＷ
含有量を所定の値に制御することによって、転移現象に
より複数の結晶構造を取り得る物質（すなわちＴａ）
と、複数の結晶構造を取り得る物質への添加により転移
現象を誘起する物質（すなわちＷ）の構造が混在した薄
膜組成物を形成することができ、薄膜内部応力が圧縮応
力１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の極端に低い薄膜を形成
できた。なお、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物中のＷ含有量は、誤
差を考慮した上で、実験例より５〜３０ａｔ％、特に１
５〜２５ａｔ％が望ましいといえる。
含有量を所定の値に制御することによって、転移現象に
より複数の結晶構造を取り得る物質（すなわちＴａ）
と、複数の結晶構造を取り得る物質への添加により転移
現象を誘起する物質（すなわちＷ）の構造が混在した薄
膜組成物を形成することができ、薄膜内部応力が圧縮応
力１×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の極端に低い薄膜を形成
できた。なお、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物中のＷ含有量は、誤
差を考慮した上で、実験例より５〜３０ａｔ％、特に１
５〜２５ａｔ％が望ましいといえる。
【００２３】上記に記載の低い内部応力を有する薄膜組
成物を、Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収体に適用し、露光
対象物のパターン精度を調べた。以下、図面を用いて詳
細に説明する。
成物を、Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収体に適用し、露光
対象物のパターン精度を調べた。以下、図面を用いて詳
細に説明する。
【００２４】まず、上記Ｘ線露光用マスクの製造方法に
ついて説明する。（図３）は、本発明にかかるＸ線露光
用マスクの製造工程を示す図である。
ついて説明する。（図３）は、本発明にかかるＸ線露光
用マスクの製造工程を示す図である。
【００２５】まず、（図３）（ａ）に示すように、Ｓｉ
ウエハ１上に、Ｘ線透過体としての窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎx）薄膜２を、プラズマＣＶＤ法を用いて２μｍの厚
さに堆積した。
ウエハ１上に、Ｘ線透過体としての窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎx）薄膜２を、プラズマＣＶＤ法を用いて２μｍの厚
さに堆積した。
【００２６】その後、（図３）（ｂ）に示すように、Ｘ
線吸収体として、Ｗを２０ａｔ％含有した前記Ｔａ−Ｗ
薄膜組成物３をスパッタ法で５００ｎｍの厚さに堆積し
た。
線吸収体として、Ｗを２０ａｔ％含有した前記Ｔａ−Ｗ
薄膜組成物３をスパッタ法で５００ｎｍの厚さに堆積し
た。
【００２７】次に、（図３）（ｃ）に示すように電子線
レジストを塗布し、露光と現像を行い、線幅２００ｎ
ｍ、ピッチ４００ｎｍのレジストパターン４を形成し
た。その後、上記レジストパターン４をマスクとしてＣ
Ｆ4＋Ｏ2ガスを反応ガスとしたドライエッチングを行
い、（図３）（ｄ）に示すＴａ−Ｗ薄膜組成物の微細Ｘ
線吸収体パターン５を形成した。
レジストを塗布し、露光と現像を行い、線幅２００ｎ
ｍ、ピッチ４００ｎｍのレジストパターン４を形成し
た。その後、上記レジストパターン４をマスクとしてＣ
Ｆ4＋Ｏ2ガスを反応ガスとしたドライエッチングを行
い、（図３）（ｄ）に示すＴａ−Ｗ薄膜組成物の微細Ｘ
線吸収体パターン５を形成した。
【００２８】次に、Ｓｉウエハ１を裏面からエッチング
することで（図３）（ｅ）に示すＸ線露光用マスクを作
製した。
することで（図３）（ｅ）に示すＸ線露光用マスクを作
製した。
【００２９】以上のように、本発明のＸ線露光用マスク
は、エッチング加工されたＳｉウエハ（支持体）１、Ｓ
ｉＮx薄膜のＸ線透過体２、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物の微細
Ｘ線吸収体パターン５により構成されることになる。
は、エッチング加工されたＳｉウエハ（支持体）１、Ｓ
ｉＮx薄膜のＸ線透過体２、Ｔａ−Ｗ薄膜組成物の微細
Ｘ線吸収体パターン５により構成されることになる。
【００３０】このようにして形成したＸ線露光用マスク
の面内Ｔａ−Ｗ薄膜組成物のパターンの位置ずれを光波
干渉式座標測定機で測定した結果、５０ｎｍ以下と十分
に小さい値であった。また、Ｓｉウエハ１上に塗布した
レジストを露光対象物として用い、本発明のＸ線露光用
マスクを用いてＳＯＲ光により露光を行なった結果、線
幅２００ｎｍ、ピッチ４００ｎｍの上記Ｓｉウエハ上の
レジストのパターンを高精度に得ることができた。
の面内Ｔａ−Ｗ薄膜組成物のパターンの位置ずれを光波
干渉式座標測定機で測定した結果、５０ｎｍ以下と十分
に小さい値であった。また、Ｓｉウエハ１上に塗布した
レジストを露光対象物として用い、本発明のＸ線露光用
マスクを用いてＳＯＲ光により露光を行なった結果、線
幅２００ｎｍ、ピッチ４００ｎｍの上記Ｓｉウエハ上の
レジストのパターンを高精度に得ることができた。
【００３１】なお、本発明は上述の通り、転移現象によ
り複数の結晶構造を取り得る物質としてのＴａと、複数
の結晶構造を取り得る物質への添加により転移現象を誘
起する物質としてのＷとを主体とし、Ｗの含有量が５〜
３０ａｔ％、より好ましくは１５〜２５ａｔ％である薄
膜組成物をＸ線吸収体としたＸ線露光用マスクに関する
ものである。
り複数の結晶構造を取り得る物質としてのＴａと、複数
の結晶構造を取り得る物質への添加により転移現象を誘
起する物質としてのＷとを主体とし、Ｗの含有量が５〜
３０ａｔ％、より好ましくは１５〜２５ａｔ％である薄
膜組成物をＸ線吸収体としたＸ線露光用マスクに関する
ものである。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜の内
部応力を低減できて薄膜の剥がれの問題をなくすことが
できるとともに、薄膜材料の特性を十分に引き出した薄
膜デバイスをＸ線露光用マスクのＸ線吸収体として用い
ることにより、Ｘ線吸収体の内部応力に起因する露光対
象物のパターン精度を向上させることができ、さらにＷ
は他の金属に比してＸ線吸収率がより高くＸ線吸収体と
して適していることから、その実用的価値は大きい。
部応力を低減できて薄膜の剥がれの問題をなくすことが
できるとともに、薄膜材料の特性を十分に引き出した薄
膜デバイスをＸ線露光用マスクのＸ線吸収体として用い
ることにより、Ｘ線吸収体の内部応力に起因する露光対
象物のパターン精度を向上させることができ、さらにＷ
は他の金属に比してＸ線吸収率がより高くＸ線吸収体と
して適していることから、その実用的価値は大きい。
【図１】本発明及び従来のＸ線露光用マスクの構造を示
す断面図
す断面図
【図２】本発明に用いるＴａ−Ｗ薄膜組成物の内部応力
と膜中のＷ含有量との関係を示すグラフ
と膜中のＷ含有量との関係を示すグラフ
【図３】本発明にかかるＸ線露光用マスクの製造工程を
示す図
示す図
【符号の説明】 １ シリコンウエハ（支持体） ２ Ｘ線透過体 ３ Ｘ線吸収体（Ｔａ−Ｗ薄膜組成物） ４ レジストパターン ５ Ｘ線吸収体（Ｔａ−Ｗ薄膜組成物）パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松岡 富造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−2109（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】 ＴａとＷを主体としＷの含有量を５〜３
０ａｔ％とした薄膜組成物をＸ線吸収体として用いたこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】 ＴａとＷを主体としＷの含有量を１５〜
２５ａｔ％とした薄膜組成物をＸ線吸収体として用いた
ことを特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16444692A JP3077393B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-06-23 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6605992 | 1992-03-24 | ||
| JP4-66059 | 1992-03-24 | ||
| JP16444692A JP3077393B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-06-23 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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