KR840005934A - 이면 반사기가 형성된 대면적 광전소자 제조장치 및 방법 - Google Patents

이면 반사기가 형성된 대면적 광전소자 제조장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

이면 반사기가 형성된 대면적 광전소자 제조장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 다수의 p-i-n형 전지들을 포함하며, 전지들의 각 층이 본 발명의 원리에 따라 비결정 반도체합금으로 형성되는, 세로로 나란한 혹은 직렬의 광전소자의 부분 횡단면도.
제2도는 본 발명에 따라 광전소자에 이면 반사기를 형성하는 장치를 포함하는 제1도에 도시된 광전 소지의 연속 제조에 적합한 복수 글로우 방전실 용착장치의 개략도.
제3도는 비결정 반도체 연속 용착장치로부터 원거리 장소에서 연속적인 기질 웨브(sumstrate web)상에 분산 또는 반사 반사기를 형성할 수 있는 방법을 개략 도시한 도면.

Claims (42)

  1. 연속적인 도전성 기질상에 용착되는 다수의 비결성 반도체 재료를 포함하는 형태의 광전 소자 제조장치에 있어서, 상기 연속적인 도전성 기질(11)의 공급원, 기질이 용착실을 통해 전진돌때 각각 상기 기질상에 상기 반도체 재료들(16a-c, 18a-c, 20a-c)중의 각기 하나를 용착하도록 배열되는 다수의 용착실들(28,30,32)및 상기 비결정 반도체 재료들이 용착되는 상기 기질의 표면에 반사기(15)를 형성하기 위하여 기질 공급원과 용착실들 사이에 배치되는 기질 표면 준비장치(21)를 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기질 표면 장치(21)는 비결정 반도체 재료들 (16a-c, 18a-c, 20a-c)이 용착되는 기질(11)의 표면에 반사 반사기를 형성하도록 되어지는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기질 표면 준비장치가 상기 기질(11)의 표면에 반사성 재료를 용착하기 위한 증착장치(50)를 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기질 준비장치가 상기 기질표면에 은, 금, 동, 크롬, 몰리브덴 또는 알루미늄을 증착하기 위한 장치(50)포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  5. 제1항에 있어서 상기 기질 준비장치(21)가 상기 비결정 반도체재료들(16a-c, 18a-c, 20a-c)이 용착되는 기질(11)의 표면에 분산 바사기를 형성하도록 되어지는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기질 표면준비장치는 상기 기질표면(13)을 거칠게 만들어 분산 반사기를 형성하기 위한 샌드 블라스팅 체임버(54)를 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기질 표면 준비장치는 상기 분산 반사기를 형성하기 위하여 기질 표면(13)에 제1반사성 재료를 스퍼터링하는 스퍼터링 용착실(52)을 포함하는 것을 또한 특징으로하는 광전소자 제조장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 스퍼터링 용착실(52)은 기질표면 (13)에 알루미늄을 용착하도록 되어진 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  9. 제6항 또는 7항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기질분산 반사기(13)위에 제2반사성 재료(15)를 용착하기 위해 기질 준비장치(21)와 용착실(28,30,32)사이에 있는 장치(23)을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반사성 재료 용착장치가 증착실(23)로 구성되는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 증착실(23)이 상기 기질 분산 반사기(13)위에 은, 알루미늄, 금 또는 동을 증착하도록 되어지는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조장치.
  12. 다수의 비결정 반도체 재료들이 용착되어 광전소자를 형성하는 연속적인 도전성 기질의 표면을 준비하는 장치에 있어서, 상기 비결정 반도체 재료들(16a-c, 18a-c, 20a-c)이 용착될 기질(11)의 표면에 반사기를 형성하기 위한 기질표면 준비장치(21)를 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기질표면 준비장치(21)가 비결정 반도체 재료들(16a-c, 18a-c, 20a-c)이 용착될 기질(11)의 표면에 반사기를 형성하도록 되어지는 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기질표면 준비장치가 상기 기질(11)의 표면에 반사성 재료를 용착있기 위한증착실(50)을 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 증착실(50)은 기질표면에 은, 금, 동, 크롬, 몰리브덴 또는 알루미늄을 용착하도록 되어진 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 기질 표면 준비장치(21)가 상기 비결정 반도체 재료들(16a-c, 18a-c, 20a-c)이 용착될 기질(11)의 표면에 분산 반사기를 형성하도록 되어진 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기질표면 준비장치는 상기 분산 반사기를 형성하기 위하여 상기 기질표면(13)을 거칠게 만드는 샌드 블라스팅 체임버(54)를 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 기질 표면 준비장치는 상기 분산 반사기를 형성하기 위하여 기질표면에 제1반사성 재료를 스퍼터링하는 스퍼터링 용착실(52)를 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 스퍼터링 용착실(52)은 기질표면에 알루미늄을 스퍼터링 하도록 되어진 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  20. 제17항 또는 18항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기질 분산 반사기위에 제2반사성 재료(15)를 용착하기 위한 장치(23)를 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 반사성 재료 용착장치가 증찻ㄱ실(50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  22. 제21항에 있어서 상기 증착실(50)은 상기 기질 분산 반사기위에 은, 알루미늄, 금, 또는 동을 증착하도록 되어지는 것을 또한 특징으로 하는 기질표면 준비장치.
  23. 연속적인 도전성 기질상에 용착되는 다수의 비결정 반도체 재료들을 포함하는 형태의 광전소자 제조방밥에 있어서, 상기 기질의 표면에 반사기를 형성하고, 그 기질을 해당하는 다수의 비결정 반도체 용착실등 각각을 통해 전진시켜서 반사기위에 다수의 비결정 반도체 재료들을 용착하는 단계들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 반사기 형성단계가 반사 반사기를 형성하기 위하여 기질에 반사성 재료를 용착하는 것을 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 기질에 반사성 재료를 용착하는 상기 단계가 상기 기질에 반사성 재료를 증착하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 반사성 재료가 금, 은, 알루미늄, 동, 크롬 또는 몰리브덴인 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 기질에 반사기를 형성하는 단계가 기질을 상기 다수의 비결정 반도체 용착실을 통해 전진 시키는 단계 바로 전에 기질상에 상기 반사성 재료를 용착하기 위하여 기질을 증착실을 통하여 연속적으로 전진시키는 단계를 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  28. 제24항에 있어서, 상기 기질에 반사기를 형성하는 단계가 기질에 반사성 재료를 용착하고, 그 기질을 전취 로울에 감은 다음에 그 권취 로울을 상기 다수의 의 비결정 반도체 용착실로 운반하는 단계들을 포함하는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  29. 제23항에 있어서, 상기 반사기 형성 단계가 기질에 분산 반사기를 형성하는 것을 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 분산 반사기 형성단계가 기질 표면에 거친 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 기질에 거친 구조를 형성하는 단계가 상기 분산 반사기를 형성하기 위하여 기질을 샌드 블라스팅하는 단계를 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 기질에 거친 구조를 형성하는 단계가 상기 분산 반사기를 형성하기 위하여 기질에 제1반사성 재료를 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 제1 반사성 재료가 알루미늄인 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  34. 제31항 및 32항의 어느한 항에 있어서, 상기 분산 반사기에 제2 반사성 재료를 융착하는 추가단계를 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  35. 제34에 있어서, 상기 분산 반사기에 상기 제2 반사성 재료를 증착하는 단계를 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 제2 반사성 재료가 금, 은, 동, 알루미늄, 크롬 또는 몰리브덴인 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  37. 제29항에 있어서, 상기 분산 반사기를 형성하는 단계가 상기 기질을 다수의 비결정 반도체 용착실을 통해 전진시키기 바로전에 수행되는 것을 또한 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  38. 제29항에 있어서, 상기 분산 반사기 형성단계가 상기 비결정 반도체 용착실로부터 원거리 장소에서 수행되고, 그 기질을 권취로울로 감은 다음에 그 권취 로울을 상기 비결정 반도체 용착실로 운반하는 단계를 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 기질을 권취로울로 감기전에 분산 반사기위에 제2반사성 재료를 용착하는 추가단계를 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
  40. 제39항에 있어서, 상기 분산 반사기 위에 제2반사성 재료를 용착하는 단계가 상기 제2반사성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것이 특징인 광전 소자 제조방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 제2반사성 재료가 은, 금, 동, 알루미늄, 크롬 또는 몰리브덴인 것을 또한 특징으로 하는 광전 소자 제조방법.
  42. 제33항에 있어서, 기질에 알루미늄을 스퍼터링하는 상기단계가 알루미늄 표적을 내부에 지니는 스퍼터링 체임버를 마련하고, 체임버내의 압력을 대략 0.006토르의 증착압력으로 유지하며, 아르곤에 회석된 1-8%의 수소의 가스 혼합물을 대략 15SCCM의 유속으로 상기 체임버내로 도입하고, 그 체임버내에서 센터미터당 대략 2왓트의 무선 주파수 에너지 전력밀도로 유지하는 단계들을 포함하는 것이 또한 특징인 광전소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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