JP2003037281A - 被覆材及び光起電力素子 - Google Patents
被覆材及び光起電力素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光起電力素子上に入射した光を有効に利用す
ることにより変換効率を向上させ、且つ耐候性の優れた
被覆材を提供する。 【解決手段】 光起電力素子受光面側を樹脂被覆する被
覆材において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材
料と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結
合することにより形成される第二の高分子材料とを含有
するポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分
(A)は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い
官能基を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー
成分(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材
料との相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)が凝集体を形成している。
ることにより変換効率を向上させ、且つ耐候性の優れた
被覆材を提供する。 【解決手段】 光起電力素子受光面側を樹脂被覆する被
覆材において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材
料と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結
合することにより形成される第二の高分子材料とを含有
するポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分
(A)は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い
官能基を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー
成分(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材
料との相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)が凝集体を形成している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は被覆材、及び光起電
力素子に関り、特に入射光側が樹脂被覆された光起電力
素子に関する。
力素子に関り、特に入射光側が樹脂被覆された光起電力
素子に関する。
【0002】
【従来の技術】光起電力素子の変換効率(電気出力)を
上げるための手段のひとつとして、テクスチャーと呼ば
れる物理的な凹凸のある基板上に光起電力素子を形成す
る技術がある。
上げるための手段のひとつとして、テクスチャーと呼ば
れる物理的な凹凸のある基板上に光起電力素子を形成す
る技術がある。
【0003】例えば、平板ガラス上に不均一にITO膜
やSnO2膜を形成して、その表面を凹凸化させる方法
(特公昭57−31312号公報)、基板のサンドブラ
スチングやスパッタによる粗面の形成(特公昭58−1
76101号公報)、プラズマCVDなどによって形成
された金属薄膜表面がテクスチャー構造を有する光起電
力素子基板(特公平01−31946号公報)がある。
これらは、いずれも物理的な凹凸により、入射光を光起
電力素子構成部内で乱反射させることによって起電力を
発生するための光電変換層中を通る光の総光量を増加さ
せる、いわゆる、“光閉じ込め効果”としての技術であ
る。しかしながら、物理的な凹凸を有するテクスチャー
構造の場合、特に凸部では光電変換層の欠陥が生じた
り、光電変換層の膜厚にばらつきが生じたりすることに
より、生産性の低下や素子間の特性のばらつきを招くと
いう問題点があった。また、光電変換層と電極間におけ
る接合破壊や電流のリーク、オーミックロスなどが生
じ、変換効率の低下を引き起こす事があった。更に、こ
れらの技術は設備投資に莫大な費用を要するという問題
点があった。
やSnO2膜を形成して、その表面を凹凸化させる方法
(特公昭57−31312号公報)、基板のサンドブラ
スチングやスパッタによる粗面の形成(特公昭58−1
76101号公報)、プラズマCVDなどによって形成
された金属薄膜表面がテクスチャー構造を有する光起電
力素子基板(特公平01−31946号公報)がある。
これらは、いずれも物理的な凹凸により、入射光を光起
電力素子構成部内で乱反射させることによって起電力を
発生するための光電変換層中を通る光の総光量を増加さ
せる、いわゆる、“光閉じ込め効果”としての技術であ
る。しかしながら、物理的な凹凸を有するテクスチャー
構造の場合、特に凸部では光電変換層の欠陥が生じた
り、光電変換層の膜厚にばらつきが生じたりすることに
より、生産性の低下や素子間の特性のばらつきを招くと
いう問題点があった。また、光電変換層と電極間におけ
る接合破壊や電流のリーク、オーミックロスなどが生
じ、変換効率の低下を引き起こす事があった。更に、こ
れらの技術は設備投資に莫大な費用を要するという問題
点があった。
【0004】また、光起電力素子の受光面側に微粒子を
含有した光拡散樹脂層を設けることで上記技術と同様に
入射光を効率的に光電変換層に到達させる方法が検討さ
れている。
含有した光拡散樹脂層を設けることで上記技術と同様に
入射光を効率的に光電変換層に到達させる方法が検討さ
れている。
【0005】具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、EVA、PVA、PVBから選択
される1種類以上の樹脂混合物に、屈折率が0.01以
上異なる充填材を加えた樹脂組成物を光起電力素子表面
に設ける方法(特公平5−54227号公報)、透明樹
脂成分に非相溶性の樹脂を分散した透明樹脂を光起電力
素子上に設ける方法(特開平09−8341号公報)、
バインダー樹脂と前記バインダー樹脂と少なくとも同材
料からなる微粒子を含む1種類以上の微粒子を含む混合
溶液を光起電力素子上に塗布し、光起電力素子表面に凹
凸を形成する方法(特開平10−326903号公
報)、微粒子を有する感光性樹脂により拡散層を形成す
る方法(特開平11−135817号公報)が開示され
ている。
脂、シリコーン樹脂、EVA、PVA、PVBから選択
される1種類以上の樹脂混合物に、屈折率が0.01以
上異なる充填材を加えた樹脂組成物を光起電力素子表面
に設ける方法(特公平5−54227号公報)、透明樹
脂成分に非相溶性の樹脂を分散した透明樹脂を光起電力
素子上に設ける方法(特開平09−8341号公報)、
バインダー樹脂と前記バインダー樹脂と少なくとも同材
料からなる微粒子を含む1種類以上の微粒子を含む混合
溶液を光起電力素子上に塗布し、光起電力素子表面に凹
凸を形成する方法(特開平10−326903号公
報)、微粒子を有する感光性樹脂により拡散層を形成す
る方法(特開平11−135817号公報)が開示され
ている。
【0006】これらの技術は、光閉じ込め効果による変
換効率向上が期待できるとともに、前記基板処理法や成
膜方法を変更するのに比べ設備投資が少なく、光電変換
層と電極間での接合破壊やリーク電流など光起電力素子
の電気特性を大きく損なう危険性をも回避することがで
きる。
換効率向上が期待できるとともに、前記基板処理法や成
膜方法を変更するのに比べ設備投資が少なく、光電変換
層と電極間での接合破壊やリーク電流など光起電力素子
の電気特性を大きく損なう危険性をも回避することがで
きる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微粒子
または充填材を混合した樹脂で光拡散層を形成するた
め、屋外等の過酷な環境下での長期使用では樹脂と不溶
性樹脂や微粒子等の添加物の界面で剥離が発生し、光拡
散層に微細な空気層が無数に生じる。その結果、光拡散
層自体の光透過率が低下する為に光電変換層への到達光
が減少し、光起電力素子の変換効率の低下を招く。さら
に、そのような剥離部から水分が侵入し、光起電力素子
の電気特性を低下させる。前記の構成では、光起電力素
子、とりわけ太陽電池用途のような屋外環境下での使用
を考えた場合、耐久性を有しているとは言い難い。
または充填材を混合した樹脂で光拡散層を形成するた
め、屋外等の過酷な環境下での長期使用では樹脂と不溶
性樹脂や微粒子等の添加物の界面で剥離が発生し、光拡
散層に微細な空気層が無数に生じる。その結果、光拡散
層自体の光透過率が低下する為に光電変換層への到達光
が減少し、光起電力素子の変換効率の低下を招く。さら
に、そのような剥離部から水分が侵入し、光起電力素子
の電気特性を低下させる。前記の構成では、光起電力素
子、とりわけ太陽電池用途のような屋外環境下での使用
を考えた場合、耐久性を有しているとは言い難い。
【0008】本発明は、前記課題を解決し、長期間の屋
外暴露においても光閉じ込め効果を持続できるとともに
安定である光拡散層を提供するとともに、変換効率の優
れた光起電力素子を提供することを目的としている。
外暴露においても光閉じ込め効果を持続できるとともに
安定である光拡散層を提供するとともに、変換効率の優
れた光起電力素子を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
本発明は、光起電力素子受光面側を樹脂被覆する被覆材
において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料
と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合
することにより形成される第二の高分子材料とを含有す
るポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)
は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基
を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分
(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材料と
の相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)
が凝集体を形成していることを特徴とする被覆材、及び
受光面側の少なくとも一部を樹脂被覆された光起電力素
子において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料
と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合
することにより形成される第二の高分子材料とを含有す
るポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)
は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基
を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分
(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材料と
の相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)
が凝集体を形成していることを特徴とする光起電力素子
を提供することにある。
本発明は、光起電力素子受光面側を樹脂被覆する被覆材
において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料
と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合
することにより形成される第二の高分子材料とを含有す
るポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)
は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基
を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分
(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材料と
の相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)
が凝集体を形成していることを特徴とする被覆材、及び
受光面側の少なくとも一部を樹脂被覆された光起電力素
子において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料
と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合
することにより形成される第二の高分子材料とを含有す
るポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)
は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基
を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分
(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材料と
の相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)
が凝集体を形成していることを特徴とする光起電力素子
を提供することにある。
【0010】本発明の被覆材及び光起電力素子において
は、前記樹脂が、前記第一の高分子材料と前記第二の高
分子材料が架橋構造を形成したポリマーブレンド体であ
ることが好ましい。
は、前記樹脂が、前記第一の高分子材料と前記第二の高
分子材料が架橋構造を形成したポリマーブレンド体であ
ることが好ましい。
【0011】また、前記第一の高分子材料と前記ポリマ
ー成分(A)が、ビニル基を含有する単量体からなる高
分子体であることが好ましい。
ー成分(A)が、ビニル基を含有する単量体からなる高
分子体であることが好ましい。
【0012】また、前記第二の高分子材料が水酸基を含
有することが好ましく、前記ポリマー成分(A)および
前記ポリマー成分(B)がともに水酸基を含有すること
がより好ましい。
有することが好ましく、前記ポリマー成分(A)および
前記ポリマー成分(B)がともに水酸基を含有すること
がより好ましい。
【0013】また、前記ポリマー成分(B)がポリシロ
キサン基を含有する重合体であることが好ましい。
キサン基を含有する重合体であることが好ましい。
【0014】また、前記第二の高分子材料に含有される
前記ポリマー成分(A)が10乃至90重量部であるこ
とが好ましい。
前記ポリマー成分(A)が10乃至90重量部であるこ
とが好ましい。
【0015】また、前記ポリマー成分(B)を構成する
単量体がシロキサン基とビニル基とを含有し、シロキサ
ン基/ビニル基の数比率が1乃至1000であることが
好ましい。
単量体がシロキサン基とビニル基とを含有し、シロキサ
ン基/ビニル基の数比率が1乃至1000であることが
好ましい。
【0016】さらに、前記ポリマー成分(B)の屈折率
が前記ポリマーブレンド体を構成する他のポリマー成分
と異なることが好ましい。
が前記ポリマーブレンド体を構成する他のポリマー成分
と異なることが好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好適な被覆材及び
光起電力素子の実施形態を詳細に説明するが、本発明は
本実施形態に何ら限定されるものではない。
光起電力素子の実施形態を詳細に説明するが、本発明は
本実施形態に何ら限定されるものではない。
【0018】図1は、本発明の光起電力素子の1例を示
す図であり、図1(a)は斜視図、図1(b)は、図1
(a)の1B−1B断面図である。図1において、10
0は光起電力素子、101は導電性基体、102は裏面
反射層、103は半導体光活性層、104は透明導電
層、104aは透明導電層除去部、105は集電電極、
106は本発明の被覆材よりなる光拡散層である。
す図であり、図1(a)は斜視図、図1(b)は、図1
(a)の1B−1B断面図である。図1において、10
0は光起電力素子、101は導電性基体、102は裏面
反射層、103は半導体光活性層、104は透明導電
層、104aは透明導電層除去部、105は集電電極、
106は本発明の被覆材よりなる光拡散層である。
【0019】(光起電力素子100)本発明の光起電力
素子100には、一般的な光起電力素子を適宜用いるこ
とができる。光起電力素子100の受光面側の少なくと
も一部を、後述する樹脂により被覆することにより、本
発明の光起電力素子を作成することができる。
素子100には、一般的な光起電力素子を適宜用いるこ
とができる。光起電力素子100の受光面側の少なくと
も一部を、後述する樹脂により被覆することにより、本
発明の光起電力素子を作成することができる。
【0020】その中でも、a−Si系光起電力素子は製
造コストにおいて他の結晶系、化合物半導体系光起電力
素子より有利であり、機械的にも可とう性を有し、加工
しやすく様々な光起電力素子形態への応用ができるため
好ましい。
造コストにおいて他の結晶系、化合物半導体系光起電力
素子より有利であり、機械的にも可とう性を有し、加工
しやすく様々な光起電力素子形態への応用ができるため
好ましい。
【0021】(導電性基体101)導電性基体101は
光起電力素子の基体になると同時に、下部電極の役割も
果たす。材料としては、シリコン、タンタル、モリブデ
ン、タングステン、ステンレス、アルミニウム、銅、チ
タン、カーボンシート、鉛メッキ鋼板、導電層が形成し
てある樹脂フィルムやセラミックスガラスなどがある。
光起電力素子の基体になると同時に、下部電極の役割も
果たす。材料としては、シリコン、タンタル、モリブデ
ン、タングステン、ステンレス、アルミニウム、銅、チ
タン、カーボンシート、鉛メッキ鋼板、導電層が形成し
てある樹脂フィルムやセラミックスガラスなどがある。
【0022】(裏面反射層102)前記導電性基体10
1上には裏面反射層102として、金属層、あるいは金
属酸化物層、あるいは金属層と金属酸化物層を複数積層
して形成しても良い。金属層には、例えば、Ti,C
r,Mo,W,Al,Ag,Ni,Cuなどが用いら
れ、金属酸化物層には、例えば、ZnO,TiO2,S
nO2,ITOなどが用いられる。前記金属層及び金属
酸化物層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法などがある。
1上には裏面反射層102として、金属層、あるいは金
属酸化物層、あるいは金属層と金属酸化物層を複数積層
して形成しても良い。金属層には、例えば、Ti,C
r,Mo,W,Al,Ag,Ni,Cuなどが用いら
れ、金属酸化物層には、例えば、ZnO,TiO2,S
nO2,ITOなどが用いられる。前記金属層及び金属
酸化物層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法などがある。
【0023】(半導体光活性層103)半導体光活性層
103としてはpn接合、pin接合、ショットキー接
合などの半導体接合を有する構造を持つことが必要であ
る。また、シングルセルだけでなくpin接合またはp
n接合を複数重ねたタンデムセル、トリプルセルも好適
に用いられる。前記タンデムセル構成の具体例としては
例えばa−Siのi層を有するpinのトップセルとボ
トムセルとを積層した構成、a−Siのi層を有するp
inのトップセルとa−SiGeのi層を有するpin
のボトムセルを積層した構成が挙げられる。また、トッ
プセルをa−Siのi層を有するpin構造のものと
し、ボトムセルを薄膜多結晶のpn構造のものにしても
よい。前記トリプルセル構成の具体例としては、a−S
iのi層を有するpin構造のトップセルとミドルセ
ル、そしてa−SiGeのi層を有するpin構造のボ
トムセルを積層した構成、a−Siのi層を有するpi
n構造のトップセル、a−SiGeのi層を有するpi
n構造のミドルセル、そしてa−SiGeのi層を有す
るpin構造のボトムセルを積層した構成が挙げられ
る。
103としてはpn接合、pin接合、ショットキー接
合などの半導体接合を有する構造を持つことが必要であ
る。また、シングルセルだけでなくpin接合またはp
n接合を複数重ねたタンデムセル、トリプルセルも好適
に用いられる。前記タンデムセル構成の具体例としては
例えばa−Siのi層を有するpinのトップセルとボ
トムセルとを積層した構成、a−Siのi層を有するp
inのトップセルとa−SiGeのi層を有するpin
のボトムセルを積層した構成が挙げられる。また、トッ
プセルをa−Siのi層を有するpin構造のものと
し、ボトムセルを薄膜多結晶のpn構造のものにしても
よい。前記トリプルセル構成の具体例としては、a−S
iのi層を有するpin構造のトップセルとミドルセ
ル、そしてa−SiGeのi層を有するpin構造のボ
トムセルを積層した構成、a−Siのi層を有するpi
n構造のトップセル、a−SiGeのi層を有するpi
n構造のミドルセル、そしてa−SiGeのi層を有す
るpin構造のボトムセルを積層した構成が挙げられ
る。
【0024】前記半導体光活性層103の形成方法とし
てはシランガスなどを原料とするプラズマCVD法、真
空蒸着法、スパッタ法、熱分解法などがある。
てはシランガスなどを原料とするプラズマCVD法、真
空蒸着法、スパッタ法、熱分解法などがある。
【0025】(透明導電層104)透明導電層104は
光起電力素子の上部電極の役目を果たしている。用いる
材料としては、例えば、In2O3、SnO2、In2O2
−SnO2(ITO)、ZnO、TiO2、Cd2SnO2
等を高濃度不純物ドープした結晶性半導体層などがあ
る。形成方法としては抵抗加熱蒸着、スパッタ法、スプ
レー法、CVD法、不純物拡散法などがある。
光起電力素子の上部電極の役目を果たしている。用いる
材料としては、例えば、In2O3、SnO2、In2O2
−SnO2(ITO)、ZnO、TiO2、Cd2SnO2
等を高濃度不純物ドープした結晶性半導体層などがあ
る。形成方法としては抵抗加熱蒸着、スパッタ法、スプ
レー法、CVD法、不純物拡散法などがある。
【0026】(集電電極105)透明導電層104の上
には電流を効率よく集電するために、格子形状の集電電
極(グリッド電極)105を設けてもよい。集電電極1
05の具体的な材料としては、例えば、Ti,Cr,M
o,W,Al,Ag,Ni,Cu,Snやそれらの合
金、あるいは銀ペーストをはじめとする導電性ペースト
などが挙げられる。
には電流を効率よく集電するために、格子形状の集電電
極(グリッド電極)105を設けてもよい。集電電極1
05の具体的な材料としては、例えば、Ti,Cr,M
o,W,Al,Ag,Ni,Cu,Snやそれらの合
金、あるいは銀ペーストをはじめとする導電性ペースト
などが挙げられる。
【0027】集電電極105の形成方法としては、マス
クパターンを用いたスパッタリング法、抵抗加熱法、C
VD法や、全面に金属膜を蒸着した後で不必要な部分を
エッチングで取り除きパターニングする方法、光CVD
により直接グリッド電極パターンを形成する方法、グリ
ッド電極パターンのネガパターンのマスクを形成した後
にメッキする方法、導電性ペーストを印刷する方法や導
電性ペーストでコーティングした金属ワイヤーをはりつ
ける方法などがある。導電性ペーストは、通常微粉末状
の銀、金、銅、ニッケル、カーボンなどをバインダーポ
リマーに分散させたものが用いられる。バインダーポリ
マーとしては、例えば、ポリエステル、エポキシ、アク
リル、アルキド、ポリビニルアセテート、ゴム、ウレタ
ン、フェノールなどの樹脂が挙げられる。
クパターンを用いたスパッタリング法、抵抗加熱法、C
VD法や、全面に金属膜を蒸着した後で不必要な部分を
エッチングで取り除きパターニングする方法、光CVD
により直接グリッド電極パターンを形成する方法、グリ
ッド電極パターンのネガパターンのマスクを形成した後
にメッキする方法、導電性ペーストを印刷する方法や導
電性ペーストでコーティングした金属ワイヤーをはりつ
ける方法などがある。導電性ペーストは、通常微粉末状
の銀、金、銅、ニッケル、カーボンなどをバインダーポ
リマーに分散させたものが用いられる。バインダーポリ
マーとしては、例えば、ポリエステル、エポキシ、アク
リル、アルキド、ポリビニルアセテート、ゴム、ウレタ
ン、フェノールなどの樹脂が挙げられる。
【0028】(光拡散層106)次に本発明に用いられ
る光拡散層106について以下に詳しく説明する。
る光拡散層106について以下に詳しく説明する。
【0029】光拡散層106は、光起電力素子受光面側
の透明導電層104上に設けられる。
の透明導電層104上に設けられる。
【0030】光拡散層106は、少なくとも第一の高分
子材料と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)と
が結合することにより形成される第二の高分子材料とを
含有するポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分
(A)は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い
官能基を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー
成分(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材
料との相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)が凝集体を形成しているポリマーブレンド体から
構成される。
子材料と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)と
が結合することにより形成される第二の高分子材料とを
含有するポリマーブレンド体であり、前記ポリマー成分
(A)は、前記第一の高分子材料と比較的相溶性が高い
官能基を含み、前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー
成分(A)が有する前記官能基より前記第一の高分子材
料との相溶性が低い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)が凝集体を形成しているポリマーブレンド体から
構成される。
【0031】このようなポリマーブレンド体からなる光
拡散層106は、微視的には第一の高分子材料と第一の
高分子材料と相溶性が高いポリマー成分が分散した部分
と第一の高分子材料と相溶性の低い部分とに相分離して
おり、そのような部分では互いに屈折率が異なる。この
ような光拡散層106においては、入射する場所により
屈折率が異なるため、一方向から入射してきた光は他方
向に散乱される。入射光は散乱を繰り返し、半導体光活
性層103に到達する。すなわち、光拡散層106は光
閉じ込め効果を有する。例えば、光起電力素子受光面側
にある非発電領域上に入射してきた光は、通常直進する
ため、発電に寄与できない。しかしながら、非発電領域
にこのような光拡散層106を設けることにより、非発
電領域に入射した光が散乱され、半導体光活性層103
に入射することができ、半導体光活性層103への入射
総光量を増加させ、変換効率を向上させることができ
る。
拡散層106は、微視的には第一の高分子材料と第一の
高分子材料と相溶性が高いポリマー成分が分散した部分
と第一の高分子材料と相溶性の低い部分とに相分離して
おり、そのような部分では互いに屈折率が異なる。この
ような光拡散層106においては、入射する場所により
屈折率が異なるため、一方向から入射してきた光は他方
向に散乱される。入射光は散乱を繰り返し、半導体光活
性層103に到達する。すなわち、光拡散層106は光
閉じ込め効果を有する。例えば、光起電力素子受光面側
にある非発電領域上に入射してきた光は、通常直進する
ため、発電に寄与できない。しかしながら、非発電領域
にこのような光拡散層106を設けることにより、非発
電領域に入射した光が散乱され、半導体光活性層103
に入射することができ、半導体光活性層103への入射
総光量を増加させ、変換効率を向上させることができ
る。
【0032】第一の高分子材料としては、高透明性を有
するのはもちろんのこと、透明導電層104上に設けら
れた集電電極105等の凹凸を被覆できることが望まし
い。また、ビニル基を含有する単量体からなる高分子体
であることが好ましい。具体的な材料としては、EV
A、EMAAなどのエチレン−不飽和脂肪酸(エステ
ル)共重合体やアクリル樹脂、シリコン変性アクリル樹
脂、アクリルシリコン樹脂等が挙げられる。中でも、可
撓性のあるEVA、アクリル樹脂がより好ましい。
するのはもちろんのこと、透明導電層104上に設けら
れた集電電極105等の凹凸を被覆できることが望まし
い。また、ビニル基を含有する単量体からなる高分子体
であることが好ましい。具体的な材料としては、EV
A、EMAAなどのエチレン−不飽和脂肪酸(エステ
ル)共重合体やアクリル樹脂、シリコン変性アクリル樹
脂、アクリルシリコン樹脂等が挙げられる。中でも、可
撓性のあるEVA、アクリル樹脂がより好ましい。
【0033】次に、ポリマー成分(A)とポリマー成分
(B)からなる第二の高分子材料について説明する。
(B)からなる第二の高分子材料について説明する。
【0034】ポリマー成分(A)は、前記第一の高分子
材料と相溶性の高い少なくとも一種類以上の官能基を含
む重合体である。このようなポリマー成分(A)をポリ
マー成分(B)と結合することで、ポリマー成分(B)
が第一の高分子材料中で高次に凝集することを防ぎ、第
一の高分子材料に対しての分散性を向上させ、均一に分
散できる。加えて、ポリマー成分(A)が第一の高分子
材料へのアンカーとして機能することで、ポリマー成分
(B)のブリーチングを防止し、耐候性を向上すること
が期待できる。
材料と相溶性の高い少なくとも一種類以上の官能基を含
む重合体である。このようなポリマー成分(A)をポリ
マー成分(B)と結合することで、ポリマー成分(B)
が第一の高分子材料中で高次に凝集することを防ぎ、第
一の高分子材料に対しての分散性を向上させ、均一に分
散できる。加えて、ポリマー成分(A)が第一の高分子
材料へのアンカーとして機能することで、ポリマー成分
(B)のブリーチングを防止し、耐候性を向上すること
が期待できる。
【0035】具体的には、ビニル基を含有する単量体か
らなる高分子体が好ましく、ビニル基を含有する単量体
は、アクリル酸;アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸n−プロピル、アクリル酸イソプロピ
ル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸イソブチル、ア
クリル酸tert−ブチル、アクリル酸n−ヘキシル、
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−エチルヘキ
シル、アクリル酸オクチルなどのアクリル酸エステルや
メタアクリル酸;メタアクリル酸メチル、メタアクリル
酸エチル、メタアクリル酸n−プロピル、メタアクリル
酸イソプロピル、メタアクリル酸n−ブチル、メタアク
リル酸イソブチル、メタアクリル酸tert−ブチル、
メタアクリル酸n−ヘキシル、メタアクリル酸2−エチ
ルヘキシル、メタアクリル酸オクチルなどのメタアクリ
ル酸エステルや酢酸ビニルなどの脂肪酸ビニルエステ
ル、水酸基含有ビニル型単量体等から好適なものが選択
される。
らなる高分子体が好ましく、ビニル基を含有する単量体
は、アクリル酸;アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸n−プロピル、アクリル酸イソプロピ
ル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸イソブチル、ア
クリル酸tert−ブチル、アクリル酸n−ヘキシル、
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−エチルヘキ
シル、アクリル酸オクチルなどのアクリル酸エステルや
メタアクリル酸;メタアクリル酸メチル、メタアクリル
酸エチル、メタアクリル酸n−プロピル、メタアクリル
酸イソプロピル、メタアクリル酸n−ブチル、メタアク
リル酸イソブチル、メタアクリル酸tert−ブチル、
メタアクリル酸n−ヘキシル、メタアクリル酸2−エチ
ルヘキシル、メタアクリル酸オクチルなどのメタアクリ
ル酸エステルや酢酸ビニルなどの脂肪酸ビニルエステ
ル、水酸基含有ビニル型単量体等から好適なものが選択
される。
【0036】第二の高分子材料に含有されるポリマー成
分(A)は10乃至90重量部であることが好ましい。
分(A)は10乃至90重量部であることが好ましい。
【0037】ポリマー成分(B)は、ポリマー成分
(A)が有する第一の高分子材料と相溶性の高い官能基
より第一の高分子材料との相溶性が低い少なくとも一種
類以上の官能基を含む重合体である。ポリマー成分
(B)は、ポリマー成分(A)よりも第一の高分子材料
に対して相溶性が低くなければならない。相溶性が低い
官能基を有することで第一の高分子材料とポリマー成分
(B)で相分離を引き起こして一部凝集体を形成し、部
分的に屈折率が異なる海島構造を呈する。このように構
成された樹脂内に入射した光は、屈折率の異なる部分で
散乱し、散乱を繰り返し、結果前記光閉じ込め効果を発
揮することができる。このようなポリマー成分(B)と
しては、第一の高分子材料との相溶性がポリマー成分
(A)より低い重合体から適宜選択することができる
が、光起電力素子、とりわけ太陽電池用途を考えた場
合、耐候性をはじめとする耐久性が高いものがより好ま
しい。
(A)が有する第一の高分子材料と相溶性の高い官能基
より第一の高分子材料との相溶性が低い少なくとも一種
類以上の官能基を含む重合体である。ポリマー成分
(B)は、ポリマー成分(A)よりも第一の高分子材料
に対して相溶性が低くなければならない。相溶性が低い
官能基を有することで第一の高分子材料とポリマー成分
(B)で相分離を引き起こして一部凝集体を形成し、部
分的に屈折率が異なる海島構造を呈する。このように構
成された樹脂内に入射した光は、屈折率の異なる部分で
散乱し、散乱を繰り返し、結果前記光閉じ込め効果を発
揮することができる。このようなポリマー成分(B)と
しては、第一の高分子材料との相溶性がポリマー成分
(A)より低い重合体から適宜選択することができる
が、光起電力素子、とりわけ太陽電池用途を考えた場
合、耐候性をはじめとする耐久性が高いものがより好ま
しい。
【0038】具体的には、ポリマー成分(B)として、
シロキサン結合の繰り返し構造を有するポリシロキサン
重合体、含フッ素重合体を含む重合体が挙げられる。こ
れらの重合体は、その分子末端にはポリマー成分(A)
と重合できる重合性官能基を少なくとも一つ以上有す
る。このようなポリシロキサン重合体、含フッ素重合体
は、既知のシロキサンやポリシロキサンを含む単量体、
その誘導体から重合されるもので、適宜選択して用いら
れる。
シロキサン結合の繰り返し構造を有するポリシロキサン
重合体、含フッ素重合体を含む重合体が挙げられる。こ
れらの重合体は、その分子末端にはポリマー成分(A)
と重合できる重合性官能基を少なくとも一つ以上有す
る。このようなポリシロキサン重合体、含フッ素重合体
は、既知のシロキサンやポリシロキサンを含む単量体、
その誘導体から重合されるもので、適宜選択して用いら
れる。
【0039】また、これらの重合体をさらに高分子化し
やすいようにその末端にビニル基が含まれても構わな
い。ポリマー成分(B)を構成するシロキサン基を含有
する単量体が含有するシロキサン基/ビニル基の数比率
が、1乃至1000であることが望ましい。1000を
越えると第一の高分子材料と相分離する可能性があり、
これが耐久性を低下させる原因となる。
やすいようにその末端にビニル基が含まれても構わな
い。ポリマー成分(B)を構成するシロキサン基を含有
する単量体が含有するシロキサン基/ビニル基の数比率
が、1乃至1000であることが望ましい。1000を
越えると第一の高分子材料と相分離する可能性があり、
これが耐久性を低下させる原因となる。
【0040】目的である光閉じ込め効果を有するために
は、ポリマー成分(B)の数平均分子量は250以上5
0000以下であることが望ましい。より望ましくは、
500以上20000以下である。数平均分子量が25
0未満では光散乱が不十分となり、所望の光閉じ込め効
果が得られないおそれがある。一方、数平均分子量が5
0000を越えると第一の高分子材料との相分離が顕著
になり、耐久性が低下する恐れがある。
は、ポリマー成分(B)の数平均分子量は250以上5
0000以下であることが望ましい。より望ましくは、
500以上20000以下である。数平均分子量が25
0未満では光散乱が不十分となり、所望の光閉じ込め効
果が得られないおそれがある。一方、数平均分子量が5
0000を越えると第一の高分子材料との相分離が顕著
になり、耐久性が低下する恐れがある。
【0041】第二の高分子材料は、第一の高分子材料に
対して0.1重量部乃至10重量部混合することが望ま
しい。0.1重量部より少ない場合、所望の光閉じ込め
効果得られないおそれがある。10重量部より大きい場
合、光散乱が著しくなり光透過率が低下してしまうこと
が懸念される。
対して0.1重量部乃至10重量部混合することが望ま
しい。0.1重量部より少ない場合、所望の光閉じ込め
効果得られないおそれがある。10重量部より大きい場
合、光散乱が著しくなり光透過率が低下してしまうこと
が懸念される。
【0042】さらに、第一の高分子材料と第二の高分子
材料を架橋し、網目構造を形成することにより更に耐候
性を始めとした耐久性を向上させることが可能である。
中でも、耐候性を考える上では、イソシアネートによる
架橋がより好ましい。第一の高分子材料、第二の高分子
材料の少なくともどちらか一方、好ましくは第二の高分
子材料、さらに好ましくはポリマー成分(A)およびポ
リマー成分(B)がともに水酸基を有する場合、イソシ
アネート化合物による架橋が可能となり、より耐候性を
向上することができる。第二の高分子材料の水酸基価と
しては、5乃至90mg/KOHmgであることが望ま
しい。より望ましくは、20乃至75mg/KOHmg
である。水酸基価が5mg/KOHmgより小さい場
合、架橋による耐候性向上の効果が小さい。90mg/
KOHmgより大きい場合、架橋過多になり塗膜が堅く
なり、屋外の温度変化に弱くなる。
材料を架橋し、網目構造を形成することにより更に耐候
性を始めとした耐久性を向上させることが可能である。
中でも、耐候性を考える上では、イソシアネートによる
架橋がより好ましい。第一の高分子材料、第二の高分子
材料の少なくともどちらか一方、好ましくは第二の高分
子材料、さらに好ましくはポリマー成分(A)およびポ
リマー成分(B)がともに水酸基を有する場合、イソシ
アネート化合物による架橋が可能となり、より耐候性を
向上することができる。第二の高分子材料の水酸基価と
しては、5乃至90mg/KOHmgであることが望ま
しい。より望ましくは、20乃至75mg/KOHmg
である。水酸基価が5mg/KOHmgより小さい場
合、架橋による耐候性向上の効果が小さい。90mg/
KOHmgより大きい場合、架橋過多になり塗膜が堅く
なり、屋外の温度変化に弱くなる。
【0043】このような架橋反応を行うイソシアネート
化合物としては、2,4−トリレンジイソシアネート、
イソホロンジイソシアネート(IPDI)、キシリレン
ジイソシアネート、1,3−ビス(イソシアナトメチ
ル)シクロヘキサン(H6XDI)、ヘキサメチレンジ
イソシアネート(HDI)等の単量体を重合した化合物
が挙げられる。この中でも、高透明が求められる用途で
は無黄変型であるH6XDI、HDIが好ましい。上記
イソシアネートモノマーは、一般にはイソシアネートプ
レポリマーとして用いられており、テトラメチレンプロ
パノール(TMP)のアダクト系、ビュウレット系、イ
ソシアヌレート系、アルファネイト系に大別される。耐
侯性、耐熱性が求められる用途ではTMPアダクト系、
イソシアヌレート系を用いることが好ましい。イソシア
ネート基の樹脂中の混合比はNCO/OH(モル比)で
0.5〜5.0が好ましく、さらに0.5〜2.0がよ
り好ましい。
化合物としては、2,4−トリレンジイソシアネート、
イソホロンジイソシアネート(IPDI)、キシリレン
ジイソシアネート、1,3−ビス(イソシアナトメチ
ル)シクロヘキサン(H6XDI)、ヘキサメチレンジ
イソシアネート(HDI)等の単量体を重合した化合物
が挙げられる。この中でも、高透明が求められる用途で
は無黄変型であるH6XDI、HDIが好ましい。上記
イソシアネートモノマーは、一般にはイソシアネートプ
レポリマーとして用いられており、テトラメチレンプロ
パノール(TMP)のアダクト系、ビュウレット系、イ
ソシアヌレート系、アルファネイト系に大別される。耐
侯性、耐熱性が求められる用途ではTMPアダクト系、
イソシアヌレート系を用いることが好ましい。イソシア
ネート基の樹脂中の混合比はNCO/OH(モル比)で
0.5〜5.0が好ましく、さらに0.5〜2.0がよ
り好ましい。
【0044】また、光拡散層106は光起電力素子の表
面に設けられることから高い耐候性が要求され、紫外線
吸収剤(UVA)を添加することにより光劣化を抑え耐
候性を向上させることが望ましい。UVAとしては、従
来公知のUVAから適宜選択して使用することができる
が、本発明の光起電力素子に用いるUVAとしては本発
明者の種々の検討結果より1つ以上の紫外線吸収基と結
合した1,3,5−トリアジン環を有する化合物である
ことが好ましい。添加量の使用量は適宜決定できるが、
樹脂100重量部に対して0.01〜5.0重量部程度
であり、より好ましくは0.1〜0.5重量部ある。
面に設けられることから高い耐候性が要求され、紫外線
吸収剤(UVA)を添加することにより光劣化を抑え耐
候性を向上させることが望ましい。UVAとしては、従
来公知のUVAから適宜選択して使用することができる
が、本発明の光起電力素子に用いるUVAとしては本発
明者の種々の検討結果より1つ以上の紫外線吸収基と結
合した1,3,5−トリアジン環を有する化合物である
ことが好ましい。添加量の使用量は適宜決定できるが、
樹脂100重量部に対して0.01〜5.0重量部程度
であり、より好ましくは0.1〜0.5重量部ある。
【0045】前記UVAを前記添加量内で配合した光拡
散層106の光透過率は、光劣化抑制するために370
nmより小さい波長光をほぼ完全に遮光することが望ま
しい。また、樹脂の光劣化に大きく寄与しない370n
m以上の光を透過し、光起電力素子に到達する光量減少
を抑えるために400nm以上800nm以下の可視光
波長領域において80%以上であることが望ましく、9
0%以上とすることがより望ましい。
散層106の光透過率は、光劣化抑制するために370
nmより小さい波長光をほぼ完全に遮光することが望ま
しい。また、樹脂の光劣化に大きく寄与しない370n
m以上の光を透過し、光起電力素子に到達する光量減少
を抑えるために400nm以上800nm以下の可視光
波長領域において80%以上であることが望ましく、9
0%以上とすることがより望ましい。
【0046】前記UVAとともに耐候性を付与する方法
としてはヒンダードアミン系光安定化剤を使用できるこ
とが知られている。ヒンダードアミン系光安定化剤は紫
外線吸収剤のようには紫外線を吸収しないが、UVAを
併用することによって著しい相乗効果を示す。添加量は
樹脂100重量部に対して0.1〜0.3重量部程度が
一般的である。もちろんヒンダードアミン系以外にも光
安定化剤として機能するものはあるが、着色している場
合が多く本発明には望ましくない。
としてはヒンダードアミン系光安定化剤を使用できるこ
とが知られている。ヒンダードアミン系光安定化剤は紫
外線吸収剤のようには紫外線を吸収しないが、UVAを
併用することによって著しい相乗効果を示す。添加量は
樹脂100重量部に対して0.1〜0.3重量部程度が
一般的である。もちろんヒンダードアミン系以外にも光
安定化剤として機能するものはあるが、着色している場
合が多く本発明には望ましくない。
【0047】さらに、光拡散層106の高温下での安定
性をさらに向上させるために熱酸化防止剤を添加しても
よい。添加量は樹脂100重量部に対して0.1〜1.
0重量部が適正である。従来公知である酸化防止剤の化
学構造としてはモノフェノール系、ビスフェノール系、
高分子型フェノール系、硫黄系、燐酸系が好適に用いら
れる。
性をさらに向上させるために熱酸化防止剤を添加しても
よい。添加量は樹脂100重量部に対して0.1〜1.
0重量部が適正である。従来公知である酸化防止剤の化
学構造としてはモノフェノール系、ビスフェノール系、
高分子型フェノール系、硫黄系、燐酸系が好適に用いら
れる。
【0048】前記光安定化剤および前記熱酸化防止剤に
おいてもUVAと同様に光起電力素子、特に太陽電池モ
ジュールとしての使用環境を考慮して低揮発性物質を用
いることが好ましい。これらの添加剤は相乗効果を考慮
し、適宜選択し併用して用いることが望ましい。
おいてもUVAと同様に光起電力素子、特に太陽電池モ
ジュールとしての使用環境を考慮して低揮発性物質を用
いることが好ましい。これらの添加剤は相乗効果を考慮
し、適宜選択し併用して用いることが望ましい。
【0049】(中間層)光拡散層106と透明導電層1
04の間に、中間層を配置しても良い。中間層を配置す
ることにより、透明導電層104と光拡散層106との
密着性をより向上することができる。中間層の材料とし
ては、光拡散層106との密着性を考慮して、(光拡散
層106)で記述した第一の高分子材料から選択するこ
とが望ましい。更には、光拡散層106で用いられる第
一の高分子材料と同じであることがより望ましい。
04の間に、中間層を配置しても良い。中間層を配置す
ることにより、透明導電層104と光拡散層106との
密着性をより向上することができる。中間層の材料とし
ては、光拡散層106との密着性を考慮して、(光拡散
層106)で記述した第一の高分子材料から選択するこ
とが望ましい。更には、光拡散層106で用いられる第
一の高分子材料と同じであることがより望ましい。
【0050】前記の手法で作製した光起電力素子は、所
望する電圧あるいは電流に応じて直列か並列に接続され
る。また、絶縁化した基板上に光起電力素子を集積化し
て所望の電圧あるいは電流を得ることもできる。
望する電圧あるいは電流に応じて直列か並列に接続され
る。また、絶縁化した基板上に光起電力素子を集積化し
て所望の電圧あるいは電流を得ることもできる。
【0051】以上説明した構成の本発明の光起電力素子
では、以下の効果が期待できる。
では、以下の効果が期待できる。
【0052】(1)初期特性の優れた光起電力素子
光起電力素子受光面側に前述した光拡散層を設けること
により、光拡散層の透明性を低下させることなく、非発
電領域に入射した光を散乱させ、半導体光活性層に入射
させる総光量を増加させる事ができ、変換効率を向上さ
せることができる。
により、光拡散層の透明性を低下させることなく、非発
電領域に入射した光を散乱させ、半導体光活性層に入射
させる総光量を増加させる事ができ、変換効率を向上さ
せることができる。
【0053】(2)耐候性の優れた光起電力素子
第一の高分子材料と第二の高分子材料で架橋構造を形成
することによって、本発明の光拡散層に耐候性を付与す
ることができる。さらに、前記第二の高分子材料に水酸
基を導入することで、イソシアネート化合物による架橋
が可能になり、透明性を損なうことなく耐候性を付与で
きる。
することによって、本発明の光拡散層に耐候性を付与す
ることができる。さらに、前記第二の高分子材料に水酸
基を導入することで、イソシアネート化合物による架橋
が可能になり、透明性を損なうことなく耐候性を付与で
きる。
【0054】(3)透光性に優れた光起電力素子
ポリマー成分(B)がポリシロキサン基を含む重合体と
することにより、初期透光性が優れ、さらに透光性の長
期保持が可能となる。
することにより、初期透光性が優れ、さらに透光性の長
期保持が可能となる。
【0055】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【0056】(実施例1)
<光起電力素子の作製>アモルファスシリコン(a−S
i)光起電力素子を以下のようにして製作した。
i)光起電力素子を以下のようにして製作した。
【0057】すなわち、洗浄したステンレス基板上に、
スパッタ法で裏面反射層としてAl層(膜厚500n
m)とZnO層(膜厚500nm)を順次形成した。次
いで、プラズマCVD法により、SiH4とPH3とH2
の混合ガスからn型a−Si層を、SiH4とH2の混合
ガスからi型a−Si層を、SiH4とBF3とH2の混
合ガスからp型微結晶μc−Si層を形成し、n層膜厚
15nm/i層膜厚400nm/p層膜厚10nm/n
層膜厚10nm/i層膜厚80nm/p層膜厚10nm
の層構成のタンデム型a−Si半導体光活性層を形成し
た。透明導電層として、In2O3薄膜(膜厚70nm)
を、O2雰囲気下でInを抵抗加熱法で蒸着することに
よって形成した。この後、光起電力素子の欠陥除去処理
を行った。すなわち、電導度が50乃至70mSとなる
ように調整した塩化アルミニウムの水溶液中に、光起電
力素子と、素子の透明導電層と対向するように電極板を
浸漬し、素子をアースとして電極板に3.5ボルトの正
電位を2秒間印加することによりシャントしている部分
の透明導電層を選択的に分解した。この処理により、光
起電力素子のシャント抵抗は処理前1kΩ・cm2乃至
10kΩ・cm2であったのに対し、処理後50kΩ・
cm2乃至200kΩ・cm2に改善された。
スパッタ法で裏面反射層としてAl層(膜厚500n
m)とZnO層(膜厚500nm)を順次形成した。次
いで、プラズマCVD法により、SiH4とPH3とH2
の混合ガスからn型a−Si層を、SiH4とH2の混合
ガスからi型a−Si層を、SiH4とBF3とH2の混
合ガスからp型微結晶μc−Si層を形成し、n層膜厚
15nm/i層膜厚400nm/p層膜厚10nm/n
層膜厚10nm/i層膜厚80nm/p層膜厚10nm
の層構成のタンデム型a−Si半導体光活性層を形成し
た。透明導電層として、In2O3薄膜(膜厚70nm)
を、O2雰囲気下でInを抵抗加熱法で蒸着することに
よって形成した。この後、光起電力素子の欠陥除去処理
を行った。すなわち、電導度が50乃至70mSとなる
ように調整した塩化アルミニウムの水溶液中に、光起電
力素子と、素子の透明導電層と対向するように電極板を
浸漬し、素子をアースとして電極板に3.5ボルトの正
電位を2秒間印加することによりシャントしている部分
の透明導電層を選択的に分解した。この処理により、光
起電力素子のシャント抵抗は処理前1kΩ・cm2乃至
10kΩ・cm2であったのに対し、処理後50kΩ・
cm2乃至200kΩ・cm2に改善された。
【0058】次に、集電用のグリッド電極を設ける。導
電性ペーストでコーティングした直径100ミクロンの
銅線を配置した後、これらを加熱圧着して集電電極とし
た。
電性ペーストでコーティングした直径100ミクロンの
銅線を配置した後、これらを加熱圧着して集電電極とし
た。
【0059】<光拡散層の形成>アクリル樹脂からなる
コーティング材(架橋材としてMEKオキシムでブロッ
クしたHDIイソシアヌレートをNCO/OH(モル
比)1.5となるように添加。更に、固形分が35wt
%となるようキシレン、MIBKにて希釈)に、ビニル
基を有する単量体から重合されたポリマー成分とポリシ
ロキサンが結合してなる第二の高分子材料(水酸基価
60mg/KOH、平均分子量20,000)を混合す
る(混合量は、アクリル樹脂固形分100重量部に対し
て固形分で0.45重量部)。十分攪拌した後に、前記
コーティング剤を光起電力素子受光面上にスプレー塗布
した後、180℃にて10分間加熱して硬化し、平均膜
厚20μmの光拡散層を設けた。
コーティング材(架橋材としてMEKオキシムでブロッ
クしたHDIイソシアヌレートをNCO/OH(モル
比)1.5となるように添加。更に、固形分が35wt
%となるようキシレン、MIBKにて希釈)に、ビニル
基を有する単量体から重合されたポリマー成分とポリシ
ロキサンが結合してなる第二の高分子材料(水酸基価
60mg/KOH、平均分子量20,000)を混合す
る(混合量は、アクリル樹脂固形分100重量部に対し
て固形分で0.45重量部)。十分攪拌した後に、前記
コーティング剤を光起電力素子受光面上にスプレー塗布
した後、180℃にて10分間加熱して硬化し、平均膜
厚20μmの光拡散層を設けた。
【0060】以上の工程により、本発明を実施した光起
電力素子を得、以下の項目について評価を行った。評価
結果を表1に示す。
電力素子を得、以下の項目について評価を行った。評価
結果を表1に示す。
【0061】(1)初期全光線透過率測定
透明白板(厚み0.9mm)を基板とし、光拡散層を前
記作製方法と同様な方法で成膜した。次いで、300n
m乃至1000nmの波長範囲においての全光線透過率
を測定した。
記作製方法と同様な方法で成膜した。次いで、300n
m乃至1000nmの波長範囲においての全光線透過率
を測定した。
【0062】評価基準
ガラスの全光線透過率を100とした場合、
◎:101以上。
○:98以上で101より小さい。
×:98より小さい。
【0063】(2)耐侯性試験
試験箱に光起電力素子を投入し、メタルハライドランプ
による100mW/cm2の強度での波長域300nm
〜400nmの紫外線照射と結露を繰り返すデューサイ
クル試験を行い、10000時間後の外観上の変化をみ
た。
による100mW/cm2の強度での波長域300nm
〜400nmの紫外線照射と結露を繰り返すデューサイ
クル試験を行い、10000時間後の外観上の変化をみ
た。
【0064】評価基準
○:外観上問題無し。
×:光起電力素子表面でチョーキングが生じ、白化し
た。
た。
【0065】(3)温度サイクル試験
環境箱に光起電力素子を投入し、箱内の環境を85
℃、85%RH状態で22時間、続いて−40℃状態
で1時間とし、を繰り返し行なう。また、→、
→の移行は各30分間としで計24時間にて1サイ
クルとして20、50サイクルを行った。
℃、85%RH状態で22時間、続いて−40℃状態
で1時間とし、を繰り返し行なう。また、→、
→の移行は各30分間としで計24時間にて1サイ
クルとして20、50サイクルを行った。
【0066】評価基準
○:外観上異常無し。
×:光起電力素子表面でチョーキングが生じ、白化し
た。
た。
【0067】(実施例2)実施例1において、架橋材を
メチル化したメラミン、硬化温度120℃とした以外
は、実施例1と同様にして光起電力素子を作製し、評価
した。評価結果を表1に示す。
メチル化したメラミン、硬化温度120℃とした以外
は、実施例1と同様にして光起電力素子を作製し、評価
した。評価結果を表1に示す。
【0068】(実施例3)実施例1において、第二の高
分子材料の代わりに、ビニル基を有する数種の単量体
から重合されたポリマー成分とフッ素を含むポリマー成
分(フッ素含有率45%、平均分子量5,000)が結
合してなる第二の高分子材料(水酸基価30mg/K
OH)とした以外は、実施例1と同様にして光起電力素
子を作製し、評価した。評価結果を表1に示す。
分子材料の代わりに、ビニル基を有する数種の単量体
から重合されたポリマー成分とフッ素を含むポリマー成
分(フッ素含有率45%、平均分子量5,000)が結
合してなる第二の高分子材料(水酸基価30mg/K
OH)とした以外は、実施例1と同様にして光起電力素
子を作製し、評価した。評価結果を表1に示す。
【0069】(比較例1)実施例1において、第二の高
分子材料の代わりにポリシロキサン重合体(平均分子
量25,000)を10重量部混合するとした以外は、
実施例1と同様にして光起電力素子を作製し、評価し
た。評価結果を表1に示す。
分子材料の代わりにポリシロキサン重合体(平均分子
量25,000)を10重量部混合するとした以外は、
実施例1と同様にして光起電力素子を作製し、評価し
た。評価結果を表1に示す。
【0070】(比較例2)実施例1において、第二の高
分子材料の代わりに酸化珪素微粒子(平均粒径10n
m)を30重量部混合するとした以外は、実施例1と同
様にして光起電力素子を作製し、評価した。評価結果を
表1に示す。
分子材料の代わりに酸化珪素微粒子(平均粒径10n
m)を30重量部混合するとした以外は、実施例1と同
様にして光起電力素子を作製し、評価した。評価結果を
表1に示す。
【0071】(比較例3)実施例1において、第二の高
分子材料の代わりに酸化チタン微粒子(平均粒径25
nm)を30重量部とした以外は、実施例1と同様にし
て光起電力素子を作製し、評価した。評価結果を表1に
示す。
分子材料の代わりに酸化チタン微粒子(平均粒径25
nm)を30重量部とした以外は、実施例1と同様にし
て光起電力素子を作製し、評価した。評価結果を表1に
示す。
【0072】
【表1】
【0073】表1から明らかなように、光起電力素子の
透明導電層上に設けた光拡散層が本発明のポリマーブレ
ンド体よりなる実施例1乃至3の光起電力素子は前記評
価試験においても良好な結果を得られた。とりわけ、実
施例1においては、光閉じ込め効果による変換効率の上
昇と実際の屋外での長期間使用においても安定して機能
することが期待できる。
透明導電層上に設けた光拡散層が本発明のポリマーブレ
ンド体よりなる実施例1乃至3の光起電力素子は前記評
価試験においても良好な結果を得られた。とりわけ、実
施例1においては、光閉じ込め効果による変換効率の上
昇と実際の屋外での長期間使用においても安定して機能
することが期待できる。
【0074】これに対して、アクリル樹脂にポリシロキ
サンのみを混合した比較例1においては、樹脂層での相
分離による光拡散が著しく、塗膜全体が白化し初期透過
率の低下を招いた。さらに、耐候性試験においても、塗
膜中に無数のクラックが生じており、長期信頼性でも実
施例に劣る。
サンのみを混合した比較例1においては、樹脂層での相
分離による光拡散が著しく、塗膜全体が白化し初期透過
率の低下を招いた。さらに、耐候性試験においても、塗
膜中に無数のクラックが生じており、長期信頼性でも実
施例に劣る。
【0075】また、アクリル樹脂に酸化珪素微粒子を混
合した比較例2では、初期透過率においては実施例2、
3と同様な結果を得たが、耐候性試験において、樹脂表
面から酸化珪素微粒子が脱離するチョーキングが見られ
比較例1と同様に長期信頼性に欠ける。
合した比較例2では、初期透過率においては実施例2、
3と同様な結果を得たが、耐候性試験において、樹脂表
面から酸化珪素微粒子が脱離するチョーキングが見られ
比較例1と同様に長期信頼性に欠ける。
【0076】アクリル樹脂に酸化チタン微粒子を混合し
た比較例3においては、酸化チタンの高屈折率特性に起
因する樹脂表面の表面反射が増加し、結果として光透過
率が低下した。耐候性試験においても比較例2と同様の
チョーキングが見られ、実施例に劣る。
た比較例3においては、酸化チタンの高屈折率特性に起
因する樹脂表面の表面反射が増加し、結果として光透過
率が低下した。耐候性試験においても比較例2と同様の
チョーキングが見られ、実施例に劣る。
【0077】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば光
起電力素子受光面側を樹脂被覆する被覆材及び受光面側
の少なくとも一部を樹脂被覆された光起電力素子におい
て、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料と、ポリ
マー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合すること
により形成される第二の高分子材料とを含有するポリマ
ーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)は、前記
第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基を含み、
前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分(A)が有
する前記官能基より前記第一の高分子材料との相溶性が
低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)が凝集体を
形成していることで入射光増加による変換効率の増加が
期待でき、屋外の実使用環境に耐えうる耐候性を得るこ
とができる。また、前記第一の高分子材料と前記第二の
高分子材料が架橋構造を形成することにより、屋外環境
において長期的安定な優れた耐候性を付与することがで
きる。
起電力素子受光面側を樹脂被覆する被覆材及び受光面側
の少なくとも一部を樹脂被覆された光起電力素子におい
て、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材料と、ポリ
マー成分(A)とポリマー成分(B)とが結合すること
により形成される第二の高分子材料とを含有するポリマ
ーブレンド体であり、前記ポリマー成分(A)は、前記
第一の高分子材料と比較的相溶性が高い官能基を含み、
前記ポリマー成分(B)は、該ポリマー成分(A)が有
する前記官能基より前記第一の高分子材料との相溶性が
低い官能基を含み、前記ポリマー成分(B)が凝集体を
形成していることで入射光増加による変換効率の増加が
期待でき、屋外の実使用環境に耐えうる耐候性を得るこ
とができる。また、前記第一の高分子材料と前記第二の
高分子材料が架橋構造を形成することにより、屋外環境
において長期的安定な優れた耐候性を付与することがで
きる。
【図1】図1(a)は、実施形態の光起電力素子の斜視
図、図1(b)は、図1(a)の1B−1B断面図であ
る。
図、図1(b)は、図1(a)の1B−1B断面図であ
る。
100 光起電力素子
101 導電性基体
102 裏面反射層
103 半導体光活性層
104 透明導電層
104a 透明導電層除去部
105 集電電極(グリッド電極)
106 光拡散層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
C09D 201/06 H01L 31/04 F
(72)発明者 高林 明治
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
Fターム(参考) 4J038 CB051 CB052 CB061 CB062
CD091 CD092 CF021 CF022
CF031 CF032 CG031 CG032
CG141 CG142 CJ291 CJ292
DG181 DG191 DL031 DL032
DL101 DL102 DL151 DL152
FA241 FA242 GA01 GA03
KA03 MA12 NA03 NA18 PB09
5F051 AA05 BA16 BA18 CA02 CA03
CA04 CA15 DA04 DA17 FA02
FA06 FA13 FA15 FA18 GA02
HA04 HA05
Claims (18)
- 【請求項1】 光起電力素子受光面側を樹脂被覆する被
覆材において、前記樹脂が、少なくとも第一の高分子材
料と、ポリマー成分(A)とポリマー成分(B)とが結
合することにより形成される第二の高分子材料とを含有
するポリマーブレンド体であり、 前記ポリマー成分(A)は、前記第一の高分子材料と比
較的相溶性が高い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)は、該ポリマー成分(A)が有する前記官能基よ
り前記第一の高分子材料との相溶性が低い官能基を含
み、前記ポリマー成分(B)が凝集体を形成しているこ
とを特徴とする被覆材。 - 【請求項2】 前記樹脂が、前記第一の高分子材料と前
記第二の高分子材料が架橋構造を形成したポリマーブレ
ンド体であることを特徴とする請求項1に記載の被覆
材。 - 【請求項3】 前記第一の高分子材料と前記ポリマー成
分(A)が、ビニル基を含有する単量体からなる高分子
体であることを特徴とする請求項1または2に記載の被
覆材。 - 【請求項4】 前記第二の高分子材料が水酸基を含有す
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の
被覆材。 - 【請求項5】 前記ポリマー成分(A)および前記ポリ
マー成分(B)がともに水酸基を含有することを特徴と
する請求項4に記載の被覆材。 - 【請求項6】 前記ポリマー成分(B)がポリシロキサ
ン基を含有する重合体であることを特徴とする請求項1
乃至5のいずれかに記載の被覆材。 - 【請求項7】 前記第二の高分子材料に含有される前記
ポリマー成分(A)が10乃至90重量部であることを
特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の被覆材。 - 【請求項8】 前記ポリマー成分(B)を構成する単量
体がシロキサン基とビニル基とを含有し、シロキサン基
/ビニル基の数比率が1乃至1000であることを特徴
とする請求項1乃至7のいずれかに記載の被覆材。 - 【請求項9】 前記ポリマー成分(B)の屈折率が前記
ポリマーブレンド体を構成する他のポリマー成分と異な
ることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の
被覆材。 - 【請求項10】 受光面側の少なくとも一部を樹脂被覆
された光起電力素子において、前記樹脂が、少なくとも
第一の高分子材料と、ポリマー成分(A)とポリマー成
分(B)とが結合することにより形成される第二の高分
子材料とを含有するポリマーブレンド体であり、 前記ポリマー成分(A)は、前記第一の高分子材料と比
較的相溶性が高い官能基を含み、前記ポリマー成分
(B)は、該ポリマー成分(A)が有する前記官能基よ
り前記第一の高分子材料との相溶性が低い官能基を含
み、前記ポリマー成分(B)が凝集体を形成しているこ
とを特徴とする光起電力素子。 - 【請求項11】 前記樹脂が、前記第一の高分子材料と
前記第二の高分子材料が架橋構造を形成したポリマーブ
レンド体であることを特徴とする請求項10に記載の光
起電力素子。 - 【請求項12】 前記第一の高分子材料と前記ポリマー
成分(A)が、ビニル基を含有する単量体からなる高分
子体であることを特徴とする請求項10または11に記
載の光起電力素子。 - 【請求項13】 前記第二の高分子材料が水酸基を含有
することを特徴とする請求項10乃至12のいずれかに
記載の光起電力素子。 - 【請求項14】 前記ポリマー成分(A)および前記ポ
リマー成分(B)がともに水酸基を含有することを特徴
とする請求項13に記載の光起電力素子。 - 【請求項15】 前記ポリマー成分(B)がポリシロキ
サン基を含有する重合体であることを特徴とする請求項
10乃至14のいずれかに記載の光起電力素子。 - 【請求項16】 前記第二の高分子材料に含有される前
記ポリマー成分(A)が10乃至90重量部であること
を特徴とする請求項10乃至15のいずれかに記載の光
起電力素子。 - 【請求項17】 前記ポリマー成分(B)を構成する単
量体がシロキサン基とビニル基とを含有し、シロキサン
基/ビニル基の数比率が1乃至1000であることを特
徴とする請求項10乃至16のいずれかに記載の光起電
力素子。 - 【請求項18】 前記ポリマー成分(B)の屈折率が前
記ポリマーブレンド体を構成する他のポリマー成分と異
なることを特徴とする請求項10乃至17のいずれかに
記載の光起電力素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002133446A JP2003037281A (ja) | 2001-05-17 | 2002-05-09 | 被覆材及び光起電力素子 |
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AU40677/02A AU4067702A (en) | 2001-05-17 | 2002-05-16 | Coating material and photovoltaic element |
EP02010937A EP1258926A3 (en) | 2001-05-17 | 2002-05-16 | Coating material for a photovoltaic element |
CN02127267A CN1388194A (zh) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | 涂料和光电元件 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-147408 | 2001-05-17 | ||
JP2001147408 | 2001-05-17 | ||
JP2002133446A JP2003037281A (ja) | 2001-05-17 | 2002-05-09 | 被覆材及び光起電力素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003037281A true JP2003037281A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=26615238
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP1258926A3 (ja) |
JP (1) | JP2003037281A (ja) |
CN (1) | CN1388194A (ja) |
AU (1) | AU4067702A (ja) |
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US8063299B2 (en) | 2003-06-27 | 2011-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar battery module |
WO2014132312A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
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