JPH0992759A - 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 - Google Patents
半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置Info
- Publication number
- JPH0992759A JPH0992759A JP8181049A JP18104996A JPH0992759A JP H0992759 A JPH0992759 A JP H0992759A JP 8181049 A JP8181049 A JP 8181049A JP 18104996 A JP18104996 A JP 18104996A JP H0992759 A JPH0992759 A JP H0992759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin layer
- resin
- protective material
- silane coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 130
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 claims abstract description 8
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 23
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 21
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 glycidoxypropynyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000005042 ethylene-ethyl acrylate Substances 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XSCLFFBWRKTMTE-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(isocyanatomethyl)cyclohexane Chemical compound O=C=NCC1CCCC(CN=C=O)C1 XSCLFFBWRKTMTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 claims description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 50
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 41
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 31
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 abstract description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 6
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 8
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 8
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 8
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylpentane-1,3-diamine Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCC(N)CCN KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylidenehydroxylamine Chemical compound CCC(C)=NO WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphite Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- GVJHHUAWPYXKBD-UHFFFAOYSA-N (±)-α-Tocopherol Chemical compound OC1=C(C)C(C)=C2OC(CCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C)(C)CCC2=C1C GVJHHUAWPYXKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229960004838 phosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VRWOEFJNMPHSTD-UHFFFAOYSA-N (2-octoxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 VRWOEFJNMPHSTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNOZGCICXAYKLW-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-isocyanatopropan-2-yl)benzene Chemical compound O=C=NC(C)(C)C1=CC=CC=C1C(C)(C)N=C=O NNOZGCICXAYKLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOYADQIFGGIKAT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibutyl-4-hydroxy-2,6-dioxopyrimidine-5-carboximidamide Chemical compound CCCCn1c(O)c(C(N)=N)c(=O)n(CCCC)c1=O VOYADQIFGGIKAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-isocyanatopropan-2-yl)-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C(C)(C)N=C=O)=C1 ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYJHYLAMMJNRC-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpentan-2-ol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)O BSYJHYLAMMJNRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(C)(C)C DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSOMHEOIWBKOPF-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-[(6-oxobenzo[c][2,1]benzoxaphosphinin-6-yl)methyl]phenol Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CP2(=O)C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3O2)=C1 WSOMHEOIWBKOPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)sulfanyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1SC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLUZWKKWWSCRSR-UHFFFAOYSA-N 3,9-bis(8-methylnonoxy)-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane Chemical compound C1OP(OCCCCCCCC(C)C)OCC21COP(OCCCCCCCC(C)C)OC2 YLUZWKKWWSCRSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZRWFKGUFWPFID-UHFFFAOYSA-N 3,9-dioctadecoxy-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane Chemical compound C1OP(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OCC21COP(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OC2 PZRWFKGUFWPFID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 4-[4,4-bis(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butan-2-yl]-2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(C)CC(C=1C(=CC(O)=C(C=1)C(C)(C)C)C)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[3,5-bis[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2,4,6-trimethylphenyl]methyl]-2,6-ditert-butylphenol Chemical compound CC1=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C1CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEFMTVNJCFTOFQ-UHFFFAOYSA-N 6-decoxybenzo[c][2,1]benzoxaphosphinine Chemical compound C1=CC=C2P(OCCCCCCCCCC)OC3=CC=CC=C3C2=C1 WEFMTVNJCFTOFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADRNSOYXKABLGT-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl diphenyl phosphite Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OCCCCCCCC(C)C)OC1=CC=CC=C1 ADRNSOYXKABLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004255 Butylated hydroxyanisole Substances 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N Didodecyl thiobispropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCC GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003508 Dilauryl thiodipropionate Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQTSHRKDEDOZME-UHFFFAOYSA-N NCCC(CC[SiH](OC)OC)N Chemical compound NCCC(CC[SiH](OC)OC)N SQTSHRKDEDOZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930003427 Vitamin E Natural products 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229940002246 alphanate Drugs 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N bis(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)NC(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)NC(C)(C)C1 XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXXILWLQSQDLDL-UHFFFAOYSA-N bis(8-methylnonyl) phenyl phosphite Chemical compound CC(C)CCCCCCCOP(OCCCCCCCC(C)C)OC1=CC=CC=C1 SXXILWLQSQDLDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYMGIIIPAFAFRX-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;ethene Chemical compound C=C.CCCCOC(=O)C=C QYMGIIIPAFAFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019282 butylated hydroxyanisole Nutrition 0.000 description 1
- CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N butylated hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1.COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043253 butylated hydroxyanisole Drugs 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000019304 dilauryl thiodipropionate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N distearyl thiodipropionate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006245 ethylene-butyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006225 ethylene-methyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005680 ethylene-methyl methacrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- WIGCFUFOHFEKBI-UHFFFAOYSA-N gamma-tocopherol Natural products CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCC1CCC2C(C)C(O)C(C)C(C)C2O1 WIGCFUFOHFEKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920006284 nylon film Polymers 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N tetradecyl 3-(3-oxo-3-tetradecoxypropyl)sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCC LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical group CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXJBUSBMIXMILT-UHFFFAOYSA-N tris(4-nonylphenyl) phosphate Chemical compound C1=CC(CCCCCCCCC)=CC=C1OP(=O)(OC=1C=CC(CCCCCCCCC)=CC=1)OC1=CC=C(CCCCCCCCC)C=C1 JXJBUSBMIXMILT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 235000019165 vitamin E Nutrition 0.000 description 1
- 229940046009 vitamin E Drugs 0.000 description 1
- 239000011709 vitamin E Substances 0.000 description 1
- 108010033683 von Willebrand factor drug combination factor VIII Proteins 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
期使用においても樹脂の黄変による光透過性の低下によ
る太陽電池モジュール特性の劣化を最小限にし、半導体
装置、とくに光起電力装置などの光電変換装置から剥離
のない表面披覆材を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、半導体素子用の保護材におい
て、透明樹脂層の半導体素子用の保護材は少なくともシ
ランカップリング剤を含む樹脂から形成されていること
を特徴とする。本発明の半導体素子は、透明樹脂層を有
する保護材を有する半導体素子であって、該透明樹脂層
は少なくともシランカップリング剤を含む樹脂から形成
されていることを特徴とする。本発明の半導体装置は、
透明樹脂層と少なくとも該透明樹脂層上に設けられた透
明な有機樹脂層を有する保護材を有する半導体装置であ
って、該透明樹脂層は少なくともシランカップリング剤
を含む樹脂から形成されていることを特徴とする。
Description
該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装
置に関し、更に詳しくは、特に太陽電池のような光電変
換素子に代表される半導体素子の表面、光電変換素子に
おける光入射側に設けられる保護材、該保護材を有する
半導体素子及び太陽電池モジュールのような該半導体素
子を有する半導体装置に関する。
が、世界的に広がりを見せている。中でも、CO2排出
に伴う地球の温暖化現象に対する危倶感は深刻で、クリ
ーンなエネルギーへの希求はますます強まってきてい
る。太陽電池は現在のところ、その安全性と扱いやすさ
から、クリーンなエネルギー源として期待のもてるもの
だということができる。
ものとしては、 (1)結晶シリコン太陽電池 (2)多結晶シリコン太陽電池 (3)アモルファスシリコン太陽電池 (4)銅インジウムセレナイド太陽電池 (5)化合物半導体太陽電池 などがある。
属基板上にシリコンを堆積し、その上に透明導電層を形
成したアモルファスシリコン太陽電池を代表とする薄膜
太陽電池は、軽量でかつ耐衝撃性、フレキシブル性に富
んでいるので、将来の太陽電池モジュール形態として有
望視されている。ただし、ガラス基板上にシリコンを堆
積する場合と異なり、光入射側表面を透明な被覆材で覆
い、太陽電池を保護する必要がある。
装置は、表面被覆材として最表面にフッ素樹脂フィルム
やフッ素樹脂塗料等を用いた透明なフッ化物重合体薄
膜、その内側には種々の熱可塑性透明有機樹脂が用いら
れてきた。フッ化物重合体は耐候性・撥水性に富んでお
り、樹脂の劣化による黄変・白濁あるいは表面の汚れに
よる光透過率の減少に起因する太陽電池モジュールの変
換効率の低下を少なくすることができ、また、熱可塑性
透明樹脂は安価であり内部の光起電力素子を保護するた
めの充填材として大量に用いることができる。
例である。図1に於いて、101はフッ化物重合体薄膜
層、102は熱可塑性透明有機樹脂層、103は透明薄
膜樹脂層、104は光起電力素子、105は絶縁体層、
106は太陽電池素子である。この例では光受光面の有
機樹脂と同じフッ化物重合体を裏面にも用いている。
01はETFE(エチレン−テトラフルオロエチレン共
重合体)フィルム、PVF(ポリフッ化ビニル)フィル
ム等から好適に選択されるフッ素樹脂フィルムであり、
熱可塑性透明有機樹脂102はEVA(エチレン−酢酸
ビニル共重合体)、EEA(エチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体)、ブチラール樹脂等から好適に選ばれ、透
明薄膜樹脂層103はアクリル樹脂、フッ素樹脂、アク
リル樹脂と無機ポリマーを架橋してなる樹脂が好適に選
択され、絶縁体層105はナイロンフィルム、アルミラ
ミネートテドラーフィルムをはじめとする種々の有機樹
脂フィルムを用いることができる。
02は光起電力素子104とフッ素樹脂フィルム101
及び絶縁体層105との接着剤としての役割を果たして
おり、透明薄膜樹脂層103は太陽電池モジュールと外
部の電気絶縁性を保ち、熱可塑性透明有機樹脂層102
と共に外部からの引っかき、衝撃から太陽電池を保護す
る充填材の役割を果たしている。
屋根に設置する形態が考えられる。この場合、各国で規
定された屋根材の規格に合格させる必要がある。その規
格の一つにはたとえば燃焼性試験がある。この試験に対
しては太陽電池モジュールの封止材に用いられる可燃性
樹脂であるEVAの含有量はできるだけ削減することが
望まれる。しかし、EVA含有量を単純に減らすだけで
は表面被覆材の光起電力素子保護能力も低くなる。
面被覆材中に難燃もしくは不燃性の透明薄膜樹脂層を設
け、表面披覆材の光起電力素子保護能力を損なうことな
くEVAの厚みを薄くすることにより太陽電池モジュー
ルの燃焼性を一層抑制させる方法がある。これによりた
とえばUL1703に規定される燃焼試験でアメリカ合
衆国国内で屋根材として採用されるクラスAに分類され
ることが可能になる。
素樹脂などをイソシアネートにより架橋した樹脂などを
用いるが、架橋にイソシアネートを用いる塗料には樹脂
に予めイソシアネートを混合させる一液型塗料と塗膜形
成直前に混合する二液型塗料がある。二液型塗料は塗膜
形成直前に混合するために装置が煩雑になり混合後の樹
脂のポットライフも短くなるため、一般的には反応性の
高いイソシアネート基をブロック体によりマスクし、加
熱によりブロック体を解離させ、イソシアネート基を再
生し反応させるブロッキングイソシアネートを用いた一
液型塗料が用いられている。マスクに用いられるブロッ
ク体には、MEKオキシム、εカプロラクタムが汎用さ
れているが、MEKオキシムを使用すると塗膜加熱形成
時に塗膜が黄変するため、透明性が求められる用途に使
用される場合には、εカプロラクタムが用いられる。
有機樹脂層、例えばEVAを積層し表面披覆を構成して
いるようなモジュールでは以下のような問題点が生ずる
場合があった。
れると、太陽光の直射により光起電力素子の表面温度は
65℃以上の高温になり、長期間設置した場合には表面
被覆材が黄変する恐れがある。この問題は、モジュール
温度がより高温となる屋根材一体の用途ではより顕著と
なりやすい。
揮発せず塗膜中に残存しており、それらがEVAの架橋
に用いられる過酸化物やEVAの架橋時に発生する酸な
どと反応して黄変物質を生成するためで、光透過率低下
による太陽電池モジュールの特性を低下させる原因とな
る。
表面被覆材料中および表面披覆材の光起電力素子からの
剥離も太陽電池モジュール特性の低下の原因であり、外
観上も好ましくない。一般的には樹脂の熱劣化、光劣化
による黄変抑制にはヒンダードフェノール系の一次酸化
防止剤と、燐系、硫黄系二次酸化防止剤を併用して添加
されるが、充分とは言えず、改良が望まれていた。
問題点を解決するために、高温高湿環境下で表面被覆材
が長期使用においても樹脂の黄変による光透過性の低下
による太陽電池モジュール特性の劣化を最小限にし、半
導体装置、とくに光起電力装置などの光電変換装置から
剥離のない表面披覆材を提供することを目的とする。
の保護材において、透明樹脂層の半導体素子用の保護材
は少なくともシランカップリング剤を含む樹脂から形成
されていることを特徴とする。
る保護材を有する半導体素子であって、該透明樹脂層は
少なくともシランカップリング剤を含む樹脂から形成さ
れていることを特徴とする。
くとも該透明樹脂層上に設けられた透明な有機樹脂層を
有する保護材を有する半導体装置であって、該透明樹脂
層は少なくともシランカップリング剤を含む樹脂から形
成されていることを特徴とする。
できる。 (1)より難燃性の被覆となる。すなわち、被覆樹脂中
の可燃性の樹脂量を削滅することで、より難燃性の太陽
電池モジュールとすることができる。 (2)耐熱性に優れた被覆となる。すなわち、塗膜中に
残存するブロッキング剤量も少なく、高温使用時に表面
被覆材がに黄変が生じる問題は防止できる。 (3)防湿性に優れた被覆となる。すなわち、樹脂中に
水分が侵入しにくく、湿度による太陽電池特性の低下を
抑制できる。 (4)密着性に優れる。すなわち、高温高湿使用時に表
面披覆材が太陽電池から剥がれることによる太陽電池モ
ジュール特性低下を防止できる。 (5)電気絶縁性に優れた被覆となる。すなわち太陽電
池から発生した電流が外部へ漏れることを防止し、湿潤
環境下でも外部との電気絶縁性を保つことができる。
略構成図の一例を示す。図2に於いて、201は光起電
力素子、202は透明薄膜層(透明樹脂層)、203は
表面の透明な充填材(透明な有機高分子樹脂層)、20
4は最表面に位置する透明なフィルム、205は裏面の
充填材、206は裏面披覆フィルム、207は太陽電池
素子である。外部からの光は、最表面のフィルム204
側から入射し、光起電力素子201に到達し、生じた起
電力は出力端子(不図示)より外部に取り出される。
えば導電性基体上に、光変換部材としての半導体光活性
層が形成されたものである。その一例としての概略構成
図を図3に示す。図3に於いて301は導電性基体、3
02は裏面反射層、303は半導体光活性層、304は
透明導電層、305は集電電極、306a及び306b
は出力端子である。
になると同時に、下部電極の役割も果たす。材料として
は、シリコン、タンタル、モリブデン、タングステン、
ステンレス、アルミニウム、銅、チタン、又はそれらの
金属から選択された金属を含む合金、カーボンシート、
鉛メッキ鋼板、導電層が形成してある樹脂フィルムやセ
ラミックスなどが好適に用いられる。
302として、金属層、あるいは金属酸化物層、あるい
は金属層と金属酸化物層を形成しても良い。金属層に
は、例えば、Ti,Cr,Mo,W,Al,Ag,N
i,又はそれらの金属から選択された金属を含む合金な
どが好適に用いられ、金属酸化物層には、例えば、Zn
O,TiO2,SnO2などの導電性酸化物が好適に用い
られる。上記金属層及び金属酸化物層の形成方法として
は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリン
グ法等を用いることができる。
行う部分で、具体的な材料としては、pn接合型多結晶
シリコン、pin接合型アモルファスシリコンのような
非単結晶シリコン、あるいはCuInSe2,CuIn
S2,GaAs,CdS/Cu 2S,CdS/CdTe,
CdS/InP,CdTe/Cu2Teをはじめとする
化合物半導体などが挙げられる。上記半導体光活性層3
03の形成方法としては、多結晶シリコンの場合は溶融
シリコンのシー卜化、あるいは非晶質シリコンの熱処
理、アモルファスシリコンの場合はシランガスなどを原
料とするプラズマCVD、化合物半導体の場合はイオン
プレーティング、イオンビームデポジション、真空蒸着
法、スパッタ法、電析法などが好適な方法として用いら
れる。
部電極の役目を果たしている。好適に用いられる材料と
しては、例えば、In2O3,SnO2,In2O3−Sn
O2(ITO),ZnO,TiO2,Cd2SnO4、高濃
度不純物ドープした結晶性半導体層などがある。形成方
法としては抵抗加熱蒸着、スパッタ法、スプレー法、C
VD法、不純物拡散法等を好適に用いることができる。
光起電力素子は導電性基体の非平滑性及び/または半導
体光活性層成膜時の不均一性により導電性基体と透明導
電層が部分的に短絡している場合があり、出力電圧に比
例して大きな漏れ電流が流れる状態、すなわち漏れ抵抗
(シャント抵抗)が小さい状態にあることがある。そこ
で、これを修復するため透明導電層を形成した後に欠陥
除去処理を施すことは有効である。米国特許第4,72
9,970号明細書にはこのような欠陥除去についての
詳細が述べられている。上述の手法により、光起電力素
子のシャント抵抗を1kΩ・cm2以上500kΩ・c
m2以下とすることが望ましく、より望ましくは10k
Ω・cm2以上500kΩ・cm2以下とするのは好まし
い。
るために、スプライト状もしくは格子状の集電電極30
5(グリッド電極)を設けてもよい。集電電極305の
具体的な材料としては、例えば、Ti,Cr,Mo,
W,Al,Ag,Ni,Cu,Snなどの金属又はこれ
ら金属から選択された金属を含む合金、あるいは銀ペー
ストや導電性樹脂をはじめとする導電性ペースト等が挙
げられる。該集電電極305の形成方法としては、例え
ば、マスクパターンを用いたスパッタリング、抵抗加
熱、CVD法や、全面に金属膜を蒸着した後で不必要な
部分をエッチングで取り除きパターニングする方法、光
CVDにより直接グリッド電極パターンを形成する方
法、グリッド電極パターンのネガパターンのマスクを形
成した後にメッキする方法、導電性ペーストを印刷する
方法、印刷した導電性ペーストに金属ワイヤーを必要に
応じて半田付けを併用して固定する方法等がある。
銀、金、銅、ニッケル、カーボンなどの導電性粒子など
をバインダーポリマーに分散させたものが用いられる。
バインダーポリマーとしては、例えば、ポリエステル、
エポキシ、アクリル、アルキド、ポリビニルアセテー
ト、ゴム、ウレタン、フェノールなどの樹脂が挙げられ
る。
306a、306bを導電性基体301と集電電極30
5とに各々取り付ける。出力端子306bは導電性基体
301へ銅タブ等の金属体をスポット溶接や半田で接合
する方法が取られ、出力端子306aは集電電極305
へ金属体を導電性ペーストや半田307によって電気的
に接続する方法が取られる。
望する電圧あるいは電流に応じて直列か並列に接続され
る。また、絶縁化した基体上に光起電力素子を集積化し
て所望の電圧あるいは電流を得ることもできる。
の最表層に位置するため耐候性、撥水性、耐汚染性、機
械強度をはじめとして、太陽電池モジュールの屋外暴露
における長期信頼性を確保するための性能が必要であ
る。
材料としては四フッ化エチレン−エチレン共重合体(E
TFE)、ポリフッ化ビニル樹脂(PVF)、ポリフッ
化ビニリデン樹脂(PVDF)、ポリ四フッ化エチレン
樹脂(TFE)、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレ
ン共重合体(FEP)、ポリ三フッ化塩化エチレン樹脂
(CTFE)がある。耐候性の観点ではポリフッ化ビニ
リデン樹脂が優れているが、耐候性および機械的強度の
両立の点では四フッ化エチレン−エチレン共重合体が優
れている。
良のために、充填材と接する面側にコロナ処理、プラズ
マ処理などを行うことが望ましい。また、機械的強度向
上のために延伸処理が施してあるフィルムを用いること
は好ましい。さらに表面フィルムの外部側表面をSiO
X蒸着処理することでより優れた耐候性を付与すること
も可能である。
は光起電力素子を樹脂で被覆し、外部環境から素子を保
護するために必要である。また、表面フィルムがある場
合はフィルムを素子に接着する役割も果たす。したがっ
て、高透明性の他に、耐候性、接着性、耐熱性が要求さ
れる。
ましく、具体的には、エチレン−酢酸ビニル共重合体
(EVA)、エチレン−アクリル酸メチル共重合体(E
MA)、エチレン−アクリル酸エチル共重合体(EE
A)、エチレン−アクリル酸ブチル共重合体(EB
A)、エチレン−メタクリル酸メチル共重合体(EM
M)、エチレン−メタクリル酸エチル共重合体(EE
M)、ポリビニルブチラール(PVC)、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、またはアクリル樹脂などが好適な材
料として用いられる。これらの樹脂の中で、入手の容易
さと経済性の観点からみて好ましいのはEVAとEEA
である。
に高温下での使用では変形やクリープを起こすことがあ
る。そこで耐熱性や接着性を向上させるために架橋する
ことが好ましい。充填材を架橋する方法としては、一般
に、イソシアネート、メラミン、有機過酸化物などであ
る。
ライフが十分長いこと、架橋時の架橋反応が速やかなこ
とのほかに、充填材上に表面フィルムが積層されるた
め、架橋剤からの遊離物がないあるいは微量であること
が好ましい。
に、紫外線吸収剤や光酸化防止剤を添加することも可能
である。また、光起電力素子と充填材、充填材と表面フ
ィルム104との密着力が不十分である場合にはシラン
カップリング剤、チタネートカップリング剤を使用、併
用することによりその密着性の改善を計ることができ
る。
樹脂層)202について以下に詳しく説明する。
樹脂でコーティングし、外部環境から素子を充填材20
3とともに保護することはもちろんのこと光起電力素子
と外部との電気的絶縁を保つために設けられている。し
たがって、上述の充填材203同様、高透明性の他に、
耐候性、接着性、耐熱性が要求される。
脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂を主成分とする樹脂が用
いられている。より好ましくはアクリル樹脂と無機ポリ
マーが架橋された樹脂、アルコキシシラザンなどのシリ
コン系樹脂、フッ素樹脂等である。
橋剤としては、ポットライフが十分長いこと、架橋反応
が速やかで架橋剤からの遊離物がないか、あるいは微量
であることが好ましい。上記の要求を満たすものとして
はブロッキングイソシアネートである。
レンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート
(IPDI)、キシリレンジイソシアネート(XD
I)、1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキ
サン(H6XDI)、ヘキサメチレンジイソシアネート
(HDI)、テトラメチルキシリレンジイソシアネー
ト、m−イソプロペニル−α,αジメチルベンジルイソ
シアネート等があるが、優れた透明性が必要とされる用
途では難黄変型XDI、無黄変型(IPDI、H6XD
I、HDI)が好ましい。
ソシアネートプレポリマーとして用いられており、テト
ラメチレンプロパノール(TMP)のアダクト系、ビュ
レット系、イソシアヌレート系、アルファネイト系に大
別される。
TMPアダクト、イソシアヌレートを用いるのが好まし
い。
は、アセト酢酸エチル、メチルエチルケトン(MEK)
オキシムなどのオキシム類、εカプロラクタム等のラク
タム類、フェノール類、アルコール類などがあるが、塗
膜形成時や高温使用時での塗膜の黄変をなくすためには
εカプロラクタム、アルコールを用いるのが好ましい。
めに酸化防止剤が、樹脂分に対して0.05%〜1.0
%重量部添加されても良い。酸化防止剤の化学構造とし
てはモノフェノール系、ビスフェノール系、高分子型フ
ェノール系、硫黄系、燐酸系に大別される。モノフェノ
ール系では2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾ
ール、ブチル化ヒドロキシアニゾール、2,6−ジ−t
ert−ブチル−4−エチルフェノールがある。
−ビス−(4−メチル−6−tert−ブチルフェノー
ル)、2,2′−メチレン−ビス−(4−エチル−6−
tert−ブチルフェノール)、4,4′−チオビス−
(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、
4,4′−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−te
rt−ブチルフェノール)、3,9−ビス[1,1−ジ
メチル−2−{β−(3−tert−ブチル−4−ヒド
ロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシエチ
ル}2,4,8,10−テトラオキサスピロ]5−5ウ
ンデカンが挙げられる。
トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert
−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−
2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)べンゼン、テトラキス−{メ
チレン−3−(3′−5′−ジ−tert−ブチル−
4′−ヒドロキスフェニル)プロピオネート}メタン、
ビス{(3,3′−ビス−4′−ヒドロキシ−3′−t
ert−ブチルフェニル)ブチリックアシッド}グルコ
ールエステル、1,3,5−トリス(3′,5′−ジ−
tert−ブチル−4′−ヒドロキシベンジル)−s−
トリアジン−2,4,6−(1H,3H−5H)トリオ
ン、トリフェノール(ビタミンE)が知られている。
オネート、ジミリスチルチオジプロピオネート、ジステ
アリルチオプロピオネートなどがある。
フェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシ
ルホスファイト、4−4′−ブチリデン−ビス−(3−
メチル−6−tert−ブチルフェニル−ジ−トリデシ
ル)ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライ
ルビス(オクタデシルホスファイト)、トリス(モノお
よび/またはジ)フェニルホスファイト、ジイソデシル
ペンタエリスリトールジフォスファイト、9,10−ジ
ヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナンスレン−
10−オキサイド、10−(3,5−ジ−tert−ブ
チル−4−ヒドロキシベンジル)−9,10−ジヒドロ
−9−オキサ−10−ホスファフェナンスレン−10−
オキサイド、10−デシロキシ−9,10−ジヒドロ−
9−オキサ−10−ホスファフェナンスレン、サイクリ
ックネオペンタンテトライルビス(2,4−ジ−ter
t−ブチルフェニル)ホスファイト、サイクリックネオ
ペンタンテトライルビス(2,6−ジ−tert−メチ
ルフェニル)ホスファイト、2,2−メチレンビス
(4,6−tert−ブチルフェニル)オクチルホスフ
ァイトがある。上記酸化防止剤から少なくとも1種類以
上の添加することが望ましい。
めにシランカップリング剤を樹脂分に対して0.1〜1
0%重量分添加することも可能である。シランカップリ
ング剤の化学構造としてはγ−(2−アミノエチル)ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノエ
チル)アミノプロピルジメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラザン、γ−アリニノプロピルト
リメトキシシラン等が挙げられるが、好ましくは一般式
XSiY3(Xは反応性有機官能基、Yは加水分解性
基)で表される化合物、中でもエポキシ系のシランカッ
プリング剤、たとえばγ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシ
シラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチル
トリメトキシシラン、特に、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシランを添加することで接着性はもとより
耐熱性も向上するためより好ましい。
γ−グリシドキシプロピル基、ビニル基、メタクリル
基、メルカプト基、クロル基などが、加水分解性基Yと
してはメトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基など
が好ましい例として挙げられ、特にXとしてはγ−グリ
シドキシプロピル基が、Yとしてはメトキシ基が好まし
い。
な微粒子を添加してもよい。添加される微粒子として
は、酸化珪素以外にも酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタン、
酸化アルミニウムを添加することができる。
しくは1μm〜1000μm、より好ましくは5μm〜
100μmとするのが望ましい。
すぎると光起電力素子中に充分な光が到達しない場合が
あるので、好ましくは0.1wt%〜20wt%程度、
より好ましくは0.2wt%〜10wt%程度の量含有
される。
されることで変換効率を一層向上させることができると
ともに、透明薄膜層の硬度を増すことができ、より一層
保護層としての効果、たとえば耐候性を高めることがで
きる。
良いし、樹脂を塗布した後に散布しても良い。
201の導電性基体と外部との電気的絶縁を保つために
設けられている。材料としては、導電性基体と充分な電
気絶縁性を確保でき、しかも長期耐久性に優れ熱膨張、
熱収縮に耐えられる、柔軟性を兼ね備えた材料が好まし
い。好適に用いられるフィルムとしては、ナイロン、ポ
リエチレンテレフタレートが挙げられる。
205は光起電力素子201と裏面の被覆フィルム20
6との接着を図るためのものである。材料としては、導
電性基板と充分な接着性を確保でき、しかも長期耐久性
に優れ熱膨張、熱収縮に耐えられる、柔軟性を兼ね備え
た材料が好ましい。好適に用いられる材料としては、E
VA、ポリビニルブチラール等のホットメルト材、両面
テープ、柔軟性を有するエポキシ接着剤が挙げられる。
また、表面側の充填材202と同じ材料としてもよいの
はもちろんである。
合、例えば屋根材一体型などでは高温下での接着を確実
にするために、架橋することがより好ましい。EVAな
どの架橋法としては、有機過酸化物を用いる方法が一般
的である。
モジュールの機械的強度を増すために、あるいは、温度
変化による歪、ソリを防止するために、補強板を張り付
けても良い。例えば、鋼板、プラスチック板、FRP
(ガラス繊維強化プラスチック)板が好ましい。
ールで光起電力素子に到達する光量の減少をなるべく抑
えるために、透明薄膜層202、透明充填材203、表
面透明フィルム204を積層した表面被覆の光透過率
は、400nm以上800nm以下の可視光波長領域に
おいて80%以上であることが望ましく、90%以上で
あることがより望ましい。また、大気からの光の入射を
容易にするために、屈折率が1.1から2.0であるこ
とが好ましく、1.1から1.6であることがより好ま
しい。
填材樹脂、表面フィルム、裏面被覆材を用いて太陽電池
モジュールとする方法を次に説明する。
薄膜樹脂をコーティングする方法としては光起電力素子
を浸け込む方法、エアースプレーにて霧状にして塗布す
る方法、エアレススプレーにて液状で塗布する方法等が
挙げられ、いずれの場合も溶剤を蒸発させながら、また
は蒸発させてから樹脂を架橋する。または、粉体状の樹
脂を素子表面に均一に静電吸着後加熱し架橋させる方法
を用いてもよい。
被覆するには、溶剤に溶かした充填材を塗布した後溶剤
を蒸発させる方法、粉体状の充填材を素子表面に均一に
付着させ加熱溶融する方法、加熱溶融させた充填材をス
リットから素子上に押し出す方法、加熱溶融させた充填
材をスリットから押し出し充填材のシートを作製しこれ
を素子上に加熱圧着する方法などが挙げられる。
ンカップリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の種々
の添加剤を混合しておく。これを素子に塗布して乾燥す
る。また粉体状充填材を溶融する場合や充填材を溶融さ
せて押し出す場合も予め添加剤を混入しておく必要があ
る。
は裏面に裏面充填材204、裏面披覆フィルム205
を、表面に表面フィルム203を重ね加熱圧着すること
により太陽電池モジュールを得る。補強板を設けるとき
は接着剤を介して裏面被覆フィルムに重ねて圧着すれば
良く、これは前記工程と同時行っても、工程後に行って
も構わない。
場合は、素子と表面フィルムの間に挿入して同様に加熱
圧着して太陽電池モジュールとすることができる。
ョン、ロールラミネーションなどを種々選択して用いる
ことができる。
るが、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるもの
ではない。
陽電池(光起電力素子)を製作する。作製手順を図3を
用いて説明する。
ッタ法で裏面反射層302としてAl層(膜厚500n
m)とZnO層(膜厚500nm)を順次形成する。つ
いで、プラズマCVD法により、SiH4とPH3とH2
の混合ガスからn型a−Si層を、SiH4とH2の混合
ガスからi型a−Si層を、SiH4とBF3とH2の混
合ガスからp型微結晶μc−Si層を形成し、基板30
1側から順にn層膜厚15nm/i層膜厚400nm/
p層膜厚10nm/n層膜厚10nm/i層膜厚80n
m/p層膜厚10nmの層構成(nipnip)のタン
デム型a−Si光電変換半導体層303を形成した。次
に、透明導電層304としてIn2O3薄膜(膜厚70n
m)を、O2雰囲気下でInを抵抗加熱法で蒸着するこ
とによって形成した。
う。すなわち、電導度が50乃至70mSとなるように
調整した塩化アルミニウムの水溶液中に、光起電力素子
と、素子の透明導電層とが対向するように電極板を浸漬
し、素子をアースとして電極板に3.5ボルトの正電位
を2秒間印加することによりシャントしている部分の透
明導電層を選択的に分解した。この処理により、光起電
力素子のシャント抵抗は処理前1kΩ・cm2乃至10
kΩ・cm2であったのに対し、処理後50kΩ・cm2
乃至200kΩ・cm2に改善された。
ける。スクリーン印刷により形成された幅200μmの
銅ペーストのライン上に沿って直径100μmの銅線を
布線し、その上にクリーム半田をのせた後、半田を溶融
させることにより銅線を銅ペースト上に固定し集電電極
とした。マイナス側端子として銅タブをステンレス基板
にステンレス半田を用いて取り付け、プラス側端子とし
ては錫箔のテープを半田にて集電電極に取り付け出力端
子306a、306bとし、光起電力素子を得た。
4を用いて説明する。 〔被覆材〕透明薄膜樹脂層402としては、アクリル樹
脂、無機ポリマーとεカプロラクタムでブロックされた
へキサメチレンジイソシアネートの混合樹脂100重量
部に、シランカップリング剤としてγ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン2.8重量部添加したもの
をフィルムコートにより光起電力装置受光面に塗布し、
加熱により溶剤を蒸発させ、樹脂を架橋させる。
としては、EVA100重量部に対して、架橋剤として
2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)ヘキサン3重量部、シランカップリング剤としてγ
−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン1.0
重量部、紫外線吸収剤として2−ヒドロキシ−4−n−
オクトキシベンゾフェノン0.3重量部、光安定化剤と
してビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリ
ジル)セバケート0.1重量部、酸化防止剤としてトリ
ス(モノ−ノニルフェニル)フォスファイト0.2重量
部を、それぞれ添加したものを加熱溶融させ、Tダイの
スリットから押し出して成形した厚さ460μmのシー
ト状EVA(以下、EVAシート)を用いた。
な有機高分子樹脂層との接着面をコロナ放電処理したE
TFEフィルム(一軸延伸、厚さ38μm)を、裏面被
覆材405としてはアルミラミネートテドラーフィルム
を、補強板406としてはガルバリウム鋼板(亜鉛メッ
キ鋼板、厚さ0.3mm)を用いた。
ィングされた光起電力素子401を図4の構成でラミネ
ートした。すなわち、光起電力素子受光面の透明薄膜層
に上記EVAシートと表面フィルムを、裏側にEVAシ
ートとアルミラミネートテドラーフィルムと補強板を重
ね、真空ラミネート装置を用いて加圧脱気しながら15
0℃で30分加熱した。 以上の工程により、本発明を実施した太陽電池モジュー
ルを得た。
層の架橋に用いられるイソシアネートモノマーを1,3
−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサンにした以
外は全く同様にして太陽電池モジュールを作製した。
EVAのかわりにEEAを用いた以外は全く同様にして
太陽電池モジュールを作製した。
ップリング剤としてγ−(2−アミノエチル)アミノプ
ロピルトリメトキシシランを透明薄膜樹脂層に用いた以
外は全く同様にして太陽電池モジュールを得た。
ップリング剤としてγ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシランを薄膜樹脂層に用いた以外は全く同様にし
て太陽電池モジュールを得た。
ネートのブロック体にMEKオキシムを用いた以外は全
く同様にして太陽電池モジュールを得た。
ップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシランを透明薄膜樹脂層に用いた以外は全く同様に
して太陽電池モジュールを得た。
10μmの酸化珪素を5wt%薄膜樹脂層に用いた以外
は同様にして、太陽電池モジュールを得た。
ップリング剤を透明薄膜樹脂層に添加しない以外は全く
同様にして太陽電池モジュールを得た。
層を使用せず薄膜樹脂層のかわりにEVA460μmを
用いた以外は全く同様にして太陽電池モジュールを得
た。
層を用いない以外は全く同様にして太陽電池モジュール
を得た。
した太陽電池モジュールについて以下の項目について評
価を行った。
置し、太陽電池モジュールの表面被覆材側に760±2
8℃のガスバーナー炎を10分間当てる。○:炎の広が
りがサンプル先端から6フィートを越えない場合、×:
炎の広がりがサンプル先端から6フィートを越える場
合。
に15時間放置し、波長400nmの光透過率の変化を
観察した。○:黄変しない(透過率の低下10%未
満)、×:黄変する(透過率の低下10%以上)。
透明薄膜樹脂層と透明電極層の密着力を評価した。即
ち、○:全く剥離が見られなかった場合、×:剥離が見
られる場合。
囲気温度85度、湿度85%/時間からなる試験サイク
ルを20回繰り返した後、当該太陽電池モジュールの外
観を目視により評価した。試験結果は、以下の評価基準
で表1に示す。即ち、◎:外観の変化の全くない場合、
○:外観の変化が多少あるが実用上さしつかえない場
合、×:外観上、信頼性を大きく損なう剥離、亀裂、着
色が見られる場合。
投入し、光照射及び降雨サイクルにより5000時間施
す加速耐候性試験を行ない、該太陽電池モジュールの外
観上の変化を評価した。外観上の変化の評価は目視で行
ない、評価結果は以下の評価基準で示した。即ち、◎:
外観に全く変化のない場合、○:外観上に多少の変化は
見られるが実用上採用に値する程度である場合、×:剥
離、亀裂、着色等が見られ採用に値しない場合。
た。短絡端子と補強材間にDC電圧(ハイポットテスタ
ー)を接続し2200Vを印加したときの漏れ電流を測
定し、その電流値が50μAを越えたものを不合格とし
た。表1に合格は○、不合格は×で示した。
ジュール表面の最も凹の部分に2ポンド、5ポンド加重
で1分間静止した後に引っ掻き、引っ掻き後のモジュー
ルを伝導度3000Ω・cmの電解質溶液に浸して、素
子と溶液との間に2200Vの電圧を印加したときの漏
れ電流によって表面被覆材の電気絶縁性を評価した。漏
れ電流が50μAを越えた場合を不合格とした。表には
6ポンド合格を○、2ポンド合格を△、不合格を×で示
した。
ルの受光面側、602は金属部材で厚さtを1mmとし
た。耐スクラッチ試験は矢印Fの方向に加重した状態で
矢印Pの方向に金属部材602を移動して行った。以上
の評価結果を表1に示す。
ング剤を含有した透明薄膜樹脂層を導入し、EVAの含
有量を削減することで、高温下での使用時の透明電極や
上に積層された透明有機樹脂層との密着性を向上するこ
とはもちろんのこと、表面被覆材の黄変を抑制する効果
がみられた。とくにシランカップリング剤の中でもエポ
キシ系のシランカップリング剤を用いることで優れた結
果が得られる。表面披覆材の黄変は、EVAが酸化劣化
時に酢酸を遊離し、この遊離酢酸により薄膜樹脂層に残
存するεカプロラクタムと反応し黄変すると予想され
る。エポキシ系シランカップリング剤を添加すること
で、発生した酸を捕捉することができ、黄変をさらに抑
制できる。
合でも、EEAの酸化分解反応では酸の発生が起こらな
いため、表面披覆材の黄変は抑制される。しかし、ME
Kオキシムでは、エポキシ系シランカップリング剤の黄
変抑制効果は見られるものの、塗膜を加熱形成中にME
Kオキシムが分解し反応性の高い窒素化合物を生成する
ため、εカプロラクタム使用した場合よりも黄変しやす
く、長期間使用においては黄変することもある。
温度変化に対する耐久性、耐候性試験等の環境試験にお
いても、基板または上に積層された有機樹脂層とも剥離
するなどの外観上の変化も見られない。また、電気絶縁
性も初期状態はもちろんのこと、種々の試験後において
も充分に外部との絶縁性を保つことでき、長期間安全に
使用できる太陽電池モジュールとすることができる。
も光入射側表面が透明樹脂層と一層以上の透明な有機高
分子樹脂層とで封止されている太陽電池モジュールのよ
うな半導体装置に於いて、前記透明樹脂層にシランカッ
プリング剤、特に一般式XSiY3(Xは反応性有機官
能基、Yは加水分解性基)で表される化合物を添加する
ことにより、直射日光照射時のように太陽電池モジュー
ルが高温になる際の表面被覆材の変形・剥離を抑える、
耐熱性に優れた被覆を提供できるのはもちろんのこと、
太陽電池被覆材の黄変による太陽電池特性の低下を抑制
できる、耐熱性に優れた被覆材を提供できる。
の構成例を説明するための概略的断面構造図である。
の構成例を説明するための概略的断面構造図である。
に適用可能な光起電力素子の構成の一例を説明するため
の概略的断面構造図である。
の構成例を説明するための概略的断面構造図である。
す概略図である。
Claims (45)
- 【請求項1】 透明樹脂層の半導体素子用の保護材は少
なくともシランカップリング剤を含む樹脂から形成され
ている半導体素子用保護材。 - 【請求項2】 前記シランカップリング剤は一般式XS
iY3(Xは反応性有機官能基、Yは加水分解性基)で
表される化合物を含む請求項1記載の半導体素子用保護
材。 - 【請求項3】 前記シランカップリング剤はエポキシ系
シランカップリング剤を含む請求項1又は2記載の半導
体素子用保護材。 - 【請求項4】 前記保護材はイソシアネートにより架橋
されている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導
体素子用保護材。 - 【請求項5】 前記保護材はアクリル樹脂を含む請求項
1乃至4のいずれか1項に記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項6】 前記保護材はアクリル樹脂を主成分とす
る請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体素子用
保護材。 - 【請求項7】 前記保護材はアクリル樹脂と無機ポリマ
ーとを架橋して形成された樹脂を有する請求項1乃至6
のいずれか1項に記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項8】 前記保護材はアクリル樹脂と無機ポリマ
ーとを架橋して形成された樹脂を主成分とする請求項1
乃至7のいずれか1項に記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項9】 前記イソシアネートモノマー体がヘキサ
メチレンジイソシアネート、1,3−ビス(イソシアナ
トメチル)シクロヘキサンの少なくともいずれかを含む
請求項4乃至8のいずれか1項に記載の半導体素子用保
護材。 - 【請求項10】 前記イソシアネートのイソシアネート
基がεカプロラクタムによりマスクされている請求項4
乃至9のいずれか1項に記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項11】 前記エポキシ系シランカップリング剤
はγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−(3,
4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
の少なくともいずれか1つを有する請求項3乃至10の
いずれか1項に記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項12】 前記半導体素子は光電変換素子である
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体素子用
保護材。 - 【請求項13】 前記光電変換素子は太陽電池である請
求項12記載の半導体素子用保護材。 - 【請求項14】 透明樹脂層を有する保護材を有する半
導体素子であって、該透明樹脂層は少なくともシランカ
ップリング剤を含む樹脂から形成されている半導体素
子。 - 【請求項15】 前記シランカップリング剤は一般式X
SiY3(Xは反応性有機官能基、Yは加水分解性基)
で表される化合物を含む請求項14記載の半導体素子。 - 【請求項16】 前記シランカップリング剤はエポキシ
系シランカップリング剤を含む請求項14又は15記載
の半導体素子。 - 【請求項17】 前記透明樹脂層ははイソシアネートに
より架橋されている請求項14乃至16のいずれか1項
に記載の半導体素子。 - 【請求項18】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂を含む
請求項14乃至17のいずれか1項に記載の半導体素
子。 - 【請求項19】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂を主成
分とする請求項14乃至18のいずれか1項に記載の半
導体素子。 - 【請求項20】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂と無機
ポリマーとを架橋して形成された樹脂を有する請求項1
4乃至19のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 【請求項21】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂と無機
ポリマーとを架橋して形成された樹脂を主成分とする請
求項14乃至20のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 【請求項22】 前記イソシアネートモノマー体がヘキ
サメチレンジイソシアネート、1,3−ビス(イソシア
ナトメチル)シクロヘキサンの少なくともいずれかを含
む請求項17乃至21のいずれか1項に記載の半導体素
子。 - 【請求項23】 前記イソシアネートのイソシアネート
基がεカプロラクタムによりマスクされている請求項1
7乃至22のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 【請求項24】 前記エポキシ系シランカップリング剤
はγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−(3,
4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
の少なくともいずれか1つを有する請求項16乃至23
のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 【請求項25】 前記半導体素子は光電変換素子である
請求項14乃至24のいずれか1項に記載の半導体素
子。 - 【請求項26】 前記光電変換素子は太陽電池である請
求項25記載の半導体素子。 - 【請求項27】 透明樹脂層と少なくとも該透明樹脂層
上に設けられた透明な有機樹脂層を有する保護材を有す
る半導体装置であって、該透明樹脂層は少なくともシラ
ンカップリング剤を含む樹脂から形成されている半導体
装置。 - 【請求項28】 前記シランカップリング剤は一般式X
SiY3(Xは反応性有機官能基、Yは加水分解性基)
で表される化合物を含む請求項27記載の半導体装置。 - 【請求項29】 前記シランカップリング剤はエポキシ
系シランカップリング剤を含む請求項27又は28記載
の半導体装置。 - 【請求項30】 前記透明樹脂層はイソシアネートによ
り架橋されている請求項27乃至29のいずれか1項に
記載の半導体装置。 - 【請求項31】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂を含む
請求項27乃至30のいずれか1項に記載の半導体装
置。 - 【請求項32】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂を主成
分とする請求項27乃至31のいずれか1項に記載の半
導体装置。 - 【請求項33】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂と無機
ポリマーとを架橋して形成された樹脂を有する請求項2
7乃至32のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項34】 前記透明樹脂層はアクリル樹脂と無機
ポリマーとを架橋して形成された樹脂を主成分とする請
求項27乃至33のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項35】 前記イソシアネートモノマー体がヘキ
サメチレンジイソシアネート、1,3−ビス(イソシア
ナトメチル)シクロヘキサンの少なくともいずれかを含
む請求項30乃至34のいずれか1項に記載の半導体装
置。 - 【請求項36】 前記イソシアネートのイソシアネート
基がεカプロラクタムによりマスクされている請求項3
0乃至35のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項37】 前記エポキシ系シランカップリング剤
はγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−(3,
4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
の少なくともいずれか1つを有する請求項29乃至36
のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項38】 前記有機樹脂層が熱可塑性のポリオレ
フィン樹脂から選択される樹脂である請求項27乃至3
7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項39】 前記有機樹脂層がエチレン−酢酸ビニ
ール共重合体(EVA)乃至エチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体(EEA)から選択される樹脂である請求項
27乃至38のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項40】 前記一般式XSiY3で表されるXが
グリシドキシプロピニル基、Yがアルコキシ基である請
求項28乃至39のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項41】 前記透明樹脂層がフィルムコートによ
り形成されたものである請求項27乃至40のいずれか
1項に記載の半導体装置。 - 【請求項42】 第一の電極としての導電性基体上に光
変換部材としての半導体光活性層、第二の電極としての
透明導電層が形成された半導体素子を有する請求項27
乃至41のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 【請求項43】 前記半導体光活性層が非単結晶半導体
薄膜である請求項42に記載の半導体装置。 - 【請求項44】 前記非単結晶半導体薄膜がアモルファ
スシリコンである請求項43に記載の半導体装置。 - 【請求項45】 前記半導体装置は太陽電池モジュール
である請求項27乃至44のいずれか1項に記載の半導
体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18104996A JP3387741B2 (ja) | 1995-07-19 | 1996-07-10 | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 |
US08/680,799 US6130379A (en) | 1995-07-19 | 1996-07-16 | Protective material for a semiconductor element, a semiconductor element provided with said protective material, and a semiconductor device provided with said semiconductor element |
EP96111601A EP0755079B1 (en) | 1995-07-19 | 1996-07-18 | A protective material for a semiconductor element, a semiconductor element provided with said protective material, and a semiconductor device provided with said semiconductor element |
ES96111601T ES2320937T3 (es) | 1995-07-19 | 1996-07-18 | Material protector para elemento semiconductor,elemento semiconductor dotado de dicho material conductor y dispositivo semiconductor dotado de dicho elemento semiconductor. |
DE69637889T DE69637889D1 (de) | 1995-07-19 | 1996-07-18 | Schutzmaterial für ein Halbleiterbauelement, mit solchem Schutzmaterial versehenes Halbleiterbauelement und Halbleitervorrichtung mit diesem Halbleiterbauelement |
CN96112256A CN1095865C (zh) | 1995-07-19 | 1996-07-19 | 用于半导体元件的保护材料、设有该保护材料的半导体元件和设有该半导体元件的半导体器件 |
KR1019960029283A KR100210277B1 (ko) | 1995-07-19 | 1996-07-19 | 반도체 소자용 보호 물질, 그 보호 물질이 제공된반도체 소자 및 그 반도체 소자가 제공된 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18295495 | 1995-07-19 | ||
JP7-182954 | 1995-07-19 | ||
JP18104996A JP3387741B2 (ja) | 1995-07-19 | 1996-07-10 | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992759A true JPH0992759A (ja) | 1997-04-04 |
JP3387741B2 JP3387741B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=26500372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18104996A Expired - Fee Related JP3387741B2 (ja) | 1995-07-19 | 1996-07-10 | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6130379A (ja) |
EP (1) | EP0755079B1 (ja) |
JP (1) | JP3387741B2 (ja) |
KR (1) | KR100210277B1 (ja) |
CN (1) | CN1095865C (ja) |
DE (1) | DE69637889D1 (ja) |
ES (1) | ES2320937T3 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068703A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Canon Inc | 太陽電池モジュール並びに該太陽電池モジュールを用いた建材および太陽光発電装置 |
WO2007094445A1 (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co. Ltd. | 太陽電池封止材 |
JP2007294869A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
WO2009110511A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
US7687708B2 (en) | 2003-01-23 | 2010-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic cell having a coating film provided on a photovoltaic element and manufacturing method thereof |
WO2010113934A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 植毛用水分散型樹脂組成物 |
JP2011192694A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Bridgestone Corp | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
WO2012066923A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池封止材及びそれを用いた太陽電池モジュール |
JP2013189637A (ja) * | 2009-03-30 | 2013-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 補強膜用組成物 |
JP5469087B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2014-04-09 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
JP2015233126A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-24 | インテル・コーポレーション | フレキシブルなマイクロ電子システム、および、フレキシブルなマイクロ電子システムを製造する方法 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162705A (en) * | 1997-05-12 | 2000-12-19 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing |
JPH11289103A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-10-19 | Canon Inc | 半導体装置および太陽電池モジュ―ル及びその解体方法 |
EP0948004A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-06 | Akzo Nobel N.V. | Method for making a photovoltaic cell containing a dye |
EP1059676A3 (de) * | 1999-06-11 | 2004-06-16 | Fabrisolar AG | Verfahren zum Reinigen, Schutzbehandeln und Feinbeschichten von Solarpanels, Verwendung einer Behandlungssubstanz hierfür, sowie schutzbehandelte und feinbeschichtete Solarpanels. |
JP2003037281A (ja) * | 2001-05-17 | 2003-02-07 | Canon Inc | 被覆材及び光起電力素子 |
KR20050047755A (ko) * | 2003-11-18 | 2005-05-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
US7256436B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-film field-effect transistors and making method |
US8674211B1 (en) * | 2005-04-07 | 2014-03-18 | S. Jane Palmer | Solar charging handbag |
CN102544149B (zh) * | 2005-11-30 | 2016-07-20 | 大金工业株式会社 | 太阳能电池以及太阳能电池的保护罩用层积膜 |
US20080264411A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Beranek Gerald D | Solar Collector with Hydrophilic Photocatalytic Coated Protective Pane |
US20080264471A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Richard Allen Hayes | Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers |
US20080299873A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Daikin Industries, Ltd. | CMP apparatus |
DE102008045997A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Bluenergy Ag | Verkapselte Solarzelle |
CN101868910B (zh) * | 2007-11-21 | 2013-06-19 | 阿科玛股份有限公司 | 使用基于pvdf的柔性上光薄膜的光伏打模块 |
ITBO20080693A1 (it) * | 2008-11-14 | 2010-05-15 | Cpower S R L | Rivestimento per celle fotovoltaiche |
ITTV20090109A1 (it) * | 2009-05-26 | 2010-11-27 | Adriano Torresan | Struttura di pannello fotovoltaico. |
JPWO2010140608A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-22 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
DE102009026026A1 (de) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Malibu Gmbh & Co. Kg | Photovoltaikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101265171B1 (ko) * | 2009-07-15 | 2013-05-27 | 니혼 하츠쵸 가부시키가이샤 | 태양 전지용 이면 보호 시트 및 그 제조 방법 |
US8188363B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-05-29 | Sunpower Corporation | Module level solutions to solar cell polarization |
DE102009047906A1 (de) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Bayer Materialscience Ag | Herstellung von Solarmodulen |
KR101054394B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 나노결정을 이용한 태양전지 모듈 |
FR2958081B1 (fr) * | 2010-03-23 | 2012-04-27 | Polyrise | Dispositifs photovoltaiques comportant une couche anti-reflet a base d'objets disperses presentant des domaines d'indices de refraction distincts |
CN102280512A (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-14 | 南通美能得太阳能电力科技有限公司 | 一种具有高转换效率的太阳能电池组件 |
EP2405489B1 (en) * | 2010-07-09 | 2019-04-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | High-efficiency solar cell and method for its production |
JP2012119434A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
IT1404371B1 (it) * | 2010-12-30 | 2013-11-22 | Costruire Insieme S R L | Pannello fotovoltaico, in vetro strutturale di sicurezza, per la copertura di serre destinate alle coltivazioni agricole |
CN102157582A (zh) * | 2011-01-20 | 2011-08-17 | 山东舜亦新能源有限公司 | 一种组件生产过程中的封装工艺 |
EP2682443A1 (en) * | 2011-03-03 | 2014-01-08 | Asahi Glass Company, Limited | Adhesive composition, laminated body, and solar battery module |
KR101265929B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-20 | 류한희 | 태양전지의 상부 표면 처리 방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 |
FR2990060B1 (fr) * | 2012-04-25 | 2015-02-27 | Commissariat Energie Atomique | Module solaire photovoltaique a architecture specifique |
CN102779904B (zh) * | 2012-08-17 | 2016-01-20 | 常州天合光能有限公司 | 防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法 |
US9812590B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-11-07 | Sunpower Corporation | Bifacial solar cell module with backside reflector |
US9035172B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-05-19 | Sunpower Corporation | Crack resistant solar cell modules |
US8796061B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-05 | Sunpower Corporation | Module assembly for thin solar cells |
US9685571B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-06-20 | Sunpower Corporation | Solar cell module with high electric susceptibility layer |
JP2016036023A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 住友化学株式会社 | 太陽電池用封止シート |
CN111524988A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-11 | 苏州福斯特光伏材料有限公司 | 一种局部阻水型太阳能电池板及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729970A (en) * | 1986-09-15 | 1988-03-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices |
US4953577A (en) * | 1989-07-06 | 1990-09-04 | Solarex Corporation | Spray encapsulation of photovoltaic modules |
JP2938634B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
EP0562517B1 (en) * | 1992-03-23 | 1997-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell with a polymer protective layer |
JP3057671B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2000-07-04 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
EP0631328B1 (en) * | 1993-06-24 | 1998-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having heat-fused portion to improve moisture resistance |
JP3170105B2 (ja) * | 1993-07-01 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP3267452B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2002-03-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び太陽電池モジュール |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP18104996A patent/JP3387741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-16 US US08/680,799 patent/US6130379A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-18 EP EP96111601A patent/EP0755079B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-18 ES ES96111601T patent/ES2320937T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-18 DE DE69637889T patent/DE69637889D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-19 KR KR1019960029283A patent/KR100210277B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-19 CN CN96112256A patent/CN1095865C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068703A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Canon Inc | 太陽電池モジュール並びに該太陽電池モジュールを用いた建材および太陽光発電装置 |
US7687708B2 (en) | 2003-01-23 | 2010-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic cell having a coating film provided on a photovoltaic element and manufacturing method thereof |
WO2007094445A1 (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co. Ltd. | 太陽電池封止材 |
JP2007294869A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
KR101255423B1 (ko) * | 2008-03-05 | 2013-04-17 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 태양 전지용 밀봉막 및 이것을 사용한 태양 전지 |
WO2009110511A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
US9112081B2 (en) | 2008-03-05 | 2015-08-18 | Bridgestone Corporation | Sealing film for solar cell and solar cell obtained by use of the sealing film |
US8791182B2 (en) | 2008-11-12 | 2014-07-29 | Bridgestone Corporation | Solar cell sealing film and solar cell using the sealing film |
JP5469087B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2014-04-09 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
US9368663B2 (en) | 2008-11-12 | 2016-06-14 | Bridgestone Corporation | Solar cell sealing film and solar cell using the sealing film |
JP2013189637A (ja) * | 2009-03-30 | 2013-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 補強膜用組成物 |
JP2010235762A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Henkel Japan Ltd | 植毛用水分散型樹脂組成物 |
WO2010113934A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 植毛用水分散型樹脂組成物 |
JP2011192694A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Bridgestone Corp | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
WO2012066923A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池封止材及びそれを用いた太陽電池モジュール |
JP2015233126A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-24 | インテル・コーポレーション | フレキシブルなマイクロ電子システム、および、フレキシブルなマイクロ電子システムを製造する方法 |
US10103037B2 (en) | 2014-05-09 | 2018-10-16 | Intel Corporation | Flexible microelectronic systems and methods of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0755079A3 (en) | 1999-03-10 |
EP0755079A2 (en) | 1997-01-22 |
KR100210277B1 (ko) | 1999-07-15 |
CN1158880A (zh) | 1997-09-10 |
JP3387741B2 (ja) | 2003-03-17 |
CN1095865C (zh) | 2002-12-11 |
DE69637889D1 (de) | 2009-05-14 |
EP0755079B1 (en) | 2009-04-01 |
KR980009402A (ko) | 1998-04-30 |
ES2320937T3 (es) | 2009-05-29 |
US6130379A (en) | 2000-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3387741B2 (ja) | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 | |
US6191353B1 (en) | Solar cell module having a specific surface side cover excelling in moisture resistance and transparency | |
JP3057671B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
US5389159A (en) | Solar cell module and method for producing the same | |
US6323416B1 (en) | Solar cell module | |
EP0641030B1 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module each having a protective member comprised of fluorine-containing polymer resin | |
KR100325955B1 (ko) | 태양전지모듈및태양전지모듈용보강부재 | |
US5660646A (en) | Solar battery module | |
KR100350594B1 (ko) | 태양전지모듈 | |
JP3222361B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール | |
JPH06334207A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2001332750A (ja) | 太陽電池封止用組成物およびそれを用いた太陽電池モジュール、建材一体型太陽電池モジュール | |
KR19980070676A (ko) | 광기전력 소자 | |
JPH07297439A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH10209473A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2001332751A (ja) | 太陽電池封止用組成物およびそれを用いた太陽電池モジュール | |
JPH1187744A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
JPH09199740A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH1056191A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH10233519A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH0936396A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH11177110A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JPH1027920A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JPH1187755A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JPH0955525A (ja) | 太陽電池モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140110 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |