JP5889821B2 - 金属シリサイド層の製造方法 - Google Patents
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Description
前記金属層と前記シリコン層を化学反応させることにより、前記不純物を含む金属シリサイド層を形成する工程とを具備し、
前記金属シリサイド層の厚さ及び組成は、前記金属層内の前記不純物の量又は結合状態により制御される。
Si層と金属層の化合物(金属シリサイド層)は、Si層上に金属層を積層した後、例えば、アニールによりSi層と金属層の界面を加熱することで得られる(シリサイド化)。
図1は、金属シリサイド層の製造装置を示す図である。
本例は、金属と不純物が、同一の配管(同一の供給源)から供給される例である。
本例は、金属と不純物が、それぞれ異なる配管(異なる供給源)からチャンバー14内に供給される例である。ただし、金属は不純物を含んでいても良い。その他の点は、第1の実施例と同じなので、詳細な説明を省略する。
本例は、金属層を形成中に、Siと金属が反応することを防ぐ目的で、ウエハーの温度を設定する例である。その他の点は、第1及び第2の実施例と同じなので、詳細な説明を省略する。
上述の第1乃至第3の実施例は、気相成長時の条件(反応ガスの供給方法、温度など)に関する。これに対し、第4の実施例では、このような気相成長の条件を変えることにより、金属層内の不純物量を変えたときに、金属層内の不純物量と金属シリサイド層の厚さ及び組成がどのような関係を有するかを示すものである。
以上、第1乃至第4の実施例によれば、金属シリサイド層の厚さ及び組成は、シリサイド化前の金属層内の不純物の量又は結合状態を変化させることで、制御できる。
上述の実施例をFET(Field Effect Transistor)の製造に適用した場合を説明する。
まず、図4に示すように、Si基板21上にゲート酸化膜22を形成する。また、ゲート酸化膜22上にゲート電極(ポリシリコン)23、さらに、ゲート電極23の側壁上にサイドウォール24を形成する。そして、ゲート電極23及びサイドウォール24をマスクにして、イオン注入を行うことにより、Si基板21の表面領域にソース/ドレイン領域25を形成する。
まず、図8に示すように、Si基板31上に、第1の絶縁層32、電荷蓄積層33、第2の絶縁層34、及び、制御ゲート電極(ポリシリコン層)35を、形成する。そして、このゲート積層構造をマスクにして、イオン注入を行うことにより、Si基板31の表面領域に、ソース/ドレイン領域36を形成する。
実施形態によれば、金属層に添加する窒素、或いは炭素などの不純物の量を調整することで、金属シリサイド層の厚さ及び組成を制御することができる。複雑な製造工程が無いので、高い耐熱性を有する金属シリサイド層を形成する工程、及び、パターン上に薄いシリサイド層を形成する工程など、デバイスの工程によって金属シリサイド層の特性を変えることが可能である。
Claims (8)
- 金属を含むガス及び窒素を含むガスを用いたCVD法により、シリコン層上に前記窒素を含む金属層を形成する工程と、
前記金属層と前記シリコン層を化学反応させることにより、前記窒素を含む金属シリサイド層を形成する工程とを具備し、
前記金属シリサイド層の厚さ及び組成は、前記金属層内の前記窒素の量又は結合状態により制御される
ことを特徴とする金属シリサイド層の製造方法。 - 前記金属層内の前記窒素の量を5atomic%以下にすることにより、前記金属シリサイド層をモノシリサイドにすることを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記金属層内の前記窒素の量を6atomic%以上にすることにより、前記金属シリサイド層をシリコンリッチにすることを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記金属層内の前記窒素の量を10atomic%以上にすることにより、前記金属シリサイド層の厚さを15nm以下にすることを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記シリコン層は、FETのソース/ドレイン領域及びゲート電極のうちの1つである請求項1乃至4のいずれか1項に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記窒素を含むガスは、NH3ガスであることを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記CVD法は、H2ガスをさらに用いることを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
- 前記CVD法において、ウエハー温度を350℃以下に設定することを特徴とする請求項1に記載の金属シリサイド層の製造方法。
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