JPH0382017A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0382017A JPH0382017A JP21896389A JP21896389A JPH0382017A JP H0382017 A JPH0382017 A JP H0382017A JP 21896389 A JP21896389 A JP 21896389A JP 21896389 A JP21896389 A JP 21896389A JP H0382017 A JPH0382017 A JP H0382017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に減圧気相成
長装置に関する。
長装置に関する。
従来、半導体装置の製造工程で用いられる減圧気相成長
装置では、大気圧以下０．０５Ｔｏｒｒ以上の減圧下、
１００〜１０００℃の温度で熱的、光化学的あるいはグ
ロー放電によりガスに反応エネルギーを与えて半導体基
板上に膜を成長させていた。膜成長の後にエリプソメト
リ法等で膜厚、膜質の評価を行い、そのデータを次バッ
チにフィードバックしていた。
装置では、大気圧以下０．０５Ｔｏｒｒ以上の減圧下、
１００〜１０００℃の温度で熱的、光化学的あるいはグ
ロー放電によりガスに反応エネルギーを与えて半導体基
板上に膜を成長させていた。膜成長の後にエリプソメト
リ法等で膜厚、膜質の評価を行い、そのデータを次バッ
チにフィードバックしていた。
上述した従来の装置では、膜の成長後に膜厚。
膜質の評価を行うため、膜の成長中に成長条件の制御が
できないため、そのこεが膜質に影響を亙え、均一な膜
質、膜厚の膜を再現性良く形成できないという欠点があ
る。
できないため、そのこεが膜質に影響を亙え、均一な膜
質、膜厚の膜を再現性良く形成できないという欠点があ
る。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板を収容し
かつ反応ガスを導入する石英容器と、前記石英容器を加
熱するための熱源と、前記半導体基板上に形成される膜
の厚さを測定するための工リプソメータと、前記エリプ
ソメータからの信号を処理するデータ処理部と、前記デ
ータ処理部からの信号により前記石英容器内の温度及び
反応ガス量をそれぞれ制御する温度制御部及びガス流量
制御部とを含んで構成される。
かつ反応ガスを導入する石英容器と、前記石英容器を加
熱するための熱源と、前記半導体基板上に形成される膜
の厚さを測定するための工リプソメータと、前記エリプ
ソメータからの信号を処理するデータ処理部と、前記デ
ータ処理部からの信号により前記石英容器内の温度及び
反応ガス量をそれぞれ制御する温度制御部及びガス流量
制御部とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の模式図である。
半導体基板４を基板支持具３に装填し、石英容器１にロ
ーディングし、排気口６からメカニカルブースターポン
プ及びロータリーポンプにて０．００３Ｔｏｒｒまで排
気した後、ガス導入口５からあらかじめ１００〜１００
０℃の温度に加熱された石英容器１内に反応ガスを導入
する０反応ガス量は熱分解あるいは他の導入ガスとの化
学反応により半導体基板４上に膜を堆積させる。
ーディングし、排気口６からメカニカルブースターポン
プ及びロータリーポンプにて０．００３Ｔｏｒｒまで排
気した後、ガス導入口５からあらかじめ１００〜１００
０℃の温度に加熱された石英容器１内に反応ガスを導入
する０反応ガス量は熱分解あるいは他の導入ガスとの化
学反応により半導体基板４上に膜を堆積させる。
このとき第１図において、エリプソメータを構成するレ
ーザー光源７．偏光子８．補正板９より成るレーザー光
発射部から楕円偏光したレーザー光を半導体基板４の表
面に入射させ、その反射光を検光子１０．光検出器１１
より成る光検出部にて検出する。検出された反射光は電
気信号に変えの屈折率、膜厚が計算され、これらのデー
タは中央制御部１３に送られる。１６ビツトＣＰＵ等か
らなる中央制御部１３は、データ処理部１２より送られ
たデータをもとに、ＳＣＲを用いた温度制御部１４及び
ＡＦＣを用いたガス流量制御部１５をコントロールして
、屈折率、成長速度、膜厚等を設定した値になるように
反応ガスの流量等をコントロールする。
ーザー光源７．偏光子８．補正板９より成るレーザー光
発射部から楕円偏光したレーザー光を半導体基板４の表
面に入射させ、その反射光を検光子１０．光検出器１１
より成る光検出部にて検出する。検出された反射光は電
気信号に変えの屈折率、膜厚が計算され、これらのデー
タは中央制御部１３に送られる。１６ビツトＣＰＵ等か
らなる中央制御部１３は、データ処理部１２より送られ
たデータをもとに、ＳＣＲを用いた温度制御部１４及び
ＡＦＣを用いたガス流量制御部１５をコントロールして
、屈折率、成長速度、膜厚等を設定した値になるように
反応ガスの流量等をコントロールする。
第２図及び第３図は本発明の第２の実施例の模式図及び
Ａ部拡大図である。基本的には第１図と同じであり、制
御部関係を図から省略しである。
Ａ部拡大図である。基本的には第１図と同じであり、制
御部関係を図から省略しである。
第１図のような横型炉芯管タイプの石英容器では１バツ
チ当たり１００〜２００枚の処理が可能であるが、ポリ
シリコンＣＶＤのように、炉の最後部の温度を最前部や
中央部より５〜１５℃高くして堆積速度を増しシラン欠
乏の補償をしなければならない場合には、炉内の位置に
よって膜質及びウェハー面内のバラツキが変化する問題
点がある。第２図に示す装置では処理枚数は少ないもの
の膜質を安定させ、ウェハー内バラツキを抑えることが
できる。さらに本第２の実施例では、均熱効果を高める
ためにウェハーの上下にＳＩＣコート金属板１６を配し
、レーザー光の通る石英部分の膜の堆積を防止するため
、水冷銅ブロック１７を用いる水冷方式を採用している
。
チ当たり１００〜２００枚の処理が可能であるが、ポリ
シリコンＣＶＤのように、炉の最後部の温度を最前部や
中央部より５〜１５℃高くして堆積速度を増しシラン欠
乏の補償をしなければならない場合には、炉内の位置に
よって膜質及びウェハー面内のバラツキが変化する問題
点がある。第２図に示す装置では処理枚数は少ないもの
の膜質を安定させ、ウェハー内バラツキを抑えることが
できる。さらに本第２の実施例では、均熱効果を高める
ためにウェハーの上下にＳＩＣコート金属板１６を配し
、レーザー光の通る石英部分の膜の堆積を防止するため
、水冷銅ブロック１７を用いる水冷方式を採用している
。
以上説明したように本発明の装置によれば、減圧気相成
長にエリプソメトリ技術を用いることにより、膜厚、膜
質のインラインモニタリングを行うと同時に、そのデー
タをもとに膜厚、膜質の制御性、再現性を向上させるこ
とができるという効果がある。特に電極用ポリシリコン
膜の電気的特性の安定化を図ることができる。
長にエリプソメトリ技術を用いることにより、膜厚、膜
質のインラインモニタリングを行うと同時に、そのデー
タをもとに膜厚、膜質の制御性、再現性を向上させるこ
とができるという効果がある。特に電極用ポリシリコン
膜の電気的特性の安定化を図ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例の模式図、第２図及び第
３図は本発明の第２の実施例の模式図及びＡ部拡大図で
ある。 １・・・石英容器、２・・・ハロゲンランプ、３・・・
基板支持具、４・・・半導体基板、５・・・ガス導入口
、６・・・排気口、７・・・レーザー光源、８・・・偏
光子、９・・・補正板、１０・・・検光子、１１・・・
光検出器、１２・・・データ処理部、１３・・・中央制
御部、１４・・・温度制御部、１５・・・ガス流量制御
部、１６・・・ＳｉＣコート金属板、１７・・・水冷銅
ブロック。
３図は本発明の第２の実施例の模式図及びＡ部拡大図で
ある。 １・・・石英容器、２・・・ハロゲンランプ、３・・・
基板支持具、４・・・半導体基板、５・・・ガス導入口
、６・・・排気口、７・・・レーザー光源、８・・・偏
光子、９・・・補正板、１０・・・検光子、１１・・・
光検出器、１２・・・データ処理部、１３・・・中央制
御部、１４・・・温度制御部、１５・・・ガス流量制御
部、１６・・・ＳｉＣコート金属板、１７・・・水冷銅
ブロック。
Claims (1)
- 半導体基板を収容しかつ反応ガスを導入する石英容器と
、前記石英容器を加熱するための熱源と、前記半導体基
板上に形成される膜の厚さを測定するためのエリプソメ
ータと、前記エリプソメータからの信号を処理するデー
タ処理部と、前記データ処理部からの信号により前記石
英容器内の温度及び反応ガス量をそれぞれ制御する温度
制御部及びガス流量制御部とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896389A JPH0382017A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896389A JPH0382017A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382017A true JPH0382017A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16728097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21896389A Pending JPH0382017A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382017A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241822B1 (en) | 1999-01-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Vertical heat treatment apparatus |
| WO2001097267A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluating method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| KR100334301B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-05-03 | 니시무로 타이죠 | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 |
| KR100381538B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2003-05-22 | 학교법인 고황재단 | 표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법 |
| EP1320124A1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-06-18 | Tokyo Electron Limited | Method of determining heat treatment conditions |
| KR100475078B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 생성물 검출에 기초한 증착 공정 실시간 제어 시스템 및방법 |
| US7767927B2 (en) * | 2005-05-16 | 2010-08-03 | Ultratech, Inc. | Methods and apparatus for remote temperature measurement of a specular surface |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21896389A patent/JPH0382017A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334301B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-05-03 | 니시무로 타이죠 | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 |
| US6241822B1 (en) | 1999-01-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Vertical heat treatment apparatus |
| WO2001097267A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluating method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| US6720587B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluation method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
| KR100381538B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2003-05-22 | 학교법인 고황재단 | 표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법 |
| EP1320124A1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-06-18 | Tokyo Electron Limited | Method of determining heat treatment conditions |
| EP1320124A4 (en) * | 2000-07-25 | 2005-09-07 | Tokyo Electron Ltd | DETERMINATION OF THERMAL TREATMENT CONDITIONS |
| US7138607B2 (en) | 2000-07-25 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Determining method of thermal processing condition |
| KR100475078B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 생성물 검출에 기초한 증착 공정 실시간 제어 시스템 및방법 |
| US7767927B2 (en) * | 2005-05-16 | 2010-08-03 | Ultratech, Inc. | Methods and apparatus for remote temperature measurement of a specular surface |
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