JPH08264516A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH08264516A JPH08264516A JP6984595A JP6984595A JPH08264516A JP H08264516 A JPH08264516 A JP H08264516A JP 6984595 A JP6984595 A JP 6984595A JP 6984595 A JP6984595 A JP 6984595A JP H08264516 A JPH08264516 A JP H08264516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- area
- semiconductor wafer
- film thickness
- wafer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚制御性に優れた成膜装置を提供すること
にある。 【構成】 半導体ウェハ４を搬送しながら半導体ウェハ
４上に第１の膜を成膜するための第１のエリア１から第
１の膜が形成された半導体ウェハ４を第２のエリア２に
搬入し、測定手段１０により、第２のエリア２に半導体
ウェハ４を保持して第１の膜の膜厚に関するデータを測
定する。第２のエリア２から第３のエリア３に膜厚に関
するデータが測定された半導体ウェハ４を搬入し、半導
体ウェハ４を搬送しながら上記第１の膜上に第１の膜と
同一種類の第２の膜を成膜する。ここで、制御手段１１
により、上記膜厚に関するデータに基づいて第３のエリ
ア３における上記半導体ウェハの搬送速度を調整するこ
とにより第２の膜の膜厚を調整する。
にある。 【構成】 半導体ウェハ４を搬送しながら半導体ウェハ
４上に第１の膜を成膜するための第１のエリア１から第
１の膜が形成された半導体ウェハ４を第２のエリア２に
搬入し、測定手段１０により、第２のエリア２に半導体
ウェハ４を保持して第１の膜の膜厚に関するデータを測
定する。第２のエリア２から第３のエリア３に膜厚に関
するデータが測定された半導体ウェハ４を搬入し、半導
体ウェハ４を搬送しながら上記第１の膜上に第１の膜と
同一種類の第２の膜を成膜する。ここで、制御手段１１
により、上記膜厚に関するデータに基づいて第３のエリ
ア３における上記半導体ウェハの搬送速度を調整するこ
とにより第２の膜の膜厚を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいて、半導体ウェハ上に膜を成膜する成膜装置に関す
るものである。
おいて、半導体ウェハ上に膜を成膜する成膜装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体ウェハ上に絶縁膜等の膜を
成膜するための成膜装置として連続型ＣＶＤ（chemical
vapor deposition）装置がある。連続型ＣＶＤ装置
は、半導体ウェハを載せたトレイを搬送用ベルトによ
り、反応エリア内で搬送し、ＣＶＤ法により半導体ウェ
ハ上に絶縁膜等の膜を成膜するものである。
成膜するための成膜装置として連続型ＣＶＤ（chemical
vapor deposition）装置がある。連続型ＣＶＤ装置
は、半導体ウェハを載せたトレイを搬送用ベルトによ
り、反応エリア内で搬送し、ＣＶＤ法により半導体ウェ
ハ上に絶縁膜等の膜を成膜するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなものでは半導体ウェハ上に所望の膜厚の膜を成膜す
るための成膜条件の設定が煩雑であり、膜厚制御性が悪
かった。
うなものでは半導体ウェハ上に所望の膜厚の膜を成膜す
るための成膜条件の設定が煩雑であり、膜厚制御性が悪
かった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、膜厚制御性に優
れた成膜装置を提供することにある。
れた成膜装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体ウェハを搬送しな
がら該半導体ウェハ上に第１の膜を成膜するための第１
のエリアと、上記第１のエリアから上記第１の膜が形成
された上記半導体ウェハが搬入される第２のエリアと、
上記第２のエリアに上記半導体ウェハを保持して上記第
１の膜の膜厚に関するデータを測定する測定手段と、上
記第２のエリアから上記膜厚に関するデータが測定され
た半導体ウェハが搬入され、該半導体ウェハを搬送しな
がら上記第１の膜上に第１の膜と同一の第２の膜を成膜
するための第３のエリアと、上記膜厚に関するデータに
基づいて上記第３のエリアにおける上記半導体ウェハの
搬送速度を調整することにより上記第２の膜の膜厚を調
整する制御手段とを有する成膜装置により上記目的を達
成する。
がら該半導体ウェハ上に第１の膜を成膜するための第１
のエリアと、上記第１のエリアから上記第１の膜が形成
された上記半導体ウェハが搬入される第２のエリアと、
上記第２のエリアに上記半導体ウェハを保持して上記第
１の膜の膜厚に関するデータを測定する測定手段と、上
記第２のエリアから上記膜厚に関するデータが測定され
た半導体ウェハが搬入され、該半導体ウェハを搬送しな
がら上記第１の膜上に第１の膜と同一の第２の膜を成膜
するための第３のエリアと、上記膜厚に関するデータに
基づいて上記第３のエリアにおける上記半導体ウェハの
搬送速度を調整することにより上記第２の膜の膜厚を調
整する制御手段とを有する成膜装置により上記目的を達
成する。
【０００６】
【実施例】次に本発明の一実施例の成膜装置について説
明する。図１は本例の構成を示す説明図である。同図に
おいて１、２、３はそれぞれ第１、第２、第３のエリア
であり、４はトレイ（図示せず）に保持された半導体ウ
ェハであり、５、６、７はそれぞれ第１、第２、第３の
搬送用ベルトである。８、９はヒータであり、それぞ
れ、第１、第３のエリア１、３に設けられている。第
１、第３のエリア１、３はＣＶＤ法（本例では、常圧Ｃ
ＶＤ法とするが、特にこれに限るものではなく減圧ＣＶ
Ｄ法等にも応用できる。）により絶縁膜等の膜を成膜す
る成膜工程のためのエリアであり、後述するように反応
ガスに満たされることとなる。第１、第２、第３の搬送
用ベルト５、６、７はそれぞれ、第１、第２、第３のエ
リア１、２、３に設けられており、詳しく図示しないが
これらはベルトの回転動作により半導体ウェハ４を第
１、第２、第３のエリア１、２、３に順に搬送する。ま
た、ヒータ８、９はそれぞれ、第１、第３のエリア１、
３において、第１、第３の搬送用ベルト５、７に対向す
るように設けられており、第１、第３の搬送用ベルト
５、７により搬送される半導体ウェハ４を加熱する。す
なわち、第１、第３のエリア１、３は従来の連続型ＣＶ
Ｄ装置と同様に半導体ウェハを搬送しながら、そのウェ
ハ上に膜を成膜するのである。１０は測定手段であり、
例えば、レーザ干渉系の測定器であり、第２のエリアに
搬入されてた半導体ウェハ４上に形成されている膜の膜
厚に関するデータを測定する。１１は制御手段であり、
測定手段１０により得られた膜厚に関するデータに応じ
て第３の搬送用ベルト７のベルトの回転速度を制御し、
第３のエリア３における半導体ウェハ４の搬送速度を調
整する。また、以上の構成は制御手段１１を除いて反応
容器１２内に設けられている。
明する。図１は本例の構成を示す説明図である。同図に
おいて１、２、３はそれぞれ第１、第２、第３のエリア
であり、４はトレイ（図示せず）に保持された半導体ウ
ェハであり、５、６、７はそれぞれ第１、第２、第３の
搬送用ベルトである。８、９はヒータであり、それぞ
れ、第１、第３のエリア１、３に設けられている。第
１、第３のエリア１、３はＣＶＤ法（本例では、常圧Ｃ
ＶＤ法とするが、特にこれに限るものではなく減圧ＣＶ
Ｄ法等にも応用できる。）により絶縁膜等の膜を成膜す
る成膜工程のためのエリアであり、後述するように反応
ガスに満たされることとなる。第１、第２、第３の搬送
用ベルト５、６、７はそれぞれ、第１、第２、第３のエ
リア１、２、３に設けられており、詳しく図示しないが
これらはベルトの回転動作により半導体ウェハ４を第
１、第２、第３のエリア１、２、３に順に搬送する。ま
た、ヒータ８、９はそれぞれ、第１、第３のエリア１、
３において、第１、第３の搬送用ベルト５、７に対向す
るように設けられており、第１、第３の搬送用ベルト
５、７により搬送される半導体ウェハ４を加熱する。す
なわち、第１、第３のエリア１、３は従来の連続型ＣＶ
Ｄ装置と同様に半導体ウェハを搬送しながら、そのウェ
ハ上に膜を成膜するのである。１０は測定手段であり、
例えば、レーザ干渉系の測定器であり、第２のエリアに
搬入されてた半導体ウェハ４上に形成されている膜の膜
厚に関するデータを測定する。１１は制御手段であり、
測定手段１０により得られた膜厚に関するデータに応じ
て第３の搬送用ベルト７のベルトの回転速度を制御し、
第３のエリア３における半導体ウェハ４の搬送速度を調
整する。また、以上の構成は制御手段１１を除いて反応
容器１２内に設けられている。
【０００７】次に本例の動作について説明する。
【０００８】まず、反応容器１２内に所望の反応ガスを
導入し、図２の（ａ）に示すように半導体ウェハ４を保
持したトレイ（図示せず）を第１の搬送用ベルト５のベ
ルト上に載せる。例えば、第１、第２、第３の搬送用ベ
ルト５、６、７と異なる他の搬送用ベルト（特に図示し
ない。）により搬入する。半導体ウェハ４は第１の搬送
用ベルト５によって第１のエリア１を搬送されながら、
第１のヒータ８によって加熱され、その表面に第１の膜
Ｆ１が徐々に形成されていく。なお、図２において、第
１の膜Ｆ１は半導体ウェハ４に対して極端に厚く示され
ているが、これは便宜上のためであり、後述する第２の
膜Ｆ２についても同様である。半導体ウェハ４が、第１
のエリア１の終点に達すると、第１のエリア１での第１
の膜の成膜工程が完了する。ここで、第１の膜Ｆ１が最
終的に形成される目的の膜厚より薄く形成されるよう
に、反応ガスの濃度、温度、搬送速度等の成膜条件が設
定されている。
導入し、図２の（ａ）に示すように半導体ウェハ４を保
持したトレイ（図示せず）を第１の搬送用ベルト５のベ
ルト上に載せる。例えば、第１、第２、第３の搬送用ベ
ルト５、６、７と異なる他の搬送用ベルト（特に図示し
ない。）により搬入する。半導体ウェハ４は第１の搬送
用ベルト５によって第１のエリア１を搬送されながら、
第１のヒータ８によって加熱され、その表面に第１の膜
Ｆ１が徐々に形成されていく。なお、図２において、第
１の膜Ｆ１は半導体ウェハ４に対して極端に厚く示され
ているが、これは便宜上のためであり、後述する第２の
膜Ｆ２についても同様である。半導体ウェハ４が、第１
のエリア１の終点に達すると、第１のエリア１での第１
の膜の成膜工程が完了する。ここで、第１の膜Ｆ１が最
終的に形成される目的の膜厚より薄く形成されるよう
に、反応ガスの濃度、温度、搬送速度等の成膜条件が設
定されている。
【０００９】次に半導体ウェハ４は第１の搬送用ベルト
５によって第１のエリア１から第２のエリア２に搬入さ
れる。図２の（ｂ）に示すように、第２のエリア２にお
いて、第２の搬送用ベルト６によって半導体ウェハ４が
測定手段１０の測定エリアに搬送されると、測定手段１
０はレーザ光により、第１の膜Ｆ１の膜厚に関するデー
タを得る。すなわち、半導体ウェハ４により反射された
レーザ光の光路差、屈折率等の変位により第１の膜Ｆ１
を光学的に測定するのである。ここで得られた膜厚に関
するデータは制御手段１１に出力され、制御手段１１
は、この膜厚に関するデータに基づき、第３のエリア３
で成膜される最適の成膜レートを導出し、この成膜レー
トに応じて第３の搬送用ベルト７のベルト回転速度を制
御して搬送速度を調整する。例えば、目的とする膜厚よ
りも実際に成膜された膜厚の方が薄ければ、搬送速度を
基準の搬送速度より遅くし、逆に厚ければ早くする。
５によって第１のエリア１から第２のエリア２に搬入さ
れる。図２の（ｂ）に示すように、第２のエリア２にお
いて、第２の搬送用ベルト６によって半導体ウェハ４が
測定手段１０の測定エリアに搬送されると、測定手段１
０はレーザ光により、第１の膜Ｆ１の膜厚に関するデー
タを得る。すなわち、半導体ウェハ４により反射された
レーザ光の光路差、屈折率等の変位により第１の膜Ｆ１
を光学的に測定するのである。ここで得られた膜厚に関
するデータは制御手段１１に出力され、制御手段１１
は、この膜厚に関するデータに基づき、第３のエリア３
で成膜される最適の成膜レートを導出し、この成膜レー
トに応じて第３の搬送用ベルト７のベルト回転速度を制
御して搬送速度を調整する。例えば、目的とする膜厚よ
りも実際に成膜された膜厚の方が薄ければ、搬送速度を
基準の搬送速度より遅くし、逆に厚ければ早くする。
【００１０】次に半導体ウェハ４は第２の搬送用ベルト
６によって第２のエリア２から第３のエリア３に搬入さ
れる。半導体ウェハ４は、図２の（ｃ）に示すように第
３の搬送用ベルト７によって、制御手段１１により調節
された搬送速度で第３のエリア３を搬送される。この
間、半導体ウェハ４上に成膜された第１の膜Ｆ１の上に
第１の膜Ｆ１と同一の新たな第２の膜Ｆ２が成膜されて
いく。半導体ウェハ４が第３のエリア３の終点に達する
と、第２の膜Ｆ２の成膜が完了し、第３のエリア３から
搬出される。
６によって第２のエリア２から第３のエリア３に搬入さ
れる。半導体ウェハ４は、図２の（ｃ）に示すように第
３の搬送用ベルト７によって、制御手段１１により調節
された搬送速度で第３のエリア３を搬送される。この
間、半導体ウェハ４上に成膜された第１の膜Ｆ１の上に
第１の膜Ｆ１と同一の新たな第２の膜Ｆ２が成膜されて
いく。半導体ウェハ４が第３のエリア３の終点に達する
と、第２の膜Ｆ２の成膜が完了し、第３のエリア３から
搬出される。
【００１１】以上のように本例では、第１のエリア１で
成膜された膜厚に応じて第３のエリア３で成膜される膜
厚を調整することができ、トータルの膜厚精度を向上さ
せることができる。また、自動的に成膜条件を設定し、
所望膜厚の膜を成膜することができるため、従来のもの
に比べて成膜条件設定に要する作業時間、操作者の作業
労力を低減することができ、作業効率を向上させること
が可能となる。
成膜された膜厚に応じて第３のエリア３で成膜される膜
厚を調整することができ、トータルの膜厚精度を向上さ
せることができる。また、自動的に成膜条件を設定し、
所望膜厚の膜を成膜することができるため、従来のもの
に比べて成膜条件設定に要する作業時間、操作者の作業
労力を低減することができ、作業効率を向上させること
が可能となる。
【００１２】上記実施例では、便宜上、１枚の半導体ウ
ェハ４上に膜を成膜する場合を例に述べたが、本発明は
これに限られるものではない。例えば、第１のエリア１
に、一つのトレイに数枚の半導体ウェハを搭載して次々
に搬入し、所定数個（例えば、５個あるいは６個と適宜
に決める。）のトレイを搬入する毎に第２のエリア２で
膜厚を測定して、制御手段１１は膜厚に関するデータに
変化があれば、その都度第３のエリア３での搬送速度を
調整するようにしても良い。
ェハ４上に膜を成膜する場合を例に述べたが、本発明は
これに限られるものではない。例えば、第１のエリア１
に、一つのトレイに数枚の半導体ウェハを搭載して次々
に搬入し、所定数個（例えば、５個あるいは６個と適宜
に決める。）のトレイを搬入する毎に第２のエリア２で
膜厚を測定して、制御手段１１は膜厚に関するデータに
変化があれば、その都度第３のエリア３での搬送速度を
調整するようにしても良い。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、第１のエリアで成膜さ
れた第１の膜の膜厚に関するデータを得て第３のエリア
での成膜にフィードバックさせるため、膜厚制御性に優
れる。
れた第１の膜の膜厚に関するデータを得て第３のエリア
での成膜にフィードバックさせるため、膜厚制御性に優
れる。
【図１】本発明の一実施例の成膜装置の構成を示す説明
図。
図。
【図２】図１の動作説明のための説明図。
１ 第１のエリア ２ 第２のエリア ３ 第３のエリア ４ 半導体ウェハ １０ 測定手段 １１ 制御手段
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハを搬送しながら該半導体ウ
ェハ上に第１の膜を成膜するための第１のエリアと、 上記第１のエリアから上記第１の膜が形成された上記半
導体ウェハが搬入される第２のエリアと、 上記第２のエリアに上記半導体ウェハを保持して上記第
１の膜の膜厚に関するデータを測定する測定手段と、 上記第２のエリアから上記膜厚に関するデータが測定さ
れた半導体ウェハが搬入され、該半導体ウェハを搬送し
ながら上記第１の膜上に第１の膜と同一の第２の膜を成
膜するための第３のエリアと、 上記膜厚に関するデータに基づいて上記第３のエリアに
おける上記半導体ウェハの搬送速度を調整することによ
り上記第２の膜の膜厚を調整する制御手段とを有するこ
とを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6984595A JPH08264516A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6984595A JPH08264516A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264516A true JPH08264516A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13414559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6984595A Pending JPH08264516A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264516A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083628A (ko) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼 제조용 벨트식 화학기상증착장치 |
| EP1429375A1 (en) * | 2001-07-26 | 2004-06-16 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP6984595A patent/JPH08264516A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083628A (ko) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼 제조용 벨트식 화학기상증착장치 |
| EP1429375A1 (en) * | 2001-07-26 | 2004-06-16 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
| EP1429375A4 (en) * | 2001-07-26 | 2007-12-05 | Tokyo Electron Ltd | SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING SEMICONDUCTOR PROCESSING ON A JUST PROCESSED SUBSTRATE |
| US8153451B2 (en) | 2001-07-26 | 2012-04-10 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on target substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040629 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |