JP3119641B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

Info

Publication number
JP3119641B2
JP3119641B2 JP11010666A JP1066699A JP3119641B2 JP 3119641 B2 JP3119641 B2 JP 3119641B2 JP 11010666 A JP11010666 A JP 11010666A JP 1066699 A JP1066699 A JP 1066699A JP 3119641 B2 JP3119641 B2 JP 3119641B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction tube
heat treatment
semiconductor wafer
vertical heat
film thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11010666A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000208503A (ja
Inventor
繁章 井手
Original Assignee
九州日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 九州日本電気株式会社 filed Critical 九州日本電気株式会社
Priority to JP11010666A priority Critical patent/JP3119641B2/ja
Priority to US09/487,390 priority patent/US6241822B1/en
Publication of JP2000208503A publication Critical patent/JP2000208503A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3119641B2 publication Critical patent/JP3119641B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バッチ内の半導体
ウエハ表面に酸化膜を形成する縦型熱処理装置に関し、
特に複数の半導体ウエハ表面の酸化膜厚を検出できる縦
型熱処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程で用いられ
る熱処理装置は、反応管及びヒータを横に設置した横型
熱処理装置が用いられていたが、現在では外気の混入が
少なく、膜厚及び膜質均一性が横型に比べ良い等の理由
から、反応管及びヒータを縦に配置した縦型熱処理装置
が使用されている。熱処理装置は素子分離のためのフィ
ールド酸化膜の形成やゲート酸化膜の形成等に使用され
るが、半導体装置の微細化及び高集積化に伴い、形成す
る酸化膜の膜厚の厳密な制御が求められている。
【０００３】図４は、第１従来例である縦型熱処理装置
の構成を示す側断面図である。
【０００４】図４において、１０１は半導体ウェハ、１
０２は反応管、１０３はガス供給管、１０４はヒータ、
１０５は半導体ウェハ１を装填する石英ボートで、５０
枚〜１００枚の半導体ウェハを１組(以下バッチと称す)
として装填されている。
【０００５】次に、上述した従来の縦型熱処理装置を用
いて半導体ウェハ表面に酸化膜を形成する方法を説明す
る。
【０００６】まず、ヒータ１０４により８００℃〜１０
００℃に高温加熱された反応管１０２内部に、半導体ウ
ェハ１０１を装填した石英ボート１０５を挿入する。次
に、酸素や水蒸気等所望のガスを加熱された反応管１０
２内部にガス供給管１０３より所定流量導入すると、半
導体ウェハ１０１表面と導入されたガスとが反応し半導
体ウェハ１０１表面に所望の酸化膜が形成される。この
とき、半導体ウェハ１０１表面に形成された酸化膜が所
望の膜厚を有することを確認するためには、半導体ウェ
ハ１０１が装填された石英ボート５を反応管１０２から
取り出し、膜厚測定器を用いて測定する。
【０００７】上述したように、従来の縦型熱処理装置を
用いて半導体ウェハ１０１表面に所望の膜厚を有する酸
化膜を形成するためには、予め反応管１０２内部におけ
る半導体ウェハ１０１と導入するガスとの、酸化膜の形
成速度と膜厚との関係を明らかにしておく所謂条件出し
が必要である。しかしながら、従来の縦型熱処理装置は
装置の個体差、環境の変動等により反応管１０２内部に
導入する反応ガスの流量や反応管１０２内部の温度が微
妙に変動するため、条件出しに基づいて設定した処理時
間で所望の膜厚を得ることは難しい。このため、バッチ
内の半導体ウェハ１０１の膜厚均一性は一定しない。
【０００８】膜厚測定の結果、所望の膜厚に達していな
い半導体ウェハ１０１は所定の膜厚になるまで再度熱処
理を行う。一方、膜厚が厚すぎる等規格外の膜厚を有す
る半導体ウェハは廃棄処分がとられる。所望の膜厚に達
していない半導体ウェハを再度熱酸化して所望の酸化膜
の膜厚を形成する場合はその分工程が増加するので時間
のロスや、製造コストが上昇する。また、規格外の膜厚
になった場合はコストの増加及び半導体装置の歩留りが
低下する。
【０００９】上述した問題を解決するために、例えば、
特開平３−８２０１７号公報では、反応管内部に挿入さ
れた半導体ウェハ上に形成される膜の厚さを経時的に測
定し、この測定結果を反応管の温度及び導入するガス流
量に帰還させて制御し、バッチ内における半導体ウェハ
の膜厚均一性を向上させる熱処理装置が提案されてい
る。
【００１０】上記公報に記載の第２従来例について図面
を参照して説明する。
【００１１】図５は第２従来例である各制御系を含む横
型減圧気相成長装置の構成を示すブロック図である。
【００１２】図５において、２０１は反応管、２０２は
反応管２０１を加熱するハロゲンランプ、２０３は石英
ボート、２０４は半導体ウェハ、２０５はガス導入口、
２０６は排気口である。２１６はレーザ光源２０７と偏
光子２０８と補正板２０９とから構成されるレーザ光発
射部、２１７は検光子２１０と光検出器２１１とから構
成されるレーザ光検出部である。レーザ光発射部２１６
及びレーザ光検出部２１７は反応管２０１外部に一対に
なるように配置されている。また、２１２は光検出器２
１１からの出力データを処理するデータ処理部、２１３
は中央制御部、２１４はハロゲンランプ２０２の温度制
御部、２１５はガス導入口２０５のガス流量制御部であ
る。
【００１３】次に、図５の横型減圧気相成長装置を用い
た膜の形成方法は、まず、反応管２０１をハロゲンラン
プ２０２により１００℃〜１０００℃の高温に予め加熱
しておく。次に半導体ウェハ２０４を５０〜１００枚を
一組として石英ボート２０３に立てて装填し、反応管２
０１内部に挿入する。
【００１４】反応管２０１を排気口２０６から図示して
いないメカニカルブースターポンプ及びロータリーポン
プにより０．００３Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入
口２０５から反応ガスを反応管２０１内部に導入する。
すると、反応ガスは熱分解或いは他の導入ガスと化学反
応を起こし半導体ウェハ２０４上に所望の膜が堆積す
る。
【００１５】このとき、エリプソメータを構成するレー
ザ光発射部２１６から楕円偏光したレーザ光を半導体ウ
ェハ２０４表面に入射させる。半導体ウェハ２０４表面
に入射したレーザ光は反射し、この反射したレーザ光を
光検出部２１７において検出する。
【００１６】光検出部２１７で検出したレーザ反射光は
電気信号に変換され、変換された電気信号はデータ処理
部２１２において反射光の位相、振幅等が計算される。
更にさらに、半導体ウェハ２０４表面に照射した入射光
と反射光とを比較して半導体ウェハ２０４に堆積した膜
の屈折率及び膜厚が計算される。計算された屈折率及び
膜厚のデータは中央制御部２１３に送られる。
【００１７】中央制御部２１３は、データ処理部２１２
より送られたデータに基づき、半導体ウェハ２０４上に
堆積する膜の屈折率、堆積速度、膜厚等が当初設定した
数値になるようにシリコン制御整流器を用いた温度制御
部２１４を制御して反応管２０１内部の温度を調節し、
また、エアーフローコントローラを用いたガス流量制御
部２１５を制御して反応ガスの流量を調節する。
【００１８】また第３従来例について図面を参照して説
明する。図６(Ａ)は第３従来例である横型減圧気相成長
装置の構成を示す模式図、(Ｂ)Ａ部拡大図である。
【００１９】図６(Ａ)に示すものは、図５の横型減圧気
相成長装置に対し反応管２１０の内部に半導体ウェハ２
０４を横に寝かせた状態で挿入し、所望の膜を堆積する
ものである。ポリシリコンＣＶＤのように反応管２０１
の最後部の温度を最前部や中央部より５℃〜１５℃高く
して堆積速度を速め反応ガスであるシランの欠乏の補償
をする場合に発生する半導体ウェハ２０４の面内均一性
の低下を抑えるもので、反応管２０１内部の位置によっ
て堆積する膜の膜質及び半導体ウェハ２０４の面内ばら
つきを抑えることができる。
【００２０】また、図６(Ｂ)に示すように、反応管２０
１内部の熱の均一性を高めるために、半導体ウェハ２０
４の上下にＳｉＣコート金属板２１８を配置し、また水
冷銅ブロック２１９を配置して膜厚の測定のため半導体
ウェハ２０４表面に照射するレーザー光の通る反応管２
０１の部分の膜の堆積を防止している。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平３−８
２０１７号公報により提案されている熱処理装置は横型
の減圧気相成長装置の例であり、また、反応管内部に挿
入されている複数枚の半導体ウェハのうち、石英ボート
の最も外側（図５で示した反応管２０１の左側）に装填
された半導体ウェハの表面に堆積する膜の膜厚を測定
し、このデータを帰還させてバッチ全体の膜厚を制御す
るものである。しかしながら、上述した方法は、石英ボ
ートの最も外側に装填された半導体ウェハ１枚のみの膜
厚データを測定しこのデータを帰還させてバッチ全体の
半導体ウェハの膜厚を制御していることになる。反応管
中央部及び反応管右側（図５に示した反応管の右側）に
位置する半導体ウェハに堆積する膜の膜厚は考慮されて
いない。これは、半導体ウェハを石英ボートに複数枚を
垂直に立てた状態で装填するため隣り合う半導体ウェハ
の間隔が狭く、バッチ内の任意の半導体ウェハ表面にレ
ーザ光を照射し反射したレーザ光を受光するための領域
を確保できないからである。
【００２２】前述したように、反応管内部の温度は周囲
の環境により必ずしも一定ではなく、また装置の個体差
等により導入するガス流量もばらつきがあるので、反応
管内部の位置によっては半導体ウェハ表面に堆積する膜
の膜厚に違いが生じる。したがって、反応管内部の複数
個所、例えば図５で示した反応管の左側、中央部、及び
右側に位置する半導体ウェハの膜厚を測定し、これら複
数のデータを帰還させて膜厚を制御する方法を用いれば
バッチ全体の膜厚均一性をより正確に制御することがで
きる。しかしながら、上述した横型減圧気相成長装置
は、反応管内部の複数箇所で膜厚を測定することができ
ず、バッチ全体の膜厚均一性の向上を図ることは困難で
ある。
【００２３】本発明の縦型熱処理装置は、上述した問題
点に鑑み、バッチ内の膜厚均一性を向上させ、再熱酸化
処理に伴う工程増加による時間のロスやコスト増加を払
拭し、半導体装置の歩留りを向上することができる縦型
熱処理装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために、複数の半導体ウェハを反応管内部に
配置し、前記反応管内部に所定のガスを導入して前記半
導体ウェハ表面に所望の膜厚を有する酸化膜を高温加熱
によって形成する縦型熱処理装置において、反応管は傾
斜して設けられ少なくともその一部がレーザ光の透過材
料からなり、反応管内部に上下に間隙をおいて配置され
る各半導体ウェハの端部が真上から見て重ならないずれ
部分を設け、これらのずれ部分上の膜厚を光学的に検出
するために設けた複数の膜厚検出手段により測定したデ
ータに基づいて反応管内の温度制御およびガス流量制御
をするものである。
【００２５】反応管は、反応管は水平方向に３０°乃至
７０°傾斜して設けられ、上下に隣り合う半導体ウェハ
同士は３ｍｍ〜１５ｍｍのずれ部分を有するものであ
る。
【００２６】また、膜厚検出手段は、半導体ウェハの表
面に形成された酸化膜のうち、ずれ部分上にレーザ光を
照射するレーザ光照射用光ファイバと、ずれ部分より反
射した前記レーザ光を受光するレーザ光受光用光ファイ
バとを有し、反応管の上中下などの複数個所に設置され
る。
【００２７】本発明の縦型熱処理装置の反応管が３０°
〜７０°の範囲で水平方向に傾斜しており、この傾斜に
対応して上下に隣り合う半導体ウェハの表面が３ｍｍ〜
１５ｍｍ露出するのでバッチ内の任意の半導体ウェハに
形成される酸化膜の膜厚を容易に測定することができ
る。これにより、バッチ内における酸化膜の膜厚均一性
を向上することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】図１は本発明の実施形態である縦型熱処理
装置の側断面を示す模式図、図２は図１に示した縦型熱
処理装置のＡ部分の拡大模式図である。
【００３０】図１において、１は半導体ウェハ、２はレ
ーザ光を透過する材料から成る反応管で、傾斜して設け
られている。３は反応管２に酸素や水蒸気等所望のガス
を導入するガス供給管、４は反応管２内部を所望の温度
に加熱するヒータで、各々独立して温度制御ができるよ
うになっている。５は反応管内に半導体ウェハ１を上下
に多数、間隙をおいて装填するための石英ボートであ
る。石英ボートが半導体ウェハを上下に多数、間隙をお
いて装填することについては周知の事柄であるのでその
説明は省略する。
【００３１】図２に示すように、複数の半導体ウェハ１
は反応管内部に上下に間隙をおいて配置され、それぞれ
の半導体ウェハの端部が真上から見て重ならないずれ部
分８を有する。６はレーザ光を半導体ウェハ１表面(ず
れ部分８)に照射するための照射用光ファイバ、７は半
導体ウェハ１表面に照射され反射したレーザ光を受光す
るための受光用光ファイバで、照射用光ファイバ６と対
を成して配置されている。
【００３２】本実施形態の特徴は、図１に示すように、
反応管２は、３０°〜７０°の範囲で水平方向に傾ける
ことにある。反応管２を３０°〜７０℃の範囲で水平方
向に傾けると、反応管２内部に挿入されている石英ボー
ト５に装填されている半導体ウェハ１は、図２に示すよ
うに、或る半導体ウェハ１の上端には隣りの半導体ウェ
ハ１の表面（酸化膜を形成する面）が３ｍｍ〜１５ｍｍ
にわたり露出してずれ状態を生じる。
【００３３】このように反応管を傾斜して設けることに
より、両端以外の任意の半導体ウェハの露出したずれ部
分に照射用光ファイバ６からのレーザ光を照射し、また
その反射光を受光することができるので、その部分から
形成された膜厚が容易に検出できるようになる。
【００３４】次に、本実施形態の縦型熱処理装置の動作
について説明する。
【００３５】図３は本発明の実施形態である各制御系を
含む縦型熱処理装置の構成を示すブロック図である。
【００３６】図３において、１３は検出ユニット、１４
はデータ処理部、１０は中央制御部、１１は温度制御
部、１２はガス流量制御部である。
【００３７】まず、反応管２外周部の上部、中央部、及
び下部の３個所に設置したヒータ４を加熱し、反応管２
内部の温度を８００℃〜１０００℃の高温に予め加熱し
ておく。次に、１００〜２００枚を１組として半導体ウ
ェハ１を石英ボート５に立てた状態で装填し、その後石
英ボート５を反応管２内部に挿入する。前述したように
反応管２は３０°〜７０°の範囲をもって傾く機構を備
えているので、石英ボート５に装填された半導体ウェハ
１は、図２に示すように、或る半導体ウェハ１の上部に
は隣の半導体ウェハ１の表面が３ｍｍ〜１５ｍｍ露出し
た状態でセットされる。
【００３８】次に、ガス供給管３から所定流量の酸素や
水蒸気等のガスを反応管２内部に導入すると、半導体ウ
ェハ１表面と導入されたガスとが反応し、半導体ウェハ
１表面に酸化膜が形成される。このとき、半導体ウェハ
１表面には反応管２内部の上部、中央部、及び下部に設
置した照射用光ファイバ６からレーザ光が入射され、反
射したレーザ光を受光用光ファイバ７にて受光する。受
光用光ファイバ７にて受光した反射レーザ光は検出ユニ
ット１３に送られ、データ処理部１４において３枚の半
導体ウェハ１上に形成されている酸化膜の膜厚が計算さ
れる。データ処理部１４で計算された酸化膜の膜厚は、
さらに中央制御部１０へ送られる。
【００３９】中央制御部１０は、データ処理部１４から
送られた３個所の酸化膜の膜厚のデータに基づき温度制
御部１１を制御して反応管２外周部の上部、中央部、及
び下部に配置されたヒータ４により反応管２内部の温度
を調整する。さらに、データ処理部１４から送られた酸
化膜の膜厚のデータに基づき、ガス流量制御部１２を制
御してガス導入管３から導入するガス流量を調節する。
【００４０】例えば、半導体ウェハ１表面に形成した酸
化膜の膜厚が所望の膜厚に達した場合、中央制御部１０
は半導体ウェハ１上の酸化膜をこれ以上形成させないた
めにガス導入管３により導入する反応ガスの供給を停止
する。また、反応管２内部の下部に位置した半導体ウェ
ハ１上に形成された酸化膜の膜厚が、反応管２内部の上
部及び中央部に位置する半導体ウェハ１上に形成された
酸化膜の膜厚に比べ薄い場合、中央制御部１０は、反応
管２外周部の下部に配置されているヒータ４のパワーを
上げる命令を温度制御部１１に送る。すると、反応管２
内部の下部の温度が上昇して酸化速度が速まり、反応管
２の下部に位置する半導体ウェハ１の酸化膜の膜厚を反
応管２の上部及び中央部に位置する半導体ウェハ１の酸
化膜の膜厚と同じにすることができる。
【００４１】なお、本実施形態では、照射用光ファイバ
６及び受光用光ファイバ７を反応管２内部の上部、中央
部、及び下部の３個所に設置し、バッチ内のうち３枚の
半導体ウェハ１の膜厚を測定する例を説明したが、照射
用光ファイバ６及び受光用光ファイバ７を反応管２内部
の複数個所に設置すれば、複数枚の半導体ウェハ１の膜
厚を測定することができるので、バッチ内の膜厚をより
厳密に制御することができる。さらに、照射用光ファイ
バ６及び受光用光ファイバ７を複数個所設置するに伴
い、温度制御部１１、ガス流量制御部１２を反応管２外
周部に複数個所設置することにより、反応管２内部の温
度を狭い領域で制御することができ、また反応管２内部
に導入するガス流量を反応管２の狭い領域で制御するこ
とができる。これにより、バッチ内の半導体ウェハに形
成される酸化膜の膜厚をより厳密に制御することができ
る。
【００４２】なお、本実施形態のように照射用光ファイ
バ６及び受光用光ファイバ７を反応管２内部に固定する
ことなく、これを半導体ウェハ１を装填する石英ボート
５に予め設置し、石英ボート５を反応管２内部に挿入す
ると供に照射用光ファイバ６及び受光用光ファイバ７が
反応管２内部に設置される構造を用いてもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型熱処
理装置は、反応管内部の複数個所に膜厚測定器を設置
し、バッチ内の複数枚の半導体ウェハ表面に形成される
酸化膜の膜厚を経時的に測定し測定結果を温度制御部及
びガス流量制御部に帰還させて酸化膜の膜厚を経時的に
制御することにより、バッチ内の酸化膜の膜厚均一性を
向上させることができる。これにより、再熱処理に伴う
工程増加による時間のロスやコスト増が払拭される。さ
らに半導体装置の歩留りを向上することができる効果を
奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である縦型熱処理装置の側断
面を示す模式図
【図２】図１に示した縦型熱処理装置のＡ部分の拡大模
式図
【図３】本発明の実施形態である各制御系を含む縦型熱
処理装置の構成を示すブロック図
【図４】第１従来例である縦型熱処理装置の側断面を示
す模式図
【図５】第２従来例である各制御系を含む横型減圧気相
成長装置の構成を示すブロック図
【図６】(Ａ)第３従来例である横型減圧気相成長装置の
構成を示す模式図、(Ｂ)Ａ部拡大図
【符号の説明】
１ 半導体ウェハ ２ 反応管 ３ ガス供給管 ４ 加熱ヒータ ５ 石英ボート ６ 照射用光ファイバ ７ 受光用光ファイバ ８ ずれ部分 １０ 中央制御部 １１ 温度制御部 １２ ガス流量制御部 １３ 検出ユニット １４ データ処理部 １０１ 半導体ウェハ １０２ 反応管 １０３ ガス供給管 １０４ ヒータ １０５ 石英ボート ２０１ 反応管 ２０２ ハロゲンランプ ２０３ 石英ボート ２０４ 半導体ウェハ ２０５ ガス導入口 ２０６ ガス排気口 ２０７ レーザ光源 ２０８ 偏光子 ２０９ 補正板 ２１０ 検光子 ２１１ 光検出器 ２１２ データ処理部 ２１３ 中央制御部 ２１４ 温度制御部 ２１５ ガス流量制御部 ２１６ レーザ光発射部 ２１７ レーザ光検出部 ２１８ ＳｉＣコート金属板 ２１９ 水冷銅ブロック

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体ウェハを反応管内部に配置
    し、前記反応管内部に所定のガスを導入して前記半導体
    ウェハ表面に所望の膜厚を有する酸化膜を高温加熱によ
    って形成するための縦型熱処理装置において、 反応管は傾斜して設けられ少なくともその一部がレーザ
    光の透過材料からなり、複数の半導体ウェハは反応管内
    部に上下に間隙をおいて配置され、それぞれの半導体ウ
    ェハの端部が真上から見て重ならないずれ部分を有する
    ことを特徴とする縦型熱処理装置。
  2. 【請求項２】 複数の半導体ウェハを反応管内部に配置
    し、前記反応管内部に所定のガスを導入して前記半導体
    ウェハ表面に所望の膜厚を有する酸化膜を高温加熱によ
    って形成するための縦型熱処理装置において、 反応管は傾斜して設けられ少なくともその一部がレーザ
    光の透過材料からなり、複数の半導体ウェハは反応管内
    部に上下に間隙をおいて配置され、それぞれの半導体ウ
    ェハの端部が真上から見て重ならないずれ部分を有し、 傾斜して設けた反応管の内部の半導体ウェハの表面に形
    成された酸化膜のうち、反応管の各部位でのずれ部分上
    の膜厚を検出する複数の膜厚検出手段と、 前記膜厚測定手段により測定された前記酸化膜の膜厚デ
    ータに基づき、前記反応管の外周に複数設けられたヒー
    タにより前記反応管の内部温度を制御する温度制御手
    段、およびガス供給管から導入するガス流量を制御する
    ガス流量制御手段を備えることを特徴とする縦型熱処理
    装置。
  3. 【請求項３】 半導体ウェハの表面に形成された酸化膜
    のうち、ずれ部分上にレーザ光を照射するレーザ光照射
    用光ファイバと、ずれ部分より反射した前記レーザ光を
    受光するレーザ光受光用光ファイバとを有する膜厚測定
    手段を備えることを特徴とする請求項２記載の縦型熱処
    理装置。
  4. 【請求項４】反応管は水平方向に３０°乃至７０°傾斜
    して設けられ、上下に隣り合う半導体ウェハ同士は３ｍ
    ｍ〜１５ｍｍのずれ部分を有することを特徴とする請求
    項２記載の縦型熱処理装置。
  5. 【請求項５】前記膜厚測定手段は、前記半導体ウェハを
    装填する石英ボートに複数設置可能な手段を備える請求
    項２乃至３記載の縦型熱処理装置。
  6. 【請求項６】 前記温度制御手段は、前記膜厚測定器の
    設置数及び設置場所に対応して設けられそれぞれ独立に
    制御可能な手段であることを特徴とする請求項２記載の
    縦型熱処理装置。
JP11010666A 1999-01-19 1999-01-19 縦型熱処理装置 Expired - Fee Related JP3119641B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11010666A JP3119641B2 (ja) 1999-01-19 1999-01-19 縦型熱処理装置
US09/487,390 US6241822B1 (en) 1999-01-19 2000-01-18 Vertical heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11010666A JP3119641B2 (ja) 1999-01-19 1999-01-19 縦型熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000208503A JP2000208503A (ja) 2000-07-28
JP3119641B2 true JP3119641B2 (ja) 2000-12-25

Family

ID=11756577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11010666A Expired - Fee Related JP3119641B2 (ja) 1999-01-19 1999-01-19 縦型熱処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6241822B1 (ja)
JP (1) JP3119641B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102612719B (zh) * 2009-11-10 2014-02-19 三菱电机株式会社 粒子射线照射系统及粒子射线照射方法

Families Citing this family (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050247266A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Patel Nital S Simultaneous control of deposition time and temperature of multi-zone furnaces
US8603246B2 (en) 2008-01-30 2013-12-10 Palo Alto Research Center Incorporated Growth reactor systems and methods for low-temperature synthesis of nanowires
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5488400B2 (ja) * 2010-10-29 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP5645718B2 (ja) * 2011-03-07 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) * 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110690134B (zh) * 2019-09-12 2022-07-01 长江存储科技有限责任公司 多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
CN113363190B (zh) * 2021-05-31 2022-07-08 北海惠科半导体科技有限公司 晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421175A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Tokyo Ouka Kougiyou Kk Improvement of plasma reaction processor
US4573431A (en) * 1983-11-16 1986-03-04 Btu Engineering Corporation Modular V-CVD diffusion furnace
US4756272A (en) * 1986-06-02 1988-07-12 Motorola, Inc. Multiple gas injection apparatus for LPCVD equipment
US5234501A (en) * 1987-09-01 1993-08-10 Tokyo Electron Sagami Limited Oxidation metod
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
JPH02303024A (ja) 1989-05-17 1990-12-17 Hitachi Ltd 半導体熱処理装置
JPH0382017A (ja) 1989-08-24 1991-04-08 Nec Corp 半導体装置の製造装置
JP3184000B2 (ja) * 1993-05-10 2001-07-09 株式会社東芝 薄膜の形成方法およびその装置
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JPH0855810A (ja) * 1994-08-16 1996-02-27 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
JP3556804B2 (ja) * 1997-05-20 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5800616A (en) * 1997-12-15 1998-09-01 Sony Corporation Vertical LPCVD furnace with reversible manifold collar and method of retrofitting same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102612719B (zh) * 2009-11-10 2014-02-19 三菱电机株式会社 粒子射线照射系统及粒子射线照射方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000208503A (ja) 2000-07-28
US6241822B1 (en) 2001-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3119641B2 (ja) 縦型熱処理装置
US6434327B1 (en) Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature
EP0695922B1 (en) Heating apparatus for semiconductor wafers or substrates
KR100917501B1 (ko) 전자기 에너지의 흡수를 최적화함으로써 반도체 웨이퍼를가열하기 위한 시스템 및 방법
JP4540796B2 (ja) 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置
US8124168B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6016383A (en) Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature
TWI381430B (zh) Light irradiation method
JP2001308023A (ja) 熱処理装置及び方法
US6566630B2 (en) Thermal processing apparatus for introducing gas between a target object and a cooling unit for cooling the target object
WO2002054452A1 (en) Heating device, heat treatment apparatus having the heating device and method for controlling heat treatment
US6262397B1 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
US20180223434A1 (en) Vapor growth apparatus, and vapor growth method
JP3625761B2 (ja) 膜厚測定装置及びその方法
US6142663A (en) Temperature measuring method for semiconductor wafers and processing apparatus
JP4346208B2 (ja) 温度測定方法、熱処理装置及び方法、並びに、コンピュータ可読媒体
JP2005068502A (ja) 気相成長装置
JP2003045818A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JPH062147A (ja) 気相化学反応装置
JP2021118361A (ja) 反り測定装置、気相成長装置および反り測定方法
US6051844A (en) Scanning system for rapid thermal cycle stress/curvature measurement
JP3964355B2 (ja) 気相成長装置および気相成長方法
JP4646354B2 (ja) 熱処理装置及び方法
JPH04343220A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JP2001289714A (ja) 基板の温度計測方法及び計測装置、並びに基板の処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081013

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees