JPS61272937A - 気相成長式化学蒸着の制御方法 - Google Patents
気相成長式化学蒸着の制御方法Info
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- JPS61272937A JPS61272937A JP11427785A JP11427785A JPS61272937A JP S61272937 A JPS61272937 A JP S61272937A JP 11427785 A JP11427785 A JP 11427785A JP 11427785 A JP11427785 A JP 11427785A JP S61272937 A JPS61272937 A JP S61272937A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、反応炉内に半導体ウェハを置いて加熱しつつ
、該反応炉内に反応ガスを送入、流通せ″しめ、化学反
応によって半導体ウェハの表面に薄膜を蒸着せしめる操
作（ＣＶ Ｄ ”）の制御方法に係り、特に、膜厚を所
定の寸法ならしめるように成膜操作の終了時期を制御す
る方法に関するものである。
、該反応炉内に反応ガスを送入、流通せ″しめ、化学反
応によって半導体ウェハの表面に薄膜を蒸着せしめる操
作（ＣＶ Ｄ ”）の制御方法に係り、特に、膜厚を所
定の寸法ならしめるように成膜操作の終了時期を制御す
る方法に関するものである。
本発明に係る制御方法は、各種の気相成長式化学蒸着方
式、例えばＳｉｎ、成膜法、Ｓｉ窒化膜成膜法、 Ａｆ
Ｌ、０３成膜法などに広く適用することができる。
式、例えばＳｉｎ、成膜法、Ｓｉ窒化膜成膜法、 Ａｆ
Ｌ、０３成膜法などに広く適用することができる。
従来技術における成膜膜厚の制御は、一般に成膜操作の
時間を制御して行われる。即ち、薄膜の生成速度が一定
になるように成膜条件を一定に保ちつつ、ダミーを用い
てテスト成膜を行い、その成膜膜厚を測定し、この測定
値に基づいて、目的寸法の膜厚を得るための適正成膜時
間を算出し、その後、前記の成膜条件下において、算出
時間に従って成膜操作時間を規制する。
時間を制御して行われる。即ち、薄膜の生成速度が一定
になるように成膜条件を一定に保ちつつ、ダミーを用い
てテスト成膜を行い、その成膜膜厚を測定し、この測定
値に基づいて、目的寸法の膜厚を得るための適正成膜時
間を算出し、その後、前記の成膜条件下において、算出
時間に従って成膜操作時間を規制する。
上に述べた従来技術の方法によれば、
（ａ） 成膜作業中に成膜条件が変動すると膜厚寸法
に誤差を生じる。
に誤差を生じる。
（ｂ） テスト成膜を行っている間、製品の成膜加工
が中止され、能率を低下させる。この為、製品単価を上
昇させる。
が中止され、能率を低下させる。この為、製品単価を上
昇させる。
本発明は上述の不具合を解消すべく為されたもので、そ
の目的とするところは、テスト成膜を必要とせず、成膜
条件の変動によって悪影響を受けずに、成膜膜厚を所定
値ならしめるように制御する方法を提供するにある。
の目的とするところは、テスト成膜を必要とせず、成膜
条件の変動によって悪影響を受けずに、成膜膜厚を所定
値ならしめるように制御する方法を提供するにある。
上記の目的を達成するため、本発明の制御方法は、反応
炉内に半導体ウェハを置いて加熱しつつ、該反応炉内に
反応ガスを送入、流通せしめ、化学反応によって半導体
ウェハの表面に薄膜を蒸着せしめる操作において、前記
反応炉の炉頂部がウェハに対向している部分に透明板で
覆った窓を設け、上記の窓の上方に設置したレーザ干渉
式測長器によってウェハ表面までの距離を測定して、該
ウェハ表面に蒸着された薄膜の厚さ寸法を算出し、上記
の膜厚が所定寸法に達したとき成膜操作を終了せしめる
ことを特徴とする。
炉内に半導体ウェハを置いて加熱しつつ、該反応炉内に
反応ガスを送入、流通せしめ、化学反応によって半導体
ウェハの表面に薄膜を蒸着せしめる操作において、前記
反応炉の炉頂部がウェハに対向している部分に透明板で
覆った窓を設け、上記の窓の上方に設置したレーザ干渉
式測長器によってウェハ表面までの距離を測定して、該
ウェハ表面に蒸着された薄膜の厚さ寸法を算出し、上記
の膜厚が所定寸法に達したとき成膜操作を終了せしめる
ことを特徴とする。
次に、本発明の一実施例について添付図面を参照しつつ
説明する。
説明する。
本実施例はプラズマＣＶＤに本発明方法を適用する為に
構成した気相成長式化学蒸着装置の一例で、第１図はそ
の垂直断面を示す。
構成した気相成長式化学蒸着装置の一例で、第１図はそ
の垂直断面を示す。
１１よ反応炉で、その中にサセプタ２が設けられている
。３は、上記のサセプタ２上に載置した半導体ウェハで
ある。
。３は、上記のサセプタ２上に載置した半導体ウェハで
ある。
反応ガス導入部４，５がら、炉内空間６に反応ガスを送
入する。
入する。
サセプタ２上の半導体ウェハ３に対向離間せしめて電極
板７が設けられており、導電部材８を介して高周波電力
９が供給され、反応ガスの分解生成物（本例においては
Ｓｉｎ、）は半導体ウェハ３の表面に薄膜を形成する。
板７が設けられており、導電部材８を介して高周波電力
９が供給され、反応ガスの分解生成物（本例においては
Ｓｉｎ、）は半導体ウェハ３の表面に薄膜を形成する。
前記の導電部材８を管状に構成し、その上端に透明板１
０を取りつけて反応炉１の気密を保つと共に、該透明板
１０の上方から半導体ウェハ３の表面が見えるようにす
る。
０を取りつけて反応炉１の気密を保つと共に、該透明板
１０の上方から半導体ウェハ３の表面が見えるようにす
る。
上記の透明板１０の上方にレーザ干渉計１１を設け、Ｌ
／−？発振１ｌ１１１から出射したレーザ光を、ハーフ
ミラ−１１ｂを介して矢印ａの如く透明板１ｏに向けて
投射する。投射されたレーザ光矢印ａは、往復矢印すの
如く半導体ウェハ３の表面で反射される。
／−？発振１ｌ１１１から出射したレーザ光を、ハーフ
ミラ−１１ｂを介して矢印ａの如く透明板１ｏに向けて
投射する。投射されたレーザ光矢印ａは、往復矢印すの
如く半導体ウェハ３の表面で反射される。
上記半導体ウェハ３の表面にＳｉｎ、被膜が形成されて
いるときは、該被膜の表面でレーザ光すが反射される１
反射したレーザ光はハーフミラ−１１ｂで反射され、矢
印Ｃの如く受光器１１ｃに入射し、その検出信号が制御
部１２に入力されてウェハ３の表面までの距離が正確に
自動測定さ九る。
いるときは、該被膜の表面でレーザ光すが反射される１
反射したレーザ光はハーフミラ−１１ｂで反射され、矢
印Ｃの如く受光器１１ｃに入射し、その検出信号が制御
部１２に入力されてウェハ３の表面までの距離が正確に
自動測定さ九る。
このようにしてウェハ表面までの距離を実測すると、成
膜の進行に伴って上記の距離が減少する。
膜の進行に伴って上記の距離が減少する。
従って、その減少状態を連続的に測定すると成膜の進行
状態（即ち、膜厚の増加状態）が正確かつ即時的に検出
される。
状態（即ち、膜厚の増加状態）が正確かつ即時的に検出
される。
前記の制御部１２に予めプログラムを与えておい 。
て、膜厚が所定値に達したら成膜操作を停止させる。
上述の作用から明らかなように１本実施例において成膜
作業の途中で成膜スピードが変化しても製品の膜厚に影
響を及ぼす虞れが無い。
作業の途中で成膜スピードが変化しても製品の膜厚に影
響を及ぼす虞れが無い。
以上詳述したように、本発明の方法によれば、従来方法
におけるが如きテスト成膜を行う必要が無いので作業能
率が高く、その上、成膜条件の変動による成膜スピード
の変化が有っても一定膜厚の製品が得られるという優れ
た実用的効果を奏する。
におけるが如きテスト成膜を行う必要が無いので作業能
率が高く、その上、成膜条件の変動による成膜スピード
の変化が有っても一定膜厚の製品が得られるという優れ
た実用的効果を奏する。
第１図は、本発明の制御方法を実施するために構成した
気相成長式化学蒸着装置の制御機構の一例の説明図であ
る。 １・・・反応炉、２・・・サセプタ、３・・・半導体ウ
ェハ、７・・・電極板、８・・：管状に構成した導電部
材、１０・・・透明板。
気相成長式化学蒸着装置の制御機構の一例の説明図であ
る。 １・・・反応炉、２・・・サセプタ、３・・・半導体ウ
ェハ、７・・・電極板、８・・：管状に構成した導電部
材、１０・・・透明板。
Claims (1)
- 反応炉内に半導体ウェハを置いて加熱しつつ、該反応炉
内に反応ガスを送入、流通せしめ、化学反応によって半
導体ウェハの表面に薄膜を蒸着せしめる操作において、
前記反応炉の炉頂部がウェハに対向している部分に透明
板で覆った窓を設け、上記の窓の上方に設置したレーザ
干渉式測長器によってウェハ表面までの距離を測定して
、該ウェハ表面に蒸着された薄膜の厚さ寸法を算出し、
上記の膜厚が所定寸法に達したとき成膜操作を終了せし
めることを特徴とする気相成長式化学蒸着の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427785A JPS61272937A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長式化学蒸着の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427785A JPS61272937A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長式化学蒸着の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272937A true JPS61272937A (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=14633797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11427785A Pending JPS61272937A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長式化学蒸着の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206026A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11427785A patent/JPS61272937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206026A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
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