JPH02137033U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02137033U JPH02137033U JP4356489U JP4356489U JPH02137033U JP H02137033 U JPH02137033 U JP H02137033U JP 4356489 U JP4356489 U JP 4356489U JP 4356489 U JP4356489 U JP 4356489U JP H02137033 U JPH02137033 U JP H02137033U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- reaction tube
- gas
- introducing
- registration request
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案による第１の実施例を示す概略
断面図 第２図は第１図中のデイフユーザの平面
図、第３図は本考案による第２の実施例を示す概
略断面図、第４図は第３図中のデイフユーザの平
面図、第５図は従来の技術を示す概略断面図であ
る。 １…反応管、２…ガス導入口、３…デイフユー
ザ、４…チヤンバ、５…小孔、６…反応管、７…
チヤンバ、８…ガス導入口、９…デイフユーザ、
９ａ…上部デイフユーザ、９ｂ…下部デイフユー
ザ、１０…反応管、１１…ガス導入口、１０ａ，
１０ｂ…小孔、１１…反応管、１２…ガス導入口
。
断面図 第２図は第１図中のデイフユーザの平面
図、第３図は本考案による第２の実施例を示す概
略断面図、第４図は第３図中のデイフユーザの平
面図、第５図は従来の技術を示す概略断面図であ
る。 １…反応管、２…ガス導入口、３…デイフユー
ザ、４…チヤンバ、５…小孔、６…反応管、７…
チヤンバ、８…ガス導入口、９…デイフユーザ、
９ａ…上部デイフユーザ、９ｂ…下部デイフユー
ザ、１０…反応管、１１…ガス導入口、１０ａ，
１０ｂ…小孔、１１…反応管、１２…ガス導入口
。
Claims (1)
- 成長ガスを導入し結晶成長を行う反応管におい
て、ガス導入口に複数の小径の孔が形成された板
状の衝立を設けたことを特徴とする有機金属気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356489U JPH02137033U (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356489U JPH02137033U (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137033U true JPH02137033U (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=31556081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4356489U Pending JPH02137033U (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137033U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252931A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Toshiba Corp | 化合物半導体の気相成長装置 |
| JPH01117315A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体薄膜結晶の気相成長方法 |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP4356489U patent/JPH02137033U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252931A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Toshiba Corp | 化合物半導体の気相成長装置 |
| JPH01117315A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体薄膜結晶の気相成長方法 |