JPH0325229U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0325229U JPH0325229U JP8562489U JP8562489U JPH0325229U JP H0325229 U JPH0325229 U JP H0325229U JP 8562489 U JP8562489 U JP 8562489U JP 8562489 U JP8562489 U JP 8562489U JP H0325229 U JPH0325229 U JP H0325229U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- gas
- hole
- sides
- semiconductor wafers
- Prior art date
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- Pending
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例を示す不純物拡散
装置の概要図、第２図は、従来例を示す不純物拡
散装置の概要図、第３図は、リン拡散の態様を示
す説明図である。 １……拡散炉、２……支持具台、３……ウエア
支持具、４……半導体ウエハ、５……カバー、８
ａ〜８ｄ……ガス侵入口、１１ａ〜１１ｄ……ガ
ス吐出口、１２，１３……ヒータ。
装置の概要図、第２図は、従来例を示す不純物拡
散装置の概要図、第３図は、リン拡散の態様を示
す説明図である。 １……拡散炉、２……支持具台、３……ウエア
支持具、４……半導体ウエハ、５……カバー、８
ａ〜８ｄ……ガス侵入口、１１ａ〜１１ｄ……ガ
ス吐出口、１２，１３……ヒータ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数の半導体ウエハを内部に整列収容し、不純
物ガスを内部に供給することによつて所望の不純
物拡散をする不純物拡散装置において、 拡散炉本体両側部の半導体ウエハ整列範囲に対
応する範囲にわたり、不純物ガス出入用穴を形成
して一方側をガス侵入用穴とし他方側をガス吐出
用穴とするとともに、拡散炉外側の両側近傍に前
記不純物ガス出入用穴全体を加熱できるようにヒ
ータを配したことを特徴とする不純物拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8562489U JPH0325229U (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8562489U JPH0325229U (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325229U true JPH0325229U (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=31634851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8562489U Pending JPH0325229U (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325229U (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP8562489U patent/JPH0325229U/ja active Pending