JPH0295234U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0295234U JPH0295234U JP323489U JP323489U JPH0295234U JP H0295234 U JPH0295234 U JP H0295234U JP 323489 U JP323489 U JP 323489U JP 323489 U JP323489 U JP 323489U JP H0295234 U JPH0295234 U JP H0295234U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- plasma
- gas inlet
- gas
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案に係るプラズマ処理装置を示す
断面図、第2図は第1図における管体のA矢視図
、第3図は従来のプラズマ処理装置を示す断面図
、第4図a〜cはその多孔板を示す平面図である
。 14…半導体ウエハ、21…気密容器、23…
処理室、24,25…電極、28…ガス導入口、
29…有底箱、30…透孔、31…電極多孔板、
32…管体、34…ガス供給口。
断面図、第2図は第1図における管体のA矢視図
、第3図は従来のプラズマ処理装置を示す断面図
、第4図a〜cはその多孔板を示す平面図である
。 14…半導体ウエハ、21…気密容器、23…
処理室、24,25…電極、28…ガス導入口、
29…有底箱、30…透孔、31…電極多孔板、
32…管体、34…ガス供給口。
Claims (1)
- 反応ガスを導入するガス導入口を有しその内部
でプラズマが発生する処理容器を備えたプラズマ
処理装置において、前記ガス導入口に渦巻状の管
体を接続し、この管体に前記処理容器内に開口す
る複数のガス供給口を設けたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP323489U JPH0295234U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP323489U JPH0295234U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0295234U true JPH0295234U (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=31204689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP323489U Pending JPH0295234U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0295234U (ja) |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP323489U patent/JPH0295234U/ja active Pending