JPH02138419U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02138419U JPH02138419U JP4630789U JP4630789U JPH02138419U JP H02138419 U JPH02138419 U JP H02138419U JP 4630789 U JP4630789 U JP 4630789U JP 4630789 U JP4630789 U JP 4630789U JP H02138419 U JPH02138419 U JP H02138419U
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- Japan
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- thin film
- tube
- semiconductor thin
- forming apparatus
- film forming
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 4
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Description
第１図は本考案の実施例を示す半導体薄膜形成
装置の反応管の構成図、第２図はその反応管のダ
スト防止用カバーの分解斜視図、第３図は従来の
半導体薄膜形成装置の概略構成図である。 １１……外管、１２……内管、１３，１４……
ガス導入口、１５……サセプタ（基板ホルダ）、
１６……基板、１７……ポンプ、１８……ダスト
防止用カバー本体、１９……蓋、２０……反応部
分、２１……把手。
装置の反応管の構成図、第２図はその反応管のダ
スト防止用カバーの分解斜視図、第３図は従来の
半導体薄膜形成装置の概略構成図である。 １１……外管、１２……内管、１３，１４……
ガス導入口、１５……サセプタ（基板ホルダ）、
１６……基板、１７……ポンプ、１８……ダスト
防止用カバー本体、１９……蓋、２０……反応部
分、２１……把手。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体薄膜を結晶成長させるための半導体
薄膜形成装置における反応管において、 (a) 排気用ベントラインが接続される外管と
、 (b) 結晶成長ラインが接続され、前記外管よ
りは短く設置されるとともに、内側にダスト防止
用カバーを具備する内管とを設け、 (c) 前記外管の内管とに二系列のガスを導入
し、ガスの流出口付近で前記外管と内管の圧力が
等しくなるようにガスを合流させてなる半導体薄
膜形成装置の反応管。 (2) 請求項１記載の半導体薄膜形成装置の反応
管におけるダスト防止用カバーの基板ホルダの上
部及び側面部には脱着可能な蓋を設けてなる半導
体薄膜形成装置の反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989046307U JPH0715133Y2 (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体薄膜形成装置の反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989046307U JPH0715133Y2 (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体薄膜形成装置の反応管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138419U true JPH02138419U (ja) | 1990-11-19 |
| JPH0715133Y2 JPH0715133Y2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=31561276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989046307U Expired - Lifetime JPH0715133Y2 (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体薄膜形成装置の反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715133Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119743U (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | サンケン電気株式会社 | 化学的気相付着装置 |
| JPS63226919A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1989046307U patent/JPH0715133Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119743U (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | サンケン電気株式会社 | 化学的気相付着装置 |
| JPS63226919A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715133Y2 (ja) | 1995-04-10 |