KR20120033259A - 종형 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

복수의 기판을 선반 형상으로 보지(保持)하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관; 상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및 상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고, 상기 기판 보지구는, 각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및 각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주(支柱)로서, 상기 반응관의 지름 방향에 있어서 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치가 제공된다.

Description

종형 열처리 장치{VERTICAL HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 기판 보지구(holder)에 선반 형상으로 적재된 복수매의 기판에 대하여 처리 가스를 공급하여 열처리를 행하는 종형 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하 「웨이퍼」라고 함)에 대하여 성막 처리 등의 열처리를 행하는 열처리 장치로서, 기판 보지구인 웨이퍼 보트에 다수의 웨이퍼를 선반 형상으로 적재함과 함께, 이 웨이퍼 보트를 반응관 내에 기밀하게 수납하고, 진공 분위기에 있어서 당해 반응관 내에 성막 가스를 공급하여 박막을 성막하는 배치식(batch-type)의 종형 열처리 장치가 알려져 있다. 이 웨이퍼 보트는, 원판 형상의 천판(天板) 및 저판(底板)과, 이들 천판 및 저판 간을 외주측으로부터 둘레 방향에 걸쳐 복수 개소에 있어서 접속하는 지주(支柱)를 갖고 있다. 이들 지주의 측면에는, 슬릿 형상의 홈이 웨이퍼의 수납 영역을 향하도록 상하 방향에 걸쳐 복수 개소에 형성되어 있다. 각각의 웨이퍼는 단부(端部)가 이들 지주의 홈에 지지되도록 수납된다. 웨이퍼 보트에 지지되는 웨이퍼의 외주부와 반응관의 내벽과의 사이에는, 지주가 배치되는 영역에 대응하도록, 둘레 방향에 걸쳐 극간(gap) 영역이 형성되어 있다.
이 반응관 내에 성막 가스를 공급하는 방법으로서는, 특허문헌 1과 같이, 각각의 웨이퍼에 있어서 수평 방향으로 가스류(流)가 형성되도록, 크로스 플로우 방식이 채용되는 경우가 있다. 구체적으로는, 예를 들면 반응관을 내관 및 외관으로 이루어지는 이중관 구조로 하여, 상하 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 배기구를 내관에 형성함과 함께, 배기구에 대향하도록 연직 방향으로 연장되는 가스 인젝터를 웨이퍼 보트의 측방에 배치한다. 그리고, 각각의 웨이퍼의 높이 위치에 대응하도록 가스 인젝터의 측벽에 가스 토출구을 복수 개소에 형성하고, 각각의 웨이퍼에 있어서 가스 토출구로부터 배기구를 향하는 가스류를 형성한다.
이때, 웨이퍼 보트에 지지되는 웨이퍼의 외주부와 반응관(내관)과의 사이에는, 이미 서술한 바와 같이 둘레 방향에 걸쳐 극간 영역이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 가스 인젝터로부터 토출되는 성막 가스는, 웨이퍼 간의 좁은 영역보다도 이 극간 영역을 통류(通流)하려고 한다. 그 때문에, 웨이퍼 간의 좁은 영역으로부터 각각의 웨이퍼에 공급되는 가스량이 적어져, 처리 가스의 사용 효율이 저하된다.
특허문헌 2, 3에는, 웨이퍼 디스크(23b)나 서셉터(16)에 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 나열하는 기술이 기재되어 있고, 또한 특허문헌 4에는, 웨이퍼를 상하로 적층하여 처리를 행하는 장치가 기재되어 있지만, 이미 서술한 과제에 대해서는 기재되어 있지 않다.
일본공개특허공보 2009-206489호 일본공개특허공보 2010-73823호 일본공개특허공보 소61-136676호 일본공개특허공보 2000-208425호
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 보지구에 선반 형상으로 적재된 복수의 기판의 각각에 대하여 측방측으로부터 처리 가스를 공급하여 반응관 내에서 열처리를 행함에 있어서, 처리 가스의 사용 효율을 향상시킬 수 있는 종형 열처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 복수의 기판을 선반 형상으로 보지(保持; holding)하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관; 상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및 상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고, 상기 기판 보지구는, 각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및 각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연(外緣)과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 복수의 기판을 선반 형상으로 보지하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관; 상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및 상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고, 상기 기판 보지구는, 각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및 각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연으로부터 외측으로 3mm 튀어나온 위치 또는 당해 위치보다도 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 복수의 기판을 선반 형상으로 보지하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관; 상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및 상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고, 상기 기판 보지구는, 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및 상기 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 보지판의 외연과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖고, 상기 보지판의 외연과 상기 반응관의 내벽과의 사이의 이간(離間) 치수는, 상기 보지판 상에 지지되는 기판의 상면과 당해 기판의 상방 측에서 대향하는 보지판의 하면과의 사이의 이간 치수보다도 짧게 설정되어 있는 종형 열처리 장치가 제공된다.
본 발명의 실시 형태에 의하면, 보지판과 반응관과의 사이의 극간을 좁게 할 수 있어, 보지판의 외방(外方)을 통과하는 처리 가스의 양을 억제함으로써, 처리 가스의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 일부를 확대하여 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치에 있어서의 작용을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 작용을 나타내는 일부 확대 측면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치에 있어서의 작용을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치에 있어서의 작용을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치에 있어서의 작용을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 다른 예를 나타내는 일부 확대 횡단 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 다른 예를 나타내는 반응관의 사시도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 종형 열처리 장치의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
(적합한 실시예의 상세한 설명)
(1.처음에)
웨이퍼에 대하여 성막 처리 등의 열처리를 행하는 열처리 장치로서, 웨이퍼 보트에 100매?150매 정도의 웨이퍼를 선반 형상으로 적재함과 함께, 이 웨이퍼 보트를 반응관 내에 기밀하게 수납하고, 진공 분위기에 있어서 당해 반응관 내에 성막 가스를 공급하여 박막을 성막하는 배치식의 종형 열처리 장치가 알려져 있다. 이 웨이퍼 보트는, 원판 형상의 천판 및 저판과, 이들 천판 및 저판 간을 외주측으로부터 둘레 방향에 걸쳐 복수 개소에 있어서 접속하는 지주를 갖고 있다. 이들 지주의 측면에는, 슬릿 형상의 홈이 웨이퍼의 수납 영역을 향하도록 상하 방향에 걸쳐 복수 개소에 형성되어 있다. 각각의 웨이퍼는 단부가 이들 지주의 홈에 지지되도록 수납된다. 웨이퍼 보트에 지지되는 웨이퍼의 외주부와 반응관의 내벽과의 사이에는, 지주가 배치되는 영역에 대응하도록, 둘레 방향에 걸쳐 극간 영역이 형성되어 있다.
이 반응관 내에 성막 가스를 공급하는 방법으로서는, 크로스 플로우 방식이 채용되는 경우가 있다. 구체적으로는, 예를 들면 반응관을 내관 및 외관으로 이루어지는 이중관 구조로 하고, 상하 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 배기구를 내관에 형성함과 함께, 배기구에 대향하도록 연직 방향으로 연장되는 가스 인젝터를 웨이퍼 보트의 측방에 배치한다. 그리고, 각각의 웨이퍼의 높이 위치에 대응하도록 가스 인젝터의 측벽에 가스 토출구을 복수 개소에 형성하여, 각각의 웨이퍼에 있어서 가스 토출구로부터 배기구를 향하는 가스류를 형성한다.
이때, 웨이퍼 보트에 지지되는 웨이퍼의 외주부와 반응관(내관)과의 사이에는, 이미 서술한 바와 같이 둘레 방향에 걸쳐 극간 영역이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 가스 인젝터로부터 토출되는 성막 가스는, 웨이퍼 간의 좁은 영역보다도 이 극간 영역을 통류하려고 한다. 그 때문에, 웨이퍼 간의 좁은 영역으로부터 각각의 웨이퍼에 공급되는 가스량이 설정치보다 적어져, 생산성(성막 레이트) 및 면 내에 있어서의 막두께의 균일성이나 피복성(커버리지성)이 나빠져 버리는 경우가 있다. 또한, 성막에 기여하지 않고 성막 가스가 배출되면, 당해 성막 가스의 사용량이 많아져, 비용 증가로 이어져 버린다.　 최근에 있어서, 통상의 12인치(300mm) 사이즈의 웨이퍼를 대신하여, 직경 치수가, 예를 들면 4인치(100mm) 정도의 탄화 규소(SiC) 기판이나 태양 전지용의 실리콘(Si) 기판에 대하여, 예를 들면 알루미나(Al2O3)막을 성막하는 프로세스가 검토되고 있다. 또한, 웨이퍼(W)로서, 예를 들면 외경 치수가 100mm의 사파이어 기판을 이용하여, 이 웨이퍼(W)에 대하여 MO-CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에 의해 GaN(질화 갈륨)막을 성막 하여 LED(Light Emitting Diode) 디바이스를 제작하는 프로세스도 검토되고 있다. 그러나, 웨이퍼 보트에 이들 기판을 선반 형상으로 적재하여 이 프로세스를 행하려고 하면, 12인치 사이즈의 웨이퍼에 비하여 기판 사이즈가 작기 때문에, 장치의 비용이 상대적으로 높아져 버린다. 또한, 웨이퍼 보트(종형 열처리 장치)의 높이 치수가, 예를 들면 클린 룸의 천정면 등에 의해 제한되기 때문에, 장치의 비용을 낮추기 위해 웨이퍼 보트에 적재하는 기판의 수량(슬롯의 수량)을 늘리는 것은 곤란하다. 그래서, 이하에서는, 사용 효율을 높이기 위해 적합한 본 발명의 일 실시 형태에 따른 종형 열처리 장치에 대해서 설명한다.
(2.실시 형태)
본 실시 형태에 따른 종형 열처리 장치에 대해서, 도 1?도 3을 참조하여 설명한다. 이 종형 열처리 장치는, 웨이퍼(W)를 선반 형상으로 적재하기 위한, 예를 들면 석영으로 이루어지고 기판 보지구의 일 예인 웨이퍼 보트(11)와, 이 웨이퍼 보트(11)를 내부에 수납하고 각각의 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 행하기 위한, 예를 들면 석영으로 이루어지는 반응관(12)을 갖는다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)는 Si(실리콘)로 구성되고, 직경 치수 및 두께 치수가 각각, 예를 들면 4인치(100mm) 및 0.75mm로 되어 있다. 반응관(12)의 외측에는, 내벽면에 둘레 방향에 걸쳐 가열부의 일 예인 히터(13)가 배치된 가열로 본체(14)가 설치되어 있고, 반응관(12) 및 가열로 본체(14)는, 수평 방향으로 연장되는 지지부(15)에 의해 하단부가 둘레 방향에 걸쳐 지지되어 있다.
반응관(12)은, 외관(12a)과, 외관(12a)의 내부에 수납된 내관(12b)과의 이중관 구조로 되어 있고, 이들 외관(12a) 및 내관(12b)의 각각은, 하면측이 개구하도록 형성되어 있다. 또한, 외관(12a)은 제1 반응관의 일 예이고, 내관(12b)은 제2 반응관의 일 예이다. 내관(12b)의 천정면은 수평으로 형성되고, 외관(12a)의 천정면은 외측으로 볼록해지도록 개략 원통 형상으로 형성되어 있다. 이 내관(12b)은, 측면의 일단(一端)측이 당해 내관(12b)의 길이 방향을 따라서 외측으로 볼록해지도록 형성되어 있어, 이 외측으로 볼록해진 부분에 후술의 가스 공급부를 이루는 가스 인젝터(51)가 수납된다. 또한, 내관(12b)의 측면에 있어서의 상기 가스 인젝터(51)가 수납되는 영역에 대향하는 면에는, 도 2에도 나타내는 바와 같이, 당해 내관(12b)의 길이 방향으로 슬릿 형상의 배기구(16)가 형성되어 있다. 즉, 배기구(16)는, 반응관(12)의 중심에 대하여 가스 인젝터(51)(가스 토출구(52))와는 반대측 위치에 형성되어 있다. 이 가스 인젝터(51)로부터 내관(12b)에 공급되는 처리 가스는, 이 배기구(16)를 개재하여 내관(12b)과 외관(12a)과의 사이의 영역으로 배기된다. 그리고, 이들 외관(12a) 및 내관(12b)은, 하단면이 플랜지 형상으로 형성됨과 함께 상하면이 개구하는 개략 원통 형상의 플랜지부(17)에 의해, 하방측으로부터 각각 기밀하게 지지되어 있다. 즉, 플랜지부(17)의 상단면에 의해 외관(12a)이 기밀하게 지지되고, 플랜지부(17)의 내벽면으로부터 내측을 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(17a)에 의해 내관(12b)이 기밀하게 지지되어 있다. 이 내관(12b)의 내경 치수는, 예를 들면 330mm로 되어 있다.
플랜지부(17)의 측벽에는, 내관(12b)과 외관(12a)과의 사이의 영역에 연통(communication)하도록 배기구(21)가 형성되어 있고, 이 배기구(21)는, 배기 포트(21a)를 개재하여 배기로(22)로 연결된다. 배기로(22)는, 버터플라이 밸브 등의 압력 조정부(23)를 개재하여 진공 펌프(24)가 접속되어 있다. 플랜지부(17)의 하방측에는, 당해 플랜지부(17)의 하단부인 플랜지면에, 외연부가 둘레 방향에 걸쳐 기밀하게 접촉하도록 개략 원판 형상으로 형성된 덮개체(25)가 설치되어 있고, 이 덮개체(25)는, 도시하지 않은 보트 엘리베이터 등의 승강 기구에 의해, 웨이퍼 보트(11)와 함께 승강 가능하다. 도 1의 단열체(26)는, 웨이퍼 보트(11)와 덮개체(25)와의 사이에 원통 형상으로 형성되고, 모터(27)는 웨이퍼 보트(11) 및 단열체(26)를 연직축 둘레로 회전시키기 위한 회전 기구의 일 예이다. 또한, 도 1의 회전축(28)은, 덮개체(25)를 기밀하게 관통하여 모터(27)와 웨이퍼 보트(11) 및 단열체(26)를 접속한다.
계속하여, 웨이퍼 보트(11)에 대해서 상술한다. 이 웨이퍼 보트(11)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수매, 예를 들면 5매의 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 각각 수평으로 올려놓기 위해, 직경 치수가, 예를 들면 300mm로 설정된 원형 형상의 보지판(31)과, 복수, 이 예에서는 150매의 보지판(31)을 선반 형상으로 적층하기 위해, 외주측으로부터 복수 개소에 있어서 이들 보지판(31)을 지지하는 연직 방향으로 연장되는 지주(32)를 갖고 있다. 이 웨이퍼 보트(11)에 있어서, 서로 인접하는 보지판(31, 31) 간의 이간 치수(하나의 보지판(31)의 상면과, 당해 하나의 보지판(31)의 상방측에 대향하는 보지판(31)의 하면과의 사이의 거리)(k)는, 예를 들면 8mm로 되어 있다.
이 예에서는, 5개의 지주(32)가 등간격으로 배치되어 있고, 각각의 지주(32)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 보지판(31)의 외연보다도 외측(내관(12b)측)으로 튀어나오지 않도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 각각의 보지판(31)의 외주부에는, 지주(32)가 수납되도록 당해 보지판(31)의 중심부측을 향하여 패인 오목부(35)가 복수 개소, 예를 들면 5개소에 형성되어 있다. 각각의 지주(32)는, 높이 방향에 걸쳐 각각의 보지판(31)의 오목부(35)에 수납된 상태(끼워 넣어진 상태)로 보지판(31)에 용착(溶着)되어 있다. 즉, 각각의 지주(32)는, 이들 보지판(31)의 주연부를 관통하여 당해 보지판(31)을 지지하고 있다. 그리고, 각각의 보지판(31)의 외연과 내관(12b)의 내벽과의 사이의 이간 치수(t)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 이미 서술한 보지판(31, 31)의 이간 치수(k)보다도 짧게 설정되며, 예를 들면 5mm로 되어 있다. 도 2 및 도 3의 기둥부(36)는, 각각의 보지판(31)의 중앙부를 관통하도록 이들 보지판(31)을 지지한다. 또한, 웨이퍼 보트(11)의 상단부 및 하단부에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 각각 원판 형상의 천판(37) 및 저판(38)이 설치되어 있지만, 도 3에서는 이들 천판(37) 및 저판(38)을 생략하여 웨이퍼 보트(11)의 일부를 확대하여 묘화하고 있다.
각각의 보지판(31)에 있어서 웨이퍼(W)를 올려놓는 기판 재치 영역(33)은, 보지판(31)의 외연측에 있어서의 웨이퍼(W)의 외주부가 당해 보지판(31)의 외연 상에 위치하도록 각각 배치되어 있다. 따라서, 반응관(12)의 지름 방향에서 보았을 때의 웨이퍼(W)의 외연과 이미 서술한 지주(32)의 외주면은, 보지판(31)의 윤곽선 (즉, 보지판(31)과 동일한 직경을 갖는 동심원의 원주) 상에 있어서 정돈되어 있다. 즉, 본 실시 형태의 일 측면에 의하면, 반응관(12)의 중심에 대하여, 보지판(31)의 외연의 지름 방향의 위치는, 지주(32)의 외주의 지름 방향의 위치 (도 3의 외측 부위(OP)) 와 동일하다. 바꾸어 말하면, 보지판(31)의 외연과 지주(32)의 외측 부위(OP)는 반응관(12)의 지름 방향에 있어서, 반응관(12)의 중심으로부터 등(等) 거리에 있다. 여기에서, 지주(32)의 외측 부위(OP)는, 반응관(12)의 지름 방향에 있어서 반응관(12)의 중심으로부터 가장 먼, 즉 가장 이간된 지주(32)의 외주 위치이다. 또한, 각각의 기판 재치 영역(33)은, 당해 기판 재치 영역(33)에 올려놓여지는 웨이퍼(W)의 상면의 높이 위치가 보지판(31)의 상면과 동일한 높이 위치가 되도록, 즉 웨이퍼(W)의 표면과 보지판(31)의 표면이 동일면 내에 위치하도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 이 기판 재치 영역(33)에 수납되는 웨이퍼(W)의 두께 치수(예를 들면 0.5mm?2mm)에 따라서, 기판 재치 영역(33)의 표면과 당해 표면에 대향하는 보지판(31)의 하면과의 사이의 치수는, 예를 들면 8?10mm로 설정되어 있다. 각각의 보지판(31)에는, 도 3에 모식적으로(schematically) 나타내는 외부의 반송 아암(60)과의 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 인수 인도를 행하기 위해, 각각의 기판 재치 영역(33)의 중앙부 및 이 중앙부보다도 보지판(31)의 외주측의 영역이 절결된 절결부(cut; 34)가 형성되어 있다. 따라서, 각각의 기판 재치 영역(33)에 있어서, 웨이퍼(W)는 주연부가 하방측으로부터 지지된다. 또한, 도 1에서는 웨이퍼(W)의 위치를 모식적으로 나타내고 있다. 또한, 도 2에서는, 절결부(34)를 묘화 하기 위해, 하나의 웨이퍼(W)의 윤곽을 파선으로 나타내고 있다.
그리고, 웨이퍼 보트(11)에 웨이퍼(W)를 올려놓을 때에는, 반응관(12)의 하방 위치에 웨이퍼 보트(11)를 하강시킨 상태로, 웨이퍼(W)를 지지한 반송 아암(60)이 기판 재치 영역(33)의 상방측으로부터 절결부(34)를 개재하여 하방측을 통과하도록 하강하면, 웨이퍼(W)가 기판 재치 영역(33)에 올려놓여진다. 또한, 다른 기판 재치 영역(33)이 반송 아암(60)측을 향하도록 웨이퍼 보트(11)를 연직축 둘레로 회전시키고, 동일하게 하여 기판 재치 영역(33)에 웨이퍼(W)를 올려놓는다. 이와 같이 하여 웨이퍼 보트(11)를 간헐적으로 회전시켜 5매의 웨이퍼(W)를 보지판(31)에 올려놓은 후, 반송 아암(60)을, 예를 들면 하강시켜, 상기 보지판(31)의 하방에 위치하는 보지판(31)에 대하여 동일하게 5매의 웨이퍼(W)가 올려놓여진다. 웨이퍼 보트(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출(unload)할 때는, 웨이퍼 보트(11)에 웨이퍼(W)를 올려놓을 때와는 반대의 순서로 이들 웨이퍼 보트(11) 및 반송 아암(60)이 구동한다. 또한, 반송 아암(60)을 다단(多段)으로 적층하여, 복수매의 웨이퍼(W)를 일괄적으로 웨이퍼 보트(11)에 대하여 인수 인도해도 좋다.
이미 서술한 가스 인젝터(51)는, 예를 들면 석영으로 구성되어 있고, 웨이퍼 보트(11)의 길이 방향을 따라 배치되어 있다. 이 가스 인젝터(51)의 측벽에는, 웨이퍼 보트(11)측에 면하도록, 가스 토출구(52)가 상하 방향에 걸쳐 복수 개소에 형성되어 있다. 이들 가스 토출구(52)는, 웨이퍼 보트(11)에 수납되는 웨이퍼(W)의 각각의 높이 위치에 대응하도록 배치되어 있어, 즉 하나의 보지판(31)과, 이 하나의 보지판(31)의 상방에 대향하는 다른 보지판(31)과의 사이에 각각 배치되어 있다. 가스 인젝터(51)는, 일단측이 이미 서술한 플랜지부(17)의 측벽을 관통하여 내관(12b)에 삽입되어 있고, 타단측이 밸브(53) 및 유량 조정부(54)를 개재하여 처리 가스가 저류(貯留)된 가스 저류원(55)에 접속되어 있다. 이 가스 인젝터(51)는, 도 2에 나타내는 바와 같이 가로로, 또한 복수개, 예를 들면 4개 설치되어 있다. 이하에서는, 이들 4개의 가스 인젝터(51)를 각각 가스 인젝터(51a, 51b, 51c, 51d)로 나타낸다. 이들 가스 인젝터(51a?51d)에는, 제1 처리 가스인 TMA(트리메틸알루미늄) 가스, 제2 처리 가스인 O3(오존) 가스, 제3 처리 가스인 TEMAHf(테트라키스에틸메틸아미노하프늄) 및 퍼지 가스인 N2(질소) 가스의 저류원(54a?54d)이 각각 접속되어 있다. 각 가스 인젝터(51)의 가스 토출구(52)는 배기구(16)를 향하고 있지만, 지주(32)가 막두께의 균일성에 영향을 미칠 우려가 있는 경우는, 배기구(16)를 향하지 않도록, 구체적으로는 배기구(16)로부터 근소하게 수평 방향으로 이간한 위치를 향하도록 해도 좋다.
이 종형 열처리 장치에는, 장치 전체 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(56)가 설치되어 있고, 이 제어부(56)의 메모리 내에는 후술의 성막 처리를 행하기 위한 프로그램이 격납되어 있다. 이 프로그램은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체인 기억부로부터 제어부(56) 내에 인스톨된다.
다음으로, 상기 실시 형태에 따른 종형 열처리 장치의 작용에 대해서 설명한다. 먼저, 반응관(12)의 하방측에 웨이퍼 보트(11)를 하강시켜, 이미 서술한 바와 같이 웨이퍼 보트(11)를 간헐적으로 회전시키면서, 반송 아암(60)에 의해 각각의 보지판(31) 상에 5매의 웨이퍼(W)를 올려놓는다. 그리고, 예를 들면 750(5×150)매의 웨이퍼(W)를 올려놓은 웨이퍼 보트(11)를 반응관(12) 내에 삽입함과 함께, 플랜지부(17)의 하면과 덮개체(25)의 상면을 기밀하게 접촉시킨다. 이어서, 진공 펌프(24)에 의해 반응관(12) 내의 분위기(가스 분위기)를 진공 배기함과 함께, 웨이퍼 보트(11)를 연직축 둘레로 회전시키면서, 히터(13)에 의해 이 웨이퍼 보트(11) 상의 웨이퍼(W)가, 예를 들면 300℃ 정도가 되도록 가열한다. 계속하여, 압력 조정부(23)에 의해 반응관(12) 내의 압력을 처리 압력으로 조정하면서, 당해 반응관(12) 내에 가스 인젝터(51a)로부터 TMA 가스를 공급한다.
이때, 각각의 웨이퍼(W)의 측방측에 가스 토출구(52)가 위치하고 있고, 또한 웨이퍼 보트(11)의 보지판(31)의 외연과 내관(12b)의 내벽과의 사이의 영역보다도, 보지판(31, 31) 간의 영역 쪽이 넓어져 있다. 그 때문에, 반응관(12) 내에 공급된 TMA 가스는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 보트(11)의 보지판(31)의 외연과 내관(12b)의 내벽과의 사이의 좁은 영역보다도 넓은 영역인 보지판(31, 31) 간의 영역을 통류하려고 한다. 즉, 각각의 가스 토출구(52)로부터 토출하는 TMA 가스는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보지판(31, 31)에 의해 상방측 및 하방측으로의 확산이 규제되어 있다고 말할 수 있다. 따라서, TMA 가스는, 층류의 상태로 웨이퍼(W)의 상방측을 수평 방향으로 통류하여 배기구(16)를 향해 간다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)에 TMA 가스가 접촉하면, 웨이퍼(W)의 표면에 TMA 가스의 원자층 혹은 분자층이 흡착한다. 그리고, 웨이퍼(W)에 흡착하지 않았던 TMA 가스는, 배기구(16, 21)를 개재하여 반응관(12)의 외부로 배출된다.
이어서, TMA 가스의 공급을 정지함과 함께, 도 6에 나타내는 바와 같이, 반응관(12) 내에 N2 가스를 공급하여, 당해 반응관(12) 내의 분위기를 치환한다. 계속하여, N2 가스의 공급을 정지하고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 반응관(12) 내에 O3 가스를 공급한다. 이 O3 가스는, 동일하게 가스 토출구(52)의 각각으로부터 웨이퍼(W)를 향하여 층류의 상태로 통류하여, 각각의 웨이퍼(W)에 흡착한 TMA 가스의 성분을 산화하여 알루미나(Al2O3)로 이루어지는 반응 생성물을 생성한다. 그리고, O3 가스의 공급을 정지한 후, N2 가스에 의해 반응관(12)의 분위기를 치환한다. 이와 같이 하여 TMA 가스, N2 가스, O3 가스 및 N2 가스를 이 순서대로 공급하는 공급 사이클을 복수회 행하여, 상기 반응 생성물의 층을 적층한다.
그 후, 도 8에 나타내는 바와 같이, 동일하게 하여 반응관(12) 내에 층류의 상태로 TEMAHf 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 이 가스를 흡착시킨다. 그리고 나서, N2 가스 및 O3 가스를 이 순서대로 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 산화 하프늄(HfO2)으로 이루어지는 반응 생성물을 형성한다. 그리고, 이들 가스를 순서대로 공급하는 공급 사이클을 복수회 행하여, 산화 하프늄의 반응 생성물을 적층하여 박막을 형성한다. 그 후, 반응관(12) 내를 대기 분위기로 되돌린 후, 웨이퍼 보트(11)를 하강시켜, 반송 아암(60)에 의해 웨이퍼(W)를 취출한다.
본 실시 형태에 의하면, 기판 보지구에 보지되는 각 기판에, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 형성된 가스 토출구(52)로부터 처리 가스를 토출하여 열처리를 행하는 종형 열처리 장치에 있어서, 복수의 원형 형상의 보지판(31)을 적층함과 함께 각 보지판에 복수의 기판을 보지하고, 이들 복수의 보지판(31)의 주연부를 지지하는 지주를 보지판(31)의 외연로부터 튀어나오지 않도록 배설한다. 이에 따라, 보지판과 반응관과의 사이의 극간을 좁게 할 수 있다. 이 결과, 보지판(31)의 외방을 통과하는, 처리에 기여하지 않는 처리 가스의 양을 억제할 수 있다. 이 때문에 처리 가스의 유효 이용을 도모할 수 있고, 바꾸어 말하면 처리 가스의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 각각의 보지판(31)에 복수매의 기판을 배치하고 있기 때문에, 보지판(31)에 1매의 기판을 배치하는 경우보다도, 1매의 기판에 요하는 장치의 풋 프린트를 억제할 수 있기 때문에 장치의 비용을 저감시킬 수 있다.
보다 구체적으로는, 전술의 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 보트(11)에 보지되는 각 웨이퍼(W)에, 각 웨이퍼(W)에 대응하는 높이 위치에 형성된 각 가스 토출구(52)로부터 처리 가스를 토출하여 열처리를 행하는 종형 열처리 장치에 있어서, 복수의 원형 형상의 보지판(31)을 적층함과 함께 각 보지판(31)에 복수의 웨이퍼(W)를 보지하고, 이들 복수의 보지판(31)의 주연부를 지지하는 지주(32)를 보지판(31)의 외연로부터 튀어나오지 않도록 배설한다. 따라서, 보지판(31)과 반응관(12)과의 사이의 극간을 좁게 할 수 있는 점에서, 보지판(31)의 외방을 통과하는, 처리에 기여하지 않는 처리 가스의 양이 억제된다. 이 때문에 처리 가스의 유효 이용을 도모할 수 있고, 바꾸어 말하면 처리 가스를 효율적으로 웨이퍼(W)의 표면에 공급할 수 있다. 또한, 처리 가스의 유효 이용을 도모함으로써 박막을 신속하게 형성할 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 각각의 웨이퍼(W)에 충분한 양의 처리 가스가 공급되는 점에서, 웨이퍼(W)의 면 내에 있어서 균일한 막두께의 박막을 얻을 수 있고, 웨이퍼(W)의 표면에 홈이나 홀 등의 오목부가 형성되어 있었다고 해도, 당해 오목부 내에 처리 가스가 널리 퍼지기 때문에, 대량의 처리 가스를 공급하지 않아도, 커버리지성(피복성)이 높은 박막을 얻을 수 있다. 또한, 이 보지판(31)은 웨이퍼(W)의 외연 영역을 지지하는 것으로, 판 형상의 보지판과 상이하게 웨이퍼(W)의 이면(裏面)으로의 성막이 가능해지기 때문에, 웨이퍼(W)가 판두께 방향(상하 방향)으로 휘거나 하는 것을 억제할 수 있다.
각각의 보지판(31)에 복수매의 웨이퍼(W)를 배치하고 있기 때문에, 보지판(31)에 1매의 웨이퍼(W)를 배치하는 경우보다도, 1매의 웨이퍼(W)에 요하는 장치의 풋 프린트를 억제할 수 있어, 이에 따라 장치의 비용을 저감시킬 수 있다. 일반적으로, 종래의 장치에서는 보지판에 1매의 웨이퍼(W)를 수납한 슬롯을 선반 형상으로 적재하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각각의 보지판(31)에 적재하는 웨이퍼(W)의 매수를, 예를 들면 5매로 한다. 본 실시 형태의 장치 구성에 의하면, 장치의 처리 능력이 5배가 되는 한편, 장치의 풋 프린트(반응관(12)의 외경 치수)는 3배 정도에 그친다. 그 때문에, 예를 들면 클린 룸의 천정면에 의해 종형 열처리 장치(웨이퍼 보트(11))의 높이 치수가 제한되어 있어도, 당해 종형 열처리 장치에서 처리할 수 있는 웨이퍼(W)의 매수를 늘릴 수 있기 때문에, 1매의 웨이퍼(W)를 처리하기 위해 필요한 장치의 비용을 저감시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 본 실시 형태에서는, 한 번에 처리할 수 있는 웨이퍼(W)의 매수를 수배 정도로까지 늘릴 수 있다. 또한, 이 예에서는 직경 치수가 100mm 사이즈의 5매의 웨이퍼(W)를 각각 보지판(31)에 둘레 방향으로 나열하고 있기 때문에, 일반적인 300mm 사이즈 웨이퍼용의 장치(반응관(12)이나 가열로 본체(14))를 유용할 수 있고, 또한 300mm 사이즈의 웨이퍼(W)로 확립된 프로세스 조건, 장치 운전 조건이 그대로 이용 가능하다. 이와 같이 처리 가스의 유효 이용을 도모함에 있어서, 웨이퍼 보트(11)의 보지판(31)의 외연과 내관(12b)의 내벽과의 사이의 이간 치수(t)는, 내관(12b) 내에 있어서 웨이퍼 보트(11)를 회전시킬 수 있을 정도의 좁은 치수, 구체적으로는 3?8mm 바람직하게는 5?8mm이다. 따라서, 반응관(12)의 지름 방향에서 보았을 때의 지주(32)의 외측 부위(OP)(도 3)는, 보지판(31)의 외연보다도 내측 가까이에 위치하고 있어도 좋고, 혹은 지주(32)가 보지판(31)의 외연보다도 튀어나와 있어도 그 치수가 근소하여, 본 실시 형태의 효과가 얻어지는 범위라면 허용된다. 구체적으로는, 지주(32)는, 보지판(31)의 외연으로부터 외측으로 3mm 튀어나온 위치 또는 그 위치보다도 내측 가까이면 좋다. 이상의 예에서는, 각각의 보지판(31)에 5매의 웨이퍼(W)를 올려놓았지만, 도 9에 나타내는 바와 같이 3매의 웨이퍼(W)를 올려놓아도 좋다. 이 경우에는, 1매의 웨이퍼(W)를 수납한 슬롯을 선반 형상으로 적층하는 경우와 비교하여, 장치의 처리 능력이 3배가 되지만, 장치의 풋 프린트는 2.2배 정도로 그치기 때문에, 이미 서술한 예와 동일하게 장치의 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 보지판(31)에 올려놓는 웨이퍼(W)의 매수로서는, 2매 이상이라도 좋다. 보지판(31)에 2매의 웨이퍼(W)를 올려놓는 경우라도, 이미 서술한 예와 동일하게 처리 가스의 유효 이용을 도모할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)로서는, 이미 서술한 바와 같이 100mm 사이즈 이외에도, 외경 치수가 통상의 300mm의 웨이퍼(W)를 이용해도 좋다. 추가로 또한, 예를 들면 태양 전지용의 다결정 실리콘으로 이루어지는 각형의 웨이퍼(W)라도, 당해 웨이퍼(W)의 외형에 대응하는 기판 재치 영역(33)을 보지판(31)에 형성함으로써, 보지판(31, 31) 간에 있어서 층류 상태의 가스류를 형성할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 외형에 관계없이 균일한 처리를 행할 수 있고, 또한 처리 가스의 유효 이용을 도모함과 함께 장치의 비용을 저감시킬 수 있다. 도 10은, 이러한 각형의 웨이퍼(W)를 보지판(31)에 복수매, 예를 들면 3매 올려놓은 일 예를 나타내고 있다.
또한, 이미 서술한 예에서는, 원자층 혹은 분자층의 처리 가스를 웨이퍼(W)의 표면에 흡착시키고, 이어서 이 처리 가스를 산화하여 반응 생성물을 형성하는 ALD(Atomic　Layer　Deposition)법을 이용하여 박막을 형성했지만, CVD(Chemical　Vapor　Deposition)법에 의해 박막을 형성해도 좋다. 이 경우에는, 예를 들면 이미 서술한 TMA 가스와 O3 가스가 동시에 반응관(12) 내에 공급된다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법으로 본 실시 형태의 종형 열처리 장치를 적용했지만, 처리 가스로서, 예를 들면 O2 가스, H2O 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면의 Si(실리콘)의 열산화 처리를 행하는 경우에 본 실시 형태의 종형 열처리 장치를 적용해도 좋다.
또한, 이미 서술한 가스 토출구(52)로서는, 웨이퍼 보트(11)의 길이 방향으로 슬릿 형상으로 형성해도 좋다. 또한, 반응관(12)을 이중관 구조로 했지만, 웨이퍼 보트(11)의 길이 방향으로 각각 연장되는 덕트(duct) 형상의 가스 공급부 및 배기부를 반응관(12)의 외측에 각각 기밀하게 배치함과 함께, 이들 가스 공급부 및 배기부와 각각 연통하도록 반응관(12)의 측면에 가스 토출구(52) 및 배기구(16)를 상하 방향에 걸쳐 복수 개소에 형성해도 좋다. 도 11 및 도 12는, 이러한 구성예로서 배기 덕트(80), 가스 공급부(81) 등이 나타나 있다. 또한, 도 12에서는 배기 덕트(80)에 대해서 일부를 절결하여 내부의 배기구(16)를 나타내고 있다.
추가로 또한, 웨이퍼 보트(11)에 대하여 웨이퍼(W)의 인수 인도를 행함에 있어서, 보지판(31)에 절결부(34)를 각각 형성했지만, 기판 재치 영역(33)마다, 예를 들면 3개소에 관통공을 형성하고, 승강이 자유롭게 설치된 3개의 핀을 갖는 도시하지 않은 인수 인도 기구를 웨이퍼 보트(11)의 하방측에 설치해도 좋다. 이 경우에는, 예를 들면 반응관(12)의 하방 위치에 웨이퍼 보트(11)를 위치시키고, 반송 아암(60)에 의해 기판 재치 영역(33)의 상방측으로 웨이퍼(W)가 반송되면, 당해 웨이퍼 보트(11)의 하방측으로부터 3개의 핀이 복수의 보지판(31)의 관통공을 관통하여 상승하여, 반송 아암(60)으로부터 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 반송 아암(60)을 후퇴시킴과 함께 핀을 하강시키면, 기판 재치 영역(33)에 웨이퍼(W)가 올려놓여진다. 그 후, 하방측의 보지판(31)에 대하여 웨이퍼(W)가 순차로 올려놓여진다. 웨이퍼 보트(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출할 때는, 웨이퍼 보트(11)의 하방측의 웨이퍼(W)로부터 순차로 반송 아암(60)에 인수 인도된다.
이미 서술한 예에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에 알루미나로 이루어지는 반응 생성물과 산화 하프늄으로 이루어지는 반응 생성물을 적층한 후, 필요에 따라서, 추가로 이들 반응 생성물을 적층하여, 래미네이트 구조의 박막을 형성해도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)로서, 예를 들면 외경 치수가 100mm의 사파이어 기판을 이용하여, 이 웨이퍼(W)에 대하여 MO-CVD에 의해 GaN(질화 갈륨)막을 성막하여 LED 디바이스를 제작하는 프로세스에 본 발명을 적용해도 좋다.
또한, 이미 서술한 각 예에서는 보지판(31)에 복수매의 웨이퍼(W)를 올려놓았지만, 도 13에 나타내는 바와 같이, 보지판(31)에 1매의 웨이퍼(W)를 올려놓도록 해도 좋다. 구체적으로는, 보지판(31)의 기판 재치 영역(33)이 웨이퍼(W)와 동심원 형상이 되도록 형성됨과 함께, 당해 보지판(31)의 외연부가 웨이퍼(W)의 외주부보다도 내관(12b)측으로 연장되어, 보지판(31)의 외연과 내관(12b)의 내벽과의 사이의 이간 치수(t)가 이미 서술한 예와 동일하게, 서로 인접하는 보지판(31, 31) 간의 이간 치수(k)보다도 짧아지도록 설정된다. 각각의 지주(32)는, 이 보지판(31)에 대하여 웨이퍼(W)의 반입출이 가능하도록 배치된다. 이 경우에 있어서도, 처리 가스가 보지판(31)과 내관(12b)과의 사이의 극간 영역보다도 보지판(31, 31) 간의 영역을 통류하려고 하기 때문에, 처리 가스의 유효 이용을 도모할 수 있다. 또한, 도 13에 있어서, 외관(12a)에 대해서는 기재를 생략하고 있다.

Claims (9)

  1. 복수의 기판을 선반 형상으로 보지(保持; holding)하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관;
    상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및
    상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고,
    상기 기판 보지구는,
    각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및
    각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주(支柱)로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연(外緣)과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 보지판의 외연과 상기 반응관의 내벽과의 사이의 이간(離間) 치수는, 상기 각 보지판 상에 지지되는 기판의 상면과 당해 기판의 상방(上方)측에서 대향하는 보지판의 하면과의 사이의 이간 치수보다도 짧게 설정되어 있는 종형 열처리 장치.
  3. 복수의 기판을 선반 형상으로 보지하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관;
    상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및
    상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고,
    상기 기판 보지구는,
    각각 복수의 기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및
    각 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 각 보지판의 외연으로부터 외측으로 3mm 튀어나온 위치 또는 당해 위치보다도 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖는 종형 열처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 각 보지판의 외연과 상기 반응관의 내벽과의 사이의 이간 치수는, 8mm 이하인 종형 열처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 기판 보지구 상의 기판의 외연과 상기 지주의 외주면은, 상기 보지판의 윤곽선 상에 있어서 정돈되어 있는 종형 열처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반응관은, 기밀하게 개폐가 자유롭게 설치된 제1 반응관과, 당해 제1 반응관의 내부에 설치되고, 상기 기판 보지구를 수납하는 제2 반응관을 구비하고,
    상기 처리 가스 공급부는, 상기 제2 반응관 내에 상기 기판 보지구의 길이 방향으로 배치된 가스 인젝터이고,
    상기 배기구는, 상기 제2 반응관의 측면 중 상기 가스 인젝터에 대향하는 위치에서, 당해 가스 인젝터의 길이 방향으로, 슬릿 형상으로 형성되고,
    상기 제1 반응관과 상기 제2 반응관과의 사이의 영역에 연통하도록, 당해 영역의 가스 분위기를 배기하기 위한 배기 포트가 배치되어 있는 종형 열처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지구를 연직축 둘레로 회전시키는 회전 기구를 추가로 구비하는 종형 열처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 처리 가스 공급부는, 기판에 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 이 제1 처리 가스와 반응하는 제2 처리 가스를 기판에 공급하는 제2 가스 공급부와, 기판에 퍼지 가스를 공급하는 제3 가스 공급부와,
    제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 번갈아 기판에 공급함과 함께, 이들 처리 가스를 전환할 때에는 퍼지 가스를 기판에 공급하여 가스의 치환을 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 종형 열처리 장치.
  9. 복수의 기판을 선반 형상으로 보지하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 기판 보지구를 갖고, 주위에 가열부가 배치된 종형의 반응관;
    상기 반응관의 길이 방향으로 설치되고, 상기 기판 보지구에 보지되는 각 기판에 처리 가스를 공급하기 위해, 각 기판에 대응하는 높이 위치에 가스 토출구가 형성된 처리 가스 공급부; 및
    상기 반응관의 중심에 대하여 상기 가스 토출구와 반대측의 위치에서 상기 반응관에 형성된 배기구; 를 구비하고,
    상기 기판 보지구는,
    기판 재치 영역이 형성되고, 서로 적층된 복수의 원형 형상의 보지판; 및
    상기 보지판을 관통하여 그의 둘레 방향으로 복수 설치된 지주로서, 상기 반응관의 지름 방향에 대하여 상기 지주의 외측 부위를 상기 보지판의 외연과 동일한 위치 또는 내측 가까운 위치에서 관통시켜 상기 각 보지판을 지지하는 상기 지주; 를 갖고,
    상기 보지판의 외연과 상기 반응관의 내벽과의 사이의 이간 치수는, 상기 보지판 상에 지지되는 기판의 상면과 당해 기판의 상방측에서 대향하는 보지판의 하면과의 사이의 이간 치수보다도 짧게 설정되어 있는 종형 열처리 장치.
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