KR20180063784A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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KR20180063784A
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타카시 야하타
타다시 타카사키
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 기판의 종류에 제한될 일이 없어 기판 처리 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판을 지지하는 제1 지지부와 제2 지지부를 포함하는 로드록 실; 상기 로드록 실의 일방측으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제1 트위저를 포함하는 제1 반송 기구; 상기 로드록 실의 타방측으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제2 트위저를 포함하는 제2 반송 기구; 및 상기 기판을 처리하는 리액터를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 제1 지지부는 상기 제1 트위저 또는 상기 제2 트위저의 진입 방향과 직행하는 측의 폭이 제1 폭으로 이간된 제1 지지 기구를 포함하고, 상기 제2 지지부는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 이간된 제2 지지 기구를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서 이용되는 기판 처리 장치의 일 형태로서는 예컨대 로드록 실을 포함하는 장치가 있다(예컨대 특허문헌1).
반도체 장치에서는 많은 종류의 기판이 이용된다. 예컨대 지름이 200mm의 기판이나 300mm의 기판이다. 이들을 처리하기 위해서 종래에서는 200mm 기판 전용의 장치나 300mm 전용의 장치가 개발되어 왔다.
최근의 IoT(Internet of Things) 시장의 확충에 따라 다품종의 기판 처리가 요구된다. 하지만 기판 처리 장치는 풋프린트가 크거나 고가(高額)이기 때문에, 전용 장치를 많이 갖추는 것에는 한계가 있었다.
1. 일본 특개 2001-345279호 공보
본 발명은 기판의 종류에 제한되지 않고 기판을 처리할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 기판을 지지하는 제1 지지부와 제2 지지부를 포함하는 로드록 실; 상기 로드록 실의 일방측(一方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제1 트위저를 포함하는 제1 반송 기구; 상기 로드록 실의 타방측(他方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제2 트위저를 포함하는 제2 반송 기구; 및 상기 기판을 처리하는 리액터를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 제1 지지부는 상기 제1 트위저 또는 상기 제2 트위저의 진입 방향과 직행하는 측의 폭이 제1 폭으로 이간된 제1 지지 기구를 포함하고, 상기 제2 지지부는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 이간된 제2 지지 기구를 포함하는 기판 처리 장치를 포함하는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 종류에 제한되지 않고 기판을 처리할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성예를 도시하는 설명도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성예를 도시하는 설명도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 RC를 설명하는 설명도.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 따른 컨트롤러를 설명하는 설명도.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 플로우를 설명하는 설명도.
도 9는 본 발명의 실시 형태에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
도 10은 비교예에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
도 11은 비교예에 따른 로드록 실을 설명하는 설명도.
이하에 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
[본 발명의 제1 실시 형태]
우선 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 설명한다.
이하에 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
(기판 처리 장치)
우선 도 1 및 도 2를 이용해서 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 클러스터형(型)의 기판 처리 장치(10)의 횡단면도(橫斷面圖)다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 클러스터형의 기판 처리 장치(10)의 종단면(縱斷面) 개략도다.
또한 본 발명이 적용되는 기판 처리 장치(10)에서는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 반송하는 캐리어로서는 FOUP(100)(Front Opening Unified Pod:이하 포드라고 한다.)가 사용된다. 본 실시 형태에 따른 클러스터형의 기판 처리 장치(10)의 반송 장치는 진공측과 대기(大氣)측으로 나눠진다.
또한 이하의 설명에서 전후좌우는 도 1을 기준으로 한다. 도 1에 도시되는 X1의 방향을 우측, X2의 방향을 좌측, Y1의 방향을 전측(前側), Y2의 방향을 후측(後側)으로 한다.
(진공측의 구성)
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 기판 처리 장치(10)는 진공 상태 등의 대기압 미만의 압력(부압)을 견딜 수 있는 제1 반송실(103)을 구비한다. 제1 반송실(103)의 광체[筐體(101)]는 평면시(平面視)가 예컨대 오각형이며, 상하 양단(兩端)이 폐색된 상자[箱] 형상으로 형성된다.
제1 반송실(103) 내에는 부압 하에서 웨이퍼(200)를 이재하는 제1 웨이퍼 이재기(112)(제1 반송 기구)가 설치된다. 제1 웨이퍼 이재기(112)는 제1 웨이퍼 이재기 엘리베이터(115)에 의해 제1 반송실(103)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성된다.
광체(101)의 5매의 측벽 중 전측에 위치하는 측벽에는 로드록 실(122, 123)이 각각 게이트 밸브(126, 127)를 개재하여 연결된다. 로드록 실(122, 123)은 웨이퍼(200)를 반입하는 기능과 웨이퍼(200)를 반출하는 기능을 병용 가능하도록 구성되고, 각각 부압을 견딜 수 있는 구조로 구성된다. 로드록 실(122, 123)의 상세한 것은 후술한다.
제1 반송실(103)의 광체(101)의 5매의 측벽 중 후측(배면측)에 위치하는 4매의 측벽에는 기판에 원하는 처리를 수행하는 제1 리액터 내지 제4 리액터(RCa 내지 RCd)가 게이트 밸브(150 내지 153)를 개재하여 각각 인접해서 연결된다.
로드록 실(122, 123)의 전측에는 진공 하 및 대기압 하의 상태에서 웨이퍼(200)를 반송할 수 있는 제2 반송실(121)이 게이트 밸브(128, 129)를 개재하여 연결된다. 제2 반송실(121)에는 웨이퍼(200)를 이재하는 제2 웨이퍼 이재기(124)(제2 반송 기구)가 설치된다. 제2 웨이퍼 이재기(124)는 제2 반송실(121) 내에 설치된 제2 웨이퍼 이재기 엘리베이터(131)에 의해 승강되도록 구성되는 것과 함께, 리니어 액츄에이터(132)에 의해 좌우 방향으로 왕복 이동되도록 구성된다.
제2 반송실(121)의 광체(125)의 전측에는 웨이퍼(200)를 제2 반송실(121)에 대해서 반입 반출하기 위한 기판 반입 반출구(134)와 포드 오프너(108)가 설치된다. 기판 반입 반출구(134)를 개재하여 포드 오프너(108)와 반대측, 즉 광체(125)의 외측에는 로드 포트(105)가 설치된다.
또한 제1 웨이퍼 이재기(112)는 웨이퍼(200)를 지지하는 제1 트위저(112a)를 교환 가능한 구성이다. 예컨대 300mm 웨이퍼를 반송할 때는 제1 트위저(112a)를 제1 진공 반송 트위저인 진공 대응의 300mm 웨이퍼 반송용 트위저로 교환하고, 200mm 웨이퍼를 반송할 때는 제1 트위저(112a)를 제2 진공 반송 트위저인 진공 대응의 200mm용 웨이퍼 반송용 트위저로 교환한다. 제2 웨이퍼 이재기(124)도 마찬가지로 300mm 웨이퍼를 반송할 때는 제2 트위저(124a)를 제1 대기 반송 트위저인 대기(大氣) 대응의 300mm 웨이퍼 반송용 트위저로 교환하고, 200mm 웨이퍼를 반송할 때는 제2 트위저(124a)를 제2 대기 반송 트위저인 대기 대응의 200mm용 웨이퍼 반송용 트위저로 교환한다.
본 실시예에서는 지름이 큰 웨이퍼(200)를 웨이퍼(200L), 지름이 작은 웨이퍼를 웨이퍼(200S)라고 부른다. 웨이퍼(200L)는 예컨대 300mm 웨이퍼이며, 웨이퍼(200S)는 예컨대 200mm 웨이퍼다.
(로드록 실)
계속해서 본 실시 형태에 따른 로드록 실(122, 123)의 구성에 대해서 주로 도 3을 이용해서 설명한다. 도 3은 도 2의 α-α'선을 따른 종단면도다. 여기서는 로드록 실(122)을 예로서 설명한다. 또한 트위저는 전측으로부터 후측 또는 후측으로부터 전측 방향으로 이동된다.
로드록 실(122)은 광체(300)를 포함한다. 광체(300) 중 광체(101)와 인접하는 벽에는 웨이퍼(200)를 반입출하기 위한 반입 반출구가 설치된다. 마찬가지로 광체(125)와 인접하는 벽에도 웨이퍼(200)를 반입출하기 위한 반입 반출구가 설치된다.
광체(300)의 내부에는 기판 수용부인 보트(301)가 설치되고, 보트(301)에는 제1 웨이퍼 지지부(311)(제1 지지부)와 제2 웨이퍼 지지부(321)(제2 지지부)가 설치된다. 보트(301)는 Y방향에서 트위저가 진입 가능하도록 광체(101), 광체(125)의 각각의 방향이 개방된다. 보트(301)는 보트 지지 기구(303)에 지지된다. 보트 지지 기구(303)는 광체(300)의 저벽[底壁(304)]을 관통하는 것과 함께, 승강 기구(305)에 의해 지지된다. 승강 기구(305)는 보트(301)를 승강시킨다.
제1 웨이퍼 지지부(311)는 보트(301)의 측벽(302)에 복수 다단으로 고정된 지지 기구를 포함한다. 지지 기구는 일방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(311R)와 타방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(311L)에 의해 구성된다.
지지 기구(311L, 311R)는 Y방향으로 연장[延伸]된다. 또한 X방향에서 측벽(302)으로부터 광체(300)의 중앙측[예컨대 점선(306)측)]을 향해서 연장된다. 지지 기구(311R)와 지지 기구(311L)는 거리(m)(제1 거리)만큼 이격되도록 구성된다. 즉 지지 기구(311R) 및 지지 기구(311L)는 제1 트위저(112a) 또는 제2 트위저(124a)가 보트(301)로 진입하는 방향과 직교하는 방향에서 제1 거리(m)만큼 이격된다거리(m)는 제1 진공 반송 트위저의 폭과 제1 대기 반송 트위저의 폭보다 넓게 되도록 구성된다.
예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(200L)의 단부(端部)(에지)가 지지 기구(311R), 지지 기구(311L)에 의해 지지된다. 도 4에서, 웨이퍼(200L)는 예컨대 300mm 웨이퍼다.
제2 웨이퍼 지지부(321)는 측벽(302)에 복수 다단으로 고정된 지지 기구를 포함한다. 지지 기구는 일방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(321R)와 타방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(321L)에 의해 구성된다.
지지 기구(321R, 321L)는 Y 방향으로 연장된다. 또한 X방향에서 측벽(302)으로부터 광체(300)의 중앙측[예컨대 점선(306)]을 향해서 연장된다. 지지 기구(321R)와 지지 기구(321L)는 거리(n)(제2 거리)만큼 이격되도록 구성된다. 즉 지지 기구(321R) 및 지지 기구(321L)는 제1 트위저(112a) 또는 제2 트위저(124a)가 보트(301)로 진입하는 방향과 직교하는 방향에서 제2 거리(n)만큼 이격된다. 거리(n)는 제2 진공 반송 트위저의 폭과 제2 대기 반송 트위저의 폭보다 넓게 되도록 구성된다. 제2 거리(폭)는 제1 거리보다 작은 거리다.
지지 기구(311L, 311R)와 지지 기구(321R, 321L)는 수직 방향으로 교호(交互)적으로 독립해서 다단으로 배치된다.
예컨대 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(200S)의 단부(에지)는 지지 기구(321R), 지지 기구(321L)에 의해 지지된다.
광체(300)의 천정[天井(307)]에는, 광체(300) 내에 압력 조정용의 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급공(308)이 설치된다. 불활성 가스 공급공(308)에는 불활성 가스 공급관(331)이 설치된다. 불활성 가스 공급관(331)에는 상류로부터 순서대로 불활성 가스원(332), 매스 플로우 컨트롤러(333), 밸브(334)가 설치되고, 광체(300) 내에 공급하는 불활성 가스의 공급량을 제어한다. 불활성 가스는 웨이퍼(200) 상에 형성된 막에 영향이 없는 가스를 이용한다. 예컨대 헬륨(He) 가스나 질소 가스(N2), 아르곤(Ar) 가스를 이용한다.
주로 불활성 가스 공급관(331), 매스 플로우 컨트롤러(333), 밸브(334)에서 로드록 실에서의 불활성 가스 공급부(330)가 구성된다. 또한 불활성 가스원(332), 가스 공급공(308)을 불활성 가스 공급부에 포함시켜도 좋다.
광체(300)의 저벽(304)에는 광체(300) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기공(309)이 설치된다. 배기공(309)에는 배기관(341)이 설치된다. 배기관(341)에는 상류로부터 순서대로 압력 제어기인 APC(342)(Auto Pressure Controller), 펌프(343)가 설치된다.
주로 배기관(341), APC(342)에서 로드록 실에서의 가스 배기부(340)가 구성된다. 또한 펌프(343), 배기공(309)을 가스 배기부에 포함시켜도 좋다.
가스 공급부(330), 가스 배기부(340)의 협동(協動)에 의해 로드록 실의 분위기가 제어된다.
다음으로 지지 기구(311L, 311R)와 지지 기구(321R, 321L)가 수직 방향으로 교호적으로 독립해서 배치되는 장점을 설명한다.
우선 제1 비교예를 도 10을 이용해서 설명한다. 도 10에서는 웨이퍼(200L)와 웨이퍼(200S)에서 공통인 지지 구조를 사용하는 경우를 설명한다. 설명의 편의상 웨이퍼(200L)와 웨이퍼(200S)를 각각 기재한다.
도 10의 비교예에서는 웨이퍼(200)를 지지부(410)로 지지한다. 지지부(410)는 지지 기구(411)를 포함한다. 지지 기구(411)는 일방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(411R)와 타방의 측벽(302)에 고정되는 지지 기구(411L)로부터 구성된다.
지지 기구(411L, 411R)는 측벽(302)으로부터 비스듬히 하방(下方)으로 연장된다. 도 10에 도시된 바와 같이 웨이퍼(200L)와 웨이퍼(200S)의 지지 기구를 겸한 것이며, 지지 기구(411R, L)의 각각 중앙선(306)에 가까운 선단부(先端部)에서 웨이퍼(200S)를 지지하고, 지지 기구(411R, L) 중 측벽(302)에 가까운 근원부(412)에서 웨이퍼(200L)를 지지한다.
또한 발명자에 의한 예의 연구의 결과 이와 같은 구조의 경우, 웨이퍼(200L)가 지지 기구(411)와 접촉하는 개소[箇所(412)]에서 파티클이 발생한 경우, 지지 기구(411)의 선단이나 하방의 지지 기구(411)의 방향으로 파티클이 확산되는 가능성이 있는 것을 발견했다. 웨이퍼(200L)의 자체 중량(自重) 등에 의해 웨이퍼(200L)가 휘어진 경우, 접촉 개소(412)에서 지지 기구(411)와 웨이퍼(200L)와의 접촉 면적이 증가하기 때문이다. 일반적으로 알려져 있는 바와 같이 파티클의 발생량은 웨이퍼의 접촉 면적에 비례해서 증가하기 때문에 이와 같은 기구에서는 파티클이 증가한다. 따라서 제품 비율의 저하에 연결되는 우려가 있다.
이에 대해서 본 실시 형태의 구조의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 항상 웨이퍼(200)의 에지를 지지하므로 웨이퍼(200)가 휘어져도 접촉 면적이 증가하지 않는다. 따라서 파티클의 발생이나 제품 비율의 저하를 억제할 수 있다.
만일 접촉 개소(312)에서 파티클이 발생해도 그 바로 아래의 지지 기구(321)에서의 근원 부분(322)에서 포획 가능하므로 근원 부분(322)보다 하방의 지지 기구(311)에 의해 지지된 웨이퍼(200L)가 파티클의 영향을 받지 않는다.
계속해서 제2 비교예로서 도 11을 이용해서 설명한다. 도 11에서는 웨이퍼(200L)의 지지 기구(311R, 311L)와 웨이퍼(200S)의 지지 기구(321R, 321L)를 교호적으로 배치하는 것이 아니라, 웨이퍼(200L)의 지지 기구(311R, 311L)와 웨이퍼(200S)의 지지 기구(321R, 321L)를 각각 정리해서 배치하는 구조로 한다.
도 11에서 스페이스(501)는 수직 방향에서의 상하의 지지 기구(311) 사이의 스페이스를 도시하고, 스페이스(502)는 수직 방향에서의 상하의 지지 기구(321) 사이의 스페이스를 도시한다. 각 스페이스(501, 502)에는 웨이퍼의 접촉에 의해 발생한 파티클이 체류한다.
전술한 바와 같이 로드록 실에서는 진공 분위기와 대기 분위기를 교호적으로 교체한다. 그때 가스 공급부(330), 가스 배기부(340)의 협동(協動)에 의해 파티클이 광체(300) 내에 확산되지 않도록 천천히 또한 일정량의 불활성 가스 공급/배기에 의해 분위기가 제어된다.
또한 스페이스(501)는 분위기를 배기하기 쉬운 구조인 것에 대해 스페이스(502)는 지지 구조(321)의 선단으로부터 측벽(302)까지의 거리가 길어서 분위기를 배기하기 어려운 구조다. 따라서 소정 유량의 불활성 가스 공급/배기를 수행한 경우, 스페이스(502)의 분위기를 배기하는 것이 곤란하다. 스페이스(502)의 분위기를 배기하기 위해서 공급 유량과 배기 유량을 증가시켜, 불활성 가스의 유속을 증가시키는 것에 의해 스페이스(502)의 분위기를 배기하는 것도 생각되지만, 유속이 큰 불활성 가스가 지지 기구(321)의 선단에 부딪쳐 난류(亂流)를 일으킬 수 있다. 이 경우, 스페이스(501)나 스페이스(502)의 파티클이 광체(300) 내에 확산되는 우려가 있다. 또한 별도의 방법으로서 전술의 소정 유량을 유지하면서 스페이스(502)의 분위기가 배기될 때까지 충분한 시간을 두고 분위기를 배기하는 것이 생각되지만 그렇다면 분위기의 치환 시간이 걸리기 때문에 스루풋이 저하된다.
이에 대해서 본 실시 형태의 구조의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 각 구조가 균일하게 배치되고 또한 지지 기구(311)와 지지 기구(312)의 사이의 스페이스(313)의 상방(上方)이 개방된다. 즉 스페이스(312)의 분위기 배기를 용이한 구조로 한다. 따라서 스루풋을 저하시킬 일 없이 파티클이 적은 구조를 실현한다.
또한 다른 지지 기구에 존재하는 파티클의 영향을 받지 않는 방법으로서, 웨이퍼(200L)로부터 웨이퍼(200S)로 처리를 절체(切替)할 때 메인터넌스 요원이 수작업으로 로드록 실을 클리닝하는 등의 방법이 생각된다. 하지만 로드록 실의 구조가 복잡해서 특히 지지 기구(311)와 지지 기구(321) 사이가 좁기 때문에, 각 지지 기구의 상면의 클리닝이 충분하지 않다는 문제가 있다. 또한 매번 클리닝을 수행하면 다운타임이 증가하기 때문에 처리 효율이 나빠진다는 문제가 있다. 이에 대해서 본 실시 형태의 구조이면 파티클의 영향을 적게 받고, 또한 다운타임이 길어지지 않는다.
또한 지지 기구(311)와 지지 기구(321)의 배치의 조합에서, 지지 기구(311)가 최상방(最上方)에 배치되는 것이 바람직하다. 지지 기구(311)를 최상방에 배치하기 때문에, 지지 기구(311)로부터 지지 기구(321)까지의 불활성 가스의 흐름을 저해하는 것이 없어 난류가 없는 가스 흐름을 형성할 수 있다. 만일 지지 기구(321)를 최상방에 배치한 경우, 공급된 불활성 가스는 우선 지지 기구(321)에 충돌되고, 그에 의해 난류를 야기한다. 야기된 난류는 광체(300) 내에 파티클을 확산시킨다. 이에 대해서 전술한 바와 같이 지지 기구(311)를 최상방에 배치하는 것에 의해 난류가 없는 불활성 가스의 흐름을 형성하고, 파티클의 확산을 억제할 수 있다.
(리액터)
계속해서 본 실시 형태에 따른 기판을 처리하는 처리로인 리액터의 구성에 대해서 주로 도 6을 이용해서 설명한다. 도 6은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)가 구비하는 리액터의 횡단면 개략도다.
여기서 본 실시 형태에서는 제1 리액터 내지 제4 리액터(RCa 내지 RCd)는 각각 마찬가지로 구성된다. 이하에서는 제1 리액터 내지 제4 리액터(RCa 내지 RCd)를 총칭해서 「RC」로 한다.
(용기)
도면예와 같이 RC는 용기(202)를 구비한다. 용기(202) 내에는 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(200)를 처리하는 처리 공간(205)과 웨이퍼(200)를 처리 공간(205)에 반송할 때에 웨이퍼(200)가 통과하는 반송 공간(206)이 형성된다. 용기(202)는 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)의 사이에는 칸막이 판(208)이 설치된다.
하부 용기(202b)의 측면에는 게이트 밸브(151)에 인접한 기판 반입 반출구가 설치되고 웨이퍼(200)는 기판 반입 반출구를 개재하여 광체(101)와의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부(底部)에는 리프트 핀(207)이 복수 설치된다. 또한 하부 용기(202b)는 접지(接地)된다.
처리 공간(205)에는 웨이퍼(200)를 지지하는 기판 지지부(210)가 배치된다. 기판 지지부(210)는 웨이퍼(200)가 재치되는 기판 재치면(211)을 표면에 가지는 기판 재치대(212) 및 기판 재치대(212) 내에 설치된 가열원으로서의 히터(213)를 주로 포함한다. 기판 재치대(212)에는 리프트 핀(207)이 관통하는 관통공(214)이 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 설치된다.
기판 재치대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는 용기(202)의 저부를 관통하고 또한 용기(202)의 외부에서 승강부(218)에 접속된다.
처리 공간(205)의 상부(상류측)에는 가스 분산 기구로서의 샤워 헤드(230)가 설치된다. 샤워 헤드(230)의 덮개(231)에는 가스 도입공(231a)이 설치된다. 가스 도입공(231a)은 후술하는 가스 공급관(242)과 연통한다.
샤워 헤드(230)는 가스를 분산시키기 위한 분산 기구로서의 분산판(234)을 구비한다. 이 분산판(234)의 상류측이 버퍼 공간(232)이며, 하류측이 처리 공간(205)이다. 분산판(234)에는 복수의 관통공(234a)이 설치된다.
상부 용기(202a)는 플랜지를 포함하고, 플랜지 상에 지지 블록(233)이 재치되어 고정된다. 지지 블록(233)은 플랜지(233a)를 포함하고, 플랜지(233a) 상에는 분산판(234)이 재치되어 고정된다. 또한 덮개(231)는 지지 블록(233)의 상면에 고정된다.
(공급부)
샤워 헤드(230)의 덮개(231)에 설치된 가스 도입공(231a)과 연통하도록 덮개(231)에는 공통 가스 공급관(242)이 접속된다. 공통 가스 공급관(242)에는 제1 가스 공급관(243a), 제2 가스 공급관(244a), 제3 가스 공급관(245a)이 접속된다.
(제1 가스 공급계)
제1 가스 공급관(243a)에는 상류 방향으로부터 순서대로 제1 가스원(243b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(243c)(MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(243d)가 설치된다.
제1 가스원(243b)은 제1 원소를 함유하는 제1 가스(「제1 원소 함유 가스」라고도 부른다.)원이다. 제1 원소 함유 가스는 원료 가스, 즉 처리 가스의 하나다. 여기서 제1 원소는 예컨대 실리콘(Si)이다. 즉 제1 원소 함유 가스는 예컨대 실리콘 함유 가스다. 구체적으로는 실리콘 함유 가스로서 헥사클로로디실란(Si2Cl6. HCD라고도 부른다.) 가스가 이용된다.
주로 제1 가스 공급관(243a), 매스 플로우 컨트롤러(243c), 밸브(243d)에 의해 제1 가스 공급계(243)(실리콘 함유 가스 공급계라고도 말한다)가 구성된다.
(제2 가스 공급계)
제2 가스 공급관(244a)에는 상류 방향으로부터 순서대로 제2 가스원(244b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(244c)(MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(244d)가 설치된다.
제2 가스원(244b)은 제2 원소를 함유하는 제2 가스(이하 「제2 원소 함유 가스」라고도 부른다.)원이다. 제2 원소 함유 가스는 처리 가스의 하나다. 또한 제2 원소 함유 가스는 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 좋다. 제2 가스는 예컨대 산소(O2) 가스다. 예컨대 웨이퍼(200L)를 처리할 때에 이용된다.
주로 제2 가스 공급관(244a), 매스 플로우 컨트롤러(244c), 밸브(244d)에 의해 제2 가스 공급계(244)(산소 함유 가스 공급계라고도 말한다)가 구성된다.
(제3 가스 공급계)
제3 가스 공급관(245a)에는 상류 방향으로부터 순서대로 제3 가스원(245b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(245c)(MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(245d)가 설치된다.
제3 가스원(245b)은 제2 원소와 다른 제3 원소를 함유하는 가스의 가스원이다. 제3 원소 함유 가스는 처리 가스의 하나다. 또한 제3 원소 함유 가스는 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 좋다. 제3 가스는 예컨대 암모니아(NH3) 가스다. 예컨대 웨이퍼(200S)를 처리할 때에 이용된다.
주로 제3 가스 공급관(245a), 매스 플로우 컨트롤러(245c), 밸브(245d)에 의해 제3 가스 공급계(245)가 구성된다.
(배기계)
용기(202)의 분위기를 배기하는 배기계는 용기(202)에 접속된 복수의 배기관을 포함한다. 처리 공간(205)에 접속되는 배기관(262)(제1 배기관)과 반송 공간(206)에 접속되는 배기관(261)(제2 배기관)을 포함한다. 또한 각 배기관(261, 262)의 하류측에는 배기관(268)(제3 배기관)이 접속된다.
배기관(261)은 반송 공간(206)의 측방 또는 하방에 설치된다. 배기관(261)에는 펌프(264)(TMP. Turbo Morecular Pump)가 설치된다. 배기관(261)에서 펌프(264)의 상류측에는 반송 공간용 제1 배기 밸브로서의 밸브(265)가 설치된다.
배기관(262)은 처리 공간(205)의 측방에 설치된다. 배기관(262)에는 처리 공간(205) 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력 제어기인 APC(266)(Automatic Pressure Controller)가 설치된다. APC(266)는 개도(開度) 조정 가능한 밸브체(도시되지 않음)를 포함하고, 컨트롤러(280)로부터의 지시에 따라서 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한 배기관(262)에서 APC(266)의 상류측에는 밸브(267)가 설치된다. 배기관(262)과 밸브(267), APC(266)를 합쳐서 처리실 배기계라고 부른다.
배기관(268)에는 DP(269)(Dry Pump. 드라이 펌프)가 설치된다. 도 6에 도시된 바와 같이 배기관(268)에는 그 상류측으로부터 배기관(262), 배기관(261)이 접속되고, 또한 그들의 하류에 DP(269)가 설치된다. DP(269)는 배기관(262), 배기관(261)의 각각을 개재하여 버퍼 공간(232), 처리 공간(205) 및 반송 공간(206)의 각각의 분위기를 배기한다.
(컨트롤러)
다음으로 도 7을 이용해서 컨트롤러(280)의 상세를 설명한다. 기판 처리 장치(10)는 기판 처리 장치(10)의 각(各) 부(部)의 동작을 제어하는 컨트롤러(280)를 포함한다.
제어부(제어 수단)인 컨트롤러(280)는 CPU(280a)(Central Processing Unit), RAM(280b)(Random Access Memory), 기억부로서의 기억 장치(280c), I/O 포트(280d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(280b), 기억 장치(280c), I/O 포트(280d)는 내부 버스(280f)를 개재하고, CPU(280a)와 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 기판 처리 장치(10) 내의 데이터의 송수신은 CPU(280a)의 하나의 기능이기도 하는 송수신 지시부(280e)의 지시에 의해 수행된다.
컨트롤러(280)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(281)나 외부 기억 장치(282)가 접속 가능하도록 구성된다. 또한 상위 장치(270)에 네트워크를 개재하여 접속되는 수신부(283)가 설치된다.
기억 장치(280c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(280c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피, 후술하는 테이블 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(280)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭해서 단순히 프로그램이라고도 말한다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 이용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(280b)는 CPU(280a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지(保持)되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(280d)는 각 게이트 밸브(151), 리액터에 설치된 승강 기구(218), 각 압력 조정기, 각 펌프, 엘리베이터 등, 기판 처리 장치(10)의 각 구성에 접속된다.
CPU(280a)는 기억 장치(280c)로부터의 제어 프로그램을 판독해서 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(281)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(280c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 그리고 CPU(280a)는 판독된 프로세스 레시피의 내용에 따라서 게이트 밸브(151)의 개폐 동작, 웨이퍼 이재기(112, 124)의 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 각 펌프의 온/오프 제어, 매스 플로우 컨트롤러의 유량 조정 동작, 밸브의 개폐 동작 등을 제어 가능하도록 구성된다. 프로세스 레시피로서는 각 웨이퍼에 대응한 레시피가 기록된다. 예컨대 웨이퍼(200L) 상에 SiO막을 형성하는 제1 레시피가 기억되고, 웨이퍼(200S) 상에 SiN막을 형성하는 제2 레시피가 기억된다. 이들의 레시피는 상위 장치 등으로부터 각각의 웨이퍼를 처리하는 지시를 수신하면 판독하도록 구성된다.
예컨대 리액터 RC에 제1 종류의 웨이퍼(200L)를 반입하는 지시를 수신하면 제1 레시피를 판독한다. 제1 지지 기구(311)에 웨이퍼(200L)를 재치한 후, 리액터 RC에 웨이퍼(200L)가 반입되면 제1 레시피를 따라 웨이퍼를 처리한다. 또한 리액터 RC에 제2 종류의 웨이퍼(200S)를 반입하는 지시를 수신하면 제2 레시피를 판독한다. 제2 지지 기구(321)에 웨이퍼(200S)를 재치한 후, 리액터 RC에 웨이퍼(200S)가 반입되면 제2 레시피를 따라 웨이퍼를 처리한다.
또한 컨트롤러(280)는 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(282)[예컨대 하드 디스크 등의 자기(磁氣) 디스크, DVD 등의 광(光)디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB메모리 등의 반도체 메모리]를 이용해서 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(280)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(282)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용해서 외부 기억 장치(282)를 개재하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 좋다. 또한 기억 장치(280c)나 외부 기억 장치(282)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하 이들을 총칭해서 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 이용한 경우는 기억 장치(280c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
(기판 처리 공정)
다음으로 반도체 제조 공정의 일 공정으로서 전술한 구성을 이용해서 웨이퍼(200) 상에 박막을 형성하는 공정에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(280)에 의해 제어된다.
우선 웨이퍼(200L)를 처리하는 경우를 설명한다. 로드록 실(122)에서는 제1 지지부(310)에 재치한다. RC에서는 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)로서 HCD를 기화시켜서 얻을 수 있는 HCD가스를 이용하고 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)로서 O2가스를 이용하고 그들을 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘 함유 막으로서 실리콘 산화막(SiO막)을 형성한다. 이하 형성 예에 대해서 설명한다.
다음으로 막 처리 플로우의 상세에 대해서 도 8을 이용해서 설명한다.
<기판 반입 및 가열 공정(S202)>
용기(202) 내에 웨이퍼(200L)를 반입하면 이재기(112)를 용기(202)의 외에 퇴피시키고, 게이트 밸브(151)를 닫아 용기(202) 내를 밀폐한다. 그 후, 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 기판 재치대(212)에 설치된 기판 재치면(211) 상에 웨이퍼(200)를 재치시켜, 또한 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 전슬한 처리 공간(205) 내의 처리 위치(기판 처리 포지션)까지 웨이퍼(200)를 상승시킨다.
웨이퍼(200)가 반송 공간(205)에 반입된 후, 처리 공간(205) 내의 처리 위치까지 상승하면 밸브(266)와 밸브(267)를 닫힘 상태로 한다. 이에 의해 반송 공간(205)과 TMP(264) 사이 및 TMP(264)와 배기관(268) 사이가 차단되어 TMP(264)에 의한 반송 공간(205)의 배기가 종료된다. 한편 밸브(277)와 밸브(267)를 열어 처리 공간(205)과 APC(266) 사이를 연통시키는 것과 함께, APC(266)와 DP(269) 사이를 연통시킨다. APC(266)는 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정하는 것에 의해 DP(269)에 의한 처리 공간(205)의 배기 유량을 제어하고, 처리 공간(205)을 소정의 압력(예컨대 10-5Pa 내지 10-1Pa의 고진공)으로 유지한다.
이와 같이 하여 기판 반입 및 가열 공정(S202)에서는 처리 공간(205) 내를 소정의 압력이 되도록 제어하는 것과 함께, 웨이퍼(200L)의 표면 온도가 소정의 온도가 되도록 제어한다. 온도는 예컨대 실온 이상 500℃ 이하이며, 바람직하게는 실온 이상이며 400℃ 이하다. 압력은 예컨대 50Pa 내지 5000Pa로 하는 것이 생각된다.
<성막 공정(S204)>
기판 반입 및 가열 공정(S202) 이후에, 성막 공정(S204)을 수행한다. 성막 공정에서는 프로세스 레시피에 따라서 제1 가스 공급계(243)를 제어하고 제1 가스를 처리 공간(205)에 공급하는 것과 함께, 배기계를 제어하고 처리 공간을 배기하고, 막 처리를 수행한다. 또한 여기서는 제2 가스 공급계(244)를 제어하고, 제2 가스를 제1 가스와 동시에 처리 공간에 존재시켜 CVD처리를 수행하거나 제1 가스와 제2 가스를 교호적으로 공급하고 사이클릭 처리를 수행해도 좋다.
<기판 반출 및 반입 공정(S206)>
기판 반출 및 반입 공정(S206)에서는 전술한 기판 반입 및 가열 공정(S202)과는 반대의 순서로 처리 완료된 웨이퍼(200L)를 용기(202)의 외에 반출한다. 그리고 기판 반입 및 가열 공정(S202)과 같은 순서로 다음으로 대기(待機)하는 미처리의 웨이퍼(200L)를 용기(202) 내에 반입한다. 그 후, 반입된 웨이퍼(200)에 대해서는 성막 공정(S204)이 실행된다.
계속해서 웨이퍼(200S)를 처리하는 경우를 설명한다. 웨이퍼(200S)를 처리할 때는 우선 트위저 등을 교환하고, 웨이퍼(200S)를 처리 가능한 상태로 한다. 처리 가능한 상태가 되면 로드록 실(122)의 제2 지지부(320)에 웨이퍼(200S)를 재치한다. RC에 이재 후, 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)로서 HCD를 기화시켜서 얻을 수 있는 HCD가스를 이용하고 제3 원소 함유 가스(제3의 처리 가스)로서 NH3가스를 이용하고 그들을 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘 함유 막으로서 실리콘 질화막(SiN막)을 형성한다.
(효과)
이상 본 발명의 실시 형태를 설명했지만 이하에 본 발명에 의해 도출되는 대표적인 효과를 열거한다. (a) 다른 종류의 기판이어도 하나의 기판 처리 장치에서 대응할 수 있다. (b) 다른 종류의 기판이어도 서로 악영향을 주지 않도록 할 수 있다.
[본 발명의 제2 실시 형태]
제2 실시 형태에서는 웨이퍼(200L)를 반송하는 트위저의 폭이 수평 방향에서의 지지 기구(311) 간의 폭(n)보다 작아지도록 구성한다. 그 이외의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
도 9는 제1 트위저(112a)의 폭이 수평 방향에서의 지지 기구(311) 사이의 폭n보다 작아지도록 구성한 경우의 효과를 설명하는 설명도다. 여기서는 제1 트위저(112a)를 예로 해서 설명한다.
제1 트위저(112a)가 웨이퍼를 픽업하는 방법으로서는, 일단 웨이퍼 하방에 트위저를 대기시킨 다음에 트위저를 상승시키는 방법이 있다. 이와 같은 방법의 경우, 트위저가 대기될 필요가 있다.
이와 같은 사정으로 인해 도 11과 같은 지지 기구(311), 지지 기구(321)를 각각 연속한 구조로 한 경우, 각 지지 기구 간에서 트위저의 대기 공간이 필요하다.
이에 대해서 본 실시 형태에서는 지지 기구(311)와 지지 기구(321)를 수직 방향에서 교호적으로 다단으로 배치하므로 도 9에 도시된 바와 같이 웨이퍼(200L)를 픽업할 때의 제2 트위저[예컨대 제1 트위저(112a)]가 대기하는 스페이스를 지지 기구(311R)와 지지 기구(311L) 사이에 확보할 수 있다.
따라서 도 11과 같은 지지 기구를 연속해서 배치하는 경우에 비해 수직 방향의 용적을 작게 할 수 있다.
[다른 실시 형태]
이상에 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만 거기에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경 가능하다.
또한 예컨대 전술한 각 실시 형태에서는 기판 처리 장치가 수행하는 성막 처리에서, 제1 원소 함유 가스로서 HCD가스를 이용하고 제2 원소 함유 가스로서 O2가스를 이용하고 그들을 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 SiO막을 형성하는 경우 또는 제1 원소 가스와 제3 원소 함유 가스를 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 SiN막을 형성하는 경우를 예시적으로 제시했지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 성막 처리에 이용하는 처리 가스는 HCD가스나 O2가스 등에 한정되지 않고, 다른 종류의 가스를 이용해서 다른 종류의 박막을 형성해도 무방하다. 또한 3종류 이상의 처리 가스를 이용하는 경우라도 이들을 교호적으로 공급해서 성막 처리를 수행하는 것이라면 본 발명을 적용할 수 있다. 구체적으로는 제1 원소로서는 실리콘(Si)이 아니라, 예컨대 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등 다양한 원소여도 좋다. 또한 제2 원소로서는 산소(O)가 아니라, 예컨대 질소(N) 등이어도 좋다. 또한 웨이퍼(200L)와 웨이퍼(200S)에서는 제1 원소 가스를 같은 가스로 했지만 거기에 한정하는 것이 아니고, 완전히 다른 성질의 가스이어도 좋다.
또한 예컨대 전술한 각 실시 형태에서는 기판 처리 장치가 수행하는 처리로서 성막 처리를 예에 들었지만 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 즉 본 발명은 각 실시 형태에서 예에 든 성막 처리 또는 각 실시 형태에서 예시한 박막 뿐만 아니라 다른 성막 처리에도 적용될 수 있다. 또한 기판 처리의 구체적 내용은 불문이며, 성막 처리뿐만 아니라 어닐링 처리, 확산 처리, 산화 처리, 질화 처리, 리소그래피 처리 등의 다른 기판 처리를 수행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한 본 발명은 다른 기판 처리 장치, 예컨대 어닐링 처리 장치, 에칭 장치, 산화 처리 장치, 질화 처리 장치, 노광 장치, 도포 장치, 건조 장치, 가열 장치, 플라즈마를 이용한 처리 장치 등의 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한 본 발명은 이들의 장치가 혼재해도 좋다. 또한 어떤 실시 형태의 구성의 일부를 다른 실시 형태의 구성에 치환하는 것이 가능하며, 또한 어떤 실시 형태의 구성에 다른 실시 형태의 구성을 첨가하는 것도 가능하다. 또한 각 실시 형태의 구성의 일부에 대해서 다른 구성의 추가, 삭제 및 치환을 하는 것도 가능하다.
10: 기판 처리 장치 200: 웨이퍼(기판)
280: 컨트롤러 RCa 내지 RCd: 리액터
311: 제1 웨이퍼 지지부 321: 제2 웨이퍼 지지부

Claims (18)

  1. 기판을 지지하는 제1 지지부와 제2 지지부를 포함하는 로드록 실;
    상기 로드록 실의 일방측(一方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제1 트위저를 포함하는 제1 반송 기구;
    상기 로드록 실의 타방측(他方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 제2 트위저를 포함하는 제2 반송 기구; 및
    상기 기판을 처리하는 리액터
    를 구비하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제1 지지부는 상기 제1 트위저 또는 상기 제2 트위저의 진입 방향과 직행하는 측의 폭이 제1 폭으로 이간된 제1 지지 기구를 포함하고,
    상기 제2 지지부는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 이간된 제2 지지 기구를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구와 상기 제2 지지 기구는 독립해서 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구는 최상방(最上方)에 배치되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구와 상기 제2 지지 기구는 수직 방향에서 교호(交互)적으로 다단으로 배치되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구와 상기 제2 지지 기구는 수직 방향에서 교호적으로 다단으로 배치되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구는 최상방에 배치되는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구와 상기 제2 지지 기구는 수직 방향에서 교호적으로 다단으로 배치되는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 기구와 상기 제2 지지 기구는 수직 방향에서 교호적으로 다단으로 배치되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 리액터에 제1 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제1 지지 기구에 상기 제1 종류의 기판을 재치하고, 제1 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제1 종류의 기판을 반입하고 상기 제1 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하고, 상기 리액터에 제2 종류의 기판을 반입하는 지시를 수신하면, 상기 제2 지지 기구에 상기 제2 종류의 기판을 재치하고, 제2 레시피를 판독하고, 상기 리액터에 상기 제2 종류의 기판을 반입하고 상기 제2 레시피에 따른 처리를 수행하도록 상기 리액터, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 기판을 반송하는 제1 트위저를 포함하는 제1 반송 기구에 의해 로드록 실의 일방측으로터 상기 로드록 실 중의 상기 제1 트위저의 진입 방향과 직행하는 측의 폭이 제1 폭으로 이간된 제1 지지 기구를 포함하는 제1 지지부 또는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 이간된 제2 지지 기구를 포함하는 제2 지지부에 기판을 재치하는 공정;
    제2 트위저를 포함하는 제2 반송 기구에 의해 상기 로드록 실의 타방측으로부터 상기 기판을 반출하는 것과 함께, 리액터에 상기 기판을 반입하는 공정; 및
    상기 리액터에서 상기 기판을 처리하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 기판을 반송하는 제1 트위저를 포함하는 제1 반송 기구에 의해 로드록 실의 일방측으로터 상기 로드록 실 중의 상기 제1 트위저의 진입 방향과 직행하는 측의 폭이 제1 폭으로 이간된 제1 지지 기구를 포함하는 제1 지지부 또는 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 이간된 제2 지지 기구를 포함하는 제2 지지부에 기판을 재치하는 처리;
    제2 트위저를 포함하는 제2 반송 기구에 의해 상기 로드록 실의 타방측으로부터 상기 기판을 반출하는 것과 함께, 리액터에 상기 기판을 반입하는 처리; 및
    상기 리액터에서 상기 기판을 처리하는 처리
    를 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록하는 기록 매체.
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