KR20220135145A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 처리 효율이 높은 기술을 제공한다. 기판의 처리에 대응한 종별 정보를 수신하는 공정과, 상기 종별 정보와, 각각의 상기 종별 정보에 대응한 처리 시간 정보를 기억부로부터 판독하는 공정과, 상기 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 소정의 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 공정과, 상기 비율에 따라 리액터를 선택하는 공정과, 선택된 상기 리액터에서, 상기 소정의 처리가 가능하게 설정하는 공정과, 상기 리액터에 상기 종별 정보에 대응한 기판을 반송하는 공정과, 상기 리액터에서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 공정을 갖는 기술이 제공된다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM}
본 기술은, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 기판 처리 장치의 일 양태로서는, 예를 들어 복수의 리액터를 갖는 모듈을 구비한 장치가 있다(예를 들어 특허문헌 1). 이러한 장치에서는, 리액터 각각에서 다른 처리를 행하는 경우가 있으며, 그 경우, 어떤 리액터에서 처리한 후, 다른 리액터로 이동해서 처리하는 연속 처리를 행하는 경우가 있다.
WO 2005/112108
상술한 바와 같이 다른 리액터로 이동해서 연속 처리하는 장치에서는, 각각의 리액터에서 처리 시간이 다르므로, 효율적으로 처리가 가능하도록, 예를 들어 다음 리액터로 이동할 때, 장시간의 대기 시간을 발생시키지 않도록 하여, 장치 전체의 스루풋을 높이는 것이 바람직하다. 본 개시는 그에 대응하기 위해서, 처리 효율이 높은 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의하면,
기판의 처리에 대응한 종별 정보를 수신하는 공정과,
상기 종별 정보와, 각각의 상기 종별 정보에 대응한 처리 시간 정보를 기억부로부터 판독하는 공정과,
상기 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 소정의 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 공정과,
상기 비율에 따라 리액터를 선택하는 공정과,
선택된 상기 리액터에서, 상기 소정의 처리가 가능하게 설정하는 공정과,
상기 리액터에 상기 종별 정보에 대응한 기판을 반송하는 공정과,
상기 리액터에서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 공정
을 갖는 기술이 제공된다.
본 개시에 의하면, 처리 효율이 높은 기술이 제공된다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 리액터의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 가스 공급부의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 컨트롤러를 설명하는 설명도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 갖는 테이블이다.
도 7은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 갖는 테이블이다.
도 8은 실시 형태에 따른 기판 처리 플로를 설명하는 설명도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 기판 처리 플로를 설명하는 설명도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 기판 처리 플로를 설명하는 설명도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 기판 처리 플로를 설명하는 설명도이다.
도 12는 실시 형태에 따른 기판 처리 시퀀스를 설명하는 설명도이다.
도 13은 비교예에 따른 기판 처리 시퀀스를 설명하는 설명도이다.
도 14는 실시 형태에 따른 기판 처리 시퀀스를 설명하는 설명도이다.
도 15는 비교예에 따른 기판 처리 시퀀스를 설명하는 설명도이다.
도 16은 실시 형태에 따른 리액터의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 17은 실시 형태에 따른 기판 처리 시퀀스를 설명하는 설명도이다.
도 18은 실시 형태에 따른 리액터의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
도 19는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성예를 도시하는 설명도이다.
이하에, 본 양태의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 이하의 설명에서 사용되는 도면은, 모두 모식적인 것이며, 도면 상의 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실의 것과 반드시 일치하는 것은 아니다. 또한, 복수의 도면의 상호간에 있어서도, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 반드시 일치하는 것은 아니다.
(제1 실시 형태)
(1) 기판 처리 장치의 구성
본 양태의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개요 구성을, 도 1, 도 2를 사용해서 설명한다. 도 1은 본 기술에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 횡단면도이다. 도 2는, 본 기술에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 도시하며, 도 1의 α-α'에서의 종단면도이다.
도 1 및 도 2에서, 본 양태가 적용되는 기판 처리 장치(100)는, 기판으로서의 기판(W)을 처리하는 것으로, IO 스테이지(110), 대기 반송실(120), 로드 로크실(130), 진공 반송실(140), 리액터(200)로 주로 구성된다. 다음으로 각 구성에 대해서 구체적으로 설명한다.
기판 처리 장치(100)의 앞쪽으로는, IO 스테이지(로드 포트)(110)가 설치되어 있다. IO 스테이지(110) 상에는 복수의 포드(111)가 탑재되어 있다. 포드(111)는, 실리콘(Si) 기판 등의 기판(W)을 반송하는 캐리어로서 사용된다. 또한, 더미 기판(D)을 보관하는 더미 기판 보관부(112)를 구비한다.
IO 스테이지(110)는 대기 반송실(120)에 인접한다. 대기 반송실(120)은, IO 스테이지(110)와 다른 면에, 후술하는 로드 로크실(130)이 연결된다. 대기 반송실(120) 내에는 기판(W)을 이동 탑재하는 대기 반송 로봇(122)이 설치되어 있다.
대기 반송실(120)의 하우징(127)의 전방측에는, 기판(W)을 대기 반송실(120)에 대하여 반입 반출하기 위한 기판 반입 반출구(128)와, 포드 오프너(121)가 설치되어 있다. 대기 반송실(120)의 하우징(127)의 후방측에는, 기판(W)을 로드 로크실(130)에 반입 반출하기 위한 기판 반입출구(129)가 마련된다. 기판 반입출구(129)는, 게이트 밸브(133)에 의해 개방·폐쇄함으로써, 기판(W)의 출입을 가능하게 한다.
로드 로크실(130)은 대기 반송실(120)에 인접한다. 로드 로크실(130)을 구성하는 하우징(131)이 갖는 면 중, 대기 반송실(120)과 다른 면에는, 후술하는 진공 반송실(140)이 배치된다. 진공 반송실(140)은 게이트 밸브(134)를 통해서 접속된다.
로드 로크실(130) 내에는 기판(W)을 적재하는 적재면(135)을 적어도 2개 갖는 기판 적재대(136)가 설치되어 있다. 기판 적재면(135)간의 거리는, 후술하는 로봇(170)의 암이 갖는 엔드 이펙터간의 거리에 따라 설정된다.
기판 처리 장치(100)는, 부압 하에서 기판(W)이 반송되는 반송 공간으로 되는 반송실로서의 진공 반송실(140)을 구비하고 있다. 진공 반송실(140)을 구성하는 하우징(141)은, 평면으로 보아 오각형으로 형성되고, 오각형의 각 변에는, 로드 로크실(130) 및 기판(W)을 처리하는 리액터(200)(200a 내지 200d)가 연결되어 있다. 진공 반송실(140)의 대략 중앙부에는, 부압 하에서 기판(W)을 이동 탑재(반송)하는 반송부로서의 반송 로봇(170)이 플랜지(144)를 기초부로 해서 설치되어 있다.
진공 반송실(140) 내에 설치되는 진공 반송 로봇(170)은, 엘리베이터(145) 및 플랜지(144)에 의해 진공 반송실(140)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 로봇(170)이 갖는 2개의 암(180)은, 엘리베이터(145)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 설명의 편의상, 암(180)의 엔드 이펙터를 표시하고, 플랜지(144)와 접속되는 로봇 축 등의 구조는 생략하고 있다.
진공 반송실(140)의 외주에는, 리액터(200)(리액터(200a 내지 200d))가 접속된다. 리액터(200)는, 진공 반송실(140)을 중심으로 방사상으로 배치된다.
하우징(141)의 측벽 중, 각 리액터(200)와 대향하는 벽에는 기판 반입출구(148)가 마련된다. 예를 들어, 도 2에 기재된 바와 같이, 리액터(200c)와 대향하는 벽에는, 기판 반입 반출구(148c)가 마련된다. 또한, 게이트 밸브(149)가 리액터(200)마다 마련된다. 예를 들어, 리액터(200c)에는 게이트 밸브(149c)가 마련된다. 또한, 리액터(200a, 200b, 200d)도 리액터(200c)와 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
계속해서, 진공 반송실(140)에 탑재되는 로봇(170)에 대해서 설명한다.
로봇(170)은 2개의 암(180)을 구비한다. 암(180)은 기판(W)을 적재하는 엔드 이펙터를 구비한다.
엘리베이터(145)는, 암(180)의 승강이나 회전을 제어한다. 암(180)은, 암 축을 중심으로 한 회전이나 연신이 가능하다. 회전이나 연신을 행함으로써, 리액터(200) 내에 기판(W)을 반송하거나, 리액터(200) 내로부터 기판(W)을 반출하거나 한다.
이어서, 리액터(200a) 내지 리액터(200d)에 대해서 설명한다. 리액터(200a) 내지 리액터(200d)는 각각 마찬가지의 구성이기 때문에, 여기서는 1개의 리액터(200)로서 설명한다. 각 리액터(200)에서는, 복수의 처리가 가능하게 구성된다. 이하에 상세를 설명한다.
도 3, 도 4를 사용해서 리액터(200)의 상세를 설명한다. 도 3에 기재된 바와 같이, 리액터(200)는 용기(202)를 구비하고 있다. 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되어 있다. 용기(202) 내에는, 실리콘 기판 등의 기판(W)을 처리하는 처리 공간(205)을 구성하는 처리실(201)과, 기판(W)을 처리 공간(205)에 반송할 때 기판(W)이 통과하는 반송 공간을 갖는 반송실(206)이 형성되어 있다. 용기(202)는 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b) 사이에는 칸막이판(208)이 마련된다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(149)에 인접한 연통 구멍(148)이 마련되어 있고, 기판(W)은, 연통 구멍(148)을 통해서 진공 반송실(140)과의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는 리프트 핀(207)이 복수 마련되어 있다.
처리 공간(205)에는, 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(210)가 배치된다. 기판 지지부(210)는, 기판(W)을 적재하는 기판 적재면(211)과, 기판 적재면(211)을 표면에 갖는 기판 적재대(212), 기판 적재대(212) 내에 마련된 가열부로서의 히터(213)를 주로 갖는다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이, 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 마련되어 있다.
히터(213)에는, 전력을 공급하기 위한 배선(222)이 접속된다. 배선(222)은 히터 제어부(223)에 접속된다. 히터 제어부(223)는 컨트롤러(400)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨트롤러(400)는, 히터 제어부(223)를 제어해서 히터(213)를 가동시킨다.
기판 적재대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 또한 용기(202)의 외부에서 승강부(218)에 접속되어 있다.
승강부(218)를 작동시켜서 샤프트(217) 및 기판 적재대(212)를 승강시킴으로써, 기판 적재대(212)는, 기판 적재면(211) 상에 적재되는 기판(W)을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다.
처리실(201)은, 예를 들어 후술하는 버퍼 구조(230)와 기판 적재대(212)로 구성된다. 또한, 처리실(201)은, 기판(W)을 처리하는 처리 공간(205)을 확보할 수 있으면 되며, 다른 구조에 의해 구성되어도 된다.
기판 적재대(212)는, 기판(W)의 반송 시에는, 기판 적재면(211)이 연통 구멍(148)에 대향하는 반송 포지션(P0)까지 하강하고, 기판(W)의 처리 시에는, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 기판(W)이 처리 공간(205) 내의 처리 포지션으로 될 때까지 상승한다.
처리 공간(205)의 상부(상류측)에는, 가스를 확산시키는 버퍼 구조(230)가 마련되어 있다. 버퍼 구조(230)는 주로 덮개(231)로 구성된다. 덮개(231)에 마련된 가스 도입 구멍(231a)과 연통하도록, 덮개(231)에는, 후술하는 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250), 제3 가스 공급부(260), 제4 가스 공급부(270)가 접속된다. 도 3에서는 가스 도입 구멍(231a)이 1개밖에 도시되어 있지 않지만, 가스 공급부마다 가스 도입 구멍을 마련해도 된다.
계속해서, 배기부(291)를 설명한다. 처리 공간(205)에는 배기관(292)이 연통된다. 배기관(292)은, 처리 공간(205)에 연통하도록 상부 용기(202a)에 접속된다. 배기관(292)에는, 처리 공간(205) 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력 제어기인 APC(293)가 마련된다. APC(293)는, 개방도 조정 가능한 밸브체(도시하지 않음)를 갖고, 컨트롤러(400)로부터의 지시에 따라서 배기관(292)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한, 배기관(292)에 있어서 APC(293)의 상류측에는 밸브(294)가 마련된다. 배기관(292)과 밸브(294), APC(293)를 통합해서 배기부라고 칭한다.
또한, 배기관(292)의 하류에는, DP(Dry Pump. 드라이 펌프)(295)가 마련된다. DP(295)는, 배기관(292)을 통해서 처리 공간(205)의 분위기를 배기한다.
이어서 도 4를 사용하여, 처리실(201)에 가스를 공급하는 가스 공급부를 설명한다.
우선 제1 가스 공급부(240)를 설명한다. 제1 가스 공급관(241)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제1 가스원(242), 유량 제어기(유량 제어부)인 MFC(243) 및 개폐 밸브인 밸브(244)가 마련되어 있다.
제1 가스원(242)은 제1 원소를 함유하는 제1 가스(「제1 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제1 원소 함유 가스는, 원료 가스, 즉, 처리 가스의 하나이다. 여기서, 제1 원소는, 예를 들어 실리콘(Si)이다. 즉, 제1 가스는, 예를 들어 실리콘 함유 가스이다. 구체적으로는, 실리콘 함유 가스로서 헥사클로로디실란(Si2Cl6, HCDS) 가스가 사용된다.
제1 가스 공급관(241)에 바이패스관(246)을 마련해도 된다. 바이패스관(246)은, 제1 가스를 처리실(201)에 공급시키지 않을 경우에 사용하는 것이다. 예를 들어 밸브(244)를 폐쇄로 하고, 제2 가스를 바이패스관(246)으로 이동시킨다. 바이패스관(246)은 배기관(292)에 합류되어, 바이패스관(246)에 공급된 가스는 배기관(292)으로부터 배기된다.
주로, 제1 가스 공급관(241), MFC(243), 밸브(244)에 의해, 제1 가스 공급부(240)가 구성된다. 바이패스관(246)을 제1 가스 공급부(240)에 포함해도 된다.
제2 가스 공급부(250)를 설명한다. 제2 가스 공급관(251)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제2 가스원(252), 유량 제어기(유량 제어부)인 MFC(253) 및 개폐 밸브인 밸브(254)가 마련되어 있다.
제2 가스원(252)은 제2 원소를 함유하는 제2 가스(이하, 「제2 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제2 원소 함유 가스는, 처리 가스의 하나이다. 또한, 제2 가스는, 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제2 가스는, 제1 원소와 다른 제2 원소를 함유한다. 제2 원소로서는, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 어느 하나이다. 여기에서는, 제2 원소 함유 가스는, 예를 들어 질소 함유 가스로서 설명한다. 구체적으로는, 질소 함유 가스로서 암모니아(NH3) 가스가 사용된다.
제2 가스 공급관(251)에는, 리모트 플라스마 유닛(RPU)(255)을 마련해도 된다. RPU(255)는, 제2 가스 공급관(251) 내를 통과하는 제2 가스를 플라스마 상태로 하는 것이다.
제2 가스 공급관(251)에 바이패스관(256)을 마련해도 된다. 바이패스관(256)은, 제2 가스를 처리실(201)에 공급시키지 않을 경우에 사용하는 것이다. 예를 들어 밸브(254)를 폐쇄로 하고, 제2 가스를 바이패스관(256)으로 이동시킨다. 바이패스관(256)은 배기관(292)에 합류되어, 바이패스관(256)에 공급된 가스는 배기관(292)으로부터 배기된다.
주로, 제2 가스 공급관(251), MFC(253), 밸브(254)에 의해, 제2 가스 공급부(250)가 구성된다. RPU(255)를 제2 가스 공급부(250)에 포함해도 된다. 또한, 바이패스관(256)을 포함해도 된다.
또한, 제1 가스 단체로 기판(W) 상에 막을 형성하는 경우에는, 제2 가스 공급부(250)를 마련하지 않아도 된다.
제3 가스 공급부(260)를 설명한다. 제3 가스 공급관(261)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제3 가스원(262), 유량 제어기(유량 제어부)인 MFC(263) 및 개폐 밸브인 밸브(264)가 마련되어 있다.
제3 가스원(262)은 제3 원소를 함유하는 제3 가스(이하, 「제3 원소 함유 가스」라고도 칭함)원이다. 제3 원소 함유 가스는, 제1 가스와 제2 가스를 사용해서 형성한 막에 대하여 반응하는 반응 가스의 하나이다. 또한, 제3 가스는 개질 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제3 원소로서는, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중 어느 하나이다. 여기에서는, 제3 원소 함유 가스는, 예를 들어 수소 함유 가스로서 설명한다. 구체적으로는, 수소 함유 가스로서 수소 가스(H2)가 사용된다.
제3 가스 공급관(261)에 리모트 플라스마 유닛(RPU)(265)을 마련해도 된다. RPU(265)는, 제3 가스 공급관(261) 내를 통과하는 제3 가스를 플라스마 상태로 하는 것이다.
또한, 제3 가스 공급관(261)에 바이패스관(266)을 마련해도 된다. 바이패스관(266)은 제3 가스를 처리실(201)에 공급시키지 않을 경우에 사용하는 것이다. 예를 들어 밸브(264)를 폐쇄로 하고, 제3 가스를 바이패스관(266)으로 이동시킨다. 바이패스관(266)은 배기관(292)에 합류되어, 바이패스관(266)에 공급된 가스는 배기관(292)으로부터 배기된다.
주로, 제3 가스 공급관(261), MFC(263), 밸브(264)에 의해, 제3 가스 공급부(260)가 구성된다. RPU(265)를 제3 가스 공급부(260)에 포함해도 된다. 나아가, 바이패스관(266)을 제3 가스 공급부(260)에 포함해도 된다.
제4 가스 공급부(270)를 설명한다. 제4 가스 공급관(271)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제4 가스원(272), 유량 제어기(유량 제어부)인 MFC(273) 및 개폐 밸브인 밸브(274)가 마련되어 있다.
제4 가스원(272)은 불활성 가스의 가스원이다. 불활성 가스는, 기판(W) 상에 형성된 막과 반응하지 않는 가스이며, 예를 들어 질소(N2) 가스이다.
또한, 제4 가스 공급관(271)에 바이패스관(276)을 마련해도 된다. 바이패스관(276)은 제4 가스를 처리실(201)에 공급시키지 않을 경우에 사용하는 것이다. 예를 들어 밸브(274)를 폐쇄로 하고, 제4 가스를 바이패스관(276)으로 이동시킨다. 바이패스관(276)은 배기관(292)에 합류되어, 바이패스관(276)에 공급된 가스는 배기관(292)으로부터 배기된다.
주로, 제4 가스 공급관(271), MFC(273), 밸브(294)에 의해, 제4 가스 공급부(270)가 구성된다. 또한, 바이패스관(276)을 제4 가스 공급부(270)에 포함해도 된다.
후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 제1 가스와 제2 가스를 사용해서 기판(W) 상에 막을 형성하고, 제3 가스를 사용해서 형성한 막을 개질한다. 불활성 가스는, 처리실(201) 내의 분위기의 배기 등에 사용된다.
각 구성은, 후술하는 처리 선택부(408)가 선택하는 처리 종별에 따라 선택적으로 가동된다. 예를 들어 처리 선택부(408)가 리액터(200)에서 처리 A를 행하도록 선택한 경우, 처리 A에 관련하는 부품인 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250) 등이 가동되어, 처리실(201) 내에 가스를 공급한다. 또한, 제3 가스 공급부(260)는, 제3 가스가 처리 A에 영향을 미치지 않도록, 제3 가스 공급부의 가동을 정지하거나, 제3 가스가 처리실(201)에 침입하지 않도록, 바이패스관(266)을 통해서 배기하거나 한다. 여기서, 각 가스 공급부의 가동 정지란, 단순히 개폐 밸브를 닫은 상태를 유지하는 것도 포함한다.
또한, 예를 들어 후술하는 처리 선택부(408)가 리액터(200)에서 처리 B를 행하도록 선택한 경우, 처리 B에 관련하는 부품인 제3 가스 공급부(260)가 가동되어, 처리실(201) 내에 가스를 공급한다. 또한, 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250)는, 제1 가스, 제2 가스가 처리 B에 영향을 미치지 않도록, 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250)는 가동을 정지하거나, 제1 가스, 제2 가스가 처리실(201)에 침입하지 않도록, 바이패스관(246), 바이패스관(256) 등을 통해서 배기하거나 한다.
이어서 도 5를 사용해서 컨트롤러(400)를 설명한다.
기판 처리 장치(100)는, 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(400)를 갖고 있다.
제어부(제어 수단)인 컨트롤러(400)는, CPU(Central Processing Unit)(401), RAM(Random Access Memory)(402), 기억 장치로서의 기억부(403), I/O 포트(404)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(402), 기억부(403), I/O 포트(404)는, 내부 버스(405)를 통해서 CPU(401)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 기판 처리 장치(100) 내의 데이터의 송수신은, CPU(401)의 하나의 기능이기도 한 송수신 지시부(406)의 지시에 의해 행하여진다.
CPU(401)는, 기억부(403)로부터의 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(281)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억부(403)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(401)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, 게이트 밸브(149)의 개폐 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 히터 제어부(223), 각 펌프의 온/오프 제어, MFC의 유량 조정 동작, 밸브 등을 제어 가능하게 구성되어 있다.
CPU(401)는, 또한 산출부(407), 처리 선택부(408), 처리 설정부(409)를 갖는다. 이들의 구성에 대해서는 후술한다.
기억부(403)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억부(403) 내에는, 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등으로 구성되는 레시피(410)나, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램(411)이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 처리 종별 정보 테이블(412), 처리 이력 정보 테이블(413)을 갖는다. 처리 종별 정보는, 단순히 종별 정보라고 칭해도 된다.
또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(400)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 단순히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 프로그램이라는 용어를 사용한 경우에는, 프로세스 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(402)은, CPU(401)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(404)는, 게이트 밸브(149), 승강 기구(218), 각 압력 조정기, 각 펌프, 히터 제어부(223)의 각 구성에 접속되어 있다.
또한, 상위 장치(284)에 네트워크를 통해서 접속되는 네트워크 송수신부(283)가 마련된다. 네트워크 송수신부(283)는, 로트 중인 기판(W)의 처리 이력이나 처리 예정에 관한 정보 등을 수신하는 것이 가능하다.
처리 종별 정보 테이블(412)에 대해서 도 6을 사용해서 설명한다. 처리 종별 정보 테이블(412)은, 복수의 처리 종별과, 그에 대응하는 처리 시간 정보나 처리 레시피 등을 저장하는 테이블이다.
처리 종별 정보란, 기판(W)에 대한 처리의 정보를 말한다. 처리로서는, 예를 들어 제1 가스와 제2 가스를 사용하는 처리 A나, 제3 가스를 사용하는 처리 B이다. 그 밖에, 처리 A, 처리 B와 내용은 유사하지만, 처리 시간이 다른 처리 C나 처리 D 등이 있다. 처리 종별 정보의 구체예로서는, 처리 시간이나 처리 레시피, 처리 가스의 정보가 저장된다. 여기에서는 4개의 처리를 예로서 설명했지만, 그에 한정하는 것은 아니고, 5개 이상의 처리 종별 정보가 저장되어 있어도 된다.
도 6에서, 처리 A에서는 처리 시간을 T1로 하고, 레시피 A, 제1 가스인 Si 함유 가스와 제2 가스인 N 함유 가스가 사용된다. 이러한 조건에 의해, 처리 A에서는 기판 상에 SiN막을 형성한다. 또한, 처리 C는, 처리 A와 처리 시간이 다른 점에서 상이하며, 처리 C에서는 처리 시간을 T3으로 하고 있다.
또한, 처리 B에서는, 처리 시간을 T2로 하고, 레시피 B, 제3 가스인 수소 함유 가스가 사용된다. 또한, 플라스마 생성부가 ON인 상태이다. 처리 B는, 처리 A 후에 연속해서 행하여지는 처리이며, 이러한 조건에 의해, 처리 A에서 형성한 SiN막을 제3 가스에 의해 개질한다. 또한, 처리 D는, 처리 B와 처리 시간이 다른 점에서 상이하며, 처리 D에서는 처리 시간을 T4로 하고 있다.
여기에서 말하는 처리 시간이란, 각각의 처리에 있어서, 예를 들어 기판(W)이 리액터(200)에 반입된 시간부터, 각 처리를 거쳐서 리액터(200)로부터 반출될 때까지의 시간을 나타낸다. 후술하는 도 9에 기재된 처리 A의 플로에서는, 기판 반입 공정 S302의 개시부터 기판 반출 공정 S306의 종료까지를 말한다. 후술하는 도 10에 기재된 처리 B의 플로에서는, 기판 반입 공정 S402의 개시부터 기판 반출 공정 S406의 종료까지를 말한다. 처리 C, 처리 D도 마찬가지의 구성이므로 여기에서는 설명을 생략한다.
또한, 레시피 정보란, 각 처리의 처리 시퀀스 등을 포함하는 정보이다. 처리 시퀀스에는, 각 부품의 동작의 순번이나 그 동작 시간 등도 포함한다. 도 6에서는, 레시피 정보와 사용 가스종 정보를 따로따로 기재했지만, 사용 가스종 정보를 레시피 정보에 포함해도 된다.
계속해서, CPU(401)에 포함되는 산출부(407), 처리 선택부(408), 처리 설정부(409)에 대해서 설명한다. 산출부(407)는, 연속 처리에 걸리는 전체의 처리 시간 중, 소정 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 기능을 갖는다. 예를 들어, 처리 A와 처리 B가 있었을 경우, 그 중 처리 B의 처리 시간의 비율을 산출한다.
처리 선택부(408)는, 처리 종별 정보 테이블(412)에 저장된 처리 종별 정보로부터, 각 리액터가 행하는 처리를 선택하는 것이다. 예를 들어, 리액터(200a), 리액터(200b), 리액터(200c)에서는 처리 A를, 리액터(200d)에서는 처리 B를 행하도록 선택한다.
처리 설정부(409)는, 각 리액터(200)에 있어서, 처리 선택부(408)가 선택한 처리에 대응한 레시피 정보를 판독하여, 각 리액터(200)에서의 부품 등을 설정하는 것이다.
계속해서, 처리 이력 정보 테이블(413)에 대해서 도 7을 사용해서 설명한다. 처리 이력 테이블(413)은, 각 리액터(200)에 대응한, 각 처리의 처리 이력 정보가 저장되어 있다. 예를 들어 리액터(200a)에서의 처리 A의 누적 처리 시간의 정보인 정보 Aa가 저장되고, 리액터(200c)에서의 처리 B의 누적 처리 시간의 정보인 정보 Bc가 저장된다. 이들은, 후술하는 처리 이력 기록 공정 S214에서 갱신된다.
또한, 컨트롤러(400)는, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(282)를 사용해서 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 기술에 따른 컨트롤러(400)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(282)를 통해서 공급하는 경우로 제한하지는 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(282)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억부(403)나 외부 기억 장치(282)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 기록 매체라는 용어를 사용한 경우에는, 기억부(403) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
이어서 도 8을 사용해서 기판 처리 공정을 설명한다. 기판 처리 장치의 일 공정으로서, 상술한 구성의 기판 처리 장치(100)를 사용해서 기판(W)을 처리하는 공정에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(400)에 의해 제어된다.
(기판 정보 수신 공정 S202)
기판 정보 수신 공정 S202를 설명한다. 기판 처리 장치(100)는, 공장 내의 로봇으로부터 복수의 기판(W)이 포함되는 FOUP을 수취한다. 또한 상위 장치(284)로부터 그러한 기판(W)의 처리 종별 정보를 수신한다. 즉, 기판(W)을 어떻게 처리할지의 정보를 수신한다. 여기에서는, 예를 들어 도 6에 기재된 처리 종별 정보에 관련한 정보를 수신한다. 구체적으로는, 각 기판(W)이 처리 A만 행하는 경우, 예를 들어 처리 A와 처리 B를 연속으로 행하는 경우, 처리 C와 처리 D를 연속으로 행하는 경우 등의 정보이다.
(처리 이력 판독 공정 S204)
처리 이력 판독 공정 S204를 설명한다. 처리 이력 정보 테이블(413)로부터, 각 리액터(200)의 처리 이력을 판독한다. 구체적으로는, 예를 들어 기판(W)에 대하여 처리 A, 처리 B를 행하는 경우, 처리 A, 처리 B 각각의 누적 처리 시간을 판독한다. 예를 들어 각 리액터(200)의 처리 A의 누적 처리 시간인 Aa 내지 Ad를 판독하고, 처리 B의 누적 처리 시간인 Ba 내지 Bd를 판독한다. 누적 처리 시간을 판독함으로써 각 리액터(200)의 상태를 파악할 수 있다. 각 리액터(200)의 상태란, 예를 들어 리액터(200)의 내벽에 부착된 부생성물의 막 두께 등이다.
(처리 시간 비율 산출 공정 S206)
처리 시간 비율 산출 공정 S206을 설명한다. 기판 정보 수신 공정 S202에서 수신한 처리 종별 정보에 기초하여, 각 처리의 처리 시간 정보를 판독한다. 또한, 지금부터 행하는 처리의 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 소정 처리의 처리 시간의 비율을 산출한다. 예를 들어, 처리 A만을 행하는 경우라면, 처리 A의 비율을 100％로 산출한다. 처리 A와 처리 B를 연속해서 행하는 경우, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비율을 산출한다. 예를 들어 처리 시간(임의 단위)에 관하여, 처리 A가 0.5, 처리 B가 1.5이라면, 처리 시간비가 1:3인 것을 산출한다. 또한, 처리 A가 1.5, 처리 B가 0.5이라면, 처리 시간비가 3:1인 것을 산출한다. 여기에서 말하는 처리 시간이란, 예를 들어 리액터(200)에의 기판(W)의 반입 개시부터 반출 종료 시간까지를 말한다.
(처리 선택 공정 S208)
처리 선택 공정 S208을 설명한다. 처리 선택부(408)는, 처리 시간 비율 산출 공정 S206에서 산출한 비율을 바탕으로, 각 처리에 대응하는 리액터(200)의 수를 결정한다. 예를 들어, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비가 1:3이라면, 처리 A에 대응하는 1개의 리액터(200), 처리 B에 대응하는 3개의 리액터(200)를 선택한다. 또한, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비가 3:1이라면, 처리 A에 대응하는 3개의 리액터(200), 처리 B에 대응하는 1개의 리액터(200)를 선택한다.
본 실시 형태에서는, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비가 3:1로서, 예를 들어 처리 A에 대응한 리액터(200)로서, 리액터(200a), 리액터(200b), 리액터(200c)를 선택한다. 또한, 처리 B에 대응한 리액터(200)로서 리액터(200d)를 선택한다.
바람직하게는, 다음의 이유에 의해 본 공정에서는 처리 이력 판독 공정 S204에서 판독한 각각의 리액터(200)에서의 각 처리의 누적 처리 시간을 참조하여, 리액터(200)를 선정한다.
예를 들어, 각 리액터간에 부품의 누적 처리 시간에 치우침이 있을 경우, 기판의 처리 조건에도 치우침이 발생해버리는 경우가 있다. 그 때문에, 리액터(200)의 처리 이력이 치우치지 않도록 하기 위해서도, 처리 시간이 균일해지도록 리액터(200)를 선정한다.
여기서, 기판의 처리 조건의 치우침은, 각 리액터에 마련된 부품의 사용 시간의 차, 각 리액터(200)의 처리실(201) 내의 부재의 표면 상태의 차 등을 포함한다. 부품의 사용 시간에 차가 생김으로써, 동일한 설정의 처리 조건이어도, 기판(W)에 공급되는 가스의 양이나, 기판(W)의 온도에 차가 생기는 경우가 있다. 각 리액터(200)의 처리 이력을 균일화시킴으로써, 리액터마다의 처리 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 동일한 리액터에서 처리되는 기판(W)마다의 처리 균일성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 개질 처리의 처리 시간이 많은 처리실(201)에서는, 처리실(201) 내의 부재의 표면이, 개질 처리에서 사용되는 가스에 의해 개질되어 있을 것으로 생각된다. 이와 같은 처리실(201) 내의 부재 표면이 개질되어 있는 경우, 처리실(201) 내에서 소비되는 처리 가스의 양이 변화하는 경우가 있다. 처리실(201) 내에서 소비되는 처리 가스의 양이 변화함으로써, 기판(W)에 공급되는 처리 가스의 양이 바뀌어버리는 경우가 있다. 이에 의해 기판(W)마다의 처리 균일성이 변화할 가능성이 있다. 또한, 처리실(201) 내에서의 처리 가스의 소비량은, 처리실(201) 내의 부재 표면에 흡착되는 처리 가스의 양에 의해 변화한다. 리액터(200)의 처리 이력이 치우치지 않도록 제어함으로써, 처리 시간의 균일화뿐만 아니라, 리액터마다의 처리 균일성, 기판마다의 처리 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(리액터 설정 공정 S210)
리액터 설정 공정 S210을 설명한다. 각 리액터(200)에서는, 처리 선택 공정 S208에서 선택된 처리가 가능하도록, 처리 종별 정보 테이블(412)의 정보에 기초하여 각 부품의 동작 등을 설정한다. 예를 들어, 처리 A를 행하는 리액터에서는, 제1 가스 공급부와 제2 가스 공급부를 가동 가능하도록, 또한 제3 가스 공급부와 플라스마 생성부를 가동시키지 않도록 설정한다. 처리 B를 행하는 리액터에서는, 제3 가스 공급부와 플라스마 생성부를 가동 가능하도록, 또한 제1 가스 공급부와 제2 가스 공급부를 가동시키지 않도록 설정한다.
(막 처리 공정 S212)
막 처리 공정 S212를 설명한다. 기판(W)은 각 리액터(200)로 이동된다. 여기에서는, 각 리액터(200)에서, 기판(W)에 형성된 막에의 처리가 행하여진다. 각 리액터(200)에서는, 처리 종별 설정 공정 S208에 따라서 설정된 처리를 실행한다. 본 공정의 상세는 후술한다.
(처리 이력 기록 공정 S214)
처리 이력 기록 공정 S214를 설명한다. 각 처리가 종료되면, 처리 이력 정보 테이블(413)에, 리액터(200)마다의 처리 종별에 따른 처리 시간을 기록한다. 또한, 본 공정은, 막 처리 공정 S212 후에 행하는 것에 한하지 않고, 다른 공정과 병행해서 행해도 된다.
(판정 S216)
판정 S216을 설명한다. 여기에서는 기판(W)을 소정 매수 처리했는지 여부를 판정한다. 소정 매수의 기판(W)이 처리되었다고 판정되면, 1로트의 기판 처리가 완료되었다고 간주하고, 처리를 종료한다. 소정 매수의 처리가 완료되지 않은 경우, 다음에 처리할 기판(W)을 반송한다. 처리를 종료한 후에는, 예를 들어 다음 로트의 기판(W)의 처리를 개시한다.
계속해서, 도 9를 사용해서 막 처리 공정 S212의 상세를 설명한다. 도 9는 하나의 기판(W)의 플로를 설명한 것이다. 이것은, 하나의 기판(W)에 대한 동작을 나타내는 플로이며, 예를 들어 처리 A를 행하고, 이어서 처리 B를 행하는 플로이다.
(기판 이동 공정 S302)
기판 이동 공정 S302를 설명한다. 로봇(170)은, 진공 반송실(140)로부터 선택된 리액터(200)에 기판(W)을 이동한다. 여기에서는, 먼저 처리 A가 이루어지기 때문에, 기판(W)은 처리 A를 행하도록 설정된 리액터(200)로 이동한다. 예를 들어, 처리 A가 설정된 리액터(200a)로 이동한다. 리액터(200a)에서는 게이트 밸브(149)가 개방으로 되어, 암(180)에 의해 기판(W)이 반입된다.
(제1 막 처리 공정 S304)
제1 막 처리 공정 S304를 설명한다. 제1 막 처리 공정 S304에서는, 처리 A를 행하도록 설정된 리액터(200)에서 기판(W)을 처리한다. 구체적인 내용을, 도 10에 기재된 플로를 사용해서 설명한다.
(기판 반입 공정 S402)
기판 반입 공정 S402를 설명한다. 이동 공정 S302에서, 리액터(200) 내에 기판(W)이 반입된다. 예를 들어, 리액터(200a)에 기판(W)이 반입된다.
이때, 기판 적재대(212)를 기판(W)의 반송 위치(반송 포지션(P0))까지 하강시켜, 기판 적재대(212)의 관통 구멍(214)에 리프트 핀(207)을 관통시킨다. 그 결과, 리프트 핀(207)이 기판 적재대(212) 표면보다도 소정의 높이만큼 돌출된 상태로 된다. 이러한 동작과 병행하여, 제4 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급과, 반송실(206)의 분위기의 배기 등을 행하여, 인접하는 진공 반송실(140)과 동일한 압력, 혹은 인접하는 진공 반송실(140)의 압력보다도 낮은 압력으로 한다.
계속해서, 게이트 밸브(149)를 개방하여, 반송실(206)을 인접하는 진공 반송실(140)과 연통시킨다. 그리고, 로봇(170)이 기판(W)을 진공 반송실(140)로부터 반송실(206)에 반입하여, 리프트 핀(207) 상에 적재한다.
리프트 핀(207) 상에 기판(W)이 적재되면, 기판 적재대(212)를 상승시켜, 기판 적재면(211) 상에 기판(W)을 적재하고, 또한 도 3에 기재된 바와 같이, 기판 처리 포지션까지 상승시킨다.
기판(W)을 기판 적재면(211)에 적재할 때는, 히터(213)에 전력을 공급하여, 기판(W)의 표면이 소정의 온도가 되도록 제어된다.
기판 반입 공정 S402 동안에, 처리 A의 설정으로 각 부품을 제어한다. 예를 들어 히터(213)나, 가스 공급계, 배기계 등을 제어한다.
(제1 막 처리 가스 공급 공정 S404)
제1 막 처리 가스 공급 공정 S404를 설명한다. 여기에서는 리액터 설정 공정 S210에서 설정된 동작으로 각 부품을 제어하여, 기판(W) 상의 막을 처리한다.
먼저, 처리 A의 레시피에 따라서 처리실 내의 압력을 조정한다. 예를 들어 배기부(291)와 제4 가스 공급부(270)를 동작시킨다. 원하는 압력으로 되면, 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250)를 제어하여, 처리실(201)에 제1 가스와 제2 가스를 공급하여 기판(W)을 처리한다. 이 공정에서의 처리란, 예를 들어 제1 가스와 제2 가스를 반응시켜서, 기판(W) 상에 소정의 막을 형성하는 처리를 말한다. 또한, 본 공정에서는, 레시피에 따라서 플라스마 생성부(255)를 가동시켜도 된다. 본 실시 형태에서는, 제1 가스로서 HCDS를 공급하고, 제2 가스로서 NH3 가스를 공급하여, 실리콘 질화(SiN)막을 형성한다.
본 공정에서는, 예를 들어 이하의 조건에서 처리한다.
제1 가스: HCDS
제1 가스의 가스 공급량 5 내지 5000sccm
제2 가스:NH3
제2 가스의 가스 공급량 10 내지 10000sccm
처리실의 압력: 133 내지 13332Pa
처리 온도: 300 내지 500℃
소정 시간이 경과하면, 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250)를 정지한다. 또한, 제4 가스 공급부로부터 불활성 가스를 공급하여 처리실(201) 내의 분위기를 배기한다.
또한, 본 공정에서는, 예를 들어 제3 가스 공급부(260)의 가동을 정지하여, 제3 가스를 처리실(201)에 공급하지 않도록 한다. 또한, 공급하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들어 밸브(264)를 폐쇄로 하고, 바이패스관(266)으로부터 제3 가스를 배출하도록 해도 된다.
(기판 반출 공정 S406)
기판 반출 공정 S406을 설명한다. 기판(W) 상에 원하는 처리가 이루어지면, 기판 반입 공정 S402와 역의 순번으로, 처리실로부터 기판(W)을 반출한다. 이때, 기판(W)은 로봇(170)에 지지된 상태이다.
(기판 이동 공정 S306)
기판 이동 공정 S306을 설명한다. 로봇(170)은, 다음 리액터(200)로 기판(W)을 이동시킨다. 예를 들어, 처리 A와 처리 B를 연속해서 행하는 경우, 기판(W)은 다음 처리인 처리 B를 행하기 위해서, 처리 B를 행하도록 설정된 리액터(200)로 이동한다. 예를 들어, 리액터(200d)로 이동한다. 리액터(200d)에서는 게이트 밸브(149)가 개방으로 되어, 기판(W)을 지지한 암(180)이 리액터(200d) 내에 진입한다.
(제2 막 처리 공정 S308)
제2 막 처리 공정 S308을 설명한다. 제2 막 처리 공정 S308에서는, 처리 B를 행하도록 설정된 리액터(200)에서 기판(W)을 처리한다. 구체적인 내용을, 도 11에 기재된 플로를 사용해서 설명한다.
(기판 반입 공정 S502)
기판 반입 공정 S502를 설명한다. 여기에서는, 기판 반입 공정 S402와 마찬가지의 방법으로 기판(W)을 반입한다. 반입된 기판(W)은 기판 처리 포지션으로 이동된다. 기판 반입 공정 S502 동안에, 처리 B의 설정으로 각 부품을 제어한다. 예를 들어 히터(213)나, 가스 공급계, 배기계 등을 제어한다.
(제2 막 처리 가스 공급 공정 S504)
제2 막 처리 가스 공급 공정 S504를 설명한다. 여기에서는 리액터 설정 공정 S210에서 설정된 동작으로 각 부품을 제어하여, 기판(W) 상의 막을 처리한다.
먼저, 처리 B의 레시피에 따라서 처리실 내의 압력을 조정한다. 여기에서는, 예를 들어 배기부(291)와 제4 가스 공급부(270)를 동작시킨다. 원하는 압력으로 되면, 제3 가스 공급부(260)를 제어하여, 처리실(201)에 제3 가스를 공급하여 기판(W) 상의 막을 처리한다. 막의 처리란, 예를 들어 제1 막 처리 공정 S304에서 형성된 막을, 제3 가스로 개질하는 처리를 말한다. 또한, 본 공정에서는, 레시피에 따라서 플라스마 생성부(265)를 가동시켜도 된다. 본 실시 형태에서는, 처리 A에서 형성한 SiN막에 대하여 H2 가스를 공급해서 개질하는 처리를 말한다.
본 공정에서는, 예를 들어 이하의 조건에서 처리한다.
제3 가스: H2
제3 가스의 가스 공급량 10 내지 500sccm
처리실의 압력: 133 내지 6666Pa
처리 온도:100 내지 600℃
소정 시간이 경과하면, 제3 가스 공급부(260)를 정지한다. 또한, 제4 가스 공급부로부터 불활성 가스를 공급하여, 처리실(201) 내의 분위기를 배기한다.
또한, 본 공정에서는, 예를 들어 제1 가스 공급부(240), 제2 가스 공급부(250)의 가동을 정지하여, 제1 가스, 제2 가스를 처리실(201)에 공급하지 않도록 한다. 또한, 공급하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들어 밸브(244), 밸브(254)를 폐쇄로 하고, 바이패스관(246, 256)으로부터 제1 가스, 제2 가스를 배출하도록 해도 된다.
(기판 반출 공정 S506)
기판 반출 공정 S506을 설명한다. 기판(W) 상에 원하는 처리가 이루어지면, 기판 반입 공정 S402와 역의 순번으로, 처리실(201)로부터 기판(W)을 반출한다. 이때, 기판(W)은 로봇(170)에 지지된 상태이다.
(기판 이동 공정 S310)
기판 이동 공정 S310을 설명한다. 제2 막 처리 공정 S308이 종료되면, 로봇(170)은, 기판(W)을 리액터(200)로부터 반출하여, 또한 로드 로크실(130)로 이동시킨다. 이상으로 막 처리 공정 S212의 설명을 종료한다. 이 후, 처리 이력 기록 공정 S214로 이행한다.
계속해서, 본 실시 형태의 시퀀스와 비교예의 시퀀스에 대해서, 도 12 내지 도 15를 사용해서 설명한다. 도 12, 도 14는 본 실시 형태를 설명한 것이며, 도 13, 도 15는 비교예를 설명한 것이다.
종축의 W1 내지 W10은 처리되는 기판(W)을 나타낸다. 예를 들어, W1은 1매째에 처리되는 기판(W)이며, W10은 10매째에 처리되는 기판(W)이다. 횡축은 시간을 나타낸다. 또한, 단위는 임의 단위이다. 또한, 각 처리 전후의 음영은, 기판(W)의 이동 시간을 나타낸다. 여기에서 말하는 이동이란, 예를 들어 리액터(200)간의 이동이나 리액터(200)와 로드 로크실(130)의 사이의 이동을 나타낸다. 또한 1매의 기판(W)의 반입/반출이나, 기판(W)의 교체도 포함하는 것으로 한다. 설명의 편의상, 기판(W)의 이동 시간은 일정하게 하고 있다.
도 12, 도 13에서는, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비를 3:1로 하고 있다. 도 12에서는 처리 시간의 비에 맞춰서 리액터수의 비를 3:1로 설정하고 있는 것에 반해, 도 13에서는 처리 시간의 비율과 관련시키지 않고, 리액터수를 동일수로 하고 있다. 이러한 조건에서, 기판(W)의 처리 시간을 시산하였다.
도 14, 도 15에서는, 처리 A와 처리 B의 처리 시간의 비를 1:3으로 하고 있다. 도 14에서는 처리 시간의 비율에 맞추어 리액터수의 비를 1:3으로 설정하고 있는 것에 반해, 도 15에서는 처리 시간의 비율과 관련시키지 않고, 처리 A 대응 리액터와 처리 B 대응 리액터를 동일수로 하고 있다. 이러한 조건에서, 기판(W)의 처리 시간을 시산하였다.
도 12의 실시 형태에서는, 9매째의 기판(W)의 처리가 종료되는 시간이 59인 것에 반해, 도 13의 비교예에서는 종료되는 시간이 71이다. 또한, 도 14의 실시 형태에서는, 9매째의 기판(W)의 처리가 종료되는 시간이 59인 것에 반해, 도 15의 비교예에서는 72이다.
이와 같이, 처리 시간의 비율에 맞추어 리액터수를 설정하면, 처리 스루풋을 높게 할 수 있으며, 그 결과 처리 효율을 높일 수 있다.
(제2 실시 형태)
계속해서 제2 실시 형태를 도 16을 사용해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 리액터(200)의 구성이 제1 실시 형태와 다르다. 구체적으로는, 예를 들어 도 1에서는, 리액터(200a 내지 200c)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 1매씩 기판을 처리하는 매엽 장치이지만, 리액터(200d)는, 복수의 기판을 일괄적으로 처리 가능한 뱃치 장치로 하고 있다. 설명의 편의상, 1매씩 처리하는 리액터를 제1 리액터, 뱃치로 처리하는 리액터를 제2 리액터라고 칭한다.
또한, 제1 실시 형태에서는 처리 시간의 비율에 따라 리액터수를 설정하고 있었지만, 본 실시 형태에서는 기판 처리 장치(100) 중 제1 리액터(200)에서 처리하는 기판의 매수에 따라, 제2 리액터(200)에서 처리하는 기판(W)의 매수를 변화시키는 점에서 상이하다.
이하에 구체적인 내용을 설명한다.
제1 리액터는 기판을 1매씩 처리 가능한 장치이며, 예를 들어 제1 실시 형태와 마찬가지로, 도 3에 기재된 장치를 사용한다. 가스 공급부의 개수 등은 처리에 따라 다르게 해도 된다.
계속해서 제2 리액터를, 도 16을 사용해서 설명한다. 제2 리액터(200d)를 설명한다. 또한, 도 4에 기재된 리액터와 마찬가지의 기능을 갖는 구성에 대해서는, 번호를 동일하게 함과 함께 설명을 생략한다.
리액터(200d)는 복수의 기판(W)을 일괄해서 처리 가능한 장치이다. 리액터(200d)는, 복수의 기판(W)이 반입되는 처리실(301)을 구비한다. 처리실(301)의 하방에는 기판(W)을 처리 공간(305)에 반송할 때 기판(W)이 통과하는 반송 공간을 갖는 반송실(306)이 마련되어 있다. 이때 기판(W)은, 후술하는 기판 지지부로서의 보트(310)에 지지된 상태에서 반송된다.
처리실(301)과 반송실(306) 사이에는 노구가 마련된다. 노구는 보트(310)가 처리실(201)에 삽입될 때 통과하는 입출구이다. 기판(W)을 처리할 때는, 처리실(301)의 분위기를 가두기 위한 노구 셔터(307)가 마련된다. 노구 셔터(307)는, 기판 처리 시에는 폐쇄되고, 보트(310)를 이동할 때는 개방된다.
보트(310)는, 수평 자세로 지지된 기판(W)이 연직 방향으로 다단으로 정렬된 상태에서 수용되도록 구성되어 있다. 각 기판(W)은, 보트(310)에 구비된 복수의 기판 지지부(311)에 의해 지지된다. 기판 지지 구조(311)는, 예를 들어 기판(W)의 외주 형상을 따른 구조이며, 각 기판(W)의 에지는 이 구조로 지지된다. 더미 기판(D)이 필요한 경우, 기판 지지부(311)는 더미 기판(D)을 지지해도 된다.
보트(310)는, 회전축(309)을 통해서 회전/승강 기구(304)가 접속된다. 회전/승강 기구(304)는, 보트(310)를 처리실(301), 반송실(306)의 사이에서 승강 가능하게 한다. 나아가 회전축(309)을 회전시킴으로써, 처리실(201) 내의 기밀을 유지한 채, 복수의 기판(W)을 탑재한 상태에서 회전 가능하게 구성되어 있다.
처리실(201)에는, 처리 가스나 퍼지 가스 등을 도입하기 위한 가스 도입관(308)과, 처리실(201) 내의 가스를 배기하기 위한 배기부(291)가 각각 접속되어 있다.
가스 도입관(308)은 노즐이다. 가스 도입관(308)의 하류측에는 복수의 가스 공급 구멍이 마련되고, 가스 도입관(308)의 관 내는 처리실(301)에 연통하도록 구성된다. 처리 가스 등은, 가스 공급 구멍으로부터 처리실(301)에 공급된다. 가스 도입관(308)은, 상류측에서 제3 가스 공급부(260), 제4 가스 공급부(270)에 접속된다.
처리실(301)의 외주에는 히터(303)가 배치된다. 히터(303)는, 처리실(301) 내가 전체에 걸쳐 균일 또는 소정의 온도 분포로 되도록, 처리실(301) 내의 분위기를 가열하도록 구성되어 있다.
계속해서, 본 실시 형태에서의 리액터 설정 공정을 설명한다. 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이 처리 시간의 비율에 맞추어 리액터(200d)에서의 처리 매수를 설정한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100)에 있어서, 처리 A를 행하는 기판(W)이 3매이며, 리액터(200a 내지 200c)에서 처리하는 경우, 제2 리액터인 리액터(200d)에서는 3매의 기판을 처리하는 것으로 한다.
이 경우, 도 17에 기재된 바와 같이, 리액터(200a) 내지 리액터(200c)에서 총 3매의 기판(W)을 처리한 후, 각각의 기판(W)을 리액터(200d)로 이동시켜, 3매의 기판(W)에 대하여 일괄적으로 처리 B를 행하는 것으로 한다.
또한, 처리 A를 행하는 기판(W)이 2매인 경우, 예를 들어 리액터(200a), 리액터(200b) 각각에서 기판(W)을 처리하고, 그 후 각각의 기판(W)을 리액터(200d)로 이동시켜, 2매의 기판(W)에 대하여 일괄적으로 처리 B를 행한다. 이때, 일부의 기판 지지 구조(311)에 기판(W)이 지지되어 있지 않은 경우, 그 기판 지지 구조(311)는 더미 기판(D)을 지지해도 된다. 더미 기판(D)을 지지함으로써, 모든 기판 지지 구조(311)에 기판(W)이 지지되어 있는 상태와 마찬가지의 처리를 행할 수 있다.
이와 같이, 제1 리액터에서 처리한 기판의 총 수에 맞춰서 제2 리액터에서의 처리 매수를 설정함으로써, 효율이 좋은 처리가 가능하게 된다.
(다른 실시 형태)
이상으로, 본 양태에서의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 그에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 제1 막 처리로서 성막 처리를, 제2 막 처리로서 개질 처리를 행하는 것을 설명했지만, 그에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 막 처리로서 제1 성막 처리를, 제2 막 처리로서 제2 성막 처리를 행하여, 적층막을 형성하는 경우이어도 된다. 또한, 제1 막 처리로서 애싱 처리를, 제2 막 처리로서 에칭 처리를 행해도 된다. 이와 같이, 기판을 연속 처리하는 경우에 유효하다.
또한, 리액터(200)로서는, 예를 들어 도 18에 기재된 바와 같이, 처리실(201)과 인접하는 활성화부(510)를 구비해도 된다. 도 18에 기재된 리액터에서는, 리액터(200)의 천장(231)에 창(511)이 마련된다. 창(511)의 상방에는 예를 들어 복수의 램프(512)를 저장하는 하우징(513)이 마련되어 있다. 각 램프(512)에는, 램프 제어부(514)가 전기적으로 접속된다. 램프 제어부(514)는, 램프(512)의 온/오프나 파워를 제어한다.
도 18에 기재된 리액터(200)를 사용하는 경우에는, 예를 들어 제1 막 처리에서는 램프를 오프로 하여, 제1 실시 형태에서의 제1 막 처리와 마찬가지로 성막 처리를 행하고, 제2 막 처리에서는 램프를 온으로 하여, 개질 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 장치(100)로서, 4개의 리액터(200)를 사용하는 예에 대해서 설명했지만, 그에 한정하는 것이 아니고, 도 19에 기재된 바와 같이 5개 이상, 예를 들어 8개의 리액터(200)를 사용하는 기판 처리 장치이어도 된다. 이 경우도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 처리 시간의 비율에 따라 리액터수를 설정한다. 예를 들어, 제1 막 처리의 시간과 제2 막 처리의 시간의 비가 3:1이라면, 제1 막 처리에 대응한 6개의 리액터와, 제2 막 처리에 대응한 2개의 리액터를 설정한다. 구체적으로는, 예를 들어 6개의 리액터로서 리액터(200a 내지 200f)에서 제1 막 처리를 행하는 것이 가능하게 설정하고, 2개의 리액터로서 예를 들어 200g, 200h에서 제2 막 처리를 행하는 것이 가능하게 설정한다. 또한, 제1 막 처리의 시간과 제2 막 처리의 시간의 비가 1:3이라면, 2개의 리액터, 예를 들어 리액터(200a 내지 200b)에서 제1 막 처리를 행하는 것이 가능하게 설정하고, 6개의 리액터, 예를 들어 200c 내지 200h에서 제2 막 처리를 행하는 것이 가능하게 설정한다.
이렇게 처리 시간의 비율에 맞추어 리액터를 설정함으로써, 효율이 좋은 처리가 가능하게 된다.
또한, 예를 들어 상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 행하는 성막 처리에 있어서, 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)로서 HCDS 가스를 사용하고, 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)로서 NH3 가스를 사용하여, 기판(W) 상에 SiN막을 형성하는 경우를 예로 들었지만, 본 양태가 이것에 한정되지는 않는다. 즉, 성막 처리에 사용하는 처리 가스는, HCDS 가스나 NH3 가스 등에 한정되지 않고, 다른 종류의 가스를 사용해서 다른 종류의 박막을 형성해도 상관없다. 나아가, 3종류 이상의 처리 가스를 사용하는 경우이어도 된다. 또한, 제1 원소로서는, Si가 아니라, 예를 들어 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등, 다양한 원소이어도 된다. 또한, 제2 원소로서는, H가 아니라, 예를 들어 질소(N) 등이어도 된다.
또한, 예를 들어 상술한 각 실시 형태에서는, 개질 처리로서 H 함유 가스를 사용해서 처리하는 것을 설명했지만, 그에 한정하는 것은 아니고, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중 어느 것, 혹은 그것들의 조합을 포함하는 가스를 사용해도 된다.
또한, 예를 들어 상술한 각 실시 형태에서는, 성막 처리 후에 개질 처리를 행하는 예에 대해서 설명했지만, 그에 한정하는 것은 아니고, 개질 처리를 행한 후, 성막 처리를 행하도록 해도 된다.
또한, 예를 들어 상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 행하는 처리로서 성막 처리와 개질 처리를 예로 들었지만, 본 양태가 이것에 한정되지는 않는다. 즉, 본 양태는, 각 실시 형태에서 예로 든 성막 처리나 개질 처리 이외에, 각 실시 형태에서 예시한 박막 이외의 성막 처리, 개질 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 기판 처리의 구체적 내용은 불문이며, 성막 처리, 개질 처리뿐만 아니라, 어닐 처리, 확산 처리, 산화 처리, 질화 처리, 리소그래피 처리 등의 다른 기판 처리를 행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 본 양태는, 다른 기판 처리 장치, 예를 들어 어닐 처리 장치, 에칭 장치, 산화 처리 장치, 질화 처리 장치, 노광 장치, 도포 장치, 건조 장치, 가열 장치, 플라스마를 이용한 처리 장치 등의 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 어떤 실시 형태의 구성의 일부를 다른 실시 형태의 구성으로 치환하는 것이 가능하고, 또한 어떤 실시 형태의 구성에 다른 실시 형태의 구성을 추가하는 것도 가능하다. 또한, 각 실시 형태의 구성의 일부에 대해서, 다른 구성의 추가, 삭제, 치환을 하는 것도 가능하다.
W: 기판
100: 기판 처리 장치
200: 리액터
400: 컨트롤러

Claims (24)

  1. 기판의 처리에 대응한 종별 정보를 수신하는 공정과,
    상기 종별 정보와, 각각의 상기 종별 정보에 대응한 처리 시간 정보를 기억부로부터 판독하는 공정과,
    상기 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 미리 결정된 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 공정과,
    상기 비율에 따라 리액터를 선택하는 공정과,
    선택된 상기 리액터에서, 상기 미리 결정된 처리가 가능하게 설정하는 공정과,
    상기 리액터에 상기 종별 정보에 대응한 기판을 반송하는 공정과,
    상기 리액터에서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 선택하는 공정에서는, 상기 비율에 따른 리액터수를 선택하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리는, 성막 처리 또는 개질 처리인, 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 종별 정보는, 성막 처리의 정보 또는 개질 처리의 정보인, 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 리액터에서 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행한 후, 상기 리액터와 다른 리액터로 이동하여, 상기 리액터와 다른 처리가 행하여지는, 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 리액터에서의 처리 시간은, 상기 다른 리액터에서의 처리 시간보다도 긴, 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 리액터에서의 처리 시간은, 상기 다른 리액터에서의 처리 시간보다도 짧은, 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 처리 시간은, 상기 기판이 반입되고 나서 반출될 때까지의 시간인, 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 리액터에는, 제1 막 처리에서 사용되는 가스 공급부와, 제2 막 처리에서 사용되는 가스 공급부가 접속되고,
    처리 설정부는, 상기 처리에 따라, 각각의 상기 가스 공급부의 동작을 설정하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 막 처리에서는,
    상기 제1 막 처리에서 사용되는 가스 공급부로부터는 상기 제1 막 처리에서 사용되는 가스를 상기 리액터에 공급하고,
    상기 제2 막 처리에서 사용되는 가스 공급부로부터는 상기 제2 막 처리에서 사용되는 가스를 상기 리액터에 공급하지 않도록 하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2 막 처리에서 사용되는 가스는, 바이패스관을 통해서 배출되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 리액터에는 활성화부가 구비되고,
    처리 설정부는, 제1 막 처리에서는 상기 활성화부를 가동하지 않도록 설정하고, 제2 막 처리에서는 상기 활성화부를 가동시키도록 설정하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 또한, 상기 기억부는 각각의 상기 리액터에서의 상기 리처리의 처리 이력을 기록하고,
    상기 처리 선택부는, 상기 리액터의 처리 이력 정보를 참조하여, 상기 리액터에서의 상기 처리가 치우치지 않도록 상기 리액터를 선택하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 처리 이력 정보는, 상기 종별 정보마다의 누적 처리 시간의 정보인, 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 처리 이력 정보는, 상기 종별 정보마다의 부품 사용의 누적 처리 시간의 정보인, 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 공정 후, 처리 이력을 기록하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 공정 후, 상기 리액터마다, 상기 종별 정보마다의 처리 이력을 기록하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 복수의 제1 리액터에서 처리되는 기판의 총 수에 따라, 제2 리액터에서 처리하는 상기 기판의 매수를 설정하는 공정과,
    복수의 상기 제1 리액터에서 상기 기판에 제1 막 처리를 행하는 공정과,
    상기 제1 리액터에서 처리된 기판을, 상기 제1 리액터와 상기 제2 리액터에 인접하는 반송실을 통해서 상기 제2 리액터에 반송하는 공정과,
    상기 제2 리액터에서, 복수의 상기 기판에 제2 막 처리를 행하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2 리액터는, 복수의 상기 기판을 일괄적으로 처리 가능한 리액터인, 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제2 리액터는, 복수의 기판을 지지 가능한 기판 지지 구조를 구비하고,
    상기 제2 리액터에서는, 상기 기판 이외에 더미 기판이 반입 가능하고,
    상기 제2 막 처리에서는, 설정된 매수의 상기 기판과 상기 더미 기판이 상기 기판 지지 구조에 지지된 상태에서 행하여지는, 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 기판에 대하여 복수 종류의 처리가 가능한 리액터와,
    복수의 상기 리액터 처리실에 인접하는 반송실과,
    상기 반송실 내에 마련되어, 각각의 상기 리액터에 기판을 반송 가능한 반송 로봇과,
    각각의 상기 처리에 대응한 종별 정보와, 각각의 상기 종별 정보에 대응한 처리 시간 정보가 기록되는 기억부와,
    상기 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 소정 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 산출부와,
    상기 비율에 따라 리액터를 선택하는 처리 선택부와,
    선택된 상기 리액터에서, 상기 소정의 처리가 가능하게 설정하는 처리 설정부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  22. 기판에 대하여 제1 막 처리가 가능한 복수의 제1 리액터와,
    복수의 상기 기판에 대하여 제2 막 처리가 가능한 제2 리액터와,
    상기 제1 리액터와 상기 제2 리액터에 인접하는 반송실과,
    상기 반송실 내에 마련되어, 각각의 상기 리액터에 기판을 반송 가능한 반송 로봇과,
    복수의 상기 제1 리액터에서 처리된 상기 기판의 총 수에 따라, 상기 제2 리액터에서 처리하는 상기 기판의 매수를 설정하는 설정부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  23. 기판의 처리에 대응한 복수의 종별 정보를 수신하는 수순과,
    상기 종별 정보와, 각각의 상기 종별 정보에 대응한 처리 시간 정보를 기억부로부터 판독하는 수순과,
    상기 처리 시간 정보를 합친 시간 중, 소정의 처리의 처리 시간의 비율을 산출하는 수순과,
    상기 비율에 따라 리액터를 선택하는 수순과,
    선택된 상기 리액터에서, 상기 소정의 처리가 가능하게 설정하는 수순과,
    상기 리액터에 상기 종별 정보에 대응한 기판을 반송하는 수순과,
    상기 리액터에서, 상기 종별 정보에 대응한 처리를 행하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는, 기록 매체에 기록된 프로그램.
  24. 복수의 제1 리액터에서 처리되는 기판의 총 수에 따라, 제2 리액터에서 처리하는 상기 기판의 매수를 설정하는 수순과,
    복수의 상기 제1 리액터에서 상기 기판에 제1 막 처리를 행하는 수순과,
    상기 제1 리액터에서 처리된 기판을, 상기 제1 리액터와 상기 제2 리액터에 인접하는 반송실을 통해서 상기 제2 리액터에 반송하는 수순과,
    상기 제2 리액터에서, 복수의 상기 기판에 제2 막 처리를 행하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는, 기록 매체에 기록된 프로그램.
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