TW202238779A - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種處理效率高之技術。 本發明提供之技術具有：反應器，其能夠對基板進行數種處理；搬送室，其鄰接於數個上述反應器；搬送機械手，其設置於上述搬送室內，能夠將基板搬送至各個上述反應器；記憶部，其記錄與各個上述處理對應之種類資訊、及與各個上述種類資訊對應之處理時間資訊；算出部，其算出上述處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率；處理選擇部，其根據上述比率來選擇進行上述既定處理之反應器；及處理設定部，其以能夠於所選擇之上述反應器中進行上述既定處理之方式進行設定。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本技術係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
作為半導體裝置之製造步驟中所使用之基板處理裝置之一態樣，例如有具備如下模組之裝置，該模組具有數個反應器(例如專利文獻1)。上述裝置有時利用各反應器進行不同處理，於該情形時，有時會進行連續處理，即，於利用某反應器進行處理後，移動至其他反應器繼續進行處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2005/112108
(發明所欲解決之問題)
對於如上所述移動至不同反應器進行連續處理之裝置，由於各個反應器中之處理時間不同，因此為了能夠有效率地進行處理，理想是例如於移動至下一個反應器時不產生長時間之待機時間，以此來提高整個裝置之產出量。本發明為了應對上述要求，而提供一種處理效率高之技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，該技術具有：反應器，其能夠對基板進行數種處理；搬送室，其鄰接於數個上述反應器；搬送機械手，其設置於上述搬送室內，能夠將基板搬送至各個上述反應器；記憶部，其記錄與各個上述處理對應之種類資訊、及與各個上述種類資訊對應之處理時間資訊；算出部，其算出上述處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率；處理選擇部，其根據上述比率來選擇進行上述既定處理之反應器；及處理設定部，其以能夠藉由所選擇之上述反應器進行上述既定處理之方式進行設定。 (對照先前技術之功效)
根據本發明，提供一種處理效率高之技術。
以下，參照圖式對本態樣之實施形態進行說明。再者，以下說明中所使用之圖式均為示意圖，圖式上之各要素之尺寸關係、各要素之比率等未必與實物一致。又，各要素之尺寸關係、各要素之比率等在數個圖式相互之間亦未必一致。
(第一實施形態) (1)基板處理裝置之構成 使用圖1、圖2對本態樣之一實施形態之基板處理裝置之概要構成進行說明。圖1係表示本技術之基板處理裝置之構成例之橫截面圖。圖2表示本技術之基板處理裝置之構成例，且為沿圖1之α-α'之縱截面圖。
圖1及圖2中，應用本態樣之基板處理裝置100對作為基板之基板W進行處理，該基板處理裝置100主要包含IO載台110、大氣搬送室120、裝載閉鎖室130、真空搬送室140、反應器200。接下來，對各構成進行具體說明。
於基板處理裝置100之近前設置有IO載台(裝載埠)110。於IO載台110上搭載有數個晶圓盒111。晶圓盒111用作搬送矽(Si)基板等基板W之載體。該基板處理裝置100進而具備保管虛設基板D之虛設基板保管部112。
IO載台110鄰接於大氣搬送室120。大氣搬送室120在與IO載台110不同之面上連結有下述裝載閉鎖室130。於大氣搬送室120內設置有移載基板W之大氣搬送機械手122。
於大氣搬送室120之殼體127之前側設置有：基板搬入搬出口128，其用以相對於大氣搬送室120搬入搬出基板W；及晶圓盒開啟器121。於大氣搬送室120之殼體127之後側設置有基板搬入搬出口129，該基板搬入搬出口129用以相對於裝載閉鎖室130搬入搬出基板W。藉由利用閘閥133打開、封閉基板搬入搬出口129，而能夠取放基板W。
裝載閉鎖室130鄰接於大氣搬送室120。於構成裝載閉鎖室130之殼體131所具有之面中與大氣搬送室120不同之面上配置有下述真空搬送室140。真空搬送室140經由閘閥134連接裝載閉鎖室130。
於裝載閉鎖室130內設置有基板載置台136，該基板載置台136具有至少兩個供載置基板W之載置面135。基板載置面135間之距離係根據下述機械手170之臂所具有之末端效應器間的距離來設定。
基板處理裝置100具備作為搬送室之真空搬送室140，該搬送室成為於負壓下基板W被搬送之搬送空間。構成真空搬送室140之殼體141於俯視下形成為五邊形，於五邊形之各邊上連結有裝載閉鎖室130及對基板W進行處理之反應器200(200a至200d)。於真空搬送室140之大致中央部以凸緣144為基部而設置有作為搬送部之搬送機械手170，該搬送部於負壓下移載(搬送)基板W。
設置於真空搬送室140內之真空搬送機械手170係構成為，可藉由升降機145及凸緣144於維持著真空搬送室140之氣密性之同時進行升降。機械手170所具有之兩個臂180構成為可藉由升降機145而升降。再者，圖2中，為了便於說明而顯示有臂180之末端效應器，省略了與凸緣144連接之機械手軸等構造。
於真空搬送室140之外周連接有反應器200(反應器200a至200d)。反應器200係以真空搬送室140為中心呈放射狀配置。
於殼體141之側壁中與各反應器200相向之壁上設置有基板搬入搬出口148。例如圖2所示，在與反應器200c相向之壁上設置有基板搬入搬出口148c。進而，於每一反應器200均設置有閘閥149。例如於反應器200c設置有閘閥149c。再者，反應器200a、200b、200d之構成與反應器200c相同，故此處省略說明。
繼而，對搭載於真空搬送室140之機械手170進行說明。機械手170具備兩個臂180。臂180具備載置基板W之末端效應器。
升降機145控制臂180之升降、旋轉。臂180能夠以臂軸為中心旋轉、延伸。藉由進行旋轉、延伸，而將基板W搬送至反應器200內，或自反應器200內搬出基板W。
接下來，對反應器200a至反應器200d進行說明。反應器200a至反應器200d之構成分別相同，故此處視為一個反應器200來進行說明。各反應器200構成為能夠進行數個處理。以下說明詳情。
使用圖3、圖4對反應器200之詳情進行說明。如圖3所記載，反應器200具備容器202。容器202例如構成為橫截面為圓形、且呈扁平之密閉容器。又，容器202例如由鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等金屬材料構成。於容器202內形成有：處理室201，其構成對矽基板等基板W進行處理之處理空間205；及搬送室206，其具有將基板W搬送至處理空間205時供基板W通過之搬送空間。容器202包含上部容器202a與下部容器202b。於上部容器202a與下部容器202b之間設置有隔板208。
於下部容器202b之側面設置有鄰接於閘閥149之連通孔148，基板W經由連通孔148而於下部容器202b與真空搬送室140之間移動。於下部容器202b之底部設置有數個頂起銷207。
於處理空間205中配置有支持基板W之基板支持部210。基板支持部210主要具有：基板載置面211，其供載置基板W；基板載置台212，其於表面具有基板載置面211；及加熱器213，其作為加熱部設置於基板載置台212內。於基板載置台212，在與頂起銷207對應之位置分別設置有供頂起銷207貫通之貫通孔214。
於加熱器213連接有用以供給電力之配線222。配線222連接加熱器控制部223。加熱器控制部223與控制器400電性連接。控制器400控制加熱器控制部223而使加熱器213運轉。
基板載置台212由軸217支持。軸217貫通容器202之底部，進而於容器202之外部連接升降部218。
藉由使升降部218作動來使軸217及基板載置台212升降，從而基板載置台212能夠使載置於載置面211上之基板W升降。
處理室201例如包含下述緩衝構造230與基板載置台212。再者，處理室201只要可確保對基板W進行處理之處理空間205即可，亦可由其他構造構成。
基板載置台212於搬送基板W時，基板載置面211下降至與連通孔148對向之搬送位置P0，於對基板W進行處理時，如圖1所示使基板W上升至處理空間205內之處理位置。
於處理空間205之上部(上游側)設置有使氣體擴散之緩衝構造230。緩衝構造230主要由蓋231構成。以與設置於蓋231上之氣體導入孔231a連通之方式，於蓋231上連接有下述第一氣體供給部240、第二氣體供給部250、第三氣體供給部260、第四氣體供給部270。圖3中僅表示出一個氣體導入孔231a，但亦可針對每一氣體供給部設置氣體導入孔。
繼而，對排氣部291進行說明。排氣管292與處理空間205連通。排氣管292以與處理空間205連通之方式連接上部容器202a。於排氣管292設置有壓力控制器即APC293，該APC293將處理空間205內控制為既定壓力。APC293具有能夠調整開度之閥體(未圖示)，該APC293根據來自控制器400之指示來調整排氣管292之氣導。又，於排氣管292中，在APC293之上游側設置有閥294。將排氣管292與閥294、APC293總稱為排氣部。
進而，於排氣管292之下游設置有DP(Dry Pump，乾泵)295。DP295經由排氣管292將處理空間205之環境氣體排出。
接下來，使用圖4說明對處理室201供給氣體之氣體供給部。首先，對第一氣體供給部240進行說明。於第一氣體供給管241，自上游方向依序設置有第一氣體源242、作為流量控制器(流量控制部)之MFC243、及作為開關閥之閥244。
第一氣體源242係含有第一元素之第一氣體(亦稱為「含第一元素氣體」)源。含第一元素氣體係原料氣體、即處理氣體之一種。此處，第一元素例如為矽(Si)。即，第一氣體例如為含矽氣體。具體而言，使用六氯乙矽烷(Si 2Cl 6、HCDS)氣體作為含矽氣體。
亦可於第一氣體供給管241設置旁通管246。旁通管246用於不使第一氣體供給至處理室201之情形。例如關閉閥244而使第二氣體移動至旁通管246。旁通管246與排氣管292合流，將供給至旁通管246之氣體自排氣管292排出。
主要由第一氣體供給管241、MFC243、閥244構成第一氣體供給部240。亦可於第一氣體供給部240包含旁通管246。
對第二氣體供給部250進行說明。於第二氣體供給管251，自上游方向依序設置有第二氣體源252、作為流量控制器(流量控制部)之MFC253、及作為開關閥之閥254。
第二氣體源252係含有第二元素之第二氣體(以下，亦稱為「含第二元素氣體」)源。含第二元素氣體係處理氣體之一種。再者，亦可視第二氣體為反應氣體或改質氣體。
此處，第二氣體含有與第一元素不同之第二元素。第二元素例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)中之任一者。此處，例如以含氮氣體作為含第二元素氣體而進行說明。具體而言，使用氨氣(NH 3)作為含氮氣體。
亦可於第二氣體供給管251設置遠距電漿單元(RPU)255。RPU255使通過第二氣體供給管251內之第二氣體為電漿狀態。
亦可於第二氣體供給管251設置旁通管256。旁通管256用於不使第二氣體供給至處理室201之情形。例如關閉閥254而使第二氣體移動至旁通管256。旁通管256與排氣管292合流而將供給至旁通管256之氣體自排氣管292排出。
主要由第二氣體供給管251、MFC253、閥254構成第二氣體供給部250。亦可於第二氣體供給部250包含RPU255。又，亦可於第二氣體供給部250包含旁通管256。
再者，於單獨利用第一氣體在基板W上形成膜之情形時，亦可不設置第二氣體供給部250。
對第三氣體供給部260進行說明。於第三氣體供給管261，自上游方向依序設置有第三氣體源262、作為流量控制器(流量控制部)之MFC263、及作為開關閥之閥264。
第三氣體源262係含有第三元素之第三氣體(以下，亦稱為「含第三元素氣體」)源。含第三元素氣體係對使用第一氣體與第二氣體形成之膜發生反應之反應氣體之一種。再者，亦可考慮第三氣體為改質氣體。
此處，作為第三元素，例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)中之任一者。此處，含第三元素氣體例如為含氫氣體而進行說明。具體而言，使用氫氣(H 2)作為含氫氣體。
亦可於第三氣體供給管261設置遠距電漿單元(RPU)265。RPU265使通過第三氣體供給管261內之第三氣體成為電漿狀態。
又，亦可於第三氣體供給管261設置旁通管266。旁通管266用於不使第三氣體供給至處理室201之情形。例如關閉閥264而使第二氣體移動至旁通管266。旁通管266與排氣管292合流而將供給至旁通管266之氣體自排氣管292排出。
主要由第三氣體供給管261、MFC263、閥264構成第三氣體供給部260。亦可於第三氣體供給部260包含RPU265。進而，亦可於第三氣體供給部260包含旁通管266。
對第四氣體供給部270進行說明。於第四氣體供給管271，自上游方向依序設置有第四氣體源272、作為流量控制器(流量控制部)之MFC273、及作為開關閥之閥274。
第四氣體源272係惰性氣體之氣體源。惰性氣體係不與形成於基板W上之膜發生反應之氣體，例如為氮氣(N 2)。
又，亦可於第四氣體供給管271設置旁通管276。旁通管276用於不使第四氣體供給至處理室201之情形。例如關閉閥274而使第四氣體移動至旁通管276。旁通管276與排氣管292合流而將供給至旁通管266之氣體自排氣管292排出。
主要由第四氣體供給管271、MFC273、閥294構成第四氣體供給部270。又，亦可於第四氣體供給部270包含旁通管276。
如下所述，本實施形態中，使用第一氣體與第二氣體於基板W上形成膜，使用第三氣體使形成之膜改質。惰性氣體用於處理室201中之環境氣體之排出等。
各構成係根據下述處理選擇部408所選擇之處理種類而選擇性地運轉。例如於處理選擇部408選擇在反應器200中進行處理A之情形時，與處理A相關之零件即第一氣體供給部240、第二氣體供給部250等運轉，將氣體供給至處理室201內。又，對於第三氣體供給部260，使第三氣體供給部停止運轉以不使第三氣體影響到處理A，或經由旁通管266排氣以不使第三氣體侵入處理室201內。此處，各氣體供給部停止運轉亦包含僅維持將開關閥關閉之狀態這一情況。
又，例如於下述處理選擇部408選擇在反應器200中進行處理B之情形時，與處理B相關之零件即第三氣體供給部260運轉，將氣體供給至處理室201內。又，對於第一氣體供給部240、第二氣體供給部250，使第一氣體供給部240、第二氣體供給部250停止運轉以不使第一氣體、第二氣體影響到處理B，或經由旁通管246、旁通管256等排氣以不使第一氣體、第二氣體侵入處理室內。
接下來，使用圖5對控制器400進行說明。基板處理裝置100具有控制各部之動作之控制器400。
作為控制部(控制手段)之控制器400構成為電腦，該電腦具備中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)401、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)402、作為記憶裝置之記憶部403、I/O埠404。RAM402、記憶部403、I/O埠404構成為能夠經由內部匯流排405而與CPU401交換資料。基板處理裝置100內之資料收發係根據亦作為CPU401之一個功能之收發指示部406之指示來進行。
CPU401構成為自記憶部403讀出控制程式並加以執行，並且根據來自輸入輸出裝置281之操作指令之輸入等而自記憶部403讀出製程配方。而且，CPU401構成為能夠按照所讀出之製程配方之內容來控制閘閥149之開閉動作、升降機構218之升降動作、加熱器控制部223、各泵之接通斷開控制、MFC之流量調整動作、閥等。
CPU401進而具有算出部407、處理選擇部408、處理設定部409。下文將對該等構成進行說明。
記憶部403例如包含快閃記憶體、硬碟驅動器(HDD，Hard Disk Drive)等。於記憶部403內以可讀出之方式儲存有配方410、控制程式411，該配方410包含記載有基板處理之手續、條件等之製程配方等，該控制程式411控制基板處理裝置之動作。進而，記憶部403內具有處理種類資訊表格412、處理歷程資訊表格413。處理種類資訊亦可簡稱為種類資訊。
再者，製程配方係以使控制器400執行下述基板處理步驟中之各手續而可獲得既定結果之方式組合而成者，作為程式而發揮功能。以下，將該製程配方、控制程式等亦簡單地總稱為程式。再者，本說明書中使用程式這一詞語時，有時僅單獨包含製程配方，有時僅單獨包含控制程式，或有時包含該等兩者。又，RAM402構成為供暫時保存由CPU401讀出之程式、資料等之記憶體區域(工作區)。
I/O埠404連接閘閥149、升降機構218、各壓力調整器、各泵、加熱器控制部223之各構成。
進而，設置有經由網路與上位裝置284連接之網路收發部283。網路收發部283能夠接收與批次中之基板W之處理歷程、處理預定相關之資訊等。
使用圖6對處理種類資訊表格412進行說明。處理種類資訊表格412係儲存數個處理種類、及與該等數個處理種類對應之處理時間資訊、處理配方等之表格。
處理種類資訊係指對基板W進行處理之資訊。作為處理，例如為使用第一氣體與第二氣體之處理A、使用第三氣體之處理B。此外，還有內容與處理A、處理B類似但處理時間與處理A、處理B不同之處理C、處理D等。作為處理種類資訊之具體例，儲存有處理時間、處理配方、處理氣體之資訊。此處以4個處理為例進行說明，但並不限定於此，亦可儲存5個以上之處理種類資訊。
圖6中，在處理A中，設處理時間為T1，使用配方A、作為第一氣體之含Si氣體與作為第二氣體之含N氣體。藉由此種條件，在處理A中於基板上形成SiN膜。再者，處理C與處理A之不同點在於處理時間不同，處理C中設處理時間為T3。
又，處理B中，設處理時間為T2，使用配方B、作為第三氣體之含氫氣體。進而，電漿產生部為接通狀態。處理B係於處理A之後連續進行之處理，藉由此種條件而利用第三氣體對處理A中形成之SiN膜進行改質。再者，處理D與處理B之不同點在於處理時間不同，處理D中設處理時間為T4。
此處所提到之處理時間，表示各個處理中例如自基板W被搬入至反應器200之時間起至經過各處理後自反應器200搬出基板W為止之時間。下述圖9所記載之處理A之流程中，該處理時間係指自基板搬入步驟S302之開始至基板搬出步驟S306之結束。下述圖10所記載之處理B之流程中，該處理時間係指自基板搬入步驟S402之開始至基板搬出步驟S406之結束。處理C、處理D亦為相同之觀點，因而在此處省略說明。
又，配方資訊係指包含各處理之處理序列等之資訊。處理序列中亦包含各零件之動作順序、各零件之動作時間等。圖6中，分別記載有配方資訊與使用氣體種類資訊，但使用氣體種類資訊亦可包含於配方資訊。
繼而，對CPU401中所包含之算出部407、處理選擇部408、處理設定部409進行說明。算出部407具有算出連續處理所花費之全部處理時間中既定處理之處理時間之比率的功能。例如，於有處理A與處理B之情形時，算出其中之處理B之處理時間之比率。
處理選擇部408自處理種類資訊表格412中儲存之處理種類資訊中選擇各反應器所要進行之處理。例如，選擇於反應器200a、反應器200b、反應器200c中進行處理A，於反應器200d中進行處理B。
處理設定部409將與各反應器200中進行之由處理選擇部408選擇之處理對應之配方資訊讀出，並對各反應器200中之零件等進行設定。
繼而，使用圖7對處理歷程資訊表格413進行說明。處理歷程表格413儲存有與各反應器200對應之各處理之處理歷程資訊。例如儲存有反應器200a中之處理A之累計處理時間之資訊即資訊Aa、反應器200c中之處理B之累計處理時間之資訊即資訊Bc。該等資訊於下述處理歷程記錄步驟S214中被更新。
再者，控制器400可藉由使用儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如硬碟等磁碟、數位多功能光碟(DVD，digital versatile disk)等光碟、磁光碟驅動器(MO，magneto-optical disk drive)等磁光碟、通用序列匯流排(USB，universal serial bus)記憶體等半導體記憶體)282將程式安裝於電腦中等，而構成本技術之控制器400。再者，用以對電腦供給程式之手段並不限定於經由外部記憶裝置282進行供給之情形。例如，亦可使用網際網路、專用線路等通信手段於不經由外部記憶裝置282之情況下供給程式。再者，記憶部403、外部記憶裝置282構成為電腦能夠讀取之記錄媒體。以下，將其等亦簡單地總稱為記錄媒體。再者，本說明書中，於使用記錄媒體這一詞語時，有時僅單獨包含記憶部403，有時僅單獨包含外部記憶裝置282，或有時包含該等兩者。
(2)基板處理步驟 接下來，使用圖8對基板處理步驟進行說明。對作為基板處理裝置之一步驟之如下步驟進行說明，該步驟係使用上述構成之基板處理裝置100對基板W進行處理。再者，以下說明中，構成基板處理裝置之各部之動作由控制器400控制。
(基板資訊接收步驟S202) 對基板資訊接收步驟S202進行說明。基板處理裝置100自工廠內之機械手接收包含數個基板W之前開式晶圓盒(FOUP，front opening unified pod)。進而，自上位裝置284接收該等基板W之處理種類資訊。即，接收如何處理基板W之資訊。此處，例如接收圖6所記載之處理種類資訊所相關之資訊。具體而言，該資訊係各基板W僅進行處理A之情形時、例如連續進行處理A與處理B之情形時、連續進行處理C與處理D之情形時等之資訊。
(處理歷程讀出步驟S204) 對處理歷程讀出步驟S204進行說明。自處理歷程資訊表格413讀出各反應器200之處理歷程。具體而言，例如對基板W進行處理A、處理B之情形時，讀出處理A、處理B各自之累計處理時間。例如讀出各反應器200之處理A之累計處理時間即Aa～Ad，且讀出處理B之累計處理時間即Ba～Bd。藉由讀出累計處理時間，可掌握各反應器200之狀態。各反應器200之狀態係指例如附著於反應器200之內壁上之副產物之膜厚等。
(處理時間比率算出步驟S206) 對處理時間比率算出步驟S206進行說明。基於基板資訊接收步驟S202中接收到之處理種類資訊，而讀出各處理之處理時間資訊。進而，算出接下來進行之處理之處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率。例如，於僅進行處理A之情形時，算出處理A之比率為100%。於連續進行處理A與處理B之情形時，算出處理A與處理B之處理時間之比率。例如關於處理時間(任意單位)，若處理A為0.5，處理B為1.5，則算出處理時間比為1：3。又，若處理A為1.5，處理B為0.5，則算出處理時間比為3：1。此處所提到之處理時間例如係指自開始向反應器200搬入基板W起至結束自反應器200搬出基板W為止之時間。
(處理選擇步驟S208) 對處理選擇步驟S208進行說明。處理選擇部408基於處理時間比率算出步驟S206中算出之比率，而決定與各處理對應之反應器200之數量。例如若處理A與處理B之處理時間之比為1：3，則選擇一個與處理A對應之反應器200、及三個與處理B對應之反應器200。又，若處理A與處理B之處理時間之比為3：1，則選擇三個與處理A對應之反應器200、及一個與處理B對應之反應器200。
本實施形態中，處理A與處理B之處理時間之比設為3：1，例如選擇反應器200a、反應器200b、反應器200c作為與處理A對應之反應器200。進而，選擇反應器200d作為與處理B對應之反應器200。
理想的是根據如下理由而於本步驟中參照處理歷程讀出步驟S204中讀出之各個反應器200中之各處理之累計處理時間來選定反應器200。
例如，於各反應器間零件之累計處理時間有偏差之情形時，基板之處理條件有時亦會產生偏差。因此，為了不使反應器200之處理歷程產生偏差，而以處理時間均勻之方式選定反應器200。
此處，基板之處理條件之偏差包含設置於各反應器之零件之使用時間之差異、各反應器200之處理室201內之構件之表面狀態之差異等。因零件之使用時間產生差異而使得即便於相同設定之處理條件下，供給至基板W之氣體之量、基板W之溫度亦有可能產生差異。藉由使各反應器200之處理歷程均勻化，可提高每個反應器之處理均勻性。
又，可提高於相同反應器中處理之每個基板W之處理均勻性。例如，於改質處理之處理時間較多之處理室201中，一般認為處理室201內之構件表面會被改質處理中使用之氣體改質。此種處理室201內之構件表面被改質之情形時，在處理室201內消耗之處理氣體之量有時會發生變化。因在處理室201內消耗之處理氣體之量發生變化，而有時會導致供給至基板W之處理氣體之量發生變化。由此，每個基板W之處理均勻性有可能發生變化。再者，處理室201內之處理氣體之消耗量會因吸附於處理室201內之構件表面之處理氣體之量而發生變化。藉由以不使反應器200之處理歷程發生偏差之方式控制，不僅能夠提高處理時間之均勻化，而且亦能夠提高每個反應器之處理均勻性、每個基板之處理均勻性。
(反應器設定步驟S210) 對反應器設定步驟S210進行說明。各反應器200中，以能夠進行處理選擇步驟S208中所選擇之處理之方式，基於處理種類資訊表格412之資訊來設定各零件之動作等。例如於進行處理A之反應器中，以能夠使第一氣體供給部與第二氣體供給部運轉之方式，進而以不使第三氣體供給部與電漿產生部運轉之方式進行設定。於進行處理B之反應器中，以能夠使第三氣體供給部與電漿產生部運轉之方式，進而以不使第一氣體供給部與第二氣體供給部運轉之方式進行設定。
(膜處理步驟S212) 對膜處理步驟S212進行說明。將基板W移動至各反應器200。此處，於各反應器200中，對形成於基板W之膜進行處理。各反應器200中，執行根據處理種類設定步驟S208所設定之處理。下文將對本步驟之詳情進行說明。
(處理歷程記錄步驟S214) 對處理歷程記錄步驟S214進行說明。各處理結束後，於處理歷程資訊表格413中記錄與每個反應器200之處理種類對應之處理時間。再者，本步驟並不限於在膜處理步驟S212之後進行，亦可與其他步驟同時進行。
(判定S216) 對判定S216進行說明。此處，判定是否已處理了既定片數之基板W。若判定為已處理了既定片數之基板W，則視為已完成1批次基板之處理，而結束處理。於未完成既定片數基板W之處理之情形時，搬送接下來要處理之基板W。處理結束後，例如開始下一批次之基板W之處理。
繼而，使用圖9對膜處理步驟S212之詳情進行說明。圖9係說明一個基板W之流程之圖。此係表示針對一個基板W之動作之流程，例如為進行處理A後接下來進行處理B之流程。
(基板移動步驟S302) 對基板移動步驟S302進行說明。機械手170將基板W自真空搬送室140移動至所選擇之反應器200。此處，由於首先要進行處理A，因此將基板W移動至設定為進行處理A之反應器200。例如，將基板W移動至設定有處理A之反應器200a。於反應器200a中，打開閘閥149，藉由臂180搬入基板W。
(第一膜處理步驟S304) 對第一膜處理步驟S304進行說明。於第一膜處理步驟S304中，於設定為進行處理A之反應器200中對基板W進行處理。使用圖10所記載之流程對具體內容進行說明。
(基板搬入步驟S402) 對基板搬入步驟S402進行說明。於移動步驟S302中，將基板W搬入至反應器200中。例如，將基板W搬入至反應器200a中。
此時，使基板載置台212下降至基板W之搬送位置(搬送位置P0)，使頂起銷207貫通基板載置台212之貫通孔214。其結果，成為頂起銷207較基板載置台212之表面突出既定高度量之狀態。與該等動作並行地，自第四氣體供給部供給惰性氣體以及將搬送室206之環境氣體排出等，使搬送室206之壓力與鄰接之真空搬送室140相同，或者低於鄰接之真空搬送室140之壓力。
繼而，打開閘閥149，使搬送室206與鄰接之真空搬送室140連通。然後，機械手170將基板W自真空搬送室140搬入至搬送室206並載置於頂起銷207上。
將基板W載置於頂起銷207上後，使基板載置台212上升而將基板W載置於基板載置面211上，進而如圖3所記載，使基板W上升至基板處理位置。
將基板W載置於基板載置面211上時，對加熱器213供給電力，並以基板W之表面成為既定溫度之方式進行控制。
於基板搬入步驟S402期間，以處理A之設定來控制各零件。例如控制加熱器213、氣體供給系統、排氣系統等。
(第一膜處理氣體供給步驟S404) 對第一膜處理氣體供給步驟S404進行說明。此處，以反應器設定步驟S210中所設定之動作來控制各零件，對基板W上之膜進行處理。
首先，按照處理A之配方來調整處理室內之壓力。例如使排氣部291與第四氣體供給部270動作。成為所需壓力後，控制第一氣體供給部240、第二氣體供給部250，對處理室205供給第一氣體與第二氣體而對基板W進行處理。該步驟中之處理例如係指如下處理：使第一氣體與第二氣體發生反應，而於基板W上形成既定膜。又，本步驟中，亦可根據配方使電漿產生部255運轉。本實施形態中，供給HCDS作為第一氣體，供給NH 3氣體作為第二氣體，而形成氮化矽(SiN)膜。
本步驟中，例如按以下條件進行處理。 第一氣體：HCDS 第一氣體之氣體供給量 5～5000 sccm 第二氣體：NH 3第二氣體之氣體供給量 10～10000 sccm 處理室之壓力：133～13332 Pa 處理溫度：300～500℃
經過既定時間後，使第一氣體供給部240、第二氣體供給部250停止。進而，自第四氣體供給部供給惰性氣體而將處理室201內之環境氣體排出。
再者，本步驟中，例如使第三氣體供給部260停止運轉而不將第三氣體供給至處理室201。又，為了不供給第三氣體，例如亦可關閉閥262而自旁通管266排出第三氣體。
(基板搬出步驟S406) 對基板搬出步驟S406進行說明。對基板W上進行所需處理後，以與基板搬入步驟S402相反之順序自處理室搬出基板W。此時，基板W為由機械手170支持之狀態。
(基板移動步驟S306) 對基板移動步驟S306進行說明。機械手170使基板W移動至下一個反應器200。例如於連續進行處理A與處理B之情形時，為了進行接下來之處理即處理B，而將基板W移動至設定為進行處理B之反應器200。例如，移動至反應器200d。於反應器200d中，打開閘閥149，支持著基板W之臂180進入反應器200d內。
(第二膜處理步驟S308) 對第二膜處理步驟S308進行說明。第二膜處理步驟S308中，於設定為進行處理B之反應器200中對基板W進行處理。使用圖11所記載之流程對具體內容進行說明。
(基板搬入步驟S502) 對基板搬入步驟S502進行說明。此處，以與基板搬入步驟S402相同之方法搬入基板W。將已搬入之基板W移動至基板處理位置。於基板搬入步驟S502之期間，以處理B之設定來控制各零件。例如，控制加熱器213、氣體供給系統、排氣系統等。
(第二膜處理氣體供給步驟S504) 對第二膜處理氣體供給步驟S504進行說明。此處，以反應器設定步驟S210中設定之動作控制各零件而對基板W上之膜進行處理。
首先，按照處理B之配方來調整處理室內之壓力。此處，例如使排氣部291與第四氣體供給部270動作。成為所需壓力後，控制第三氣體供給部260而將第三氣體供給至處理室205，對基板W上之膜進行處理。膜處理例如係指如下處理：利用第三氣體對第一膜處理步驟S304中形成之膜進行改質。又，本步驟中，亦可根據配方而使電漿產生部265運轉。本實施形態中，膜處理係指對處理A中形成之SiN膜供給H 2氣體來進行改質之處理。
本步驟中，例如按以下條件進行處理。 第三氣體：H 2第三氣體之氣體供給量 10～500 sccm 處理室之壓力：133～6666 Pa 處理溫度：100～600℃
經過既定時間後，使第三氣體供給部260停止。進而，自第四氣體供給部供給惰性氣體而將處理室201內之環境氣體排出。
再者，本步驟中，例如使第一氣體供給部240、第二氣體供給部250停止運轉而不將第一氣體、第二氣體供給至處理室201。又，為了不進行供給，例如亦可關閉閥244、閥254，而自旁通管246、256排出第一氣體、第二氣體。
(基板搬出步驟S506) 對基板搬出步驟S506進行說明。對基板W上進行所需處理後，以與基板搬入步驟S402相反之順序自處理室201搬出基板W。此時，基板W為由機械手170支持之狀態。
(基板移動步驟S310) 對基板移動步驟S310進行說明。第二膜處理步驟S308結束後，機械手170將基板W自反應器200中搬出，進而使基板W移動至裝載閉鎖室130。以上，結束膜處理步驟S212之說明。其後移行至處理歷程記錄步驟S214。
繼而，使用圖12至圖15對本實施形態之序列與比較例之序列進行說明。圖12、圖14係對本實施形態進行說明之圖，圖13、圖15係對比較例進行說明之圖。
縱軸之W1至W10表示要被處理之基板W。例如，W1係第1片要被處理之基板W，W10係第10片要被處理之基板W。橫軸表示時間。再者，單位為任意單位。又，各處理前後之影線表示基板W之移動時間。此處所提到之移動例如表示反應器200間之移動、反應器200與裝載閉鎖室130之間之移動。進而，亦包含1片基板W之搬入/搬出、基板W之替換。為了便於說明，基板W之移動時間設為固定。
圖12、圖13中，將處理A與處理B之處理時間之比設為3：1。圖12中根據處理時間之比而將反應器數量之比設定為3：1，相對於此，圖13中不與處理時間之比率相關聯而將反應器數量設為相同數量。於此種條件下，試算出基板W之處理時間。
圖14、圖15中，將處理A與處理B之處理時間之比設為1：3。圖14中根據處理時間之比率而將反應器數量之比設定為1：3，相對於此，圖15中不與處理時間之比率相關聯而將處理A對應之反應器與處理B對應之反應器設為相同數量。於此種條件下，試算出基板W之處理時間。
圖12之實施形態中，第9片基板W之處理結束時間為59，相對於此，圖13之比較例的結束時間為71。又，圖14之實施形態中，第9片基板W之處理結束時間為59，相對於此，圖15之比較例的結束時間為72。
如此，當根據處理時間之比率來設定反應器數量時，可提高處理產出量，其結果，可提高處理效率。
(第二實施形態) 繼而，使用圖16對第二實施形態進行說明。本實施形態中，反應器200之構成與第一實施形態不同。具體而言，例如反應器200a至200c與圖1之第一實施形態中之反應器200a至200c相同，係逐片處理基板之單片式裝置，但反應器200d為可一次處理數片基板之批量式裝置。為了便於說明，將逐片進行處理之反應器稱為第一反應器，將以批量方式進行處理之反應器稱為第二反應器。
又，第一實施形態中係根據處理時間之比率來設定反應器數量，但本實施形態之不同點在於，根據利用基板處理裝置100中之第一反應器200處理之基板之片數，使利用第二反應器200處理之基板W之片數發生變化。
以下對具體內容進行說明。 第一反應器係能夠逐片處理基板之裝置，例如與第一實施形態相同，使用圖3所記載之裝置。氣體供給部之個數等亦可根據處理而不同。
繼而，使用圖16對第二反應器進行說明。對第二反應器200d進行說明。再者，對具有與圖4所記載之反應器相同之功能之構成附上相同編號，並省略說明。
反應器200d係能夠一次處理數片基板W之裝置。反應器200d具備供搬入數片基板W之處理室301。於處理室301之下方設置有搬送室306，該搬送室306具有將基板W搬送至處理空間305時供基板W通過之搬送空間。此時，基板W以由下述之作為基板支持部之晶舟310支持之狀態被搬送。
於處理室301與搬送室306之間設置有爐口。爐口係將晶舟310插入處理室201時供晶舟310通過之出入口。且設置有爐口擋閘307，該爐口擋閘307於對基板W進行處理時用以封閉處理室301之環境氣體。爐口擋閘307於基板處理時關閉，於移動晶舟310時打開。
晶舟310構成為將支持為水平姿態之基板W以在鉛直方向上整齊排列為多階之狀態收容。各基板W由晶舟310所具備之數個基板支持部311支持。基板支持構造311例如為沿著基板W之外周形狀之構造，各基板W之邊緣由該構造支持。於需要虛設基板D之情形時，基板支持部311亦可支持虛設基板D。
晶舟310經由旋轉軸306而連接有旋轉/升降機構304。旋轉/升降機構304能夠使晶舟310於處理室301與搬送室306之間升降。進而該旋轉/升降機構304構成為藉由使旋轉軸306旋轉，能夠保持著處理室201內之氣密而在搭載有數片基板W之狀態下旋轉。
於處理室201分別連接有：氣體導入管308，其用以導入處理氣體、沖洗氣體等；及排氣部291，其用以排出處理室201內之氣體。
氣體導入管308為噴嘴。於氣體導入管308之下游側設置有數個氣體供給孔，氣體導入管308之管內構成為與反應管301連通。處理氣體等自氣體供給孔供給至處理室201。氣體導入管308於上游側連接第三氣體供給部260、第四氣體供給部270。
於處理室301之外周配置有加熱器311。加熱器311構成為以整個處理室201內為均勻或既定溫度分佈之方式對處理室201內之環境氣體進行加熱。
繼而，對本實施形態中之反應器設定步驟進行說明。本實施形態中，如上所述根據處理時間之比率來設定反應器200d中之處理片數。例如，於基板處理裝置100中設為如下：要進行處理A之基板W為3片，當利用反應器200a至200c進行處理之情形時，於第二反應器即反應器200d中對3片基板進行處理。
於該情形時，如圖17所記載，利用反應器200a至反應器200c對共計3片基板W進行處理後，使各個基板W移動至反應器200d，一次對3片基板W進行處理B。
又，於要進行處理A之基板W為2片之情形時，例如分別利用反應器200a、反應器200b對基板W進行處理，其後，使各個基板W移動至反應器200d，一次對2片基板W進行處理B。此時，於一部分基板支持構造311未支持基板W之情形時，該基板支持構造311亦可支持虛設基板D。藉由支持虛設基板D，可進行與所有基板支持構造311均支持有基板W之狀態相同之處理。
如此，藉由根據第一反應器所處理之基板總數來設定第二反應器中之處理片數，能夠進行高效率之處理。
(其他實施形態) 以上，對本態樣中之實施形態進行了具體說明，但本發明並不限定於此，能夠於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
例如，在上述實施形態中，說明了進行成膜處理作為第一膜處理，且進行改質處理作為第二膜處理，但並不限定於此。例如亦可為如下情形，即，進行第一成膜處理作為第一膜處理，且進行第二成膜處理作為第二膜處理而形成積層膜。又，亦可進行灰化處理作為第一膜處理，且進行蝕刻處理作為第二膜處理。如此，於連續處理基板之情形時較為有效。
又，作為反應器200，例如圖18所記載般亦可具備與處理室201鄰接之活化部510。圖18所記載之反應器中，於反應器200之頂部231設置有窗511。於窗511之上方，例如設置有儲存數個燈512之殼體513。燈控制部514電性連接至各燈512。燈控制部514控制燈512之接通/斷開、功率。
使用圖18所記載之反應器200之情形時，例如於第一膜處理中將燈斷開，與第一實施形態中之第一膜處理相同地進行成膜處理，於第二膜處理中將燈接通而進行改質處理。
又，對基板處理裝置100使用4個反應器200之例進行了說明，但並不限定於此，亦可如圖19所記載般為使用5個以上、例如8個反應器200之基板處理裝置。於該情形時，亦與第一實施形態相同，根據處理時間之比率來設定反應器數量。例如，若第一膜處理之時間與第二膜處理之時間之比為3：1，則設定與第一膜處理對應之6個反應器、及與第二膜處理對應之2個反應器。具體而言，設定為能夠利用作為例如6個反應器之反應器200a至200f進行第一膜處理，且設定為能夠利用作為2個反應器之例如200g、200h進行第二膜處理。又，若第一膜處理之時間與第二膜處理之時間之比為1：3，則設定為能夠利用2個反應器、例如反應器200a至200b進行第一膜處理，且設定為能夠利用6個反應器、例如200c至200h進行第二膜處理。
如此，藉由根據處理時間之比率來設定反應器，能夠進行高效率之處理。
又，例如，於上述各實施形態中列舉了如下情形為例，即，於基板處理裝置所進行之成膜處理中，使用HCDS氣體作為含第一元素氣體(第一處理氣體)，且使用NH 3氣體作為含第二元素氣體(第二處理氣體)而於基板W上形成SiN膜，但本態樣並不限定於此。即，成膜處理中所使用之處理氣體並不限定於HCDS氣體、NH 3氣體等，亦可使用其他種類之氣體而形成其他種類之薄膜。進而，亦可為使用3種以上處理氣體之情形。又，作為第一元素，亦可為例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)等各種元素，而非Si。又，作為第二元素，亦可為例如氮(N)等而非H。
又，例如於上述各實施形態中，說明了使用含H氣體進行處理來作為改質處理，但並不限定於此，例如亦可使用包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)中之任一者、或者其等之組合之氣體。
又，例如於上述各實施形態中，說明了於成膜處理後進行改質處理之例，但並不限定於此，亦可於進行改質處理後進行成膜處理。
又，例如於上述各實施形態中，例舉了成膜處理與改質處理作為基板處理裝置所進行之處理，但本態樣並不限定於此。即，本態樣除可應用於各實施形態中例舉之成膜處理、改質處理之外，亦可應用於各實施形態中所例示之薄膜以外之成膜處理、改質處理。又，基板處理之具體內容可為任意，不僅可應用於成膜處理、改質處理，而且亦可應用於進行退火處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影處理等其他基板處理之情形。進而，本態樣亦可應用於其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿之處理裝置等其他基板處理裝置。又，能夠將某實施形態之一部分構成置換成其他實施形態之構成，又，亦能夠對某實施形態之構成添加其他實施形態之構成。又，亦能夠對各實施形態之一部分構成追加其他構成、刪除構成之一部分、替換成其他構成。
100:基板處理裝置 110:IO載台 111:晶圓盒 112:虛設基板保管部 120:大氣搬送室 121:晶圓盒開啟器 122:大氣搬送機械手 127,131,141:殼體 128,129,148,148c:基板搬入搬出口 130:裝載閉鎖室 133,134,149,149c:閘閥 135:載置面 136:基板載置台 140:真空搬送室 144:凸緣 145:升降機 170:機械手 180:臂 200,200a,200b,200c,200d,200e,200f,200g,200h:反應器 201:處理室 202:容器 202a:上部容器 202b:下部容器 205:處理空間 206:搬送室 207:頂起銷 208:隔板 210:基板支持部 211:基板載置面 212:基板載置台 213:加熱器 214:貫通孔 217:軸 218:升降部 222:配線 223:加熱器控制部 230:緩衝構造 231:蓋 231a:氣體導入孔 240:第一氣體供給部 241:第一氣體供給管 242:第一氣體源 243,253,263,273:MFC 244,254,264,274,294:閥 246,256,266,276:旁通管 250:第二氣體供給部 251:第二氣體供給管 252:第二氣體源 255,265:遠距電漿單元(RPU) 260:第三氣體供給部 261:第三氣體供給管 262:第三氣體源 270:第四氣體供給部 271:第四氣體供給管 272:第四氣體源 281:輸入輸出裝置 282:外部記憶裝置 283:網路收發部 284:上位裝置 291:排氣部 292:排氣管 293:APC 304:旋轉/升降機構 305:處理空間 306:搬送室 307:爐口擋閘 308:氣體導入管 310:晶舟 400:控制器 401:CPU 402:RAM 403:記憶部 404:I/O埠 405:內部匯流排 406:收發指示部 407:算出部 408:處理選擇部 409:處理設定部 410:配方 411:控制程式 412:處理種類資訊表格 413:處理歷程資訊表格 A,B,C,D:處理 P0:搬送位置 W,W1~W10:基板
圖1係表示實施形態之基板處理裝置之概略構成例之說明圖。 圖2係表示實施形態之基板處理裝置之概略構成例之說明圖。 圖3係表示實施形態之反應器之概略構成例之說明圖。 圖4係表示實施形態之氣體供給部之概略構成例之說明圖。 圖5係說明實施形態之基板處理裝置之控制器之說明圖。 圖6係實施形態之基板處理裝置所具有之表格。 圖7係實施形態之基板處理裝置所具有之表格。 圖8係說明實施形態之基板處理流程之說明圖。 圖9係說明實施形態之基板處理流程之說明圖。 圖10係說明實施形態之基板處理流程之說明圖。 圖11係說明實施形態之基板處理流程之說明圖。 圖12係說明實施形態之基板處理序列之說明圖。 圖13係說明比較例之基板處理序列之說明圖。 圖14係說明實施形態之基板處理序列之說明圖。 圖15係說明比較例之基板處理序列之說明圖。 圖16係表示實施形態之反應器之概略構成例之說明圖。 圖17係說明實施形態之基板處理序列之說明圖。 圖18係表示實施形態之反應器之概略構成例之說明圖。 圖19係說明實施形態之基板處理序列之說明圖。
100:基板處理裝置
110:IO載台
111:晶圓盒
112:虛設基板保管部
120:大氣搬送室
121:晶圓盒開啟器
122:大氣搬送機械手
127:殼體
128:基板搬入搬出口
130:裝載閉鎖室
131:殼體
133,134:閘閥
135:載置面
136:基板載置台
140:真空搬送室
141:殼體
144:凸緣
149,149c:閘閥
170:機械手
180:臂
200,200a,200b,200c,200d:反應器
201:處理室
400:控制器
D:處理
W:基板

Claims (24)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其具有如下步驟： 接收與基板之處理對應之種類資訊； 自記憶部讀出上述種類資訊、及與各個上述種類資訊對應之處理時間資訊； 算出上述處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率； 根據上述比率，選擇進行上述既定處理之反應器； 以能夠於所選擇之上述反應器中進行上述既定處理之方式進行設定； 將與上述種類資訊對應之基板搬送至上述反應器；及 利用上述反應器進行與上述種類資訊對應之處理。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 於上述進行選擇之步驟中，選擇與上述比率對應之反應器數量。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述處理係成膜處理或改質處理。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述種類資訊係成膜處理之資訊或改質處理之資訊。
  5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述基板係於利用上述反應器進行與上述種類資訊對應之處理後，移動至與上述反應器不同之反應器而進行與上述反應器不同之處理。
  6. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中， 上述反應器中之處理時間較上述不同之反應器中之處理時間長。
  7. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中， 上述反應器中之處理時間較上述不同之反應器中之處理時間短。
  8. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，上述處理時間係自搬入上述基板後至搬出上述基板為止之時間。
  9. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述反應器上連接有第一膜處理中所使用之氣體供給部、及第二膜處理中所使用之氣體供給部， 上述處理設定部根據上述處理來設定各個上述氣體供給部之動作。
  10. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中， 上述第一膜處理中， 自上述第一膜處理中所使用之氣體供給部將上述第一膜處理中所使用之氣體供給至上述反應器， 自上述第二膜處理中所使用之氣體供給部將上述第二膜處理中所使用之氣體供給至上述反應器。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中， 上述第二膜處理中所使用之氣體經由旁通管排出。
  12. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 於上述反應器具備活化部， 上述處理設定部係於第一膜處理中以不使上述活化部運轉之方式進行設定，於第二膜處理中以使上述活化部運轉之方式進行設定。
  13. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述記憶部進而記錄各個上述反應器中之上述處理之處理歷程， 上述處理選擇部係參照上述反應器之處理歷程資訊來選擇上述反應器，以不使上述反應器中之上述處理產生偏差。
  14. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中， 上述處理歷程資訊係針對每個上述種類資訊之累計處理時間之資訊。
  15. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中， 上述處理歷程資訊係針對每個上述種類資訊之零件使用之累計處理時間之資訊。
  16. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 在進行與上述種類資訊對應之處理之步驟後，記錄處理歷程。
  17. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 在進行與上述種類資訊對應之處理之步驟後，針對每個上述反應器來記錄每個上述種類資訊之處理歷程。
  18. 一種半導體裝置之製造方法，其具有如下步驟： 根據利用數個第一反應器處理之基板之總數，而設定利用第二反應器處理之上述基板之片數； 利用數個上述第一反應器對上述基板進行第一膜處理； 將利用上述第一反應器處理過之基板經由與上述第一反應器及上述第二反應器鄰接之搬送室搬送至上述第二反應器；及 利用上述第二反應器對數個上述基板進行第二膜處理。
  19. 如請求項18之基板處理裝置，其中， 上述第二反應器係能夠一次處理數個上述基板之反應器。
  20. 如請求項18之半導體裝置之製造方法，其中， 上述第二反應器具備能夠支持數個基板之支持構造， 上述第二反應器中，除搬入上述基板之外，還能夠搬入虛設基板， 上述第二膜處理係於設定之片數之上述基板與上述虛設基板由上述基板支持構造支持之狀態下進行。
  21. 一種基板處理裝置，其具有： 反應器，其能夠對基板進行數種處理； 搬送室，其鄰接於數個上述反應器處理室； 搬送機械手，其設置於上述搬送室內，能夠將基板搬送至各個上述反應器； 記憶部，其記錄與各個上述處理對應之種類資訊、及與各個上述種類資訊對應之處理時間資訊； 算出部，其算出上述處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率； 處理選擇部，其根據上述比率來選擇進行上述既定處理之反應器；及 處理設定部，其以能夠於所選擇之上述反應器中進行上述既定處理之方式進行設定。
  22. 一種基板處理裝置，其具有： 數個第一反應器，其等能夠對基板進行第一膜處理； 第二反應器，其能夠對數個上述基板進行第二膜處理； 搬送室，其鄰接於上述第一反應器與上述第二反應器； 搬送機械手，其設置於上述搬送室內，能夠將基板搬送至各個上述反應器；及 設定部，其根據利用數個上述第一反應器處理之上述基板之總數，而設定利用上述第二反應器處理之上述基板之片數。
  23. 一種程式，其藉由電腦使基板處理裝置執行如下手續： 接收與基板之處理對應之數個種類資訊； 自記憶部讀出上述種類資訊、及與各個上述種類資訊對應之處理時間資訊； 算出上述處理時間資訊之累計時間中既定處理之處理時間之比率； 根據上述比率來選擇進行上述既定處理之反應器； 以能夠於所選擇之上述反應器中進行上述既定處理之方式進行設定； 將與上述種類資訊對應之基板搬送至上述反應器；及 利用上述反應器進行與上述種類資訊對應之處理。
  24. 一種程式，其藉由電腦使基板處理裝置執行如下手續： 根據利用數個第一反應器處理之基板之總數，來設定利用第二反應器處理之上述基板之片數； 利用數個上述第一反應器對上述基板進行第一膜處理； 將利用上述第一反應器處理過之基板經由與上述第一反應器及上述第二反應器鄰接之搬送室而搬送至上述第二反應器；及 利用上述第二反應器對數個上述基板進行第二膜處理。
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