KR20190108482A - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 기판 처리 장치에 대해서 효율이 좋은 관리를 실현하기 위한 기술을 제공한다.
기판을 처리하는 처리실; 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부; 위치 정보를 보존하는 기억부; 및 위치 정보 취득부가 취득한 위치 정보를 기억부에 보존하는 것과 함께 필요에 따라 기억부가 보존하는 위치 정보를 출력하는 정보 제어부;를 포함하는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 개시(開示)는 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서 이용되는 기판 처리 장치의 일 형태로서는 예컨대 리액터를 포함하는 모듈을 구비한 장치가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 이러한 기판 처리 장치에서는 장치 가동 정보 등을 디스플레이 등으로 구성되는 입출력 장치에 표시하여 장치 관리자가 확인할 수 있도록 한다. 또한 반도체 장치를 제조하는 클린룸에는 복수의 기판 처리 장치가 설치되고, 각 기판 처리 장치가 네트워크를 개재하여 관리되도록 이루어진다(예컨대 특허문헌 2, 3 참조).
1. 일본 특개 2017-103356호 공보 2. 일본 특개 2008-21835호 공보 3. 일본 특개 2015-115540호 공보
본 개시는 기판 처리 장치에 대해서 효율이 좋은 관리를 실현하기 위한 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 따르면, 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부; 상기 위치 정보를 보존하는 기억부; 및 상기 위치 정보 취득부가 취득한 상기 위치 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 정보 제어부;를 포함하는 기술이 제공된다.
본 개시의 기술에 따르면, 기판 처리 장치에 대해서 효율이 좋은 관리를 수행하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성예를 모식적으로 도시하는 이미지 도면.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 모식적으로 도시하는 횡단면도(橫斷面圖).
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 모식적으로 도시하는 종단면도(縱斷面圖)이며, 도 2에서의 α-α' 단면을 도시하는 도면.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 리액터(처리실)의 구성예를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 5는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 컨트롤러의 구성예를 모식적으로 도시하는 블록도.
도 6은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 수행되는 기판 처리 공정의 개요를 도시하는 흐름도.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 수행되는 성막 공정의 기본적인 순서를 도시하는 흐름도.
도 8은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 군(群) 관리 장치의 구성예를 모식적으로 도시하는 블록도.
도 9는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로 수행되는 관리 방법의 구체적인 일례의 순서를 도시하는 흐름도.
<본 개시의 일 실시 형태>
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 관리 상황
먼저 반도체 장치의 제조 공정에서 이용되는 기판 처리 장치의 관리에 관한 상황에 대해서 설명한다. 최근 반도체 장치의 제조 공정에서는 다음과 같은 상황이 존재한다.
첫 번째 상황은 생산 효율의 향상이 요구되고 있다는 점이다. 반도체 장치의 생산 효율을 향상시키기 위해서는 예컨대 클린 룸 내에서 가동시키는 기판 처리 장치의 대수를 증가시키는 것이 유효하다. 또한 각 기판 처리 장치에 대해서는 다운타임 시간을 단축하게 하기 위해서 메인터넌스 시간의 단축이 요구된다. 따라서 기판 처리 장치의 대수를 증가시키는 경우 클린 룸 내의 각 기판 처리 장치의 각각에 대해서 가동 상황을 신속하게 또한 정확하게 파악할 수 있는 것이 생산 효율을 향상시키는 데 필요해진다.
두 번째 상황은 최근의 반도체 장치는 회로의 고집적화나 미세화 등이 요구되고 있다는 점이다. 이들의 회로는 복수의 공정을 걸쳐서 제조되기 때문에 각각의 공정에 대응한 기판 처리 장치가 준비된다. 단, 연속되는 공정에 대응한 기판 처리 장치에 대해서는 같은 클린 룸 내에 배치되는 경우가 많다. 즉 회로의 고집적화나 미세화 등을 위해서는 복수의 공정에 대응하는 각각의 기판 처리 장치에 대해서 클린 룸 내의 설치 장소에도 배려하는 것이 요구된다.
세 번째 상황은 매해 수많은 막과 회로 등이 새로 개발되고 있어, 반도체 장치의 제조 공장은 이에 대응할 필요가 있다는 점이다. 예컨대 어느 공정에서 사용하는 기판 처리 장치를 새로운 회로에 대응한 높은 성능을 가지는 기판 처리 장치로 교체하거나, 또는 완전히 다른 막을 형성 가능한 기판 처리 장치로 치환하는 등의 일이 일어날 수 있다. 기판 처리 장치의 교체 또는 치환을 반복하면 연속되는 공정에 대응한 기판 처리 장치이어도 인접하게 배치하는 것이 곤란해지는 경우가 많다. 따라서 클린 룸 내의 각 기판 처리 장치에 대해서는 새로운 회로 등에 대응하기 위한 교체 또는 치환을 상정한 후에 각각을 적절하게 관리할 수 있도록 하는 것이 요구된다.
본 실시 형태에서는 이상의 상황 중 적어도 하나에 대응 가능한 기술을 설명한다.
(2) 기판 처리 시스템의 개요
다음으로 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성예를 모식적으로 도시하는 이미지 도면이다.
도 1에 도시하는 기판 처리 시스템은 클린 룸(이하 「CR」이라고 부른다.)(400) 내에 설치된 복수의 기판 처리 장치(100)와, 각 기판 처리 장치(100)를 관리하는 상위 장치로서의 군 관리 장치(500)를 구비하여 구성된다.
CR(400)은 플로어(401) 상에 주 통로(403), 메인터넌스 영역(404) 및 측 통로(405)가 배치되고, 이들에 의해 플로어(401) 상이 복수의 구획으로 구분된다.
플로어(401) 상의 각 구획에는 기판 처리 장치(100)가 설치된다. 기판 처리 장치(100)는 반도체 집적 회로 장치(반도체 디바이스)가 제작되는 반도체 웨이퍼 기판(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 부른다.)에 대하여 소정의 처리를 수행하는 것으로, 원칙으로서 구획당 1대가 설치된다. 단, 기판 처리 장치(100)의 기종(처리 내용의 종류)에 따라서는 1대가 복수 구획을 걸쳐서 설치되어도 좋다. 즉 CR(400) 내에는 복수 종류의 기판 처리 장치(100)가 존재해도 좋다. 이들의 기판 처리 장치(100)는 반도체 장치를 제조하기 위한 복수의 공정에 각각 대응한 것이다. 또한 이들의 기판 처리 장치(100)에 대해서는 필요에 따라 교체 또는 치환을 수행할 수 있게 구성하는 것이 생각된다.
군 관리 장치(500)는 각 기판 처리 장치(100)의 상위 장치로서 기능하는 컴퓨터에 의해 구성된 것으로, 미도시의 무선 또는 유선 네트워크를 개재하여 각 기판 처리 장치(100) 사이에서 정보의 송수신을 수행할 수 있도록 이루어진다.
이하, 이러한 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치(100) 및 군 관리 장치(500)에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다.
(3) 기판 처리 장치의 구성
우선 기판 처리 장치(100)의 구성예에 대해서 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 모식적으로 도시하는 횡단면도다. 도 3은 도 2에서의 α-α' 단면을 도시하는 종단면도다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판으로서의 웨이퍼(W)를 처리하는 것으로, IO 스테이지(110), 대기 반송실(120), 로드록 실(130), 진공 반송실(140), 리액터(RC)(200)로 주로 구성된다. 또한 기판 처리 장치(100)는 IO 스테이지(110)가 주 통로(403)측이 되도록 CR(400) 내에 배치된다.
(대기 반송실·IO 스테이지)
기판 처리 장치(100)의 바로 앞에는 IO 스테이지(로드 포트)(110)가 설치된다. IO 스테이지(110) 상에는 복수의 포드(111)가 탑재된다. 포드(111)는 실리콘(Si) 기판 등의 웨이퍼(W)를 반송하는 캐리어로서 이용된다.
IO 스테이지(110)는 대기 반송실(120)에 인접된다. 대기 반송실(120)에는 IO 스테이지(110)와 다른 면에 후술하는 로드록 실(130)이 연결된다. 대기 반송실(120) 내에는 웨이퍼(W)를 이재하는 대기 반송 로봇(122)이 설치된다.
대기 반송실(120)의 광체(筐體)(127) 전측에는 웨이퍼(W)를 대기 반송실(120)에 대하여 반입반출하기 위한 기판 반입출구(128)와, 포드 오프너(121)가 설치된다. 대기 반송실(120)의 광체(127)의 후측에는 웨이퍼(W)를 로드록 실(130)에 반입반출하기 위한 기판 반입출구(129)가 설치된다. 기판 반입출구(129)는 게이트 밸브(133)에 의해 개방 및 폐쇄하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 출입을 가능하도록 한다.
(로드록 실)
로드록 실(130)은 대기 반송실(120)에 인접된다. 로드록 실(130)을 구성하는 광체(131)가 포함하는 면 중 대기 반송실(120)과 다른 면에는 후술하는 진공 반송실(140)이 배치된다.
로드록 실(130) 내에는 웨이퍼(W)를 재치하는 재치면(135)을 적어도 2개 포함하는 기판 재치대(136)가 설치된다. 기판 재치면(135) 사이의 거리는 후술하는 로봇(170)의 암이 포함하는 엔드 이펙터 사이의 거리에 따라 설정된다.
(진공 반송실)
기판 처리 장치(100)는 부압 하에서 웨이퍼(W)가 반송되는 반송 공간이 되는 반송실로서의 진공 반송실(트랜스퍼 모듈)(140)을 구비한다. 진공 반송실(140)을 구성하는 광체(141)는 평면시가 오각형으로 형성되고, 오각형의 각(各) 변(邊)에는 로드록 실(130) 및 웨이퍼(W)를 처리하는 처리실로서의 리액터[200(200a 내지 200d)]가 연결된다. 이하, 리액터를 「RC」라고도 부른다.
진공 반송실(140)을 구성하는 광체(141)의 측벽 중 각 RC(200)과 대향하는 벽에는 기판 반입출구(148)가 설치된다. 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이 RC(200c)과 대향하는 벽에는 기판 반입출구(148c)가 설치된다. 또한 게이트 밸브(149)가 RC(200)마다 설치된다. 예컨대 RC(200c)에는 게이트 밸브(149c)가 설치된다. 또한 RC(200a, 200b, 200d)도 RC(200c)과 같은 구성이므로 여기서는 설명을 생략한다.
진공 반송실(140)의 대략 중앙부에는 부압 하에서 웨이퍼(W)를 이재(반송)하는 반송부로서의 반송 로봇(170)이 플랜지(144)를 기부(基部)로서 설치된다. 로봇(170)은 2개의 암(180)을 구비한다. 암(180)은 웨이퍼(W)를 재치하는 엔드 이펙터를 구비한다. 암(180)은 암 축(도시 생략)을 개재하여 플랜지(144)에 접속된다. 즉 2개의 암(180)을 구비하는 로봇(170)은 엘리베이터(145) 및 플랜지(144)에 의해 진공 반송실(140)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성된다. 또한 도 3에서는 설명의 편의상 암(180)의 엔드 이펙터를 표시하고, 플랜지(144)와 접속되는 로봇 축등의 구조는 생략한다.
엘리베이터(145)는 암(180)의 승강과 회전을 제어한다. 이에 의해 암(180)은 암 축을 중심으로 한 회전이나 연장이 가능하다. 암(180)이 회전과 연장을 수행하는 것에 의해 로봇(170)은 RC[200(200a 내지 200d)] 내에 웨이퍼(W)를 반송하거나, RC[200(200a 내지 200d)] 내로부터 웨이퍼(W)를 반출한다.
(리액터)
진공 반송실(140)의 외주에는 웨이퍼(W)를 처리하는 처리실로서의 RC(200a 내지 200d)가 접속된다. 도 4은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 리액터의 구성예를 모식적으로 도시하는 설명도다. 또한 RC(200a 내지 200d)는 마찬가지의 구성이므로 이하의 설명에서는 이들을 총칭하여 RC(200)로서 설명한다.
(용기)
도 4에 도시하는 바와 같이 RC(200)은 용기(202)를 구비한다. 용기(202)는 예컨대 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성된다. 또한 용기(202)는 예컨대 알루미늄(Al)이나 스텐레스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성된다. 용기(202) 내에는 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 공간(205)과, 웨이퍼(W)를 처리 공간(205)에 반송할 때 웨이퍼(W)가 통과하는 반송 공간(206)이 형성된다. 용기(202)는 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b) 사이에는 칸막이 판(208)이 설치된다.
하부 용기(202b)의 측면에는 게이트 밸브(149)에 인접된 기판 반입출구(148)가 설치되고, 그 기판 반입출구(148)를 개재하여 웨이퍼(W)가 진공 반송실(140) 사이를 이동하도록 이루어진다. 하부 용기(202b)의 저부(底部)에는 리프트 핀(207)이 복수 설치된다. 또한 하부 용기(202b)는 접지(接地)된다.
처리 공간(205)에는 웨이퍼(W)를 지지하는 기판 지지부(210)가 배치된다. 기판 지지부(210)는 웨이퍼(W)를 재치하는 기판 재치면(211)과, 기판 재치면(211)을 표면에 가지는 기판 재치대(212)와, 기판 재치대(212) 내에 설치된 가열원으로서의 히터(213)를 주로 포함한다. 기판 재치대(212)에는 리프트 핀(207)이 관통하는 관통공(214)이 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 설치된다.
기판 재치대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는 용기(202)의 저부를 관통하고, 또한 용기(202)의 외부에서 승강부(218)에 접속된다.
승강부(218)는 샤프트(217)를 지지하는 지지축(218a)과, 지지축(218a)을 승강시키거나 회전시키는 작동부(218b)를 주로 포함한다. 작동부(218b)는 예컨대 승강을 실현하기 위한 모터를 포함하는 승강 기구(218c)와, 지지축(218a)을 회전시키기 위한 톱니바퀴 등의 회전 기구(218d)를 포함한다. 승강부(218)에는 승강부(218)의 일부로서 작동부(218b)에 승강 및 회전을 지시하기 위한 지시부(218e)를 설치해도 좋다. 지시부(218e)는 후술하는 컨트롤러(280)에 전기적으로 접속된다. 지시부(218e)는 컨트롤러(280)의 지시에 기초하여 작동부(218b)를 제어한다. 승강부(218)를 작동시켜서 샤프트(217) 및 지지대(212)를 승강시키는 것에 의해 기판 재치대(212)는 재치면(211) 상에 재치되는 웨이퍼(W)를 승강시키는 것이 가능하도록 이루어진다. 또한 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로즈(219)로 피복되고, 이에 의해 처리 공간(205) 내가 기밀하게 보지(保持)된다.
기판 재치대(212)는 웨이퍼(W) 반송 시에는 기판 재치면(211)이 기판 반입출구(148)에 대향하는 위치까지 하강한다. 또한 웨이퍼(W) 처리 시에는 도 4에 도시되는 바와 같이 웨이퍼(W)가 처리 공간(205) 내의 처리 위치가 될 때까지 상승한다.
처리 공간(205)의 상부(상류측)에는 가스 분산 기구로서의 샤워 헤드(230)가 설치된다. 샤워 헤드(230)의 덮개(231)에는 가스 도입공(231a)이 설치된다. 가스 도입공(231a)은 후술하는 공통 가스 공급관(242)과 연통된다.
샤워 헤드(230)는 가스를 분산시키기 위한 분산 기구로서의 분산판(234)을 구비한다. 이 분산판(234)의 상류측이 버퍼 공간(232)이며, 하류측이 처리 공간(205)이다. 분산판(234)에는 복수의 관통공(234a)이 설치된다. 분산판(234)은 기판 재치면(211)과 대향하도록 배치된다. 분산판(234)은 예컨대 원반 형상으로 구성된다. 관통공(234a)은 분산판(234)의 전면에 걸쳐 설치된다.
샤워 헤드(230)의 지지 블록(233)은 상부 용기(202a)가 포함하는 플랜지 상에 재치되어 고정된다. 또한 분산판(234)은 지지 블록(233)이 포함하는 플랜지(233a) 상에 재치되어 고정된다. 또한 덮개(231)는 지지 블록(233)의 상면에 고정된다. 이러한 구조로 하는 것에 의해 상방(上方)으로부터 덮개(231), 분산판(234), 지지 블록(233)의 순서대로 제거하는 것이 가능해진다.
(공급부)
샤워 헤드(230)의 덮개(231)에는 그 덮개(231)에 설치된 가스 도입공(231a)과 연통되도록 공통 가스 공급관(242)이 접속된다.
공통 가스 공급관(242)에는 제1 가스 공급관(243a), 제2 가스 공급관(244a), 제3 가스 공급관(245a)이 접속된다. 제2 가스 공급관(244a)은 상세를 후술하는 바와 같이 가스를 여기(勵起)하여 플라즈마 상태로 하는 플라즈마 생성부로서의 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(244e)을 개재하여 공통 가스 공급관(242)에 접속된다.
(제1 가스 공급계)
제1 가스 공급관(243a)에는 상류 방향부터 순서대로 제1 가스원(243b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(243c) 및 개폐 밸브인 밸브(243d)가 설치된다. 그리고 제1 가스 공급관(243a)으로부터는 제1 처리 가스가 MFC(243c), 밸브(243d), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(230)에 공급된다.
제1 처리 가스는 제1 원소를 함유하는 원료 가스다. 여기서 제1 원소는 예컨대 실리콘(Si)이다. 즉 제1 원소 함유 가스는 예컨대 실리콘 함유 가스다. 구체적으로는 실리콘 함유 가스로서 헥사클로로디실란(Si2Cl6. HCD라고도 부른다.) 가스가 이용된다.
주로 제1 가스 공급관(243a), MFC(243c), 밸브(243d)에 의해 제1 가스 공급계(이하, 「실리콘 함유 가스 공급계」라고도 부른다.)(243)가 구성된다. 또한 제1 가스 공급원(243b), 공통 가스 공급관(242)을 제1 가스 공급계(243)에 포함시켜서 생각해도 좋다.
(제2 가스 공급계)
제2 가스 공급관(244a)에는 상류 방향부터 순서대로 제2 가스원(244b), MFC(244c) 및 밸브(244d)가 설치된다. 그리고 제2 가스 공급관(244a)으로부터는 제2 처리 가스가 MFC(244c), 밸브(244d), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(230)에 공급된다.
제2 처리 가스는 제1 원소와는 다른 제2 원소를 함유하는 가스다. 여기서 제2 원소는 예컨대 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 어느 하나다. 본 실시 형태에서 제2 원소 함유 가스는 예컨대 산소 함유 가스인 것으로 한다. 구체적으로는 산소 함유 가스로서는 산소(O2) 가스가 이용된다. 또한 제2 원소 함유 가스인 제2 처리 가스에 대해서는 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 좋다.
웨이퍼(W)를 플라즈마 상태의 제2 처리 가스로 처리하는 경우 제2 가스 공급관(244a)에 리모트 플라즈마 유닛(244e)을 설치해도 좋다. 리모트 플라즈마 유닛(244e)에는 배선(251)이 접속된다. 배선(251)의 상류측에는 전원(253)이 설치되고, 리모트 플라즈마 유닛(244e)과 전원(253) 사이에는 주파수 정합기(252)가 설치된다. 전원(253)으로부터의 전력 공급과 함께 주파수 정합기(252)에 의한 매칭용 파라미터의 조정을 수행하여 리모트 플라즈마 유닛(244e)으로 플라즈마를 생성한다. 또한 본 실시 형태에서는 리모트 플라즈마 유닛(244e), 배선(251), 주파수 정합기(252)를 총칭하여 플라즈마 생성부라고 부른다. 플라즈마 생성부에 전원(253)을 추가해도 좋다.
주로 제2 가스 공급관(244a), MFC(244c), 밸브(244d)에 의해 제2 가스 공급계(이하, 「산소 함유 가스 공급계」라고도 부른다.)(244)가 구성된다. 또한 제2 가스 공급원(244b), 공통 가스 공급관(242)을 제2 가스 공급계(244)에 포함시켜서 생각해도 좋다.
(제3 가스 공급계)
제3 가스 공급관(245a)에는 상류 방향부터 순서대로 제3 가스원(245b), MFC(245c) 및 밸브(245d)가 설치된다. 그리고 제3 가스 공급관(245a)으로부터는 불활성 가스가 MFC(245c), 밸브(245d), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(230)에 공급된다.
불활성 가스는 예컨대 질소(N2) 가스다. 불활성 가스는 기판 처리 공정에서는 용기(202)나 샤워 헤드(230) 내에 잔류된 가스를 퍼지하는 퍼지 가스로서 작용한다.
주로 제3 가스 공급관(245a), MFC(245c), 밸브(245d)에 의해 제3 가스 공급계(245)가 구성된다. 또한 제3 가스 공급원(245b), 공통 가스 공급관(242)을 제3 가스 공급계(245)에 포함시켜서 생각해도 좋다.
(배기계)
용기(202)의 분위기를 배기하는 배기계는 용기(202)에 접속된 복수의 배기관을 포함한다. 구체적으로는 처리 공간(205)에 접속되는 배기관(제1 배기관)(262)과, 반송 공간(206)에 접속되는 배기관(제2 배기관)(261)을 포함한다. 또한 각 배기관(261, 262)의 하류측에는 배기관(제3 배기관)(264)이 접속된다. 또한 버퍼 공간(232)에 접속되는 배기관(제4 배기관)(263)을 설치해도 좋다. 제4 배기관(263)은 제3 배기관(264)에 접속된다.
배기관(261)은 반송 공간(206)의 측방(側方) 또는 하방(下方)에 설치된다. 배기관(261)에는 처리 공간(205) 내와 반송 공간(206) 내 중 어느 하나 또는 양방(兩方)을 소정의 압력으로 제어하는 압력 조정기인 APC(Auto Pressure Controller)(265)가 설치된다. APC(265)는 개도(開度) 조정 가능한 밸브체(미도시)를 포함하고, 후술하는 컨트롤러(280)로부터의 지시에 따라 배기관(261)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한 배기관(261)에서 APC(265)의 상류측에는 반송 공간용 제1 배기 밸브로서의 밸브(266)가 설치된다.
배기관(262)은 처리 공간(205)의 측방에 설치된다. 배기관(262)에는 처리 공간(205) 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력제어기인 APC(Auto Pressure Controller)(267)가 설치된다. APC(267)는 개도 조정 가능한 밸브체(미도시)를 포함하고, 후술하는 컨트롤러(280)로부터의 지시에 따라 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정한다. 또한 배기관(262)에서 APC(267)의 상류측에는 밸브(268)가 설치된다. 배기관(262), 밸브(268), APC(267)를 총칭하여 처리실 배기계라고 부른다.
배기관(263)은 버퍼 공간(232)에 연통하도록 샤워 헤드(230)에 접속된다. 배기관(263)에는 밸브(269)가 구비된다. 배기관(263), 밸브(269)를 총칭하여 샤워 헤드 배기계라고 부른다.
배기관(264)에는 드라이 펌프(DP: Dry Pump)(270)가 설치된다. 도시와 같이 배기관(264)에는 그 상류측부터 배기관(263), 배기관(262), 배기관(261)이 접속되고, 또한 그것들의 하류에 DP(270)가 설치된다. DP(270)는 배기관(262), 배기관(263), 배기관(261)의 각각을 개재하여 버퍼 공간(232), 처리 공간(205) 및 반송 공간(206)의 분위기를 각각 배기한다. 전술한 배기계의 각 밸브에는 예컨대 에어 밸브가 이용된다.
(컨트롤러)
기판 처리 장치(100)는 상기 기판 처리 장치(100)의 각 부(部)의 동작을 제어하는 컨트롤러(280)를 포함한다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 컨트롤러의 구성예를 모식적으로 도시하는 블록도다.
도 5에 도시하는 바와 같이 컨트롤러(280)는 CPU(Central Processing Unit)(280a), RAM(Random Access Memory)(280b), 기억부(280c), I/O 포트(280d)를 적어도 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(280b), 기억부(280c), I/O 포트(280d)는 내부 버스(280f)를 개재하여 CPU(280a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(280)에는 예컨대 태블릿 단말 등의 휴대 가능한 이동 단말로서 구성된 입출력 장치(281)가 전기적으로 접속된다. 입출력 장치(281)로부터는 컨트롤러(280)에 대하여 정보 입력을 수행할 수 있다. 또한 입출력 장치(281)는 컨트롤러(280)의 제어에 따라 정보의 표시 출력을 수행하도록 이루어진다. 즉 입출력 장치(281)는 정보의 표시 출력을 수행하는 표시부(281a)를 구비하여 구성된다. 또한 입출력 장치(281)는 이동 단말로서 구성되므로 컨트롤러(280)로부터 제거하여 이용할 수 있고, 제거한 상태에서도 CPU(280a) 등과의 데이터 교환이 가능하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(280)는 입출력 장치(281) 외에도 외부 기억 장치(282)가 접속 가능하도록 구성된다. 또한 컨트롤러(280)는 송수신부(283)를 통해서 네트워크가 접속 가능하도록 구성된다. 이는 컨트롤러(280)가 네트워크 상에 존재하는 상위 장치로서의 군 관리 장치(500)와도 접속 가능하다는 것을 의미한다. 즉 컨트롤러(280)는 송수신부(283)를 통해서 네트워크 상의 군 관리 장치(500) 사이에서 정보의 송수신을 수행할 수 있도록 이루어진다.
컨트롤러(280)에서의 기억부(280c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억부(280c) 내에는 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피, 후술하는 위치 정보 및 맵 정보 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(280)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(280b)은 CPU(280a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(280d)는 각 게이트 밸브(149), RC(200)에 설치된 승강 기구(218), MFC(243c 내지 245c), 밸브(243d 내지 245d, 266, 268, 269), RPU(244e) 등을 비롯한 기판 처리 장치(100)의 각 구성에 접속된다.
CPU(280a)은 기억부(280c)로부터 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(281)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억부(280c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 그리고 CPU(280a)은 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 게이트 밸브(149)의 개폐 동작, 로봇(170)의 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 각 펌프의 ON/OFF 제어, MFC의 유량 조정 동작, 밸브 등을 제어 가능하도록 구성된다. 또한 CPU(280a)은 판독된 프로그램을 실행하는 것에 의해 상세를 후술하는 바와 같이 위치 정보 취득부(280g) 및 정보 제어부(280h)로서 기능하도록 이루어진다.
또한 컨트롤러(280)는 전용의 컴퓨터로서 구성해도 좋고, 범용의 컴퓨터로서 구성해도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(282)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리(USB Flash Drive)나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]를 준비하고, 그 외부 기억 장치(282)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(280)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(282)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용해도 좋고, 상위 장치인 군 관리 장치(500)로부터 송수신부(283)를 개재하여 정보를 수신하여 외부 기억 장치(282)를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 또한 입출력 장치(281)를 이용하여 컨트롤러(280)에 지시를 해도 좋다.
컨트롤러(280)에서의 기억부(280c) 및, 컨트롤러(280)에 접속 가능한 외부 기억 장치(282)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억부(280c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
(4) 기판 처리 공정의 개요
다음으로 반도체 제조 공정의 일 공정으로서 전술한 구성의 기판 처리 장치(100)를 이용하여 웨이퍼(W)에 대한 소정 처리를 수행하는 기판 처리 공정에 대해서 그 개요를 설명한다. 도 6은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)에서 수행되는 기판 처리 공정의 개요를 도시하는 흐름도다. 여기서는 기판 처리 공정으로서 웨이퍼(W) 상에 박막을 형성하는 경우를 예로 든다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(280)에 의해 제어된다.
(기판 반입·가열 공정: S102)
우선, 기판 반입·가열 공정(S102)에 대해서 설명한다. 기판 반입·가열 공정(S102)에서는 용기(202) 내에 웨이퍼(W)를 반입한다. 그리고 용기(202) 내에 웨이퍼(W)를 반입하면 진공 반송 로봇(170)을 용기(202)의 외로 퇴피시키고, 게이트 밸브(149)를 닫고 용기(202) 내를 밀폐한다. 그 후 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 기판 재치대(212)에 설치된 기판 재치면(211) 상에 웨이퍼(W)를 재치시키고, 또한 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 전술한 처리 공간(205) 내의 처리 위치(기판 처리 포지션)까지 웨이퍼(W)를 상승시킨다.
웨이퍼(W)가 반송 공간(206)에 반입된 후 처리 공간(205) 내의 처리 위치까지 상승하면 밸브(266, 269)를 닫힘(閉) 상태로 한다. 이에 의해 반송 공간(206)과 APC(265) 사이[및 버퍼 공간(232)과 배기관(264) 사이]가 차단되어 APC(265)에 의한 반송 공간(206)의 배기가 종료된다. 한편, 밸브(268)를 열고 처리 공간(205)과 APC(267) 사이를 연통시키는 것과 함께 APC(267)와 DP(270) 사이를 연통시킨다. APC(267)는 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정하는 것에 의해 DP(270)에 의한 처리 공간(205)의 배기 유량을 제어하고, 처리 공간(205)을 소정의 압력(예컨대 10-5 내지 10-1Pa의 고진공)으로 유지한다.
이와 같이 하여 기판 반입·가열 공정(S102)에서는 처리 공간(205) 내를 소정의 압력이 되도록 제어하는 것과 함께, 웨이퍼(W)의 표면 온도가 소정의 온도가 되도록 제어한다. 온도는 예컨대 실온 이상 500℃ 이하이며, 바람직하게는 실온 이상이며 400℃ 이하다. 압력은 예컨대 50Pa 내지 5,000Pa로 하는 것이 생각된다.
(성막 공정: S104)
계속해서 성막 공정(S104)에 대해서 설명한다. 처리 공간(205) 내의 처리 위치에 웨이퍼(W)를 위치시키면, 기판 처리 장치(100)에서는 성막 공정(S104)을 수행한다. 성막 공정(S104)은 프로세스 레시피에 따라 다른 처리 가스인 제1 처리 가스(제1 원소 함유 가스)와 제2 처리 가스(제2 원소 함유 가스)를 처리 공간(205)에 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W) 상에 박막을 형성하는 공정이다. 성막 공정(S104)에서는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 동시에 처리 공간(205)에 존재시켜서 CVD(chemical vapor deposition) 처리를 수행하거나, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 교호(交互)적으로 공급하는 공정을 반복하는 사이클릭(교호 공급) 처리를 수행해도 좋다. 또한 제2 처리 가스를 플라즈마 상태로서 처리하는 경우에는 RPU(244e)을 기동해도 좋다. 또한 성막 공정(S104)에 대해서는 그 상세를 후술한다.
(기판 반출 공정: S106)
다음으로 기판 반출 공정(S106)에 대해서 설명한다. 성막 공정(S104) 종료 후, 기판 처리 장치(100)에서는 기판 반출 공정(S106)을 수행한다. 기판 반출 공정(S106)에서는 전술한 기판 반입·가열 공정(S102)과 반대의 순서로 처리 완료된 웨이퍼(W)를 용기(202) 외로 반출한다.
(판정 공정: S108)
다음으로 판정 공정(S108)을 설명한다. 기판 반출 공정(S106)이 종료되면, 기판 처리 장치(100)에서는 전술한 일련의 처리(S102 내지 S106)를 1개의 사이클로 하여 그 1사이클을 소정 횟수 실시했는지의 여부를 판정한다. 그리고 소정 횟수 실시하지 않았으면 기판 반입·가열 공정(S102)부터 기판 반출 공정(S106)까지의 1사이클을 반복한다. 즉 기판 반입·가열 공정(S102)과 마찬가지의 순서로 다음으로 대기하는 미처리의 웨이퍼(W)를 용기(202) 내에 반입한다. 그 후 반입된 웨이퍼(W)에 대해서는 성막 공정(S104) 및 기판 반출 공정(S106)이 실행된다. 한편, 소정 횟수 실시했을 때는 기판 처리 공정을 종료한다.
(5) 성막 공정의 기본적인 순서
다음으로 전술한 기판 처리 공정 중의 성막 공정(S104)에 대해서 기본적인 순서를 설명한다. 도 7은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서 수행되는 성막 공정의 기본적인 순서를 도시하는 흐름도다. 여기서는 제1 처리 가스(제1 원소 함유 가스)로서 HCD를 기화시켜서 얻어지는 HCD 가스를 이용하고, 제2 처리 가스(제2 원소 함유 가스)로서 O2 가스를 이용하고, 그것들을 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W) 상에 실리콘 함유막으로서의 실리콘 산화막(SiO)막을 형성하는 경우를 예로 든다.
(제1 처리 가스 공급 공정: S202)
제1 처리 가스 공급 공정(S202)을 설명한다. 성막 공정 시에는 먼저 제1 가스 공급계(243)로부터 처리 공간(205) 내에 제1 처리 가스(제1 원소 함유 가스)로서의 HCD 가스를 공급한다. 처리 공간(205) 내에 공급된 HCD 가스는 기판 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 면상(面上)에 도달한다. 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면에는 HCD 가스가 접촉하는 것에 의해 「제1 원소 함유층」으로서의 실리콘 함유층이 형성된다. 실리콘 함유층은 예컨대 용기(202) 내의 압력, HCD 가스의 유량, 기판 재치대(212)의 온도, 처리 공간(205)의 통과에 걸리는 시간등에 따라 소정의 두께 및 소정의 분포로 형성된다.
HCD가스의 공급을 시작하고 소정 시간이 경과한 후, 밸브(243d)를 닫고 HCD 가스의 공급을 정지한다. 또한 제1 처리 가스 공급 공정(S202)에서는 밸브(268)가 열림(開)이 되고, APC(267)에 의해 처리 공간(205)의 압력이 소정의 압력이 되도록 제어된다. 또한 제1 처리 가스 공급 공정(S202)에서 밸브(268) 이외의 배기계의 밸브는 모두 닫힘이 된다.
(퍼지 공정: S204)
퍼지 공정(S204)을 설명한다. 제1 처리 가스 공급 공정(S202) 후, 다음으로 제3 가스 공급관(245a)으로부터 N2 가스를 공급하고, 처리 공간(205) 및 샤워 헤드(230)의 퍼지를 수행한다. 이에 의해 제1 처리 가스 공급 공정(S202)에서 웨이퍼(W)에 결합하지 못한 HCD 가스는 DP(270)에 의해 처리 공간(205)으로부터 제거된다. 또한 샤워 헤드(230)[버퍼 공간(232)] 내에 잔류한 HCD 가스는 DP(270)에 의해 버퍼 공간(232)으로부터 제거된다.
(제2 처리 가스 공급 공정: S206)
제2 처리 가스 공급 공정(S206)을 설명한다. 퍼지 공정(S204) 후, 다음으로 제2 가스 공급계(244)로부터 처리 공간(205) 내에 제2 처리 가스(제2 원소 함유 가스)로서의 O2 가스를 공급한다. O2 가스는 RPU(244e)에 의해 플라즈마 상태가 되고, 기판 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 면상(面上)에 조사(照射)되도록 해도 좋다. 이에 의해 웨이퍼(W)의 면상에서는 이미 형성된 실리콘 함유층이 개질되어 예컨대 Si 원소 및 O 원소를 함유하는 층인 SiO막이 형성된다.
그리고 소정 시간이 경과한 후, 밸브(244d)를 닫고 O2 가스의 공급을 정지한다. 또한 제2 처리 가스 공급 공정(S206)에서도 전술한 제1 처리 가스 공급 공정(S202)과 마찬가지로 밸브(268)가 열림이 되고, APC(267)에 의해 처리 공간(205)의 압력이 소정의 압력이 되도록 제어된다. 또한 밸브(268) 이외의 배기계의 밸브는 모두 닫힘이 된다.
(퍼지 공정: S208)
퍼지 공정(S208)을 설명한다. 제2 처리 가스 공급 공정(S206) 후 퍼지 공정(S208)을 실행한다. 퍼지 공정(S208)에서의 각 부의 동작은 전술한 퍼지 공정(S204)의 경우와 마찬가지이므로 여기서는 그 설명을 생략한다.
(판정 공정: S210)
판정 공정(S210)을 설명한다. 퍼지 공정(S208)이 종료되면 계속해서 컨트롤러(280)는 전술한 일련의 처리(S202 내지 S208)를 1개 사이클로 하여 그 1사이클을 소정 횟수(n cycle) 실시했는지의 여부를 판정한다. 그리고 소정 횟수 실시하지 않았으면 제1 처리 가스 공급 공정(S202)부터 퍼지 공정(S208)까지의 1사이클을 반복한다. 한편, 소정 횟수 실시했을 때는 성막 공정(S104)을 종료한다.
이와 같이 성막 공정(S104)에서는 제1 처리 가스 공급 공정(S202)부터 퍼지 공정(S208)까지의 각 공정을 순차적으로 수행하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 면상에 소정의 두께의 SiO막이 퇴적된다. 그리고 이들의 각 공정을 1사이클로 하여 그 1사이클을 소정 횟수 반복하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 면상에 형성되는 SiO막이 원하는 막 두께로 제어된다.
(6) 군 관리 장치의 구성
다음으로 기판 처리 장치(100)의 상위 장치인 군 관리 장치(500)의 구성예에 대해서 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 따른 군 관리 장치의 구성예를 모식적으로 도시하는 블록도다.
도 8에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 군 관리 장치(500)는 CPU(510), RAM(520), 기억부(530)를 적어도 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(520), 기억부(530)는 내부 버스(540)를 개재하여 CPU(510)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다.
또한 군 관리 장치(500)는 송수신부(550)를 통해서 네트워크가 접속 가능하도록 구성된다. 이는 군 관리 장치(500)가 네트워크를 개재하여 CR(400) 내에 설치된 각 기판 처리 장치(100)와 접속 가능하다는 것을 의미한다. 즉 군 관리 장치(500)는 송수신부(550)를 통해서 각 기판 처리 장치(100) 사이에 정보의 송수신을 각각 수행할 수 있도록 이루어진다.
군 관리 장치(500)에서의 기억부(530)는 예컨대 플래시 메모리, HDD 등으로 구성된다. 기억부(530) 내에는 각 기판 처리 장치(100)를 관리하는 관리 프로그램이나, 후술하는 맵 정보에 관한 제어 동작을 수행하기 위한 제어 프로그램 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 RAM(520)은 CPU(510)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
CPU(510)은 기억부(530)로부터 프로그램을 판독하여 실행하도록 구성된다. 그리고 CPU(510)은 판독된 프로그램을 실행하는 것에 의해 상세를 후술하는 바와 같이 위치 정보 요구부(511), 맵 정보 생성부(512) 및 맵 정보 관리부(513)로서 기능하도록 이루어진다.
또한 군 관리 장치(500)는 전용의 컴퓨터로서 구성해도 좋고, 범용의 컴퓨터로서 구성해도 좋다. 이는 전술한 컨트롤러(280)의 경우와 마찬가지다. 또한 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 본 실시 형태에 따른 군 관리 장치(500)를 구성할 수 있다. 그 경우에 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단이 특히 한정되지 않는 것은 전술한 컨트롤러(280)의 경우와 마찬가지다.
(7) 기판 처리 시스템의 관리 방법
다음으로 전술한 각 기판 처리 장치(100) 및 군 관리 장치(500)를 구비하여 구성된 기판 처리 시스템에서 각 기판 처리 장치(100)를 관리하는 방법의 일 구체예에 대해서 설명한다. 도 9는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에서 수행되는 관리 방법의 일 구체예의 순서를 도시하는 흐름도다. 여기서는 기판 처리 시스템에서 각 기판 처리 장치(100) 및 군 관리 장치(500)가 이하에 설명하는 제1 공정(S302) 내지 제7 공정(S314, S316)의 각 공정을 수행하는 경우를 예로 든다. 또한 각 기판 처리 장치(100) 및 상기 기판 처리 장치(100)에서의 컨트롤러(280)에 대해서는 이하 「툴」이라고 부르기도 한다.
(제1 공정: S302)
우선, 제1 공정(S302)에 대해서 설명한다. 제1 공정(S302)은 각 기판 처리 장치(100) 측에서 수행되는 공정이며, 각 기판 처리 장치(100)에 대해서 후술하는 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 위치 정보를 각 기판 처리 장치(100)의 컨트롤러(280)에서의 기억부(280c)에 보존하는 공정이다. 위치 정보를 취득하므로 제1 공정(S302)은 「위치 정보 취득 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제1 공정(S302)은 예컨대 CR(400) 내로의 기판 처리 장치(100)의 설치 또는 CR(400) 내에서의 기판 처리 장치(100)의 이동이 있는 시점에서 수행된다.
제1 공정(S302)에서 취득하는 위치 정보는 기판 처리 장치(100)[특히 상기 기판 처리 장치(100)가 구비하는 RC(처리실)(200)]의 CR(400) 내에서의 설치 위치를 특정하는 정보다. 구체적으로는 위치 정보로서 예컨대 CR(400) 내에서의 설치 구획을 특정하는 어드레스 정보를 들 수 있다. 단, CR(400) 내에서의 설치 위치를 특정 가능하다면 다른 형식의 정보이어도 좋다.
위치 정보의 취득은 컨트롤러(280)의 CPU(280a)에 의해 실현되는 위치 정보 취득부(280g)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 위치 정보 취득부(280g)가 위치 정보의 취득을 수행한다. 구체적으로는 예컨대 위치 정보 취득부(280g)에 의한 제어를 따르면서 입출력 장치(281)의 표시부(281a)에 소정의 GUI(Graphical User Interface) 화면을 표시하고, 그 GUI 화면을 통해서 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자에게 정보 입력 조작을 수행하도록 하는 것에 의해 위치 정보의 취득을 수행하는 방법을 생각해볼 수 있다. 단, 반드시 이에 한정되지 않고, 예컨대 위치 정보 취득부(280g)가 GPS(Global Positioning System) 기능에 대응하고 있으면 그 GPS기능을 이용하여 위치 정보의 취득을 수행해도 좋다. 또한 예컨대 위치 정보 취득부(280g)가 Wi-Fi 기능에 대응하고 있으면 그 Wi-Fi 기능을 통해서 외부 장치로부터 위치 정보의 취득을 수행해도 좋다.
취득한 위치 정보는 컨트롤러(280)의 CPU(280a)에 의해 실현되는 정보 제어부(280h)로서의 기능에 의해 기억부(280c)에 보존된다. 즉 정보 제어부(280h)는 위치 정보 취득부(280g)가 취득한 위치 정보를 기억부(280c)에 보존한다. 이때 정보 제어부(280h)는 위치 정보를 위치 정보 파일을 구성하는 정보 중 하나로서 기억부(530)에 보존한다.
기억부(530)에 보존하는 위치 정보 파일에는 필수 설정 정보인 위치 정보 외에 다음과 같은 임의 설정 정보를 포함해도 좋다. 구체적으로는 임의 설정 정보로서 예컨대 기판 처리 장치(100)의 고유 ID 정보, 기판 처리 장치(100)의 종류별 정보(예컨대 CVD, 스퍼터링, 프로세스 종류 등에 관한 정보), 기판 처리 장치(100)가 대응하는 가스 패턴 정보(예컨대 가스 종류나 배기 경로 등에 관한 정보), 기판 처리 장치(100)의 사이즈 정보[예컨대 기판 처리 장치(100)의 설치 면적이나 CR(400) 내의 점유 구획수 등에 관한 정보] 등을 들 수 있다.
(제2 공정: S304)
계속해서 제2 공정(S304)에 대해서 설명한다. 제2 공정(S304)은 군 관리 장치(500) 측에서 수행되는 공정이며, 각 기판 처리 장치(100)에 대하여 상기 기판 처리 장치(100)의 기억부(280c)가 보존하는 위치 정보의 송신을 요구하는 공정이다. 위치 정보의 송신을 요구하므로 제2 공정(S304)은 「위치 정보 요구 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제2 공정(S304)은 미리 설정된 소정의 타이밍마다(예컨대 1분마다, 5분마다, 10분마다 등) 수행된다.
위치 정보의 송신의 요구는 군 관리 장치(500)의 CPU(510)에 의해 실현되는 위치 정보 요구부(511)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 위치 정보 요구부(511)가 위치 정보를 요구한다. 구체적으로는 위치 정보 요구부(511)는 각 기판 처리 장치(100)에 대하여 소정 포맷의 송신 요구 정보를 송신하는 것에 의해 위치 정보의 요구를 수행하면 좋다. 송신 요구 정보의 포맷 등은 특히 한정되지 않는다.
(제3 공정: S306)
다음으로 제3 공정(S306)에 대해서 설명한다. 제3 공정(S306)은 각 기판 처리 장치(100) 측에서 수행되는 공정이며, 군 관리 장치(500)로부터의 요구에 따라 기억부(280c)가 보존하는 위치 정보를 판독하여 요구원의 군 관리 장치(500)에 송신하는 공정이다. 위치 정보를 송신하므로 제3 공정(S306)은 「위치 정보 송신 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제3 공정(S306)은 군 관리 장치(500)로부터의 요구가 있을 때마다 수행된다. 따라서 제2 공정(S304) 및 제3 공정(S306)은 소정의 타이밍마다(예컨대 1분마다, 5분마다, 10분마다 등) 정기적으로 반복 수행된다.
위치 정보의 기억부(280c)로부터의 판독 및 군 관리 장치(500)로의 송신은 정보 제어부(280h)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 정보 제어부(280h)는 군 관리 장치(500)로부터의 송신 요구 정보를 수신하면, 기억부(280c)가 보존하는 위치 정보를 판독하는 것과 함께, 요구원의 군 관리 장치(500)를 출력처로 하여 판독한 위치 정보의 출력(송신)을 수행한다. 즉 정보 제어부(280h)는 송수신부(283)가 군 관리 장치(상위 장치)(500)로부터 위치 정보의 송신 요구 정보를 수신하면 상기 군 관리 장치(상위 장치)(500)를 출력처로서 기억부(280c)가 보존하는 위치 정보를 송수신부(283)으로 송신하도록 구성된다.
또한 기억부(280c)가 위치 정보 파일에 의해 보존을 수행하고, 그 위치 정보 파일에 복수의 설정 정보가 포함된 경우에 정보 제어부(280h)는 군 관리 장치(500)에 송신하는 정보를 선택 가능하도록 해도 좋다. 예컨대 정보 제어부(280h)는 위치 정보 파일의 송신 설정의 화면에 체크박스를 표시하고, 그 체크박스를 이용하여 위치 정보에 추가해서 군 관리 장치(500)에 송신하는 임의 설정 정보를 선택할 수 있도록 해도 좋다.
(제4 공정: S308)
다음으로 제4 공정(S308)에 대해서 설명한다. 제4 공정(S308)은 군 관리 장치(500) 측에서 수행되는 공정이며, 각 기판 처리 장치(100)로부터 송신된 위치 정보에 기초하여 후술하는 맵 정보를 생성하는 공정이다. 맵 정보를 생성하므로 제4 공정(S308)은 「맵 정보 생성 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제4 공정(S308)은 각 기판 처리 장치(100)로부터 위치 정보를 수신한 시점에서 수행된다.
제4 공정(S308)에서 생성하는 맵 정보는 CR(400) 내에서의 각 기판 처리 장치(100)의 배치를 시각적으로 인식할 수 있도록 도시한 정보이며, CR(400) 내의 장치 배치에 관한 맵(지도)에 상당하는 정보다. 이러한 맵 정보에 의하면 각 기판 처리 장치(100)가 CR(400) 내 어디에 있는지, 어느 기판 처리 장치(100)의 주위에 어느 기판 처리 장치(100)가 배치되어 있는지 등을 용이하게 파악할 수 있고, 또한 CR(400) 내에서의 동선의 판별이 용이해진다. 또한 맵 정보는 각 기판 처리 장치(100) 사이즈 정보에 따라 상기 기판 처리 장치(100)의 점유율을 표시하는 것이어도 좋다. 또한 맵 정보는 각 기판 처리 장치(100)의 점유 정보가 중복된 경우에 오류 표시를 하는 것이어도 좋다.
맵 정보의 생성은 군 관리 장치(500)의 CPU(510)에 의해 실현되는 맵 정보 생성부(512)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 맵 정보 생성부(512)가 맵 정보의 생성을 수행한다. 구체적으로는 맵 정보 생성부(512)는 소정의 맵 포맷 데이터에 기초하여 그 맵 포맷 데이터에 각 기판 처리 장치(100)로부터 수신한 위치 정보의 내용을 적용시키는 것에 의해 맵 정보의 생성을 수행하면 좋다. 맵 포맷 데이터의 형식 등은 특히 한정되지 않는다. 또한 맵 포맷 데이터는 미리 군 관리 장치(500)의 기억부(530)가 보지하는 것이어도 좋고, 군 관리 장치(500)가 네트워크 등을 통해서 접속 가능한 외부 장치(서버 장치) 등으로부터 취득한 것이어도 좋다.
(제5 공정: S310)
다음으로 제5 공정(S310)에 대해서 설명한다. 제5 공정(S310)은 군 관리 장치(500) 측에서 수행되는 공정이며, 맵 정보 생성부(512)가 생성한 맵 정보를 각 기판 처리 장치(100)의 각각에 대하여 송신하는 공정이다. 맵 정보를 송신하므로 제5 공정(S310)은 「맵 정보 송신 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제5 공정(S310)은 맵 정보 생성부(512)에 의한 맵 정보의 생성이 종료된 시점에서 수행된다.
맵 정보의 송신은 군 관리 장치(500)의 CPU(510)에 의해 실현되는 맵 정보 관리부(513)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 맵 정보 관리부(513)가 맵 정보의 송신을 수행한다. 또한 맵 정보 관리부(513)는 후술하는 바와 같이 송신처의 기억부(280c)에 맵 정보를 보존하는 것과 함께 그 맵 정보를 송신처의 입출력 장치(281)에서의 표시부(281a)에 표시시키기 위해서 맵 정보의 송신을 수행한다.
(제6 공정: S312)
다음으로 제6 공정(S312)에 대해서 설명한다. 제6 공정(S312)은 각 기판 처리 장치(100) 측에서 수행되는 공정이며, 군 관리 장치(500)로부터 맵 정보를 수신하면 그 맵 정보를 기억부(280c)에 보존하는 것과 함께 그 맵 정보를 입출력 장치(281)에서의 표시부(281a)에 표시하는 공정이다. 맵 정보의 표시를 수행하므로 제6 공정(S312)은 「맵 정보 표시 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다. 이러한 제6 공정(S312)은 군 관리 장치(500)로부터 맵 정보를 수신할 때마다 수행된다.
수신한 맵 정보의 기억부(280c)로의 보존 및 표시부(281a)에서의 표시는 정보 제어부(280h)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 정보 제어부(280h)는 군 관리 장치(500)로부터 수신한 맵 정보를 기억부(280c)에 보존하는 것과 함께 표시부(281a)에 표시한다.
이때 맵 정보를 표시하는 표시부(281a)를 구비하는 입출력 장치(281)는 태블릿 단말 등의 이동 단말에 의해 구성된다. 따라서 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자는 입출력 장치(281)를 컨트롤러(280)로부터 제거한 상태에서 휴대하여 이동하는 것에 의해 상기 기판 처리 장치(100)로부터 이간된 장소에 있어도, 상기 기판 처리 장치(100)의 주위 상황 파악이나 동선 판별 등을 용이하게 수행할 수 있다.
(제7 공정: S314, S316)
다음으로 제7 공정(S314, S316)에 대해서 설명한다. 제7 공정(S314, S316)은 각 기판 처리 장치(100) 측에서 수행되는 공정이며, 군 관리 장치(500)로부터 맵 정보를 수신할 때마다 수행되는 공정이다.
제7 공정에서는 우선 군 관리 장치(500)로부터 수신한 맵 정보와, 이미 기억부(280c)에서 보존하는 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는지의 여부, 즉 신구(新舊)의 맵 정보 사이에 정보 수정이 있는지의 여부를 판별한다(S314). 그리고 정보 수정이 있는 경우에는 CR(400) 내에서의 각 기판 처리 장치(100)의 설치 상황으로 변경이 발생했으므로 그 취지의 메시지 정보를 출력한다(S316). 메시지 정보를 출력하므로 제7 공정(S314, S316)은 「메시지 출력 공정」이라고도 바꿔 말할 수 있다.
맵 정보의 비교, 정보 수정 유무의 판별 및 메시지 정보의 출력은 정보 제어부(280h)로서의 기능을 이용하여 수행한다. 즉 정보 제어부(280h)는 군 관리 장치(500)로부터 맵 정보를 수신하면 이를 보존 완료된 맵 정보와 비교하여 정보 수정의 유무의 판별하고, 정보 수정이 있는 경우에 그 취지의 메시지 정보의 출력을 수행한다.
정보 제어부(280h)가 출력하는 메시지 정보는 미리 설정된 포맷에 의한 것이라면 좋다. 단, 기판 처리 장치(100)의 설치 상황에 변경이 발생하고 있다는 취지를 보고할 수 있는 것이라면 그 포맷 등이 특히 한정되지 않는다.
메시지 정보의 출력처는 입출력 장치(281)에서의 표시부(281a) 또는 군 관리 장치(500)의 적어도 일방, 바람직하게는 양방으로 하는 것이 생각된다. 이에 의해 적어도 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자 중 어느 하나에 대하여 기판 처리 장치(100)의 설치 상황에 변경이 발생하고 있다는 취지를 보고할 수 있다.
즉 이와 같은 메시지 정보의 출력에 의해 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자 중 어느 하나에 대하여 기판 처리 장치(100)의 설치 상황의 변경에 따라 각 기판 처리 장치(100)의 설정 확인을 촉구하는 메시지를 보고할 수 있다. 구체적으로는 예컨대 일정 기판 처리 장치(100) 인근의 구획의 기판 처리 장치(100)가 철거된 경우를 생각한다. 그 경우에는 상기 일정 기판 처리 장치(100)의 배기 특성이 향상되고, 지금까지에 수행한 기판 처리 공정에서의 처리 특성에 영향을 미칠 가능성이 발생한다. 그런데 기판 처리 장치(100)의 설치 상황의 변경에 따라 메시지 정보를 출력하면 이에 의해 상기 일정 기판 처리 장치(100)의 설정 확인을 관리자 등에게 촉구할 수 있으므로, 설정 확인 작업을 수행하도록 하는 것에 의해 기판 처리 공정에서의 처리 특성에 대한 영향을 미연에 배제할 수 있다.
본 실시 형태에서는 전술한 제1 공정(S302) 내지 제7 공정(S314, S316)의 각 공정을 수행하는 것에 의해 CR(400) 내에 설치된 각 기판 처리 장치(100)의 관리를 수행한다. 그리고 각 공정 중 특히 제2 공정(S304) 및 제3 공정(S306)에 대해서는 소정의 타이밍마다(예컨대 1분마다, 5분마다, 10분마다 등) 정기적으로 반복한다. 즉 CR(400) 내에 설치된 각 기판 처리 장치(100)의 위치 정보는 소정의 타이밍으로 항상적으로 감시된다. 따라서 예컨대 각 기판 처리 장치(100)의 설치 상황의 변경이 어느 타이밍으로 수행되는지와 상관없이, 그 변경이 기판 처리 장치(100)에 의한 기판 처리 공정의 처리 특성에 영향을 미치는 것을 미연에 배제할 수 있다.
(8) 본 실시 형태의 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 본 실시 형태에서는 각 기판 처리 장치(100)에서 위치 정보 취득부(280g)가 위치 정보의 취득을 수행하는 것과 함께 취득한 위치 정보를 정보 제어부(280h)가 기억부(280c)에 보존한다. 즉 위치 정보를 기판 처리 장치(100) 자체가 가지도록 이루어진다. 따라서 CR(400) 내에 복수의 기판 처리 장치(100)가 설치되는 경우에 각 기판 처리 장치(100)의 설치 상황으로 변경[예컨대 새로운 기판 처리 장치(100)의 설치, 기판 처리 장치(100)의 위치 이동, 기판 처리 장치(100)의 철거 등]이 발생해도 그 변경에 신속하게 또한 적절하게 대응하는 것이 가능해진다.
(b) 본 실시 형태에서는 각 기판 처리 장치(100)에서 상위 장치인 군 관리 장치(500)로부터 위치 정보의 송신 요구 정보를 수신하면, 정보 제어부(280h)가 기억부(280c)로부터 위치 정보를 판독하여 요구원(元)의 군 관리 장치(500)에 출력(송신)한다. 즉 각 기판 처리 장치(100)에 송신 요구 정보를 송신하는 것에 의해 각 기판 처리 장치(100)의 위치 정보를 군 관리 장치(500)에 집약시킨다. 따라서 위치 정보를 각 기판 처리 장치(100)에 갖게 하는 경우에도 각 기판 처리 장치(100)의 위치 정보를 적절하게 관리하는 것이 가능해진다. 구체적으로는 각 기판 처리 장치(100)의 배치를 시각적으로 인식 가능하도록 하는 맵 정보를 작성하는 데 매우 바람직한 것이 된다.
특히, 본 실시 형태에서 설명한 바와 같이 송신 요구 정보의 송신 및 위치 정보의 집약(구체적으로는 제2 공정 및 제3 공정)을 소정의 타이밍마다 정기적으로 반복하면, 각 기판 처리 장치(100)의 위치 정보는 소정의 타이밍으로 항상적으로 감시된다. 따라서 예컨대 각 기판 처리 장치(100)의 설치 상황의 변경이 어느 타이밍에 수행되는지와 상관없이, 그 변경이 기판 처리 장치(100)에 의한 기판 처리 공정의 처리 특성에 영향을 미치는 것을 미연에 배제할 수 있는 것과 같이 각 기판 처리 장치(100)에 관한 관리를 적절하게 수행할 수 있다.
(c)본 실시 형태에서는 각 기판 처리 장치(100)에서 상위 장치인 군 관리 장치(500)에서 생성된 맵 정보를 수신하면, 그 맵 정보를 입출력 장치(281)에서의 표시부(281a)에 표시시킨다. 따라서 표시부(281a)에서 표시되는 맵 정보를 참조하는 것에 의해 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자는 상기 기판 처리 장치(100)가 CR(400) 내의 어디에 있는지, 상기 기판 처리 장치(100)의 주위에 어떤 기판 처리 장치(100)가 배치되는지 등을 용이하게 파악할 수 있고, 또한 CR(400) 내에서의 동선의 판별이 용이해진다. 즉 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자에게 뛰어난 편리성을 가진 것이 된다.
(d) 본 실시 형태에서는 맵 정보를 표시하는 표시부(281a)를 구비하는 입출력 장치(281)가 태블릿 단말 등의 이동 단말에 의해 구성된다. 따라서 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자는 입출력 장치(281)를 컨트롤러(280)로부터 제거한 상태에서 휴대하여서 이동하는 것에 의해 상기 기판 처리 장치(100)로부터 이간된 장소에 있어도 상기 기판 처리 장치(100)의 주위 상황 파악이나 동선 판별 등을 용이하게 수행할 수 있다. 즉 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자에게는 보다 편리성이 뛰어난 것이 된다.
(e) 본 실시 형태에서는 각 기판 처리 장치(100)에서 상위 장치인 군 관리 장치(500)로부터 맵 정보를 수신하면 정보 제어부(280h)가 수신한 맵 정보와 이미 기억부(280c)에서 보존하는 맵 정보를 비교하여, 각각 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 메시지 정보를 입출력 장치(281)에서의 표시부(281a) 또는 군 관리 장치(500)의 적어도 일방에 출력한다. 이와 같은 메시지 정보의 출력에 의해 기판 처리 장치(100)의 관리자, 조작자 또는 보수 작업자 중 어느 하나에 대하여, 기판 처리 장치(100)의 설치 상황 변경에 따라 각 기판 처리 장치(100)의 설정 확인을 촉구하는 메시지를 보지(報知)할 수 있다. 즉 기판 처리 장치(100)의 설치 상황 변경에 따라 메시지 정보를 출력하는 것에 의해 각 기판 처리 장치(100)의 설정 확인을 관리자 등에게 촉구할 수 있으므로, 설치 상황의 변경이 각 기판 처리 장치(100)에서의 기판 처리 공정의 처리 특성에 영향을 미치는 것을 미연에 배제할 수 있다.
<다른 실시 형태>
이상으로 본 개시의 일 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 개시는 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
예컨대 전술한 실시 형태에서는 기판 처리 공정의 일 공정인 성막 공정에서 제1 처리 가스(제1 원소 함유 가스)로서 HCD 가스를 이용하고, 제2 처리 가스(제2 원소 함유 가스)로서 O2 가스를 이용하고, 이들을 교호적으로 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W) 상에 SiO막을 형성하는 경우를 예로 들었지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 즉 성막 처리에 이용하는 처리 가스는 HCD 가스나 O2 가스 등에 한정되지 않고, 다른 종류의 가스를 이용하여 다른 종류의 박막을 형성해도 상관없다. 또한 3종류 이상의 처리 가스를 이용하는 경우에도 이들을 교호적으로 공급하여 성막 처리를 수행하는 것이라면 본 개시를 적용하는 것이 가능하다. 구체적으로는 제1 원소로서는 Si가 아니라 예컨대 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등 다양한 원소이어도 좋다. 또한 제2 원소로서는 O가 아니고, 예컨대 질소(N) 등이어도 좋다.
또한 예컨대 전술한 각 실시 형태에서는 기판 처리 장치가 수행하는 처리로서 성막 처리를 예로 들었지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 즉 본 개시는 각 실시 형태에서 예로 든 성막 처리 외에 각 실시 형태에서 예시한 박막 이외의 성막 처리에도 적용할 수 있다. 또한 기판 처리의 구체적인 내용은 불문이며, 성막 처리뿐만 아니라 어닐링 처리, 확산 처리, 산화 처리, 질화 처리, 리소그래피 처리 등의 다른 기판 처리를 수행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한 본 개시는 다른 기판 처리 장치, 예컨대 어닐링 처리 장치, 에칭 장치, 산화 처리 장치, 질화 처리 장치, 노광 장치, 도포 장치, 건조 장치, 가열 장치, 플라즈마를 이용한 처리 장치등의 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한 본 개시는 이들의 장치가 혼재해도 좋다. 또한 어떤 실시 형태의 구성의 일부를 다른 실시 형태의 구성으로 치환하는 것이 가능하며, 또한 어떤 실시 형태의 구성에 다른 실시 형태의 구성을 추가하는 것도 가능하다. 또한 각 실시 형태의 구성의 일부에 대하여 다른 구성의 추가, 삭제, 치환을 하는 것도 가능하다.
또한 예컨대 전술한 실시 형태에서는 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 웨이퍼에 대한 처리를 수행하는 경우를 예로 들었지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 즉 처리 대상이 되는 기판은 웨이퍼에 한정되지 않고 포토마스크, 프린트 배선 기판, 액정 패널, 자기 디스크, 광 디스크 등이어도 좋다.
<본 개시의 바람직한 형태>
이하에 본 개시의 바람직한 형태에 대해서 부기(附記)한다.
[부기 1]
본 개시의 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부;
상기 위치 정보를 보존하는 기억부; 및
상기 위치 정보 취득부가 취득한 상기 위치 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 정보 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 2]
바람직하게는,
상위 장치 사이에서 정보를 송수신하는 송수신부를 포함하고,
상기 정보 제어부는 상기 송수신부가 상기 상위 장치로부터 상기 위치 정보의 송신 요구 정보를 수신하면, 상기 상위 장치를 출력처로서 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 상기 송수신부에 송신하도록 구성되는 부기 1에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 3]
바람직하게는,
정보의 표시 출력을 수행하는 표시부를 포함하고,
상기 정보 제어부는 상기 상위 장치에 송신한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 상기 상위 장치로부터 수신하면, 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 상기 맵 정보를 상기 표시부에 표시하도록 구성되는 부기 2에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 4]
바람직하게는,
상기 표시부는 이동 단말에 의해 구성되는 부기 3에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 5]
바람직하게는,
상기 정보 제어부는 상기 상위 장치로부터 수신한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각d,; 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 상기 표시부 또는 상기 상위 장치 중 적어도 일방에 출력하도록 구성되는 부기 3 또는 부기 4에 기재된 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 6]
본 개시의 다른 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치 사이에 정보를 송수신하는 송수신부;
상기 처리실의 위치 정보를 상기 송수신부가 상기 기판 처리 장치로부터 수신하면 상기 위치 정보에 기초하여 맵 정보를 생성하는 맵 정보 생성부; 및
상기 맵 정보 생성부가 생성한 상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치에 송신하고, 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 맵 정보 관리부;
를 포함하는 상위 장치가 제공된다.
[부기 7]
본 개시의 또 다른 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치 사이에 정보의 송수신을 수행하도록 구성된 상위 장치를 구비하고,
상기 기판 처리 장치는
상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부;
상기 위치 정보를 보존하는 기억부;
상기 위치 정보 취득부가 취득한 상기 위치 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 상기 상위 장치로부터의 상기 위치 정보의 송신 요구 정보에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 상기 상위 장치에 송신하는 정보 제어부; 및
상기 기억부에 보존된 정보를 표시하는 표시부;
를 포함하고,
상기 상위 장치는,
상기 처리실의 위치 정보를 상기 기판 처리 장치로부터 수신하면 상기 위치 정보에 기초하여 맵 정보를 생성하는 맵 정보 생성부; 및
상기 맵 정보 생성부가 생성한 상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치에 송신하여 상기 기판 처리 장치가 포함하는 상기 표시부에 표시하는 맵 관리부;
를 포함하는 기판 처리 시스템이 제공된다.
[부기 8]
본 개시의 또 다른 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 상기 위치 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 기억부에 보존하는 제1 공정;
상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보의 송신을 요구하는 제2 공정;
요구에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 송신하는 제3 공정;
송신된 상기 위치 정보에 기초하여 맵 정보를 생성하는 제4 공정;
생성한 상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치에 송신하여 상기 기억부에 보존하는 제5 공정; 및
상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 제6 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
[부기 9]
바람직하게는,
상기 기판 처리 장치에 송신된 상기 맵 정보와 상기 기판 처리 장치의 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 출력하는 제7 공정을 포함하는 부기 8에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
[부기 10]
본 개시의 또 다른 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 상기 위치 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 기억부에 보존하는 순서;
필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 순서;
상기 기억부로부터 출력한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 수취하고, 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 순서; 및
상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 순서;
를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 제공된다.
[부기 11]
바람직하게는,
수취한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 출력하는 순서를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 부기 10에 기재된 프로그램이 제공된다.
[부기 12]
본 개시의 또 다른 일 형태에 따르면,
기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 상기 위치 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 기억부에 보존하는 순서;
필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 순서;
상기 기억부로부터 출력한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 수취하고, 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 순서; 및
상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 순서;
를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 격납된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
[부기 13]
바람직하게는,
수취한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 출력하는 순서를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 부기 12에 기재된 프로그램이 격납된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
100: 기판 처리 장치 110: IO 스테이지
120: 대기 반송실 130: 로드록 실
140: 진공 반송실 200, 200a 내지 200d: 리액터(RC)
200: 웨이퍼(기판) 202: 용기
205: 처리 공간 212: 기판 재치대
230: 샤워 헤드 242: 공통 가스 공급관
243: 제1 가스 공급계 244: 제2 가스 공급계
245: 제3 가스 공급계 261 내지 264: 배기관
280: 컨트롤러 280a: CPU
280c: 기억부 280g: 위치 정보 취득부
280h: 정보 제어부 281: 입출력 장치(이동 단말)
281a: 표시부 283: 송수신부
400: 클린 룸(CR) 500: 군 관리 장치(상위 장치)
510: CPU 511: 위치 정보요구부
512: 맵 정보 생성부 513: 맵 정보 관리부
520: 기억부 550: 송수신부
W: 웨이퍼

Claims (16)

  1. 기판을 처리하는 처리실;
    상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부;
    상기 위치 정보를 보존하는 기억부; 및
    상기 위치 정보 취득부가 취득한 상기 위치 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 정보 제어부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상위 장치 사이에 정보를 송수신하는 송수신부를 포함하고,
    상기 정보 제어부는 상기 송수신부가 상기 상위 장치로부터 상기 위치 정보의 송신 요구 정보를 수신하면 상기 상위 장치를 출력처로서 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 상기 송수신부에 송신하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    정보의 표시 출력을 수행하는 표시부를 포함하고,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치에 송신한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 상기 상위 장치로부터 수신하면 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 상기 맵 정보를 상기 표시부에 표시하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표시부는 이동 단말에 의해 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치로부터 수신한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 상기 표시부 또는 상기 상위 장치 중 적어도 일방(一方)에 출력하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치로부터 수신한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 상기 표시부 또는 상기 상위 장치 중 적어도 일방에 출력하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치 사이에 정보의 송수신을 수행하도록 구성된 상위 장치를 구비하고,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 위치 정보 취득부;
    상기 위치 정보를 보존하는 기억부;
    상기 위치 정보 취득부가 취득한 상기 위치 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 상기 상위 장치로부터의 상기 위치 정보의 송신 요구 정보에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 상기 상위 장치에 송신하는 정보 제어부; 및
    정보의 표시 출력을 수행하는 표시부;
    를 포함하고,
    상기 상위 장치는,
    상기 처리실의 위치 정보를 상기 기판 처리 장치로부터 수신하면 상기 위치 정보에 기초하여 맵 정보를 생성하는 맵 정보 생성부; 및
    상기 맵 정보 생성부가 생성한 상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치에 송신하고, 상기 기판 처리 장치가 포함하는 상기 표시부에 표시하는 맵 관리부;
    를 포함하는 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상위 장치 사이에 정보를 송수신하는 송수신부를 포함하고,
    상기 정보 제어부는 상기 송수신부가 상기 상위 장치로부터 상기 위치 정보의 송신 요구 정보를 수신하면, 상기 상위 장치를 출력처로서 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 상기 송수신부에 송신하도록 구성되는 기판 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    정보의 표시 출력을 수행하는 표시부를 포함하고,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치에 송신한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 상기 상위 장치로부터 수신하면 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 것과 함께 상기 맵 정보를 상기 표시부에 표시하도록 구성되는 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 표시부는 이동 단말에 의해 구성되는 기판 처리 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치로부터 수신한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 상기 표시부 또는 상기 상위 장치 중 적어도 일방에 출력하도록 구성되는 기판 처리 시스템.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 정보 제어부는 상기 상위 장치로부터 수신한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 상기 표시부 또는 상기 상위 장치 중 적어도 일방에 출력하도록 구성되는 기판 처리 시스템.
  13. 기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 상기 위치 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 기억부에 보존하는 제1 공정;
    상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보의 송신을 요구하는 제2 공정;
    요구에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 송신하는 제3 공정;
    송신된 상기 위치 정보에 기초하여 맵 정보를 생성하는 제4 공정;
    생성한 상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치에 송신하여 상기 기억부에 보존하는 제5 공정; 및
    상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 제6 공정;
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치에 송신된 상기 맵 정보와 상기 기판 처리 장치의 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 출력하는 제7 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 기판을 처리하는 처리실을 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 상기 처리실의 위치 정보를 취득하는 것과 함께, 취득한 상기 위치 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 기억부에 보존하는 순서;
    필요에 따라 상기 기억부가 보존하는 상기 위치 정보를 출력하는 순서;
    상기 기억부로부터 출력한 상기 위치 정보에 기초하여 생성된 맵 정보를 수취하고, 상기 맵 정보를 상기 기억부에 보존하는 순서; 및
    상기 맵 정보를 상기 기판 처리 장치가 포함하는 표시부에 표시하는 순서;
    를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 격납된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  16. 제15항에 있어서,
    수취한 상기 맵 정보와 상기 기억부에서 보존하는 상기 맵 정보를 비교하여, 각각의 사이에 차이가 있는 경우에 그 취지의 정보를 출력하는 순서를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 격납된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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