CN110277330B - 基板处理装置及系统、半导体装置的制作方法、记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。本发明的课题是用于对基板处理装置实现高效的管理的技术。具备：处理室，其对基板进行处理；位置信息取得部，其取得处理室的位置信息；存储部，其保存位置信息；信息控制部，其将位置信息取得部取得的位置信息保存在存储部中，并且根据需要输出存储部所保存的位置信息。

Description

基板处理装置及系统、半导体装置的制作方法、记录介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置的一个实施例，例如有具备具有反应器的模块的装置(例如参照专利文献1)。在这样的基板处理装置中，将装置运转信息等显示在由显示器等构成的输入输出装置上，以便装置管理者能够进行确认。另外，在制造半导体装置的洁净室内设置多个基板处理装置，经由网络管理各基板处理装置(例如参照专利文献2、3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-103356号公报
专利文献2：日本特开2008-21835号公报
专利文献3：日本特开2015-115540号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供用于对基板处理装置实现高效的管理的技术。
用于解决问题的方案
根据一个实施例，提供一种技术，其具备：处理室，其对基板进行处理；；位置信息取得部，其取得上述处理室的位置信息；存储部，其保存上述位置信息；信息控制部，其将上述位置信息取得部取得的上述位置信息保存在上述存储部中，并且输出上述存储部所保存的上述位置信息。
发明效果
根据本发明的技术，能够对基板处理装置进行高效的管理。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的一个实施方式的基板处理系统的概要结构例子的图像图。
图2是示意性地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构例子的横截面图。
图3是示意性地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构例子的纵截面图，是表示图2中的α-α’截面的图。
图4是示意性地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所具备的反应器(reactor，处理室)的结构例子的说明图。
图5是示意性地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所具备的控制器的结构例子的框图。
图6是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所进行的基板处理工序的概要的流程图。
图7是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所进行的成膜工序的基本步骤的流程图。
图8是示意性地表示本发明的一个实施方式的群管理装置的结构例子的框图。
图9是表示本发明的一个实施方式的基板处理系统所进行的管理方法的一个具体例子的步骤的流程图。
具体实施方式
<发明的一个实施方式>
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。
(1)基板处理装置的管理状况
首先，说明在半导体装置的制造工序中所使用的基板处理装置的管理相关的状况。近年来，在半导体装置的制造工序中，存在以下这样的状况。
第一状况是要求提高生产效率这一点。为了提高半导体装置的生产效率，有效的是例如增加在洁净室(clean room)内运转的基板处理装置的台数。另一方面，对于各基板处理装置，为了缩短停机时间(downtime)，要求缩短维护时间。因此，在增加基板处理装置的台数的情况下，为了提高生产效率，必须针对洁净室内的各基板处理装置的每一个，能够迅速且准确地掌握运转状况。
第二状况是近年来的半导体装置要求电路的高集成化、精细化等这一点。为了通过多个工序制造这些电路，而准备与各个工序对应的基板处理装置。其中，对于与连续的工序对应的基板处理装置，大多都配置在同一洁净室内。即，为了电路的高集成化、精细化等，对于与多个工序对应的各个基板处理装置，也要求考虑到洁净室内的设置位置。
第三状况是逐年新开发了许多膜、电路等，半导体装置的制造工厂必须对其进行应对。例如，有可能会将在某工序中使用的基板处理装置更换为与新的电路对应的具有高性能的基板处理装置，或者置换为能够形成完全不同的膜的基板处理装置。如果反复进行基板处理装置的更换或置换，则即使是与连续的工序对应的基板处理装置，很多也难以接近地配置。因此，对于洁净室内的各基板处理装置，在设想了用于应对新的电路等的更换或置换的基础上，要能够适当地对它们进行管理。
在本实施方式中，说明能够应对以上状况的至少一个的技术。
(2)基板处理系统的概要
接着，说明本实施方式的基板处理系统。
图1是示意性地表示本实施方式的基板处理系统的概要结构例子的图像图。
图1所示的基板处理系统构成为具备设置在洁净室(以下称为“CR”)400内的多个基板处理装置100、作为管理各基板处理装置100的上位装置的群管理装置500。
关于CR400，在地面(floor)401上配置有主通道403、维护区404、以及侧通道405，通过这些将地面401划分为多个区域。
在地面401上的各区域中，设置基板处理装置100。基板处理装置100对制作半导体集成电路装置(半导体装置)的半导体晶圆基板(以下简称为“晶圆(wafer)”)进行预定的处理，原则上，在一个区域设置一台。但是，也可以根据基板处理装置100的机型(处理内容的种类)而跨越多个区域地设置一台。即，在CR400内，也可以存在多种基板处理装置100。这些基板处理装置100对应于用于半导体装置的制造的多个工序的每一个。另外，对于这些基板处理装置100，可以考虑构成为能够根据需要进行更换或置换。
群管理装置500由作为各基板处理装置100的上位装置而发挥功能的计算机构成，能够经由未图示的无线或有线的网络在与各基板处理装置100之间进行信息的收发。
以下，进一步详细说明构成这样的基板处理系统的基板处理装置100和群管理装置500。
(3)基板处理装置的结构
首先，说明基板处理装置100的结构例子。
图2是示意性地表示本实施方式的基板处理装置的结构例子的横截面图。
图3是表示图2中的α-α’截面的纵截面图。
如图2和图3所示，本实施方式的基板处理装置100对作为基板的晶圆(wafer)W进行处理，主要由IO台(IO stage)110、大气搬运室120、装载锁定(load lock)室130、真空搬运室140、反应器(CR)200构成。此外，基板处理装置100被配置在CR400内，使得IO台110处于主通道403侧。
(大气搬运室、IO台)
在基板处理装置100的前面，设置有IO台(装载端口，load port)110。在IO台110上，搭载有多个坩埚(pod)111。坩埚111被用作搬运硅(Si)基板等晶圆W的载体。
IO台111与大气搬运室120相邻。大气搬运室120在与IO台111不同的面连接有后述的装载锁定室130。在大气搬运室120内，设置有转移晶圆W的大气搬运机器人122。
在大气搬运室120的框体127的前侧，设置有用于向大气搬运室120搬进搬出晶圆W的基板搬进搬出口128、坩埚起子(pod opener)121。在大气搬运室120的框体127的后侧，设置有用于向装载锁定室130搬进搬出晶圆W的基板搬进搬出口129。基板搬进搬出口129通过闸阀(gate valve)133打开/关闭，由此能够进行晶圆W的出入。
(装载锁定室)
装载锁定室130与大气搬运室120相邻。在构成装载锁定室130的框体131所具有的面中与大气搬运室120不同的面，配置后述的真空搬运室140。
在装载锁定室130内，设置有具有至少2个载置晶圆W的载置面135的基板载置台136。根据与后述的机器人170的机器臂所具有的末端执行器之间的距离，设定与基板载置面135之间的距离。
(真空搬运室)
基板处理装置100具备成为在负压下搬运晶圆W的搬运空间的作为搬运室的真空搬运室(转移模块)140。构成真空搬运室140的框体141在平面视图中形成为五角形，在五角形的各边连接有装载锁定室130和作为处理晶圆W的处理室的反应器200(200a～200d)。以下，也将反应器称为“RC”。
在构成真空搬运室140的框体141的侧壁中与各RC200相对的壁上，设置基板搬进搬出口148。例如，如图3记载的那样，在与RC200c相对的壁上，设置基板搬进搬出口148c。并且，对每个RC200设置闸阀149。例如，对RC200c设置闸阀149c。此外，RC200a、RC200b、RC200d也具有与RC200c同样的结构，因此在此省略说明。
在真空搬运室140的大致中央部，作为在负压下转移(搬运)晶圆W的搬运部的搬运机器人170以法兰盘(flange)144作为基部而设置。机器人170具备2个机器臂180。机器臂180具备载置晶圆W的末端执行器。机器臂180经由臂轴(省略图示)与法兰盘144连接。即，具备2个机器臂180的机器人170构成为能够通过升降机145和法兰盘144，维持真空搬运室140的气密性的同时进行升降。此外，在图3中，为了说明的方便，表示出机器臂180的末端执行器，省略了与法兰盘144连接的机器人轴等构造。
升降机145控制机器臂180的升降、旋转。由此，机器臂180能够以臂轴为中心旋转和延伸。通过机器臂180进行旋转、延伸，机器人170将晶圆W搬运到RC200(RC200a～RC200d)内，或者从RC200(RC200a～RC200d)运出晶圆W。
(反应器)
在真空搬运室140的外周，连接作为处理晶圆W的处理室的RC200a～RC200d。
图4是示意性地表示本实施方式的基板处理装置所具备的反应器的结构例子的说明图。
此外，RC200a～RC200d具有同样的结构，因此在以下的说明中，将它们统称为RC200。
(容器)
如图4所示，RC200具备容器202。容器202例如构成为横截面为圆形的扁平的密闭容器。另外，容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在容器202内，形成有处理晶圆W的处理空间205、在将晶圆W搬运到处理空间205时晶圆W通过的搬运空间206。容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a和下部容器202b之间设置隔板208。
在下部容器202b的侧面，设置有与闸阀149相邻的基板搬进搬出口148，经由该基板搬进搬出口148晶圆W在与真空搬运室140之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个升降销(lift pin)207。并且，下部容器202b接地。
在处理空间205中，配置支持晶圆W的基板支持部210。基板支持部210主要具备载置晶圆W的基板载置面211、将基板载置面211保持在表面的基板载置台212、设置在基板载置台212内的作为加热源的加热器213。在基板载置台212上，在与升降销207对应的位置分别设置有升降销207贯通的贯通孔214。
基板载置台212被轴217支持。轴217贯通容器202的底部，并且在容器202的外部与升降部218连接。
升降部218主要具备支持轴217的支持轴218a、使支持轴218a升降或旋转的工作部218b。工作部218b具备例如具有用于实现升降的升降机的升降机构218c、用于使支持轴218a旋转的齿轮等旋转机构218d。
在升降部218中，也可以设置用于向工作部218b指示升降/旋转的指示部218e作为升降部218的一部分。指示部218e与后述的控制器280电连接。指示部218e根据控制器280的指示，控制工作部218b。
通过使升降部218工作而使轴217和支持台212升降，基板载置台212能够使载置于载置面211上的晶圆W升降。此外，轴217的下端部的周围被波纹管(bellows)219覆盖，由此，将处理空间205内保持为气密。
基板载置台212在搬运晶圆W时，基板载置面211下降到与基板搬进搬出口148相对的位置。另外，在处理晶圆W时，如图4所示，上升到晶圆W成为处理空间205内的处理位置为止。
在处理空间205的上部(上游侧)，设置有作为气体分散机构的喷头(shower head)230。在喷头230的盖231上设置贯通孔231a。贯通孔231a与后述的公共气体供给管242连通。
喷头230具备作为用于使气体分散的分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧是缓冲空间232，下游侧是处理空间205。在分散板234上设置有多个贯通孔234a。分散板234被配置得与基板载置面211相对。分散板234例如构成为圆盘状。贯通孔234a设置在分散板234的整个面上。
喷头230的支持模块233被固定载置在上部容器202a所具备的法兰盘上。另外，分散板234被固定载置在支持模块233所具备的法兰盘233a上。并且，盖231被固定在支持模块233的上表面。通过这样的构造，能够从上方顺序地取出盖231、分散板234、支持模块233。
(供给部)
在喷头230的盖231上，连接有公共气体供给管242，以便与设置在该盖231上的气体导入孔231a连通。
公共气体供给管242与第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、第三气体供给管245a。第二气体供给管244a如后面详细说明的那样，经由作为激励气体使其成为等离子体状态的等离子体生成部的远程等离子体单元(RPU)244e与公共气体供给管242连接。
(第一气体供给系统)
在第一气体供给管243a上，从上游方向开始顺序地设置有第一气体源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243c、以及作为开闭阀的阀243d。另外，从第一气体供给管243a经由MFC243c、阀243d、公共气体供给管242向喷头230供给第一处理气体。
第一处理气体是含有第一元素的原料气体。在此，第一元素例如是硅(Si)。即，含有第一元素的气体例如是含有硅的气体。具体地说，作为含有硅的气体，使用六氯乙硅烷(Si2Cl6。也称为HCD)气体。
主要由第一气体供给管243a、MFC243c、阀243d构成第一气体供给系统(以下也称为“含硅气体供给系统”)243。此外，也可以考虑在第一气体供给系统243中包含第一气体供给源243b、公共气体供给管242。
(第二气体供给系统)
在第二气体供给管244a上，从上游方向开始顺序地设置有第二气体源244b、MFC244c、以及阀244d。另外，从第二气体供给管244a经由MFC244c、阀244d、公共气体供给管242向喷头230供给第二处理气体。
第二处理气体是含有与第一元素不同的第二元素的气体。在此，第二元素是氧(O)、氮(N)、碳(C)的任意一个。在本实施方式中，假设含有第二元素的气体例如是含有氧的气体。具体地说，作为含有氧的气体，使用氧(O2)气。此外，对于作为含有第二元素的气体的第二处理气体，可以认为是反应气体或改质气体。
在通过等离子体状态的第二处理气体处理晶圆W的情况下，也可以将远程等离子体单元244e设置在第二气体供给管244a上。
远程等离子体单元244e与布线251连接。在布线251的上游侧设置电源253，在远程等离子体单元244e和电源253之间设置频率整合器252。从电源253供给电力并且通过频率整合器252调整匹配用参数，通过远程等离子体单元244e生成等离子体。此外，在本实施方式中，将远程等离子体单元244e、布线251、频率整合器252统称为等离子体生成部。也可以向等离子体生成部追加电源253。
主要由第二气体供给管244a、MFC244c、阀244d构成第二气体供给系统(以下也称为“含氧气体供给系统”)。此外，也可以考虑在第二气体供给系统244中包含第二气体供给源244b、公共气体供给管242。
(第三气体供给系统)
在第三气体供给管245a上，从上游方向开始顺序地设置有第三气体源245b、MFC245c、以及阀245d。另外，从第三气体供给管245a经由MFC245c、阀245d、公共气体供给管242向喷头230供给惰性气体。
惰性气体例如是氮(N2)。惰性气体在基板处理工序中，作为对停留在容器202、喷头230内的气体进行吹扫(purge)的吹扫气体(purge gas)而发挥作用。
主要由第三气体供给管245a、MFC245c、以及阀245d构成第三气体供给系统245。此外，也可以考虑在第三气体供给系统245中包含第三气体供给源245b、公共气体供给管242。
(排气系统)
对容器202的气氛进行排气的排气系统具备与容器202连接的多个排气管。具体地说，具备与处理空间205连接的排气管(第一排气管)262、与搬运空间206连接的排气管(第二排气管)261。另外，在各排气管261、262的下游侧，连接有排气管(第三排气管)264。此外，也可以设置与缓冲空间232连接的排气管(第四排气管)263。第四排气管263与第三排气管264连接。
排气管261被设置在搬运空间206的侧方或下方。在排气管261上设置有将处理空间205内和搬运空间206内的任意一方或双方控制为预定的压力的压力调整器即APC(自动压力控制器：Auto Pressure Controller)265。APC265具备能够调整开度的阀体(未图示)，根据来自后述的控制器280的指示调整排气管261的传导性(conductance)。另外，在排气管261中，在APC265的上游侧设置作为搬运空间用第一排气阀的阀266。
排气管262被设置在处理空间205的侧方。在排气管262上设置将处理空间205内控制为预定的压力的压力控制器即APC(自动压力控制器：Auto Pressure Controller)267。APC267具备能够调整开度的阀体(未图示)，根据来自后述的控制器280的指示调整排气管262的传导性。另外，在排气管262中，在APC267的上游侧设置阀268。将排气管262、阀269、APC267统称为处理室排气系统。
排气管263与喷头230连接使得与缓冲空间232连通。排气管263具备阀269。将排气管263、阀269统称为喷头排气系统。
排气管264上设置有干式泵(DP：Dry Pump)270。如图示那样，排气管264从其上游侧开始连接有排气管263、排气管262、排气管261，并且在它们的下游设置DP270。DP270分别经由排气管262、排气管263、排气管261的对缓冲空间232、处理空间205、以及搬运空间206各自的气氛进行排气。对上述排气系统的各阀例如使用空气阀。
(控制器)
基板处理装置100具备控制该基板处理装置100的各部的动作的控制器280。基板处理装置100还具有输入输出装置281或收发部283。
图5是示意性地表示本实施方式的基板处理装置所具备的控制器的结构例子的框图。
如图5所示，控制器280构成为至少具备CPU(中央处理单元)280a、RAM(随机存取存储器)280b、存储部280c、I/O端口280d的计算机。RAM280b、存储部280c、I/O端口280d构成为能够经由内部总线280f与CPU280a进行数据交换。
另外，控制器280例如与平板终端等构成为可携带的移动终端的输入输出装置281电连接。能够从输入输出装置281向控制器280进行信息输入。另外，输入输出装置281依照控制器280的控制而进行信息的显示输出。即，输入输出装置281构成为具备进行信息的显示输出的显示部281a。此外，输入输出装置281由于构成为移动终端，所以能够从控制器280卸载地使用，构成为即使在卸载的状态下，也能够与CPU280a等进行数据交换。
另外，控制器280构成为除了与输入输出装置281连接以外，还能够与外部存储装置282连接。进而，控制器280构成为能够通过收发部283连接网络。这表示控制器280也能够与存在于网络上的作为上位装置的群管理装置500连接。即，控制器280能够通过收发部283与网络上的群管理装置500之间进行信息的收发。
控制器280的存储部280c例如由快闪存储器、HDD(硬盘驱动器)等构成。在存储部280c内，可读出地存储有控制基板处理装置100的动作的控制程序、记载了后述的基板处理的步骤、条件等的工艺制法、后述的位置信息和地图信息等。此外，工艺制法被组合为能够使控制器280执行后述的基板处理工序中的各步骤并得到预定的结果，且作为程序而发挥功能。以下，也将该工艺制法、控制程序等简单地统称为程序。此外，在本说明书中使用了程序这样的词语的情况包括只包含工艺制法单体的情况、只包含控制程序单体的情况、或包含其双方的情况。另外，RAM280b构成为暂时保存被CPU280a读出的程序、数据等的存储器区域(工作区域)。
I/O端口280d与以各闸阀149、设置在RC200的升降机构218、MFC243c～245c、阀243d～245d、266、268、269、RPU244e等为代表的基板处理装置100的各结构连接。
CPU280a构成为从存储部280c读出控制程序并执行，并且根据来自输入输出装置281的操作指令的输入等从存储部280c读出工艺制法。并且，CPU280a构成为能够与读出的工艺制法的内容一致的方式控制闸阀149的开闭动作、机器人170的动作、升降机构218的升降动作、各泵的开闭控制、MFC的流量调整动作、阀等。另外，CPU280a通过执行读出的程序，如后面详细说明的那样，作为位置信息取得部280g和信息控制部280h发挥功能。
此外，控制器280既可以构成为专用的计算机，也可以构成为通用的计算机。例如，可以准备存储了上述程序的外部存储装置(例如磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器(USB快闪驱动器)、存储卡等半导体存储器)282，使用该外部存储装置282向通用的计算机安装程序，由此构成本实施方式的控制器280。另外，用于向计算机供给程序的单元并不限于经由外部存储装置282进行供给的情况。例如，既可以使用因特网、专用线路等通信单元，也可以从作为上位装置的群管理装置500经由收发部283接收信息，而不经由外部存储装置282供给程序。另外，也可以使用输入输出装置281向控制器280进行指示。
控制器280的存储部280c以及能够与控制器280连接的外部存储装置282构成为计算机可读取的记录介质。以下，也将它们简单地统称为记录介质。此外，在本说明书中使用了记录介质这样的词语的情况下，包括只包含存储部280c单体的情况、只包含外部存储装置282单体的情况、或包含其双方的情况。
(4)基板处理工序的概要
接着，作为半导体制造工序的一个工序，针对使用上述结构的基板处理装置100对晶圆W进行预定处理的基板处理工序，说明其概要。
图6是表示本实施方式的基板处理装置100所进行基板处理工序的概要的流程图。
在此，作为基板处理工序，列举在晶圆W上形成薄膜的情况为例子。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置100的各部的动作由控制器280控制。
(基板搬入、加热工序：S102)、
首先，说明基板搬入、加热工序(S102)。
在基板搬入、加热工序(S102)中，将晶圆W搬入到容器202内。然后，如果将晶圆W搬入到了容器202内，则使真空搬运机器人170退避到容器202外，关闭闸阀149而使容器202内密闭。然后，使基板载置台212上升，由此将晶圆W承载到设置在基板载置台212上的基板载置面211上，并且使基板载置台212上升，由此使晶圆W上升到上述的处理空间205内的处理位置(基板处理位置)。
在将晶圆W搬入到搬运空间206后，如果上升到处理空间205内的处理位置，则使阀266(和阀269)成为关闭状态。由此，切断搬运空间206和APC265之间(以及缓冲空间232和排气管264之间)，结束APC265进行的搬运空间206的排气。另一方面，打开阀268，使处理空间205和APC267之间连通，并且使APC267和DP270之间连通。APC267通过调整排气管262的传导性，控制DP270对处理空间205的排气流量，将处理空间205维持为预定的压力(例如10-5～10-1Pa的高真空)。
这样，在基板搬入、加热工序(S102)中，将处理空间205内控制为预定的压力，并且将晶圆W的表面温度控制为预定的温度。温度例如是室温以上500℃以下，理想的是室温以上并且400℃以下。压力例如可以考虑为50～5000Pa。
(成膜工序：S104)
接着，说明成膜工序(S104)。
如果使晶圆W位于处理空间205内的处理位置，则在基板处理装置100中，进行成膜工序(S104)。成膜工序(104)是根据工艺制法向处理空间205供给作为不同的处理气体的第一处理气体(含有第一元素的气体)和第二处理气体(含有第二元素的气体)，而在晶圆W上形成薄膜的工序。在成膜工序(S104)中，可以使第一处理气体和第二处理气体同时存在于处理空间205而进行CVD(化学气相沉积：Chemical vapor deposition)处理，或者进行反复交替地供给第一处理气体和第二处理气体的工序的循环(交替供给)处理。此外，将第二处理气体处理为等离子体状态的情况下，也可以启动RPU244e。另外，将在后面详细地说明成膜工序(S104)。
(基板搬进搬出工序：S106)
接着，说明基板搬进搬出工序(S106)。
在成膜工序(S104)结束后，在基板处理装置100中，进行基板搬进搬出工序(S106)。在基板搬进搬出工序(S106)中，按照与上述基板搬进、加热工序(S102)相反的顺序，将处理后的晶圆W向容器202外运出。然后，按照与基板搬进、加热工序(S102)同样的顺序，将下一个等待的未处理的晶圆W搬入到容器202内。然后，对搬入的晶圆W执行成膜工序(S104)。
(判定工序：S108)
接着，说明判定工序(S108)。
如果基板搬进搬出工序(S106)结束，则在基板处理装置100中，将上述一连串的处理(S102～S106)作为一个周期，判定是否实施了预定次数的该周期。然后，如果没有实施预定次数，反复进行从基板搬入、加热工序(S102)到基板搬进搬出工序(S106)为止的1个周期。另一方面，在实施了预定次数时，结束基板处理工序。
(5)成膜工序的基本步骤
接着，针对上述基板处理工序中的成膜工序(S104)，说明基本步骤。
图7是表示本实施方式的基板处理装置所进行的成膜工序的基本步骤的流程图。
在此，列举以下的情况为例子，即使用对HCD进行气化而得到的HCD气体作为第一处理气体(含有第一元素的气体)，使用O2气体作为第二处理气体(含有第二元素的气体)，通过交替地供给它们，而在晶圆W上形成作为含硅膜的氧化硅(SiO)膜。
(第一处理气体供给工序：S202)
说明第一处理气体供给工序(S202)。
在成膜工序时，首先，从第一气体供给系统243向处理空间205内供给作为第一处理气体(含有第一元素的气体)的HCD气体。供给到处理空间205内的HCD气体到达位于基板处理位置的晶圆W的面上。由此，在晶圆W的表面上，由于HCD气体接触，而形成作为“含有第一元素的层”的含硅层。例如，根据容器202内的压力、HCD气体的流量、基板载置台212的温度、处理空间205的通过相关的时间等，以预定的厚度和预定的分布，形成含硅层。
在从开始供给HDC气体起经过了预定时间后，关闭阀243d，停止供给HCD气体。此外，在第一处理气体供给工序(S202)中，打开阀268，通过APC267控制为处理空间205的压力成为预定的压力。另外，在第一处理气体供给工序(S202)中，阀268以外的排气系统的阀全部关闭。
(吹扫工序：S204)
说明吹扫工序(S204)。
在第一处理气体供给工序(S202)之后，接着从第三气体供给管245a供给N2气体，进行处理空间205和喷头230的吹扫。由此，通过DP270从处理空间205去除在第一处理气体供给工序(S202)中没有与晶圆W结合的HCD气体。另外，通过DP270从缓冲空间232中去除残留在喷头230(缓冲空间232)内的HCD气体。
(第二处理气体供给工序：S206)
说明第二处理气体供给工序(S206)。
在吹扫工序(S204)之后，接着，从第二气体供给系统244向处理空间205内供给作为第二处理气体(含有第二元素的气体)的O2气体。O2气体也可以通过RPU244e成为等离子体状态，而照射到位于基板处理位置的晶圆W的面上。由此，在晶圆W的面上，已经形成的含硅层被改质，例如形成含有Si元素和O元素的层即SiO膜。
然后，在经过预定时间后，关闭阀244d，停止供给O2气体。此外，在第二处理气体供给工序(S206)中，也与上述第一处理气体供给工序(S202)同样地，打开阀268，通过APC267控制成处理空间205的压力成为预定的压力。另外，阀268以外的排气系统的阀全部关闭。
(吹扫工序：S208)
说明吹扫工序(S208)。
在第二处理气体供给工序(S206)之后，执行吹扫工序(S208)。吹扫工序(S208)中的各部的动作与上述吹扫工序(S204)的情况同样，因此在此省略其说明。
(判定工序：S210)
说明判定工序(S210)。
如果吹扫工序(S208)结束，则接着控制器280将上述的一连串处理(S202～S208)作为一个周期，判定是否实施了预定次数(n cycle)的该周期。然后，如果没有实施预定次数，反复进行从第一处理气体供给工序(S202)到吹扫工序(S208)为止的1个周期。另一方面，在实施了预定次数时，结束成膜工序(S104)。
这样，在成膜工序(S104)中，通过顺序地进行从第一处理气体供给工序(S202)到吹扫工序(S208)的各工序，而在晶圆W的面上堆积预定厚度的SiO膜。然后，将这些各工序作为一个周期，反复进行预定次数的该周期，由此将在晶圆W的面上形成的SiO膜控制为希望的膜厚。
(6)群管理装置的结构
接着，说明作为基板处理装置100的上位装置的群管理装置500的结构例子。
图8是示意性地表示本实施方式的群管理装置的结构例子的框图。
如图8所示，本实施方式的群管理装置500构成为至少具备CPU510、RAM520、存储部530的计算机。RAM520、存储部530构成为能够经由内部总线540与CPU510进行数据交换。
另外，群管理装置500构成为能够通过收发部550连接网络。这表示群管理装置500能够经由网络与设置在CR400内的各基板处理装置100连接。即，群管理装置500能够通过收发部550在与各基板处理装置100之间进行信息的收发。
群管理装置500的存储部530例如由快闪存储器、HDD等构成。在存储部530内，可读出地存储有管理各基板处理装置100的管理程序、用于进行与后述的地图信息有关的控制动作的控制程序等。另外，RAM520构成为暂时保存被CPU510读出的程序、数据等的存储区域(工作区域)。
CPU510构成为从存储部530读出程序并执行。另外，CPU510通过执行读出的程序，如后面详细说明的那样，作为位置信息请求部511、地图信息生成部512、以及地图信息管理部513而发挥功能。
此外，群管理装置500既可以构成为专用的计算机，也可以构成为通用的计算机。这与上述的控制器280的情况相同。另外，能够通过将程序安装到通用的计算机，来构成本实施方式的群管理装置500。在该情况下，对用于向计算机供给程序的单元并没有特别限定，与上述控制器280的情况同样。
(7)基板处理系统管理方法
接着，说明在具备上述各基板处理装置100和群管理装置500而构成的基板处理系统中管理各基板处理装置100的方法的一个具体例子。
图9是表示本实施方式的基板处理系统所进行的管理方法的一个具体例子的步骤的流程图。
在此，列举以下的情况为例子，即在基板处理系统中，各基板处理装置100和群管理装置500进行以下说明的第一工序(S302)～第七工序(S314、S316)的各工序。此外，以下，也将各基板处理装置100和该基板处理装置100的控制器280称为“工具(tool)”。
(第一工序：S302)
首先，说明第一工序(S302)。
第一工序(S302)是在各基板处理装置100一侧进行的工序，是针对各基板处理装置100取得后述的位置信息并且将取得的位置信息保存到各基板处理装置100的控制器280的存储部280c中的工序。由于取得位置信息，所以也可以将第一工序(S302)改称为“位置信息取得工序”。例如在将基板处理装置100设置到CR400内、或在CR400内移动基板处理装置100的时刻，进行这样的第一工序(S302)。
在第一工序(S302)中取得的位置信息是确定基板处理装置100(特别是该基板处理装置100所具备的RC(处理室)200)在CR400内的设置位置的信息。具体地说，作为位置信息，例如可以列举确定CR400内的设置区域的地址信息。但是，只要能够确定CR400内的设置位置，则也可以是其他形式的信息。
利用由控制器280的CPU280a实现的作为位置信息取得部280g的功能，来进行位置信息的取得。即，由位置信息取得部280g进行位置信息的取得。具体地说，例如，可以考虑依照位置信息取得部280g的控制，在输入输出装置281的显示部281a上显示预定的GUI(图形用户界面)，通过该GUI画面，使基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者进行信息输入操作，由此进行位置信息的取得。但是，并不一定限于此，例如如果位置信息取得部280g与GPS(全球定位系统)功能对应，则也可以利用该GPS功能进行位置信息的取得。另外，例如如果位置信息取得部280g与Wi-Fi功能对应，则也可以通过Wi-Fi功能从外部装置进行位置信息的取得。
通过由控制器280的CPU280a实现的作为信息控制部280h的功能，将取得的位置信息保存到存储部280c中。即，信息控制部280h将由位置信息取得部280g取得的位置信息保存到存储部280c中。这时，信息控制部280h将位置信息作为构成位置信息文件的信息之一保存到存储部530中。
在保存到存储部530中的位置信息文件中，除了包含作为必需设定信息的位置信息以外，也可以包含以下这样的任意设定信息。具体地说，作为任意设定信息，例如可以列举基板处理装置100的固有ID信息、基板处理装置100的种类信息(例如与CVD、喷溅、工艺种类的区别等有关的信息)、基板处理装置100对应的气体模式信息(与气体种类、排气路径等有关的信息)、基板处理装置100的尺寸信息(例如与基板处理装置100的设置面积、CR400内的占用区域数等有关的信息)等。
(第二工序：S304)
接着，说明第二工序(S304)。
第二工序(S304)是在群管理装置500一侧进行的工序，是向各基板处理装置100请求该基板处理装置100的存储部280c所保存的位置信息的发送的工序。由于请求位置信息的发送，所以也可以将第二工序(S304)改称为“位置信息请求工序”。在预先设定的每个预定的定时(例如每1分钟、每5分钟、每10分钟等)进行这样的第二工序(S304)。
利用由群管理装置500的CPU510实现的作为位置信息请求部511的功能，来进行位置信息的发送的请求。即，由位置信息请求部511请求位置信息。具体地说，位置信息请求部511通过向各基板处理装置100发送预定格式的发送请求信息，来进行位置信息的请求即可。对发送请求信息的格式等并没有特别限定。
(第三工序：S306)
接着，说明第三工序(S306)。
第三工序(S306)是在各基板处理装置100一侧进行的工序，是根据来自群管理装置500的请求读出存储部280c所保存的位置信息并向请求源的群管理装置500发送的工序。由于发送位置信息，所以也可以将第三工序(S306)改称为“位置信息发送工序”。在每次具有来自群管理装置500的请求时，进行这样的第三工序(S306)。因此，在每个预定的定时(例如每1分钟、每5分钟、每10分钟等)，定期地反复进行第二工序(S304)和第三工序(S306)。
利用作为信息控制部280h的功能，进行从存储部280c读出位置信息、以及向群管理装置500发送位置信息。即，信息控制部280h如果接收到来自群管理装置500的发送请求信息，则读出存储部280c所保存的位置信息，并且将请求源的群管理装置500作为输出目的地，进行读出的位置信息的输出(发送)。另外，信息控制部280h向收发部283发送位置信息。
此外，存储部280c通过位置信息文件进行保存，在该位置信息文件中包含有多个设定信息的情况下，信息控制部280h可选择向群管理装置500发送的信息。例如，信息控制部280h在位置信息文件的发送设定的画面中显示复选框，利用该复选框，除了位置信息外，也可以选择向群管理装置500发送的任意设定信息。
(第四工序：S308)
接着，说明第四工序(S308)。
第四工序(S308)是在群管理装置500一侧进行的工序，是根据从各基板处理装置100发送的位置信息生成后述的地图信息的工序。由于生成地图信息，所以也可以将第四工序(S308)改称为“地图信息生成工序”。在从各基板处理装置100接收到位置信息的时间点进行这样的第四工序(S308)。
在第四工序(S308)中生成的地图信息是表示可视觉地识别CR400内的各基板处理装置100的配置的信息，是相当于与CR400内的装置配置有关的地图(map)的信息。根据这样的地图信息，能够容易地掌握各基板处理装置100位于CR400内的哪里、在某基板处理装置100的周围配置有怎样的基板处理装置100等，进而容易判别CR400内的活动路线。此外，地图信息也可以与各基板处理装置100的尺寸信息对应地显示该基板处理装置100的占有率。另外，在各基板处理装置100的占有信息重叠了的情况下，地图信息也可以进行错误显示。
利用由群管理装置500的CPU510实现的作为地图信息生成部512的功能来进行地图信息的生成。即，由地图信息生成部512进行地图信息的生成。具体地说，地图信息生成部512根据预定的地图格式数据，向该地图格式数据中填充从各基板处理装置100接收到的位置信息的内容，由此进行地图信息的生成即可。对地图格式数据并没有特别限定。另外，地图格式数据既可以预先由群管理装置500的存储部530保存，也可以由群管理装置500通过网络等从可访问的外部装置(服务器装置)等取得。
(第五工序：S310)
接着，说明第五工序(S310)。
第五工序(S310)是在群管理装置500一侧进行的工序，是向各基板处理装置100分别发送由地图信息生成部512生成的地图信息的工序。由于发送地图信息，所以也可以将第五工序(S310)改称为“地图信息发送工序”。在地图信息生成部512的地图信息生成结束的时间点进行这样的第五工序(S310)。
利用由群管理装置500的CPU510实现的作为地图信息管理部513的功能来进行地图信息的发送。即，由地图信息管理部513进行地图信息的发送。此外，地图信息管理部513如后述那样将地图信息保存到发送目的地的存储部280c中，并且为了将该地图信息显示到发送目的地的输入输出装置281的显示部281a而进行地图信息的发送。
(第六工序：S312)
接着，说明第六工序(S312)。
第六工序(S312)是在各基板处理装置100一侧进行的工序，是在从群管理装置500接收到地图信息时，将该地图信息保存到存储部280c中、并且将该地图信息显示到输入输出装置281的显示部281a的工序。由于进行地图信息的显示，所以也可以将第六工序(S312)改称为“地图信息显示工序”。在每次从群管理装置500接收地图信息时进行这样的第六工序(S312)。
利用作为信息控制部280h的功能而将接收到的地图信息保存到存储部280c以及显示到显示部281a。即，信息控制部280h将从群管理装置500接收到的地图信息保存到存储部280c中，并且显示到显示部281a。
这时，具备显示地图信息的显示部281a的输入输出装置281由平板终端等移动终端构成。因此，基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者在从控制器280卸下的状态下携带输入输出装置281而移动，由此即使在从该基板处理装置100离开的位置，也能够容易地掌握该基板处理装置100的周围状况、判别活动路线等。
(第七工序：S314、S316)
接着，说明第七工序(S314、S316)。
第七工序(S314、S316)是在各基板处理装置100一侧进行的工序，是在每次从群管理装置500接收地图信息时进行的工序。
在第七工序中，首先对从群管理装置500接收到的地图信息和已经由存储部280c保存了的地图信息进行比较，判别它们之间是否存在差异、即在新旧的地图信息之间是否有信息修正(S314)。另外，在有信息修正的情况下，CR400内的各基板处理装置100的设置状况发生了变更，因此输出该情况的消息信息(S316)。由于输出消息信息，所以也可以将第七工序(S314、S316)改称为“消息输出工序”。
利用作为信息控制部280h的功能来进行地图信息的比较、信息修正有无的判别、以及消息信息的输出。即，信息控制部280h如果从群管理装置500接收到地图信息，则将其与已经保存的地图信息进行比较，判别信息修正的有无，在有信息修正的情况下，输出该情况的消息信息。
信息控制部280h输出的消息信息只要基于预先设定的格式即可。其中，只要能够通知基板处理装置100的设置状况发生了变更，则对其格式等没有特别限定。
消息信息的输出目的地可以考虑输入输出装置281的显示部281a和群管理装置500的至少一方、理想的是双方。由此，能够向基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者的至少任意一个通知基板处理装置100的设置状况发生了变更。
即，通过这样的消息信息的输出，能够与基板处理装置100的设置状况的变更对应地，向基板处理装置100的管理者、操作者、维护工作者的任意一个通知催促各基板处理装置100的设定确认的消息。具体地说，例如考虑撤去某基板处理装置100相邻的区域的基板处理装置100的情况。在该情况下，该某基板处理装置100的排气特性提高，有可能对此前进行的基板处理工序中的处理特性产生影响。但是，如果与基板处理装置100的设置状况的变更对应地输出消息信息，则能够催促管理者等进行该某基板处理装置100的设定确认，因此通过进行设定确认工作，能够事先排除对基板处理工序的处理特性的影响。
在本实施方式中，通过进行上述第一工序(S302)～第七工序(S314、S316)的各工序，来进行设置在CR400内的各基板处理装置100的管理。另外，对于各工序中的特别是第二工序(S304)和第三工序(S306)，在每个预定的定时(例如每1分钟、每5分钟、每10分钟等)定期地反复进行。即，以预定的定时始终监视设置在CR400内的各基板处理装置100的位置信息。因此，例如与在怎样的定时进行各基板处理装置100的设置状况的变更无关地，能够事先排除该变更对基板处理装置100的基板处理工序的处理特性的影响。
(8)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或多个效果。
(a)在本实施方式中，在各基板处理装置100中，由位置信息取得部280g进行位置信息的取得，并且信息控制部280h使存储部280c保存取得的位置信息。即，使基板处理装置100自身具有位置信息。因此，在CR400内设置有多个基板处理装置100的情况下，即使各基板处理装置100的设置状况产生变更(例如新基板处理装置100的设置、基板处理装置100的位置移动、基板处理装置100的撤去等)，也能够迅速并且适当地应对该变更。
(b)在本实施方式中，在各基板处理装置100中，如果从作为上位装置的群管理装置500接收到位置信息的发送请求信息，则信息控制部280h从存储部280c读出位置信息，并向请求源的群管理装置500输出(发送)。即，通过将发送请求信息发送给各基板处理装置100，使群管理装置500收集将基板处理装置100的位置信息。因此，即使在使各基板处理装置100具有位置信息的情况下，也能够适当地管理各基板处理装置100的位置信息。具体地说，制作能够从视觉上识别各基板处理装置100的配置的地图信息，因此是非常合适的。
特别如在本实施方式中说明的那样，如果在每个预定的定时定期地反复进行发送请求信息的发送和位置信息的收集(具体地说是第二工序和第三工序)，则会以预定的定时始终监视各基板处理装置100的位置信息。因此，例如与以怎样的定时进行各基板处理装置100的设置状况的变更无关地，能够适当地进行各基板处理装置100的管理，使得能够事先排除该变更对基板处理装置100的基板处理工序的处理特性的影响。
(c)在本实施方式中，在各基板处理装置100中，如果接收到由作为上位装置的群管理装置500生成的地图信息，则使输入输出装置281的显示部281a显示该地图信息。因此，通过参照显示部281a显示的地图信息，基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者能够容易地掌握该基板处理装置100位于CR400内的哪里、在该基板处理装置100的周围配置有怎样的基板处理装置100，进而容易判别CR400内的活动路线。即，对于基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者来说，具有优越的方便性。
(d)在本实施方式中，具备显示地图信息的显示部281a的输入输出装置281由平板终端等移动终端构成。因此，基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者通过在从控制器280卸下的状态下携带输入输出装置281而移动，即使在从该基板处理装置100离开的位置，也能够容易地掌握该基板处理装置100的周围状况、判别活动路线等。即，对于基板处理装置100的管理者、操作者、或维护工作者来说，方便性进一步提高。
(e)在本实施方式中，在各基板处理装置100中，如果从作为上位装置的群管理装置500接收到地图信息，则信息控制部280h对接收到的地图信息和已经由存储部280c保存了的地图信息进行比较，在它们之间存在差异的情况下，将该情况的消息信息输出到输入输出装置281的显示部281a和群管理装置500的至少一方。通过这样的消息信息的输出，能够与基板处理装置100的设置状况的变更对应地，向基板处理装置100的管理者、操作者、维护工作者的任意一方，通知催促各基板处理装置100的设定确认的消息。即，通过与基板处理装置100的设置状况的变更对应地输出消息信息，能够催促管理者等进行各基板处理装置100的设定确认，因此能够事先排除设置状况的变更对各基板处理装置100的基板处理工序的处理特性的影响。
<其他实施方式>
以上，具体说明了本发明的一个实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，能够在不脱离其主要内容的范围内进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，列举以下的情况为例子，即在作为基板处理工序的一个工序的成膜工序中，作为第一处理气体(含有第一元素的气体)使用HCD气体，作为第二处理气体(含有第二元素的气体)使用O2气体，通过交替地供给它们，在晶圆W上形成SiO膜，但本发明并不限于此。即，用于成膜处理的处理气体并不限于HCD气体、O2气体等，也可以使用其他种类的气体来形成其他种类的薄膜。并且，即使在使用3种以上的处理气体的情况下，只要交替地供给它们来进行成膜处理，则也能够应用本发明。具体地说，作为第一元素，也可以不是Si，而是例如钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)等各种元素。另外，作为第二元素，也可以不是O，而是例如氮(N)等。
另外，例如在上述各实施方式中，作为基板处理装置进行的处理列举成膜处理为例子，但本发明并不限于此。即，本发明除了在各实施方式中举例的成膜处理以外，也能够应用于在各实施方式中示例的薄膜以外的成膜处理。另外，与基板处理的具体内容无关地，不只是成膜处理，也能够应用于进行退火处理、扩散处理、氧化处理、氮化处理、光刻处理等其他基板处理的情况。进而，本发明也能够应用于其他基板处理装置、例如退火处理装置、蚀刻装置、氧化处理装置、氮化处理装置、曝光装置、涂布装置、干燥装置、加热装置、利用了等离子体的处理装置等其他基板处理装置。另外，本发明也可以是这些装置混合存在。另外，可以将某实施方式的结构的一部分置换为其他实施方式的结构，另外也可以向某实施方式的结构追加其他实施方式的结构。另外，对于各实施方式的结构的一部分，也可以进行其他结构的追加、删除、置换。
另外，例如在上述实施方式中，作为半导体装置的制造工序的一个工序，列举了进行对晶圆的处理的情况为例子，但本发明并不限于此。即，成为处理对象的基板并不限于晶圆，也可以是光掩膜、印刷线路板、液晶面板、磁盘、光盘等。
<本发明的优选实施例>
以下，附加说明本发明的优选实施例。
[附加说明1]
根据本发明的一个实施例，提供一种基板处理装置，其具备：处理室，其对基板进行处理；位置信息取得部，其取得上述处理室的位置信息；存储部，其保存上述位置信息；信息控制部，其将上述位置信息取得部取得的上述位置信息保存到上述存储部中，并且根据需要输出上述存储部所保存的上述位置信息。
[附加说明2]
优选的是，提供附加说明1所记载的基板处理装置，该基板处理装置具备：收发部，其在与上位装置之间收发信息，上述信息控制部构成为，如果上述收发部从上述上位装置接收到上述位置信息的发送请求信息，则以上述上位装置为输出目的地，使上述收发部发送上述存储部所保存的上述位置信息。
[附加说明3]
优选的是，提供附加说明2所记载的基板处理装置，该基板处理装置具备：显示部，其进行信息的显示输出，述信息控制部构成为，如果从上述上位装置接收到基于发送给上述上位装置的上述位置信息生成的地图信息，则使上述存储部保存上述地图信息，并且使上述显示部显示上述地图信息。
[附加说明4]
优选的是，提供附加说明3所记载的基板处理装置，上述显示部由移动终端构成。
[附加说明5]
优选的是，提供附加说明3或4所记载的基板处理装置，上述信息控制部构成为，比较从上述上位装置接收到的上述地图信息与上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，向上述显示部和上述上位装置的至少一方输出该情况的信息。
[附加说明6]
根据本发明的其他实施例，提供一种上位装置，其具备：收发部，其在与具备处理基板的处理室的基板处理装置之间收发信息；地图信息生成部，其从上述基板处理装置接收到上述处理室的位置信息时，根据上述位置信息生成地图信息；地图信息管理部，其将上述地图信息生成部生成的上述地图信息发送给上述基板处理装置，并使上述基板处理装置所具备的上述显示部进行显示。
[附加说明7]
根据本发明的另一个实施例，提供一种基板处理系统，其具备：基板处理装置，其具备对基板进行处理的处理室；上位装置，其构成为在与上述基板处理装置之间进行信息的收发，上述基板处理装置具备：位置信息取得部，其取得上述处理室的位置信息；存储部，其保存上述位置信息；信息控制部，其使上述存储部保存上述位置信息取得部取得的上述位置信息，并且根据来自上述上位装置的上述位置信息的发送请求信息，将上述存储部所保存的上述位置信息发送给上述上位装置；显示部，其显示保存在上述存储部中的信息，上述上位装置具备：地图信息生成部，其从上述基板处理装置接收到上述处理室的位置信息时，根据上述位置信息生成地图信息；地图管理部，其将上述地图信息生成部生成的上述地图信息发送给上述基板处理装置，并使上述基板处理装置所具备的上述显示部进行显示。
[附加说明8]
根据本发明的另一个实施例，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：第一工序，针对具备对基板进行处理的处理室的基板处理装置，取得上述处理室的位置信息，并且使上述基板处理装置所具备的存储部保存所取得的上述位置信息；第二工序，请求上述存储部所保存的上述位置信息的发送；第三工序，根据请求发送上述存储部所保存的上述位置信息；第四工序，基于所发送的上述位置信息生成地图信息；第五工序，将所生成的上述地图信息发送给上述基板处理装置，并保存在上述存储部中；第六工序，使上述基板处理装置所具备的显示部显示上述地图信息。
[附加说明9]
优选的是提供附加说明8所记载的半导体装置的制造方法，包括：第七工序，比较发送给上述基板处理装置的上述地图信息与该基板处理装置的上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，输出该情况的信息。
[附加说明10]
根据本发明的另一个实施例，提供一种程序，其通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：针对具备对基板进行处理的处理室的基板处理装置，取得上述处理室的位置信息，并且使上述基板处理装置所具备的存储部保存所取得的上述位置信息的步骤；根据需要输出上述存储部所保存的上述位置信息的步骤；接收基于从上述存储部输出的上述位置信息生成的地图信息，并使上述存储部保存上述地图信息的步骤；使上述基板处理装置所具备的显示部显示上述地图信息的步骤。
[附加说明11]
优选的是提供附加说明10所记载的程序，通过计算机使上述基板处理装置执行以下步骤：比较接收到的上述地图信息与上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，输出该情况的信息的步骤。
[附加说明12]
根据本发明的又一个实施例，提供一种存储了以下程序的计算机可读取的记录介质，该程序通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：针对具备对基板进行处理的处理室的基板处理装置，取得上述处理室的位置信息，并且使上述基板处理装置所具备的存储部保存所取得的上述位置信息；根据请求发送上述存储部所保存的上述位置信息；接收基于从上述存储部输出的上述位置信息生成的地图信息，使上述存储部保存上述地图信息；使上述基板处理装置所具备的显示部显示上述地图信息。
[附加说明13]
优选的是提供存储了附加说明12所记载的程序的计算机可读取的记录介质，该程序通过计算机使上述基板处理装置执行以下步骤：比较接收到的上述地图信息和上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，输出该情况的信息。
符号说明
100：基板处理装置；110：IO台；120：大气搬运室；130：加载锁定室；140：真空搬运室；200、200a～200d：反应器(RC)；200：晶圆(基板)；202：容器；205：处理空间；212：基板载置板；230：喷头；242：公共气体供给管；243：第一气体供给系统；244：第二气体供给系统；245：第三气体供给系统；261～264：排气管；280：控制器；280a：CPU；280c：存储部；280g：位置信息取得部；280h：信息控制部；281：输入输出装置(移动终端)；281a：显示部；283：收发部；400：洁净室(CR)；500：群管理装置(上位装置)；510：CPU；511：位置信息请求部；512：地图信息生成部；513：地图信息管理部；520：存储部；550：收发部；W：晶圆。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其对基板进行处理；
位置信息取得部，其取得上述处理室的位置信息；
存储部，其保存上述位置信息；
信息控制部，其使上述存储部保存上述位置信息取得部取得的上述位置信息，并且输出上述存储部所保存的上述位置信息，
其中，上述信息控制部构成为，比较从上位装置接收到的地图信息与上述存储部所保存的地图信息，在它们之间存在差异的情况下，向显示部和上述上位装置的至少一方输出该情况的信息。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备：收发部，其在与上位装置之间收发信息，
上述信息控制部构成为，如果上述收发部从上述上位装置接收到上述位置信息的发送请求信息，则以上述上位装置为输出目的地，使上述收发部发送上述存储部所保存的上述位置信息。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备：显示部，其进行信息的显示输出，
上述信息控制部构成为，如果从上述上位装置接收到基于发送给上述上位装置的上述位置信息生成的地图信息，则使上述存储部保存上述地图信息，并且使上述显示部显示上述地图信息。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述显示部由移动终端构成。
5.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
基板处理装置，其具备对基板进行处理的处理室；以及
上位装置，其构成为在与上述基板处理装置之间进行信息的收发，
上述基板处理装置具备：
位置信息取得部，其取得上述处理室的位置信息；
存储部，其保存上述位置信息；
信息控制部，其使上述存储部保存上述位置信息取得部取得的上述位置信息，并且根据来自上述上位装置的上述位置信息的发送请求信息，将上述存储部所保存的上述位置信息发送给上述上位装置；以及
显示部，其显示保存在上述存储部中的信息，
上述上位装置具备：
地图信息生成部，其从上述基板处理装置接收到上述处理室的位置信息时，根据上述位置信息生成地图信息；以及
地图管理部，其将上述地图信息生成部生成的上述地图信息发送给上述基板处理装置，并使上述基板处理装置所具备的上述显示部进行显示，
其中，上述信息控制部构成为，比较从上述上位装置接收到的上述地图信息与上述存储部所保存的地图信息，在它们之间存在差异的情况下，向上述显示部和上述上位装置的至少一方输出该情况的信息。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统具备：收发部，其在与上位装置之间收发信息，
上述信息控制部构成为，如果上述收发部从上述上位装置接收到上述位置信息的发送请求信息，则以上述上位装置为输出目的地，使上述收发部发送上述存储部所保存的上述位置信息。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，
上述信息控制部构成为，如果从上述上位装置接收到基于发送给上述上位装置的上述位置信息生成的地图信息，则使上述存储部保存上述地图信息，并且使上述显示部显示上述地图信息。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，
上述显示部由移动终端构成。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，针对具备对基板进行处理的处理室的基板处理装置，取得上述处理室的位置信息，并且使上述基板处理装置所具备的存储部保存所取得的上述位置信息；
第二工序，请求上述存储部所保存的上述位置信息的发送；
第三工序，根据请求发送上述存储部所保存的上述位置信息；
第四工序，基于所发送的上述位置信息生成地图信息；
第五工序，将所生成的上述地图信息发送给上述基板处理装置，并保存在上述存储部中；
第六工序，使上述基板处理装置所具备的显示部显示上述地图信息；以及
第七工序，比较发送给上述基板处理装置的上述地图信息与该基板处理装置的上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，输出该情况的信息。
10.一种计算机可读取的记录介质，其特征在于，该记录介质中存储有通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序：
针对具备对基板进行处理的处理室的基板处理装置，取得上述处理室的位置信息，并且使上述基板处理装置所具备的存储部保存所取得的上述位置信息的步骤；
输出上述存储部所保存的上述位置信息的步骤；
接收基于从上述存储部输出的上述位置信息生成的地图信息，并使上述存储部保存上述地图信息的步骤；
使上述基板处理装置所具备的显示部显示上述地图信息的步骤；以及
比较接收到的上述地图信息与上述存储部所保存的上述地图信息，在它们之间存在差异的情况下，输出该情况的信息的步骤。
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