TWI835206B - 基板處理裝置、基板處理方法、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於提供一種技術，其可防止穿過貫通孔之成膜氣體的擴散。

本發明之解決手段提供一種技術，其具有如下步驟：a)使基板載置在穿過配置於基板載置台之貫通孔而自基板載置台之表面突出的複數個升降銷上的步驟；b)使基板載置台上升，而使基板載置在基板載置台之表面上的步驟；c)於上述b)之後，使基板載置台在基板處理位置停止的步驟；及d)使複數個升降銷移動至在貫通孔內不接觸於基板之位置的步驟。

Description

基板處理裝置、基板處理方法、半導體裝置之製 造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
在半導體裝置(元件)之製造步驟中的基板處理，為使用基板處理裝置(亦稱為半導體製造裝置)(例如，記載於專利文獻1)。在此種基板處理裝置中，於使基板載置台(亦稱為基座)下降至基板搬送位置時，升降銷之上端部自基板載置面之上表面突出，而升降銷自下方支撐基板。此外，於使基板載置台上升至基板處理位置時，升降銷自基板載置面之上表面埋沒，而基板載置面自下方支撐基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2020-49575號公報
在交接基板時自基板載置台將基板抬起用之升降銷，為在上下移動，其貫通孔係被設在基板載置台上。該一貫通孔所起因之課題是，穿過貫通孔之成膜氣體會導致在基板背面與基板載置台的上表面(表面)成膜，而散熱量會變化並有溫度分布惡化之情形。
本發明之課題在於提供一種技術，其可防止穿過貫通孔之成膜氣體的擴散。
本發明之其他課題與新穎特徵可自本說明書之記述及添附圖式而明瞭。
以下對本發明中代表性之概要進行簡單地說明，如下所示。
即，根據本發明一實施形態，提供一種技術，其具有如下步驟： a) 使基板載置在穿過配置於基板載置台之貫通孔而自基板載置台之表面突出的複數個升降銷上的步驟； b) 使基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上移動，而使基板載置在基板載置台之表面上的步驟； c) 於上述b)之後，使基板載置台在基板處理位置停止的步驟；及 d) 使複數個升降銷移動至在貫通孔內不接觸於基板之位置的步驟。
根據本發明之技術，其可防止穿過貫通孔之成膜氣體的擴散。
以下，對於本發明之實施形態，使用圖式進行說明。然而，於以下之說明中，有時對於同一構成要素附加相同符號而省略其重複之說明。再者，為使說明更為明確，其與實際態樣相比，雖以示意性表示，但其僅為一例，而非用以限定本發明之解釋。此外，圖式所示之各要素的尺寸關係、各要素的比率等未必與實物一致。此外，於複數個圖式相互之間，各要素的尺寸關係、各要素的比率等亦未必一致。
(實施態樣) (1) 基板處理裝置之概要 本實施形態所說明之基板處理裝置係在半導體裝置之製造步驟中所使用者，其在將作為處理對象之基板收容在處理室的狀態下，藉由加熱器等加熱該基板而實施處理。作為基板處理裝置的處理對象之基板，例如可舉出，裝設有半導體裝置(半導體元件)之半導體晶圓基板(以下，簡稱為「晶圓」)。此外，作為基板處理裝置所進行之處理，例如可舉出，氧化處理、擴散處理、用以使離子植入後之載體活化或平坦化的回焊(reflow)或退火(annealing)、熱CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)反應所致之成膜處理等。
(2) 基板處理裝置之概略構成 其次，對於本發明之實施形態中合適使用之基板處理裝置的概略構成例，使用圖1而進行說明。圖1係本發明之實施形態中合適使用之基板處理裝置的斜透視圖。
(裝置全體) 基板處理裝置200具有腔室202。腔室202構成為例如橫截面為圓形且扁平之密閉容器。此外，腔室202例如由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等金屬材料所構成。於腔室202內形成有，對作為基板之矽基板等基板100進行處理的處理空間205、及於將基板100搬送至處理空間205時供基板100通過的搬送空間206。腔室202由上部容器202a與下部容器202b所構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設置有分隔板208。
於下部容器202b之側面，設置有鄰接於閘閥149之基板搬入搬出口148，基板100經由基板搬入搬出口148而在與未圖示之真空搬送室之間移動。於下部容器202b之底部側，設置有複數個升降銷207。進而，下部容器202b接地。
構成處理空間205之處理室例如由後述之基板載置台(基座)212與淋氣頭230所構成。於處理空間205內，設置有載置基板100之基板載置部210。基板載置部210主要具有載置基板100的基板載置面211、於表面具有基板載置面211的基板載置台212、內置於基板載置台212作為加熱源的加熱器213。於基板載置台212，在與升降銷207對應之位置分別設置有供升降銷207貫通之貫通孔214。於加熱器213連接有控制加熱器213之溫度的溫度控制部220。
基板載置台212由軸217所支撐。軸217之支撐部貫通設置在腔室202底壁之孔215，進而經由支撐板216而在腔室202外部連接於驅動系統即作為第一升降機構之升降機構218。藉由使升降機構218運轉而使軸217及基板載置台212升降，則可使被載置在基板載置面211上之基板100升降。再者，軸217下端部之周圍由波紋管219所覆蓋。腔室202內被保持為氣密。
基板載置台212於搬送基板100時下降至基板載置面211與基板搬入搬出口148相對向之位置(稱為基板搬送位置) ，於處理基板100時，如圖1所示，基板100上升至處理空間205內之基板處理位置。
升降銷207經由支撐板316而在腔室202外部連接於驅動系統即作為第二升降機構之升降機構318。使升降機構318運轉而使升降銷207升降，藉此，被構成為，使升降銷207之前端部自基板載置面211之上表面突出，而以升降銷207之前端部自下方支撐基板100。此外，可構成為，使升降機構318運轉，而使升降銷207之前端部埋沒至貫通孔214之內部，以升降銷207之前端部阻塞貫通孔214。
具體而言，於使基板載置台212下降至基板搬送位置(P1)時，升降銷207之上端部自基板載置面211之上表面突出，而升降銷207自下方支撐基板100。此外，如圖1所示，於使基板載置台212上升至基板處理位置(P3)時，升降銷207之前端部在基板載置台212之貫通孔214中移動至不接觸於基板100之位置，而被構成為，以複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214。亦即，升降銷207之前端部自基板載置面211之上表面埋沒至貫通孔214之內部，而基板載置面211成為自下方支撐基板100之背面。
其次，使用圖2~圖4，將本發明之實施形態的基板載置台212與升降銷207之狀態分為基板載置台212的基板搬送位置P1、基板載置台212的基板處理位置P3、及自基板搬送位置P1移動至基板處理位置P3途中之基板載置台212的過渡狀態P2等三個狀態，而對該等狀態進行說明。圖2係說明本發明之實施形態的基板載置台與升降銷之狀態的圖。圖3係說明本發明之第一變形例的基板載置台與升降銷之狀態的圖。圖4係說明本發明之第二變形例的基板載置台與升降銷之狀態的圖。再者，圖2~圖4係將基板載置台212及軸217的升降機構218與升降銷207的升降機構318個別地設置之情況下的基板處理裝置200之構成例。
圖2係以基板載置台212上下移動之構造，而使升降銷207停留在貫通孔214內之構造。如圖2所示，在基板搬送位置P1之狀態中，基板載置台212下降至基板搬送位置(P1)。於該狀態時，由升降機構318控制升降銷207之位置，以使升降銷207之上端部貫通基板載置台212之貫通孔214，而自基板載置面211之上表面突出。藉此，被構成為，升降銷207之上端部可自下方支撐基板100之背面。於接收基板100之後，基板載置台212藉由升降機構218之控制而朝基板處理位置P3上升。亦即，於基板載置台212在基板搬送位置P1的狀態中，被進行如下步驟：將基板100載置在穿過配置於基板載置台212之貫通孔214而自基板載置台212之表面突出的複數個升降銷207上的步驟。
其次，在自基板搬送位置P1移動至基板處理位置P3途中之基板載置台212的過渡狀態P2中，升降機構218使基板載置台212及軸217上升，而使基板載置台212位在基板處理位置P3。由於升降銷207不上升，因此，基板載置台212之貫通孔214係成為開口的狀態。亦即，在該狀態中，被進行如下步驟：基板載置台212上升，而將基板100載置在基板載置台212之基板載置面211之表面上的步驟；及基板載置台212在基板處理位置P3停止的步驟。
其次，在基板處理位置P3之狀態中，被構成為，將基板載置台212維持在基板處理位置P3，藉由升降機構318而使升降銷207之位置上升，升降銷207之前端部移動至在基板載置台212之貫通孔214內不接觸於基板100背面之位置，而以複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214。亦即，在該狀態中，進行如下步驟：複數個升降銷207移動至在貫通孔214內不接觸於基板100背面之位置的步驟。
在圖2中，基板載置台212與升降銷207具有可個別地上下移動之升降機構218、318。藉此，可使基板載置台212與升降銷207個別地移動，因此，可在任意位置使用升降銷207阻塞貫通孔214。其結果，可因應於成膜製程(壓力或流量等)而實施貫通孔之對策。
圖3係以基板載置台212上下移動之構造，而使升降銷207在不接觸於基板載置台212與基板100之狀態下與基板載置台212一起朝上方移動的構成例。圖3與圖2之不同點在於，在圖3之基板載置台212的過渡狀態P2中，於基板載置台212藉由升降機構218而上升之期間中，升降銷207亦藉由升降機構318而上升。在過渡狀態P2中，由升降機構218控制升降銷207的位置，以使升降銷207在不接觸基板100與基板載置台212的狀態下上升。圖3之基板搬送位置P1的狀態與基板處理位置P3的狀態係與圖2之基板搬送位置P1的狀態與基板處理位置P3的狀態相同，因此省略其重複之說明。
亦即，被實施如下步驟：基板載置台212藉由升降機構218而上升，將基板100載置在基板載置台212之基板載置面211表面上的步驟；及在將基板100載置於基板載置台212之基板載置面211表面上的步驟中，保持複數個升降銷207不接觸基板載置台212與基板100之狀態，而與基板載置台212一起地上升的步驟。在圖3之情況中，基板處理位置P3之狀態可視為基板載置台212在基板處理位置P3停止的步驟。
在圖3中，由於與基板載置台212連動地使升降銷207移動，因而貫通孔214不會成為開口之狀態。因此，即便在基板載置台212之移動中，基板100之背面與基板載置台212之基板載置面211之表面的狀態成為固定，而不易產生溫度變化。
圖4亦為與圖3同樣地，以基板載置台212上下移動之構造，而使升降銷207在不接觸基板載置台212與基板100之狀態下與基板載置台212一起朝上方移動的構成例。圖4與圖3不同之點在於，在圖4之過渡狀態P2中，於基板載置台212藉由升降機構218而上升之期間，升降銷207亦藉由升降機構318而上升。亦即，在過渡狀態P2中，升降機構218與升降機構318並行地進行動作。圖4之其他構成係與圖3相同，因此省略其重複之說明。
在圖4中，可獲得與圖3之功效相同的功效。此外，可因應成膜程序(壓力或流量等)而實施貫通孔214之對策。
圖2~圖4之說明可如下述般加以總結。
(1) 如圖2所說明般，實施以下步驟。 a) 將基板100載置在穿過配置於基板載置台212之貫通孔214而自基板載置台212之表面突出的複數個升降銷207上的步驟； b) 基板載置台212移動(上升)，而將基板100載置在基板載置台212之表面上的步驟； c) 於上述b)步驟之後，使基板載置台212在基板處理位置停止的步驟；及 d) 使複數個升降銷207移動至在貫通孔214內不接觸基板100之位置的步驟。 藉此，基板處理裝置200具有以複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214的功能。
(2) 如圖3、圖4所說明般，其實施以下步驟。 a1) 將基板100載置在穿過配置於基板載置台212之貫通孔214而自基板載置台212之表面突出的複數個升降銷207上的步驟； b1) 基板載置台212移動(上升)，而將基板100載置在基板載置台212之表面上的步驟； c1) 於上述b1)步驟中，保持不使複數個升降銷207接觸基板載置台212與基板100之狀態，而與基板載置台212一起上升的步驟；及 d1) 使基板載置台212在基板處理位置停止的步驟。 藉此，基板處理裝置200具有以複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214的功能。
如圖2~圖4所說明般，在基板處理位置P3之狀態中，被構成為，以複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214，因此，可防止因穿過貫通孔之成膜氣體而導致在基板100背面成膜之情形、及在基板載置台212之基板載置面211的表面成膜之情形。此外，藉此可防止散熱量之變化，而可抑制溫度分布的惡化。
返回圖1，對基板處理裝置200之其他構成進行說明。
於處理空間205之上部(上游側)，設置有淋氣頭230。淋氣頭230具有蓋231。蓋231具有凸緣232，凸緣232被支撐在上部容器202a上。進而，蓋231具有定位部233。藉由定位部233被嵌合於上部容器202a，而將蓋231固定。
淋氣頭230具有緩衝空間234。緩衝空間234係由蓋231與定位部233所構成之空間。緩衝空間234與處理空間205相連通。被供給至緩衝空間234之氣體在緩衝空間234內擴散，而被均勻地供給至處理空間205。於此，將緩衝空間234與處理空間205作為分開之構成而進行說明，但其不限於此，亦可將緩衝空間234包含在處理空間205。
處理空間205主要由上部容器202a、處在基板處理位置之基板載置台212的上部構造所構成。將構成處理空間205之構造稱為處理室。再者，處理室只要為構成處理空間205之構造即可，當然其不受限於上述構造。
搬送空間206主要由下部容器202b、處在基板處理位置之基板載置台212的下部構造所構成。將構成搬送空間206之構造稱為搬送室。搬送室配設在處理室之下方。再者，搬送室只要為構成搬送空間206之構造即可，當然其不受限於上述構造。
(氣體供給部) 接著，對氣體供給部進行說明。於共通氣體供給管242，連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管247a、第三氣體供給管249a。
自包含第一氣體供給管243a之第一氣體供給系統243，主要供給第一處理氣體，自包含第二氣體供給管247a之第二氣體供給系統247，主要供給第二處理氣體，自包含第三氣體供給管249a之第三氣體供給系統249，主要供給惰性氣體。
(第一氣體供給系統) 於第一氣體供給管243a之上游，自上游方向起依序設置有第一氣體供給源243b、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)243c、及開閉閥即閥243d。為了使第一處理氣體成為電漿狀態，於閥243d之下游設置作為電漿生成部之遠端電漿單元(RPU)243e。
接著，第一氣體自第一氣體供給管243a經由MFC 243c、閥243d、共通氣體供給管242而被供給至淋氣頭230內。第一處理氣體藉由RPU 243e而成為電漿狀態。
第一處理氣體係處理氣體之一，而為含氧氣體。作為含氧氣體，例如可使用氧氣(O 2)。
第一處理氣體供給系統243主要由第一氣體供給管243a、MFC 243c、閥243d、RPU 243e所構成。再者，亦可考慮，第一處理氣體供給系統243包含第二氣體供給源247b、後述之含氫氣體供給系統。
於第一氣體供給管243a之較閥243d更下游側，連接有含氫氣體供給管245a之下游端。於含氫氣體供給管245a，自上游方向起依序設置有含氫氣體供給源245b、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)245c、及開閉閥即閥245d。而且，含氫氣體係自含氫氣體供給管245a經由MFC 245c、閥245d、第一氣體供給管243a、RPU 243e而被供給至淋氣頭230內。
含氫氣體例如可使用氫氣(H 2)或水蒸氣(H 2O)。含氫氣體供給系統主要由含氫氣體供給管245a、MFC 245c、及閥245d構成。再者，亦可考慮，含氫氣體供給系統包括含氫氣體供給源245b、第一氣體供給管243a、RPU 243e。此外，亦可考慮，含氫氣體供給系統包含在第一氣體供給系統243中。
(第二氣體供給系統) 於第二氣體供給管247a，自上游方向起依序設置有第二氣體供給源247b、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)247c、及開閉閥即閥247d。
含有第二元素之氣體(以下稱為「第二處理氣體」)係自第二氣體供給管247a經由質量流量控制器247c、閥247d、共通氣體供給管242而被供給至淋氣頭230。
第二處理氣體例如為包含矽(Si)之處理氣體。即，第二處理氣體例如為含矽氣體。作為含矽氣體，例如可使用單矽烷(SiH 4)氣體、二矽烷(Si 2H 6)氣體、三矽烷(Si 3H 8)氣體等矽烷系氣體。此外，作為包含碳成分或硼成分等雜質之含矽氣體，例如可使用四乙氧基矽烷(Si(OC 2H 5) 4，亦稱為TEOS)氣體等。
第二處理氣體供給系統247(亦稱為含矽氣體供給系統)主要由第二氣體供給管247a、質量流量控制器247c、閥247d構成。
(第三氣體供給系統) 於第三氣體供給管249a，自上游方向起依序設置有第三氣體源249b、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)249c、及開閉閥即閥249d。
第三氣體源249b係惰性氣體源。惰性氣體例如為氮氣(N 2)。
第三氣體供給系統249主要由第三氣體供給管249a、質量流量控制器249c、閥249d構成。
自惰性氣體源249b供給之惰性氣體係在基板處理步驟中，作為吹掃停留在容器202或淋氣頭230內之氣體的吹掃氣體而發揮作用。
(排氣部) 排放腔室202之環境氣體的排氣部主要由排放處理空間205之環境氣體的排氣部261所構成。
排氣部261具有連接於處理空間205之排氣管261a。排氣管261a係設置成連通於處理空間205。於排氣管261a，設置有將處理空間205內控制在既定壓力之壓力控制器即APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)261c、對處理空間205之壓力進行計測的第一壓力檢測部261d。APC 261c具有可調整開度之閥體(未圖示)，其因應於來自後述控制器280之指示而調整排氣管261a之流導度。此外，於排氣管261a中，在APC 261c之上游側設置有閥261b。將排氣管261a與閥261b、APC 261c、壓力檢測部261d統合而稱為處理室排氣部261。
於排氣管261a之下游側，設置有DP(Dry Pump，乾式泵)278。DP 278係經由排氣管261a而排放處理空間205之環境氣體。
(控制器) 其次，使用圖5，對於控制基板處理裝置200各部之動作的控制器280進行說明。圖5係對本發明之實施形態的基板處理裝置之控制器進行說明的圖。
基板處理裝置200係具有控制基板處理裝置200各部動作的控制器280。如圖5所記載，控制器280至少具有運算部(CPU， Central Processing Unit，中央處理單元)280a、暫時記憶部280b、記憶部280c、發送接收部280d。控制器280經由發送接收部280d而連接於基板處理裝置200之各構成，而因應於上位控制器或使用者之指示自記憶部280c呼叫出程式或配方，並因應其內容而控制各構成之動作。基板處理裝置200之各構成中包含有升降機構218、318。控制器280被構成為，藉由實施程式，而可控制升降機構218、318之動作，其中，該程式記載有用以實施圖2~圖4之說明中所記載的各步驟(步驟a)~步驟d)、步驟a1)~步驟d1))之程序。
再者，控制器280可由專用之電腦構成，亦可由通用之電腦構成。例如，準備存放上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD或DVD等光碟、MO等光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive，USB快閃驅動器)或記憶卡等半導體記憶體)282，使用外部記憶裝置282而將程式安裝在通用之電腦，藉此可構成本實施形態之控制器280。此外，用以對電腦供給程式之手段並不限於經由外部記憶裝置282而供給之情形。例如，可使用網際網路或專用線路等通信手段，亦可自上位裝置270經由發送接收部283接收資訊，而不經由外部記憶裝置282供給程式。此外，亦可為，使用鍵盤或觸控面板等輸入輸出裝置281，而對控制器280發出指示。
再者，記憶部280c或外部記憶裝置282由電腦可讀取之記錄媒體構成。以下，將該等統合而亦簡稱為記錄媒體。再者，本說明書中使用記錄媒體一詞之情形時，有僅單獨包含記憶部280c之情形、僅單獨包含外部記憶裝置282之情形、或包含該兩者之情形。
(基板處理步驟) 其次，對半導體製造步驟之一步驟進行說明。於此，對在基板100上形成含碳SiO 2膜之膜形成步驟進行說明。再者，以下使用圖2所說明之步驟作為代表例而進行說明，但其亦可利用圖3、圖4所說明之步驟。此外，當然亦可作後述之其他變形例(圖6)的構成。
(基板搬入步驟) 於圖1之基板處理裝置200中，開啟閘閥149，自基板搬入搬出口148將基板100搬入至腔室202之下部容器202b內。基板100被載置在穿過配置於基板載置台212之貫通孔214而自基板載置台212之表面突出的複數個升降銷207上(例如，參照圖2之基板搬送位置P1)。關閉閘閥149。其後，基板載置台212上升，基板100被載置在基板載置台212之表面上(例如，參照圖2之P2)。接著，基板載置台212在基板處理位置停止，其次，複數個升降銷207移動至貫通孔214內不接觸基板100之位置(例如，參照圖2之P3)。藉此，被構成為，基板載置台212之貫通孔214被複數個升降銷207所阻塞。基板100則成為圖1所記載之狀態。
(膜形成步驟) 將位在基板處理位置之基板100加熱至既定溫度後，對處理室供給含矽氣體與含氧氣體。含矽氣體包含碳成分或硼成分等雜質。作為含矽氣體，例如可使用TEOS氣體。作為含氧氣體，例如可使用氧氣(O 2)。
被供給至處理室之TEOS氣體與O 2氣體交互地反應，而於基板100上形成膜。所形成之含碳SiO 2膜係包含：於TEOS氣體所含之矽及碳成分、及O 2氣體之氧成分的含碳SiO 2膜。再者，亦可使用含有矽成分及硼成分之氣體作為含矽氣體。於此情況下，取代碳成分而形成含硼成分之含硼SiO 2膜。經過既定時間，若於基板100上形成所需膜厚之含碳SiO 2膜，則停止各處理氣體之供給。
(基板搬出步驟) 基板載置台212及複數個升降銷207被移動至圖2之基板搬送位置P1，而基板100被載置在自基板載置台212表面突出之複數個升降銷207上。其次，開啟基板處理裝置200之閘閥149，自基板搬入搬出口148將腔室202內之基板100朝腔室202外部搬出。其後，關閉閘閥149，而結束基板處理步驟。被搬出之基板100朝下一處理步驟搬送。
(其他變形例) 圖6係對本發明之第三變形例的基板載置台與升降銷之狀態進行說明的圖。圖2~圖4之實施形態中，第一變形例及第二變形例係將基板載置台212及軸217的升降機構218與升降銷207的升降機構318個別地設置之情形時基板處理裝置200的構成例。圖6所示之第三變形例中，基板載置台212具有可上下移動之驅動系統即升降機構218，但升降銷207沒有可上下移動之驅動系統，而是成為與基板載置台212之動作連動之上下移動的構造。
如圖6所示，於腔室202之下側設置有：支撐構件701，其自下側(背側)支撐安裝有升降銷207之支撐板316；及支撐構件700，其安裝有支撐構件701，並且被安裝在腔室202之下側。於支撐構件701設置有開口部，而構成為可由升降機構218之上側邊而對支撐板316之背側(下側邊)加以支撐。
在基板搬送位置P1之狀態中，基板載置台212下降至基板搬送位置(P1)。於此狀態時為，支撐板316之下側被支撐在支撐構件701上表面的狀態，升降銷207之上端部貫通基板載置台212之貫通孔214，而自基板載置面211之上表面突出。藉此，被構成為，升降銷207之上端部可自下方支撐基板100之背面。於接收基板100後，基板載置台212藉由升降機構218之控制而朝基板處理位置P3上升。亦即，於基板載置台212在基板搬送位置P1的狀態中，進行如下步驟：將基板100載置在穿過配置於基板載置台212之貫通孔214而自基板載置台212之表面突出的複數個升降銷207上的步驟。
其次，在過渡狀態P2中，升降機構218使基板載置台212及軸217上升，而使基板載置台212位在基板處理位置P3，但當基板載置台212上升至一定程度以上時，升降銷207連動而上升。亦即，支撐升降銷207之支撐板316的下側邊係被升降機構218的上側邊支撐而被抬起，因此，升降銷207與基板載置台212之上升連動而上升。此外，升降銷207之前端部移動至在基板載置台212之貫通孔214內不接觸基板100背面之位置，而被構成為，由複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214。亦即，在該狀態下，其實施如下步驟：基板載置台212上升，而將基板100載置在基板載置台212之表面上的步驟；及於將基板100載置在基板載置台212之基板載置面211之表面上的步驟中，保持複數個升降銷207不接觸於基板載置台212與基板100之狀態，而與基板載置台212一起上升的步驟。
其次，在基板處理位置P3之狀態中，基板載置台212在基板處理位置P3停止。升降銷207之位置藉由升降機構318而上升，升降銷207之前端部係被維持為在基板載置台212之貫通孔214內不接觸基板100背面之位置，其被構成為，複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214之狀態。亦即，在該狀態下，實施基板載置台在基板處理位置停止的步驟。
在圖6中，與圖3、圖4同樣地，使升降銷207與基板載置台212連動而移動，因此，貫通孔214不會成為開口狀態。因此，即便為基板載置台212在移動中，基板100的背面與基板載置台212之基板載置面211的表面之狀態成為固定，而不易產生溫度變化。因此，在基板處理位置P3之狀態中，被構成為，因複數個升降銷207阻塞基板載置台212之貫通孔214，因此可防止因穿過貫通孔之成膜氣體而導致在基板100背面成膜之情形、及在基板載置台212之基板載置面211的表面成膜之情形。此外，藉此亦可防止散熱量之變化，而可抑制溫度分布的惡化。
以上，已根據實施例對本發明人等所完成之技術具體地進行說明，但本發明並不限定於上述實施形態及實施例，當然其可進行各種變更。
100:基板 148:基板搬入搬出口 149:閘閥 200:基板處理裝置 202:腔室(容器) 202a:上部容器 202b:下部容器 205:處理空間 206:搬送空間 207:升降銷 208:分隔板 210:基板載置部 211:基板載置面 212:基板載置台 213:加熱器 214:貫通孔 215:孔 216、316:支撐板 217:軸 218、318:升降機構 219:波紋管 220:溫度控制部 230:淋氣頭 231:蓋 232:凸緣 233:定位部 234:緩衝空間 242:共通氣體供給管 243:第一氣體供給系統(第一處理氣體供給系統) 243a:第一氣體供給管 243b:第一氣體供給源 243c、245c、247c、249c:質量流量控制器(MFC) 243d、245d、247d、249d、261b: 閥 243e:遠端電漿單元(RPU) 245a:含氫氣體供給管 245b:含氫氣體供給源 247:第二氣體供給系統(第二處理氣體供給系統) 247a:第二氣體供給管 247b:第二氣體供給源 249:第三氣體供給系統 249a:第三氣體供給管 249b:第三氣體源(惰性氣體源) 261:排氣部 261a:排氣管 261c:APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器) 261d:第一壓力檢測部 270:上位裝置 278:DP(乾式泵) 280:控制器 280a:運算部 280b:暫時記憶部 280c:記憶部 280d、283:發送接收部 281:輸入輸出裝置 282:外部記憶裝置 700、701:支撐構件
圖1係本發明之實施形態中合適使用之基板處理裝置的斜透視圖。 圖2係對本發明之實施形態的基板載置台與升降銷之狀態進行說明的圖。 圖3係對本發明之第一變形例的基板載置台與升降銷之狀態進行說明的圖。 圖4係對本發明之第二變形例的基板載置台與升降銷之狀態進行說明的圖。 圖5係表示本發明之實施形態中合適使用之基板處理裝置的控制器之概略構成的方塊圖。 圖6係對本發明之第三變形例的基板載置台與升降銷之狀態進行說明的圖。
100:基板
148:基板搬入搬出口
149:閘閥
200:基板處理裝置
202:腔室(容器)
202a:上部容器
202b:下部容器
205:處理空間
206:搬送空間
207:升降銷
208:分隔板
210:基板載置部
211:基板載置面
212:基板載置台
213:加熱器
214:貫通孔
215:孔
216、316:支撐板
217:軸
218、318:升降機構
219:波紋管
220:溫度控制部
230:淋氣頭
231:蓋
232:凸緣
233:定位部
234:緩衝空間
242:共通氣體供給管
243:第一氣體供給系統(第一處理氣體供給系統)
243a:第一氣體供給管
243b:第一氣體供給源
243c、245c、247c、249c:質量流量控制器(MFC)
243d、245d、247d、249d、261b:閥
243e:遠端電漿單元(RPU)
245a:含氫氣體供給管
245b:含氫氣體供給源
247:第二氣體供給系統(第二處理氣體供給系統)
247a:第二氣體供給管
247b:第二氣體供給源
249:第三氣體供給系統
249a:第三氣體供給管
249b:第三氣體源(惰性氣體源)
261:排氣部
261a:排氣管
261c:APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)
261d:第一壓力檢測部
278:DP(乾式泵)
280:控制器

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有： 基板載置台； 貫通孔，其配置於上述基板載置台； 複數個升降銷； 升降機構，其可使上述基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上進行上下移動；及 控制部，其構成為，可控制上述升降機構以進行如下處理： a) 使基板載置在穿過上述貫通孔而自上述基板載置台之表面突出的上述複數個升降銷上的處理； b) 使上述基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上移動，而使上述基板載置在上述基板載置台之上述表面上的處理； c) 使上述基板載置台在基板處理位置停止的處理；及 d) 使上述複數個升降銷移動至在上述貫通孔內不接觸於上述基板之位置的處理。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述控制部被構成為，其可控制上述升降機構使其於c)於b)之後進行。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述控制部被構成為，其可控制上述升降機構： 於b)中，保持著不使上述複數個升降銷接觸於上述基板載置台與上述基板之狀態，而進行使其與上述基板載置台一起地上升的處理。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述升降機構包含可使上述基板載置台上下移動的第一升降機構與可使上述複數個升降銷上下移動的第二升降機構。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 上述升降機構包含可使上述基板載置台個別地上下移動的第一升降機構與可使上述複數個升降銷個別地上下移動的第二升降機構。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 上述升降機構包含可使上述基板載置台上下移動的驅動系統，且不包含可使上述複數個升降銷上下移動的驅動系統， 上述複數個升降銷具有與上述基板載置台之動作連動的構造。
  7. 一種基板處理方法，其具有如下步驟： a) 使基板載置在穿過配置於基板載置台之貫通孔而自上述基板載置台之表面突出的複數個升降銷上的步驟； b) 使上述基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上移動，而將上述基板載置在上述基板載置台之上述表面上的步驟； c) 使上述基板載置台在基板處理位置停止的步驟；及 d) 使上述複數個升降銷移動至在上述貫通孔內不接觸於上述基板之位置的步驟。
  8. 如請求項7之基板處理方法，其中， c)係於b)之後進行。
  9. 如請求項7之基板處理方法，其具有： 於b)中，保持著不使上述複數個升降銷接觸於上述基板載置台與上述基板之狀態，而使其與上述基板載置台一起地上升的步驟。
  10. 一種電腦可讀取之記錄媒體所記錄之程式，其藉由電腦而使基板處理裝置執行如下程序： e) 使基板載置在穿過配置於基板處理裝置的基板載置台之貫通孔而自上述基板載置台之表面突出的複數個升降銷上的程序； f)  使上述基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上移動，而將上述基板載置在上述基板載置台之上述表面上的程序； g) 使上述基板載置台在基板處理位置停止的程序；及 h) 使上述複數個升降銷移動至在上述貫通孔內不接觸於上述基板之位置的程序。
  11. 如請求項10之電腦可讀取之記錄媒體所記錄之程式，其中， c)係於b)之後進行。
  12. 如請求項10之電腦可讀取之記錄媒體所記錄之程式，其具有： 於b)中，保持著不使上述複數個升降銷接觸於上述基板載置台與上述基板之狀態，而使其與上述基板載置台一起地上升的程序。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其具有如下步驟： a) 使基板載置在穿過配置於基板載置台之貫通孔而自上述基板載置台之表面突出的複數個升降銷上的步驟； b) 使上述基板載置台與上述複數個升降銷之至少一者以上移動，而將上述基板載置在上述基板載置台之上述表面上的步驟； c) 使上述基板載置台在基板處理位置停止的步驟；及 d) 使上述複數個升降銷移動至在上述貫通孔內不接觸於上述基板之位置的步驟。
  14. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中， c)係於b)之後進行。
  15. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其具有： 於b)中，保持著不使上述複數個升降銷接觸於上述基板載置台與上述基板之狀態，而使其與上述基板載置台一起地上升的步驟。
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