JP2023032647A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】貫通孔を通じた成膜ガスの拡散を防止することができる技術を提供することにある。【解決手段】ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、ｂ）基板載置台を上昇させ、基板を基板載置台の表面の上に載置させる工程と、ｃ）上記ｂ）の後、基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、ｄ）複数のリフトピンを貫通孔内で基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する技術が提供される。【選択図】図１
Description
本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板処理では、例えば、特許文献１に記載のような基板処理装置（半導体製造装置とも言う）が使用されている。この種の基板処理装置では、基板載置台（サセプタとも言う）を基板搬送位置まで下降させた時には、リフトピンの上端部が基板載置面の上面から突出して、リフトピンが基板を下方から支持するようになっている。また、基板載置台を基板処理位置まで上昇させたときには、リフトピンは基板載置面の上面から埋没して、基板載置面が基板を下方から支持するようになっている。
基板の受け渡し時に基板載置台から基板を持ち上げるためのリフトピンが上下するための貫通孔が基板載置台には存在することがある。この貫通孔に起因する課題として、貫通孔を通じた成膜ガスによる基板裏面と基板載置の上面（表面）への成膜によって放熱量が変化し、温度分布が悪化することがある。
本開示の課題は、貫通孔を通じた成膜ガスの拡散を防止することができる技術を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、一実施の形態によれば、
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）基板載置台を上昇させ、基板を基板載置台の表面の上に載置させる工程と、
ｃ）上記ｂ）の後、基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
ｄ）複数のリフトピンを貫通孔内で基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する技術が提供される。
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）基板載置台を上昇させ、基板を基板載置台の表面の上に載置させる工程と、
ｃ）上記ｂ）の後、基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
ｄ）複数のリフトピンを貫通孔内で基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する技術が提供される。
本開示技術によれば、貫通孔を通じた成膜ガスの拡散を防止することができる。
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
（実施態様）
（１）基板処理装置の概要
本実施形態で説明する基板処理装置は、半導体装置の製造工程で用いられるもので、処理対象となる基板を処理室に収容した状態で当該基板をヒータなどにより加熱して処理を施すものである。基板処理装置が処理対象とする基板としては、例えば、半導体装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という。）が挙げられる。また、基板処理装置が行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）反応による成膜処理等が挙げられる。
（１）基板処理装置の概要
本実施形態で説明する基板処理装置は、半導体装置の製造工程で用いられるもので、処理対象となる基板を処理室に収容した状態で当該基板をヒータなどにより加熱して処理を施すものである。基板処理装置が処理対象とする基板としては、例えば、半導体装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という。）が挙げられる。また、基板処理装置が行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）反応による成膜処理等が挙げられる。
（２）基板処理装置の概略構成
次に、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成例について、図１を用いて説明する。図１は、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の斜透視図である。
次に、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成例について、図１を用いて説明する。図１は、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の斜透視図である。
（装置全体）
基板処理装置２００はチャンバ２０２を有する。チャンバ２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、チャンバ２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。チャンバ２０２内には、基板としてのシリコン基板等の基板１００を処理する処理空間２０５と、基板１００を処理空間２０５に搬送する際に基板１００が通過する搬送空間２０６とが形成されている。チャンバ２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０８が設けられる。
基板処理装置２００はチャンバ２０２を有する。チャンバ２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、チャンバ２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。チャンバ２０２内には、基板としてのシリコン基板等の基板１００を処理する処理空間２０５と、基板１００を処理空間２０５に搬送する際に基板１００が通過する搬送空間２０６とが形成されている。チャンバ２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０８が設けられる。
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、基板１００は基板搬入出口１４８を介して図示しない真空搬送室との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部側には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。
処理空間２０５を構成する処理室は、例えば後述する基板載置台(サセプタ)２１２とシャワーヘッド２３０で構成される。処理空間２０５内には、基板１００が載置される基板載置部２１０が設けられている。基板載置部２１０は、基板１００を載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２、基板載置台２１２に内包された加熱源としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。ヒータ２１３には、ヒータ２１３の温度を制御する温度制御部２２０が接続される。
基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７の支持部はチャンバ２０２の底壁に設けられた穴２１５を貫通しており、更には支持板２１６を介してチャンバ２０２の外部で駆動系である第１の昇降機構としての昇降機構２１８に接続されている。昇降機構２１８を作動させてシャフト２１７及び基板載置台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板１００を昇降させることが可能となっている。尚、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われている。チャンバ２０２内は気密に保持されている。
基板載置台２１２は、基板１００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８に対向する位置（基板搬送位置と言う）まで下降し、基板１００の処理時には、図１で示されるように、基板１００が処理空間２０５内の基板処理位置となるまで上昇する。
リフトピン２０７は、支持板３１６を介してチャンバ２０２の外部で駆動系である第２の昇降機構としての昇降機構３１８に接続されている。昇降機構３１８を作動させてリフトピン２０７を昇降させることにより、リフトピン２０７の先端部を基板載置面２１１の上面から突出させて、リフトピン２０７の先端部で基板１００を下方から支持するように構成させることが可能となっている。また、昇降機構３１８を作動させて、リフトピン２０７の先端部を貫通孔２１４の内部に埋没させて、リフトピン２０７の先端部で貫通孔２１４を塞ぐように構成させることが可能となっている。
具体的には、基板載置台２１２を基板搬送位置（Ｐ１）まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板１００を下方から支持するようになっている。また、図1に示すように、基板載置台２１２を基板処理位置（Ｐ３）まで上昇させたときには、リフトピン２０７の先端部は、基板載置台２１２の貫通孔２１４で基板１００に触れない位置に移動して、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成される。つまり、リフトピン２０７の先端部は基板載置面２１１の上面から貫通孔２１４の内部に埋没して、基板載置面２１１が基板１００の裏面を下方から支持するようになっている。
次に、図２～図４を用いて、本開示の実施形態に係る基板載置台２１２とリフトピン２０７の状態を、基板載置台２１２の基板搬送位置Ｐ１と、基板載置台２１２の基板処理位置Ｐ３と、基板搬送位置Ｐ１から基板処理位置Ｐ３へ移行する途中の基板載置台２１２の過渡状態Ｐ２の３つ状態について説明する。図２は、本開示の実施形態に係る基板載置台とリフトピンとの状態を説明する図である。図３は、本開示の第1変形例に係る基板載置台とリフトピンとの状態を説明する図である。図４は、本開示の第２変形例に係る基板載置台とリフトピンとの状態を説明する図である。なお、図２～図４では、基板載置台２１２およびシャフト２１７の昇降機構２１８とリフトピン２０７の昇降機構３１８とを個別に設けた場合の基板処理装置２００の構成例である。
図２は、基板載置台２１２が上下動する構造で、リフトピン２０７が貫通孔２１４内で留まる構造である。図２に示すように、基板搬送位置Ｐ１の状態では、基板載置台２１２が基板搬送位置（Ｐ１）まで下降される。この状態の時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置台２１２の貫通孔２１４を貫通して、基板載置面２１１の上面から突出するように、リフトピン２０７の位置が昇降機構３１８により制御される。これにより、リフトピン２０７の上端部が基板１００の裏面を下方から支持することが可能に構成されている。基板１００の受け取り後、基板載置台２１２は昇降機構２１８の制御により基板処理位置Ｐ３へ上昇していく。つまり、基板載置台２１２の基板搬送位置Ｐ１の状態において、基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程が行われる。
次に、基板搬送位置Ｐ１から基板処理位置Ｐ３へ移行する途中の基板載置台２１２の過渡状態Ｐ２では、昇降機構２１８が基板載置台２１２およびシャフト２１７を上昇させて、基板載置台２１２を基板処理位置Ｐ３に位置させる。リフトピン２０７は上昇しないので、基板載置台２１２の貫通孔２１４は、開口されている状態である。つまり、この状態では、基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の上に載置する工程と基板載置台２１２が基板処理位置Ｐ３で停止する工程とが行われる。
次に、基板処理位置Ｐ３の状態では、基板載置台２１２が基板処理位置Ｐ３を維持しており、リフトピン２０７の位置が昇降機構３１８により上昇して、リフトピン２０７の先端部が基板載置台２１２の貫通孔２１４で基板１００の裏面に触れない位置に移動して、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成される。つまり、この状態では、複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００の裏面に触れない位置に移動する工程が行われる。
図２では、基板載置台２１２とリフトピン２０７は個別に上下動可能な昇降機構２１８，３１８を有する。これにより、基板載置台２１２とリフトピン２０７を個別に移動可能なので、任意の位置でリフトピン２０７を用いた貫通孔２１４の塞ぎが可能となる。その結果、成膜プロセス（圧力や流量など）に応じた、貫通孔対策を実施できる。
図３は、基板載置台２１２が上下動する構造で、リフトピン２０７は基板載置台２１２と基板１００に接しない状態で基板載置台２１２と一緒に上方移動する構成例である。図３が図２と異なる点は、図３の基板載置台２１２の過渡状態Ｐ２において、基板載置台２１２が昇降機構２１８により上昇中に、リフトピン２０７も昇降機構３１８により上昇する点である。過渡状態Ｐ２では、リフトピン２０７が基板１００と基板載置台２１２に接触しない状態で上昇するように、リフトピン２０７の位置が昇降機構２１８により制御される。図３の基板搬送位置Ｐ１の状態と基板処理位置Ｐ３の状態は、図２の基板搬送位置Ｐ１の状態と基板処理位置Ｐ３の状態と同じなので、重複する説明は省略する。
つまり、基板載置台２１２が昇降機構２１８により上昇し、基板１００を基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の上に載置する工程と、基板１００を基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の上に載置する工程中に、複数のリフトピン２０７が基板載置台２１２と基板１００とに触れない状態を保ったまま、基板載置台２１２とともに上昇する工程とが実施される。図３の場合では、基板処理位置Ｐ３の状態は、基板載置台２１２が基板処理位置Ｐ３で停止する工程と見なすことができる。
図３では、基板載置台２１２に連動してリフトピン２０７を移動させるため、貫通孔２１４が開口した状態にならない。そのため、基板載置台２１２の移動中でも、基板１００の裏面と基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の状態が一定となり、温度変化が発生しにくい。
図４も、図３同様に、基板載置台２１２が上下動する構造で、リフトピン２０７は基板載置台２１２と基板１００に接しない状態で基板載置台２１２と一緒に上方移動する構成例である。図４が図３と異なる点は、図４の過渡状態Ｐ２において、基板載置台２１２が昇降機構２１８により上昇中に、リフトピン２０７も昇降機構３１８により上昇する点である。つまり、過渡状態Ｐ２では、昇降機構２１８と昇降機構３１８とが並行して動作する。図４の他の構成は、図３と同じであるので、重複する説明は省略する。
図４では、図３の効果と同様な効果を得ることができる。また、成膜プロセス(圧力や流量など)に応じた、貫通孔２１４の対策を実施できる。
図２～図４の説明は、以下のように纏めることができる。
（１）図２で説明したように、以下の工程が実施される。
ａ）基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程、
ｂ）基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の表面の上に載置する工程、
ｃ）上記ｂ）工程の後、基板載置台２１２が基板処理位置で停止する工程、
ｄ）複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００に触れない位置に移動する工程。
これにより、基板処理装置２００は、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐ機能を有する。
ａ）基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程、
ｂ）基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の表面の上に載置する工程、
ｃ）上記ｂ）工程の後、基板載置台２１２が基板処理位置で停止する工程、
ｄ）複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００に触れない位置に移動する工程。
これにより、基板処理装置２００は、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐ機能を有する。
（２）図３、図４で説明したように、以下の工程が実施される。
ａ１）基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程、
ｂ１）基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の表面の上に載置する工程、
ｃ１）上記ｂ１）工程中に、複数のリフトピン２０７が基板載置台２１２と基板１００とに触れない状態を保ったまま、基板載置台２１２とともに上昇する工程、
ｄ１）基板載置台２１２が基板処理位置で停止する工程。
これにより、基板処理装置２００は、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐ機能を有する。
ａ１）基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程、
ｂ１）基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の表面の上に載置する工程、
ｃ１）上記ｂ１）工程中に、複数のリフトピン２０７が基板載置台２１２と基板１００とに触れない状態を保ったまま、基板載置台２１２とともに上昇する工程、
ｄ１）基板載置台２１２が基板処理位置で停止する工程。
これにより、基板処理装置２００は、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐ機能を有する。
図２～図４で説明したように、基板処理位置Ｐ３の状態では、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成されるので、貫通孔を通じた成膜ガスによる基板１００の裏面への成膜と基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面への成膜とが防止できる。また、これにより、放熱量の変化が防止でき、温度分布の悪化を抑制することができる。
図１に戻って、基板処理装置２００の他の構成を説明する。
処理空間２０５の上部（上流側）には、シャワーヘッド２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０は、蓋２３１を有する。蓋２３１はフランジ２３２を有し、フランジ２３２は上部容器２０２ａ上に支持される。更に、蓋２３１は位置決め部２３３を有する。位置決め部２３３が上部容器２０２ａに嵌合されることで、蓋２３１が固定される。
シャワーヘッド２３０は、バッファ空間２３４を有する。バッファ空間２３４は、蓋２３１と位置決め部２３２で構成される空間をいう。バッファ空間２３４と処理空間２０５は連通している。バッファ空間２３４に供給されたガスはバッファ空間内２３２で拡散し、処理空間２０５に均一に供給される。ここではバッファ空間２３４と処理空間２０５を別の構成として説明したが、それに限るものではなく、バッファ空間２３４を処理空間２０５に含めてもよい。
処理空間２０５は、主に上部容器２０２ａ、基板処理ポジションにおける基板載置台２１２の上部構造で構成される。処理空間２０５を構成する構造を処理室と呼ぶ。尚、処理室は処理空間２０５を構成する構造であればよく、上記構造にとらわれないことは言うまでもない。
搬送空間２０６は、主に下部容器２０２ｂ、基板処理ポジションにおける基板載置台２１２の下部構造で構成される。搬送空間２０６を構成する構造を搬送室と呼ぶ。搬送室は処理室の下方に配される。尚、搬送室は搬送空間２０５を構成する構造であればよく、上記構造にとらわれないことは言うまでもない。
（ガス供給部）
続いてガス供給部を説明する。共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａ、第二ガス供給管２４７ａ、第三ガス供給管２４９ａが接続されている。
続いてガス供給部を説明する。共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａ、第二ガス供給管２４７ａ、第三ガス供給管２４９ａが接続されている。
第一ガス供給管２４３ａを含む第一ガス供給系２４３からは第一処理ガスが主に供給され、第二ガス供給管２４７ａを含む第二ガス供給系２４７からは主に第二処理ガスが供給され、第三ガス供給管２４９ａを含む第三ガス供給系２４９からは主に不活性ガスが供給される。
（第一ガス供給系）
第一ガス供給管２４３ａの上流には、上流方向から順に、第一ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。第一処理ガスをプラズマ状態とするには、バルブ２４４ｄの下流にプラズマ生成部としてのリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）２４３ｅを設ける。
第一ガス供給管２４３ａの上流には、上流方向から順に、第一ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。第一処理ガスをプラズマ状態とするには、バルブ２４４ｄの下流にプラズマ生成部としてのリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）２４３ｅを設ける。
そして、第一ガス供給管２４３ａからは、第一ガスが、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。第一処理ガスはＲＰＵ２４３ｅによりプラズマ状態とされる。
第一処理ガスは処理ガスの一つであり、酸素含有ガスである。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガスが用いられる。
主に、第一ガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３、ＲＰＵ２４３ｅにより、第一処理ガス供給系２４３が構成される。尚、第一処理ガス供給系２４３は、第二ガス供給源２４７ｂ、後述する水素含有ガス供給系を含めて考えてもよい。
第一ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、水素含有ガス供給管２４５ａの下流端が接続されている。水素含有ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、水素含有ガス供給源２４５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４５ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４５ｄが設けられている。そして、水素含有ガス供給管２４５ａからは、水素含有ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、第一ガス供給管２４３ａ、ＲＰＵ２４３ｅを介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。
水素含有ガスは、例えば、水素（Ｈ２）ガスや水（Ｈ２Ｏ）ガスを用いることができる。 主に、水素含有ガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃ、及びバルブ２４５ｄにより、水素含有ガス供給系が構成される。尚、水素含有ガス供給系は、水素含有ガス供給源２４５ｂ、第一ガス供給管２４３ａ、ＲＰＵ２４３ｅを含めて考えてもよい。また、水素含有ガス供給系は、第一ガス供給系２４３に含めて考えてもよい。
（第二ガス供給系）
第二ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、第二ガス供給源２４７ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４７ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４７ｄが設けられている。
第二ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、第二ガス供給源２４７ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４７ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４７ｄが設けられている。
第二ガス供給管２４７ａから、第二元素を含有するガス（以下、「第二処理ガス」）が、マスフローコントローラ２４７ｃ、バルブ２４７ｄ、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３０に供給される。
第二処理ガスは、例えばシリコン（Ｓｉ）を含む処理ガスである。すなわち、第二処理ガスは、例えばシリコン含有ガスである。シリコン含有ガスとして、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガス、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）ガス等のシラン系ガスが用いられる。また、炭素成分やボロン成分等の不純物を含むシリコン含有ガスとして、例えばオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４。ＴＥＯＳとも呼ぶ。）ガス等が用いられる。
主に、第二ガス供給管２４７ａ、マスフローコントローラ２４７ｃ、バルブ２４７ｄにより、第二処理ガス供給系２４７（シリコン含有ガス供給系ともいう）が構成される。
（第三ガス供給系）
第三ガス供給管２４９ａには、上流方向から順に、第三ガス源２４９ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４９ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４９ｄが設けられている。
第三ガス供給管２４９ａには、上流方向から順に、第三ガス源２４９ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４９ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４９ｄが設けられている。
第三ガス源２４９ｂは不活性ガス源である。不活性ガスは、例えば窒素（Ｎ２）ガスである。
主に、第三ガス供給管２４９ａ、マスフローコントローラ２４９ｃ、バルブ２４９ｄにより、第三ガス供給系２４９が構成される。
不活性ガス源２４９ｂから供給される不活性ガスは、基板処理工程では、容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。
（排気部）
チャンバ２０２の雰囲気を排気する排気部は、処理空間２０５の雰囲気を排気する排気部２６１で主に構成される。
チャンバ２０２の雰囲気を排気する排気部は、処理空間２０５の雰囲気を排気する排気部２６１で主に構成される。
排気部２６１は、処理空間２０５に接続される排気管２６１ａを有する。排気管２６１ａは、処理空間２０５に連通するよう設けられる。排気管２６１ａには、処理空間２０５内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２６１ｃ、処理空間２０５の圧力を計測する第一の圧力検出部２６１ｄが設けられる。ＡＰＣ２６１ｃは開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、後述するコントローラ２８０からの指示に応じて排気管２６１ａのコンダクタンスを調整する。また、排気管２６１ａにおいてＡＰＣ２６１ｃの上流側にはバルブ２６１ｂが設けられる。排気管２６１とバルブ２６１ｂ、ＡＰＣ２６１ｃ、圧力検出部２６１ｄをまとめて処理室排気部２６１と呼ぶ。
排気管２６１ａの下流側には、ＤＰ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ。ドライポンプ）２７８が設けられる。ＤＰ２７８は、排気管２６１ａを介して、処理空間２０５の雰囲気を排気する。
（コントローラ）
次に、図５を用いて、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ２８０について説明する。図５は、本開示の実施形態に係る基板処理装置のコントローラを説明する図である。
次に、図５を用いて、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ２８０について説明する。図５は、本開示の実施形態に係る基板処理装置のコントローラを説明する図である。
基板処理装置２００は、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ２８０を有している。コントローラ２８０は、図５に記載のように、演算部（ＣＰＵ）２８０ａ、一時記憶部２８０ｂ、記憶部２８０ｃ、送受信部２８０ｄを少なくとも有する。コントローラ２８０は、送受信部２８０ｄを介して基板処理装置２００の各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部２８０ｃからプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。基板処理装置２００の各構成には、昇降機構２１８，３１８が含まれる。コントローラ２８０は、図２～図４の説明において記載する各工程（工程a)～工程ｄ）、工程a１)～工程ｄ１）)を実施するための手順が記載されたプログラムを実施することで、昇降機構２１８，３１８の動作を制御することができるように構成されている。
尚、コントローラ２８０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ Ｆｌａｓｈ Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）２８２を用意し、外部記憶装置２８２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ２８０を構成することができる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２８２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置２７０から送受信部２８３を介して情報を受信し、外部記憶装置２８２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、キーボードやタッチパネル等の入出力装置２８１を用いて、コントローラ２８０に指示をしても良い。
尚、記憶部２８０ｃや外部記憶装置２８２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。尚、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部２８０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２８２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
（基板処理工程）
次に、半導体製造工程の一工程を説明する。ここでは、基板１００上に炭素含有ＳｉＯ２膜を形成する膜形成工程を説明する。なお、以下では代表例として図２で説明した工程を用いて説明するが、図３、図４で説明した工程を利用することもできる。また、後述する他の変形例（図６）の構成とされても、もちろん良い。
次に、半導体製造工程の一工程を説明する。ここでは、基板１００上に炭素含有ＳｉＯ２膜を形成する膜形成工程を説明する。なお、以下では代表例として図２で説明した工程を用いて説明するが、図３、図４で説明した工程を利用することもできる。また、後述する他の変形例（図６）の構成とされても、もちろん良い。
（基板搬入工程）
図1の基板処理装置２００において、ゲートバルブ１４９を開いて、基板搬入出口１４８からチャンバ２０２の下部容器２０２ｂ内の基板１００を搬入する。基板１００は、基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される(例えば、図２の基板搬送位置Ｐ１参照）。ゲートバルブ１４９が閉じられる。その後、基板載置台２１２が上昇し、基板１００が基板載置台２１２の表面の上に載置される(例えば、図２のＰ２参照）。そして、基板載置台２１２が基板処理位置で停止し、次に、複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００に触れない位置に移動される(例えば、図２のＰ３参照）。これにより、基板載置台２１２の貫通孔２１４が複数のリフトピン２０７で塞がれるように構成されている。基板１００は図１に記載されている状態とされている。
図1の基板処理装置２００において、ゲートバルブ１４９を開いて、基板搬入出口１４８からチャンバ２０２の下部容器２０２ｂ内の基板１００を搬入する。基板１００は、基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される(例えば、図２の基板搬送位置Ｐ１参照）。ゲートバルブ１４９が閉じられる。その後、基板載置台２１２が上昇し、基板１００が基板載置台２１２の表面の上に載置される(例えば、図２のＰ２参照）。そして、基板載置台２１２が基板処理位置で停止し、次に、複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００に触れない位置に移動される(例えば、図２のＰ３参照）。これにより、基板載置台２１２の貫通孔２１４が複数のリフトピン２０７で塞がれるように構成されている。基板１００は図１に記載されている状態とされている。
（膜形成工程）
基板処理位置にある基板１００を所定温度に加熱した後、処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給する。シリコン含有ガスは、炭素成分やボロン成分等の不純物を含む。シリコン含有ガスとして、例えばＴＥＯＳガスが用いられる。酸素含有ガスとして、例えば酸素（Ｏ２）ガスが用いられる。
基板処理位置にある基板１００を所定温度に加熱した後、処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給する。シリコン含有ガスは、炭素成分やボロン成分等の不純物を含む。シリコン含有ガスとして、例えばＴＥＯＳガスが用いられる。酸素含有ガスとして、例えば酸素（Ｏ２）ガスが用いられる。
処理室に供給されたＴＥＯＳガスとＯ２ガスは互いに反応し、基板１００の上に、膜形成が形成される。形成される炭素含有ＳｉＯ２膜は、ＴＥＯＳガスに含まれるシリコンおよび炭素成分と、Ｏ２ガスの酸素成分とを含む、炭素含有ＳｉＯ２膜である。尚、シリコン含有ガスとして、シリコン成分およびボロン成分を含むガスを用いてもよい。この場合、炭素成分の替わりにボロン成分を含むボロン含有ＳｉＯ２膜が形成される。所定時間経過し、所望膜厚の炭素含有ＳｉＯ２膜が基板１００の上に形成されたら、各処理ガスの供給を停止する。
（基板搬出工程）
基板載置台２１２および複数のリフトピン２０７は図２の基板搬送位置Ｐ１に移動し、基板１００が基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される。次に、基板処理装置２００のゲートバルブ１４９が開らかれて、基板搬入出口１４８からチャンバ２０２内の基板１００がチャンバ２０２の外部へ搬出される。その後、ゲートバルブ１４９が閉じられて、基板処理工程が終了する。搬出された基板１００は、次の処理工程へ搬送される。
基板載置台２１２および複数のリフトピン２０７は図２の基板搬送位置Ｐ１に移動し、基板１００が基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される。次に、基板処理装置２００のゲートバルブ１４９が開らかれて、基板搬入出口１４８からチャンバ２０２内の基板１００がチャンバ２０２の外部へ搬出される。その後、ゲートバルブ１４９が閉じられて、基板処理工程が終了する。搬出された基板１００は、次の処理工程へ搬送される。
（他の変形例）
図６は本開示の第３変形例に係る基板載置台とリフトピンと状態を説明する図である。図２～図４の実施態様、第１変形例および第２変形例は、基板載置台２１２およびシャフト２１７の昇降機構２１８とリフトピン２０７の昇降機構３１８とを個別に設けた場合の基板処理装置２００の構成例である。図６に示す第３変形例では、基板載置台２１２は上下動可能な駆動系である昇降機構２１８を有するが、リフトピン２０７は上下動可能な駆動系がなく、基板載置台２１２の動きに連動する上下動する構造とされている。
図６は本開示の第３変形例に係る基板載置台とリフトピンと状態を説明する図である。図２～図４の実施態様、第１変形例および第２変形例は、基板載置台２１２およびシャフト２１７の昇降機構２１８とリフトピン２０７の昇降機構３１８とを個別に設けた場合の基板処理装置２００の構成例である。図６に示す第３変形例では、基板載置台２１２は上下動可能な駆動系である昇降機構２１８を有するが、リフトピン２０７は上下動可能な駆動系がなく、基板載置台２１２の動きに連動する上下動する構造とされている。
図６に示すように、チャンバ２０２の下側には、リフトピン２０７が取り付けられた支持板３１６を下側（裏側）から支える支持部材７０１と、支持部材７０１が取り付けるとともにチャンバ２０２の下側に取り付けられた支持部材７００が設けられている。支持部材７０１には開口部が設けられており、支持板３１６の裏側（下側辺）を昇降機構２１８の上側辺で支持することが可能に構成されている。
基板搬送位置Ｐ１の状態では、基板載置台２１２が基板搬送位置（Ｐ１）まで下降される。この状態の時には、支持板３１６の下側が支持部材７０１の上面に支えられた状態であり、リフトピン２０７の上端部が基板載置台２１２の貫通孔２１４を貫通して、基板載置面２１１の上面から突出するようになっている。これにより、リフトピン２０７の上端部が基板１００の裏面を下方から支持することが可能に構成されている。基板１００の受け取り後、基板載置台２１２は昇降機構２１８の制御により基板処理位置Ｐ３へ上昇していく。つまり、基板載置台２１２の基板搬送位置Ｐ１の状態において、基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に基板１００を載置する工程が行われる。
次に、過渡状態Ｐ２では、昇降機構２１８が基板載置台２１２およびシャフト２１７を上昇させて、基板載置台２１２を基板処理位置Ｐ３に位置させるが、基板載置台２１２が一定以上に上昇するとリフトピン２０７が連動して上昇する。つまり、リフトピン２０７を支持する支持板３１６の下側辺が昇降機構２１８の上側辺によって支えられて持ち上げられるので、リフトピン２０７が基板載置台２１２の上昇に連動して上昇することになる。また、リフトピン２０７の先端部が基板載置台２１２の貫通孔２１４で基板１００の裏面に触れない位置に移動して、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成される。つまり、この状態では、基板載置台２１２が上昇し、基板１００を基板載置台２１２の表面の上に載置する工程と、基板１００を基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の上に載置する工程中に、複数のリフトピン２０７が基板載置台２１２と基板１００とに触れない状態を保ったまま、基板載置台２１２とともに上昇する工程とが行われる。
次に、基板処理位置Ｐ３の状態では、基板載置台２１２が基板処理位置Ｐ３で停止する。リフトピン２０７の位置が昇降機構３１８により上昇して、リフトピン２０７の先端部は基板載置台２１２の貫通孔２１４で基板１００の裏面に触れない位置を維持しており、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成される。つまり、この状態では、基板載置台が基板処理位置で停止する工程が行われる。
図６では、図３、図４と同様に、基板載置台２１２に連動してリフトピン２０７を移動させるため、貫通孔２１４が開口した状態にならない。そのため、基板載置台２１２の移動中でも、基板１００の裏面と基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面の状態が一定となり、温度変化が発生しにくい。したがって、基板処理位置Ｐ３の状態では、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成されるので、貫通孔を通じた成膜ガスによる基板１００の裏面への成膜と基板載置台２１２の基板載置面２１１の表面への成膜とが防止できる。また、これにより、放熱量の変化が防止でき、温度分布の悪化を抑制することができる。
以上、本開示者によってなされた技術を実施例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
＜本開示の好ましい態様＞
以下、好ましい態様について付記する。
以下、好ましい態様について付記する。
（付記１）
基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
(付記２）
(付記１）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を上下動可能な第１の昇降機構と前記複数のリフトピンを上下動可能な第２の昇降機構とを含む、基板処理装置。
(付記１）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を上下動可能な第１の昇降機構と前記複数のリフトピンを上下動可能な第２の昇降機構とを含む、基板処理装置。
(付記３）
基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる処理と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる処理と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
(付記４）
(付記３）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を個別に上下動可能な第１の昇降機構と前記複数のリフトピンを個別に上下動可能な第２の昇降機構とを含む、基板処理装置。
(付記３）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を個別に上下動可能な第１の昇降機構と前記複数のリフトピンを個別に上下動可能な第２の昇降機構とを含む、基板処理装置。
(付記５）
(付記３）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を上下動可能な駆動系を含むとともに、前記複数のリフトピンを上下動可能な駆動系を含まず、
前記複数のリフトピンは、前記基板載置台の動きに連動する構造を有している、基板処理装置。
(付記３）において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を上下動可能な駆動系を含むとともに、前記複数のリフトピンを上下動可能な駆動系を含まず、
前記複数のリフトピンは、前記基板載置台の動きに連動する構造を有している、基板処理装置。
(付記６）
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する工程と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する半導体装置の製造方法又は基板処理方法。
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する工程と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する半導体装置の製造方法又は基板処理方法。
(付記７）
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる工程と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる工程と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法又は基板処理方法。
ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる工程と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる工程と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法又は基板処理方法。
(付記８）
ａ）基板処理装置の基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる手順と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する手順と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる手順と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる手順と、を有する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムまたはプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体。
ａ）基板処理装置の基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる手順と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する手順と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる手順と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる手順と、を有する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムまたはプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体。
(付記９）
ａ）基板処理装置の基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる手順と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる手順と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる手順と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる手順と、
を有する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムまたはプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体。
ａ）基板処理装置の基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる手順と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる手順と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる手順と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる手順と、
を有する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムまたはプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体。
１００：基板
２００：基板処理装置
２０２：チャンバ
２０７：リフトピン
２１２：基板載置台
２１４：貫通孔
２１８、３１８：昇降機構
２００：基板処理装置
２０２：チャンバ
２０７：リフトピン
２１２：基板載置台
２１４：貫通孔
２１８、３１８：昇降機構
Claims (5)
- 基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 請求項１において、
前記昇降機構は、前記基板載置台を上下動可能な第１の昇降機構と前記複数のリフトピンを上下動可能な第２の昇降機構とを含む、基板処理装置。 - 基板載置台と、
前記基板載置台に配置された貫通孔と、
複数のリフトピンと、
前記基板載置台と前記複数のリフトピンを上下動可能な昇降機構と、
ａ）前記貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した前記複数のリフトピンの上に基板を載置させる処理と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置させる処理と、
ｃ）前記ｂ）中に、前記複数のリフトピンを前記基板載置台と前記基板とに触れない状態を保ったまま、前記基板載置台とともに上昇させる処理と、
ｄ）前記基板載置台を基板処理位置で停止させる処理と、を行うように前記昇降機構を制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - ａ）基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる工程と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する工程と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる工程と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - ａ）基板処理装置の基板載置台に配置された貫通孔を通して前記基板載置台の表面から突き出した複数のリフトピンの上に基板を載置させる手順と、
ｂ）前記基板載置台を上昇させ、前記基板を前記基板載置台の前記表面の上に載置する手順と、
ｃ）前記ｂ）の後、前記基板載置台を基板処理位置で停止させる手順と、
ｄ）前記複数のリフトピンを前記貫通孔内で前記基板に触れない位置に移動させる手順と、を有する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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