JP3242281B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP3242281B2 JP3242281B2 JP08069695A JP8069695A JP3242281B2 JP 3242281 B2 JP3242281 B2 JP 3242281B2 JP 08069695 A JP08069695 A JP 08069695A JP 8069695 A JP8069695 A JP 8069695A JP 3242281 B2 JP3242281 B2 JP 3242281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat
- substrate
- heat treatment
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板である半導体ウエハを酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）、アニールなどの処理を行う
ために、各種の熱処理装置が使用されている。中でも、
多数枚のウエハのバッチ処理が可能な縦型熱処理装置
は、周囲にヒータを配置したホットウォール型の炉内に
熱処理室である縦型の反応管（プロセスチューブ）を設
け、この反応管内に基板支持具であるウエハボートを介
してウエハを水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支
持し、これら多数枚のウエハを同時に熱処理するように
構成されている。
理基板である半導体ウエハを酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）、アニールなどの処理を行う
ために、各種の熱処理装置が使用されている。中でも、
多数枚のウエハのバッチ処理が可能な縦型熱処理装置
は、周囲にヒータを配置したホットウォール型の炉内に
熱処理室である縦型の反応管（プロセスチューブ）を設
け、この反応管内に基板支持具であるウエハボートを介
してウエハを水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支
持し、これら多数枚のウエハを同時に熱処理するように
構成されている。
【０００３】上記熱処理装置においては、ウエハの中央
部よりも周縁部に、より多くの方向からの熱放射が入射
し易いことから、特に急速昇降温を行う場合、ウエハの
中央部と周縁部の温度応答性に顕著な差が生じ易く、面
内温度差により生じる内部応力によってウエハにスリッ
プ（結晶のずれ）が生じる傾向がある。このような問題
を解消するために、従来の熱処理装置においては、上記
ウエハボートに上記ウエハの周縁部下面を面接触で支持
するリング状の支持板を設け（このようにリング状の支
持板を設けたウエハボートをリングボートという）、こ
の支持板の熱容量によりウエハの周縁部の温度応答性を
抑制し、ウエハの中央部と周縁部の面内温度差の減少を
図っている。
部よりも周縁部に、より多くの方向からの熱放射が入射
し易いことから、特に急速昇降温を行う場合、ウエハの
中央部と周縁部の温度応答性に顕著な差が生じ易く、面
内温度差により生じる内部応力によってウエハにスリッ
プ（結晶のずれ）が生じる傾向がある。このような問題
を解消するために、従来の熱処理装置においては、上記
ウエハボートに上記ウエハの周縁部下面を面接触で支持
するリング状の支持板を設け（このようにリング状の支
持板を設けたウエハボートをリングボートという）、こ
の支持板の熱容量によりウエハの周縁部の温度応答性を
抑制し、ウエハの中央部と周縁部の面内温度差の減少を
図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記熱
処理装置においては、ウエハと支持板の間の熱伝導が放
射伝熱だけでなくウエハと支持板の間に存在する気体を
介した熱伝導（気体の伝熱、対流伝熱ともいう）を重量
な要素としている。このため、反応管内を減圧にした状
態で急速昇降温を行おうとする場合、上記支持板の効果
が十分に発揮されず、ウエハの中央部と周縁部の面内温
度差を十分に減少させることが困難であった。従って、
減圧下では、急速昇降温を行うことが困難であるため、
スループットの向上に限界があった。
処理装置においては、ウエハと支持板の間の熱伝導が放
射伝熱だけでなくウエハと支持板の間に存在する気体を
介した熱伝導（気体の伝熱、対流伝熱ともいう）を重量
な要素としている。このため、反応管内を減圧にした状
態で急速昇降温を行おうとする場合、上記支持板の効果
が十分に発揮されず、ウエハの中央部と周縁部の面内温
度差を十分に減少させることが困難であった。従って、
減圧下では、急速昇降温を行うことが困難であるため、
スループットの向上に限界があった。
【０００５】そこで、本発明は上記課題を解決すべくな
されたもので、常圧下だけでなく減圧下においても被処
理基板の中央部と周縁部の面内温度差を十分に減少させ
て急速昇降温を行うことができ、スループットの向上が
図れる熱処理装置を提供することを目的とする。
されたもので、常圧下だけでなく減圧下においても被処
理基板の中央部と周縁部の面内温度差を十分に減少させ
て急速昇降温を行うことができ、スループットの向上が
図れる熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、熱処理容器内に被処理基板を収容し、熱処
理容器の周囲に配置されたヒータにより被処理基板を加
熱して熱処理する熱処理装置において、上記被処理基板
が、その周囲に配置された複数本の支柱を有する基板支
持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支持さ
れ、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板の周囲に
位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の入射角以
上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に上記被処
理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱部材の中
間に各被処理基板が位置するように多段に配設したこと
を特徴とする（請求項１）。上記遮熱部材は、不透明石
英からなることが好ましい（請求項２）。
に本発明は、熱処理容器内に被処理基板を収容し、熱処
理容器の周囲に配置されたヒータにより被処理基板を加
熱して熱処理する熱処理装置において、上記被処理基板
が、その周囲に配置された複数本の支柱を有する基板支
持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支持さ
れ、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板の周囲に
位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の入射角以
上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に上記被処
理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱部材の中
間に各被処理基板が位置するように多段に配設したこと
を特徴とする（請求項１）。上記遮熱部材は、不透明石
英からなることが好ましい（請求項２）。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【作用】一般に、被処理基板の周縁部は、熱放射の入射
角が増大する（入斜面に直角になる）ほど放射形態係数
が増大し、熱放射の影響を受け易くなる。しかるに、本
発明によれば、被処理基板の周囲に設けられた遮熱部材
により周縁部における所定入射角以上の熱放射が遮られ
るため、周縁部の熱放射による影響が抑制される。すな
わち、ホットウォール型加熱に起因する被処理基板の周
縁部の熱放射による影響が遮熱部材のブラインド作用と
熱容量による緩和作用により抑制され、被処理基板の周
縁部の温度応答性を中央部の温度応答性とほぼ同等にす
ることができ、急速昇降温時における被処理基板の中央
部と周縁部の面内温度差を可及的に減少させることが可
能となる。従って、従来の熱処理装置と異なり、被処理
基板の周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱ではなく
放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけでな
く減圧下においても被処理基板の中央部と周縁部の面内
温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能
となり、スループットの向上が図れる。特に、上記被処
理基板が、その周囲に配置された複数本の支柱を有する
基板支持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支
持され、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板の周
囲に位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の入射
角以上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に上記
被処理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱部材
の中間に各被処理基板が位置するように多段に配設して
いるため、多数枚の被処理基板の中央部と周縁部の面内
温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能
となり、水平方向から被処理基板の移載を行う場合には
移載機構が遮熱部材と干渉することなく被処理基板の移
載を容易に且つ迅速に行うことが可能となり、スループ
ットの更なる向上が図れる。
角が増大する（入斜面に直角になる）ほど放射形態係数
が増大し、熱放射の影響を受け易くなる。しかるに、本
発明によれば、被処理基板の周囲に設けられた遮熱部材
により周縁部における所定入射角以上の熱放射が遮られ
るため、周縁部の熱放射による影響が抑制される。すな
わち、ホットウォール型加熱に起因する被処理基板の周
縁部の熱放射による影響が遮熱部材のブラインド作用と
熱容量による緩和作用により抑制され、被処理基板の周
縁部の温度応答性を中央部の温度応答性とほぼ同等にす
ることができ、急速昇降温時における被処理基板の中央
部と周縁部の面内温度差を可及的に減少させることが可
能となる。従って、従来の熱処理装置と異なり、被処理
基板の周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱ではなく
放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけでな
く減圧下においても被処理基板の中央部と周縁部の面内
温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能
となり、スループットの向上が図れる。特に、上記被処
理基板が、その周囲に配置された複数本の支柱を有する
基板支持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支
持され、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板の周
囲に位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の入射
角以上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に上記
被処理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱部材
の中間に各被処理基板が位置するように多段に配設して
いるため、多数枚の被処理基板の中央部と周縁部の面内
温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能
となり、水平方向から被処理基板の移載を行う場合には
移載機構が遮熱部材と干渉することなく被処理基板の移
載を容易に且つ迅速に行うことが可能となり、スループ
ットの更なる向上が図れる。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【実施例】以下に、本発明を縦型熱処理装置に適用した
実施例を添付図面に基づいて詳述する。図２において、
１は被処理基板例えば半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによ
る成膜処理を施すのに適するように構成された縦型熱処
理装置であり、中央部に円形の開口部２ａを有する例え
ばステンレススチール製のベースプレート２を水平に備
えている。このベースプレート２の下方には上端及び下
端に外向きのフランジ部３ａ，３ｂを有する例えばステ
ンレススチール製の短い円筒状のマニホールド３が上記
開口部２ａと軸心を一致させて配置され、このマニホー
ルド３上には縦型の熱処理炉（熱処理室）を形成すべく
耐熱性及び耐食性を有する材料例えば石英からなる熱処
理容器である反応管（プロセスチューブ）４が気密に接
続されている。
実施例を添付図面に基づいて詳述する。図２において、
１は被処理基板例えば半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによ
る成膜処理を施すのに適するように構成された縦型熱処
理装置であり、中央部に円形の開口部２ａを有する例え
ばステンレススチール製のベースプレート２を水平に備
えている。このベースプレート２の下方には上端及び下
端に外向きのフランジ部３ａ，３ｂを有する例えばステ
ンレススチール製の短い円筒状のマニホールド３が上記
開口部２ａと軸心を一致させて配置され、このマニホー
ルド３上には縦型の熱処理炉（熱処理室）を形成すべく
耐熱性及び耐食性を有する材料例えば石英からなる熱処
理容器である反応管（プロセスチューブ）４が気密に接
続されている。
【００１５】上記反応管４は、上端が閉塞され、下端が
開口されると共に下端に外向きのフランジ部４ａを有し
ている。本実施例における反応管４の内側には、上端及
び下端の開口された石英製の内管５がマニホールド３内
面に形成された内向きフランジ部３ｃに係止させて同心
円状に配置され、二重管構造の縦型熱処理炉が形成され
ている。
開口されると共に下端に外向きのフランジ部４ａを有し
ている。本実施例における反応管４の内側には、上端及
び下端の開口された石英製の内管５がマニホールド３内
面に形成された内向きフランジ部３ｃに係止させて同心
円状に配置され、二重管構造の縦型熱処理炉が形成され
ている。
【００１６】上記マニホールド３には反応管５内に図示
しない処理ガス供給源或いは不活性ガス供給源から処理
ガスないし不活性ガスを導入するための複数の導入管部
６が設けられると共に、図示しない真空ポンプ等の減圧
手段により反応管４内を排気して例えば１０〜１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度に真空引きするための排気管部７が設けられ
ている。また、上記反応管４の周囲には反応管４内を高
温例えば７００〜１２００℃程度に加熱する例えばカン
タル線等の電熱線（抵抗発熱体）をコイル状等に形成し
てなる加熱源であるヒータ８が配置され、このヒータ８
の外周は断熱材９を介して冷却ジャケット構造のアウタ
ーシェル１０で覆われている。これにより、いわゆるホ
ットウォール型の加熱炉が構成されている。なお、上記
ヒータ８、断熱材９及びアウターシェル１０は上記ベー
スプレート２上に支持されている。
しない処理ガス供給源或いは不活性ガス供給源から処理
ガスないし不活性ガスを導入するための複数の導入管部
６が設けられると共に、図示しない真空ポンプ等の減圧
手段により反応管４内を排気して例えば１０〜１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度に真空引きするための排気管部７が設けられ
ている。また、上記反応管４の周囲には反応管４内を高
温例えば７００〜１２００℃程度に加熱する例えばカン
タル線等の電熱線（抵抗発熱体）をコイル状等に形成し
てなる加熱源であるヒータ８が配置され、このヒータ８
の外周は断熱材９を介して冷却ジャケット構造のアウタ
ーシェル１０で覆われている。これにより、いわゆるホ
ットウォール型の加熱炉が構成されている。なお、上記
ヒータ８、断熱材９及びアウターシェル１０は上記ベー
スプレート２上に支持されている。
【００１７】上記マニホールド３の下方にはその開口端
を開閉する例えばステンレススチール製の蓋体１１がロ
ーディング機構である昇降機構１２により昇降可能に設
けられ、この蓋体１１上には多数枚例えば１５０枚程度
のウエハＷを水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に保
持する基板支持具である石英製のウエハボート１３が石
英製の保温筒１４を介して載置されている。また、蓋体
１１にはウエハＷを均一に熱処理すべく保温筒１４を介
してウエハボート１３を回転させるための回転駆動手段
が設けられていてもよい。
を開閉する例えばステンレススチール製の蓋体１１がロ
ーディング機構である昇降機構１２により昇降可能に設
けられ、この蓋体１１上には多数枚例えば１５０枚程度
のウエハＷを水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に保
持する基板支持具である石英製のウエハボート１３が石
英製の保温筒１４を介して載置されている。また、蓋体
１１にはウエハＷを均一に熱処理すべく保温筒１４を介
してウエハボート１３を回転させるための回転駆動手段
が設けられていてもよい。
【００１８】上記ウエハボート１３は、図１ないし図３
に示すように円板状のウエハＷの周囲を囲む如く適宜間
隔で配置された複数本（３〜４本）、実施例では３本の
支柱１５を有し、これらの支柱１５には多数枚例えば１
５０枚程度のウエハＷを水平状態で上下方向（高さ方
向）に適宜ないし所定の間隔で多段に支持する溝状の係
止部１６が設けられている。上記支柱１５は、移載機構
により水平方向からウエハＷの移載が可能なように一方
が開放部１７とされた配置構成になっている。なお、上
記移載機構は、舌片状の移載アーム１８を有し、この移
載アーム１８上にウエハＷを載せてウエハボート１３等
に対する移載作業を上記反応管４よりも下方の移載エリ
アで行うようになっている。
に示すように円板状のウエハＷの周囲を囲む如く適宜間
隔で配置された複数本（３〜４本）、実施例では３本の
支柱１５を有し、これらの支柱１５には多数枚例えば１
５０枚程度のウエハＷを水平状態で上下方向（高さ方
向）に適宜ないし所定の間隔で多段に支持する溝状の係
止部１６が設けられている。上記支柱１５は、移載機構
により水平方向からウエハＷの移載が可能なように一方
が開放部１７とされた配置構成になっている。なお、上
記移載機構は、舌片状の移載アーム１８を有し、この移
載アーム１８上にウエハＷを載せてウエハボート１３等
に対する移載作業を上記反応管４よりも下方の移載エリ
アで行うようになっている。
【００１９】そして、上記ウエハボート１３の支柱１５
には、ウエハＷの周囲に位置してウエハＷの周縁部に入
射する所定の入射角θ以上の熱放射を遮る円環状（リン
グ状）の遮熱部材１９がウエハＷと同間隔（ピッチ）
で、且つ上下に隣合う遮熱部材１９の中間に各ウエハＷ
が位置するようにして多段にブラインド状に配設されて
いる。上記遮熱部材１９は、耐熱性および遮熱性を有
し、ウエハの汚染源になりにくい材質例えば不透明石英
からなっている。また、上記遮熱部材１９はウエハボー
ト１３の支柱１５の外側に緩く嵌まる大きさの偏平な円
環状に形成され、上記ウエハボート１３の支柱１５の外
側に内縁部を溶接２０で固定することにより取付けられ
ている。
には、ウエハＷの周囲に位置してウエハＷの周縁部に入
射する所定の入射角θ以上の熱放射を遮る円環状（リン
グ状）の遮熱部材１９がウエハＷと同間隔（ピッチ）
で、且つ上下に隣合う遮熱部材１９の中間に各ウエハＷ
が位置するようにして多段にブラインド状に配設されて
いる。上記遮熱部材１９は、耐熱性および遮熱性を有
し、ウエハの汚染源になりにくい材質例えば不透明石英
からなっている。また、上記遮熱部材１９はウエハボー
ト１３の支柱１５の外側に緩く嵌まる大きさの偏平な円
環状に形成され、上記ウエハボート１３の支柱１５の外
側に内縁部を溶接２０で固定することにより取付けられ
ている。
【００２０】上記ウエハＷの半径をＲ、上記遮熱部材１
９の内縁の半径をＲａ、外縁の半径をＲｂとすると、遮
熱部材１９の大きさは次のように決定される。一般に、
温度の異なる二つの固体面間における放射伝熱の伝熱量
Ｑ［kcal/h］は、Ｑ＝Ｆ（Ｔ14−Ｔ24）Ａで表わされ
る。ここで、Ｆは放射形態係数で、入射面に対する入射
角が０度で０となり、入射角の増大に従って増大し、入
射角が９０度で最大となる無次元数である。二つの固定
面の面積が極めて大きく、更に距離が極めて近ければ、
最大値１をとる。つまり２面間以外に放射がもれない状
態である。Ｔ1はヒータ８の温度、Ｔ2はウエハＷの温
度、Ａはその他の定数である。
９の内縁の半径をＲａ、外縁の半径をＲｂとすると、遮
熱部材１９の大きさは次のように決定される。一般に、
温度の異なる二つの固体面間における放射伝熱の伝熱量
Ｑ［kcal/h］は、Ｑ＝Ｆ（Ｔ14−Ｔ24）Ａで表わされ
る。ここで、Ｆは放射形態係数で、入射面に対する入射
角が０度で０となり、入射角の増大に従って増大し、入
射角が９０度で最大となる無次元数である。二つの固定
面の面積が極めて大きく、更に距離が極めて近ければ、
最大値１をとる。つまり２面間以外に放射がもれない状
態である。Ｔ1はヒータ８の温度、Ｔ2はウエハＷの温
度、Ａはその他の定数である。
【００２１】また、所定のピッチで多段に配置されたウ
エハＷの面内のある点から加熱源全体に対する放射形態
係数Ｆは、ウエハＷの半径Ｒを１とした場合、図４に示
すようにほぼ０．７の地点からエッジ部（１の地点）に
かけて急激に増大する。そこで、ウエハＷの半径Ｒを
０．７とし、遮熱部材１９の外縁の半径Ｒｂを１とすれ
ば、ウエハＷの面内における放射形態係数Ｆを小さくす
ることができる。従って、ウエハＷの半径Ｒを１とした
場合、遮熱部材１９の外縁の半径は１．４、すなわちウ
エハＷの半径Ｒの１．４倍であることが最も好ましい。
なお、遮熱部材１９の外縁の半径Ｒｂは、遮熱効果から
いえば、ある程度の許容範囲を有し、この場合、ウエハ
Ｗの半径Ｒの１．２〜１．８倍であることが好ましい。
１．２倍を下回ると遮熱効果が減少し、また、１．８倍
を上回ると遮熱効果が増大して急速昇降温の妨げになる
からである。
エハＷの面内のある点から加熱源全体に対する放射形態
係数Ｆは、ウエハＷの半径Ｒを１とした場合、図４に示
すようにほぼ０．７の地点からエッジ部（１の地点）に
かけて急激に増大する。そこで、ウエハＷの半径Ｒを
０．７とし、遮熱部材１９の外縁の半径Ｒｂを１とすれ
ば、ウエハＷの面内における放射形態係数Ｆを小さくす
ることができる。従って、ウエハＷの半径Ｒを１とした
場合、遮熱部材１９の外縁の半径は１．４、すなわちウ
エハＷの半径Ｒの１．４倍であることが最も好ましい。
なお、遮熱部材１９の外縁の半径Ｒｂは、遮熱効果から
いえば、ある程度の許容範囲を有し、この場合、ウエハ
Ｗの半径Ｒの１．２〜１．８倍であることが好ましい。
１．２倍を下回ると遮熱効果が減少し、また、１．８倍
を上回ると遮熱効果が増大して急速昇降温の妨げになる
からである。
【００２２】上記遮熱部材１９の内縁の半径Ｒａは、ウ
エハＷの半径Ｒとほぼ等しければ（近接していれば）、
ウエハＷの半径Ｒよりも若干小さくても良く、或いは実
施例のようにウエハＷの半径Ｒよりも若干大きくても良
い。また、上記遮熱部材１９は、上記ウエハＷよりも大
きい熱容量を有するように厚さ等で調整されている。そ
して、上記遮熱部材１９の内径、外径及び厚さは、上記
値を考慮すると共に実際の急速昇降温にてウエハＷの中
央部と周縁部の面内温度差を可及的に減少させ得る値に
実験により具体的に設定される。
エハＷの半径Ｒとほぼ等しければ（近接していれば）、
ウエハＷの半径Ｒよりも若干小さくても良く、或いは実
施例のようにウエハＷの半径Ｒよりも若干大きくても良
い。また、上記遮熱部材１９は、上記ウエハＷよりも大
きい熱容量を有するように厚さ等で調整されている。そ
して、上記遮熱部材１９の内径、外径及び厚さは、上記
値を考慮すると共に実際の急速昇降温にてウエハＷの中
央部と周縁部の面内温度差を可及的に減少させ得る値に
実験により具体的に設定される。
【００２３】次に実施例の作用を述べる。先ず、昇降機
構１２により反応管４下方の移載エリアに下降移動され
た蓋体１１上におけるウエハボート１３に移載機構の移
載アーム２４によりウエハＷが移載されると、蓋体１１
が上昇移動され、ウエハボート１３が反応管４内に搬入
されると共に蓋体１１がマニホールド３の下端フランジ
部３ｂに当接して反応管４が密閉される。
構１２により反応管４下方の移載エリアに下降移動され
た蓋体１１上におけるウエハボート１３に移載機構の移
載アーム２４によりウエハＷが移載されると、蓋体１１
が上昇移動され、ウエハボート１３が反応管４内に搬入
されると共に蓋体１１がマニホールド３の下端フランジ
部３ｂに当接して反応管４が密閉される。
【００２４】そして、排気管部７からの排気（真空引
き）により反応管４内を真空置換すると共に、導入管部
６からの不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの導入によ
り反応管４内を窒素（Ｎ2）ガスで置換した後、ヒータ
８によりウエハＷを所定の処理温度まで急速に昇温させ
たなら、導入管部６から所定の処理ガスを導入しつつ反
応管４内を所定の減圧状態に維持して成膜処理等の熱処
理を行う。この熱処理が終了したなら、上記ウエハＷを
例えば室温まで急速に降温させ、処理後のウエハＷを蓋
体１１の下降移動によりウエハボート１３ごと反応管４
外へ搬出すればよい。
き）により反応管４内を真空置換すると共に、導入管部
６からの不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの導入によ
り反応管４内を窒素（Ｎ2）ガスで置換した後、ヒータ
８によりウエハＷを所定の処理温度まで急速に昇温させ
たなら、導入管部６から所定の処理ガスを導入しつつ反
応管４内を所定の減圧状態に維持して成膜処理等の熱処
理を行う。この熱処理が終了したなら、上記ウエハＷを
例えば室温まで急速に降温させ、処理後のウエハＷを蓋
体１１の下降移動によりウエハボート１３ごと反応管４
外へ搬出すればよい。
【００２５】このように上記熱処理装置においては、減
圧下でウエハＷの急速昇温および急速降温が行われる。
そして、上記熱処理装置によれば、ウエハＷの周囲に設
けられた遮熱部材１９により周縁部に入射する所定の入
射角θ以上の熱放射が遮られ、周縁部の熱放射による影
響が抑制される。すなわち、ホットウォール型加熱に起
因するウエハＷの周縁部の熱放射による影響が遮熱部材
１９のブラインド作用と熱容量による緩和作用により抑
制され、ウエハＷの周縁部の温度応答性を中央部の温度
応答性とほぼ同等にすることができ、急速昇降温時にお
けるウエハＷの中央部と周縁部の面内温度差を可及的に
減少させることが可能となり、ウエハの面内温度の均一
化が図れる。
圧下でウエハＷの急速昇温および急速降温が行われる。
そして、上記熱処理装置によれば、ウエハＷの周囲に設
けられた遮熱部材１９により周縁部に入射する所定の入
射角θ以上の熱放射が遮られ、周縁部の熱放射による影
響が抑制される。すなわち、ホットウォール型加熱に起
因するウエハＷの周縁部の熱放射による影響が遮熱部材
１９のブラインド作用と熱容量による緩和作用により抑
制され、ウエハＷの周縁部の温度応答性を中央部の温度
応答性とほぼ同等にすることができ、急速昇降温時にお
けるウエハＷの中央部と周縁部の面内温度差を可及的に
減少させることが可能となり、ウエハの面内温度の均一
化が図れる。
【００２６】従って、従来の熱処理装置と異なり、ウエ
ハＷの周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱ではなく
放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけでな
く減圧下においてもウエハＷの中央部と周縁部の面内温
度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能と
なり、スループットの向上が図れる。特に、上記実施例
ではウエハＷがその周囲に配置された複数本の支柱１５
を有するウエハボート１３に水平状態で上下方向に適宜
間隔で多段に支持され、このウエハボート１３の支柱１
５に円環状の上記遮熱部材１９が上記ウエハＷとほぼ同
間隔で多段に配設されているため、常圧下だけでなく減
圧下においても多数枚のウエハＷの中央部と周縁部の面
内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可
能となり、スループットの更なる向上が図れる。
ハＷの周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱ではなく
放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけでな
く減圧下においてもウエハＷの中央部と周縁部の面内温
度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可能と
なり、スループットの向上が図れる。特に、上記実施例
ではウエハＷがその周囲に配置された複数本の支柱１５
を有するウエハボート１３に水平状態で上下方向に適宜
間隔で多段に支持され、このウエハボート１３の支柱１
５に円環状の上記遮熱部材１９が上記ウエハＷとほぼ同
間隔で多段に配設されているため、常圧下だけでなく減
圧下においても多数枚のウエハＷの中央部と周縁部の面
内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが可
能となり、スループットの更なる向上が図れる。
【００２７】また、上記遮熱部材１９が上下に隣合う遮
熱部材１９の中間に上記ウエハＷが位置するように配設
されているため、水平方向からウエハＷの移載を行う場
合に移載機構の移載アーム１８が遮熱板１９と干渉する
ことがなく、ウエハＷの移載を容易に且つ迅速に行うこ
とが可能となり、スループットの更なる向上が図れる。
更に、上記遮熱部材１９が上記ウエハＷよりも大きい熱
容量を有しているため、ブラインド作用による遮熱効果
だけでなく遮熱部材１９の熱容量によってもウエハＷの
温度応答性の良い周縁部の急激な昇降温を緩和すること
ができ、常圧下だけでなく減圧下においてもウエハＷの
中央部と周縁部の面内温度差を更に十分に減少させて更
に急速な昇降温を行うことが可能となり、スループット
の更なる向上が図れる。
熱部材１９の中間に上記ウエハＷが位置するように配設
されているため、水平方向からウエハＷの移載を行う場
合に移載機構の移載アーム１８が遮熱板１９と干渉する
ことがなく、ウエハＷの移載を容易に且つ迅速に行うこ
とが可能となり、スループットの更なる向上が図れる。
更に、上記遮熱部材１９が上記ウエハＷよりも大きい熱
容量を有しているため、ブラインド作用による遮熱効果
だけでなく遮熱部材１９の熱容量によってもウエハＷの
温度応答性の良い周縁部の急激な昇降温を緩和すること
ができ、常圧下だけでなく減圧下においてもウエハＷの
中央部と周縁部の面内温度差を更に十分に減少させて更
に急速な昇降温を行うことが可能となり、スループット
の更なる向上が図れる。
【００２８】上記実施例のウエハボート１３と既存のリ
ングボートを用いて急速昇降温試験（シュミレーショ
ン）を行ったところ、次のような結果が得られた。先
ず、リングボートの支持板の内径を１４０ｍｍ、外径を
２００ｍｍ、厚さを５ｍｍとし、本実施例のウエハボー
ト１３の遮熱部材１９の内径を２１０ｍｍ、外径を２８
０ｍｍ、厚さを５ｍｍとした。また、ウエハＷは８イン
チの大きさものを用い、ウエハピッチを２０ｍｍとし
た。
ングボートを用いて急速昇降温試験（シュミレーショ
ン）を行ったところ、次のような結果が得られた。先
ず、リングボートの支持板の内径を１４０ｍｍ、外径を
２００ｍｍ、厚さを５ｍｍとし、本実施例のウエハボー
ト１３の遮熱部材１９の内径を２１０ｍｍ、外径を２８
０ｍｍ、厚さを５ｍｍとした。また、ウエハＷは８イン
チの大きさものを用い、ウエハピッチを２０ｍｍとし
た。
【００２９】そして、ウエハＷを室温２５℃から８００
℃まで急速に昇温させる急速昇温（例えば、∞℃／分）
と、８００℃から２５℃まで急速に降温させる急速降温
（例えば、−∞℃／分）を行った。その結果、既存のリ
ングボートを用いた場合のウエハＷの中央部と周縁部の
面内温度差が最大５０℃であるのに対し、本実施例のウ
エハボート１３を用いた場合のウエハＷの面内温度差は
最大３５℃であり、ウエハＷの面内温度差が減少される
ことが実証された。
℃まで急速に昇温させる急速昇温（例えば、∞℃／分）
と、８００℃から２５℃まで急速に降温させる急速降温
（例えば、−∞℃／分）を行った。その結果、既存のリ
ングボートを用いた場合のウエハＷの中央部と周縁部の
面内温度差が最大５０℃であるのに対し、本実施例のウ
エハボート１３を用いた場合のウエハＷの面内温度差は
最大３５℃であり、ウエハＷの面内温度差が減少される
ことが実証された。
【００３０】
【００３１】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、本発明は、上述したように多数
枚のウエハＷを熱処理するバッチ式縦型熱処理装置以外
に、ホットウォール型の枚葉式熱処理装置にも適用可能
である。また、被処理基板としては、半導体ウエハ以外
に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。更に、遮熱
部材の材料としては、不透明石英以外に、例えば炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）等が適用可能である。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、本発明は、上述したように多数
枚のウエハＷを熱処理するバッチ式縦型熱処理装置以外
に、ホットウォール型の枚葉式熱処理装置にも適用可能
である。また、被処理基板としては、半導体ウエハ以外
に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。更に、遮熱
部材の材料としては、不透明石英以外に、例えば炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）等が適用可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３３】（１）本発明によれば、被処理基板の周囲
に設けられた遮熱部材により周縁部に入射する所定の入
射角以上の熱放射が遮られ、周縁部の熱放射による影響
が抑制される。従って、従来の熱処理装置と異なり、被
処理基板の周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱では
なく放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけ
でなく減圧下においても被処理基板の中央部と周縁部の
面内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが
可能となり、スループットの向上が図れる。特に、上記
被処理基板が、その周囲に配置された複数本の支柱を有
する基板支持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段
に支持され、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板
の周囲に位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の
入射角以上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に
上記被処理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱
部材の中間に各被処理基板が位置するように多段に配設
しているため、多数枚の被処理基板の中央部と周縁部の
面内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが
可能となり、水平方向から被処理基板の移載を行う場合
には移載機構が遮熱部材と干渉することなく被処理基板
の移載を容易に且つ迅速に行うことが可能となり、スル
ープットの更なる向上が図れる。
に設けられた遮熱部材により周縁部に入射する所定の入
射角以上の熱放射が遮られ、周縁部の熱放射による影響
が抑制される。従って、従来の熱処理装置と異なり、被
処理基板の周縁部の熱放射による影響を気体の伝熱では
なく放射伝熱の観点から抑制しているため、常圧下だけ
でなく減圧下においても被処理基板の中央部と周縁部の
面内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが
可能となり、スループットの向上が図れる。特に、上記
被処理基板が、その周囲に配置された複数本の支柱を有
する基板支持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段
に支持され、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板
の周囲に位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の
入射角以上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に
上記被処理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱
部材の中間に各被処理基板が位置するように多段に配設
しているため、多数枚の被処理基板の中央部と周縁部の
面内温度差を十分に減少させて急速昇降温を行うことが
可能となり、水平方向から被処理基板の移載を行う場合
には移載機構が遮熱部材と干渉することなく被処理基板
の移載を容易に且つ迅速に行うことが可能となり、スル
ープットの更なる向上が図れる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【図１】本発明の一実施例を示す要部断面図である。
【図２】本発明を適用した縦型熱処理装置の一例を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】図１の平面図である。
【図４】ウエハサイズと放射形態係数の関係を示すグラ
フである。
フである。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） ４ 反応管（熱処理室） １３ ウエハボート（基板支持具） １５ 支柱 １９ 遮熱部材
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/68 H01L 21/86
Claims (2)
- 【請求項１】 熱処理容器内に被処理基板を収容し、熱
処理容器の周囲に配置されたヒータにより被処理基板を
加熱して熱処理する熱処理装置において、上記被処理基
板が、その周囲に配置された複数本の支柱を有する基板
支持具に水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に支持さ
れ、この基板支持具の支柱に、上記被処理基板の周囲に
位置して被処理基板の周縁部に入射する所定の入射角以
上の熱放射を遮る環状の遮熱部材を上下方向に上記被処
理基板とほぼ同間隔で、且つ上下に隣合う遮熱部材の中
間に各被処理基板が位置するように多段に配設したこと
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 上記遮熱部材が不透明石英からなること
を特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08069695A JP3242281B2 (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 熱処理装置 |
| KR1019970706415A KR100375100B1 (ko) | 1995-03-13 | 1996-03-01 | 열처리장치 |
| PCT/JP1996/000503 WO1996028843A1 (fr) | 1995-03-13 | 1996-03-01 | Appareil de traitement thermique |
| EP96904308A EP0872878A1 (en) | 1995-03-13 | 1996-03-01 | Heat-treating apparatus |
| US08/913,240 US6031205A (en) | 1995-03-13 | 1996-03-01 | Thermal treatment apparatus with thermal protection members intercepting thermal radiation at or above a predetermined angle |
| TW085102795A TW300327B (ja) | 1995-03-13 | 1996-03-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08069695A JP3242281B2 (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250444A JPH08250444A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3242281B2 true JP3242281B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13725501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08069695A Expired - Fee Related JP3242281B2 (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 熱処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6031205A (ja) |
| EP (1) | EP0872878A1 (ja) |
| JP (1) | JP3242281B2 (ja) |
| KR (1) | KR100375100B1 (ja) |
| TW (1) | TW300327B (ja) |
| WO (1) | WO1996028843A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012463A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
| US6171400B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
| JP2001217198A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6884295B2 (en) * | 2000-05-29 | 2005-04-26 | Tokyo Electron Limited | Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same |
| JP4365017B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置 |
| KR100464928B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2005-01-05 | 소프트픽셀(주) | 플라스틱 필름-금속/절연체/금속 소자로 구성된액정표시장치의 열처리장치 |
| US6538237B1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for holding a quartz furnace |
| US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
| TWI310850B (en) * | 2003-08-01 | 2009-06-11 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Substrate supporting rod and substrate cassette using the same |
| CN100377330C (zh) * | 2003-08-06 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 基板支承用槽棒及使用该槽棒的基板载具 |
| US20090212014A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing multiple treatments in a dual-chamber batch processing system |
| US20100240224A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. | Multi-zone semiconductor furnace |
| US8536491B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
| JP5565242B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| TWM413957U (en) * | 2010-10-27 | 2011-10-11 | Tangteck Equipment Inc | Diffusion furnace apparatus |
| US20130153201A1 (en) * | 2010-12-30 | 2013-06-20 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber with cooling tubes |
| KR101680950B1 (ko) | 2012-02-16 | 2016-11-29 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 코팅된 기판을 처리하기 위한 처리 박스, 장치 및 방법 |
| HK1212853A2 (zh) * | 2015-08-10 | 2016-06-17 | Shirhao Ltd | 回收液體物質的裝置和方法 |
| CN109341343A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-15 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092826A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-24 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 圧空成形法 |
| JPS6092826U (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | 富士通株式会社 | 熱処理炉 |
| JPH0193724A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-12 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 可変焦点装置付カメラ |
| JPH0193724U (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | ||
| JPH04304652A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-28 | Hitachi Ltd | 熱処理装置用ボート |
| US5616264A (en) * | 1993-06-15 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system |
| JPH0745691A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハホルダ |
| JPH0897167A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び熱処理装置 |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP08069695A patent/JP3242281B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-01 WO PCT/JP1996/000503 patent/WO1996028843A1/ja active IP Right Grant
- 1996-03-01 KR KR1019970706415A patent/KR100375100B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-03-01 EP EP96904308A patent/EP0872878A1/en not_active Withdrawn
- 1996-03-01 US US08/913,240 patent/US6031205A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-07 TW TW085102795A patent/TW300327B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08250444A (ja) | 1996-09-27 |
| US6031205A (en) | 2000-02-29 |
| EP0872878A1 (en) | 1998-10-21 |
| KR100375100B1 (ko) | 2003-05-12 |
| TW300327B (ja) | 1997-03-11 |
| WO1996028843A1 (fr) | 1996-09-19 |
| KR19980703007A (ko) | 1998-09-05 |
| EP0872878A4 (ja) | 1998-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3242281B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3151118B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3348936B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3125199B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| KR100290047B1 (ko) | 열처리용보트 | |
| JP3471144B2 (ja) | 縦型熱処理装置及びその断熱構造体並びに遮熱板 | |
| US5431561A (en) | Method and apparatus for heat treating | |
| US5820367A (en) | Boat for heat treatment | |
| KR100395994B1 (ko) | 피처리체의지지보트 | |
| KR100457348B1 (ko) | 단일 웨이퍼 어닐링 오븐 | |
| US5679168A (en) | Thermal processing apparatus and process | |
| US5626680A (en) | Thermal processing apparatus and process | |
| JP4468555B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JPH10242067A (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
| JP2000150403A (ja) | 保温筒および縦型熱処理装置 | |
| JPH08316222A (ja) | 熱処理方法及びその装置 | |
| JP3497317B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
| JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
| JP3240187B2 (ja) | 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置 | |
| JPH0737827A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3056240B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3534518B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
| JP4597432B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH07326593A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH1197360A (ja) | 縦型熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |