JP2014067798A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法 - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法 Download PDF

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秀成 吉田
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Abstract

【課題】従来装置では、ボートによってウェハ外周が保持されるため、ウェハ裏面にも膜が成膜されてしまい、裏面に生成された膜はエッチングによって除去する必要があるため、スループットが低下してしまう。
【解決手段】
サセプタホルダとウェハホルダを組み合わせ、ウェハの裏面にサセプタを重ねて保持し、重ねたまま、ボートへ搬入・搬出することで、ウェハ裏面に成膜せず、スループットの向上を図る。
【選択図】図19

Description

本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法に関するものである。
特開2011−204945号公報(特許文献1)には、基板の裏面に膜が形成されないようにする技術の一例が記載されている。
特開2011−204945号公報
本発明は、従来の基板処理装置では、ボートによってウェハ(基板)外周を保持するため、ウェハ裏面にも膜が成膜されてしまうといった問題を解決する基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、基板を処理する反応管と、前記基板を複数枚保持する保持部を備える第1の基板保持具と、前記基板を載置する載置板と、前記載置板を保持する載置板保持部と前記載置板保持部の下部に設けられて前記第1の基板保持具が脱挿可能な環状の支持部とを備える載置板保持具と、前記載置板に載置された前記基板を移載する移載装置と、前記移載装置によって移載された前記載置板と前記基板を保持し、前記反応管に搬入される第2の基板保持具と、を有する基板処理装置を提供することができる。
また、本発明の他の一態様によれば、基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具に前記基板を設置する工程と、前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、前記載置板上へ前記基板を載置する工程後、前記載置板と前記基板とを第2の基板保持具に移載する工程と、前記載置板と前記基板とを保持した前記第2の基板保持具を反応室に搬入し、基板処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、本発明の他の一態様によれば、基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具を上方に駆動させて前記基板を設置する工程と、前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を下方に駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、を有する基板載置方法を提供することができる。
本発明によれば、簡単な構成で基板の裏面に成膜されることのない基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法を提供することができる。
本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の斜透視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる側面透視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタの斜視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタホルダの斜視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハホルダの斜視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるボートの一部斜視図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハ移載機の基本動作の概略を説明する図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタの移動を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタをサセプタホルダへの載置処理を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハホルダが上昇する点を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハをウェハホルダへの載置処理を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハホルダに移載されたウェハを下降させる点を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタの上にウェハを載置する処理を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタとウェハをボートに移載する処理を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタホルダとウェハホルダにサセプタを移載する様子を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタホルダとウェハホルダとサセプタとの位置関係を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるボートにサセプタを載置した状態を示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタホルダとウェハホルダを組み合わせる様子を示した図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるサセプタホルダとウェハホルダを組み合わせた状態を示した図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるウェハ移載機を示した図面である。 本発明の実施形態で好適に用いられる制御部を示した図面である。
先ず、本発明の実施形態で好適に用いられるウェハ移載機を使用する縦型熱処理装置を、図1および図2によって説明する。図1および図2の基板処理装置は、半導体装置(IC)の製造方法における1処理工程を実施する半導体製造装置の構成を説明するための図である。なお、以下の説明では、基板処理装置として、基板に酸化、拡散処理、CVD処理などを行なう縦型熱処理装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明に適用される処理装置の斜透視図である。また、図2は図1に示す処理装置の側面透視図である。
本実施の形態において、101は本発明の処理装置、103は正面メンテナンス口、104はメンテナンス扉、105はカセット載置棚(FOUP棚)、107は予備カセット棚、110はウェハキャリアとしてのFOUP(カセット)、111は筺体、111aは筺体111の正面壁、112はカセット搬入搬出口(FOUP搬入搬出口)、113はフロントシャッタ(FOUP OPENER)、114はカセットステージ(FOUP受渡し台:I/Oステージ)、115はボートエレベータ(基板保持具昇降機構)、118はカセット搬送装置(FOUP搬送装置)、118aはカセットエレベータ(FOUP昇降機構)、118bはカセット搬送機構(FOUP搬送機構)、123は移載棚、125はウェハ移載機(基板移載機構)、125aはウェハ移載装置(基板移載装置)、125bはウェハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)、125cはツイーザ(ウェハ保持プレート)、128はアーム、133はクリーンエア、134aはクリーンユニット、134bはクリーンユニット、147は炉口シャッタ(炉口開閉機構)、200はウェハ(基板)、202は処理炉(反応室、反応管)、217はボート(第2の基板保持具)、219はシールキャップである。なお、ウェハ200は、シリコン等の材料で構成される。また、ボート217は、例えば、SiC(炭化珪素)によるコーティングされた材料やカーボングラファイト、石英などの耐熱性を有する材料で構成される。
図1および図2に示されているように、本発明の処理装置101は、ウェハ200を収納したFOUP110が使用され、筐体111を備えている。なお、ウェハ200は、FOUP110に装填され密閉された状態で搬送される。筐体111の正面壁111aの下方には、メンテナンス可能に設けられた開口部として、正面メンテナンス口103が配設されている。そして、この正面メンテナンス口103を開閉するために、正面メンテナンス扉104が設けられている。メンテナンス扉104には、FOUP搬入搬出口112が筐体111内外を連通するように配設されている。FOUP搬入搬出口112は、FOUP OPENER113によって開閉される。
FOUP搬入搬出口112の筐体111内側には、I/Oステージ114が設置されている。カセット110は、I/Oステージ114上に、工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、I/Oステージ114上から搬出されるようになっている。
I/Oステージ114は、工程内搬送装置によって、FOUP110内のウェハ200が垂直姿勢となり、FOUP110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。I/Oステージ114は、FOUP110を筐体後方に右回り縦方向90°回転し、FOUP110内のウェハ200が水平姿勢となり、FOUP110のウェハ出し入れ口が筐体後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
筐体111内の前後方向の略中央部には、FOUP棚105が設置されており、FOUP棚105は、複数段複数列にて、複数個のFOUP110を保管するように構成されている。FOUP棚105には、移載棚123が設けられている。かつ、FOUP棚105に設けられた移載棚123には、ウェハ移載機125の搬送対象となるFOUP110が収納される。
また、縦型熱処理装置においては、I/Oステージ114は、筺体111の前面下部に設けられ、FOUP110を外部と受け渡しする。I/Oステージ114の上方には、予備FOUP棚107が設けられ、予備的にFOUP110を保管するように構成されている。
I/Oステージ114とFOUP棚105との間には、FOUP搬送装置118が設置されている。FOUP搬送装置118は、FOUP110を保持したまま上下(CZ軸)方向に昇降可能なFOUPエレベータ118a(以下、CZ軸118aと称する)と搬送機構としてのFOUP搬送機構118bとで構成されている。さらに、CZ軸118aには、ロボットアーム(以下、CX軸と称する)が取り付けられ、CZ軸とCX軸との協動によりFOUP110を上下左右に搬送する。そして、FOUP110の搬送は、CX軸にFOUP110を載置した状態で行い、FOUP搬送装置118は、CZ軸118aおよびCX軸と、FOUP搬送機構118bとの連続動作により、I/Oステージ114、FOUP棚105、予備FOUP棚107との間で、FOUP110を搬送するように構成されている。
即ち、FOUP110は、開口面を後方に向けた状態でI/Oステージ114上に搬送される。CZ軸118aおよびCX軸は、I/Oステージ114で取り込まれたFOUP110を、昇降動、回転動および水平動の共同で、I/Oステージ114からFOUP棚105に搬送し、収容される。
FOUP110の搬送は、FOUP110をCX軸上に搭載した状態で行われる。
以上の動作が繰り返され、所要数のFOUP110がFOUP棚105に搬送される。
FOUP棚105の後方には、ウェハ移載機125が設置されており、ウェハ移載機125は、ウェハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置125aと、ウェハ移載装置125aを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ125bとで構成されている。ウェハ移載装置エレベータ125bは、耐圧筺体である筺体111の右側端部に設置されている。これら、ウェハ移載装置エレベータ125bおよびウェハ移載装置125aの連続動作により、ウェハ移載装置125aのウェハ保持プレート25cをウェハ200の載置部として、ボート217に対してウェハ200を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
即ち、次にボート217にウェハ200を移載する場合には、移載の対象となっているFOUP110をFOUP棚105のFOUP昇降機構118aにより授受位置に移動させた状態で待機する。FOUP搬送装置118では、CZ118a軸およびCX軸は、再び昇降動、回転動および水平動の協働により、FOUP110をCX軸上に搭載して、FOUP棚105からFOUP OPENER113にFOUP110を搬送する。FOUP110は、開口面を後方に向けた状態でFOUP OPENER113に載置される。その後、FOUP OPENER113により蓋をFOUP110から取り外すものである。
また図2に示すように、筐体111の後部上方には、処理炉(処理室、処理管ともいう)202が設けられている。
処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。
処理炉202の下方には、ボートエレベータ(E軸)115が設けられ、ボート217を処理炉202に昇降させる昇降機構として動作する。アーム128は、ボートエレベータ115の昇降台に連結された連結部として設けられ、アーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウェハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
筺体111内の後方上部には反応炉が設けられ、反応炉には下方からボートエレベータ115(以下、E軸115という。)により、ボート217が挿入/引き出し可能となっている。下降状態のボート217とFOUP
OPENER113との間には、ウェハ移載機が設けられている。
さらに、図1に示すように、カセット棚105の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するために、クリーンユニット134aが設けられており、クリーンエアを前記筐体111の内部に流通させるように構成されている。このクリーンユニット134aは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するように、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されている。
また、図1に模式的に示すように、ウェハ移載装置エレベータ125bおよびボートエレベータ115側と反対側の筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するために、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134bが設置されており、クリーンユニット134bから吹き出されたクリーンエアは、ウェハ移載装置125a、ボート217を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部に排気される構成となっている。
次に、図21に於いて、SiCエピタキシャル膜を成膜する前記半導体製造装置10を構成する各部の制御構成について説明する。
温度制御部2102、前記ガス流量制御部2103、前記圧力制御部2104、前記駆動制御部2105は、操作部及び入出力部に接続されるとともに、前記半導体製造装置全体を制御する主制御部2101に電気的に接続されている。更に、前記駆動制御部2105は、ボート217の回転機構、昇降機構や、ウェハ移載機125c、サセプタホルダ302、ウェハホルダ303と接続され、制御を行っている。
又、前記温度制御部2102、前記ガス流量制御部2103、前記圧力制御部2104、前記駆動制御部2105は、コントローラとして構成されている。
次に、本発明の処理装置の動作について、図1および図2を用いて説明する。
図1および図2に示すように、FOUP110がI/Oステージ114に供給されるに先立って、FOUP搬入搬出口112がFOUP OPENER113によって開放される。その後、FOUP110はFOUP搬入搬出口112から搬入され、I/Oステージ114の上にウェハ200が垂直姿勢であって、FOUP110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、FOUP110は、I/Oステージ114が回転制御することによって、FOUP110内のウェハ200は水平姿勢となり、FOUP110のウェハ出し入れ口が筐体後方に向くように、筐体後方に右周り縦方向90°回転する。
次に、FOUP110は、FOUP棚105ないし予備FOUP棚107の指定された棚位置へFOUP搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、FOUP棚105ないし予備FOUP棚107からFOUP搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。
即ち、ウェハ移載機は、昇降動、回転動、水平進退動の協働で、FOUP110内のウェハ200を下降状態のボート217に移戴する。
ウェハ200の移載は、予定された枚数となるまで複数のFOUP110に対して実行される。ボート217に所要数のウェハ200が装填されると、E軸115は、ボート217を上昇させ、反応炉内に挿入する。即ち、予め指定された枚数のウェハ200がボート217に装填されると、炉口シャッタ147は、閉じていた処理炉202の下端部を開放する(開く)。続いて、ウェハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。
ローディング後は、処理炉202にてウェハ200に任意の処理が実施される。
処理後は、上述の逆の手順で、ウェハ200およびカセット110は、筐体111の外部へ払出される。
反応炉内でウェハ200に所要の処理が施された後、E軸115は、ボート217を降下させ、反応炉より引き出す。ボート217は、ウェハ200が所要温度に冷却された後、処理済みのウェハとして、上記した手順と逆の手順で外部に搬出される。
即ち、FOUP110が移載棚123に移載されると、ウェハ200は、FOUP110からウェハ移載機125のウェハ保持プレート125cによって、ウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ボート217に装填(チャージング)される。ウェハ移載機125は、ボート217にウェハ200を受け渡した後は、FOUP110に戻り、次のウェハ200をボート217に装填する。
次に、本発明の実施の形態に係るサセプタについて、図3を用いて説明する。サセプタ(載置板)301は、サセプタ301上にウェハ200を載置し、ウェハ200とともに基板処理されることでウェハの裏面(成膜面と対向する面)への成膜を防止するために設けられる治具であり、その形状は円板形状をしており、周縁部に複数の切欠き部3011を有している。この切欠き部3011は、後に説明するウェハホルダ303のウェハホルダ爪3032と干渉しない位置、大きさで設けられている。
次に、本発明の実施の形態に係るサセプタホルダ(載置板保持具)について、図4を用いて説明する。サセプタホルダ302は、サセプタ301を保持するためのホルダであり、後に説明するウェハホルダ303を、接触することなくサセプタホルダ302の内側にウェハホルダ303が挿入することができるようにサセプタホルダ302の台座部3023をリング状の形状としており、サセプタホルダ302にウェハホルダ303を挿入した場合にそれぞれのホルダが干渉しないようにサセプタ支持柱3021とウェハホルダ支持柱3031とがずらして設けられている。このリング状の台座部3023の内側にウェハホルダ303が入るように構成されている。
サセプタホルダ302は、底部に環状の台座部(支持部)3023を有し、この環状の台座部3023の周上には複数のサセプタ支持柱(載置板保持部)3021を有している。更にこのサセプタ支持柱3021には、サセプタ301を載置するための複数の爪部3022を有している。また、複数の支持柱3021の有する爪部3022は、支持柱3021の高さ方向に複数同じ数が配置されており、それぞれの位置する高さはサセプタを保持した際に水平となるように同じ高さで設けられている。
本実施の形態では、サセプタ支持柱3021は、3つあり、内一つの形状は異なっているが、本実施の形態のように一部の形状を異ならせるだけでなく全て同じ形状でもよいし、全て異なる形状でも構わない。
さらに本実施の形態では、サセプタ支持柱は3つ設けられているが、この数に限られることなく適宜増減可能であるように構成され、サセプタ支持柱を設ける位置についても本実施の形態で説明した位置に限らず、適宜変更しても構わない。
次に、本発明の実施の形態に係るウェハホルダ(第1の基板保持具)について、図5を用いて説明する。ウェハホルダ303は、サセプタホルダ302の内側に挿入されるように構成され、ウェハ200を保持するためのホルダである。
ウェハホルダ303は、円板状の底板(台座部)3033を有し、この底板3033の周縁部には、複数のウェハ支持柱(第1の基板保持部)3031を有している。このウェハ支持柱3031には、複数の爪3032を有している。また、複数の支持柱3031の有する爪部3032は、支持柱3031の高さ方向に複数同じ数が配置されており、それぞれの位置する高さはウェハ200を保持した際に水平となるように同じ高さで設けられている。
本実施の形態では、ウェハ支持柱3031は、3つあり、全て同じ形状となっているが、全てまたは一部が異なる形状でも構わない。
さらに本実施の形態では、ウェハ支持柱は3つ設けられているが、この数に限られることなく適宜増減可能であるように構成され、ウェハ支持柱を設ける位置についても本実施の形態で説明した位置に限らず、適宜変更しても構わない。
次に、本発明の実施の形態に係るボート(第2の基板保持具)について、図6を用いて説明する。図6に記載のボート217は、図1、図2、図7に記載のボート217下部の一部領域に注視して記載したものである。ボート217は、円板状の底板2173を有し、この底板2173の周縁部には、複数のボート支持柱(第2の基板保持部)2171を有している。このボート支持柱2171には、複数の爪2172を有している。また、複数の支持柱2171の有する爪部2172は、支持柱2171の高さ方向に複数同じ数が配置されており、それぞれの位置する高さはウェハ200またはウェハ200を載置したサセプタ301を保持した際に水平となるように同じ高さとなっている。なお、このボート支持柱2171の複数の爪部2172については、後で詳述する。
本実施の形態では、ボート支持柱2171は、3つあり、全て同じ形状となっているが、全てまたは一部が異なる形状でも構わない。
さらに本実施の形態では、ボート支持柱は3つ設けられているが、この数に限られることなく適宜増減可能であるように構成され、ボート支持柱を設ける位置についても本実施の形態で説明した位置に限らず、適宜変更しても構わない
次に、図7によってウェハ移載機125の基本動作の概略を説明する。
図7(a)は、基板処理装置の概略横断面図である。図7(b)は、同じく基板処理装置の概略縦断面図である。
まず、図7(a)のウェハ移載機125を動作させて、サセプタラック300内のサセプタ301をウェハ保持プレート125cによって取り出す。サセプタラック300は、使用しない(使用していない)サセプタ301を保持しておくものである。ボート217と同様の材料から構成されており、120枚〜140枚程度のサセプタを保持する事が出来る。このサセプタラック300は、図7(a)に示す位置に限らず、装置内の設置可能場所であれば適宜設置されて構わない。
次に図15に示すようにサセプタホルダ302とウェハホルダ303が組み合わされた状態のサセプタホルダ302のサセプタホルダ支柱3021の爪部3022上に取り出したサセプタ301を載置する(図8、9参照)。その後、ウェハ保持プレート125cを下げサセプタホルダ302より抜き出す。
次にウェハホルダ303だけを上昇させ(図10参照)、ウェハ200の移載を待つ。続いて、ウェハ移載機125はFOUP110にアクセスし、FOUP110内のウェハ200をウェハ保持プレート125cですくい上げ、FOUP110より取り出す。取り出されたウェハ200をウェハホルダ303のウェハホルダ支柱3031の爪3032の上に載置する(図11、12参照)。ウェハホルダ303を下降させることによって、ウェハホルダ303に載置されたウェハ200をサセプタ301上に載置する(図13参照)ことができる。
このとき、ウェハホルダ303の爪3032は、サセプタ301に設けられている切欠き部3011を上下するために、サセプタ301と干渉することなく、動作することができる。
続いて、ウェハ200とサセプタ301を重ねた状態でウェハ保持プレート125cですくい上げ搬出する(図14参照)。搬出したウェハ200とサセプタ301は、そのままの状態でボート217へ挿入され、ボート217上にサセプタ301に乗せたままウェハ200を載置することができる。
図15には、本発明のサセプタホルダ302とウェハホルダ303が組み合わされた状態のサセプタホルダ302上にウェハ保持プレート125cにより、サセプタ301を載置する状態の上面図を示している。図16には、同じくサセプタホルダ302とウェハホルダ303が組み合わされた状態のサセプタホルダ302上にサセプタ301を載置した状態の斜視図が示されている。
図17には、ボート217とサセプタ301の組み合わせ図を示す。ボート217に設けられている、図17の部分拡大図に示すように、複数のボート支柱2171には、平面901と島状部902からなる爪部2172が設けられている。平面901では、サセプタ301を支持するようになっており、サセプタ301の切欠き部3011の縁部分が乗るようになっている。また、島状部902は、サセプタ301の切欠き部3011に干渉しない形状、大きさになっており、本例の場合では、切欠き部3011と略同形状であり、大きさはサセプタ301の切欠き部3011より若干小さいものとなっている。また、この島状部902の高さは、サセプタ301の厚さとほぼ同じであり、サセプタ301が載置された際にサセプタ301と面一になるように設けられている。この島状部902とサセプタ301の切欠き部3011とが嵌合されて面一になることで、ウェハ200が載置されたときにサセプタ301の切欠き部3011上に載置されたウェハ200の裏面(成膜面と反対側の面)に成膜されてしまうことを抑止することが可能となる。
図18にサセプタホルダ302とウェハホルダ303が組み合わされる例を示す。本図のように、サセプタホルダ302の下部方向からウェハホルダ303をサセプタホルダ302の中に入れることにより、図19に示すような状態となる。図19に示されるように、サセプタホルダ302とウェハホルダ303とのそれぞれの支持柱は、お互いに干渉しない位置に設けられている。また、サセプタホルダ302のサセプタ支持爪3022とウェハホルダ303のウェハ支持爪3032は互いに異なる高さとなっている。この高さの違いによって、サセプタとウェハの両方をお互いのホルダによって支持する事が出来る。
図20にウェハ移載機125cの詳細を示す。図20(a)には、ウェハ移載機125c上に何も載せていない状態を示す。また、図20(b)にウェハ移載機125cの先端部の拡大図を示す。125dは、サセプタを載置する際の座ぐり面であり、125eはウェハを載置する際の座ぐり面である。図20(c)は、ウェハ移載機125c上にウェハ200を載置した状態を示す図であり、図20(d)は、ウェハ移載機125c上にサセプタ301を載置した状態を示す図である。
なお、以上に記載したウェハ移載機125c、サセプタホルダ302、ウェハホルダ303などの各部動作は、基板処理装置101に接続された制御部2100(コントローラ:図21)によって制御される。
以上のように、本発明によれば、簡易な構成で、ウェハ裏面に成膜されることもなく、サセプタごとウェハをボートへ搬入・搬出できるのでスループット向上となる効果が得られる。
また、複数枚一括してサセプタにウェハを載置できるので、スループットを低下させることなく、品質の良いウェハを提供することが可能となる。
なお、以上は本発明の好ましい実施形態を述べたに過ぎず、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、本発明の実施の形態で説明したウェハホルダ及びサセプタホルダの組合せはウェハホルダをサセプタホルダの内側に挿入するように構成しているが、これに限らず、サセプタホルダをウェハホルダの内側に挿入するように構成しても良く、さらに、サセプタホルダ(又はウェハホルダ)を上下に脱挿するのではなく、外側に設置される例えばサセプタホルダの台座部をリング状ではなく、C字型の形状にする事でウェハホルダを横方向からスライドさせて組合せるように構成しても良い。
また、本発明は、基板処理装置101として、例えば、半導体装置(IC)の製造方法を実施する半導体製造装置として説明したが、半導体製造装置だけでなくLCD装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。
基板処理装置101で行われる成膜処理には、例えば、CVD、PVD、ALD、Epi、その他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理がある。更に、アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理でも構わない。
また、本実施形態では、基板処理装置が縦型処理装置101であるとして記載したが、枚葉装置についても同様に適用することができ、さらに、エッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等にも同様に適用することができる。
<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)
基板を処理する反応管と、前記基板を複数枚保持する保持部を備える第1の基板保持具と、前記基板を載置する載置板と、前記載置板を保持する載置板保持部と前記載置板保持部の下部に設けられて前記第1の基板保持具が脱挿可能な環状の支持部とを備える載置板保持具と、前記載置板に載置された前記基板を移載する移載装置と、前記移載装置によって移載された前記載置板と前記基板を保持し、前記反応管に搬入される第2の基板保持具と、を有する基板処理装置。
(付記2)
基板を複数枚保持する基板保持部を備える基板保持具と、前記基板を載置する載置板と、前記載置板を保持する載置板保持部と前記載置板を保持する保持部の下部に設けられて前記第1の基板保持具が脱挿可能な環状の支持部とを備える載置板保持具と、を有する基板処理装置。
(付記3)
基板を載置する載置板を保持する保持部と、前記保持部の下部に設けられた環状の支持部と、を有し、前記支持部の環状部を挿通するように前記基板を保持する基板保持具が脱挿される載置板保持具。
(付記4)
付記3に記載される載置板保持具であって、前記保持部は、前記基板保持具が前記支持部へ挿入されたときに前記基板保持具が有する基板保持部に重合しないように設けられる載置板保持具。
(付記5)
付記1または付記2に記載される基板処理装置であって、前記載置板は、前記第1の基板保持具の保持部の径よりも大きい切欠きを有する基板処理装置
(付記6)
付記1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置であって、前記第2の基板保持具は、前記基板および載置板を保持する第2の基板保持部を有し、前記第2の基板保持部は、前記載置板を保持する平面部と、前記サセプタの切欠き部と嵌合する島状部を有する基板処理装置。
(付記7)
付記1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置であって、前記第2の基板保持部の島状部は、前記サセプタと面一となるように設けられる基板処理装置。
(付記8)
基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具に前記基板を設置する工程と、前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、前記載置板上へ前記基板を載置する工程後、前記載置板と前記基板とを第2の基板保持具に移載する工程と、前記載置板と前記基板とを保持した前記第2の基板保持具を基板処理を行う反応室に搬入し、基板処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法。
(付記9)
基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具に前記基板を設置する工程と、前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、前記載置板上へ前記基板を載置する工程後、前記載置板と前記基板とを第2の基板保持具に移載する工程と、前記載置板と前記基板とを保持した前記第2の基板保持具を基板処理を行う反応室に搬入し、基板処理を行う工程と、を有する基板の製造方法。
(付記10)
基板を保持する第1の基板保持具を載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具を上方に駆動させて前記基板を設置する工程と、前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を下方に駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、を有する基板載置方法。
101 基板処理装置
125 ウェハ移載機(基板移載機構)
200 ウェハ
217 ボート
301 サセプタ
302 サセプタホルダ
303 ウェハホルダ


Claims (3)

  1. 基板を処理する反応管と、
    前記基板を複数枚保持する保持部を備える第1の基板保持具と、
    前記基板を載置する載置板と、
    前記載置板を保持する載置板保持部と前記載置板保持部の下部に設けられて前記第1の基板保持具が脱挿可能な環状の支持部とを備える載置板保持具と、
    前記載置板に載置された前記基板を移載する移載装置と、
    前記移載装置によって移載された前記載置板と前記基板を保持し、前記反応管に搬入される第2の基板保持具と、
    を有する基板処理装置。
  2. 基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、
    前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、
    前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具に前記基板を設置する工程と、
    前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、
    前記載置板上へ前記基板を載置する工程後、前記載置板と前記基板とを第2の基板保持具に移載する工程と、
    前記載置板と前記基板とを保持した前記第2の基板保持具を反応室に搬入し、基板処理を行う工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  3. 基板を保持する第1の基板保持具を、載置板を保持する載置板保持具に挿入する工程と、
    前記基板保持具が挿入された前記載置板保持具に前記載置板を設置する工程と、
    前記載置板保持具に前記載置板を載置する工程後、前記基板保持具を上方に駆動させて前記基板を設置する工程と、
    前記基板保持具に前記基板を設置する工程後、前記基板保持具を下方に駆動させて前記載置板上へ前記基板を載置する工程と、
    を有する基板載置方法。



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