KR200457817Y1 - 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛 - Google Patents

원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛 Download PDF

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Abstract

샤워헤드 유닛의 조립 구조를 개선한 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛은, 내부에 소스가스의 유동을 위한 가스 버퍼가 형성된 바디 프레임, 상기 바디 프레임 하부에 결합되며 복수의 분사홀이 형성된 분사 플레이트 및 상기 분사 플레이트와 일체로 구비되어 상기 분사 플레이트를 상기 바디 프레임 하부에 체결시키는 체결부를 포함하여 구성될 수 있다.
Figure R2020090016885
원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus), ALD, 샤워헤드 유닛

Description

원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛{SHOWERHEAD UNIT FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 고안은 원자층 증착장치에 관한 것으로, 분사 플레이트의 조립 구조를 개선한 샤워헤드 유닛을 구비하는 원자층 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판이나 글라스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다. 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐에 따라 미세 패턴의 박막이 요구되고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커졌다. 이러한 추세로 인해 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.
ALD는 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 CVD가 복수의 기체 분자들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, ALD는 하나의 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학 흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다. 이러한 ALD는 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다는 장점을 갖고 있어 현재 널리 각광받고 있다.
원자층 증착장치 중에서 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해 복수 장의 기판에 대해 동시에 증착 공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 개시되어 있다. 통상적으로 세미 배치 타입 원자층 증착장치는 서로 다른 종류의 소스가스가 분사되는 영역이 형성되고, 샤워헤드 유닛 또는 서셉터의 고속 회전에 의해 기판이 순차적으로 각 영역을 통과함에 따라 기판 표면에서 소스가스 사이의 화학반응이 발생하여 반응 생성물이 증착된다.
한편, 기존의 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛은 복수의 분사홀이 형성된 분사 플레이트를 바디 프레임에 체결하여 조립하는데, 분사 플레이트와 바디 프레임 사이로 소스가스가 누설되는 것을 방지할 수 있도록 샤워헤드 유닛은 기밀성 있게 결합된다. 여기서, 샤워헤드 유닛에 금속을 사용하는 경우 증착공정에서 파티클이 발생할 수 있기 때문에 금속을 사용하지 않고 샤워헤드 유닛을 체결하여야 하는데, 기존의 샤워헤드 유닛은 기밀성을 확보하기 위해서 체결부재의 수가 많고 그 조립 구조가 복잡하여 샤워헤드 유닛의 조립 시 시간이 오래 걸리고 조립이 어렵다는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 고안의 실시예들은 분사 플레이트의 조립구조를 단순화시킨 샤워헤드 유닛을 구비하는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 고안의 목적을 달성하기 위한 본 고안의 실시예들에 따르면, 조립 구조를 단순화시킨 샤워헤드 유닛을 구비하는 원자층 증착장치는, 내부에 소스가스의 유동을 위한 가스 버퍼가 형성된 바디 프레임, 상기 바디 프레임 하부에 결합되며 복수의 분사홀이 형성된 분사 플레이트 및 상기 분사 플레이트와 일체로 구비되어 상기 분사 플레이트를 상기 바디 프레임 하부에 체결시키는 체결부를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 체결부는, 상기 분사 플레이트를 관통하여 삽입 구비된 체결부재, 상기 체결부재의 상단부에서 일측으로 연장 구비되며 상기 분사 플레이트 상부에 구비된 클램핑부 및 상기 클램핑부가 상기 바디 프레임에 가압 결합되도록 상기 체결부재와 상기 분사 플레이트 사이에서 탄성력을 작용시키는 탄성 지지부재를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 상기 클램핑부는 상기 체결부재에서 일 방향으로 연장된 단부에는 상기 바디 프레임에 대해 훅 결합 가능하도록 하부로 절곡된 돌기부가 구비되고, 상기 바디 프레임에서 상기 돌기부와 대응되는 위치에는 상기 돌기 부와 상호 결합되는 체결홈이 형성될 수 잇다. 여기서, 상기 체결부재는 상기 체결홈에 상기 돌기부를 선택적으로 결합시키도록 상기 클램핑부가 회전 가능하게 형성된다. 또한, 상기 체결부재는 상기 분사 플레이트 하부에서 삽입 결합되고, 상기 탄성 지지부재는 상기 체결부재가 관통하도록 구비된 코일 스프링일 수 있다. 그리고 상기 체결부재는 상기 분사 플레이트 상부로 상기 클램핑부가 탄성적으로 돌출되도록 상기 분사 플레이트를 관통하여 구비될 수 있다.
예를 들어, 상기 체결부는 비금속 재질로 형성되고, 상기 분사 플레이트의 가장자리를 따라 복수개의 체결부가 구비될 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 고안의 실시예들에 따르면, 분사 플레이트에 일체로 체결부재가 구비되므로 분사 플레이트의 조립 및 분리가 용이하다.
또한, 드라이버 등의 공구를 이용하여 체결부재에 힘을 가하여 밀고 회전시키는 동작만으로 분사 플레이트를 조립 및 분리할 수 있어서, 분사 플레이트의 조립이 용이하고 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 탄성 지지부재가 체결부재에 탄성력을 가함으로써 분사 플레이트를 바디 프레임에 기밀성 있게 결합시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 고안의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 고안이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 고안을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 고안의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 고안의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(100) 및 샤워헤드 유닛(103)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(100)의 단면도이고, 도 2는 도 1의 원자층 증착장치(100)에서 샤워헤드 유닛(103)의 평면도이고, 도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 체결부(135)를 설명하기 위한 사시도이고, 도 4와 도 5는 본 고안의 일 실시예에 따른 체결부(135)의 동작을 설명하기 위한 'A' 부분의 요부 확대도들이다.
도면을 참조하면, 원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD)(100)는 증착공정이 수행되는 공간을 제공하는 프로세스 챔버(101), 프로세스 챔버(101) 내부에 구비되어 기판(10)이 안착되는 서셉터 유닛(102), 서셉터 유닛(102) 상부에 구비되어 기판(10)에 소스가스를 제공하는 샤워헤드 유닛(103)을 포함하여 구성된다. 여기서, 원자층 증착장치(100)는 다수의 기판(10)이 수평으로 배치되어 동시에 증착공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 사용될 수 있다. 그러나 본 고안이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 원자층 증착장치는 수평으로 안착된 한 장의 기판(10)에 대해 소스가스를 제공하여 증착공정이 수행되는 싱글 타입(single type)일 수 있다. 또한, 원자층 증착장치(100)의 상세한 기술구성은 본 고안의 요지가 아니므로, 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성 요소에 대해서만 간략하게 설명한다.
본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판(10)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 고안의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예에서 '소스가스'라 함은 증착공정에서 사용되는 가스들로써, 증착하고자 하는 박막의 원료 물질을 포함하는 반응가스(source gas or reactant)와 기판(10) 표면에 화학흡착된 반응물을 제외한 나머지 가스를 제거하기 위한 퍼지가스(purge gas)를 포함할 수 있다.
서셉터 유닛(102)은 프로세스 챔버(101) 내부에 구비되며 기판(10)이 수평 방향으로 안착 가능한 형태를 갖는 서셉터 플레이트(121)와 프로세스 챔버(101) 내부에서 상하로 승강 이동 가능하도록 서셉터 구동축(125)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 서셉터 플레이트(121)는 한 장 또는 복수 장의 기판(10)이 수평 방향으로 안착될 수 있는 크기를 가지며, 회전 가능하도록 소정 높이를 갖는 원반 형태를 가질 수 있다. 여기서, 서셉터 유닛(102)의 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 기판(10)의 크기와 형태 및 안착되는 기판(10)의 장수에 따라 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
프로세스 챔버(101) 일측에는 프로세스 챔버(101) 내부에서 미반응 소스가스 를 포함하는 배기가스를 배출시키기 위한 챔버 배기부(106)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 챔버 배기부(106)는 복수의 배기홀(162)이 형성된 메인 배플(main baffle)(161)과 배기가스를 배출시키기 위한 챔버 배기 펌프(165)를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 메인 배플(161)은 프로세스 챔버(101) 내측에서 서셉터 유닛(102)의 둘레를 따라 구비되고 프로세스 챔버(101) 내부에서 배기가스를 흡입할 수 있도록 복수의 배기홀(162)이 형성되고 프로세스 챔버(101)의 일측에 형성된 챔버 배기구(163)를 통해 챔버 배기 펌프(165)로 배기가스를 배출시키는 유로가 된다. 예를 들어, 메인 배플(161)은 내부에 배기가스를 배출시키는 유로가 되는 빈 공간이 형성되고 상면을 관통하여 복수의 배기홀(162)이 형성된 박스 형태를 가질 수 있다. 여기서, 메인 배플(161)은 기판(10) 상부에서 배기가스를 효과적으로 흡입하여 배출시킬 수 있도록 메인 배플(161)의 상면이 서셉터 플레이트(121) 상면과 유사한 높이를 갖도록 형성될 수 있다.
샤워헤드 유닛(103)은 서셉터 유닛(102) 상부에 구비되며 수평으로 안착된 기판(10)에 대해 소스가스를 분사할 수 있도록 복수의 분사홀(331)이 형성된 분사 플레이트(133)와 프로세스 챔버(101) 내부에 결합되고 내부에 소스가스의 유동을 위한 가스 버퍼(332)가 형성된 바디 프레임(131)으로 구성될 수 있다. 그리고 분사 플레이트(133)를 바디 프레임(131)에 결합 및 분리할 수 있도록 체결부(135)가 분사 플레이트(133)와 일체로 구비된다. 여기서, 샤워헤드 유닛(103) 일측에는 가스 버퍼(332)로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부(104)가 연결된다.
참고적으로, 본 명세서에서 '일체로 구비'되었다는 것은 분사 플레이트(133) 와 체결부(135)가 동일 부재로 형성된 것을 의미하는 것이 아니라, 분사 플레이트(133)에 체결부(135)가 장착되며 분사 플레이트(133)를 바디 프레임에서 분리시켰을 때도 체결부(135)가 분사 플레이트(133)와 결합된 상태를 유지하는 상태를 말한다.
여기서, 샤워헤드 유닛(103)은 하나의 분사 플레이트(133)가 바디 프레임(131)에 결합되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 분사 플레이트(133)는 복수의 분사홀(331)이 형성되고 서셉터 유닛(102)에 대응되는 크기를 갖는 원반 형태를 갖고, 바디 프레임(131) 하부에 결합됨에 따라 샤워헤드 유닛(103)이 조립된다. 여기서, 바디 프레임(131)은 복수의 기판(10)에 대해 소스가스를 분사할 수 있도록 복수의 가스 버퍼(332)가 형성되고, 분사 플레이트(133)는 바디 프레임(131) 전체에 대해 결합될 수 있는 크기를 갖고 가스 버퍼(332)가 형성된 부분에는 소스가스를 분사할 수 있도록 복수의 분사홀(331)이 형성된 형태를 가질 수 있다. 그러나 본 고안이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 샤워헤드 유닛(103) 및 분사 플레이트(133)의 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
참고적으로, 도 2에서는 분사홀(331)을 도시하지 않고 분사홀(331)이 형성된 영역(331a)를 점선으로 도시하였으며, 분사 영역(331a)은 분사 플레이트(133) 전체에 분사홀(331)이 형성되거나 각 가스 버퍼(332)에 대응된 부분에만 분사홀(331)이 형성된 형태를 가질 수 있다.
분사 플레이트(133)의 가장자리 둘레를 따라 복수개의 체결부(135)가 구비될 수 있다. 여기서, 체결부(135)는 원자층 증착공정에서 파티클이 발생하는 것을 방 지하고 플라즈마 발생 시 아크 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 금속 재질은 사용될 수 없으며 비금속 재질로 형성된다. 그리고 분사 플레이트(133)를 따라 복수개의 체결부(135)가 구비됨으로써 분사 플레이트(133)와 바디 프레임(131)의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 기밀성을 확보할 수 있다. 여기서, 복수개의 체결부(135) 중 일부를 먼저 체결한 후 나머지 체결부(135)를 체결함으로써 분사 플레이트(133)와 바디 프레임(131)의 균형을 유지하면서 정확한 위치에 분사 플레이트(133)를 결합시킬 수 있다.
체결부(135)는 소정 길이의 나사 형태를 갖고 분사 플레이트(133)를 관통하여 장착되는 체결부재(351)와 체결부재(351)의 상단부 일측에서 소정 길이 외측으로 연장되어 바디 프레임(131)에 결합되는 클램핑부(clamping part)(353)로 구성될 수 있다.
분사 플레이트(133)는 가장자리 부분에 체결부재(351)가 삽입 가능한 체결부재 삽입부(333)가 형성되고 체결부재(351)는 체결부재 삽입부(333) 내부에 삽입 장착된다. 그리고 체결부재(351)는 체결부재 삽입부(333) 내부에 삽입되어 외부(여기서는 기판(10)에 대향된 방향)에 은폐되되, 클램핑부(353)가 분사 플레이트(133)의 상부에서 바디 프레임(131)과 결합될 수 있도록 체결부재(351)의 상단부가 분사 플레이트(133) 상부로 소정 길이 돌출되는 형태를 갖는다.
클램핑부(353)는 바디 프레임(131)에 대해 훅(hook) 결합이 가능하도록 체결부재(351)에서 소정 길이 연장되되, 연장된 단부에는 하부로 절곡되어 돌기부(535)가 구비될 수 있다. 그리고 바디 프레임(131)에서 돌기부(535)와 대응되는 위치에 는 돌기부(535)가 삽입됨에 따라 바디 프레임(131)과 분사 플레이트(133)를 결합시키는 체결홈(315)이 형성된다. 예를 들어, 바디 프레임(131)은 분사 플레이트(133)가 결합되는 부분에서 클램핑부(353)가 체결 및 회전 가능한 공간을 제공하며 클램핑부(353)가 프로세스 챔버(101) 내부(특히, 기판(10)에 대향된 부분)로 노출되는 것을 방지하도록 수용하는 공간인 체결부(311)가 형성될 수 있다. 그러나 바디 프레임(131) 및 체결부(311)의 형상이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 실질적으로 다양한 형태를 가질 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 클램핑부(353)가 체결홈(315)에 삽입되면 체결부재(351)는 분사 플레이트(133)를 가압하고 클램핑부(353)는 바디 프레임(131)을 가압함으로써 분사 플레이트(133)와 바디 프레임(131)이 소정의 힘으로 결합된다.
여기서, 도면에서 미설명 도면부호 531, 533은 클램핑부(353)가 체결부재(351)에서 연장된 클램핑 바디부(531)과 클램핑부(353)와 체결부재(351)의 상단부가 결합된 결합부(533)이다.
한편, 분사 플레이트(133)에 일측에는 분사 플레이트(133)의 분리 시 클램핑부(353)가 안착될 수 있는 안착홈(335)이 형성될 수 있다.
또한, 체결부재 삽입부(333) 내부에는 체결부재(351)를 탄성 지지하도록 탄성 지지부재(355)가 구비된다. 예를 들어, 탄성 지지부재(355)는 체결부재 삽입부(333)와 분사 플레이트(133)에 대해 탄성력을 작용하도록 체결부재(351)가 관통하여 구비된 코일 스프링일 수 있다. 여기서, 탄성 지지부재(355)는 클램핑부(353)가 바디 프레임(131)에 소정의 힘으로 가압 결합될 수 있도록 압축 구비될 수 있다. 즉, 탄성 지지부재(355)에 의해 체결부재(351)는 하부로 힘을 받고 있어서 클램핑부(353)가 바디 프레임(131)에 소정의 힘으로 가압 결합되어 바디 프레임(131)과 분사 플레이트(133)를 견고하게 결합시킬 수 있다.
체결부(135)는 체결부재(351)를 드라이버와 같은 공구를 이용하여 체결부재 삽입부(333) 내부로 밀어 넣으면 체결부재(351)의 상단부 및 클램핑부(353)가 분사 플레이트(133)에서 돌출되면서 클램핑부(353)의 돌기부(535)가 체결홈(315)에서 분리되고, 이 상태에서 체결부재(351)를 회전시키면 클램핑부(353)가 회전하면서 분사 플레이트(133)와 바디 프레임(131)을 분리시킬 수 있다. 그리고 회전된 클램핑부(353)는 분사 플레이트(133) 일 측의 안착홈(335)에 삽입 결합되어 분사 플레이트(133) 분리 시 클램핑부(353)의 이동 및 위치 변화를 방지하고 위치를 유지시킬 수 있다.
여기서, 체결부재(351)는 바디부(511)와 헤드부(513)로 구성되는데 헤드부(513)는 탄성 지지부재(355)를 압축하고 체결부재(351)에 대해 탄성 지지부재(355)가 탄성 지지할 수 있도록 바디부(511)보다 큰 단면적을 갖는다. 그리고 헤드부(513) 하부면에는 체결부재(351)를 돌출시킬 때 공구가 결합되어 체결부재(351)를 안정적으로 상부로 돌출시킬 수 있도록 하고, 특히, 체결부재(351)를 회전시킬 수 있도록 하는 나사홈(514)이 형성될 수 있다. 그러나 체결부재(351)의 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 실질적으로 다양한 형태를 가질 수 있다.
이상과 같이 본 고안에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한 정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 고안의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 고안은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 고안이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 고안의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 고안 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치 및 샤워헤드 유닛을 설명하기 위한 단면도;
도 2는 도 1의 원자층 증착장치에서 샤워헤드 유닛의 평면도;
도 3은 도 1의 원자층 증착장치에서 체결부를 설명하기 위한 사시도;
도 4와 도 5는 도 1의 원자층 증착장치에서 체결부의 동작을 설명하기 위한 'A'의 요부 확대도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 100: 원자층 증착장치
101: 프로세스 챔버 102: 서셉터 유닛
103: 샤워헤드 유닛 104: 소스가스 공급부
106: 챔버 배기부 131: 바디 프레임
133: 분사 플레이트 135: 체결부
311: 제1 체결부 315: 체결홈
331: 분사홀 331a: 분사홀 형성 영역
332: 가스 버퍼 333: 체결부재 삽입부
335: 안착홈 351: 체결부재
353: 클램핑부(clamping part) 355: 탄성 지지부재

Claims (8)

  1. 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛에 있어서,
    내부에 소스가스의 유동을 위한 가스 버퍼가 형성된 바디 프레임;
    상기 바디 프레임 하부에 결합되며, 복수의 분사홀이 형성되된 분사 플레이트; 및
    상기 분사 플레이트와 일체로 구비되어 상기 분사 플레이트를 상기 바디 프레임 하부에 체결시키는 체결부;
    를 포함하고,
    상기 체결부는,
    상기 분사 플레이트를 관통하여 삽입 구비된 체결부재;
    상기 체결부재의 상단부에서 일측으로 연장 구비되며 상기 분사 플레이트 상부에 구비된 클램핑부; 및
    상기 클램핑부가 상기 바디 프레임에 가압 결합되도록 상기 체결부재와 상기 분사 플레이트 사이에서 탄성력을 작용시키는 탄성 지지부재;
    를 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 클램핑부는 상기 체결부재에서 일 방향으로 연장된 단부에는 상기 바디 프레임에 대해 훅 결합 가능하도록 하부로 절곡된 돌기부가 구비되고,
    상기 바디 프레임에서 상기 돌기부와 대응되는 위치에는 상기 돌기부와 상호 결합되는 체결홈이 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 체결부재는 상기 체결홈에 상기 돌기부를 선택적으로 결합시키도록 상기 클램핑부가 회전 가능하게 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 체결부재는 상기 분사 플레이트 하부에서 삽입 결합되고, 상기 탄성 지지부재는 상기 체결부재가 관통하도록 구비된 코일 스프링을 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 체결부재는 상기 분사 플레이트 상부로 상기 클램핑부가 탄성적으로 돌출되도록 상기 분사 플레이트를 관통하여 구비된 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 체결부는 비금속 재질로 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 체결부는 상기 분사 플레이트의 가장자리를 따라 복수개의 체결부가 구비된 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210000568A (ko) * 2019-06-25 2021-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101372333B1 (ko) * 2012-02-16 2014-03-14 주식회사 유진테크 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970703445A (ko) * 1994-06-03 1997-07-03 터그럴 야사 박막 제조 방법 및 장치(Method and apparatus for producing thin films)
KR20010013553A (ko) * 1998-04-09 2001-02-26 히가시 데츠로 반응 챔버에 기체 및 고주파 전력을 공급하는 적층샤우어헤드 어셈블리
KR20040100196A (ko) * 2003-05-22 2004-12-02 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
KR20060121781A (ko) * 2000-01-20 2006-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가스 분배 장치 및 그 가스 분배 장치를 포함하는 챔버

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970703445A (ko) * 1994-06-03 1997-07-03 터그럴 야사 박막 제조 방법 및 장치(Method and apparatus for producing thin films)
KR20010013553A (ko) * 1998-04-09 2001-02-26 히가시 데츠로 반응 챔버에 기체 및 고주파 전력을 공급하는 적층샤우어헤드 어셈블리
KR20060121781A (ko) * 2000-01-20 2006-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가스 분배 장치 및 그 가스 분배 장치를 포함하는 챔버
KR20040100196A (ko) * 2003-05-22 2004-12-02 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210000568A (ko) * 2019-06-25 2021-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102258145B1 (ko) 2019-06-25 2021-05-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

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