CN104115265A - 基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置 - Google Patents

基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104115265A
CN104115265A CN201280069666.1A CN201280069666A CN104115265A CN 104115265 A CN104115265 A CN 104115265A CN 201280069666 A CN201280069666 A CN 201280069666A CN 104115265 A CN104115265 A CN 104115265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
rotating member
bottom compartment
module
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280069666.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104115265B (zh
Inventor
梁日光
宋炳奎
金劲勋
金龙基
申良湜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eugene Technology Co Ltd
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of CN104115265A publication Critical patent/CN104115265A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104115265B publication Critical patent/CN104115265B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

根据本发明的一个实施方式，一种基板处理模块包括：下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中形成有一通道，以引入基板；多个承座，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕预设中心被固定地且周向地布置，使得在处理期间相应的基板能够被放置在这多个承座上；旋转构件，该旋转构件被布置在所述预设中心处，从而能够绕所述预设中心旋转；多个保持件，这多个保持件均连接至所述旋转构件从而与所述旋转构件一起旋转，其中每个保持件都具有供放置相应的基板的至少一个安置表面；以及驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，从而驱动所述旋转构件并且将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。

Description

基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置
技术领域
这里所公开的本发明涉及基板处理模块以及包括该基板处理模块的基板处理装置，并且更具体地涉及包括多个承座的基板处理模块以及包括该基板处理模块的基板处理装置。
背景技术
一半导体设备包括位于硅基板上的多个层，这些层借助沉积处理沉积于基板上。
基板被加载在布置于处理室内的承座上。沉积处理在该处理室内执行。在此，根据加载的基板数量，基板处理装置可被分类成单一晶圆型以及批次型。在单一晶圆型基板处理装置的情况下，一个基板被加载于一处理室中，然后在该一个基板上执行沉积处理。另一方面，在批次型基板处理装置的情况下，多个基板被加载在一处理室内，然后同时在这多个基板上执行沉积处理。
发明内容
技术问题
本发明提供这样一种基板处理模块以及包括该基板处理模块的基板处理装置，所述基板处理模块对多个基板同时执行处理。
本发明也提供这样一种基板处理模块以及包括该基板处理模块的基板处理装置，其中，多个基板被有效地加载至处理室中并且从该处理室被卸载。
参阅下列详细说明以及附图将了解本发明的其它另一目的。
技术方案
本发明的实施方式提供了一种基板处理模块，该基板处理模块包括：下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中具有一通道，基板能够穿过该通道出入；多个承座，在这多个承座上，所述基板被放置在这多个承座的每个顶表面上，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕所述下部室的预设中心被固定地布置；旋转构件，该旋转构件被布置在所述下部室的所述预设中心上，并且该旋转构件能够相对于所述预设中心旋转；多个保持件，这多个保持件连接至所述旋转构件并且与所述旋转构件一起旋转，这多个保持件具有供放置所述基板的至少一个安置表面；以及驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，并且该驱动模块通过驱动所述旋转构件而将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。
在一些实施方式中，所述驱动模块可以升高所述旋转构件，以将每个保持件均定位在接收高度或加载高度处，并且在所述接收高度处每个保持件都可以被布置在比那些承座高的高度处，并且在所述加载高度处这些保持件的所述至少一个安置表面可以被布置在比那些承座的顶表面低的高度处。
在其它实施方式中，在每个保持件都被布置在所述接收高度处的状态下，每个保持件都可以移动至所述输送位置。
在仍旧其它实施方式中，每个保持件都可以包括：叉状物，该叉状物朝向所述下部室的外侧打开，该叉状物具有弧形并且具有大约180度以上的圆心角；以及至少一个支撑末端，该支撑末端连接至所述叉状物以从所述叉状物向内突出，该支撑末端提供所述安置表面，其中，每个承座都可以具有至少一个插入沟槽，当分别被布置在所述承座上的每个保持件都移动至所述加载高度时，所述支撑末端被插入所述插入沟槽中。
在甚至其它实施方式中，每个承座都可以包括：加热板；以及盖，该盖被布置在所述加热板上，并且该盖具有供放置所述基板的支撑表面，其中，所述插入沟槽可以被限定在所述支撑表面的边缘内。
在又其它实施方式中，所述承座和所述保持件都可以相对于所述预设中心以等角间隔排列，并且所述承座的数量可以与所述保持件相同。
在进一步实施方式中，所述承座中的一个承座可以被布置成对应于所述通道。
在仍旧进一步的实施方式中，所述下部室可以包括沿着其下壁的边缘布置的多个排气口，并且这些排气口可以分别被布置在所述承座的外侧。
在甚至进一步实施方式中，所述基板处理模块还可以包括：上部室，该上部室连接至所述下部室的上部，并且该上部室具有对应于所述预设中心的开口；圆筒，该圆筒具有连接至所述上部室的所述开口的敞开式下部；气体供应口，该气体供应口连接至所述圆筒，以将从外部供应的处理气体供应到所述圆筒中；以及天线，该天线围绕所述圆筒以在所述圆筒内产生电场。
在又进一步的实施方式中，所述下部室可以具有分别对应至所述承座的多个开口，并且其中，所述基板处理模块还可以包括：喷洒头，每个喷洒头都具有从其顶表面凹进的缓冲空间以及连接至所述缓冲空间的多个注射孔，这些喷洒头分别被布置在所述开口上；以及上部室，所述上部室分别被布置在所述喷洒头的上方，以将所述缓冲空间与外部阻隔开，这些上部室具有气体供应口，以分别将从外部供应的处理气体供应到所述缓冲空间中。
在本发明的其它实施方式中，一种基板处理装置包括：加载锁定室，在该加载锁定室中放置从外部输送的基板，并且该加载锁定室具有变为真空状态或大气状态的内部；基板处理模块，在该基板处理模块中执行关于所述基板的处理；以及基板输送模块，该基板输送模块被布置在所述加载锁定室与所述基板处理模块之间，并且该基板输送模块包括一基板输送机器人，以在所述加载锁定室与所述基板处理模块之间输送所述基板，其中，所述基板处理模块包括：下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中具有一通道，所述基板能够穿过该通道出入；多个承座，在这多个承座上，所述基板被放置在这多个承座的每个顶表面上，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕所述下部室的预设中心被固定地布置；旋转构件，该旋转构件被布置在所述下部室的所述预设中心上，并且该旋转构件能够相对于所述预设中心旋转；多个保持件，这多个保持件连接至所述旋转构件并且与所述旋转构件一起旋转，这多个保持件具有供放置所述基板的至少一个安置表面；以及驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，并且该驱动模块通过驱动所述旋转构件而将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。
技术效果
根据本发明一实施方式，能够将多个基板有效地加载至处理室中并且从该处理室被卸载。另外，能够对多个基板同时执行处理，
附图说明
在此包括附图来进一步了解本发明，并且这些附图并入以及构成此说明书的一部分。这些附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明原理。在附图中：
图1为根据本发明一实施方式的基板处理装置的示意图；
图2为示出图1的一基板处理模块的示意图；
图3为图2的下部室的内部的视图；
图4为示出图2的盖的视图；
图5为示出图2的保持件的视图；
图6和图7为示出图2的保持件的操作的视图；
图8为示出图2的基板处理模块的修改范例的示意图；以及
图9为示出图2的基板处理模块的另一个修改范例的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照图1至图9来详细说明本发明的示例性实施方式。不过，本发明可以有不同形式的修改，并且不应受限于此处陈述的具体实施方式。而是相反地，提供这些实施方式，使得本公开是全面和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，为了例示的清晰起见而夸大了组件的形状。
虽然以下作为示例说明了一沉积处理，不过本发明可以被施加于包括该沉积处理的许多半导体制造过程。
图1为根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图。基板处理装置1包括处理设备2、设备前端模块(EFEM)3以及界面壁4。EFEM 3安装在处理设备2的前侧，用于在处理设备2与供接收基板的容器(未显示)之间传送基板。
EFEM 3包括多个加载口6和框架50，框架50布置在加载口6与处理设备2之间。供接收基板的容器由传送单元(未显示)放置于加载口6上，加载口例如为架空专送器、架空输送器或自走车。
可使用例如前端开口整合盒(FOUP)这类气密容器作为容器。在框架50内放置一框架机器人70，该框架机器人用于在放置于加载口6上的容器与处理设备2之间传送基板。在框架50内可以布置有用于自动地开启或关闭该容器的门的开门装置(未显示)。框架50内也可以设置有用于将干净空气供应到该框架50内的风扇过滤器单元(FFU)(未显示)，使得干净的空气从框架50内的上侧向下流动。
关于基板的预定处理都在处理设备2内执行，处理设备2包括基板输送模块102、加载锁定室106以及基板处理模块110。当从上侧观看时，基板输送模块102具有大体上多边形的形状。加载锁定室106和基板处理模块110都位布置在基板输送模块102的侧表面上。
加载锁定室106位于基板输送模块102的侧表面之中的与EFEM 3相邻的那个侧表面上。在将基板暂时存放在加载锁定室106内之后，将该基板加载到处理设备2以便执行处理。在处理完成之后，将该基板从处理设备2卸载，然后暂时存放在加载锁定室106内。基板输送模块102的内部以及基板处理模块110的内部分别维持真空状态。加载锁定室106转换成真空状态或大气状态。加载锁定室106避免外来污染物进入基板输送模块102和基板处理模块110。另外，因为在该基板的输送期间该基板并未暴露在空气中，所以可避免在该基板上生成氧化层。
在加载锁定室106与基板输送模块102之间以及在加载锁定室106与EFEM 3之间分别布置有闸门阀(未显示)。当基板在EFEM 3与加载锁定室106之间被输送时，布置在加载锁定室106与基板输送模块102之间的闸门阀关闭。另外，当基板在加载锁定室106与基板输送模块102之间被输送时，布置在加载锁定室106与EFEM 3之间的闸门阀关闭。
基板输送模块102包括一基板输送机器人104。基板输送机器人104在加载锁定室106与基板处理模块110之间输送基板。基板输送模块102被密封，使得在输送该基板时，基板输送模块102将保持在真空状态。维持真空状态是用于避免该基板暴露于污染物(例如O2、粒子材料等等)。
基板处理模块110设置成在基板上沉积薄膜。虽然在图1中示出了两个基板处理模块110，不过本发明并不受限于此。例如，可提供三个或更多个基板处理模块110。另外，可在基板输送模块102的侧表面上布置用于执行其它处理(例如清洁处理或蚀刻处理)的模块。
图2为示出图1的基板处理模块的示意图。图3为示出图2的下部室的内部的视图。请参阅图2，基板处理模块110包括下部室10、上部室12以及一圆筒14。下部室10以及上部室12提供一处理空间。关于一基板W的处理都在该处理空间内执行。圆筒14提供一产生空间，从供应至该产生空间内的处理气体产生等离子体。
下部室10具有一敞开式上部。上部室12连接至下部室10的该上部。上部室12朝向外侧向下倾斜。另外，上部室12在其中心具有一开口12a。圆筒14布置在开口12a上，圆筒14关闭开口12a。上部室12与圆筒14一起关闭下部室10的敞开式上部。
气体供应口16连接至圆筒14的上部。处理气体穿过气体供应口16被供应至圆筒14中。提供该处理气体，以便在基板W的一表面上沉积薄膜。在此，可根据薄膜种类使用许多种气体。天线18具有线圈形状以围绕圆筒14的外部。天线18连接至RF产生器(未显示)。另外，在天线18与该RF产生器之间可以布置一RF匹配器(未显示)。当高频电流流入天线18中时，在圆筒14内产生磁场。然后，可将处理气体供应至圆筒14中来产生等离子体。所产生的等离子体移动到放置于承座上的基板W的表面上以形成薄膜。
下部室10在其侧面中具有一通道11。基板W穿过该通道11被加载到下部室10中。通道11的外面布置有一闸门阀13，通道11可由该闸门阀13开启或关闭。如上所述，基板输送机器人104与该基板W一起穿过通道11而移动到下部室10中。然后，将基板W放置在稍后说明的叉状物28上，然后穿过通道11移动到下部室10的外部。在此，通道11由闸门阀13开启。
如图2所示，承座位于下部室10的内部。如以下所述，该承座包括一加热板32以及一盖板38。基板W利用基板输送机器人104移动到下部室10内。当执行该处理时，该基板W被放置在该承座的顶表面上。该承座由一支撑轴34支撑，支撑轴34通过托架36被固定至下部室10的下部。
如图3所示，承座绕下部室10的预设中心被固定地布置。这些承座可以以等角(例如大约72°)间隔排列。这些承座中的一个可以布置在通道11的前侧(代表基板穿过通道11移入下部室10中的方向)。在基板W分别放置在所有这些承座上的状态下就可以开始处理。在此，有关每一基板W的处理可同时执行。因此，可同时对五个基板W执行处理，以改善生产率。
如上所述，基板W利用基板输送机器人104移动到下部室10中。然后，基板输送机器人104将该基板W放下到叉状物28上。
一旋转构件包括旋转轴22和旋转板23。如图2和图3所示，五个叉状物28分别通过手27连接至旋转板23。另外，叉状物28相对于旋转板23的中心(或下部室10的预设中心)以等角(例如72°)间隔排列。旋转板23连接至旋转轴22。旋转轴22穿过下部室10的下壁。另外，旋转轴22布置在下部室10的预设中心上，并且相对于下部室10的该预设中心旋转。旋转轴22连接至驱动模块26。该旋转轴由驱动模块26升高与旋转。旋转板23与旋转轴22一起升高和旋转。叉状物28与旋转板23一起升高和旋转。驱动模块26固定至一支撑板24，该支撑板被固定地布置在下部室10的下壁上。
叉状物28可以通过其本身的旋转而被放置在通道11的前侧(“输送位置”)。基板输送机器人104将基板W放置在布置于该输送位置上的叉状物28上。在此，该基板W被放置在此后将要说明的支撑末端29的顶表面上。接收该基板W的叉状物28旋转离开该输送位置。其中未接收基板W的下一个叉状物28旋转并移动至该输送位置。以类似的方式，基板输送机器人104将一基板W放置在布置于该输送位置上的叉状物28上。叉状物28可借助旋转板23的旋转被连续地移动至该输送位置。基板W被连续地放置在叉状物28的顶表面上。通过上述处理，多个基板W可以被放置在叉状物28的顶表面上。
另外，基板W可以被放置在承座上，或通过叉状物28的升高而与该承座间隔开。稍后将对叉状物28的升高进行详细说明。
如图2与图3所示，下部室10包括布置在其底表面的边缘中的排气口15。排气口15分别布置在承座的外部，排气口15的数量与这些承座相同。当执行处理时，副产品以及未反应气体穿过排气口15被排放到下部室10的外部。在承座的周围布置上隔板42和下隔板44。支撑件46和48支撑上隔板42和下隔板44，上隔板42和下隔板44分别具有贯穿孔42a和44a(请参阅图7和图8)。这些副产品和这些未反应气体都穿过贯穿孔42a和44a而进入排气口15中。
承座包括加热板32以及盖板38。加热板32具有对应于基板W的形状的圆盘形状。在执行处理时，加热板32将放置于其上的基板W加热至处理温度。盖38被布置在加热板32上，不过，与当前实施方式不同，加热板32以及盖38可一体成型。
图4为示出图2的盖的视图。盖38具有一支撑表面52。支撑表面52具有大体上与基板W相同的形状。一插入沟槽54从支撑表面52凹进。如以下所述的，当保持件下降时，支撑末端29插入该插入沟槽54中。以类似的方式，一接收沟槽56从支撑表面52凹进。当该保持件下降时，叉状物28被接收至该接收沟槽56内。插入沟槽54大体上可具有与支撑末端29相同的尺寸与形状。接收沟槽56大体上可具有与叉状物28相同的尺寸与形状。
图5为示出图2的保持件的视图。该保持件包括叉状物28以及支撑末端29。叉状物28可具有弧形，其内径大于基板W的直径。叉状物28可具有圆心角大于大约180°的弧形。支撑末端29连接至叉状物28以从叉状物28往内突出。支撑末端29连接至叉状物28的中心与两端。放置在保持件上的基板W被布置在叉状物28内，并且放置在支撑末端29的顶表面(或安置表面)上。该基板W由三个支撑末端29稳定地支撑。替代地，该保持件可具有与当前实施方式内所述不同的形状。
图6和图7为示出图2的保持件的操作的视图。在下文中，将参考图6和图7来说明将基板W放在承座上的方法。另外，在下文中，作为示例，将只说明一个保持件与承座。以下说明同样适用于其它保持件与承座。
如上所述，当将一个基板W放置在五个保持件中的每一个保持件上时，该基板W由该保持件放在承座上。然后，同时对这些相应的基板执行处理。
叉状物28和支撑末端29借助驱动模块26与旋转板23一起升高。请参阅图6，当叉状物28上升时，基板W被放置在支撑末端29上。在此，叉状物28和支撑末端29被布置在高于承座的位置(“接收高度”)上。在叉状物28和支撑末端29都放置在该接收高度的状态下，该基板W可由基板输送机器人104移动至下部室10内，并且放置在支撑末端29上。放置在支撑末端29上的该基板W可由基板输送机器人104移动到下部室10的外部。在基板输送机器人104将该基板W抬升至比支撑末端29高的高度的状态下，基板输送机器人104将该基板W输送到支撑末端29的上方。然后该基板W可以下降并被放置在支撑末端29上。如上所述，在叉状物28位于该接收高度的状态下，叉状物28可旋转并移动至输送位置。
请参阅图7，当叉状物28下降时，基板W被放置在承座(或盖38)上。在此，支撑末端29的顶表面(或安置表面)可以被布置在比盖38的支撑表面52低的位置(“加载高度”)上。支撑末端29被插入至插入沟槽54中，并且叉状物28被接收在接收沟槽56中。
如上所述，基板输送机器人104可以将多个基板W连续地输送到相应的保持件上。当这些保持件在加载高度处移动时，这些基板W同时放置在相应的承座上。此后，同时执行关于这些相应的基板W的处理。当处理完成时，保持件在接收高度处移动。然后，基板输送机器人104连续地将这些基板W放置在这些相应的保持件上。在此，这些保持件可连续移动至输送位置，如上所述。
图8为示出图2的基板处理模块的修改范例的示意图。与图2不同的是，上部室12可具有平板形状，并且下隔板44可被移除。上述内容可取代底下省略的说明。
图9为示出图2的基板处理模块的另一个修改范例的示意图。下部室10具有多个开口12a。开口12a被限定在承座的上方。开口12a可具有与承座相同的数量。
在每一开口12a的上方均放置喷洒头60，喷洒头60具有从其顶表面凹进的缓冲空间64以及连接至缓冲空间64的多个注射孔62。上部室12分别被布置在喷洒头60上，以将缓冲空间64与外界隔开。每一上部室12都具有气体供应口16。穿过气体供应口16将处理气体供应至缓冲空间64中。可以提供该处理气体以在基板W的表面上沉积薄膜。在此，可根据薄膜种类来使用许多种气体。一阻挡板70被布置在缓冲空间64内，并且具有多个扩散孔。
处理气体穿过气体供应口16被供应至缓冲空间64中，并且穿过阻挡板70扩散。然后，该处理气体穿过扩散孔被供应到承座的顶表面上。该处理气体移动到放置于每一承座上的基板W的顶表面上以在该基板W的该表面上形成薄膜。
根据该实施方式，多个基板可以被有效地加载到处理室中以及从该处理室卸载。另外，可同时对这多个基板执行处理。
虽然本发明以参考示例性实施方式来详细说明，不过本发明可以以不同的形式来实施。因此，以下陈述的技术理念与权利要求的范围都不受限于优选的实施方式。
产业应用性
本发明可应用于各种形式的半导体制造设备及半导体制造方法中。

Claims (11)

1.一种基板处理模块，该基板处理模块包括：
下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中具有一通道，基板能够穿过该通道出入；
多个承座，在这多个承座上，所述基板被放置在这多个承座的每个顶表面上，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕所述下部室的预设中心被固定地布置；
旋转构件，该旋转构件被布置在所述下部室的所述预设中心上，并且该旋转构件能够相对于所述预设中心旋转；
多个保持件，这多个保持件连接至所述旋转构件并且与所述旋转构件一起旋转，这多个保持件具有供放置所述基板的至少一个安置表面；以及
驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，并且该驱动模块通过驱动所述旋转构件而将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中，所述驱动模块升高所述旋转构件，以将每个保持件均定位在接收高度或加载高度处，并且
在所述接收高度处每个保持件都被布置在比那些承座高的高度处，并且在所述加载高度处这些保持件的所述至少一个安置表面被布置在比所述承座的顶表面低的高度处。
3.根据权利要求2所述的基板处理模块，其中，在每个保持件都被布置在所述接收高度处的状态下，每个保持件都移动至所述输送位置。
4.根据权利要求2所述的基板处理模块，其中，每个保持件都包括：
叉状物，该叉状物朝向所述下部室的外侧打开，该叉状物具有弧形形状并且具有大约180度以上的圆心角；以及
至少一个支撑末端，该支撑末端连接至所述叉状物以从所述叉状物向内突出，该支撑末端提供所述安置表面，
其中，每个承座都具有至少一个插入沟槽，当分别被布置在所述承座上的每个保持件都移动至所述加载高度时，所述支撑末端被插入所述插入沟槽中。
5.根据权利要求4所述的基板处理模块，其中，每个承座都包括：
加热板；以及
盖，该盖被布置在所述加热板上，并且该盖具有供放置所述基板的支撑表面，
其中，所述插入沟槽被限定在所述支撑表面的边缘内。
6.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中，所述承座和所述保持件都相对于所述预设中心以等角间隔排列，并且
所述承座的数量与所述保持件相同。
7.根据权利要求6所述的基板处理模块，其中，所述承座中的一个承座被布置成对应于所述通道。
8.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中，所述下部室包括沿着其下壁的边缘布置的多个排气口，并且
这些排气口分别被布置在所述承座的外侧。
9.根据权利要求1所述的基板处理模块，该基板处理模块还包括：
上部室，该上部室连接至所述下部室的上部，并且该上部室具有对应于所述预设中心的开口；
圆筒，该圆筒具有连接至所述上部室的所述开口的敞开式下部；
气体供应口，该气体供应口连接至所述圆筒，以将从外部供应的处理气体供应到所述圆筒中；以及
天线，该天线围绕所述圆筒以在所述圆筒内产生电场。
10.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中，所述下部室具有分别对应至所述承座的多个开口，并且
其中，所述基板处理模块还包括：
喷洒头，每个喷洒头都具有从其顶表面凹进的缓冲空间以及连接至所述缓冲空间的多个注射孔，这些喷洒头分别被布置在所述开口上；以及
上部室，所述上部室分别被布置在所述喷洒头的上方，以将所述缓冲空间与外部阻隔开，这些上部室具有气体供应口，以分别将从外部供应的处理气体供应到所述缓冲空间中。
11.一种基板处理装置，该基板处理装置包括：
加载锁定室，在该加载锁定室中放置从外部输送的基板，并且该加载锁定室具有变为真空状态或大气状态的内部；
基板处理模块，在该基板处理模块中执行关于所述基板的处理；以及
基板输送模块，该基板输送模块被布置在所述加载锁定室与所述基板处理模块之间，并且该基板输送模块包括一基板输送机器人，以在所述加载锁定室与所述基板处理模块之间输送所述基板，
其中，所述基板处理模块包括：
下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中具有一通道，所述基板能够穿过该通道出入；
多个承座，在这多个承座上，所述基板被放置在这多个承座的每个顶表面上，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕所述下部室的预设中心被固定地布置；
旋转构件，该旋转构件被布置在所述下部室的所述预设中心上，并且该旋转构件能够相对于所述预设中心旋转；
多个保持件，这多个保持件连接至所述旋转构件并且与所述旋转构件一起旋转，这多个保持件具有供放置所述基板的至少一个安置表面；以及
驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，并且该驱动模块通过驱动所述旋转构件而将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。
CN201280069666.1A 2012-02-16 2012-11-23 基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置 Active CN104115265B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0015735 2012-02-16
KR1020120015735A KR101372333B1 (ko) 2012-02-16 2012-02-16 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
PCT/KR2012/009955 WO2013122311A1 (ko) 2012-02-16 2012-11-23 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104115265A true CN104115265A (zh) 2014-10-22
CN104115265B CN104115265B (zh) 2017-03-08

Family

ID=48984402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280069666.1A Active CN104115265B (zh) 2012-02-16 2012-11-23 基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140341682A1 (zh)
JP (1) JP6067035B2 (zh)
KR (1) KR101372333B1 (zh)
CN (1) CN104115265B (zh)
TW (1) TWI505392B (zh)
WO (1) WO2013122311A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112799342A (zh) * 2019-11-14 2021-05-14 富士电机株式会社 可编程控制器用的基座板和可编程控制器系统

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530024B1 (ko) * 2013-12-20 2015-06-22 주식회사 유진테크 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
KR101962915B1 (ko) * 2014-02-20 2019-03-27 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP1575661S (zh) * 2015-11-24 2017-05-08

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139070A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Hitachi Tokyo Electron Co Ltd 半導体製造装置
JP2000021946A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 C Bui Res:Kk 半導体製造装置
CN1909182A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
US20070207014A1 (en) * 2006-03-04 2007-09-06 Masato Toshima Substrate processing apparatus
KR20120082747A (ko) * 2011-01-14 2012-07-24 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62252931A (ja) * 1986-04-25 1987-11-04 Toshiba Corp 化合物半導体の気相成長装置
US5091217A (en) * 1989-05-22 1992-02-25 Advanced Semiconductor Materials, Inc. Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor
US5688358A (en) * 1995-03-08 1997-11-18 Applied Materials, Inc. R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5944940A (en) * 1996-07-09 1999-08-31 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
JP2004128249A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sendai Nikon:Kk 基板保持搬送方法、基板ホルダ、基板搬送装置、基板保持搬送装置及び露光装置
JP4879509B2 (ja) * 2004-05-21 2012-02-22 株式会社アルバック 真空成膜装置
JP4535499B2 (ja) * 2005-04-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
KR100800401B1 (ko) * 2006-08-14 2008-02-01 주식회사 유진테크 고주파 구동 유도 결합 플라즈마를 이용한 웨이퍼 표면처리장치
KR101333112B1 (ko) * 2007-03-29 2013-11-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
KR100963297B1 (ko) * 2007-09-04 2010-06-11 주식회사 유진테크 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법
US7929269B2 (en) * 2008-09-04 2011-04-19 Momentive Performance Materials Inc. Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
JP5141607B2 (ja) * 2009-03-13 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR200457817Y1 (ko) * 2009-12-28 2012-01-05 주식회사 케이씨텍 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛
KR101839904B1 (ko) * 2010-03-25 2018-03-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다중 기판 프로세싱을 위한 세그먼트화된 기판 로딩

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139070A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Hitachi Tokyo Electron Co Ltd 半導体製造装置
JP2000021946A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 C Bui Res:Kk 半導体製造装置
CN1909182A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
US20070207014A1 (en) * 2006-03-04 2007-09-06 Masato Toshima Substrate processing apparatus
KR20120082747A (ko) * 2011-01-14 2012-07-24 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112799342A (zh) * 2019-11-14 2021-05-14 富士电机株式会社 可编程控制器用的基座板和可编程控制器系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR101372333B1 (ko) 2014-03-14
CN104115265B (zh) 2017-03-08
TW201336010A (zh) 2013-09-01
JP6067035B2 (ja) 2017-01-25
WO2013122311A1 (ko) 2013-08-22
KR20130094470A (ko) 2013-08-26
US20140341682A1 (en) 2014-11-20
JP2015511399A (ja) 2015-04-16
TWI505392B (zh) 2015-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108933097B (zh) 真空输送组件和基片处理装置
TWI488259B (zh) A thin film deposition apparatus and a substrate processing system including the same
CN106460164B (zh) 用于衬底的双面处理的系统及方法
JP4960362B2 (ja) バッチ堆積ツールおよび圧縮ボート
JP2007242648A (ja) 基板の処理装置
TWI470722B (zh) 基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
JP2015521373A (ja) 真空プロセスのためのシステム構成
TW201241233A (en) Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
US10854497B2 (en) Apparatus and method of selective turning over a row of substrates in an array of substrates in a processing system
TW201349377A (zh) 獨立晶圓處理的方法及設備
CN105051866A (zh) 用于旋转压板式ald腔室的等离子体源
KR101530024B1 (ko) 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
CN104115265A (zh) 基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置
KR102244354B1 (ko) 기판 반송 기구, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102125512B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101507557B1 (ko) 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
CN108122809B (zh) 基板处理系统
JP2002134588A (ja) 基板搬送処理装置
CN113396469A (zh) 气相成长装置
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR102669815B1 (ko) 기상 성장 장치
JP2007123684A (ja) 基板の処理装置
JP2019195055A (ja) 半導体プロセス用の基板搬送機構及び成膜装置
JP7192756B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
KR101463961B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant