CN112514045A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置(1)的载置单元(40)设置于处理区块(20)与分度器区块(10)之间的连接部。载置单元(40)保持从分度器区块(10)朝中央机械手(22)传递的未处理的基板(9)。此外，载置单元(40)保持从中央机械手(22)朝分度器区块(10)传递的处理完毕的基板(9)。第一阻隔部(51)可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的分度器区块(10)以及载置单元(40)与搬运路径(23)之间的气体的移动，该搬运路径(23)在处理区块(20)中连接处理单元(21)以及载置单元(40)。由此，能抑制基板处理装置(1)中的基板(9)的氧化。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种用以处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，在用以处理基板的基板处理装置中，收容于环圈(hoop)等承载器(carrier)的基板被分度器机械手(indexer robot)搬出且载置于载置单元，并被中央机械手(centerrobot)从载置单元搬运至处理单元且被施予各种处理。
例如，在日本特许第6280837号公报(文献1)以及日本特许第5626249号公报(文献2)的基板处理系统中，在搬入搬出站的基板搬运机构与处理站的基板搬运机构之间设置有授受部。由于授受部的两侧的开口部未具有关闭机构而始终被开放，因此两个站的内部空间经由授受部而始终连通。该基板处理系统设置于无尘室(cleaning room)，并经由FFU(fan filter unit；风扇过滤器单元)对两个站的内部空间供给无尘室内的空气。
在文献1的基板处理系统中，将搬入搬出站的内部空间的压力设定成比处理站的内部空间的压力高，由此形成从搬入搬出站经由授受部朝向处理站的空气的流动。由此，抑制在处理单元中所产生的药品氛围等进入至搬入搬出站。此外，在授受部中，为了降低湿度对于晶片上的器件(device)的影响，在授受部的搬入搬出站侧的开口部设置有用以供给干燥气体的气体喷出部。
另一方面，在日本特许第4669257号公报(文献3)的基板处理装置中，负载锁定室(load lock chamber)、配置有搬运机械手的搬运室以及用以对晶片进行处理的处理室通过真空泵(vacuum pump)而被真空排气。此外，在该基板处理装置中，可对负载锁定室、搬运室以及处理室供给氮气。通过供给氮气来抑制来自真空泵的油的逆扩散等污染基板。
此外，日本特许第3737604号公报(文献4)的基板处理装置具备：接受室，载置有已收容有多个未处理的基板的承载器；搬运室，配置有搬运机械手；多个处理室；以及传递室，载置有已收容有多个处理完毕的基板。在该基板处理装置中，对各个室供给非活性气体，将各个室内的压力设定成传递室的压力>搬运室的压力>多个处理室的压力。
然而，在文献1的装置中，虽然形成有从搬入搬出站朝向处理站的空气的流动，但是会有在处理单元中所产生的化学氛围因扩散而经由处理站进入至搬入搬出站的疑虑。此外，由于载置于授受部等的晶片在较长的时间中与空气接触，因此会有晶片表面氧化的疑虑。
此外，在文献3的装置中，虽然可将负载锁定室、搬运室以及处理室设定成低氧氛围，但是由于负载锁定室、搬运室以及处理室全部皆需要具有可对应真空氛围的构造，因此从装置的复杂化以及大型化等观点而言不考虑将该装置的构造应用于不进行真空下的处理的基板处理装置。
在文献4的装置中，传递室的压力>搬运室的压力，由此在开放传递室与搬运室之间的挡门时形成从传递室朝向搬运室的非活性气体的流动，但是会有在处理室中所产生的化学氛围因扩散而经由搬运室进入至传递室内的疑虑。
发明内容
本发明着眼于一种用以处理基板的基板处理装置，目的在于通过将较长时间载置有基板的空间设定成低氧氛围来抑制基板的氧化。
本发明较佳方式之一的基板处理装置具备：处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板；以及第一阻隔部，可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。依据该基板处理装置，能抑制基板的氧化。
较佳为，所述第一阻隔部具备：门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动。
较佳为，所述第二阻隔部具备：门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围；以及控制部，分别单独地控制从所述第一气体供给部供给非活性气体以及从所述第二气体供给部供给非活性气体。
较佳为，所述搬运路径的氧浓度比所述分度器区块的氧浓度以及所述载置单元的氧浓度高。
较佳为，所述搬运路径为大气氛围。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部。所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭。所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭。通过所述控制部的控制，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将未处理的基板经由所述第二开口搬入至所述载置单元，通过所述第二门体关闭所述第二开口后，开放所述第一开口，通过所述第一搬运机械手将所述未处理的基板经由所述第一开口从所述载置单元搬出。
较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部。所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭。所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭。通过所述控制部的控制，在通过所述第二门体关闭所述第二开口且开放所述第一开口的状态下，通过所述第一搬运机械手将处理完毕的基板经由所述第一开口搬入至所述载置单元后，通过所述第一门体关闭所述第一开口，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将所述处理完毕的基板经由所述第二开口从所述载置单元搬出。
本发明亦着眼于一种用以通过基板处理装置处理基板的基板处理方法。所述基板处理装置具备：处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；以及载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板。本发明较佳方式之一基板处理方法具备：工序(a)，通过所述第二搬运机械手将基板从所述分度器区块搬入至所述载置单元；工序(b)，通过所述第一搬运机械手从所述载置单元搬出所述基板并搬入至所述处理单元；工序(c)，在所述处理单元中对所述基板进行处理；工序(d)，通过所述第一搬运机械手从所述处理单元搬出所述基板并搬入至所述载置单元；以及工序(e)，通过所述第二搬运机械手将所述基板从所述载置单元搬出至所述分度器区块。可阻隔氧浓度比大气还低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。由此，依据该基板处理方法，能抑制基板的氧化。
本发明的上面所说明的目的以及其他目的、特征、方式以及优点参照附图并通过以下所进行的本发明的详细的说明而明了。
附图说明
图1是一个实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是表示基板处理装置的内部的主视图。
图3是表示处理单元的一例的图。
图4是载置单元的侧视图。
图5是载置单元的侧视图。
图6是表示载置单元的内部的图。
图7是表示控制部的构成的图。
图8A是表示基板的处理的流程的图。
图8B是表示基板的处理的流程的图。
图9是其他的载置单元的侧视图。
图10是其他的载置单元的侧视图。
图11是表示其他的载置单元的内部的图。
图12A是表示基板的处理的流程的图。
图12B是表示基板的处理的流程的图。
具体实施方式
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置1的俯视图。图2是从图1的Ⅱ－Ⅱ线观察基板处理装置1的图。此外，在以下所参照的各图中适当地附上XYZ正交坐标系，XYZ正交坐标系将Z轴方向作为铅垂方向(亦即上下方向)且将XY平面作为水平面。此外，在图2中，省略基板处理装置1的+X侧的一部分的图示。
基板处理装置1是用以连续地对多个大致圆板状的半导体基板9(以下简称“基板9”)进行处理的装置。在基板处理装置1中，例如进行用以对基板9供给处理液的液体处理。基板处理装置1具备多个承载器台(carrier stage)11、分度器区块10、处理区块20、载置单元40以及控制部60。分度器区块10以及处理区块20亦分别被称为分度器区以及处理区。此外，分度器区块10亦被称为设备前段模块(EFEM；Equipment Front End Module)单元等。在图1所示的例子中，从－X侧朝向+X侧依序邻接配置有多个(例如三个)承载器台11、分度器区块10以及处理区块20。
多个承载器台11沿着分度器区块10的－X侧的侧壁排列于Y方向。多个承载器台11分别为供承载器95载置的载置台。承载器95可收容多个圆板状的基板9。在承载器95的内部空间填满有非活性气体(例如氮(N2)或者氩气(Ar))并变成低氧氛围。在分度器区块10的－X侧的侧壁中的与各个承载器台11上的承载器95对应的位置设置有开口部。在该开口部设置有承载器用挡门，在进行基板9相对于承载器95的搬出以及搬入时，将该承载器用挡门予以开闭。
通过OHT(Overhead Hoist Transfer；高架无人搬运车)等从基板处理装置1的外部将已收容有多个未处理的基板9的承载器95搬入并载置于各个承载器台11。此外，处理区块20中已结束处理的处理完毕的基板9被收容于载置于承载器台11的承载器95。收容有处理完毕的基板9的承载器95被OHT等搬出至基板处理装置1的外部。亦即，承载器台11作为用以层叠未处理的基板9以及处理完毕的基板9的基板层叠部而发挥作用。
承载器95例如为用以将基板9收容于密闭空间的FOUP(Front Opening UnifiedPod；前开式晶片传送盒)。承载器95并未限定于FOUP，例如亦可为SMIF(StandardMechanical Inter Face；标准制造接口)盒等。此外，承载器台11的数量可为一个亦可为两个以上。
分度器区块10从承载器95接受未处理的基板9并传递至处理区块20。此外，分度器区块10接受从处理区块20搬出的处理完毕的基板9并搬入至承载器95。在分度器区块10的内部空间100配置有用以进行将基板9相对于承载器95搬入以及搬出的分度器机械手12。
分度器机械手12具备两只搬运臂121a、121b、臂台122以及基台123。两只搬运臂121a、121b搭载于臂台122。基台123固定于分度器区块10的框架。
臂台122搭载于基台123上。在基台123内置有用以使臂台122绕着在上下方向(亦即Z方向)延伸的旋转轴旋转的马达(未图示)以及用以使臂台122沿着上下方向移动的马达(未图示)。搬运臂121a、121b上下分离地配置于臂台122上。
在搬运臂121a、121b的前端分别设置有俯视观察时为大致U字状的手部(hand)。该手部例如具备：基部，在宽度方向展开；以及两只爪部，从该基部的宽度方向两端部朝与宽度方向垂直的长度方向大致平行地延伸。搬运臂121a、121b分别通过手部支撑一片基板9的下表面。此外，搬运臂121a、121b通过内置于臂台122的驱动机构(未图示)使多关节机构屈伸，由此沿着水平方向(亦即将臂台122的旋转轴作为中心的径向)彼此独立地移动。换言之，手部进退自如、升降自如且旋转自如地设置于分度器机械手12。
分度器机械手12是搬运机械手，用以分别使通过手部保持基板9的搬运臂121a、121b个别地访问(access)至载置于承载器台11的承载器95以及载置单元40，由此在承载器95以及载置单元40之间搬运基板9。分度器机械手12中的上面所说明的移动机构并未限定于上面所说明的例子，亦可为其他的机构。例如，作为用以将搬运臂121a、121b在上下方向移动的机构，亦可采用使用了带轮(pulley)与同步带(timing belt)的带输送机构等。
在处理区块20设置有：搬运路径23，利用于基板9的搬运；以及多个处理单元21，配置于搬运路径23的周围。在图1所示的例子中，搬运路径23在处理区块20的Y方向的中央朝X方向延伸。在搬运路径23的内部空间230配置有中央机械手22，中央机械手22用以进行基板9相对于各个处理单元21的搬入以及搬出。
中央机械手22具备两只搬运臂221a、221b、臂台222以及支柱223。两只搬运臂221a、221b搭载于臂台222。支柱223固定于处理区块20的框架。
臂台222可在上下方向移动地设置于支柱223。在支柱223内置有用以使臂台222沿着上下方向移动的升降机构224。升降机构224例如为组合了马达以及滚珠螺杆的机构。升降机构224的构造亦可进行各种变更。搬运臂221a、221b上下分离地配置于臂台222上。
在搬运臂221a、221b的前端分别设置有俯视观察时为大致U字状的手部。该手部例如具备：基部，在宽度方向展开；以及两只爪部，从该基部的宽度方向两端部朝与宽度方向垂直的长度方向大致平行地延伸。搬运臂221a、221b分别通过手部支撑一片基板9的下表面。搬运臂221a、221b通过内置于臂台222的驱动机构(未图示)使多关节机构屈伸，由此沿着水平方向彼此独立地移动。此外，搬运臂221a、221b通过内置于臂台222的该驱动机构彼此独立地在水平方面旋转。换言之，手部进退自如、升降自如且旋转自如地设置于中央机械手22。
中央机械手22是搬运机械手，用以分别使通过手部保持基板9的搬运臂221a、221b个别地访问至载置单元40以及多个处理单元21，由此在载置单元40与处理单元21之间搬运基板9。在以下的说明中，亦将中央机械手22以及分度器机械手12分别称为“第一搬运机械手”以及“第二搬运机械手”。中央机械手22中的上面所说明的移动机构并未限定于上面所说明的例子，亦可为其他的机构。例如，作为用以将搬运臂221a、221b在上下方向移动的机构，亦可采用使用了带轮与同步带的带输送机构等。
在各个处理单元21中，对基板9进行处理。在图1以及图2所示的例子中，在处理区块20设置有十二个处理单元21。具体而言，层叠于Z方向的三个处理单元21的群组在俯视观察时的处理单元21的周围配置有四组。
图3是表示处理单元21的一例的图。处理单元21具备壳体(housing)211以及处理部24。处理部24收容于壳体211的内部空间。处理部24具备基板保持部241、基板旋转机构242、罩(cup)部243、喷嘴244以及顶板(top plate)245。处理部24例如对基板9的上表面91进行蚀刻处理等液体处理。
基板保持部241例如以水平状态保持基板9。基板保持部241例如具备多个机械夹具(mechanical chuck)，多个机械夹具接触并保持基板9的周缘部。基板旋转机构242将朝向上下方向的旋转轴J1作为中心旋转基板保持部241，由此旋转被基板保持部241保持的基板9。基板旋转机构242例如为电动马达，连接至基板保持部241的下表面。
罩部243是大致圆筒状的构件，遍及全周地围绕基板保持部241的周围。罩部243接住从旋转中的基板9朝周围飞散的液体。顶板245是阻隔板，覆盖基板9的上方并阻隔周围的氛围。顶板245例如被基板保持部241从下方支撑，并通过基板旋转机构242而与基板保持部241一起旋转。喷嘴244插入至设置于顶板245的中央部的开口，并朝基板9的上表面的中央部供给处理液。
如图1以及图2所示，在分度器区块10与处理区块20之间设置有大致朝Y方向延伸的氛围阻隔用的隔壁30。隔壁30遍及分度器区块10的Y方向的全长以及Z方向的全长而设置。在分度器区块10的Y方向的中央部中，隔壁30的一部分突出至处理区块20侧(亦即+X侧)。在以下的说明中，将该突出的部位称为“联络部31”。联络部31的大致隧道状的内部空间310是分度器区块10的内部空间100的一部分，并联络分度器区块10与处理区块20的搬运路径23。
载置单元40载置于联络部31的内部空间310中的+X侧的端部。换言之，载置单元40设置于分度器区块10与处理区块20之间的连接部。如上面所说明那样，分度器机械手12以及中央机械手22可对载置单元40存取。载置单元40经由配置有中央机械手22的搬运路径23连接至多个处理单元21。
分度器机械手12将从承载器95搬出的未处理的基板9载置于载置单元40。中央机械手22从载置单元40将未处理的基板9搬出并搬入至处理单元21。此外，中央机械手22将从处理单元21搬出的处理完毕的基板9载置于载置单元40。分度器机械手12从载置单元40将处理完毕的基板9搬出并搬入至承载器95。换言之，载置单元40保持从分度器机械手12传递至中央机械手22的未处理的基板9以及从中央机械手22朝分度器机械手12传递的处理完毕的基板9。
图4是从+X侧观察载置单元40的侧视图。图5是从－X侧观察载置单元40的侧视图。图6是从+X侧观察载置单元40的内部的图。在图6中，剖面显示载置单元40的框体434并图示载置单元40的内部。此外，在图6中，一并表示载置单元40以外的构成。
载置单元40具备框体434、基板支撑部431、第一挡门432以及第二挡门433。框体434是大致立方体状的箱形构件。可在载置单元40的内部空间400收容有四片基板9。该四片基板9以彼此分离的状态排列并载置于上下方向(亦即Z方向)。基板支撑部431收容于框体434的内部。基板支撑部431以水平状态支撑各个基板9。基板支撑部431例如为从框体434的内侧面突出的多个凸部，并在该多个凸部上载置有基板9的周缘部。基板支撑部431的形状以及构造亦可适当地变更。
在框体434的+X侧的侧壁设置有第一开口435，第一开口435连接处理区块20的搬运路径23的内部空间230与载置单元40的内部空间400。第一开口435是大致矩形状的贯通孔。第一开口435可使被中央机械手22保持的两片基板9通过。在框体434的－X侧的侧壁设置有第二开口436，第二开口436连接分度器区块10的内部空间100与载置单元40的内部空间400。第二开口436是大致矩形状的贯通孔。第二开口436可使被分度器机械手12保持的两片基板9通过。
第一挡门432是用以开闭框体434的第一开口435的门体(亦即第一门体)。第一挡门432是大致长方形的板状构件。第一挡门432通过第一挡门移动机构437在上下方向(亦即Z方向)移动且亦在X方向移动。第一挡门移动机构437例如具备用以使第一挡门432在上下方向移动的电动缸(electric cylinder)等致动器(actuator)(未图示)以及用以将第一挡门432朝框体434按压的电动缸等致动器(未图示)。此外，在图2中省略第一挡门移动机构437的图示。
如图4中的实线所示，第一挡门432在X方向与第一开口435重叠，由此第一开口435被关闭。第一挡门432通过第一挡门移动机构437朝框体434按压，由此在第一开口435的周围与框体434气密地接触。由此，阻隔处理区块20的搬运路径23的内部空间230与载置单元40的内部空间400之间的气体经由第一开口435移动。此外，通过第一挡门移动机构437使第一挡门432从框体434朝+X方向离开后朝图4中以双点划线所示的位置下降，由此第一开口435被开放。由此，搬运路径23的内部空间230与载置单元40的内部空间400之间的空气可经由第一开口435移动。
第二挡门433是用以开闭框体434的第二开口436的门体(亦即第二门体)。第二挡门433是大致长方形的板状构件。第二挡门433通过第二挡门移动机构438在上下方向(亦即Z方向)移动且亦在X方向移动。第二挡门移动机构438例如具备用以使第二挡门433在上下方向移动的电动缸等致动器(未图示)以及用以将第二挡门433朝框体434按压的电动缸等致动器(未图示)。此外，在图2中省略第二挡门移动机构438的图示。
如图5中的实线所示，第二挡门433在X方向与第二开口436重叠，由此第二开口436被关闭。第二挡门433通过第二挡门移动机构438而朝框体434按压，由此在第二开口436的周围与框体434气密地接触。由此，阻隔分度器区块10的内部空间100与载置单元40的内部空间400之间的气体经由第二开口436移动。此外，通过第二挡门移动机构438使第二挡门433从框体434朝－X方向离开后朝图5中以双点划线所示的位置下降，由此第二开口436被开放。由此，分度器区块10的内部空间100与载置单元40的内部空间400之间的空气可经由第二开口436移动。
在载置单元40的第一开口435被第一挡门432关闭的状态下，通过包含有图1以及图2所示的联络部31的隔壁30、载置单元40的框体434以及通过第一挡门移动机构437而移动的第一挡门432，阻隔分度器区块10以及载置单元40与处理区块20的搬运路径23之间的气体的移动。亦即，隔壁30、框体434、第一挡门432以及第一挡门移动机构437构成第一阻隔部51，第一阻隔部51可阻隔分度器区块10以及载置单元40与处理区块20的搬运路径23之间的气体的移动。第一阻隔部51亦可包含有隔壁30、框体434、第一挡门432以及第一挡门移动机构437以外的构成。
此外，在载置单元40的第二开口436被通过第二挡门移动机构438移动的第二挡门433关闭的状态下，通过载置单元40的框体434以及第二挡门433阻隔分度器区块10与载置单元40之间的气体的移动。亦即，框体434、第二挡门433以及第二挡门移动机构438构成第二阻隔部52，第二阻隔部52可阻隔分度器区块10与载置单元40之间的气体的移动。第二阻隔部52亦可包含有框体434、第二挡门433以及第二挡门移动机构438以外的构成。
如图6所示，基板处理装置1还具备第一气体供给部55，第一气体供给部55对载置单元40供给非活性气体(例如氮或氩)。第一气体供给部55具备中央喷出部551、周缘喷出部552、侧方喷出部553以及排气口554。中央喷出部551以及周缘喷出部552配置于载置单元40的框体434的顶盖部附近，并经由阀581连接至非活性气体供给源58。侧方喷出部553配置于载置在载置单元40内的基板9的周围，并经由阀582连接至非活性气体供给源58。排气口554连接至吸引机构59。非活性气体供给源58以及吸引机构59例如设置于基板处理装置1的外部。
中央喷出部551位于载置在载置单元40内的基板9的中央部(亦即排除了周缘部的部位)的上方。中央喷出部551的下表面例如由大致均等地分散配置有多个喷出口的大致圆板状的冲孔板(punching plate)形成。周缘喷出部552位于载置在载置单元40内的基板9的周缘部的上方。在周缘喷出部552的下表面设置有例如大致圆环状且细缝(slit)状的喷出口。
侧方喷出部553具备多个喷出构件555，多个喷出构件555以大致等角度间隔配置于基板9的周围的周向(亦即将通过基板9的中心朝法线方向延伸的中心轴作为中心的周向)。各个喷出构件555是有底大致圆筒状的构件，从框体434的顶盖部朝大致铅垂下方延伸。各个喷出构件555的下端位于比位于最下层(亦即最靠近－Z侧)的基板9还靠下侧。在各个喷出构件555的侧面设置有朝向载置有基板9的方向(亦即朝向将上面所说明的中心轴作为中心的径向内侧)的多个喷出口。在图6所示的例子中，在各个喷出构件555设置有三个喷出口，该三个喷出口在上下方向中位于与排列于上下方向的四片基板9的三个间隙大致相同的位置。排气端口554配置于比四片基板9还靠下方。在图6所示的例子中，多个排气口554以大致等角度间隔排列于周向。
在载置单元40中，当通过第一挡门432以及第二挡门433关闭第一开口435以及第二开口436时，如上面所说明那样，载置单元40的内部空间400与分度器区块10的内部空间100以及搬运路径23的内部空间230阻隔。在此状态下，将阀581以及阀582开阀，对载置单元40供给非活性气体，吸引机构59经由排气口554进行吸引，由此载置单元40的内部空间400的空气被置换成非活性气体，载置单元40的内部空间400变成非活性气体氛围。换言之，载置单元40的内部空间400变成氧浓度比大气还低的低氧氛围。载置单元40的氧浓度例如为100ppm以下。
具体而言，当阀581开阀时，从中央喷出部551朝大致铅垂下方供给非活性气体。来自中央喷出部551的非活性气体从中央喷出部551朝位于最上段(亦即最靠近+Z侧)的基板9往大致铅垂下方流动，并沿着该基板9的上表面朝径向外侧流动。在图6中以箭头表示非活性气体的流动。从周缘喷出部552朝径向外侧且朝向下方供给非活性气体。来自周缘喷出部552的非活性气体的上面所说明的供给方向例如通过将周缘喷出部552的喷出口朝向径向外侧且朝向下方而实现。来自周缘喷出部552的非活性气体通过最上段的基板9的周缘附近朝下方流动。由此，存在于基板9的上方以及侧方的空气朝基板9的下方流动，并经由排气端口554朝载置单元40的外部排出。
从周缘喷出部552喷出的非活性气体的流速例如比从中央喷出部551喷出的非活性气体的流速大。由此，能快速地将比基板9靠上方的空气推向排气口554。此外，将从中央喷出部551喷出的非活性气体的流速设定成较小，由此能抑制因来自中央喷出部551的非活性气体导致最上段的基板9振动。
此外，在载置单元40中，当阀582开阀时，从侧方喷出部553的多个喷出构件555朝径向内侧供给非活性气体。来自侧方喷出部553的非活性气体通过排列于上下方向的四片基板9的间隙从基板9的周围朝下方流动。由此，存在于多个基板9之间的空气朝基板9的下方流动，并经由排气口554朝载置单元40的外部排出。
如图2所示，基板处理装置1还具备第二气体供给部56，第二气体供给部56对分度器区块10供给非活性气体(例如氮或氩)。第二气体供给部56具备气体喷出部561以及排气口562。气体喷出部561配置于分度器区块10的顶盖部附近，并经由未图示的阀连接至非活性气体供给源58(参照图6)。排气口562连接至吸引机构59(参照图6)。此外，气体喷出部561亦可连接至与非活性气体供给源58不同的其他的非活性气体供给源。此外，排气口562亦可连接至与吸引机构59不同的其他的吸引机构。
气体喷出部561比分度器机械手12靠上方，且遍及分度器机械手10的上表面的大致整体而设置。气体喷出部561例如为FFU。排气口562配置于分度器区块10的侧壁的底面附近的部位(或者底面)。
在载置单元40中，当通过第二挡门433关闭第二开口436时，如上面所说明那样，分度器区块10的内部空间100与载置单元40的内部空间400以及搬运路径23的内部空间230阻隔。在此状态下，上面所说明的阀被开阀，从气体喷出部561对分度器区块10供给非活性气体，吸引机构59经由排气口562进行吸引，由此分度器区块10的内部空间100的空气被置换成非活性气体，载置单元40的内部空间400变成非活性气体氛围。换言之，分度器区块10的内部空间100设定成氧浓度比大气还低的低氧氛围。分度器区块10的氧浓度例如为100ppm以下。
从第二气体供给部56供给非活性气体在基板处理装置1对基板9进行处理(后述)的期间持续地进行，分度器区块10的内部空间100维持于低氧氛围。在载置单元40中开放第二开口436的情形中，从第一气体供给部55以及第二气体供给部56供给非活性气体，由此将载置单元40的内部空间400以及分度器区块10的内部空间100设定成低氧氛围。
基板处理装置1还具备空气供给部57，空气供给部57对处理区块20的搬运路径23供给洁净的空气。空气供给部57具备空气喷出部571以及排气口572(参照图1)。空气喷出部571配置于搬运路径23的顶盖部附近，将配置有基板处理装置1的无尘室内的洁净的空气供给至搬运路径23的内部空间230。空气喷出部571比中央机械手22靠上方，并遍及搬运路径23的上表面的大致整体地设置。空气喷出部571例如为FFU。排气口572在搬运路径23的+X侧的端部中配置于搬运路径23的侧壁的底面附近的部位(或者底面)。排气口572连接至未图示的吸引机构。
在处理区块20中，从空气喷出部571对搬运路径23供给洁净的空气，并经由排气口572进行吸引，由此在搬运路径23的内部空间230形成有从－X侧朝向+X侧的空气的下降气流。从空气供给部57供给空气在基板处理装置1对基板9进行处理(后述)的期间持续地进行，处理区块20的搬运路径23的内部空间230维持于大气氛围(详细而言为洁净气体氛围)。
在基板处理装置1中，由于搬运路径23的内部空间230为大气氛围，因此如上面所说明那样，搬运路径23的氧浓度比被维持在低氧氛围的分度器区块10的氧浓度高。此外，如上面所说明那样，搬运路径23的氧浓度比被设定成低氧氛围的载置单元40的氧浓度高。此外，搬运路径23的气压被维持成比各个处理单元21的气压高。由此，在基板9相对于各个处理单元21搬入以及搬出时，抑制处理单元21内的氛围(例如药液氛围)等进入至搬运路径23。此外，分度器区块10以及载置单元40的气压被维持成比搬运路径23的气压还高。由此，抑制搬运路径23内的大气氛围进入至载置单元40以及分度器区块10。处理单元21例如为负压，搬运路径23、载置单元40以及分度器区块10例如为正压。
图7是表示控制部60所具备的计算机8的构成的图。计算机8是具备处理器81、存储器82、输入输出部83以及总线84的通常的计算机。总线84为信号电路，用以连接处理器81、存储器82以及输入输出部83。存储器82存储各种程序以及各种信息。处理器81依循存储于存储器82的程序等，一边利用存储器82等一边执行各种处理(例如数值计算)。输入输出部83具备：键盘85以及鼠标86，接收操作者的输入；显示器87，显示来自处理器81的输出等；以及发送部88，发送来自处理器81的输出等。此外，控制部60亦可为可编程逻辑控制器(PLC；Programmable Logic Controller)或者电路基板等。
在基板处理装置1中，通过控制部60控制分度器机械手12、中央机械手22、处理单元21、第一气体供给部55、第二气体供给部56以及空气供给部57等各个构成。在本实施方式中，控制部60分别单独地控制从第一气体供给部55朝载置单元40供给非活性气体以及从第二供给部56朝分度器区块10供给非活性气体。此外，控制部60亦控制第一阻隔部51的第一挡门移动机构437以及第二阻隔部52的第二挡门移动机构438。
接着，参照图8A以及图8B说明基板处理装置1对于基板9的处理的流程的一例。如上面所说明那样，在基板9的处理中的基板处理装置1中，分度器区块10的内部空间100通过第二气体供给部56维持在低氧氛围，搬运路径23的内部空间230通过空气供给部57维持在大气氛围。此外，在载置单元40中，仅在进行基板9的搬入以及搬出时开放第一开口435或者第二开口436，在其他情形中第一开口435以及第二开口436被第一挡门432以及第二挡门433关闭。
在基板处理装置1中，首先，在载置单元40中通过第一挡门432以及第二挡门433关闭第一开口435以及第二开口436的状态下(亦即载置单元40的内部空间400密闭的状态下)，从第一气体供给部55对载置单元40的内部空间400供给非活性气体，将载置单元40设定成低氧氛围(步骤S11)。
步骤S11中来自第一气体供给部55的非活性气体的供给流量例如为1000升/分钟以下。直至载置单元40被设定成期望的低氧氛围为止所需的时间例如为30秒以内。在载置单元40中，在基板处理装置1中对基板9进行处理的期间，持续地进行从第一气体供给部55供给非活性气体。然而，第一气体供给部55的非活性气体的供给流量如后面所说明那氧适当地变更。
当载置单元40变成低氧氛围时，通过分度器机械手12从承载器95搬出未处理的基板9(步骤S12)。如上面所说明那样，由于承载器95以及分度器区块10为低氧氛围，因此在基板9从承载器95搬出时承载器95以及分度器区块10的氧浓度不会上升。实际上，虽然在基板处理装置1中从承载器95搬出两片基板9且对两片基板9并行地施予后述的处理，但是在以下着眼一片基板9并说明针对一片基板9的处理。
接着，通过控制部60驱动第二挡门移动机构438，第二挡门433朝下方移动并开放第二开口436(步骤S13)。如上面所说明那样，与分度器区块10同样地，由于载置单元40的内部空间400设定成低氧氛围，因此不会因为第二开口436的开放而使分度器区块10的氧浓度上升。
当第二开口436开放时，通过分度器机械手12将未处理的基板9经由第二开口436搬入至载置单元40(步骤S14)。基板9被载置单元40内的下侧的基板支撑部431支撑，分度器机械手12从载置单元40退出。接着，通过控制部60驱动第二挡门移动机构438，第二挡门433朝上方移动并关闭第二开口436(步骤S15)。由此，载置单元40的内部空间400被密闭。如上面所说明那样，载置单元40的低氧氛围被维持。当结束步骤S15时，通过控制部60控制第一气体供给部55，由此从第一气体供给部55供给至载置单元40的非活性气体的供给流量减少，例如为100升/分钟。
当关闭第二开口436时，通过控制部60驱动第一挡门移动机构437，第一挡门432朝下方移动并开放第一开口435(步骤S16)。如上面所说明那样，虽然在开放第一开口435后亦持续地进行从第一气体供给部55朝载置单元40供给非活性气体，但搬运路径23内的大气氛围因扩散等进入至载置单元40内。
当开放第一开口435时，通过中央机械手22将载置单元40内的未处理的基板9经由第一开口435从载置单元40搬出(步骤S17)。接着，通过控制部60驱动第一挡门移动机构437，第一挡门432朝上方移动并关闭第一开口435(步骤S18)。之后，通过第一气体供给部55将载置单元40设定成低氧氛围，并根据需要通过分度器机械手12搬入新的未处理的基板9。
从载置单元40搬出的基板9被搬入至处理单元21(步骤S19)。在处理单元21中，处理部24对基板9进行处理(步骤S20)。具体而言，从喷嘴244对旋转中的基板9的上表面91供给药液(例如蚀刻液等)，进行基板9的药液处理。接着，从喷嘴244或者从未图示的其他喷嘴对基板9的上表面91供给清洗液(例如纯水等)，进行基板9的清洗处理。之后，增大基板9的旋转速度，进行基板9的干燥处理。
当结束处理单元21中的基板9的处理时，通过中央机械手22从处理单元21搬出处理完毕的基板9(步骤S21)。接着，通过控制部60驱动第一挡门移动机构437，第一挡门432朝下方移动并开放第一开口435(步骤S22)。此时，第二开口436被第二挡门433关闭。接着，通过中央机械手22将处理完毕的基板9经由第一开口435搬入至载置单元40(步骤S23)。处理完毕的基板9被支撑于载置单元40内的上侧的基板支撑部431，中央机械手22从载置单元40退出。之后，通过控制部60驱动第一挡门移动机构437，第一挡门432朝上方移动并关闭第一开口435(步骤S24)。由此，载置单元40的内部空间400被密闭。
当关闭第一开口435时，通过控制部60控制第一气体供给部55，从第一气体供给部55供给至载置单元40的内部空间400的非活性气体的流量增大。例如，非活性气体的供给流量为1000升/分钟以下。接着，该供给流量的非活性气体的供给进行预定时间，由此载置单元40的内部空间400的氧浓度急速地降低而将载置单元40设定成低氧氛围(步骤S25)。例如，直至载置单元40被设定成期望的低氧氛围为止所需的时间为30秒以内。
当载置单元40变成低氧氛围时，通过控制部60驱动第二挡门移动机构438，第二挡门433朝下方移动并开放第二开口436(步骤S26)。如上面所说明那样，与分度器区块10同样地，由于载置单元40的内部空间400被设定成低氧氛围，因此不会因第二开口436的开放而使分度器区块10的氧浓度上升。在步骤S26中，从第一气体供给部55供给至载置单元40的非活性气体的供给流量与步骤S25同样。如此，在载置单元40变成低氧氛围后亦维持非活性气体的供给流量，由此与停止供给非活性气体的情形等相比能抑制载置单元40的内压降低。结果，能防止或者抑制外气等进入至载置单元40而导致氧浓度上升。
当开放第二开口436时，通过分度器机械手12将处理完毕的基板9经由第二开口436从载置单元40搬出(步骤S27)。接着，通过控制部60驱动第二挡门移动机构438，第二挡门433朝上方移动并关闭第二开口436(步骤S28)。由此，载置单元40的内部空间400被密闭。当结束步骤S28时，通过控制部60控制第一气体供给部55，由此从第一气体供给部55供给至载置单元40的非活性气体的供给流量减少，例如为100升/分钟。
从载置单元40搬出的处理完毕的基板9被分度器机械手12搬入至承载器95，由此结束基板9的一连串的处理(步骤S29)。如上面所说明那样，由于承载器95以及分度器区块10为低氧氛围，因此在将基板9搬入至承载器95时承载器95以及分度器区块10的氧浓度不会上升。
如上面所说明那样，基板处理装置1具备处理区块20、分度器区块10、载置单元40以及第一阻隔部51。在处理区块20配置有：处理单元21，处理基板9；以及第一搬运机械手(亦即中央机械手22)，进行基板9相对于处理单元21的搬入以及搬出。在分度器区块10配置有第二搬运机械手(亦即分度器机械手12)，第二搬运机械手进行基板9相对于可收容多个基板9的承载器95的搬入以及搬出。载置单元40设置于处理区块20与分度器区块10之间的连接部。载置单元40保持从分度器区块10被传递至中央机械手22的未处理的基板9。此外，载置单元40保持从中央机械手22被传递至分度器区块10的处理完毕的基板9。第一阻隔部51可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的分度器区块10以及载置单元40与搬运路径23之间的气体的移动，搬运路径23在处理区块20中连接处理单元21与载置单元40。
如此，在基板处理装置1中，能将较长时间载置基板9的空间的分度器区块10以及载置单元40设定成低氧氛围，由此能抑制基板处理装置1中的基板9的氧化。此外，由于能将与分度器区块10的内部空间100连接的承载器95的内部亦维持在低氧氛围，因此亦能抑制承载器95内的基板9的氧化。
如上面所说明那样，在基板理装置1中，由于能将分度器区块10以及载置单元40设定成低氧氛围，因此基板处理装置1的构造尤其适用于搬运路径23的氧浓度比分度器区块10的氧浓度以及载置单元40的氧浓度高的基板处理装置。例如，基板处理装置1的构造尤其适用于搬运路径23为大气氛围的基板处理装置。
如上面所说明那样，第一开口435为用以连接搬运路径23的内部空间230与载置单元40的内部空间400的开口。较佳为第一阻隔部51具备用以将第一开口435予以开闭的门体(亦即第一挡门432)。由此，能以简单的构造适当地阻隔载置单元40与搬运路径23之间的气体的移动。
如上面所说明那样，较佳为基板处理装置1还具备第一气体供给部55，第一气体供给部55通过对载置单元40供给非活性气体而将载置单元40设定成低氧氛围。由此，能容易地将载置单元40设定成低氧氛围。
如上面所说明那样，较佳为基板处理装置1还具备第二阻隔部52，第二阻隔部52可阻隔分度器区块10与载置单元40之间的气体的移动。由此，能容易地维持分度器区块10中的低氧氛围。
如上面所说明那样，第二开口436用以连接分度器区块10的内部空间100与载置单元40的内部空间400的开口。较佳为第二阻隔部52具备用以将第一开口435予以开闭的门体(亦即第二挡门433)。由此，能以简单的构造适当地阻隔载置单元40与分度器区块10之间的气体的移动。
如上面所说明那样，较佳为基板处理装置1还具备第二气体供给部56，第二气体供给部56通过对分度器区块10供给非活性气体而将分度器区块10设定成低氧氛围。由此，能容易地将分度器区块10维持在低氧氛围。
如上面所说明那样，基板处理装置1具备处理区块20、分度器区块10、载置单元40、第一阻隔部51、第二阻隔部52、第一气体供给部55、第二气体供给部56，并还具有控制部60。较佳为控制部60分别单独地控制从第一气体供给部55供给非活性气体以及从第二气体供给部56供给非活性气体。由此，能分别将分度器区块10与载置单元40设定成期望的低氧氛围。此外，能将分度器区块10的气压设定成比载置单元40的气压高，并能将载置单元40的气压设定成比搬运路径23的气压高。
如上面所说明那样，基板处理装置1具备处理区块20、分度器区块10、载置单元40、具有第一挡门432的第一阻隔部51、具有第二挡门433的第二阻隔部52、第一气体供给部55，并还具备控制部60。控制部60控制中央机械手22、分度器机械手12、第一阻隔部51、第二阻隔部52以及第一气体供给部55。较佳为，通过控制部60的控制，在通过第一挡门432以及第二挡门433关闭第一开口435以及第二开口436的状态下将载置单元40设定成低氧氛围后，开放第二开口436。接着，通过分度器机械手12将未处理的基板9经由第二开口436搬入至载置单元40。接着，通过第二挡门433关闭第二开口436后，开放第一开口435。接着，通过中央机械手22将未处理的基板9经由第一开口435从载置单元40搬出。由此，能在将未处理的基板9从分度器机械手12授受至中央机械手22时将分度器区块10适当地维持在低氧氛围。
如上面所说明那样，基板处理装置1具备处理区块20、分度器区块10、载置单元40、具有第一挡门432的第一阻隔部51、具有第二挡门433的第二阻隔部52、第一气体供给部55，并还具备控制部60。控制部60控制中央机械手22、分度器机械手12、第一阻隔部51、第二阻隔部52以及第一气体供给部55。较佳为，通过控制部60的控制，通过第二挡门433关闭第二开口436，在开放第一开口435的状态下通过中央机械手22将处理完毕的基板9经由第一开口435搬入至载置单元40后，通过第一挡门432关闭第一开口435。接着，在通过第一挡门432以及第二挡门433关闭第一开口435以及第二开口436的状态下将载置单元40设定成低氧氛围后，开放第二开口436。接着，通过分度器机械手12将处理完毕的基板9经由第二开口436从载置单元40搬出。由此，能在将处理完毕的基板9从中央机械手22授受至分度器机械手12时将分度器区块10适当地维持在低氧氛围。
上面所说明的基板处理装置1的基板处理方法具备下述工序：通过分度器机械手12将基板9从分度器区块10搬入至载置单元40(步骤S14)；通过中央机械手22将基板9从载置单元40搬出(步骤S17)并搬入至处理单元21(步骤S19)；在处理单元21中对基板9进行处理(步骤S20)；通过中央机械手22将基板9从处理单元21搬出(步骤S21)并搬入至载置单元40(步骤S23)；以及通过分度器机械手12将基板9从载置单元40搬出至分度器区块10(步骤S27)。并且，可阻隔氧浓度比大气还低的低氧氛围的分度器区块10以及载置单元40与搬运路径23之间的气体的移动，搬运路径23在处理区块20中连接处理单元21与载置单元40。如上面所说明那样，由此，能将较长时间载置基板9的空间的分度器区块10以及载置单元40设定成低氧氛围，结果能抑制基板处理装置1中的基板9的氧化。
在上面所说明的基板处理装置1以及基板处理方法中，可进行各种变更。
例如，载置于载置单元40的基板9的片数亦可适当变更。此外，载置单元40的构造亦可变更成各种构造。例如，亦可在框体434的内部空间400中设置有用以使四个基板支撑部431在上下方向移动的支撑部移动机构(例如电动缸等致动器)，载置有被搬入的基板9的预定的基板支撑部431或者载置有被搬出的预定的基板9的基板支撑部431移动至与框体434的开口相同的高度。由此，能将该开口的上下方向的高度小型化。结果，能抑制中央机械手22将基板9搬入以及搬出时大气氛围进入至载置单元40。
亦可在载置单元40中独立地设置有用以载置未处理的基板9的空间以及用以载置处理完毕的基板9载置的空间。在图9至图11所示的载置单元40a中设置有用以载置未处理的基板9的下载置部41以及用以载置处理完毕的基板9的上载置部42。上载置部42配置于下载置部41的上侧。下载置部41的内部空间与上载置部42的内部空间彼此独立。下载置部41以及上载置部42亦分别作为用以载置基板9的载置单元。
下载置部41以及上载置部42除了分别可在内部载置两片基板9之外，具有与上面所说明的载置单元40大致同样的构造。具体而言，下载置部41具备框体414、基板支撑部411、第一挡门412以及第二挡门413。在框体414设置有：第一开口415，被第一挡门412开闭；以及第二开口416，被第二挡门413开闭。第一挡门412以及第二挡门413分别通过第一挡门移动机构417以及第二挡门移动机构418移动。在框体414的内部设置有具有与第一气体供给部55相同的构造的下气体供给部419。
上载置部42具备框体424、基板支撑部421、第一挡门422以及第二挡门423。在框体424设置有：第一开口425，被第一挡门422开闭，以及第二开口426，被第二挡门423开闭。第一挡门422以及第二挡门423分别通过第一挡门移动机构427以及第二挡门移动机构428移动。在框体424的内部设置有具有与第一气体供给部55相同的构造的上气体供给部429。
下载置部41的第一挡门412与第二挡门413以及上载置部42的第一挡门422与第二挡门423可分别独立地移动。此外，控制部60可分别独立地控制下气体供给部419对下载置部41供给非活性气体以及上气体供给部429对上载置部42供给非活性气体。
设置有载置单元40a以取代载置单元40的基板处理装置1中的基板9的处理的流程与图8A以及图8B所示的流程大致同样。具体而言，如图12A以及图12B所示，首先，通过下气体供给部419将下载置部41设定成低氧氛围(步骤S31)。此时，上载置部42亦可与下载置部41不同而是大气氛围。接着，通过分度器机械手12从承载器95搬出未处理的基板9(步骤S32)。接着，开放下载置部41的第二开口416，将未处理的基板9搬入至下载置部41后，关闭第二开口416(步骤S33至步骤S35)。
接着，开放下载置部41的第一开口415，通过中央机械手22将未处理的基板9从下载置部41搬出后，关闭第一开口415(步骤S36至步骤S38)。接着，通过中央机械手22将基板9搬入至处理单元21，在处理单元21中对基板9进行处理后，从处理单元21搬出基板9(步骤S39至步骤S41)。
接着，开放上载置部42的第一开口425，通过中央机械手22搬入处理完毕的基板9后，关闭第一开口425(步骤S42至步骤S44)。接着，通过上气体供给部429将上载置部42设定成低氧氛围(步骤S45)。之后，开放上载置部42的第二开口426，通过分度器机械手12将处理完毕的基板9从上载置部42搬出，关闭第二开口426(步骤S46至步骤S48)。再者，通过分度器机械手12将处理完毕的基板9搬入至承载器95并结束对于基板9的一连串的处理(步骤S49)。
在载置单元40a中分割用以载置未处理的基板9的空间以及用以载置处理完毕的基板9的空间，由此将中央机械手22将基板9搬入以及搬出后被设定成低氧氛围的空间小型化。因此，能减少非活性气体的使用量。此外，由于能缩短将该空间设定成低氧氛围所需的时间，因此亦能缩短基板9的处理所需的时间。再者，由于能将用以将基板9搬入以及搬出的开口小型化，因此能抑制中央机械手22将基板9搬入以及搬出时大气氛围进入至载置单元40a。
在图4至图6所示的载置单元40中，亦可取代第一挡门432而设置有可阻隔气体经由第一开口435移动的其他的构造(例如气帘(air curtain))。此外，亦可取代第二挡门433而设置有可阻隔气体经由第二开口436移动的其他的构造(例如气帘)。针对载置单元40a亦同样。
在基板处理装置1中，只要载置单元40、40a设置于分度器区块10与处理区块20之间的连接部，则不一定需要设置有联络部31。
在基板处理装置1中，搬运路径23不一定需要为大气氛围，例如亦可仅对中央机械手22的周围供给非活性气体而将搬运路径23的一部分(亦即中央机械手22的周围)设定成低氧氛围。此外，搬运路径23的氧浓度不一定需要比分度器区块10的氧浓度以及载置单元40、40a的氧浓度高。在任何情形中，在基板处理装置1中皆能抑制搬运路径23的氛围经由载置单元40、40a进入至分度器区块10。
在基板处理装置1中亦可省略第二阻隔部52。此外，不一定需要分别单独地控制从第一气体供部55供给非活性气体以及从第二气体供给部56供给非活性气体。
载置单元40的低氧氛围亦可通过从第一气体供给部55供给非活性气体以外的手段来实现。针对载置单元40a亦同样。此外，分度器区块10的低氧氛围亦同样地，亦可通过从第二气体供给部56供给非活性气体以外的手段来实现。
在基板处理装置1中，中央机械手22的构造亦可进行各种变更。例如，可通过中央机械手22一次搬运的基板9的片数亦可为一片或者亦可为三片以上。此外，中央机械手22的手部的形状以及构造亦可进行各种变更。针对分度器机械手12亦同样。
亦可在基板处理装置1的处理区块20设置有上面所说明的处理单元21以外的各种构造的处理单元，并对基板9进行各种处理(例如对基板9的下表面的洗净处理)。
上面所说明的基板处理装置1除了半导体基板以外亦可利用于使用于液晶显示设备或者有机EL(Electro Luminescence；电致发光)显示设备等平面显示设备(Flat PanelDisplay)的玻璃基板或者使用于其他的显示设备的玻璃基板的处理。此外，上面所说明的基板处理装置1亦可利用于光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板以及太阳电池用基板等处理。
上面所说明的实施方式以及各个变化例中的构成只要相互未矛盾则亦可适当地组合。
虽然已详细地说明本发明，但这些说明为例示性而非限定性。因此，只要未脱离本发明的范围，自然有多种变化以及方式。
附图标记说明
1 基板处理装置
9 基板
10 分度器区块
12 分度器机械手
20 处理区块
21 处理单元
22 中央机械手
23 搬运路径
40、40a 载置单元
41 下载置部
42 上载置部
51 第一阻隔部
52 第二阻隔部
55 第一气体供给部
56 第二气体供给部
60 控制部
95 承载器
100 (分度器区块的)内部空间
230 (搬运路径的)内部空间
400 (载置单元的)内部空间
412、422、432 第一挡门
413、423、433 第二挡门
415、425、435 第一开口
416、426、436 第二开口
419 下气体供给部
429 上气体供给部
S11～S29、S31～S49 步骤

Claims (12)

1.一种基板处理装置，用以处理基板，并具备：
处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；
分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；
载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板；以及
第一阻隔部，可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
所述第一阻隔部具备：门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围。
4.如权利要求1至3中任一项所记载的基板处理装置，其中，
还具备：第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动。
5.如权利要求4所记载的基板处理装置，其中，
所述第二阻隔部具备：门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。
6.如权利要求1至5中任一项所记载的基板处理装置，其中，
还具备：第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围。
7.如权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
还具备：
第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；
第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；
第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围；以及
控制部，分别单独地控制从所述第一气体供给部供给非活性气体以及从所述第二气体供给部供给非活性气体。
8.如权利要求1至7中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述搬运路径的氧浓度比所述分度器区块的氧浓度以及所述载置单元的氧浓度高。
9.如权利要求8所记载的基板处理装置，其中，
所述搬运路径为大气氛围。
10.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
还具备：
第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；
第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及
控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部；
所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭；
所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭；
通过所述控制部的控制，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将未处理的基板经由所述第二开口搬入至所述载置单元，通过所述第二门体关闭所述第二开口后，开放所述第一开口，通过所述第一搬运机械手将所述未处理的基板经由所述第一开口从所述载置单元搬出。
11.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
还具备：
第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；
第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及
控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部；
所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭；
所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭；
通过所述控制部的控制，在通过所述第二门体关闭所述第二开口且开放所述第一开口的状态下，通过所述第一搬运机械手将处理完毕的基板经由所述第一开口搬入至所述载置单元后，通过所述第一门体关闭所述第一开口，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将所述处理完毕的基板经由所述第二开口从所述载置单元搬出。
12.一种基板处理方法，通过基板处理装置处理基板；
所述基板处理装置具备：
处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；
分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；以及
载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板；
所述基板处理方法具备：
工序(a)，通过所述第二搬运机械手将基板从所述分度器区块搬入至所述载置单元；
工序(b)，通过所述第一搬运机械手从所述载置单元搬出所述基板并搬入至所述处理单元；
工序(c)，在所述处理单元中对所述基板进行处理；
工序(d)，通过所述第一搬运机械手从所述处理单元搬出所述基板并搬入至所述载置单元；以及
工序(e)，通过所述第二搬运机械手将所述基板从所述载置单元搬出至所述分度器区块；
可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。
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