JP2002217157A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板を
処理するに際し、ミストトラップから処理容器内への逆
流を防止してパーティクル汚染の発生を阻止すること。 【解決手段】 処理容器１０内にホットエアを供給して
半導体ウエハＷを昇温する基板昇温工程と、処理容器１
０内にオゾンガスと水蒸気を供給して半導体ウエハＷを
処理する基板処理工程と、基板処理工程中に処理容器１
０内から排気される雰囲気を気液分離する気液分離工程
と、パージガスを供給して処理容器１０内のパージを行
うパージ工程とを有し、基板昇温工程の間、処理容器１
０からミストトラップ９５への排気管路９１に介設され
る開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）を閉鎖して逆流を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
ＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密封雰囲気の処理
容器内に収容して処理ガス例えばオゾンガス等を供給し
て処理を施す基板処理方法及び基板処理装置、特にその
強制排気技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。

【０００３】前記レジスト除去の手段として洗浄装置が
用いられている。従来の洗浄装置では、一般に、ＳＰＭ
（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と称される薬液が充
填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥
離を行っている。一方、近年では、環境保全の観点から
廃液処理が容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用い
てレジスト除去を行うことが要望されている。この場
合、オゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエ
ハ等を浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄によ
り、溶液中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化
反応させて二酸化炭素や水等に分解する。

【０００４】ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。

【０００５】そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規
に提案されている。この洗浄方法は、処理容器内に収容
されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給し
て、ウエハ等のレジストを除去する方法である。

【０００６】具体的には、次のような処理工程(1) 〜
(5) が順次行われる。(1) 処理容器内にホットエアを供
給してウエハを昇温する（ウエハ昇温工程）。(2) オゾ
ンガス（又はさらに水蒸気）を供給して処理容器内を予
備加圧する（プレ加圧工程）。(3) 処理容器内にオゾン
ガスと水蒸気を供給して、ウエハを処理する（Ｏ3／蒸
気処理工程）。(4) オゾンガスの代わりに酸素を供給
して、Ｏ3供給配管内をＯ2パージする（Ｏ3→Ｏ2置換工
程）。(5) 処理容器内にクールエアを供給して、処理容
器内から内部雰囲気を押し出し排気する（エアパージ工
程）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理においては、エジェクタによる排気ラインが無
く、エアパージによる押出し排気によるのみであったた
め、処理容器内に排気されにくい箇所があり、スループ
ットの低下要因となっていた。

【０００８】この問題の解決策としては、例えば、処理
容器からミストトラップへの排液管路に、これを側路す
る形でエジェクタを設け、強制的に処理容器内のガスを
吸引してミストトラップの上流へ戻す、という強制排気
工程（エジェクタ排気工程）を付加することにより、排
気効果をアップさせ、スループットの改善を図ることが
考えられる。また、さらなる改善として、エジェクタ排
気工程時において扱うガスは、排気経路の途中にミスト
セパレータが介設されているため、ミストトラップに通
す必要がないことから、処理容器内のガスを吸引し、こ
れを排気負荷となるミストトラップを迂回してミストト
ラップの下流に戻すようにエジェクタを設けることも考
えられる。

【０００９】しかし、本発明者等が鋭意研究努力した結
果、エジェクタ排気工程、ウエハ昇温工程、エジェクタ
排気終了直後の工程の各プロセス時において、ミストト
ラップの方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラ
ップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流する、
という問題が生ずることが判った。

【００１０】詳述するに、エジェクタ排気工程のプロセ
ス時は、処理容器内のガスを吸引してミストトラップの
下流に戻し、さらにミストトラップの下流に接続されて
いるオゾンキラーを通して排気する。このオゾンキラー
を通過するには圧損を伴う。このため、エジェクタが作
動するとミストトラップの下流に接続されているオゾン
キラーが抵抗となり、ミストトラップの方が処理容器よ
り圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内へガ
スあるいはミストが逆流する。よって、パーティクル汚
染の問題が発生する。

【００１１】また、ウエハ昇温工程において、溶媒ガス
生成手段である水蒸気発生器が待機中に処理容器内の圧
力より高い所定の圧力に調整する必要があり、この圧力
調整の段階で水蒸気発生器内の水蒸気の一部をミストト
ラップ側へ排出するため、ミストトラップの方が処理容
器より圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内
へガスあるいはミストが逆流する。

【００１２】また、エジェクタ排気終了直後、つまりエ
ジェクタ排気工程を終了してエアパージ工程を開始する
２〜３秒間の期間においては、それまで強制吸引排気さ
れていた処理容器内は減圧状態で、ミストトラップの方
が処理容器より圧力が高くなり、この状態で、ミストト
ラップと処理容器との間の弁を開くと、ミストトラップ
から処理容器内へガスあるいはミストが逆流する。

【００１３】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、強制排気工程（エジェクタ排気工程）を付加するこ
とにより排気速度を速めてスループットの低下を防止す
る一方、エジェクタ排気、ウエハ昇温、エジェクタ排気
終了直後等の各プロセス時において、ミストトラップの
方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラップから
処理容器内へガスあるいはミストが逆流してパーティク
ル汚染が発生する不都合を防止し得る基板処理方法及び
基板処理装置を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の基板処理方法は、複数の排気経路
を備えた処理容器内に収容された被処理基板に処理ガス
と溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理
方法であって、 前記処理容器内に加熱ガスを供給して
前記被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容
器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基板を
処理する基板処理工程と、前記基板処理工程中に前記処
理容器内から排気される雰囲気を気液分離する気液分離
工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージ
を行うパージ工程とを有し、 前記基板昇温工程の間、
前記複数の排気経路のうち前記気液分離を行う排気経路
を閉鎖することを特徴とする（請求項１）。

【００１５】また、この発明の第２の基板処理方法は、
複数の排気経路を備えた処理容器内に収容された被処理
基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処
理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に加熱
ガスを供給して前記被処理基板を昇温する基板昇温工程
と、前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前
記被処理基板を処理する基板処理工程と、前記基板処理
工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分
離する気液分離工程と、パージガスを供給して前記処理
容器内のパージを行うパージ工程とを有し、 前記パー
ジ工程の間、処理容器内の雰囲気を吸引する強制排気工
程を設け、その強制排気工程の間、前記気液分離を行う
排気経路を閉鎖することを特徴とする（請求項２）。こ
の場合、前記処理容器内を強制的に吸引する雰囲気の量
よりも少量か同等量のパージガスを処理容器内に供給し
ながら強制排気工程を行う方が好ましい（請求項３）。

【００１６】この発明の基板処理方法において、前記強
制排気工程を終了した直後の若干の所定時間だけ、気液
分離を行う排気経路を閉鎖する方が好ましい（請求項
４）。

【００１７】また、この発明の第３の基板処理方法は、
複数の排気経路を備えた処理容器内に収容された被処理
基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処
理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に加熱
ガスを供給して前記被処理基板を昇温する基板昇温工程
と、前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前
記被処理基板を処理する基板処理工程と、前記基板処理
工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分
離する気液分離工程と、パージガスを供給して前記処理
容器内のパージを行うパージ工程とを有し、 前記基板
昇温工程の間、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気
経路を開放すると共に、前記気液分離を行う排気経路を
閉鎖し、前記基板処理工程の間、前記処理容器内の雰囲
気を排気する排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離
する排気経路を開放することを特徴とする（請求項
５）。

【００１８】また、この発明の第１の基板処理装置は、
請求項２記載の基板処理方法を具現化するもので、処理
容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を
供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に開
閉弁を介して介設される気液分離手段と、 前記気液分
離手段からの排気系に接続される処理ガス分解手段と、
強制排気手段により強制的に前記処理容器内の雰囲気
を吸引して排気する強制排気管路と、 前記強制排気手
段により強制排気する際に、前記開閉弁を閉じて気液分
離手段から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防
止する制御手段と、を具備することを特徴とする（請求
項６）。この場合、ガス供給手段から処理容器内に加熱
ガスを供給するガス供給管路と、処理容器から出て気液
分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手
段の下流に合流する分岐排気管路とを具備し、制御手段
が、前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記ガ
ス供給管路の開閉手段と前記分岐排気管路の開閉手段を
開くと共に、逆流防止のため、前記開閉弁を閉じる機能
を具備する方が好ましい（請求項７）。また、ガス供給
手段から処理容器内にパージガスを供給するガス供給管
路を具備し、前記制御手段が、強制排気を終了した直後
の若干の所定時間だけ、前記ガス供給管路の開閉手段を
開くと共に、開閉弁を閉じて気液分離手段から処理容器
内へのガスあるいは水分の逆流を防止し、その後、前記
開閉弁を開いて、パージガスにより処理容器内のガスを
排気するパージ工程を行う機能を具備する方が好ましい
（請求項８）。

【００１９】この発明の第２の基板処理装置は、請求項
１、３記載の基板処理方法を具現化するもので、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に介設さ
れる開閉弁（Ｖ14）と、 前記処理容器内の雰囲気を排
気する別系統の排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ
10）と、 前記別系統の排気管路を介して前記処理容器
と連通され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分
離する気液分離手段と、 前記気液分離手段に連通さ
れ、水分が分離された雰囲気内の処理ガスを分解する処
理ガス分解手段と、 前記処理容器内に加熱ガスを供給
する加熱ガス供給手段と、 前記加熱ガス供給手段から
前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記開閉弁
（Ｖ14）を開くと共に、前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）を閉
じるように制御する制御手段と、を具備することを特徴
とする（請求項９）。ここで、前記開閉弁（Ｖ14）と開
閉弁（Ｖ９，Ｖ10）は、排気管路を開閉する機能を有す
るものであれば任意の構造でよく、後述する実施形態の
構造のものに特定されるものではない。

【００２０】この発明の第３の基板処理装置は、請求項
２記載の基板処理方法を具現化するもので、処理容器内
に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給し
て、被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前
記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に介設される
開閉弁（Ｖ14）と、 前記処理容器内の雰囲気を排気す
る別系統の排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）
と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する強制排気管路
に介設される開閉弁（Ｖ13）と、 前記別系統の排気管
路を介して前記処理容器と連通され、処理容器内から排
気された雰囲気を気液分離する気液分離手段と、 前記
強制排気管路を介して前記処理容器と連通され、処理容
器内の雰囲気を強制的に吸引排気する強制排気手段と、
前記強制排気手段から前記処理容器内の雰囲気を排気
する際に、前記開閉弁（Ｖ13）を開くと共に、前記開閉
弁（Ｖ14）、（Ｖ９，Ｖ10）を閉じるように制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする（請求項１
１）。この場合、前記強制排気手段の下流を気液分離手
段と処理ガス分解手段との間に接続し、強制排気された
処理容器内の雰囲気を前記処理ガス分解手段を通して排
気可能に形成する方が好ましい（請求項１１）。また、
前記制御手段は、強制排気手段からの排気が終了した直
後、一定時間開閉弁（Ｖ14）、（Ｖ９，Ｖ10）、（Ｖ1
3）を閉じ、処理容器内をパージするためのパージガス
が処理容器内に供給された後、開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）を
開き、前記処理容器内の雰囲気を排気するよう制御可能
に形成される方が好ましい（請求項１２）。

【００２１】請求項１，５，９に記載の発明によれば、
処理容器内に加熱ガスが供給されかつ処理容器がこれか
ら出て処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路
によりほぼ大気圧に減圧される基板昇温工程における間
も、処理容器から気液分離手段への排気経路（管路）に
介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるため、気
液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流す
る現象が防止される。したがって、基板昇温工程におけ
るパーティクル汚染の発生が防止される。

【００２２】請求項２，３，６，７，１０，１１に記載
の発明によれば、強制排気手段により処理容器内の雰囲
気を吸引し、これを気液分離手段の下流に戻す強制排気
工程が設けられており、これにより排気効果をアップさ
せ、スループットの改善を図ることができる。しかも、
その強制排気工程の間は、処理容器から気液分離手段へ
の排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）
が閉鎖されるため、強制排気手段が作動して、気液分離
手段の下流に接続されている処理ガス分解手段が抵抗と
なって気液分離手段内の方が処理容器内より圧力が高く
なった場合でも、気液分離手段から処理容器内へガスあ
るいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、
強制排気工程におけるパーティクル汚染の発生が防止さ
れる。

【００２３】また、請求項４，８，１２に記載の発明に
よれば、強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間
（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器から気液分離手段
への排液管路中に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉
鎖される。したがって、強制排気の終了直後、つまり強
制排気工程を終了してパージ工程を開始する２〜３秒間
の期間において、それまで強制吸引排気されていた処理
容器内がパージガス（例えば酸素ガス、クールエア）で
充満されるまで気液分離手段の方が処理容器より圧力が
高くなった場合でも、処理容器から気液分離手段への排
液管路が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内
へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。した
がって、強制排気終了直後の工程におけるパーティクル
汚染の発生が防止される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。

【００２５】図１は、この発明に係る基板処理装置の一
例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示
す断面図、図３は、この発明における溶媒蒸気生成手段
を示す概略断面図、図４は、この発明における処理容器
の概略側面図である。

【００２６】前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０内にエアを供給するエア供給手段５０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段６０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲雰囲気排
出手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の液滴を排液する排液手段９
０とを具備している。

【００２７】処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエ
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２とで主に構成されてい
る。

【００２８】容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１の上端に設けられたフランジ１１ａと
容器カバー１２の下端に設けられたフランジ１２ａの間
の隙間は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部
材１６によって密封されるように構成されている。した
がって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に気
体が漏れない状態となっている。また、容器本体１１の
上端部には、容器カバー１２の閉塞状態をロックするロ
ック機構２００が設けられている。

【００２９】このロック機構２００は、図５〜図７に示
すように、容器本体１１の上部外周側を包囲するように
配設される矩形状のフレーム２１０と、このフレーム２
１０を水平方向に移動する移動手段であるエアーシリン
ダ２２０とを具備し、フレーム２１０の各辺部にそれぞ
れ容器本体１１のフランジ１１ａと容器カバー１２のフ
ランジ１２ａに係脱可能に係合する第１〜第４の係脱部
２３０〜２６０が設けられている。

【００３０】このうち、第１の係脱部２３０は、フレー
ム２１０の先端側辺部２１１の両側２箇所に設けられて
いる。この場合、フレーム２１０に突設された取付ブラ
ケット２３１の先端に連結ピン２３２をもって略Ｈ字状
の連結リンク２３３が取り付けられ、この連結リンク２
３３の先端部にヒンジピン２３４をもって揺動リンク２
３５の下端部が枢着されると共に、枢支ピン２３６をも
って揺動リンク２３５の中間部が容器本体１１のフラン
ジ１１ａに設けられた取付溝１１ｂの両側に枢着されて
垂直方向に揺動可能に形成され、更に、揺動リンク２３
５の上端部の側方に取付ピン２３７をもって係止ローラ
２３８が回転可能に取り付けられている。なお、容器カ
バー１２のフランジ１２ａにおける揺動リンク２３５と
対向する部位には、揺動リンク２３５が侵入可能な切欠
き溝１２ｂが設けられている。このように構成すること
により、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレ
ーム２１０が先端側に移動することによって揺動リンク
２３５が処理容器１０側に回転（傾倒）して、揺動リン
ク２３５が切欠き溝１２ｂ内に侵入すると同時に容器カ
バー１２のフランジ１２ａの上面を係止ローラ２３８が
押圧することで、容器カバー１２のフランジ１２ａの先
端側を容器本体１１のフランジ１１ａに密接することが
できる。

【００３１】また、第２の係脱部２４０は、フレーム２
１０の基端側辺部２１２の両側２箇所に設けられてい
る。この場合、フレーム２１０に突設された二又状ブラ
ケット２４１の上部突出部２４２及び下部突出部２４３
の側方部にそれぞれ連結ピン２４４をもって係止ローラ
２４５が回転可能に取り付けられている。このように構
成することにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に
伴ってフレーム２１０が先端側に移動することによっ
て、両係止ローラ２４５が容器カバー１２のフランジ１
２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係
合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持す
ることができる。

【００３２】また、第３及び第４の係脱部２５０，２６
０は、フレーム２１０の両側辺部２１３の３箇所の内側
に、容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体
１１のフランジ１１ａの下面に係合可能に設けられてい
る。この場合、第３及び第４の係脱部２５０，２６０
は、側辺部２１３の先端部位２１４、中間部位２１５及
び基端部位２１６の３箇所の上下位置にそれぞれ連結ピ
ン２５１をもって回転可能に取り付けられる３組（６
個）の係止ローラ２５２，２５３，２５４にて形成され
ている。なお、フレーム２１０が後退した位置における
容器カバー１２のフランジ１２ａには、上部側の３個の
係止ローラ２５２，２５３，２５４との係合を回避する
切欠き溝１２ｃが設けられている。また、先端部位２１
４と中間部位２１５に取り付けられる係止ローラ２５
２，２５３の基端側近傍部位には、それぞれ切欠き溝１
２ｃ内に位置して容器本体１１のフランジ１１ａの上面
に係合するガイドローラ２５５が連結ピン２５６をもっ
て回転可能に取り付けられている。このように構成する
ことにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴って
フレーム２１０が先端側に移動することによって、フレ
ーム２１０の移動前に切欠き溝１２ｃの上方に位置して
いた係止ローラ２５２，２５３，２５４が切欠き溝１２
ｃからずれた容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と
容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合して、両フ
ランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持することができ
る。

【００３３】次に、上記ロック機構２００の動作態様に
ついて、図４〜図７を参照して説明する。まず、容器カ
バー１２が上方に位置しているときは、図７（ａ）に示
すように、エアーシリンダ２２０は収縮されてフレーム
２１０は基端側に位置している。この状態で、容器カバ
ー１２が下降されて、容器カバー１２のフランジ１２ａ
が容器本体１１のフランジ１１ａ上に当接し、容器本体
１１の開口部を閉塞する（図７（ｂ）参照）。容器カバ
ー１２が閉塞した後、エアーシリンダ２２０が伸長して
フレーム２１０が先端側に移動すると、フレーム２１０
の移動に伴って第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
が回転すると共に、揺動リンク２３５の上端部に取り付
けられた係止ローラ２３８が容器カバー１２のフランジ
１２a の先端部上面に係合する（図５、図７（ｃ）参
照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止ローラ２
４５が、容器カバー１２のフランジ１２ａの基部側の上
面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の下面に係
合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持す
る（図４、図５参照）。また、第３及び第４の係脱部２
５０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５
２，２５３，２５４が、容器カバー１２のフランジ１２
ａの両側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの両側
の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状
態に挟持する（図５、図７（ｃ）参照）。この状態にお
いて、容器カバー１２は容器本体１１の開口部に密閉状
態にロックされる。

【００３４】なお、ロック状態を解除する場合は、エア
ーシリンダ２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０
を基端側に移動すればよい。すなわち、エアーシリンダ
２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０を基端側に
移動すると、第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
は、反対方向に回転して、係止ローラ２３８を容器カバ
ー１２のフランジ１２ａの上面から後退する（図７
（ｂ）参照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止
ローラ２４５は、容器カバー１２のフランジ１２ａの基
部側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の
下面から後退する。また、第３及び第４の係脱部２５
０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５２，
２５３，２５４は、容器カバー１２のフランジ１２ａの
両側に設けられた切欠き溝１２ｃの上方に移動する。こ
れにより、容器カバー１２は開閉可能となり、上記昇降
機構１５の作動によって上方に移動されて容器本体１１
を開放する。

【００３５】なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び
容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り
付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９
は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によ
って発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例
えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構
成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度
センサＴＳ1 にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１
８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気
を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱
することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１
９によって処理容器１０内の結露防止が図られている。

【００３６】前記ウエハガイド２０は、図４に示すよう
に、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固
着された互いに平行な３本の保持部材２２とで主に構成
されている。この場合、各保持部材２２に、ウエハＷの
周縁下部を保持する溝（図示せず）が等間隔に５０箇所
形成されている。したがって、ウエハガイド２０は、５
０枚（ウエハキャリア２個分）のウエハＷを等間隔で配
列させた状態で保持することができる。また、ウエハガ
イド２０は、ガイド部２１に連なるシャフト２３が容器
カバー１２の頂部に設けられた透孔（図示せず）内に摺
動可能に貫通されており、透孔とシャフト２３との間に
は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部材２４
が介在されて、処理容器１０内の気水密が維持できるよ
うに構成されている。

【００３７】前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる溶剤
蒸気生成手段である水蒸気発生器３３と、水蒸気発生器
３３内の水蒸気１を供給する水蒸気供給管路３４と、水
蒸気供給管路３４から供給された水蒸気１を処理容器１
０内に吐出する水蒸気ノズル３５とで主に構成されてい
る。

【００３８】この場合、純水供給管路３２の一端は純水
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁Ｖ０と流量コン
トローラＦＭ０が介設されている。これら開閉弁Ｖ０と
流量コントローラＦＭ０は、ＣＰＵ１００からの制御信
号に基づいて制御されるようになっている。すなわち、
開閉弁Ｖ０は、純水を流すか否かの開閉制御され、ま
た、流量コントローラＦＭ０は、純水の流量を調整すべ
く開度が制御されるようになっている。

【００３９】また、水蒸気発生器３３は、図３に示すよ
うに、純水を供給する容器である密閉式のタンク３６
と、このタンク３６内の中央部にタンク３６の深さ方向
すなわち垂直状に配設されるヒータ３７と、タンク３６
内の水蒸気の圧力を検出する圧力検出手段である圧力セ
ンサＰＳ２と、タンク３６内の純水の液面を検出する補
充開始センサ３８ａ、補充停止センサ３８ｂ及び上限セ
ンサ３８ｃを具備している。このように構成される水蒸
気発生器３３において、タンク３６内に供給される純水
は、その量に応じて加熱調節されて所定量の水蒸気１が
生成されるようになっている。すなわち、タンク３６内
に供給される純水とヒータ３７との接触面積に応じたヒ
ータ３７の熱により純水が気化されて水蒸気１の生成
（発生）量が調節されるようになっている。

【００４０】この場合、前記各センサ３８ａ〜３８ｃは
ＣＰＵ１００に接続されており、タンク３６内の純水の
液面が補充開始センサ３８ａによって検出されたとき、
その検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００か
らの制御信号によって開閉弁Ｖ０が開放してタンク３６
内に純水が補充される。また、補充停止センサ３８ｂに
よってタンク３６内の純水の液面が検出されたとき、そ
の検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００から
の制御信号によって開閉弁Ｖ０が閉止してタンク３６内
への純水の補充が停止される。したがって、タンク３６
内に常時所定量の純水が収容されるようになっている。
なお、上限センサ３８ｃは、タンク３６内に純水が満杯
になった際の異常事態を検出するものであり、この上限
センサ３８ｃの検出信号に基づいてＣＰＵ１００からの
制御信号が例えばアラーム（図示せず）に伝達されるよ
うになっている。また、タンク３６内には、液体状態の
溶媒である水の温度を検出する第１の温度センサＴＳａ
が配設されると共に、ヒータ３７の温度調整用の第２の
温度センサＴＳｂと、ヒータ３７の過昇温を検知する過
昇温防止用の第３の温度センサＴＳｃが配設されてい
る。これら第１〜第３の温度センサＴＳａ〜ＴＳｃはＣ
ＰＵ１００に接続されており、第２の温度センサＴＳｂ
は水蒸気の発生量を監視でき、また、第１、第３の温度
センサＴＳａ，ＴＳｃは、後述するように、水蒸気の圧
力を監視できるようになっている。

【００４１】また、水蒸気発生器３３において、生成さ
れた水蒸気の圧力が圧力検出手段である圧力センサＰＳ
２ にて検出され、その検出信号が前記ＣＰＵ１００に
伝達されるようになっている。この圧力センサＰＳ２
によって検出される圧力によって純水の沸騰状態が検出
される。圧力が高い程水蒸気１が増量するので、水蒸気
発生器３３のヒータ３７の発熱容量を最大にしておく方
が望ましい。所定量の水蒸気１の供給を円滑にすること
ができるからである。

【００４２】また、水蒸気発生器３３と水蒸気ノズル３
５とを接続する水蒸気供給管路３４の途中には第１の開
閉手段である第１の開閉弁Ｖ１（以下に第１開閉弁Ｖ１
という）が介設されている。この水蒸気供給管路３４に
おける第１開閉弁Ｖ１の上流側（タンク３６側）には、
後述するミストトラップ９５に接続される排出管路３９
が分岐されており、この排出管路３９に第２の開閉手段
である第２の開閉弁Ｖ２（以下に第２開閉弁Ｖ２とい
う）が介設されている。なお、第２開閉弁Ｖ２の上流側
と下流側にはバイパス管路３９Ａが接続され、このバイ
パス管路３９Ａに水蒸気発生部３３内の圧力が所定値よ
り高くならないように圧力開放弁（安全弁）ＣＶ０が介
設されている。例えば、この所定値とは、タンク３６の
耐圧値又は開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３等の耐圧値の限界値
より小さく設定される。また、第１及び第２開閉弁Ｖ
１，Ｖ２の上流側には、開閉弁Ｖ３及びフィルタＦ０を
介して大気側に連通する大気連通管路３９ｂが接続され
ており、水蒸気発生器３３内の水を抜く時に空気の取入
口となるように構成されている。なお、排出管路３９
は、前述の圧力開放弁ＣＶ０を通ってきた水蒸気１や、
後述するように第２の開閉弁Ｖ２を開閉させて水蒸気発
生器３３内の熱気圧力を所定範囲に維持する際に開閉弁
Ｖ２を通過した水蒸気１をミストトラップ９５に排気す
るように構成されている。

【００４３】前記第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２は、そ
れぞれＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて開閉動作が制御されるように構
成されている。この場合、処理容器１０内に供給される
水蒸気１の供給量の最低量（しきい値）に応じて第１，
第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開閉制御される。また、ＣＰＵ
１００は、処理容器１０内に配設された容器圧力検出手
段である圧力センサＰＳ2 とも接続されており、圧力セ
ンサＰＳ2 よって検出される処理容器１０内の圧力と、
水蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを比較
して、第１及び第２開閉弁Ｖ1 ，Ｖ2 が開閉制御され
る。このように構成することによって、処理容器１０内
の圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を処理容器１０内に
供給することができる。なお、予め、ＣＰＵ１００に処
理時の処理容器１０内の圧力をデータとして記憶させて
おけば、このデータと、水蒸気発生器３３にて生成され
た水蒸気の圧力とを比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1
，Ｖ2 を開閉制御することができる。

【００４４】前記水蒸気ノズル３５は、図８に示すよう
に、パイプ状本体３５ａの一端部に、水蒸気供給管路３
４を接続する雌ねじ部３５ｂと、取付フランジ３５ｃを
設け、先端部に、Ｏリング３５ｄの嵌合溝３５ｅを周設
してなり、パイプ状本体３５ａの一側面に適宜間隔をお
いて多数の水蒸気噴射孔３５ｆを穿設した構造となって
いる。この水蒸気ノズル３５は、先端部にＯリング３５
ｄを介してキャップ３５ｇを閉塞すると共に、図示しな
い取付ねじをもって取付フランジ３５ｃを処理容器１０
の容器本体１１に固定することで、処理容器１０内に水
平状に配設される。この際、水蒸気噴射孔３５ｆは処理
容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば、
鉛直上向きを中心点として約４５度の位置に設定されて
いる。このように、水蒸気噴射孔３５ｆを処理容器１０
の内壁面側に向けた理由は、水蒸気が直接ウエハＷに吹
き付けられてウエハＷ上に液滴が発生することを防止す
るようにしたためである。また、ノズル孔３５ｆを内壁
面側でかつ斜め上側に向けたことにより、水蒸気が内壁
を上昇して行き、処理容器１０の上部において、後述す
るオゾンガスノズル４３から噴射されるオゾンガスと混
合され、かつ混合されたガスが下向きの気流となってウ
エハＷに供給される。

【００４５】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾ
ンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０
内に吐出するオゾンガスノズル４３とで主に構成されて
いる。

【００４６】この場合、オゾンガス生成手段４１は、図
２に示すように、原料となる基ガスとしての酸素（Ｏ
２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が印加
される放電電極４５，４６間を通過させることで、オゾ
ン（Ｏ３）を生成している。これら高周波電源４４と放
電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、スイ
ッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、ＣＰＵ１
００からの制御信号に基づいて制御されるようになって
いる。すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか
否か制御されるようになっている。また、オゾンガス供
給管路４２には、オゾンガス生成手段４１側に開閉手段
たる開閉弁Ｖ４が介設されている。この開閉弁Ｖ４は、
ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御されるよう
になっている。すなわち、開閉弁Ｖ４は、オゾンガスを
流すか否かによって開閉制御されるようになっている。

【００４７】前記オゾンガスノズル４３は、図９及び図
１０に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のオ
ゾン噴射孔４３ａを穿設したアウターパイプ４３ｂと、
一側面に適宜間隔をおいて複数例えば３個の連通孔４３
ｃを穿設し、アウターパイプ４３ｂ内に隙間をおいて挿
入されるインナーパイプ４３ｄとで主に構成されてい
る。この場合、インナーパイプ４３ｄは、一端が開口
し、他端が閉塞するオゾンガス通路４３ｅを有し、オゾ
ンガス通路４３ｅに前記３個の連通路４３ｃが連通され
ている。また、インナーパイプ４３ｄの一端部は、アウ
ターパイプ４３ｂの外方に突出しており、オゾンガス供
給管路４２と接続する雌ねじ部４３ｇと、取付フランジ
４３ｈが設けられ、また、他端部には、アウターパイプ
４３ｂとの間の隙間を閉塞する塞ぎ板４３ｉが装着され
ている。

【００４８】このように構成されるインナーパイプ４３
ｄは、オゾン噴射孔４３ａに対して反対側に連通孔４３
ｃが位置するようにアウターパイプ４３ｂ内に挿入され
て固定された状態で、図示しない取付ねじをもって取付
フランジ４３ｈを処理容器１０の容器本体１１に固定す
ることで、オゾン噴射孔４３ａが処理容器１０の内壁面
側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設
定された状態で処理容器１０内に水平状に配設される。

【００４９】このように、オゾン噴射孔４３ａに対して
反対側に連通孔４３ｃが位置するようにした理由は、オ
ゾンガス生成手段４１から供給されるオゾンガスを、連
通路４３ｆから連通孔４３ｃを介してアウターパイプ４
３ｂとインナーパイプ４３ｄとの隙間４３ｊ内に流して
隙間４３ｊ内を迂回させた後に、オゾン噴射孔４３ａか
ら処理容器１０内に噴射することで、各オゾン噴射孔４
３ａから均一にオゾンガスを噴射できるようにしたため
である。

【００５０】また、オゾン噴射孔４３ａを処理容器１０
の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の
位置に設定した理由は、オゾンガスが直接ウエハＷ表面
に吹き付けられるのを防止するためである。

【００５１】一方、処理容器１０内のパージや処理容器
１０内のウエハＷの昇温用のガスを供給するガス供給手
段として例えばエアを供給するエア供給手段５０は、加
熱ガス供給手段を具備している。この加熱ガス供給手段
は、エアを供給する第１のエア供給管路５１と、この第
１のエア供給管路５１から供給されたエアを加熱してホ
ットエア３を発生させるホットエアジェネレータ（ガス
加熱手段）５２と、ホットエアジェネレータ５２内のホ
ットエア３を供給する第２のエア供給管路５３と、第２
のエア供給管路５３から供給されたホットエア３を吐出
するエアノズル５４とを具備している。また、エア供給
手段５０は、処理容器１０内にパージ用のエアを供給す
るパージガス供給手段を具備している。このパージガス
供給手段は、前記第１のエア供給管路５１と第２のエア
供給管路５３に接続されるパージ用のエア供給管路５１
Ａと、エジェクタ６３を作動させてパージする際のエア
供給管路５１Ｂとが平行に配設されている。

【００５２】この場合、第１のエア供給管路５１の一端
には、エア供給源５５が接続されいる。また、第１のエ
ア供給管路５１には、エア供給源５５側から順に流量コ
ントローラＦＭ１、フィルタＦ１及び開閉手段たる開閉
弁Ｖ５とが介設されている。これら開閉弁Ｖ５と流量コ
ントローラＦＭ１は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰ
Ｕ１００からの制御信号に基づいてエアの供給の正否が
制御されると共に、エアの供給量が制御されるようにな
っている。また、ホットエアジェネレータ５２の内部に
は、エアを加熱するヒータ５６が配設されている。ま
た、第２のエア供給管路５３には、開閉手段たる開閉弁
Ｖ６が介設されている。この開閉弁Ｖ６は、制御手段で
あるＣＰＵ１００によって制御されるようになってい
る。

【００５３】また、パージ用のエア供給管路５１Ａとエ
ジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂには、それぞれ
エア供給源５５側から順に流量コントローラＦＭ２，Ｆ
Ｍ３、フィルタＦ２，Ｆ３及び開閉手段たる開閉弁Ｖ
７，Ｖ８とが介設されている。これら開閉弁Ｖ７，Ｖ８
と流量コントローラＦＭ２，ＦＭ３は、ＣＰＵ１００に
接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエ
アの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制
御されるようになっている。なお、エジェクタ６３を動
作させて処理容器１０内をパージさせる場合は、通常エ
ジェクタ６３の流量が決まっているので、それに合わせ
た流量をエジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂから
送っている。なお、通常のパージ用のエア供給管路５１
Ａを流れるクールエアの流量がエジェクタの流量と合う
場合は、エア供給管路５１Ｂを設けなくてもよい。

【００５４】前記エアノズル５４は、図１１及び図１２
に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のエア噴
射孔５４ａを穿設したアウターパイプ５４ｂと、このア
ウターパイプ５４ｂ内に隙間をおいて挿入されるインナ
ーパイプ５４ｃとを具備している。この場合、インナー
パイプ５４ｃには、アウターパイプ５４ｂに設けられた
エア噴射孔５４ａと対向する一側面にスリット孔５４ｄ
が穿設されている。また、インナーパイプ５４ｃの一端
部は、アウターパイプ５４ｂの外方に突出しており、こ
の突出側の端部に第２のエア供給管路５３を接続する雌
ねじ部５４ｅが設けられると共に、取付フランジ５４ｆ
が設けられている。また、インナーパイプ５４ｃの他端
部は、処理容器１０の容器本体１１の側壁に固定される
固定部材５４ｇに設けられた貫通孔５４ｈ内に挿入され
る連結ねじ５４ｉをもって連結されている。

【００５５】このように構成されるエアノズル５４は、
図示しない取付ねじをもって取付フランジ５４ｆを処理
容器１０の容器本体１１に固定すると共に、連結ねじ５
４ｉを調節することで、エア噴射孔５４ａが処理容器１
０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度
の位置に設定された状態で、処理容器１０内のウエハＷ
の下部両側に水平状に配設される。なお、エア噴射孔５
４ａを処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角
度例えば約４５度の位置に設定した理由は、エアが直接
ウエハＷ表面に吹き付けられるのを防止するためであ
る。

【００５６】排気手段９０は、処理容器１０の底部に接
続される第１の排気管路９１と、この第１の排気管路９
１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下流側に
接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ９５
と、液溜部９５ａの底部に接続された第２の排液管路９
３とを具備している。また、排気管路９１には、開閉弁
Ｖ９が介設されており、この開閉弁Ｖ９の上流側及び下
流側に接続するバイパス管路９４に開閉弁Ｖ９と反対の
開閉動作を行う補助開閉弁Ｖ10が介設されている。ま
た、第２の排液管路９３には、開閉弁Ｖ11が介設されて
いる。なお、液中にオゾンが残存する恐れがあるので、
第２の排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系１２３
（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通されている。

【００５７】なお、ミストトラップ９５には、下から順
に、空防止センサ９６、排液開始センサ９７、排液停止
センサ９８、液オーバーセンサ９９が配置されている。
この場合、図示しないが、前記開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11
及び各センサ９６，９７，９８，９９は、ＣＰＵ１００
に接続されている。そして、センサ９６，９７，９８，
９９からの検出信号に基づいて開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11
が開閉制御されるようになっている。すなわち、処理時
には、開閉弁Ｖ９が閉じる一方、開閉弁Ｖ10が開いて処
理容器１０内から少量のオゾンガス、水蒸気を排気して
処理容器１０内の圧力を調整する。また、処理後には、
開閉弁Ｖ10が閉じる一方、開閉弁Ｖ９が開いて排気す
る。また、液滴がミストトラップ９５内にある程度溜め
られ、液面が排液開始センサ９７にて検出されると、排
液開始センサ９７からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達
され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ11
を開放して排液が開始され、液面が排液停止センサ９８
にて検出されると、排液停止センサ９８からの検出信号
がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信
号によって開閉弁Ｖ11を閉止して排液が停止される。ま
た、液面の高さが液オーバーセンサ９９まで達すると、
液オーバーセンサ９８からの警告信号がＣＰＵ１００に
入力される。一方、液面が空防止センサ９６より下回っ
ている場合には、空防止センサ９６から禁止信号がＣＰ
Ｕ１００に入力され、ＣＰＵ１００からの制御信号によ
って開閉弁Ｖ11を閉じるように構成されている。この空
防止センサ９６によって液滴が全て流れてミストトラッ
プ９５内が空になり、オゾンガス２が工場内の酸専用の
排液系に漏出する事態を防止することができる。

【００５８】また、ミストトラップ９５の上部には排気
管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順
次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設され
ている。

【００５９】前記ミストトラップ９５は、気体と液体と
を分離して排出するように構成されている。すなわち、
第１の排液管路９１を介して処理容器１０内から排出さ
れる水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介して
ミストトラップ９５に流れるようになっている。この場
合、冷却部９２には、冷却水供給管路９２ａにより冷却
水が供給されているので、処理容器１０内から排気され
た水蒸気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて
凝縮される。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミス
トトラップ９５に滴下される。一方、オゾンガス２は、
そのままミストトラップ９５内に導入される。このよう
にして、処理容器１０から排気された内部雰囲気を、オ
ゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオゾンガス２
は、排気管路１１０に排気され、液滴は、第２の排液管
路９３に排液されるようになっている。また、水蒸気発
生器３３から排出された水蒸気１及び純水は、開閉弁Ｖ
12を介設して排出管路３９に接続する排出管路３９ｃ
と、逆止弁ＣＶ１介設した排出管路３９を介してミスト
トラップ９５に導入される。純水は、そのまま排出管路
３９内を流れてミストトラップ９５に滴下される。水蒸
気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて凝縮さ
れ、液滴になってミストトラップ９５に滴下される。な
お、開閉弁Ｖ12は、ＣＰＵ１００に接続され、ＣＰＵ１
００からの制御信号によって開閉制御されるように構成
されている。

【００６０】処理ガス分解手段であるオゾンキラー８０
は、加熱によりオゾンを酸素に熱分解するように構成さ
れている。このオゾンキラー８０の加熱温度は、例えば
４００℃以上に設定されている。なお、オゾンキラー８
０は、工場内の無停電電源装置（図示せず）に接続さ
れ、停電時でも、無停電電源装置から安定的に電力供給
が行われるように構成する方が好ましい。停電時でも、
オゾンキラー８０が作動し、オゾンを除去して安全を図
ることができるからである。なお、オゾンキラー８０の
内部では、気体が急激に膨張する上、内部の排気経路が
螺旋状のため、オゾンキラー８０は排気抵抗となる。

【００６１】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサ
は、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成
されている。また、温度センサは、ＣＰＵ１００に接続
されており、温度センサからの検出信号がＣＰＵ１００
に伝達され、温度センサからの検出信号に基づいて、オ
ゾンを除去するのにオゾンキラー８０に十分な準備が整
っているか判断するようになっている。オゾンキラー８
０によって熱分解されたホットエアは、工場のホットエ
ア専用の排気系１２０（ＨＯＴ ＡＩＲ ＥＸＡＵＳ
Ｔ）から排気される。また、オゾンキラー８０によって
熱分解された液は、工場の専用の排液系１２１（ＣＯＯ
ＬＩＮＧＷＡＴＥＲ ＯＵＴ）から排液される。

【００６２】排気マニホールド８１は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。また、排気マニ
ホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むた
めの配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオ
ゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、
排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２
２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、
酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機
能するようになっている。

【００６３】また、排気マニホールド８１には、オゾン
濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられてい
る。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、
ＣＰＵ１００に接続されており、濃度センサからの検出
信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００にて、濃
度センサにより検出されたオゾン濃度に基づいて、オゾ
ンキラー８０のオゾン除去能力を把握し、例えばオゾン
キラー８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を監視する
ようになっている。

【００６４】上記のように、処理容器１０からの排液管
路９１中に、開閉弁Ｖ９及びこれに並列に接続された補
助開閉弁Ｖ10と、冷却部９２と、ミストトラップ９５と
が介設され、このミストトラップ９５からの排気系を構
成する排気管路１１０にオゾンキラー８０が接続されて
いる。さらに、処理容器１０から前記ミストトラップ９
５を迂回する形で内部排気手段６０が設けられ、その構
成要素たる強制排気機構を構成するエジェクタ６３によ
り強制的に処理容器１０内のガスを吸引してミストトラ
ップ９５の排気系出口側に戻す強制排気管路６２が設け
られている。

【００６５】内部排気手段６０は、処理容器１０内に設
けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路
１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６
２に介設される開閉手段たる第１の排気開閉弁Ｖ13と、
この第１の排気開閉弁Ｖ13の下流側に介設されるエジェ
クタ６３を具備する強制排気機構とで主に構成されてい
る。また、処理容器１０の下部と強制排気管路６２の第
１の排気開閉弁Ｖ13の下流側には万一処理容器１０の圧
力が異常に高くなったときに処理容器１０内の雰囲気を
解放させるための安全弁ＣＶ２を介設した補助排気管路
６８が接続されている。また、強制排気管路６２の第１
の排気開閉弁Ｖ13の上流側と前記排気管路１１０におけ
るオゾンキラー８０とマニホールド８１との間には分岐
排気管路６４が接続されており、この分岐排気管路６４
には、第２の排気開閉弁Ｖ14とダンパ６５が介設され、
また、ケース７１内の排気を行うための排気管路６４ａ
も介設されている（図１参照）。

【００６６】この場合、前記第１の排気開閉弁Ｖ13、第
２の排気開閉弁Ｖ14及びダンパ６５は、ＣＰＵ１００に
接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて作
動制御されるように構成されている。

【００６７】また、強制排気機構のエジェクタ６３は、
前記エア供給手段５０のエア供給源５５から供給される
エアを、開閉手段たる開閉弁Ｖ16を介して強制排気管路
６２の一部（エジェクタ６３）に供給することによって
生じる負圧を利用して、処理容器１０内の水蒸気及びオ
ゾンガスを強制的に吸引排気し得るように構成されてい
る。このように構成される強制排気機構、つまりエジェ
クタ６３の開閉弁Ｖ13を開閉弁Ｖ16は、ＣＰＵ１００に
接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて作
動制御されるように構成されている。

【００６８】排液手段７０は、処理容器１０の周囲を包
囲するケース７１と、このケース７１の下部に一端が接
続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２３（ＡＣＩ
ＤＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２を具備してい
る。

【００６９】この場合、ケース７１では、上方から清浄
なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフ
ローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容
器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共
に、下方に押し流されて排気管路６４ａ及び排液管路７
２に流入し易いようにしている。なお、ケース７１に
は、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出す
る周囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）
が設けられている。この濃度センサは、ＣＰＵ１００に
接続されており、濃度センサからの検出信号がＣＰＵ１
００に伝達され、濃度センサにより検出されたオゾン濃
度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知するようになっ
ている。

【００７０】また、排液管路７２には、前記強制排気管
路６２の強制排気機構６３の下流側に介設されたミスト
セパレータ６６によって分離された排液を流す排液管６
７が接続されている。なお、この排液管６７には、開閉
手段たる開閉弁Ｖ15が介設されている。また、周囲排出
管路７２には、前記ミストトラップ９５に接続する第２
の排液管路９３が接続されている。

【００７１】次に、この発明に係る基板処理装置の作動
態様について説明する。表１に制御装置のシーケンス制
御の仕方を示す。

【００７２】

【表１】

【００７３】まず、図示しないウエハ搬送手段によって
搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、処理容器１
０の容器本体１１の上方に上昇するウエハガイド２０に
受け渡し、次いで、ウエハガイド２０が下降した後、容
器カバー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器１０内に密
封状態に収容する。

【００７４】(a) ウエハ昇温工程（基板昇温工程） 処理容器１０内にウエハＷを収容した状態において、最
初に、処理容器１０内にホットエアを供給すべく、制御
装置により、エア供給手段５０の開閉弁Ｖ５、Ｖ６が開
放されると共に、第２の排気開閉弁Ｖ14が開放され、ホ
ットエアジェネレータ５２が作動して、処理容器１０内
に約２８０℃に加熱されたホットエア３が供給され、ウ
エハＷ及び処理容器１０の雰囲気温度を常温（２５℃）
から所定の温度（例えば８０℃〜９０℃）に昇温する
（表１の工程(1) ）。

【００７５】このウエハ昇温工程において、制御装置
は、表１の工程(1) に示すように、処理容器１０からの
排液管路９１中に介設した開閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ
10を閉じ、ミストトラップ９５から処理容器内へのガス
あるいはミストの逆流を防止する。すなわち、ウエハ昇
温工程においては、処理容器１０内にホットエアが供給
されかつ処理容器１０がこれから出てオゾンキラー８０
の下流に合流する分岐排気管路６４により排気される。
このウエハ昇温工程の間、水蒸気発生器３３が待機中に
処理容器１０内の圧力より高い所定圧力に調整する必要
があり、この圧力調整の段階で開閉弁Ｖ２を開放して水
蒸気発生器３３内の水蒸気の一部を排出管路３９を介し
てミストトラップ９５へ排出するため、ミストトラップ
９５の方が処理容器１０内より圧力が高くなるが、開閉
弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10が閉じられているため、逆流
は生じない。

【００７６】(b) プレ加圧工程 次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガス生成手段４
１が作動して供給される酸素（Ｏ２）に高周波電圧を印
加してオゾン（Ｏ３）ガスを生成する。制御装置は、補
助開閉弁Ｖ10を開状態（開閉弁Ｖ９は閉状態）にすると
共に、開閉弁Ｖ４を開放して、オゾンガス２を処理容器
１０内に供給することで、ウエハＷ及び処理容器１０内
の雰囲気を予備加圧する（表１の工程(2) ）。このと
き、オゾン濃度が約９％ｗｅｔ（体積百分率）のオゾン
ガス２を、約１０リットル／分供給することで、処理容
器１０内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰ
ａ）より０．０１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａ高い圧力とす
ることができる。これにより、処理容器１０内をオゾン
ガス２のみの雰囲気にすることができるので、ウエハＷ
の表面に安定した酸化膜が形成され、金属腐食を防止す
ることができる。

【００７７】(c) Ｏ3／蒸気処理工程 処理容器１０内の予備加圧を所定時間（例えば１〜２
分）行った後、オゾンガス供給手段すなわちオゾンガス
生成手段４１を作動させ開閉弁Ｖ４を通してオゾンガス
を供給する一方、水蒸気供給手段３０を作動させ、第１
開閉弁Ｖ１を開いて、処理容器１０内に水蒸気１を供給
して、水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス（処理ガス）
との反応により生じた反応物質によってウエハＷの処理
すなわちレジストの除去のための処理を行う（表１の工
程(3) ）。

【００７８】この際、水蒸気供給手段３０を作動させて
から処理容器１０内に水蒸気を供給するまでの間、例え
ば、処理容器１０内の圧力センサＰＳ１の値Ｐ１と、水
蒸気発生器３３内の圧力センサＰＳ２の値Ｐ２とを比較
して、処理容器１０内の圧力の方が水蒸気発生器３３内
の圧力より高い場合（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気発生器３３
内の圧力の方を高くして（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気を処理
容器１０内に供給できるよう開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉を
制御する。具体的には、水蒸気発生器３３内の圧力を圧
力センサＰＳ２でモニタしながら、第１の圧力値Ｐｘま
で開閉弁Ｖ１，Ｖ２共に閉じておく、これによって次第
に水蒸気発生器３３内で水蒸気量が増加していき、第１
の圧力値Ｐｘに到達する。ここで、開閉弁Ｖ１は閉じた
まま、例えば開閉弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅｃ）
開放し、水蒸気発生器３３内の圧力（水蒸気）を放出し
て水蒸気発生器３３内の圧力を第２の圧力値Ｐｙまで低
下させる。なお、この場合、排出管路３９には オリフ
ィス３９ａが介設されているので、水蒸気発生器３３内
の圧力が急激に低下するのを抑制することができる。ま
た、処理容器１０内に水蒸気を供給するときまで、開閉
弁Ｖ１を閉じたままにして、上記作動（制御）を繰り返
して、水蒸気発生器３３内の圧力値ＰｘからＰｙの間に
維持する。ここで、第１の圧力値Ｐｘと第２の圧力値Ｐ
ｙの値は、共に処理容器１０内に圧力Ｐ１よりも高く設
定されており、Ｐ１＜Ｐｙ＜Ｐｘの関係が成り立つ。ま
た、処理容器１０内への水蒸気の供給開始以降の制御
は、まず、ＣＰＵ１００によって開閉弁Ｖ１を開くと共
に開閉弁Ｖ２を閉じた状態にする。このとき、水蒸気発
生器３３内の圧力値はＰｘからＰｙの間にあるので、容
易に、かつ一瞬で処理容器１０内に水蒸気が流れ込む。
しかも、水蒸気発生器３３内で水蒸気は大量に発生して
いたので、一気に処理容器１０内に大量の水蒸気が流れ
込み、予め処理容器１０内に供給されていたオゾンガス
と混合して、ウエハＷの処理が素早く開始される。ま
た、水蒸気発生器３３内は圧力が高い状態であったこと
から、当然水蒸気も高い温度であったため、高い温度雰
囲気の中で、オゾンを利用した処理を行うことができる
ので、処理能力の向上を図ることができる。また、水蒸
気とオゾンガスが処理容器１０内に供給される間、開閉
弁Ｖ１０が開いた状態に制御されると共に、開閉弁Ｖ１
０の上流の流量調整部で圧損を作り、処理容器１０内の
圧力の大気圧よりも高い状態に維持しながらウエハＷの
レジスト除去処理が行われる。

【００７９】前記実施形態では水蒸気供給の際にＰ１＜
Ｐ２としたが、これに限るものではなく、Ｐ１＝Ｐ２で
も、実質的には、水蒸気発生器３３内によって、水蒸気
が発生している間は、処理容器１０側に送り込まれるこ
とはいうまでもない。

【００８０】なお、予め、処理時における処理容器１０
内の圧力のデータをＣＰＵ１００に記憶させることによ
り、このデータと、圧力センサＰＳ2 にて検出された検
出圧力に基づいて、第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２を開
閉制御することにより、処理容器１０内の圧力と同等以
上の圧力の水蒸気１を供給することができ、水分子の層
に対するオゾン分子の混合量を増加させて水酸基ラジカ
ルの発生量を増やすことができるので、レジスト除去能
力を向上することができる。

【００８１】(d) Ｏ3→Ｏ2置換工程 処理を所定時間（例えば３〜６分）、レジストの種類に
よっても異なるが、その際の処理容器１０内の圧力を、
零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より例えば約０．
０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った後、第１開閉弁
Ｖ１を閉じて、水蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給
を停止すると共に、オゾンガス生成手段４１の作動を停
止し、基ガスの酸素（Ｏ２）のみを処理容器１０内に供
給して、基ガスで配管内をパージし、処理容器１０内の
急激な減圧及び湿度の低下を防止する（表１の工程(4)
）。したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露し
て、その水滴がウエハＷに付着するのを防止することが
できる。

【００８２】(e) 強制排気工程 酸素の供給を所定時間（例えば１分）行った後、酸素の
供給を停止し、次いで、開閉弁Ｖ16を開いて強制排気機
構のエジェクタ６３を作動させる一方、排気開閉弁Ｖ13
及び開閉弁Ｖ６，Ｖ８を開いて、処理容器１０内に残留
する水蒸気及びオゾンガスを強制的に吸引して排気する
（表１の工程(5) ）。この場合、エア供給管路５１Ｂを
流れるエアの流量よりも処理容器１０からエジェクタ６
３に向かって流れる流量の方が若干多くなるようにエジ
ェクタ６３を設定し、処理容器１０内を若干の減圧状態
にすることで、処理容器１０内を吸引排気できるので、
後述するエアパージ工程の押出し排気だけではパージさ
れにくかった箇所の排気も急速に行うことができる。

【００８３】この強制排気工程の間も、エジェクタ６３
の下流が接続される排気管路１１０からミストトラップ
９５内の圧力が高い。この強制排気行程において、制御
手段は、表１の工程(5) に示すように、処理容器１０か
らの排液管路９１中に介設した開閉弁Ｖ９及び補助開閉
弁Ｖ10を共に閉じて、ミストトラップ９５から処理容器
内へのガスあるいは水分の逆流を防止する。

【００８４】(f) 強制排気終了直後の工程 制御手段により、強制排気工程を終了｛終了時に開閉弁
Ｖ８は閉じ、開閉弁Ｖ６は開放状態｝した直後の若干の
所定時間（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器１０から
ミストトラップ９５への排液管路９１中に介設された開
閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10を閉鎖し、その状態下で、
開閉弁Ｖ７を開き、処理容器１０内にエアパージのクー
ルエアを供給する（表１の工程(6) ）。

【００８５】その理由は、強制排気の終了直後、つまり
エジェクタ排気工程を終了してエアパージ工程を開始す
る２〜３秒間の期間においては、オゾンキラー８０を通
過しきれないガスが残っているので、オゾンキラー８０
からミストトラップ９５内までの空間の圧力が高く、逆
に処理容器１０内は若干の減圧状態となる。したがっ
て、強制吸引排気されていた処理容器１０内がエアパー
ジのクールエアで充満されるまでミストトラップ９５の
方が処理容器１０より圧力が高くなるため、処理容器１
０からミストトラップ９５への排気管路が開いたままで
は、ミストトラップ９５から処理容器１０内へガスある
いはミストが逆流するからである。そこで、エジェクタ
排気工程を終了した直後も、若干の所定時間だけ、処理
容器１０からミストトラップ９５への排液管路９１を閉
鎖して逆流を防止する。

【００８６】(g) エアパージ工程 最後に、排液管路９１中の開閉弁Ｖ９を開くと共に、パ
ージ用のエア供給管路５１Ａ中の開閉弁Ｖ６，Ｖ７を強
制排気終了直後の工程から引き続き開き、処理容器１０
内にクールエアを供給し、処理容器１０内を押し出し排
気して、処理を終了する（表１の工程(7) ）。

【００８７】その後、昇降機構１５を作動させて、容器
カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１
４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハ
Ｗを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しな
いウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを
次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部におい
て、レジストを洗い流す。

【００８８】したがって、前記基板処理によれば、配線
工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止
及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないそ
の他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパ
ーティクルの防止にも適用できるものである。

【００８９】なお、上記実施形態では、被処理基板がウ
エハＷである場合について説明したが、ウエハＷ以外の
例えばＬＣＤ基板等の被処理基板についても同様にレジ
ストの除去を行うことができる。

【００９０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００９１】１）請求項１，５，９に記載の発明によれ
ば、処理容器内に加熱ガスが供給されかつ処理容器がこ
れから出て処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気
管路によりほぼ大気圧に減圧される基板昇温工程におけ
る間も、処理容器から気液分離手段への排気経路（管
路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるた
め、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が
逆流する現象が防止される。したがって、基板昇温工程
におけるパーティクル汚染の発生が防止される。

【００９２】２）請求項２，３，６，７，１０，１１に
記載の発明によれば、強制排気手段により処理容器内の
雰囲気を吸引し、これを気液分離手段の下流に戻す強制
排気工程が設けられており、これにより排気効果をアッ
プさせ、スループットの改善を図ることができる。しか
も、その強制排気工程の間は、処理容器から気液分離手
段への排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ
10）が閉鎖されるため、強制排気手段が作動して、気液
分離手段の下流に接続されている処理ガス分解手段が抵
抗となって気液分離手段内の方が処理容器内より圧力が
高くなった場合でも、気液分離手段から処理容器内へガ
スあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがっ
て、強制排気工程におけるパーティクル汚染の発生が防
止される。

【００９３】３）請求項４，８，１２に記載の発明によ
れば、強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間
（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器から気液分離手段
への排液管路中に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉
鎖される。したがって、強制排気の終了直後、つまり強
制排気工程を終了してパージ工程を開始する２〜３秒間
の期間において、それまで強制吸引排気されていた処理
容器内がパージガス（例えば酸素ガス、クールエア）で
充満されるまで気液分離手段の方が処理容器より圧力が
高くなった場合でも、処理容器から気液分離手段への排
液管路が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内
へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。した
がって、強制排気終了直後の工程におけるパーティクル
汚染の発生が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略
断面図である。

【図２】第一実施形態の基板処理装置の要部を示すもの
で、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供給し
た状態を示す断面図である。

【図３】この発明における溶媒蒸気生成手段の第一実施
形態を示す概略断面図である。

【図４】この発明における処理容器の概略側面図であ
る。

【図５】この発明における処理容器のロック機構を示す
概略平面図である。

【図６】前記ロック機構の一部を断面で示す側面図であ
る。

【図７】前記ロック機構の分解状態（ａ）、ロック前の
状態（ｂ）及びロック状態（ｃ）を示す概略斜視図であ
る。

【図８】この発明における水蒸気ノズルを示す断面図で
ある。

【図９】この発明におけるオゾンガスノズルを示す断面
図である。

【図１０】図９のIV−IV線に沿う拡大断面図である。

【図１１】この発明におけるエアノズルを示す断面図で
ある。

【図１２】前記エアノズルの一部を断面で示す平面図で
ある。

【符号の説明】 Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 水蒸気（溶媒蒸気） ２ オゾンガス（処理ガス） ３ ホットエア １０ 処理容器 ３０ 水蒸気供給手段 ３３ 水蒸気発生器（溶媒蒸気生成手段） ３５ 水蒸気ノズル ４０ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手段） ４１ オゾンガス生成手段 ４３ オゾンガスノズル ５０ エア供給手段（ガス供給手段） ５２ ホットエアジェネレータ ５４ エアノズル ６０ 内部排気手段 ６１ 排気部 ６２ 強制排気管路 ６３ エジェクタ ８０ オゾンキラー（処理ガス分解手段） ９０ 排液手段 ９１ 第１の排液管路 ９２ 冷却部 ９５ ミストトラップ（気液分離手段） １００ ＣＰＵ（制御手段） １１０ 排気管路 Ｖ１ 第１開閉弁 Ｖ２ 第２開閉弁 Ｖ４ 開閉弁 Ｖ５ 開閉弁 Ｖ６ 開閉弁 Ｖ７ 開閉弁 Ｖ８ 開閉弁 Ｖ９ 開閉弁 Ｖ10 補助開閉弁 Ｖ13 第１の排気開閉弁 Ｖ14 第２の排気開閉弁 Ｖ16 開閉弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/3065 21/302 Ｈ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 LA06 LA30 3B116 AA02 AA03 AB01 AB44 BB21 BB82 BB90 CD11 CD41 3B201 AA02 AA03 AB01 AB44 BB21 BB82 BB90 BB92 BB98 CD11 CD41 5F004 AA14 BA19 BC07 CA02 CA04 DA00 DA27 DB26 EA34 5F046 MA02 MA03 MA05 MA10

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の排気経路を備えた処理容器内に収
   容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
   被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に加熱ガスを供給して前記被処理基板を
   昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内に処理ガスと
   溶媒蒸気を供給して前記被処理基板を処理する基板処理
   工程と、前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気
   される雰囲気を気液分離する気液分離工程と、パージガ
   スを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程
   とを有し、 前記基板昇温工程の間、前記複数の排気経路のうち前記
   気液分離を行う排気経路を閉鎖することを特徴とする基
   板処理方法。
2. 【請求項２】 複数の排気経路を備えた処理容器内に収
   容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
   被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に加熱ガスを供給して前記被処理基板を
   昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内に処理ガスと
   溶媒蒸気を供給して前記被処理基板を処理する基板処理
   工程と、前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気
   される雰囲気を気液分離する気液分離工程と、パージガ
   スを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程
   とを有し、 前記パージ工程の間、処理容器内の雰囲気を吸引する強
   制排気工程を設け、その強制排気工程の間、前記気液分
   離を行う排気経路を閉鎖することを特徴とする基板処理
   方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理方法において、 前記処理容器内を強制的に吸引する雰囲気の量よりも少
   量か同等量のパージガスを処理容器内に供給しながら強
   制排気工程を行うことを特徴とする基板処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
   板処理方法において、 前記強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間だ
   け、気液分離を行う排気経路を閉鎖することを特徴とす
   る基板処理方法。
5. 【請求項５】 複数の排気経路を備えた処理容器内に収
   容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
   被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に加熱ガスを供給して前記被処理基板を
   昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内に処理ガスと
   溶媒蒸気を供給して前記被処理基板を処理する基板処理
   工程と、前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気
   される雰囲気を気液分離する気液分離工程と、パージガ
   スを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程
   とを有し、 前記基板昇温工程の間、前記処理容器内の雰囲気を排気
   する排気経路を開放すると共に、前記気液分離を行う排
   気経路を閉鎖し、前記基板処理工程の間、前記処理容器
   内の雰囲気を排気する排気経路を閉鎖すると共に、前記
   気液分離する排気経路を開放することを特徴とする基板
   処理方法。
6. 【請求項６】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に開閉弁を
   介して介設される気液分離手段と、 前記気液分離手段からの排気系に接続される処理ガス分
   解手段と、 強制排気手段により強制的に前記処理容器内の雰囲気を
   吸引して排気する強制排気管路と、 前記強制排気手段により強制排気する際に、前記開閉弁
   を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあるいは
   水分の逆流を防止する制御手段と、を具備することを特
   徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の基板処理装置において、 ガス供給手段から処理容器内に加熱ガスを供給するガス
   供給管路と、処理容器から出て気液分離手段及び処理ガ
   ス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する
   分岐排気管路とを具備し、 制御手段が、前記処理容器内に加熱ガスを供給する際
   に、前記ガス供給管路の開閉手段と前記分岐排気管路の
   開閉手段を開くと共に、逆流防止のため、前記開閉弁を
   閉じる機能を具備することを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項６又は７記載の基板処理装置にお
   いて、 ガス供給手段から処理容器内にパージガスを供給するガ
   ス供給管路を具備し、 前記制御手段が、強制排気を終了した直後の若干の所定
   時間だけ、前記ガス供給管路の開閉手段を開くと共に、
   開閉弁を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあ
   るいは水分の逆流を防止し、その後、前記開閉弁を開い
   て、パージガスにより処理容器内のガスを排気するパー
   ジ工程を行う機能を具備することを特徴とする基板処理
   装置。
9. 【請求項９】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に介設され
   る開閉弁（Ｖ14）と、前記処理容器内の雰囲気を排気す
   る別系統の排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）
   と、 前記別系統の排気管路を介して前記処理容器と連通さ
   れ、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気
   液分離手段と、 前記気液分離手段に連通され、水分が分離された雰囲気
   内の処理ガスを分解する処理ガス分解手段と、 前記処理容器内に加熱ガスを供給する加熱ガス供給手段
   と、 前記加熱ガス供給手段から前記処理容器内に加熱ガスを
   供給する際に、前記開閉弁（Ｖ14）を開くと共に、前記
   開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）を閉じるように制御する制御手段
   と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管路に介設され
    る開閉弁（Ｖ14）と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する別系統の排気管路に
    介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する強制排気管路に介設
    される開閉弁（Ｖ13）と、 前記別系統の排気管路を介して前記処理容器と連通さ
    れ、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気
    液分離手段と、 前記強制排気管路を介して前記処理容器と連通され、処
    理容器内の雰囲気を強制的に吸引排気する強制排気手段
    と、 前記強制排気手段から前記処理容器内の雰囲気を排気す
    る際に、前記開閉弁（Ｖ13）を開くと共に、前記開閉弁
    （Ｖ14）、（Ｖ９，Ｖ10）を閉じるように制御する制御
    手段と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の基板処理装置におい
    て、 前記強制排気手段の下流を気液分離手段と処理ガス分解
    手段との間に接続し、強制排気された処理容器内の雰囲
    気を前記処理ガス分解手段を通して排気可能に形成する
    ことを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０記載の基板処理装置におい
    て、 前記制御手段は、強制排気手段からの排気が終了した直
    後、一定時間開閉弁（Ｖ14）、（Ｖ９，Ｖ10）、（Ｖ1
    3）を閉じ、処理容器内をパージするためのパージガス
    が処理容器内に供給された後、開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）を
    開き、前記処理容器内の雰囲気を排気するよう制御可能
    に形成されることを特徴とする基板処理装置。