JP2007324450A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ダイヤフラム弁の帯電した静電気の火花放電によってダイヤフラム弁が破損してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、処理室(24)の内部で被処理体(ウエハ２)を処理ガスを用いて処理する処理装置(9)において、前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管(25)と、前記処理ガス流通配管(25)に介設したダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)と、前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)よりも上流側の前記処理ガス流通配管(25)に接続した前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)の帯電を防止するための帯電防止剤を供給する供給源(帯電防止剤供給源43,56)とを有し、前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)に帯電防止剤を供給するようにした。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの被処理体に対して処理ガスを用いて処理するための処理装置及び処理方法に関するものである。
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造過程においては、半導体ウエハや液晶基板などの被処理体に対して各種の処理ガスを用いて処理する処理工程が設けられている。たとえば、半導体ウエハの表面に塗布したフォトレジストを除去する際には、処理工程として、オゾンガスと水蒸気からなる処理ガスを高温・高圧下で半導体ウエハに供給して、半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストを水溶性に変質させる工程が設けられている。
この処理工程で用いられる処理装置では、処理ガスを処理室の内部に流入したり、処理ガスを処理室の外部に流出したりすることで処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管を処理室に接続しており、処理ガス流通配管には、調圧や開閉などの目的でダイヤフラム（隔壁）を有するダイヤフラム弁が介設されている（たとえば、特許文献１参照。）。
特開２００４−２７３５５３号公報
ところが、上記従来の処理装置では、処理ガスがダイヤフラム弁を流通する際に処理ガスとダイヤフラム弁との摩擦によってダイヤフラム弁に静電気が帯電してしまうことが確認された。特に、処理ガスとしてオゾンガスのように腐食性の高いガスを用いる場合には、ダイヤフラム弁の材質としてフッ素樹脂のように耐蝕性や耐薬品性に優れた樹脂を用いることが望ましいが、ダイヤフラム弁の材質に樹脂を用いた場合、導電性が低いために静電気が容易に帯電してしまっていた。
そして、ダイヤフラム弁に静電気が帯電してしまうと、電位差に起因して帯電した静電気が火花放電してしまい、ダイヤフラムにピンホール状の破損が生じて、ダイヤフラムとしての機能を果たすことができなくなり、処理装置による被処理体の処理を良好に行えなくなるおそれがあった。
そこで、請求項１に係る本発明では、処理室の内部で被処理体を処理ガスを用いて処理する処理装置において、前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管と、前記処理ガス流通配管に介設したダイヤフラム弁と、前記ダイヤフラム弁よりも上流側の前記処理ガス流通配管に接続した前記ダイヤフラム弁の帯電を防止するための帯電防止剤を供給する供給源とを有することにした。
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記ダイヤフラム弁を前記処理室よりも下流側に接続された前記処理ガス流通配管に介設するとともに、前記供給源を前記処理室と前記ダイヤフラム弁との間に接続することにした。
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記ダイヤフラム弁は、前記処理室の内部圧力を調整するための圧力調整弁として機能させることにした。
また、請求項４に係る本発明では、前記請求項１〜請求項３のいずれかに係る本発明において、前記帯電防止剤は、前記処理室の内部圧力を変動させない流量で供給することにした。
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記処理ガスとしての蒸気を発生させる蒸気発生室を設けるとともに、蒸気発生室に接続した前記処理ガス流通配管の一部を構成する水蒸気排出管に前記ダイヤフラム弁を介設することにした。
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項５に係る本発明において、前記ダイヤフラム弁は、前記蒸気発生室の内部圧力を調整するための圧力調整弁として機能させることにした。
また、請求項７に係る本発明では、前記請求項５又は請求項６に係る本発明において、前記帯電防止剤は、前記蒸気発生室の内部圧力を変動させない流量で供給することにした。
また、請求項８に係る本発明では、前記請求項１〜請求項７のいずれかに係る本発明において、前記帯電防止剤は、純水に炭酸ガスを溶解した液体を用いることにした。
また、請求項９に係る本発明では、前記請求項１〜請求項８のいずれかに係る本発明において、前記処理ガスは、水蒸気を含有することにした。
また、請求項１０に係る本発明では、前記請求項１〜請求項９のいずれかに係る本発明において、前記処理ガスとして水蒸気とオゾンガスとを用いるとともに、前記処理ガス流通配管にミストトラップとオゾンキラーとを順に介設して水分除去とオゾン分解とを行うように構成し、前記帯電防止剤は、ミストトラップでトラップされてオゾンキラーに流入しない流量で供給することにした。
また、請求項１１に係る本発明では、処理室の内部で被処理体を処理ガスを用いて処理する処理方法において、前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管に介設したダイヤフラム弁に帯電を防止するための帯電防止剤を供給することにした。
また、請求項１２に係る本発明では、前記請求項１１に係る本発明において、前記帯電防止剤は、前記ダイヤフラム弁に前記処理ガスとともに供給することにした。
そして、本発明では、処理ガスがダイヤフラム弁を流通する際に処理ガスとダイヤフラム弁との摩擦によってダイヤフラム弁に静電気が帯電しようとしても、ダイヤフラム弁に供給される帯電防止剤によってダイヤフラム弁の帯電を防止（除電）することができ、帯電した静電気の放電に起因するダイヤフラム弁の故障を未然に防止することができ、ダイヤフラム弁の故障による処理装置の処理不良の発生を防止することができる。
以下に、本発明に係る処理装置を内蔵した基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、被処理体としてウエハ（基板）を用い、このウエハの表面に塗布したフォトレジストを水溶化させるための水溶化処理を行う処理装置に本発明を適用した場合について説明する。
基板処理装置１は、被処理体としてのウエハ２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための装置であり、図１及び図２に示すように、キャリア３に収納されたウエハ２を搬入及び搬出するための基板搬入出ユニット４の後部にウエハ２を１枚ずつ搬送するための基板搬送ユニット５を配設するとともに、この基板搬送ユニット５の後部にウエハ２に対して各種の処理を施すための基板処理ユニット６を配設している。
この基板処理装置１は、基板処理ユニット６の前端中央部に処理前又は処理後のウエハ２の受け渡しを行うための基板受渡装置７を配設し、この基板受渡装置７の後方にウエハ２を基板処理ユニット６の内部で搬送するための主搬送装置８を配設し、この主搬送装置８の左側方にウエハ2のレジスト水溶化処理を行うための処理装置9〜16を上下方向に４台で前後方向に２台ずつ並べて配設するとともに、主搬送装置８の右側方にウエハ２の洗浄処理を行うための洗浄装置17〜20を上下方向及び前後方向に２台ずつ並べて配設し、さらには、基板処理ユニット６の後端部に処理剤貯蔵庫21とオゾンガス発生装置22とを配設するとともに、基板処理ユニット６の上部にフィルターファンユニット23を配設している。
そして、基板処理装置１では、たとえば、基板搬入出ユニット４に載置された複数枚のウエハ２を積載したキャリア３から処理前のウエハ２を一枚ずつ基板搬送ユニット５で取り出して基板処理ユニット６の基板受渡装置７へ搬送し、主搬送装置８で基板受渡装置７からウエハ２を各処理装置9〜16に搬送して、各処理装置9〜16でウエハ２の表面に塗布したフォトレジストを水溶化させる処理を行った後に、主搬送装置８で処理装置9〜16から各洗浄装置17〜20に搬送して、各洗浄装置17〜20でウエハ２の表面のフォトレジストを除去し、その後、主搬送装置８でウエハ２を基板受渡装置７へ搬送し、基板搬送ユニット５で処理後のウエハ２を基板受渡装置７から基板搬入出ユニット４のキャリア３へと搬出するようにしている。
次に、本発明の要部となる処理装置9〜16の構成について説明する。なお、８台の処理装置9〜16は、基本的には同様の構成となっているために、以下の説明では、代表的に処理装置９の構成について説明する。
処理装置９は、図３に示すように、１枚のウエハ２に対して処理ガスで処理するための処理室24に処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管25を接続している。
処理室24は、密閉可能な矩形箱型容器からなり、内部を加熱するための上下一対のヒータ26,26を内蔵し、ウエハ２を収容するための内部の処理空間27に処理ガスを流入させるための流入口28と処理ガスを流出させるための流出口29とを連通連結している。
処理ガス流通配管25は、処理ガスを処理室24に供給する処理ガス供給配管30と、処理ガスを処理室24から排出する処理ガス排出配管31と、水蒸気を排出するための水蒸気排出配管32とで構成している。
まず、処理ガス供給配管30の構成について説明すると、処理ガス供給配管30は、切換混合弁33の流入側にオゾンガス発生装置22とガス供給源34と水蒸気発生装置35とをそれぞれ第１〜第３の処理ガス供給管30a,30b,30cを介して接続する一方、切換混合弁33の流出側に処理室24の流入口28を第４処理ガス供給管30d及び温度調整手段36を介して接続している。
ここで、オゾンガス発生装置22は、酸素ガス中で放電を行うことでオゾンガスを発生させる構造となっており、オゾンガスと酸素ガスとを選択的に供給することができるようになっている。
また、ガス供給源34は、窒素ガスなどの不活性ガスや空気などの置換ガスを供給できるようになっている。
さらに、水蒸気発生装置35は、純水供給源37から供給される純水を内部のヒータ38で加熱することによって水蒸気を発生させるようになっている。なお、水蒸気発生装置35には、純水を排出するための純水排出管39が接続されている。
そして、処理ガス供給配管30は、切換混合弁33によって、オゾンガス発生装置22で発生したオゾンガスと水蒸気発生装置35で発生した水蒸気とを混合した処理ガス、或いは、オゾンガス発生装置22で選択的に発生したオゾンガスや酸素ガス、ガス供給源34から供給される置換ガス、水蒸気発生装置35で発生した水蒸気をそれぞれ単独で、処理室24に第４処理ガス供給管30dを介して供給するようにしている。その際に、各種のガスは、温度調整手段36で適宜調温されて処理室24に供給される。
次に、処理ガス排出配管31の構成について説明すると、処理ガス排出配管31は、処理室24の流出口29に開閉弁40を接続し、開閉弁40に圧力調整弁41を接続し、圧力調整弁41にミストトラップ42を接続しており、開閉弁40と圧力調整弁41との間（処理室24の下流側であって、かつ、圧力調整弁41の直上流側）には、帯電防止剤を供給するための帯電防止剤供給源43を開閉弁44を介して接続している。
そして、処理ガス排出配管31は、処理室24の下流側に介設した圧力調整弁41の作用によって処理室24の処理空間27の内部圧力を所定圧力に保持するようになっている。なお、圧力調整弁41の具体的な構造、帯電防止剤供給源43を接続したことによる作用については後に詳述する。
また、処理ガス排出配管31は、ミストトラップ42に排液管45を接続するとともに、ミストトラップ42の下流側にオゾン分解装置46を接続し、オゾン分解装置46に排気管47を接続している。
ここで、ミストトラップ42は、冷却水供給部48と冷却水排出部49との間に介設した冷却水循環流路50によって、内部を冷却して気液分離を行い、液体を排液管45から外部に排出するとともに、オゾンガスを含有する気体を連通管51からオゾン分解装置46へ排出するようになっている。
また、オゾン分解装置46は、内部のヒータ52でオゾンガスを加熱分解するオゾンキラー53と、このオゾンキラー53で処理された気体を冷却する冷却装置54とで構成し、連通管51を介してオゾンキラー53にミストトラップ42を接続するとともに、冷却装置54に排気管47を接続している。冷却装置54には、冷却水を流通するために冷却水供給部48と冷却水排出部49とを連通連結している。
そして、処理ガス排出配管31は、処理室24から流出した各種のガスをミストトラップ42で気液分離し、液体を排出する一方、気体をオゾン分解装置46でオゾンの分解を行ってから排出するようにしている。
次に、水蒸気排出配管32の構成について説明すると、水蒸気排出配管32は、水蒸気発生装置35の下流側に圧力調整弁55を接続し、圧力調整弁55にミストトラップ42を接続しており、水蒸気発生装置35と圧力調整弁55との間（水蒸気発生装置35の下流側であって、かつ、圧力調整弁55の直上流側）には、帯電防止剤を供給するための帯電防止剤供給源56を開閉弁57を介して接続している。
そして、水蒸気排出配管32は、水蒸気発生装置35の下流側に介設した圧力調整弁55の作用によって水蒸気発生装置35の内部圧力を所定圧力に保持するようになっている。
この圧力調整弁55の構造は、処理ガス排出配管31に介設した圧力調整弁41の構造と同様となっており、また、この圧力調整弁55の上流側に帯電防止剤供給源56を接続したことによる作用も、圧力調整弁41の上流側に帯電防止剤供給源43を接続したことによる作用と同様となっている。そのため、処理ガス排出配管31に介設した圧力調整弁41を代表的に以下に説明する。
圧力調整弁41は、図４に示すように、ダイヤフラム弁の構造をしており、矩形箱型状のケーシング58の上下開口部に上下蓋体59,60を覆設するとともに、ケーシング58の上下中央部に仕切壁61を形成して、ケーシング58の内部を流入管62に連通する上流側空間63と流出管64に連通する下流側空間65とに区画している。
また、圧力調整弁41は、仕切壁61の中央部に上流側空間63と下流側空間65との間で上下に貫通する流通孔66を形成するとともに、流通孔66の中途部に弁座67を形成し、この弁座67の上部にダイヤフラム弁体68を着座させている。
このダイヤフラム弁体68は、円板状のダイヤフラム69の中央下部に円柱状の弁体70を形成するとともに、ダイヤフラム69の外周部に薄肉状の可撓片71を形成し、さらに、可撓片71の外周部に円環状の保持片72を形成しており、この保持片72をケーシング58の上部開口と上蓋体59の内縁部で挟持することによって弁体70が上下方向に移動可能な状態でダイヤフラム弁体68を圧力調整弁41の内部に収容している。このダイヤフラム弁体68は、対象流体としてオゾンガスのように腐食性の高いガスが使用されることもあるために、フッ素樹脂のように耐蝕性や耐薬品性に優れた樹脂で形成している。
また、ダイヤフラム弁体68は、ダイヤフラム69によって上流側空間63を上側の調圧室73と下側の流通室74とに区画しており、上蓋体59には、調圧室73に連通する調圧流体流入口75と調圧流体流出口76とが形成され、調圧流体流入口75に調圧機構77を連通連結している。
そして、圧力調整弁41は、調圧機構77によって調圧室73の内部圧力を制御することで、ダイヤフラム弁体68の作動圧を制御して、上流側空間63（流入管62）から下流側空間65（流出管64）へと流れる流体の圧力を調整するようになっている。
この圧力調整弁41の直上流側には、帯電防止剤供給源43を開閉弁44を介して接続しており、開閉弁44を開放することで、帯電防止剤供給源43から帯電防止剤が圧力調整弁41に向けて流れ込むようにしている。
ここで、帯電防止剤は、圧力調整弁41を流動する流体の比抵抗を低下させる物質を含有する流動体であればよく、純水に炭酸ガス、希ガス、メタンガス、塩酸、アンモニア、過酸化水素などのいずれか一種又は混合物を溶解したものが用いられる。
処理装置９は、以上に説明したように構成しており、以下に説明するようにして、ウエハ２の表面に塗布したフォトレジストを水溶化させるようにしている。
まず、処理装置９は、処理室24の内部にウエハ２を搬入した後に、ヒータ26,26で処理室24の内部を所定温度まで昇温させ、その後、切換混合弁33を介してオゾンガス発生装置22からオゾンガスを処理室24に供給する。
このときに、処理装置９は、開閉弁40を開放状態として、圧力調整弁41の作用で処理室24の内部を所定圧力に保持している。
また、処理装置９は、開閉弁44も開放状態として、帯電防止剤供給源43から帯電防止剤を圧力調整弁41に向けて供給している。
これにより、圧力調整弁41の内部には、オゾンガスとともに帯電防止剤が流れ込み、摩擦によって圧力調整弁41のダイヤフラム弁体68に静電気が帯電するのを防止（除電）している。
次に、処理装置９は、切換混合弁33を介してオゾンガス発生装置22で発生したオゾンガスと水蒸気発生装置35で発生した水蒸気とを混合して処理室24に供給する。
このときも、処理装置９は、開閉弁40を開放状態として、圧力調整弁41の作用で処理室24の内部を所定圧力に保持するとともに、開閉弁44も開放状態として、帯電防止剤供給源43から帯電防止剤を圧力調整弁41に向けて供給している。
これにより、圧力調整弁41の内部には、オゾンガス及び水蒸気とともに帯電防止剤が流れ込み、摩擦によって圧力調整弁41のダイヤフラム弁体68に静電気が帯電するのを防止（除電）している。
さらに、このときには、処理装置９は、圧力調整弁55の作用で水蒸気発生装置35の内部を所定圧力に保持するとともに、開閉弁57も開放状態として、帯電防止剤供給源56から帯電防止剤を圧力調整弁55に向けて供給している。
これにより、圧力調整弁55の内部には、水蒸気とともに帯電防止剤が流れ込み、摩擦によって圧力調整弁55のダイヤフラム弁体(68)に静電気が帯電するのを防止（除電）している。
最後に、処理装置９は、切換混合弁33を介してガス供給源34から窒素ガスを処理室24に供給して、処理室24の内部を窒素ガスでパージし、その後、処理室24からウエハ２を搬出する。
なお、開閉弁44や開閉弁57を開放状態とすることによって帯電防止剤供給源43,56から圧力調整弁41,55への帯電防止剤の供給は、処理装置９の作動中に常時行ってもよく、各圧力調整弁41,55に流体が流動するタイミングに併せて行ってもよく、一定間隔或いは任意の間隔で行ってもよい。処理装置９の作動中や流体の流動中に帯電防止剤を供給することにより、帯電防止をより一層確実に行うことができ、一方、一定間隔或いは任意の間隔で帯電防止剤を供給することにより、帯電防止剤の消費量を低減することができる。
以上に説明したように、上記処理装置９では、処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管25を処理室24に接続するとともに、処理ガス流通配管25にダイヤフラム弁としての圧力調整弁41,55を介設し、圧力調整弁41,55よりも上流側の処理ガス流通配管25に帯電を防止するための帯電防止剤を供給する帯電防止剤供給源43,56を接続している。
そして、上記処理装置９では、圧力調整弁41,55に帯電を防止するための帯電防止剤を供給するようにしている。
そのため、上記処理装置９では、処理ガスが圧力調整弁41,55を流通する際に処理ガスと圧力調整弁41,55との摩擦によって圧力調整弁41,55に静電気が帯電しようとしても、圧力調整弁41,55に供給される帯電防止剤によって圧力調整弁41,55の帯電を防止（除電）することができ、帯電した静電気の放電に起因する圧力調整弁41,55の故障を未然に防止することができ、圧力調整弁41,55の故障による処理装置９の処理不良の発生を防止することができる。
特に、上記処理装置９では、圧力調整弁41への帯電防止剤の供給を処理室24よりも下流側の処理ガス流通配管25（処理ガス排出配管31）で行うようにしているために、帯電防止剤を処理室24の内部に流通させる必要がなくなり、帯電防止剤の供給に起因する処理室24の内部での処理不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、圧力調整弁41が処理室24の内部圧力を調整する機能を有しているために、圧力調整弁41の故障を未然に防止することで、処理室24の内部圧力を良好に精度良く調整することができ、内部圧力の変動に起因する処理不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、処理室24の内部圧力を変動させない流量の範囲を予め計測しておいて、その範囲内の流量で帯電防止剤を供給するようにしている。そのため、上記処理装置９では、帯電防止剤を供給しても処理室24の内部圧力を保持することができ、内部圧力の変動に起因する処理不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、水蒸気発生装置35の水蒸気排出配管32に圧力調整弁55を介設しているために、帯電防止剤を蒸気発生室の内部に流通させる必要がなくなり、帯電防止剤の供給に起因する蒸気発生室内部での不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、圧力調整弁55が蒸気発生室の内部圧力を調整する機能を有しているために、圧力調整弁55の故障を未然に防止することで、蒸気発生室の内部圧力を良好に精度良く調整することができ、内部圧力の変動に起因する不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、蒸気発生室の内部圧力を変動させない流量の範囲を予め計測しておいて、その範囲内の流量で帯電防止剤を供給するようにしている。そのため、上記処理装置９では、帯電防止剤を供給しても蒸気発生室の内部圧力を保持することができ、内部圧力の変動に起因する不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、帯電防止剤として純水に炭酸ガスを溶解した液体を用いている。そのため、上記処理装置９では、取扱いが容易で安価な帯電防止剤を用いることができる。
また、上記処理装置９では、処理ガスとして水蒸気を含有しているが、その場合でも帯電防止剤によって圧力調整弁41,55の帯電を未然に防止でき、圧力調整弁41,55の故障による処理装置９の処理不良の発生を防止することができる。
また、上記処理装置９では、処理ガスとして水蒸気とオゾンガスとを用いるとともに、処理ガス流通配管25にミストトラップ42とオゾンキラー53とを順に介設して水分除去とオゾン分解とを行うように構成している。しかも、上記処理装置９では、帯電防止剤がミストトラップ42でトラップされてオゾンキラー53に流入しない流量の範囲を予め計測しておいて、その範囲内の流量で帯電防止剤を供給するようにしている。そのため、上記処理装置９では、処理ガス流通配管25に帯電防止剤を供給しても、ミストトラップ42で帯電防止剤を除去することができるとともに、オゾンキラー53によってオゾンガスを良好に分解することができる。
本発明に係る処理装置を内蔵した基板処理装置を示す平面図。 同側面図。 本発明に係る処理装置の構成を示す説明図。 ダイヤフラム弁を示す側面断面図。
符号の説明
１ 基板処理装置 ２ ウエハ
３ キャリア ４ 基板搬入出ユニット
５ 基板搬送ユニット ６ 基板処理ユニット
７ 基板受渡装置 ８ 主搬送装置
9〜16 処理装置 17〜20 洗浄装置
21 処理剤貯蔵庫 22 オゾンガス発生装置
23 フィルターファンユニット 24 処理室
25 処理ガス流通配管 26 ヒータ
27 処理空間 28 流入口
29 流出口 30 処理ガス供給配管
30a 第１処理ガス供給管 30b 第２処理ガス供給管
30c 第３処理ガス供給管 30d 第４処理ガス供給管
31 処理ガス排出配管 32 水蒸気排出配管
33 切換混合弁 34 ガス供給源
35 水蒸気発生装置 36 温度調整手段
37 純水供給源 38 ヒータ
39 純水排出管 40 開閉弁
41 圧力調整弁 42 ミストトラップ
43 帯電防止剤供給源 44 開閉弁
45 排液管 46 オゾン分解装置
47 排気管 48 冷却水供給部
49 冷却水排出部 50 冷却水循環流路
51 連通管 52 ヒータ
53 オゾンキラー 54 冷却装置
55 圧力調整弁 56 帯電防止剤供給源
57 開閉弁 58 ケーシング
59,60 上下蓋体 61 仕切壁
62 流入管 63 上流側空間
64 流出管 65 下流側空間
66 流通孔 67 弁座
68 ダイヤフラム弁体 69 ダイヤフラム
70 弁体 71 可撓片
72 保持片 73 調圧室
74 流通室 75 調圧流体流入口
76 調圧流体流出口 77 調圧機構

Claims (12)

  1. 処理室の内部で被処理体を処理ガスを用いて処理する処理装置において、
    前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管と、
    前記処理ガス流通配管に介設したダイヤフラム弁と、
    前記ダイヤフラム弁よりも上流側の前記処理ガス流通配管に接続した前記ダイヤフラム弁の帯電を防止するための帯電防止剤を供給する供給源と、
    を有することを特徴とする処理装置。
  2. 前記ダイヤフラム弁を前記処理室よりも下流側に接続された前記処理ガス流通配管に介設するとともに、前記供給源を前記処理室と前記ダイヤフラム弁との間に接続したことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
  3. 前記ダイヤフラム弁は、前記処理室の内部圧力を調整するための圧力調整弁として機能することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の処理装置。
  4. 前記帯電防止剤は、前記処理室の内部圧力を変動させない流量で供給することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の処理装置。
  5. 前記処理ガスとしての蒸気を発生させる蒸気発生室を設けるとともに、蒸気発生室に接続した前記処理ガス流通配管の一部を構成する水蒸気排出管に前記ダイヤフラム弁を介設したことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
  6. 前記ダイヤフラム弁は、前記蒸気発生室の内部圧力を調整するための圧力調整弁として機能することを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
  7. 前記帯電防止剤は、前記蒸気発生室の内部圧力を変動させない流量で供給することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の処理装置。
  8. 前記帯電防止剤は、純水に炭酸ガスを溶解した液体を用いることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の処理装置。
  9. 前記処理ガスは、水蒸気を含有することを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の処理装置。
  10. 前記処理ガスとして水蒸気とオゾンガスとを用いるとともに、前記処理ガス流通配管にミストトラップとオゾンキラーとを順に介設して水分除去とオゾン分解とを行うように構成し、前記帯電防止剤は、ミストトラップでトラップされてオゾンキラーに流入しない流量で供給することを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の処理装置。
  11. 処理室の内部で被処理体を処理ガスを用いて処理する処理方法において、
    前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管に介設したダイヤフラム弁に帯電を防止するための帯電防止剤を供給することを特徴とする処理方法。
  12. 前記帯電防止剤は、前記ダイヤフラム弁に前記処理ガスとともに供給することを特徴とする請求項１１に記載の処理方法。
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