JP2002203834A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶媒蒸気の発生量を調整し、処理容器内に適
量の溶媒蒸気を供給して処理効率の向上を図れるように
した基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 ウエハＷを収容する密閉された処理容器
１０内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段４０
と、処理容器１０内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段
３０とを設け、水蒸気供給手段３０の水蒸気発生器３３
に水蒸気の圧力を検出する圧力センサＰＳ２を配設し、
この圧力センサＰＳ２からの検出信号を制御手段に伝達
し、制御手段からの制御信号によって水蒸気供給管路３
４に介設された第１開閉弁Ｖ１と排出管路３９に介設さ
れた第２開閉弁Ｖ２を制御可能に形成する。これによ
り、水蒸気発生器３３内の水蒸気１の圧力を検出し、こ
の検出圧力に基づいて処理容器１０内に処理容器１０内
の圧力と同等以上の水蒸気を供給することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板処理方法及
び基板処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば
半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密
封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾン
ガス等を供給して処理を施す基板処理方法及び基板処理
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。

【０００３】前記レジスト除去の手段として洗浄装置が
用いられている。従来の洗浄装置では、一般に、ＳＰＭ
（Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２の混合液）と称される薬液が充
填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥
離を行っている。一方、近年では、環境保全の観点から
廃液処理が容易なオゾン（Ｏ_３）が溶解した溶液を用い
てレジスト除去を行うことが要望されている。この場
合、オゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエ
ハ等を浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄によ
り、溶液中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化
反応させて二酸化炭素や水等に分解する。

【０００４】ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。

【０００５】そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規
に提案されている。この洗浄方法は、処理容器内に収容
されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給し
て、ウエハ等のレジストを除去する方法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の基板処理においては、溶媒蒸気の生成手段であ
る水蒸気生成器内の圧力が殆ど大気圧で一定であるた
め、水蒸気も限られた量にしか生成できない。したがっ
て、処理容器内が大気圧以上の加圧状態においては、処
理容器内に供給される溶媒蒸気量が少なくなり、その分
処理能力が低下するという問題があった。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、溶媒蒸気の発生量を調整して、処理容器内に適量の
溶媒蒸気を供給して処理効率の向上を図れるようにした
基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的と
するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の基板処理方法は、処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記溶
媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力を検出し、この
検出圧力に基づいて前記処理容器内に溶媒蒸気を供給す
ることを特徴とする（請求項１）。

【０００９】この発明の第２の基板処理方法は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の温度を検出
し、この検出温度に基づいて前記処理容器内に溶媒蒸気
を供給することを特徴とする（請求項２）。

【００１０】また、この発明の第３の基板処理方法は、
処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸
気を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であ
って、 前記溶媒蒸気が生成される前の液体状態の溶媒
の温度を検出し、この検出された液体状態の溶媒の温度
に基づいて前記処理容器内に溶媒蒸気を供給することを
特徴とする（請求項３）。

【００１１】上記第１ないし第３の基板処理方法におい
て、前記処理容器内に溶媒蒸気を供給する前に、処理容
器内に処理ガスを供給する工程を有する方が好ましい
（請求項４）。

【００１２】また、この発明の第４の基板処理方法は、
処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒
蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法で
あって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する工
程と、 前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力
を処理容器内の処理ガスの圧力よりも高くする工程と、
前記処理容器内の処理ガスの圧力よりも高くなった溶
媒蒸気を処理容器内に供給する工程と、を有することを
特徴とする（請求項５）。

【００１３】請求項５記載の基板処理方法において、
前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力が処理容
器内の処理ガスの圧力よりも高くなった状態で、前記溶
媒蒸気の圧力を処理容器内の雰囲気よりも高い圧力に制
御する方が好ましい（請求項６）。この場合、前記高い
圧力に制御する工程は、処理容器に供給される前の溶媒
蒸気が存在する密閉空間において、処理容器内の処理ガ
スの圧力よりも高い第１の圧力以下となるように、前記
密閉空間を一定時間解放して溶媒蒸気を一定量放出して
行うか（請求項７）、あるいは、前記密閉空間を解放し
て溶媒蒸気を放出し、前記密閉空間の解放後、溶媒蒸気
の圧力が、前記処理容器内の処理ガスの圧力以上で前記
第１の圧力より小さい第２の圧力以上となるように、前
記密閉空間を閉塞して溶媒蒸気の放出を停止させる方が
よい（請求項８）。

【００１４】また、前記請求項４，５記載の基板処理方
法において、 前記処理ガスを供給する工程において、
処理容器を密閉した状態で処理ガスを供給して、処理容
器内の圧力を加圧状態にする方が好ましい（請求項
９）。

【００１５】また、前記請求項１、２、３又は５記載の
基板処理方法において、 前記溶媒蒸気の供給を、処理
容器内の圧力と同等以上の状態で行うことも可能である
（請求項１０）。

【００１６】また、この発明の第１の基板処理装置は、
請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、処理
容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を
供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段内の溶媒蒸気の圧力を検出する圧力検出手段と、を
具備することを特徴とする（請求項１１）。

【００１７】また、この発明の第２の基板処理装置は、
請求項２記載の基板処理方法を具現化するもので、処理
容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を
供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段内の溶媒蒸気の温度を検出する温度検出手段と、を
具備することを特徴とする（請求項１２）。

【００１８】また、この発明の第３の基板処理装置は、
請求項３記載の基板処理方法を具現化するもので、 処
理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気
を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段内の液体状態の溶媒の温度を検出する液温度検出手
段と、 を具備することを特徴とする（請求項１３）。

【００１９】また、この発明の第４の基板処理装置は、
請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、処理
容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を
供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段にて生成された溶媒蒸気を前記処理容器内に供給す
る供給管路に介設される第１の開閉手段と、前記供給管
路における前記第１の開閉手段の上流側から分岐される
排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒蒸
気生成手段内の溶媒蒸気の圧力を検出する圧力検出手段
と、 前記圧力検出手段からの検出信号に基づいて前記
第１及び第２の開閉手段を開閉制御する制御手段と、を
具備することを特徴とする（請求項１４）。この場合、
前記制御手段は、検出信号に基づいて溶媒蒸気の圧力
を一定範囲に維持するように、第２の開閉手段の開閉を
制御可能に形成される方が好ましい（請求項１５）。

【００２０】また、この発明の第５の基板処理装置は、
請求項２記載の基板処理方法を具現化するもので、処理
容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を
供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段にて生成された溶媒蒸気を前記処理容器内に供給す
る供給管路に介設される第１の開閉手段と、 前記供給
管路における前記第１の開閉手段の上流側から分岐され
る排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒
蒸気生成手段内の溶媒蒸気の温度を検出する温度検出手
段と、 前記温度検出手段からの検出信号に基づいて前
記第１及び第２の開閉手段を開閉制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする（請求項１６）。この場
合、 前記制御手段を、検出信号に基づいて溶媒蒸気の
温度を一定範囲に維持するように、第２の開閉手段の開
閉を制御可能に形成する方が好ましい（請求項１７）。

【００２１】また、この発明の第６の基板処理装置は、
請求項３記載の基板処理方法を具現化するもので、 処
理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気
を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であっ
て、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸
気を生成する溶媒蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成
手段にて生成された溶媒蒸気を前記処理容器内に供給す
る供給管路に介設される第１の開閉手段と、前記供給管
路における前記第１の開閉手段の上流側から分岐される
排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒蒸
気生成手段内の液体状態の溶媒の温度を検出する液温検
出手段と、 前記温検出手段からの検出信号に基づいて
前記第１及び第２の開閉手段を開閉制御する制御手段
と、を具備することを特徴とする（請求項１８）。この
場合、 前記制御手段を、検出信号に基づいて溶媒の温
度を一定範囲に維持するように、第２の開閉手段の開閉
を制御可能に形成する方が好ましい（請求項１９）。

【００２２】第１ないし６の基板処理装置において、前
記溶媒蒸気生成手段は、液状溶媒を収容する容器と、こ
の容器内の溶媒を加熱するヒータとを具備するものにて
形成することができる。この場合、前記ヒータを、前記
容器の深さ方向に配設されて、容器内の溶媒の量に応じ
て加熱調節可能に形成してもよく（請求項２０）、ある
いは、ヒータを、前記容器の底面に分割配設されると共
に、独立して作動する複数の分割ヒータにて形成しても
よい（請求項２１）。

【００２３】請求項１，１１，１４記載の発明によれ
ば、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶
媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際して、処
理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の被処理基板
の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供給側におい
て、溶媒蒸気の圧力を検出し、この溶媒蒸気の検出圧力
に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給することができ
るので、処理容器内の圧力に影響を受けることなく最適
な量の溶媒蒸気を供給することができると共に、溶媒蒸
気と処理ガスによって被処理基板を処理することができ
る。

【００２４】請求項２，１２，１６に記載の発明によれ
ば、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶
媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際して、処
理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の被処理基板
の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供給側におい
て、溶媒蒸気の温度を検出し、この溶媒蒸気の検出温度
に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給することができ
るので、処理容器内の圧力に影響を受けることなく最適
な量の溶媒蒸気を供給することができると共に、溶媒蒸
気と処理ガスによって被処理基板を処理することができ
る。

【００２５】請求項３，１３，１８に記載の発明によれ
ば、 処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと
溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際して、
処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の被処理基
板の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供給側にお
いて、液体状態の溶媒の温度を検出し、この溶媒の検出
温度に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給することが
できるので、処理容器内の圧力に影響を受けることなく
最適な量の溶媒蒸気を供給することができると共に、溶
媒蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理することが
できる。

【００２６】また、請求項１０に記載の発明によれば、
溶媒蒸気の供給を処理容器内の圧力と同等以上の状態で
行うことにより、溶媒蒸気を円滑に供給することができ
る。したがって、処理効率の向上を図ることができる。

【００２７】また、請求項２０，２１に記載の発明によ
れば、溶媒蒸気生成手段のヒータを、容器の深さ方向に
配設され、容器内の溶媒の量に応じて加熱調節可能に形
成するか、あるいは、容器の底面に分割配設されて、独
立して作動する複数の分割ヒータにて形成することによ
り、処理目的に応じた量の溶媒蒸気を生成することがで
きる。したがって、処理効率の向上が図れると共に、溶
媒蒸気の有効利用が図れる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。

【００２９】図１は、この発明に係る基板処理装置の一
例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示
す断面図、図３は、この発明における溶媒蒸気生成手段
を示す概略断面図、図４は、この発明における処理容器
の概略側面図である。

【００３０】前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ_３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０内にエアを供給するエア供給手段５０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段６０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲雰囲気排
出手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の液滴を排液する排液手段９
０とを具備している。

【００３１】処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエ
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２とで主に構成されてい
る。

【００３２】容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１の上端に設けられたフランジ１１ａと
容器カバー１２の下端に設けられたフランジ１２ａの間
の隙間は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部
材１６によって密封されるように構成されている。した
がって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に気
体が漏れない状態となっている。また、容器本体１１の
上端部には、容器カバー１２の閉塞状態をロックするロ
ック機構２００が設けられている。

【００３３】このロック機構２００は、図５〜図７に示
すように、容器本体１１の上部外周側を包囲するように
配設される矩形状のフレーム２１０と、このフレーム２
１０を水平方向に移動する移動手段であるエアーシリン
ダ２２０とを具備し、フレーム２１０の各辺部にそれぞ
れ容器本体１１のフランジ１１ａと容器カバー１２のフ
ランジ１２ａに係脱可能に係合する第１〜第４の係脱部
２３０〜２６０が設けられている。

【００３４】このうち、第１の係脱部２３０は、フレー
ム２１０の先端側辺部２１１の両側２箇所に設けられて
いる。この場合、フレーム２１０に突設された取付ブラ
ケット２３１の先端に連結ピン２３２をもって略Ｈ字状
の連結リンク２３３が取り付けられ、この連結リンク２
３３の先端部にヒンジピン２３４をもって揺動リンク２
３５の下端部が枢着されると共に、枢支ピン２３６をも
って揺動リンク２３５の中間部が容器本体１１のフラン
ジ１１ａに設けられた取付溝１１ｂの両側に枢着されて
垂直方向に揺動可能に形成され、更に、揺動リンク２３
５の上端部の側方に取付ピン２３７をもって係止ローラ
２３８が回転可能に取り付けられている。なお、容器カ
バー１２のフランジ１２ａにおける揺動リンク２３５と
対向する部位には、揺動リンク２３５が侵入可能な切欠
き溝１２ｂが設けられている。このように構成すること
により、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレ
ーム２１０が先端側に移動することによって揺動リンク
２３５が処理容器１０側に回転（傾倒）して、揺動リン
ク２３５が切欠き溝１２ｂ内に侵入すると同時に容器カ
バー１２のフランジ１２ａの上面を係止ローラ２３８が
押圧することで、容器カバー１２のフランジ１２ａの先
端側を容器本体１１のフランジ１１ａに密接することが
できる。

【００３５】また、第２の係脱部２４０は、フレーム２
１０の基端側辺部２１２の両側２箇所に設けられてい
る。この場合、フレーム２１０に突設された二又状ブラ
ケット２４１の上部突出部２４２及び下部突出部２４３
の側方部にそれぞれ連結ピン２４４をもって係止ローラ
２４５が回転可能に取り付けられている。このように構
成することにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に
伴ってフレーム２１０が先端側に移動することによっ
て、両係止ローラ２４５が容器カバー１２のフランジ１
２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係
合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持す
ることができる。

【００３６】また、第３及び第４の係脱部２５０，２６
０は、フレーム２１０の両側辺部２１３の３箇所の内側
に、容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体
１１のフランジ１１ａの下面に係合可能に設けられてい
る。この場合、第３及び第４の係脱部２５０，２６０
は、側辺部２１３の先端部位２１４、中間部位２１５及
び基端部位２１６の３箇所の上下位置にそれぞれ連結ピ
ン２５１をもって回転可能に取り付けられる３組（６
個）の係止ローラ２５２，２５３，２５４にて形成され
ている。なお、フレーム２１０が後退した位置における
容器カバー１２のフランジ１２ａには、上部側の３個の
係止ローラ２５２，２５３，２５４との係合を回避する
切欠き溝１２ｃが設けられている。また、先端部位２１
４と中間部位２１５に取り付けられる係止ローラ２５
２，２５３の基端側近傍部位には、それぞれ切欠き溝１
２ｃ内に位置して容器本体１１のフランジ１１ａの上面
に係合するガイドローラ２５５が連結ピン２５６をもっ
て回転可能に取り付けられている。このように構成する
ことにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴って
フレーム２１０が先端側に移動することによって、フレ
ーム２１０の移動前に切欠き溝１２ｃの上方に位置して
いた係止ローラ２５２，２５３，２５４が切欠き溝１２
ｃからずれた容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と
容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合して、両フ
ランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持することができ
る。

【００３７】次に、上記ロック機構２００の動作態様に
ついて、図４〜図７を参照して説明する。まず、容器カ
バー１２が上方に位置しているときは、図７（ａ）に示
すように、エアーシリンダ２２０は収縮されてフレーム
２１０は基端側に位置している。この状態で、容器カバ
ー１２が下降されて、容器カバー１２のフランジ１２ａ
が容器本体１１のフランジ１１ａ上に当接し、容器本体
１１の開口部を閉塞する（図７（ｂ）参照）。容器カバ
ー１２が閉塞した後、エアーシリンダ２２０が伸長して
フレーム２１０が先端側に移動すると、フレーム２１０
の移動に伴って第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
が回転すると共に、揺動リンク２３５の上端部に取り付
けられた係止ローラ２３８が容器カバー１２のフランジ
１２aの先端部上面に係合する（図５、図７（ｃ）参
照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止ローラ２
４５が、容器カバー１２のフランジ１２ａの基部側の上
面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の下面に係
合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持す
る（図４、図５参照）。また、第３及び第４の係脱部２
５０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５
２，２５３，２５４が、容器カバー１２のフランジ１２
ａの両側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの両側
の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状
態に挟持する（図５、図７（ｃ）参照）。この状態にお
いて、容器カバー１２は容器本体１１の開口部に密閉状
態にロックされる。

【００３８】なお、ロック状態を解除する場合は、エア
ーシリンダ２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０
を基端側に移動すればよい。すなわち、エアーシリンダ
２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０を基端側に
移動すると、第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
は、反対方向に回転して、係止ローラ２３８を容器カバ
ー１２のフランジ１２ａの上面から後退する（図７
（ｂ）参照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止
ローラ２４５は、容器カバー１２のフランジ１２ａの基
部側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の
下面から後退する。また、第３及び第４の係脱部２５
０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５２，
２５３，２５４は、容器カバー１２のフランジ１２ａの
両側に設けられた切欠き溝１２ｃの上方に移動する。こ
れにより、容器カバー１２は開閉可能となり、上記昇降
機構１５の作動によって上方に移動されて容器本体１１
を開放する。

【００３９】なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び
容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り
付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９
は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によ
って発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例
えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構
成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度
センサＴＳ1にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１
８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気
を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持
することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１
９によって処理容器１０内の結露防止を図ることができ
る。

【００４０】前記ウエハガイド２０は、図４に示すよう
に、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固
着された互いに平行な３本の保持部材２２とで主に構成
されている。この場合、各保持部材２２に、ウエハＷの
周縁下部を保持する溝（図示せず）が等間隔に５０箇所
形成されている。したがって、ウエハガイド２０は、５
０枚（ウエハキャリア２個分）のウエハＷを等間隔で配
列させた状態で保持することができる。また、ウエハガ
イド２０は、ガイド部２１に連なるシャフト２３が容器
カバー１２の頂部に設けられた透孔（図示せず）内に摺
動可能に貫通されており、透孔とシャフト２３との間に
は、エアの注入により膨らむ伸縮式のシール部材２４が
介在されて、処理容器１０内の気水密が維持できるよう
に構成されている。

【００４１】前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる溶剤
蒸気生成手段である水蒸気発生器３３と、水蒸気発生器
３３内の水蒸気１を供給する水蒸気供給管路３４と、水
蒸気供給管路３４から供給された水蒸気１を処理容器１
０内に吐出する水蒸気ノズル３５とで主に構成されてい
る。

【００４２】この場合、純水供給管路３２の一端は純水
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁Ｖ０と流量コン
トローラＦＭ０が介設されている。これら開閉弁Ｖ０と
流量コントローラＦＭ０は、制御手段であるＣＰＵ１０
０からの制御信号に基づいて制御されるようになってい
る。すなわち、開閉弁Ｖ０は、純水を流すか否かの開閉
制御され、また、流量コントローラＦＭ０は、純水の流
量を調整すべく開度が制御されるようになっている。

【００４３】また、水蒸気発生器３３は、図３及び図８
に示すように、純水を供給する容器である密閉式のタン
ク３６と、このタンク３６内の中央部にタンク３６の深
さ方向すなわち垂直状に配設されるヒータ３７と、タン
ク３６内の水蒸気の圧力を検出する圧力検出手段である
圧力センサＰＳ２と、タンク３６内の純水の液面を検出
する補充開始センサ３８ａ、補充停止センサ３８ｂ及び
上限センサ３８ｃを具備している。このように構成され
る水蒸気発生器３３において、タンク３６内に供給され
る純水は、その量に応じて加熱調節されて所定量の水蒸
気１が生成されるようになっている。すなわち、タンク
３６内に供給される純水とヒータ３７との接触面積に応
じたヒータ３７の熱により純水が気化されて水蒸気１の
生成（発生）量が調節されるようになっている。

【００４４】この場合、前記各センサ３８ａ〜３８ｃは
ＣＰＵ１００に接続されており、タンク３６内の純水の
液面が補充開始センサ３８ａによって検出されたとき、
その検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００か
らの制御信号によって開閉弁Ｖ０が開放してタンク３６
内に純水が補充される。また、補充停止センサ３８ｂに
よってタンク３６内の純水の液面が検出されたとき、そ
の検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００から
の制御信号によって開閉弁Ｖ０が閉止してタンク３６内
への純水の補充が停止される。したがって、タンク３６
内に常時所定量の純水が収容されるようになっている。
なお、上限センサ３８ｃは、タンク３６内に純水が満杯
になった際の異常事態を検出するものであり、この上限
センサ３８ｃの検出信号に基づいてＣＰＵ１００からの
制御信号が例えばアラーム（図示せず）に伝達されるよ
うになっている。また、タンク３６内には、液体状態の
溶媒である水の温度を検出する第１の温度センサＴＳａ
が配設されると共に、ヒータ３７の温度調整用の第２の
温度センサＴＳｂと、ヒータ３７の過昇温を検知する過
昇温防止用の第３の温度センサＴＳｃと、気体状態の溶
媒蒸気である水蒸気の温度を検出する第４の温度センサ
ＴＳｄが配設されている。これら第１〜第４の温度セン
サＴＳａ〜ＴＳｄはＣＰＵ１００に接続されており、第
２の温度センサＴＳｂは水蒸気の発生量を監視でき、ま
た、第１、第３の温度センサＴＳａ，ＴＳｃは、後述す
るように、水蒸気の圧力を監視できるようになってい
る。

【００４５】また、水蒸気発生器３３において、生成さ
れた水蒸気の圧力が圧力検出手段である圧力センサＰＳ
２にて検出され、その検出信号が前記ＣＰＵ１００に伝
達されるようになっている。この圧力センサＰＳ２によ
って検出される圧力によって純水の沸騰状態が検出され
る。圧力が高い程水蒸気１が増量するので、水蒸気発生
器３３のヒータ３７の発熱容量を最大にしておく方が望
ましい。所定量の水蒸気１の供給を円滑にすることがで
きるからである。

【００４６】また、水蒸気発生器３３と水蒸気ノズル３
５とを接続する水蒸気供給管路３４の途中には第１の開
閉手段である第１の開閉弁Ｖ１（以下に第１開閉弁Ｖ１
という）が介設されている。この水蒸気供給管路３４に
おける第１開閉弁Ｖ１の上流側（タンク３６側）には、
後述するミストトラップ９５に接続される排出管路３９
が分岐されており、この排出管路３９に第２の開閉手段
である第２の開閉弁Ｖ２（以下に第２開閉弁Ｖ２とい
う）が介設されている。なお、第２開閉弁Ｖ２の上流側
と下流側にはバイパス管路３９ａが接続され、このバイ
パス管路３９ａに水蒸気発生部３３内の圧力が所定値よ
り高くならないように圧力開放弁（安全弁）ＣＶ０が介
設されている。例えば、この所定値とは、タンク３６の
耐圧値又は開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３等の耐圧値の限界値
より小さく設定される。また、第１及び第２開閉弁Ｖ
１，Ｖ２の上流側には、開閉弁Ｖ３及びフィルタＦ０を
介して大気側に連通する大気連通管路３９ｂが接続され
ており、水蒸気発生器３３内の水を抜く時に空気の取入
口となるように構成されている。なお、排出管路３９
は、前述の圧力開放弁ＣＶ０を通ってきた水蒸気１や、
後述するように第２の開閉弁Ｖ２を開閉させて水蒸気発
生器３３内の熱気圧力を所定範囲に維持する際に開閉弁
Ｖ２を通過した水蒸気１をミストトラップ９５に排気す
るように構成されている。

【００４７】前記第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２は、そ
れぞれＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて開閉動作が制御されるように構
成されている。この場合、処理容器１０内に供給される
水蒸気１の供給量の最低量（しきい値）に応じて第１，
第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開閉制御される。また、ＣＰＵ
１００は、処理容器１０内に配設された容器圧力検出手
段である圧力センサＰＳ2とも接続されており、圧力セ
ンサＰＳ2によって検出される処理容器１０内の圧力
と、水蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを
比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1，Ｖ２が開閉制御さ
れる。このように構成することによって、処理容器１０
内の圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を処理容器１０内
に供給することができる。なお、予め、ＣＰＵ１００に
処理時の処理容器１０内の圧力をデータとして記憶させ
ておけば、このデータと、水蒸気発生器３３にて生成さ
れた水蒸気の圧力とを比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ
1，Ｖ２を開閉制御することができる。

【００４８】なお、前記説明では、ヒータ３７がタンク
３６内の中央部にタンク３６の深さ方向すなわち垂直状
に配設される場合について説明したが、ヒータ３７の配
設は任意でよく、例えば、図９に示すように、タンク３
６の外周側面及び外周底面に配設される外部ヒータ３７
Ａであってもよい。この外部ヒータ３７Ａによってもタ
ンク３６内に収容される純水の量によって水蒸気の生成
（発生）量を調節することができる。また、図１０に示
すように、タンク３６の底面に分割配設されると共に、
独立して作動するドーナツ型ヒータ３７ａと、このドー
ナツ型ヒータ３７ａの内部空間内に配設される円形ヒー
タ３７ｂとからなる分割ヒータ３７Ｂにて純水の加熱部
を形成してもよい。この分割ヒータ３７Ｂによれば、ド
ーナツ型ヒータ３７ａと円形ヒータ３７ｂとを切り換え
て純水を加熱して水蒸気１を生成することができる他、
ドーナツ型ヒータ３７ａと円形ヒータ３７ｂの双方を作
動させて、純水を加熱して水蒸気１を生成することがで
きる。したがって、例えばドーナツ型ヒータ３７の発熱
容量をＱａとし、円形ヒータ３７ａの発熱容量をＱｂ
（Ｑｂ＜Ｑａ）とすれば、Ｑａ＜Ｑｂ＜Ｑａ＋Ｑｂの３
種類の加熱形態にて純水を加熱して水蒸気１を生成する
ことができる。なお、分割ヒータ３７Ｂは、必ずしも前
記ドーナツ型ヒータ３７ａと円形ヒータ３７ｂの２種類
である必要はなく、任意の形状の２以上のヒータにて形
成してもよい。

【００４９】前記水蒸気ノズル３５は、図１１に示すよ
うに、パイプ状本体３５ａの一端部に、水蒸気供給管路
３４を接続する雌ねじ部３５ｂと、取付フランジ３５ｃ
を設け、先端部に、Ｏリング３５ｄの嵌合溝３５ｅを周
設してなり、パイプ状本体３５ａの一側面に適宜間隔を
おいて多数の水蒸気噴射孔３５ｆを穿設した構造となっ
ている。この水蒸気ノズル３５は、先端部にＯリング３
５ｄを介してキャップ３５ｇを閉塞すると共に、図示し
ない取付ねじをもって取付フランジ３５ｃを処理容器１
０の容器本体１１に固定することで、処理容器１０内に
水平状に配設される。この際、水蒸気噴射孔３５ｆは処
理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば
約４５度の位置に設定されている。このように、水蒸気
噴射孔３５ｆを処理容器１０の内壁面側に向けた理由
は、水蒸気が直接ウエハＷに吹き付けられてウエハＷ上
に液滴が発生することを防止するようにしたためであ
る。

【００５０】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾ
ンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０
内に吐出するオゾンガスノズル４３とで主に構成されて
いる。

【００５１】この場合、オゾンガス生成手段４１は、図
２に示すように、原料となる基ガスとしての酸素
（Ｏ_２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が
印加される放電電極４５，４６間を通過させることで、
オゾン（Ｏ_３）を生成している。これら高周波電源４４
と放電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、
スイッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、制御
手段であるＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御
されるようになっている。すなわち、スイッチ４８は、
オゾンを生成するか否か制御されるようになっている。
また、オゾンガス供給管路４２には、オゾンガス生成手
段４１側に開閉弁Ｖ４が介設されている。この開閉弁Ｖ
４は、制御手段であるＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて制御されるようになっている。すなわち、開閉弁
Ｖ４は、オゾンガスを流すか否かによって開閉制御され
るようになっている。

【００５２】前記オゾンガスノズル４３は、図１２及び
図１３に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数の
オゾン噴射孔４３ａを穿設したアウターパイプ４３ｂ
と、一側面に適宜間隔をおいて複数例えば３個の連通孔
４３ｃを穿設し、アウターパイプ４３ｂ内に隙間をおい
て挿入されるインナーパイプ４３ｄとで主に構成されて
いる。この場合、インナーパイプ４３ｄは、一端が開口
し、他端が閉塞するオゾンガス通路４３ｅを有し、オゾ
ンガス通路４３ｅに前記３個の連通路４３ｃが連通され
ている。また、インナーパイプ４３ｄの一端部は、アウ
ターパイプ４３ｂの外方に突出しており、オゾンガス供
給管路４２と接続する雌ねじ部４３ｇと、取付フランジ
４３ｈが設けられ、また、他端部には、アウターパイプ
４３ｂとの間の隙間を閉塞する塞ぎ板４３ｉが装着され
ている。

【００５３】このように構成されるインナーパイプ４３
ｄは、オゾン噴射孔４３ａに対して反対側に連通孔４３
ｃが位置するようにアウターパイプ４３ｂ内に挿入され
て固定された状態で、図示しない取付ねじをもって取付
フランジ４３ｈを処理容器１０の容器本体１１に固定す
ることで、オゾン噴射孔４３ａが処理容器１０の内壁面
側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設
定された状態で処理容器１０内に水平状に配設される。

【００５４】このように、オゾン噴射孔４３ａに対して
反対側に連通孔４３ｃが位置するようにした理由は、オ
ゾンガス生成手段４１から供給されるオゾンガスを、連
通路４３ｆから連通孔４３ｃを介してアウターパイプ４
３ｂとインナーパイプ４３ｄとの隙間４３ｊ内に流して
隙間４３ｊ内を迂回させた後に、オゾン噴射孔４３ａか
ら処理容器１０内に噴射することで、各オゾン噴射孔４
３ａから均一にオゾンガスを噴射できるようにしたため
である。

【００５５】また、オゾン噴射孔４３ａを処理容器１０
の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の
位置に設定した理由は、オゾンガスが直接ウエハＷ表面
に吹き付けられるのを防止するためである。

【００５６】一方、エア供給手段５０は、エアを供給す
るエア供給管路５１と、このエア供給管路５１から供給
されたエアを加熱してホットエア３を発生させるホット
エアジェネレータ５２と、ホットエアジェネレータ５２
内のホットエア３を供給するホットエア供給管路５３
と、ホットエア供給管路５３から供給されたホットエア
３を吐出する一対のエアノズル５４とを具備している。
また、エア供給手段５０には、前記エア供給管路５１と
ホットエア供給管路５３に接続されるパージ用のエア供
給管路５１Ａと、エジェクタ６３を作動させてパージす
る際のエア供給管路５１Ｂとが平行に配設されている。

【００５７】この場合、エア供給管路５１の一端には、
エア供給源５５が接続されいる。また、エア供給管路５
１には、エア供給源５５側から順に流量コントローラＦ
Ｍ１、フィルタＦ１及び開閉弁Ｖ５とが介設されてい
る。これら開閉弁Ｖ５と流量コントローラＦＭ１は、制
御手段であるＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００
からの制御信号に基づいてエアの供給の正否が制御され
ると共に、エアの供給量が制御されるようになってい
る。また、ホットエアジェネレータ５２の内部には、エ
アを加熱するヒータ５６が配設されている。また、ホッ
トエア供給管路５３には、開閉弁Ｖ６が介設されてい
る。この開閉弁Ｖ６は、制御手段であるＣＰＵ１００に
よって制御されるようになっている。

【００５８】また、パージ用のエア供給管路５１Ａとエ
ジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂには、それぞれ
エア供給源５５側から順に流量コントローラＦＭ２，Ｆ
Ｍ３、フィルタＦ２，Ｆ３及び開閉弁Ｖ７，Ｖ８とが介
設されている。これら開閉弁Ｖ７，Ｖ８と流量コントロ
ーラＦＭ２，ＦＭ３は、制御手段であるＣＰＵ１００に
接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエ
アの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制
御されるようになっている。なお、エジェクタ６３を動
作させて処理容器１０内をパージさせる場合は、通常エ
ジェクタ６３の流量が決まっているので、それに合わせ
た流量をエジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂから
送っている。なお、通常のパージ用のエア供給管路５１
Ａを流れるクールエアの流量がエジェクタの流量と合う
場合は、５１Ｂを設けなくてもよい。

【００５９】前記エアノズル５４は、図１４及び図１５
に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のエア噴
射孔５４ａを穿設したアウターパイプ５４ｂと、このア
ウターパイプ５４ｂ内に隙間をおいて挿入されるインナ
ーパイプ５４ｃとを具備している。この場合、インナー
パイプ５４ｃには、アウターパイプ５４ｂに設けられた
エア噴射孔５４ａと対向する一側面にスリット孔５４ｄ
が穿設されている。また、インナーパイプ５４ｃの一端
部は、アウターパイプ５４ｂの外方に突出しており、こ
の突出側の端部にホットエア供給管路５３を接続する雌
ねじ部５４ｅが設けられると共に、取付フランジ５４ｆ
が設けられている。また、インナーパイプ５４ｃの他端
部は、処理容器１０の容器本体１１の側壁に固定される
固定部材５４ｇに設けられた貫通孔５４ｈ内に挿入され
る連結ねじ５４ｉをもって連結されている。

【００６０】このように構成されるエアノズル５４は、
図示しない取付ねじをもって取付フランジ５４ｆを処理
容器１０の容器本体１１に固定すると共に、連結ねじ５
４ｉを調節することで、エア噴射孔５４ａが処理容器１
０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度
の位置に設定された状態で、処理容器１０内のウエハＷ
の下部両側に水平状に配設される。なお、エア噴射孔５
４ａを処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角
度例えば約４５度の位置に設定した理由は、エアが直接
ウエハＷ表面に吹き付けられるのを防止するためであ
る。

【００６１】排気手段９０は、処理容器１０の底部に接
続される第１の排気管路９１と、この第１の排気管路９
１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下流側に
接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ９５
と、ミストトラップ９５の液溜部９５ａの底部に接続さ
れた第２の排液管路９３とを具備している。また、排気
管路９１には、開閉弁Ｖ９が介設されており、この開閉
弁Ｖ９の上流側及び下流側に接続するバイパス管路９４
に開閉弁Ｖ９と反対の開閉動作を行う補助開閉弁Ｖ10が
介設されている。また、第２の排液管路９３には、開閉
弁Ｖ11が介設されている。なお、液中にオゾンが残存す
る恐れがあるので、第２の排液管路９３は、工場内の酸
専用の排液系１２３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通さ
れている。

【００６２】なお、ミストトラップ９５には、下から順
に、空防止センサ９６、排液開始センサ９７、排液停止
センサ９８、液オーバーセンサ９９が配置されている。
この場合、図示しないが、前記開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11
及び各センサ９６，９７，９８，９９は、制御手段であ
るＣＰＵ１００に接続されている。そして、センサ９
６，９７，９８，９９からの検出信号に基づいて開閉弁
Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11が開閉制御されるようになっている。
すなわち、処理時には、開閉弁Ｖ９が閉じる一方、開閉
弁Ｖ10が開いて処理容器１０内から少量のオゾンガス、
水蒸気を排気して処理容器１０内の圧力を調整する。ま
た、処理後には、開閉弁Ｖ10が閉じる一方、開閉弁Ｖ９
が開いて排気する。また、液滴がミストトラップ９５内
にある程度溜められ、液面が排液開始センサ９７にて検
出されると、排液開始センサ９７からの検出信号がＣＰ
Ｕ１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信号によ
って開閉弁Ｖ11を開放して排液が開始され、液面が排液
停止センサ９８にて検出されると、排液停止センサ９８
からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１０
０からの制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉止して排液が
停止される。また、液面の高さが液オーバーセンサ９９
まで達すると、液オーバーセンサ９８からの警告信号が
ＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防止センサ
９６より下回っている場合には、空防止センサ９６から
禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰＵ１００から
の制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉じるように構成され
ている。この空防止センサ９６によって液滴が全て流れ
てミストトラップ９５内が空になり、オゾンガス２が工
場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止することが
できる。

【００６３】また、ミストトラップ９５の上部には排気
管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順
次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設され
ている。

【００６４】前記ミストトラップ９５は、気体と液体と
を分離して排出するように構成されている。すなわち、
第１の排気管路９１を介して処理容器１０内から排出さ
れる水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介して
ミストトラップ９５に流れるようになっている。この場
合、冷却部９２には、冷却水供給管路９２ａにより冷却
水が供給されているので、処理容器１０内から排気され
た水蒸気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて
凝縮される。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミス
トトラップ９５に滴下される。一方、オゾンガス２は、
そのままミストトラップ９５内に導入される。このよう
にして、処理容器１０から排気された内部雰囲気を、オ
ゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオゾンガス２
は、排気管路１１０に排気され、液滴は、第２の排液管
路９３に排液されるようになっている。また、水蒸気発
生器３３から排出された水蒸気１及び純水は、開閉弁Ｖ
12を介設して排出管路３９に接続する排出管路３９ｃ
と、逆止弁ＣＶ１介設した排出管路３９を介してミスト
トラップ９５に導入される。純水は、そのまま排出管路
３９内を流れてミストトラップ９５に滴下される。水蒸
気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて凝縮さ
れ、液滴になってミストトラップ９５に滴下される。な
お、開閉弁Ｖ12は、制御手段であるＣＰＵ１００に接続
され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉制御さ
れるように構成されている。

【００６５】オゾンキラー８０は、加熱によりオゾンを
酸素に熱分解するように構成されている。このオゾンキ
ラー８０の加熱温度は、例えば４００℃以上に設定され
ている。なお、オゾンキラー８０は、工場内の無停電電
源装置（図示せず）に接続され、停電時でも、無停電電
源装置から安定的に電力供給が行われるように構成する
方が好ましい。停電時でも、オゾンキラー８０が作動
し、オゾンを除去して安全を図ることができるからであ
る。

【００６６】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサ
は、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成
されている。また、温度センサは、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、温度センサからの検出信号
がＣＰＵ１００に伝達され、温度センサからの検出信号
に基づいて、オゾンを除去するのにオゾンキラー８０に
十分な準備が整っているか判断するようになっている。
オゾンキラー８０によって熱分解されたホットエアは、
工場のホットエア専用の排気系１２０（ＨＯＴ ＡＩＲ
ＥＸＡＵＳＴ）から排気される。また、オゾンキラー
８０によって熱分解された液は、工場の専用の排液系１
２１（ＣＯＯＬＩＮＧ ＷＡＴＥＲ ＯＵＴ）から排液
される。

【００６７】排気マニホールド８１は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。また、排気マニ
ホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むた
めの配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオ
ゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、
排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２
２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、
酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機
能するようになっている。

【００６８】また、排気マニホールド８１には、オゾン
濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられてい
る。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、
制御手段であるＣＰＵ１００に接続されており、濃度セ
ンサからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ
１００にて、濃度センサにより検出されたオゾン濃度に
基づいて、オゾンキラー８０のオゾン除去能力を把握
し、例えばオゾンキラー８０の故障によるオゾンガス２
の漏洩を監視するようになっている。

【００６９】内部排気手段６０は、処理容器１０内に設
けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路
１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６
２に介設される第１の排気開閉弁Ｖ13と、この第１の排
気開閉弁Ｖ13の下流側に介設されるエジェクタ機構を具
備する強制排気機構６３とで主に構成されている。ま
た、処理容器１０の下部と強制排気管路６２の第１の排
気開閉弁Ｖ13の下流側には万一処理容器１０の圧力が異
常に高くなったときに処理容器１０内の雰囲気を解放さ
せるための安全弁ＣＶ２を介設した補助排気管路６８が
接続されている。また、強制排気管路６２の第１の排気
開閉弁Ｖ13の上流側と前記排気管路１１０におけるオゾ
ンキラー８０とマニホールド８１との間には分岐排気管
路６４が接続されており、この分岐排気管路６４には、
第２の排気開閉弁Ｖ14とダンパ６５が介設され、また、
ケース７１内の排気を行うための排気管路６４ａも介設
されている（図１参照）。

【００７０】この場合、前記第１の排気開閉弁Ｖ13、第
２の排気開閉弁Ｖ14及びダンパ６５は、制御手段である
ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信
号に基づいて作動制御されるように構成されている。

【００７１】また、強制排気機構６３は、前記エア供給
手段５０のエア供給源５５から供給されるエアを強制排
気管路６２の一部に供給することによって生じる負圧を
利用して処理容器１０内の水蒸気及びオゾンガスを強制
的に吸引排気し得るように構成されている。このように
構成される強制排気機構６３は、制御手段であるＣＰＵ
１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて作動制御されるように構成されている。

【００７２】排液手段７０は、処理容器１０の周囲を包
囲するケース７１と、このケース７１の下部に一端が接
続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２３（ＡＣＩ
ＤＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２を具備してい
る。

【００７３】この場合、ケース７１では、上方から清浄
なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフ
ローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容
器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共
に、下方に押し流されて管路６４ａ並びに排液管路７２
に流入し易いようにしている。なお、ケース７１には、
処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出する周
囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）が設
けられている。この濃度センサは、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、濃度センサからの検出信号
がＣＰＵ１００に伝達され、濃度センサにより検出され
たオゾン濃度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知する
ようになっている。

【００７４】また、排液管路７２には、前記強制排気管
路６２の強制排気機構６３の下流側に介設されたミスト
セパレータ６６によって分離された排液を流す排液管６
７が接続されている。なお、この排液管６７には、開閉
弁Ｖ15が介設されている。また、周囲排出管路７２に
は、前記ミストトラップ９５に接続する第２の排液管路
９３が接続されている。

【００７５】次に、この発明に係る基板処理装置の作動
態様について説明する。まず、図示しないウエハ搬送手
段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、
処理容器１０の容器本体１１の上方に上昇するウエハガ
イド２０に受け渡し、次いで、ウエハガイド２０が下降
した後、容器カバー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器
１０内に密封状態に収容する。

【００７６】処理容器１０内にウエハＷを収容した状態
において、最初に、エア供給手段５０の開閉弁Ｖ６が開
放されると共に、ホットエアジェネレータ５２が作動し
て、処理容器１０内に約２８０℃に加熱されたホットエ
ア３が供給され、ウエハＷ及び処理容器１０の雰囲気温
度を常温（２５℃）から所定の温度（例えば８０℃〜９
０℃）に昇温する。

【００７７】次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガ
ス生成手段４１が作動して供給される酸素（Ｏ_２）に高
周波電圧を印加してオゾン（Ｏ_３）ガスを生成すると共
に、開閉弁Ｖ４が開放して、オゾンガス２を処理容器１
０内に供給することで、ウエハＷ及び処理容器１０内の
雰囲気を予備加圧する。このとき、オゾン濃度が約９％
ｗｅｔ（体積百分率）のオゾンガス２を、約１０リット
ル／分供給することで、処理容器１０内の圧力を、零調
整された大気圧（０．１ＭＰａ）より０．０１ＭＰａ〜
０．０３ＭＰａ高い圧力とすることができる。これによ
り、処理容器１０内をオゾンガス２のみの雰囲気にする
ことができるので、ウエハＷの表面に安定した酸化膜が
形成され、金属腐食を防止することができる。

【００７８】処理容器１０内の予備加圧を所定時間（例
えば１〜２分）行った後、オゾンガス供給手段すなわち
オゾンガス生成手段４１を作動した状態で、水蒸気供給
手段３０を作動させて、処理容器１０内に水蒸気１を供
給して、水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス（処理ガ
ス）との反応により生じた反応物質によってウエハＷの
処理すなわちレジストの除去のための処理を行う。この
際、水蒸気供給手段３０を作動させてから処理容器１０
内に水蒸気を供給するまでの間、例えば、処理容器１０
内の圧力センサＰＳ１の値Ｐ１と、水蒸気発生器３３内
の圧力センサＰＳ２の値Ｐ２とを比較して、処理容器１
０内の圧力の方が水蒸気発生器３３内の圧力より高い場
合（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気発生器３３内の圧力の方を高
くして（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気を処理容器１０内に供給
できるよう開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉を制御する。具体的
には、水蒸気発生器３３内の圧力を圧力センサＰＳ２で
モニタしながら、第１の圧力値Ｐｘまで開閉弁Ｖ１，Ｖ
２共に閉じておく、これによって次第に水蒸気発生器３
３内で水蒸気量が増加していき、第１の圧力値Ｐｘに到
達する。ここで、開閉弁Ｖ１は閉じたまま、例えば開閉
弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅｃ）開放し、水蒸気発
生器３３内の圧力（水蒸気）を放出して水蒸気発生器３
３内の圧力を第２の圧力値Ｐｙまで低下させる。なお、
この場合、排出管路３９には オソフィス３９ａが介設
されているので、水蒸気発生器３３内の圧力が急激に低
下するのを抑制することができる。また、処理容器１０
内に水蒸気を供給するときまで、開閉弁Ｖ１を閉じたま
まにして、上記作動（制御）を繰り返して、水蒸気発生
器３３内の圧力値ＰｘからＰｙの間に維持する。ここ
で、第１の圧力値Ｐｘと第２の圧力値Ｐｙの値は、共に
処理容器１０内に圧力Ｐ１よりも高く設定されており、
Ｐ１＜Ｐｙ＜Ｐｘの関係が成り立つ。また、処理容器１
０内への水蒸気の供給開始以降の制御は、まず、ＣＰＵ
１００によって開閉弁Ｖ１を開くと共に開閉弁Ｖ２を閉
じた状態にする。このとき、水蒸気発生器３３内の圧力
値はＰｘからＰｙの間にあるので、容易に、かつ一瞬で
処理容器１０内に水蒸気が流れ込む。しかも、水蒸気発
生器３３内で水蒸気は大量に発生していたので、一気に
処理容器１０内に大量の水蒸気が流れ込み、予め処理容
器１０内に供給されていたオゾンガスと混合して、ウエ
ハＷの処理が素早く開始される。また、水蒸気発生器３
３内は圧力が高い状態であったことから、当然水蒸気も
高い温度であったため、高い温度雰囲気の中で、オゾン
を利用した処理を行うことができるので、処理能力の向
上を図ることができる。また、水蒸気とオゾンガスが処
理容器１０内に供給される間、開閉弁Ｖ１０が開いた状
態に制御されると共に、開閉弁Ｖ１０の上流の流量調整
部で圧損を作り、処理容器１０内の圧力の大気圧よりも
高い状態に維持しながらウエハＷのレジスト除去処理が
行われる。

【００７９】前記実施形態では水蒸気供給の際にＰ１＜
Ｐ２としたが、これに限るものではなく、Ｐ１＝Ｐ２で
も、実質的には、水蒸気発生器３３内によって、水蒸気
が発生している間は、処理容器１０側に送り込まれるこ
とはいうまでもない。

【００８０】また、前記実施形態では水蒸気発生器３３
内の水蒸気の圧力を検出したが、これに限らず、水蒸気
発生器３３内の水蒸気の温度や、液体状態の溶媒の温度
を検出することで、処理容器１０内の圧力と水蒸気発生
器３３内の圧力との大小関係を監視、あるいは判別する
ことができる。具体的には、水蒸気の温度を検出して処
理容器１０内の圧力と水蒸気発生器３３内の圧力との大
小関係を監視（判別）するには、第４の温度センサＴＳ
ｄによって検出された水蒸気温度と、予めＣＰＵ１００
に記憶されて水蒸気の温度に基づく圧力のデータ（上限
及び下限のしきい値）とを比較演算し、その制御信号に
基づいて開閉弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅｃ）開放
して、上述と同様に水蒸気発生器３３内の圧力を上記第
２の圧力値Ｐｙまで低下させるようにする。そして、一
定時間後に、開閉弁Ｖ２を閉じることで、水蒸気発生器
３３内の圧力を処理容器１０内の圧力Ｐ１より高い圧力
に制御（維持）させるようにする。

【００８１】また、液体状態の溶媒（水）の温度を検出
して処理容器１０内の圧力と水蒸気発生器３３内の圧力
との大小関係を監視（判別）するには、第１の温度セン
サＴＳａによって検出された水の沸騰温度と、予めＣＰ
Ｕ１００に記憶されて沸騰温度に基づく圧力のデータ
（上限及び下限のしきい値）とを比較演算し、その制御
信号に基づいて開閉弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅ
ｃ）開放して、上述と同様に水蒸気発生器３３内の圧力
を上記第２の圧力値Ｐｙまで低下させるようにする。そ
して、一定時間後に、開閉弁Ｖ２を閉じることで、水蒸
気発生器３３内の圧力を処理容器１０内の圧力Ｐ１より
高い圧力に制御（維持）させるようにする。

【００８２】処理を所定時間（例えば３〜６分）、レジ
ストの種類によっても異なるが、その際の処理容器１０
内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より
例えば約０．０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った
後、水蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給を停止する
と共に、オゾンガス生成手段４１の作動を停止し、基ガ
スの酸素（Ｏ_２）のみを処理容器１０内に供給して、処
理容器１０内の急激な減圧及び湿度の低下を防止する。
したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露して、その
水滴がウエハＷに付着するのを防止することができる。

【００８３】酸素の供給を所定時間（例えば１分）行っ
た後、酸素の供給を停止し、次いで、強制排気機構６３
を作動させて、処理容器１０内に残留する水蒸気及びオ
ゾンガスを強制的に排気し、更に開閉弁Ｖ７を開放し
て、クールエアを供給し、処理容器１０内の雰囲気を強
制的に追い出して、処理を終了する。このとき、開閉弁
Ｖ９を開放して、処理容器１０の底部に溜まった液体を
排液する。

【００８４】その後、昇降機構１５を作動させて、容器
カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１
４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハ
Ｗを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しな
いウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを
次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部におい
て、レジストを洗い流す。

【００８５】したがって、前記基板処理によれば、配線
工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止
及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないそ
の他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパ
ーティクルの防止にも適用できるものである。

【００８６】前記実施形態では、水蒸気発生器３３によ
って生成された水蒸気の圧力を検出し、この検出圧力に
基づいて処理容器１０内に供給する水蒸気１のタイミン
グ及び供給量を制御する場合について説明したが、前記
検出圧力に代えて水蒸気発生器３３内の液体状態の溶媒
である水の温度を検出して、処理容器１０内に供給する
水蒸気のタイミング及び供給量を制御するができる。す
なわち、図１６に示すように、水蒸気発生器３３のタン
ク３６内の上部側に配設されて、タンク３６内の水の温
度を検出する第１の温度センサＴＳａにて水の沸騰温度
を検出し、この検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、予め
記憶された沸騰温度に基づく圧力のデータと比較演算さ
れたＣＰＵ１００からの制御信号により第１及び第２開
閉弁Ｖ1，Ｖ２を開閉制御するようにしてもよい。この
場合、沸騰温度が高い程水蒸気１が増量している。これ
により、圧力センサＰＳ2によって検出される処理容器
１０内の圧力と、水蒸気発生器３３内の水の沸騰温度と
を比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1，Ｖ２を開閉制御
することによって、処理容器１０内の圧力と同等以上の
圧力の水蒸気１を処理容器１０内に供給することができ
る。

【００８７】この場合、予め、処理時における処理容器
１０内の圧力のデータをＣＰＵ１００に記憶させること
により、このデータと、第１の温度センサＴＳａにて検
出された検出温度に基づいて、第１及び第２開閉弁Ｖ
1，Ｖ２を開閉制御することにより、処理容器１０内の
圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を供給することがで
き、水分子の層に対するオゾン分子の混合量を増加させ
て水酸基ラジカルの発生量を増やすことができるので、
レジスト除去能力を向上することができる。

【００８８】なお、図１６に示す第二実施形態におい
て、その他の部分は、前記第一実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

【００８９】また、前記実施形態では、被処理基板がウ
エハＷである場合について説明したが、ウエハＷ以外の
例えばＬＣＤ基板等の被処理基板についても同様にレジ
ストの除去を行うことができる。

【００９０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００９１】１）請求項１，１１，１４記載の発明によ
れば、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと
溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際して、
処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の前記被処
理基板の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供給側
において、溶媒蒸気の圧力を検出し、この溶媒蒸気の検
出圧力に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給すること
ができるので、処理容器内の圧力に影響を受けることな
く最適な量の溶媒蒸気を供給することができると共に、
溶媒蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理すること
ができる。

【００９２】２）請求項２，１２，１６に記載の発明に
よれば、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガス
と溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際し
て、処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の前記
被処理基板の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供
給側において、溶媒蒸気の温度を検出し、この溶媒蒸気
の検出温度に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給する
ことができるので、処理容器内の圧力に影響を受けるこ
となく最適な量の溶媒蒸気を供給することができると共
に、溶媒蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理する
ことができる。

【００９３】３）請求項３，１３，１８に記載の発明に
よれば、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガス
と溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理するに際し
て、処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内の被処
理基板の周囲雰囲気を加圧する一方、溶媒蒸気の供給側
において、液体状態の溶媒の温度を検出し、この溶媒検
出温度に基づいて溶媒蒸気を処理容器内に供給すること
ができるので、処理容器内の圧力に影響を受けることな
く最適な量の溶媒蒸気を供給することができると共に、
溶媒蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理すること
ができる。

【００９４】４）請求項１０に記載の発明によれば、溶
媒蒸気の供給を処理容器内の圧力と同等以上の状態で行
うことにより、溶媒蒸気を円滑に供給することができる
ので、処理効率の向上を図ることができる。

【００９５】５）請求項２０，２１に記載の発明によれ
ば、溶媒蒸気生成手段のヒータを、容器の深さ方向に配
設され、容器内の溶媒の量に応じて加熱調節可能に形成
するか、あるいは、容器の底面に分割配設されて、独立
して作動する複数の分割ヒータにて形成することによ
り、処理目的に応じた量の溶媒蒸気を生成することがで
きる。したがって、処理効率の向上が図れると共に、溶
媒蒸気の有効利用が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略
断面図である。

【図２】第一実施形態の基板処理装置の要部を示すもの
で、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供給し
た状態を示す断面図である。

【図３】この発明における溶媒蒸気生成手段の第一実施
形態を示す概略断面図である。

【図４】この発明における処理容器の概略側面図であ
る。

【図５】この発明における処理容器のロック機構を示す
概略平面図である。

【図６】前記ロック機構の一部を断面で示す側面図であ
る。

【図７】前記ロック機構の分解状態（ａ）、ロック前の
状態（ｂ）及びロック状態（ｃ）を示す概略斜視図であ
る。

【図８】この発明における溶媒蒸気生成手段のヒータの
一例を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿
う断面図（ｂ）である。

【図９】この発明における溶媒蒸気生成手段のヒータの
別の例を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のII−II線に
沿う断面図（ｂ）である。

【図１０】この発明における溶媒蒸気生成手段のヒータ
の更に別の例を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のIII
−III線に沿う断面図（ｂ）である。

【図１１】この発明における水蒸気ノズルを示す断面図
である。

【図１２】この発明におけるオゾンガスノズルを示す断
面図である。

【図１３】図１２のIV−IV線に沿う拡大断面図である。

【図１４】この発明におけるエアノズルを示す断面図で
ある。

【図１５】前記エアノズルの一部を断面で示す平面図で
ある。

【図１６】この発明における溶媒蒸気生成手段の第二実
施形態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 水蒸気（溶媒蒸気） ２ オゾンガス（処理ガス） ３ ホットエア １０ 処理容器 ３０ 水蒸気供給手段 ３３ 水蒸気発生器（溶媒蒸気生成手段） ３４ 水蒸気供給管路 ３６ タンク（容器） ３７，３７Ａ，３７Ｂ ヒータ ３７ａ ドーナツ型ヒータ ３７ｂ 円形ヒータ ４０ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手段） ４１ オゾンガス生成手段 ４８ スイッチ ４９ 開閉弁 １００ ＣＰＵ（制御手段） ＰＳ１ 圧力センサ（圧力検出手段） ＰＳ２ 圧力センサ（圧力検出手段） ＴＳａ 第１の温度センサ（溶媒蒸気温度検出手段） ＴＳｄ 第４の温度センサ（液温度検出手段） Ｖ１ 第１開閉弁（開閉手段） Ｖ２ 第２開閉弁（開閉手段）

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Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力を検出
   し、この検出圧力に基づいて前記処理容器内に溶媒蒸気
   を供給することを特徴とする基板処理方法。
2. 【請求項２】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の温度を検出
   し、この検出温度に基づいて前記処理容器内に溶媒蒸気
   を供給することを特徴とする基板処理方法。
3. 【請求項３】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記溶媒蒸気が生成される前の液体状態の溶媒の温度を
   検出し、この検出された液体状態の溶媒の温度に基づい
   て前記処理容器内に溶媒蒸気を供給することを特徴とす
   る基板処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
   板処理方法において、 前記処理容器内に溶媒蒸気を供給する前に、処理容器内
   に処理ガスを供給する工程を有することを特徴とする基
   板処理方法。
5. 【請求項５】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する工程と、 前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力を処理容
   器内の処理ガスの圧力よりも高くする工程と、 前記処理容器内の処理ガスの圧力よりも高くなった溶媒
   蒸気を処理容器内に供給する工程と、を有することを特
   徴とする基板処理方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の基板処理方法において、 前記溶媒蒸気の供給側における溶媒蒸気の圧力が処理容
   器内の処理ガスの圧力よりも高くなった状態で、前記溶
   媒蒸気の圧力を処理容器内の雰囲気よりも高い圧力に制
   御することを特徴とする基板処理方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の基板処理方法において、 前記高い圧力に制御する工程は、処理容器に供給される
   前の溶媒蒸気が存在する密閉空間において、処理容器内
   の処理ガスの圧力よりも高い第１の圧力以下となるよう
   に、前記密閉空間を一定時間開放して溶媒蒸気を一定量
   放出して行うことを特徴とする基板処理方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の基板処理方法において、 前記高い圧力に制御する工程は、処理容器に供給される
   前の溶媒蒸気が存在する密閉空間において、処理容器内
   の処理ガスの圧力よりも高い第１の圧力以下となるよう
   に、前記密閉空間を開放して溶媒蒸気を放出し、前記密
   閉空間の開放後、溶媒蒸気の圧力が、前記処理容器内の
   処理ガスの圧力以上で前記第１の圧力より小さい第２の
   圧力以上となるように、前記密閉空間を閉塞して溶媒蒸
   気の放出を停止させることを特徴とする基板処理方法。
9. 【請求項９】 請求項４又は５記載の基板処理方法にお
   いて、 前記処理ガスを供給する工程において、処理容器を密閉
   した状態で処理ガスを供給して、処理容器内の圧力を加
   圧状態にすることを特徴とする基板処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項１、２、３又は５記載の基板処
    理方法において、 前記溶媒蒸気の供給を、処理容器内の圧力と同等以上の
    状態で行うことを特徴とする基板処理方法。
11. 【請求項１１】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の溶媒蒸気の圧力を検出する圧
    力検出手段と、を具備することを特徴とする基板処理装
    置。
12. 【請求項１２】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の溶媒蒸気の温度を検出する温
    度検出手段と、を具備することを特徴とする基板処理装
    置。
13. 【請求項１３】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の液体状態の溶媒の温度を検出
    する液温度検出手段と、を具備することを特徴とする基
    板処理装置。
14. 【請求項１４】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段にて生成された溶媒蒸気を前記処
    理容器内に供給する供給管路に介設される第１の開閉手
    段と、 前記供給管路における前記第１の開閉手段の上流側から
    分岐される排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の溶媒蒸気の圧力を検出する圧
    力検出手段と、 前記圧力検出手段からの検出信号に基づいて前記第１及
    び第２の開閉手段を開閉制御する制御手段と、を具備す
    ることを特徴とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の基板処理装置におい
    て、 前記制御手段は、検出信号に基づいて溶媒蒸気の圧力を
    一定範囲に維持するように、第２の開閉手段の開閉を制
    御可能に形成されることを特徴とする基板処理装置。
16. 【請求項１６】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段にて生成された溶媒蒸気を前記処
    理容器内に供給する供給管路に介設される第１の開閉手
    段と、 前記供給管路における前記第１の開閉手段の上流側から
    分岐される排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の溶媒蒸気の温度を検出する温
    度検出手段と、 前記温度検出手段からの検出信号に基づいて前記第１及
    び第２の開閉手段を開閉制御する制御手段と、を具備す
    ることを特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項１６記載の基板処理装置におい
    て、 前記制御手段は、検出信号に基づいて溶媒蒸気の温度を
    一定範囲に維持するように、第２の開閉手段の開閉を制
    御可能に形成されることを特徴とする基板処理装置。
18. 【請求項１８】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給する前記溶媒蒸気を生成する溶媒
    蒸気生成手段と、 前記溶媒蒸気生成手段にて生成された溶媒蒸気を前記処
    理容器内に供給する供給管路に介設される第１の開閉手
    段と、 前記供給管路における前記第１の開閉手段の上流側から
    分岐される排出管路に介設される第２の開閉手段と、 前記溶媒蒸気生成手段内の液体状態の溶媒の温度を検出
    する液温検出手段と、 前記温検出手段からの検出信号に基づいて前記第１及び
    第２の開閉手段を開閉制御する制御手段と、を具備する
    ことを特徴とする基板処理装置。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載の基板処理装置におい
    て、 前記制御手段は、検出信号に基づいて溶媒の温度を一定
    範囲に維持するように、第２の開閉手段の開閉を制御可
    能に形成されることを特徴とする基板処理装置。
20. 【請求項２０】 請求項１１ないし１９のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記溶媒蒸気生成手段は、液状溶媒を収容する容器と、
    この容器内の溶媒を加熱するヒータとを具備し、 前記ヒータは、前記容器の深さ方向に配設されて、容器
    内の溶媒の量に応じて加熱調節可能に形成される、こと
    を特徴とする基板処理装置。
21. 【請求項２１】 請求項１１ないし１９のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記溶媒蒸気生成手段は、液状溶媒を収容する容器と、
    この容器内の溶媒を加熱するヒータとを具備し、 前記ヒータは、前記容器の底面に分割配設されると共
    に、独立して作動する複数の分割ヒータにて形成され
    る、ことを特徴とする基板処理装置。