JP2006093473A - 基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に残留しているレジストを除去する基板の洗浄方法であって、熱した水を密閉容器に供給し、該熱した水を該密閉容器から基板が配置されているチャンバー内へと供給し、該チャンバー内を水蒸気で充満させて霧状の水を形成し、しかる後、熱した水の供給ラインとは別のラインを用いて上記密閉容器内にガス状オゾンを供給し、該密閉容器に設けられたノズルからオゾンガスを上記基板表面に供給して、霧状の水とオゾンガスとを処理の直前で効率よく反応させてレジストの剥離処理を行うことを特徴とする基板の洗浄方法。
【選択図】なし
Description
c=kp (1)
H2O→H++OH- (2)
O3+2OH-→2O2+H2O (3)
上記の式より、オゾン水の濃度は液中に含有されるOHイオンによって減少することがわかるが、このことは、オゾン水の安定性は、液のpHに依存することを意味する。図3は、オゾン分解率定数とpHとの関連性を示したものである。
O3→O2+*O(1D) 2.42V (4)
O3+OH-→O2+*O2H 1.495V (5)
O3+*O2H→2O2+*OH 2.85V (6)
又、レジストはしばしば微細な半導体を用いた電気回路の形成において不純物をイオン注入(以下、I/I)を行う場合のマスクとして利用される。このI/Iレジストは変質によって分解しにくくなることがよく知られているが、本発明の手法を用いることによりこのような変質したようなレジストも従来の方法に比べて効率よく除去が可能になる。
2:噴射口
3:オゾン発生装置
4:ライン
5:ライン
6:基板
7:保持具
10:チャンバー
Claims (10)
- 基板上に残留しているレジストを除去する基板の洗浄方法であって、熱した水を密閉容器に供給し、該熱した水を該密閉容器から基板が配置されているチャンバー内へと供給し、該チャンバー内を水蒸気で充満させて霧状の水を形成し、しかる後、熱した水の供給ラインとは別のラインを用いて上記密閉容器内にガス状オゾンを供給し、該密閉容器に設けられたノズルからオゾンガスを上記基板表面に供給して、霧状の水とオゾンガスとを処理の直前で効率よく反応させてレジストの剥離処理を行うことを特徴とする基板の洗浄方法。
- 基板上に残留しているレジストを除去する基板の洗浄方法であって、熱した水を密閉容器に供給して該密閉容器内を水蒸気にて充満させた後、該熱した水の供給ラインとは別のラインを用いて密閉容器内にガス状オゾンを供給し、上記密閉容器内において、液滴中にオゾンが含有されてなる霧状の水を形成し、しかる後に、該霧状の水を、該密閉容器に設けたノズルから基板が配置されているチャンバー内に供給してレジストの剥離処理を行うことを特徴とする基板の洗浄方法。
- 前記熱した水の温度が、95℃以上沸点以下である請求項1又は2に記載の基板の洗浄方法。
- レジストの剥離処理を行う霧状の水中のオゾン濃度が1%以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板の洗浄方法。
- 基板上に残留しているレジストを除去するための基板の洗浄装置であって、基板を収納するためのチャンバーと、オゾンが含有されてなる霧状の水を上記チャンバー内に供給するための密閉容器と、該密閉容器にガス状オゾンを供給するためのラインと、これとは別の熱した水を供給するためのラインとを有し、上記密閉容器が、供給されてくる熱した水によって容器内が水蒸気で充満した状態となり、その中にガス状オゾンが供給されて液滴中にオゾンが含有されてなる霧状の水が得られるように構成されていることを特徴とする基板の洗浄装置。
- 前記熱した水の温度が、95℃以上沸点以下である請求項5に記載の基板の洗浄装置。
- 液滴中にオゾンが含有されてなる霧状の水におけるオゾンの濃度が1%以上である請求項5又は6に記載の基板の洗浄装置。
- 基板上に残留しているレジストを除去するための基板の洗浄装置であって、基板を収納するためのチャンバーと、該チャンバー内にガス状オゾン或いは熱した水を供給するための密閉容器と、該密閉容器にガス状オゾンを供給するためのラインと、これとは別の熱した水を供給するためのラインと、上記熱した水を上記密閉容器内よりチャンバー内に供給して該チャンバー内を水蒸気で充満させて霧状の水を形成するための部材と、上記チャンバー内の基板表面に上記密閉容器よりオゾンガスを供給するためのノズルとを有し、霧状の水とオゾンガスとを処理の直前で効率よく反応させて、基板表面のレジストの剥離処理が行われるよう構成されていることを特徴とする基板の洗浄装置。
- 前記熱した水の温度が、95℃以上沸点以下である請求項8に記載の基板の洗浄装置。
- 霧状の水中のオゾンの濃度が1%以上である請求項8又は9に記載の基板の洗浄装置。
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