CN114843168A - 收纳容器和处理系统 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 123
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 17
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
本发明提供一种能够对消耗构件进行定位并收纳的收纳容器和处理系统。本公开的一方式的收纳容器是收纳在外周和内周的至少一者具有缺口的环状构件的容器,其中,该收纳容器具有:底板,其载置所述环状构件;以及多个导销,其自所述底板突出,对所述环状构件进行定位,所述多个导销包括与所述缺口卡合的销。
Description
技术领域
本公开涉及收纳容器和处理系统。
背景技术
已知有一种利用1系统的升降销分别使边缘环和覆盖环升降,并逐个搬运1构件的技术,该边缘环和覆盖环在设于进行等离子体处理的处理容器内的静电卡盘上配置于晶圆周围(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-113603号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够对消耗构件进行定位并收纳的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一方案的收纳容器是收纳在外周和内周的至少一者具有缺口的环状构件的容器,其中,该收纳容器具有:底板,其载置所述环状构件;以及多个导销,其自所述底板突出,对所述环状构件进行定位,所述多个导销包括与所述缺口卡合的销。
发明的效果
根据本公开,能够对消耗构件进行定位并收纳。
附图说明
图1是表示实施方式的处理系统的一例的图。
图2是表示处理模块的一例的概略剖视图。
图3是表示收纳模块的一例的正面剖视图。
图4是表示收纳模块的一例的侧面剖视图。
图5是表示未保持搬运对象物的上叉的概略俯视图。
图6是表示保持有第1组装体的上叉的概略俯视图。
图7是表示保持有第2组装体的上叉的概略俯视图。
图8是表示仅保持有搬运治具的上叉的概略俯视图。
图9是表示收纳模块内的盒的一例的概略立体图。
图10是表示边缘环的定位机构的一例的图。
图11是表示覆盖环的定位机构的一例的图。
图12是表示边缘环和覆盖环的定位机构的一例的图。
图13是表示边缘环和覆盖环的定位机构的另一例的图。
图14是表示收纳于盒的第2组装体的一例的概略俯视图。
图15是表示收纳于盒的搬运治具的一例的概略俯视图。
图16是表示收纳模块内的盒的另一例的概略立体图。
图17是表示载置有边缘环和覆盖环的静电卡盘的概略图。
图18是表示同时搬运模式的一例的图。
图19是表示载置有边缘环和覆盖环的静电卡盘的概略图。
图20是表示单独搬运模式的一例的图(1)。
图21是表示单独搬运模式的一例的图(2)。
图22是表示实施方式的消耗构件的更换方法的一例的流程图。
图23是表示处理模块的另一例的概略剖视图。
图24是表示同时搬运模式中的升降机构的状态的图。
图25是表示单独搬运模式中的升降机构的状态的图。
具体实施方式
以下,参照附图,同时说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在所有附图中,对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的参照附图标记,并且省略重复的说明。
〔处理系统〕
参照图1对实施方式的处理系统的一例进行说明。如图1所示,处理系统PS是能够对基板实施等离子体处理等各种处理的系统。基板例如可以是半导体晶圆。
处理系统PS具备真空搬运模块TM1、TM2、处理模块PM1~PM12、加载互锁模块LL1、LL2、大气搬运模块LM、收纳模块SM等。
真空搬运模块TM1、TM2分别在俯视时具有大致四边形形状。真空搬运模块TM1在相对的两个侧面连接有处理模块PM1~PM6。在真空搬运模块TM1的另外的相对的两个侧面中的一个侧面连接有加载互锁模块LL1、LL2,在另一个侧面连接有用于与真空搬运模块TM2连接的通路(未图示)。真空搬运模块TM1的连接有加载互锁模块LL1、LL2的侧面与两个加载互锁模块LL1、LL2相应地带有角度。真空搬运模块TM2在相对的两个侧面连接有处理模块PM7~PM12。在真空搬运模块TM2的另外的相对的两个侧面中的一个侧面连接有用于与真空搬运模块TM1连接的通路(未图示),在另一个侧面连接有收纳模块SM。真空搬运模块TM1、TM2具有真空室,在内部分别配置有搬运机器人TR1、TR2。
搬运机器人TR1、TR2构成为回转、伸缩、升降自如。搬运机器人TR1利用配置于顶端的上叉FK11和下叉FK12对基板和消耗构件进行保持并搬运。在图1的例子中,搬运机器人TR1利用上叉FK11和下叉FK12对基板和消耗构件进行保持,在加载互锁模块LL1、LL2、处理模块PM1~PM6以及通路(未图示)之间搬运基板和消耗构件。搬运机器人TR2利用配置于顶端的上叉FK21和下叉FK22对基板和消耗构件进行保持并搬运。在图1的例子中,搬运机器人TR2利用上叉FK21和下叉FK22对基板和消耗构件进行保持,在处理模块PM7~PM12、收纳模块SM以及通路(未图示)之间搬运基板和消耗构件。消耗构件是以能够更换的方式安装于处理模块PM1~PM12内的构件,是由于在处理模块PM1~PM12内进行等离子体处理等各种处理而消耗的构件。消耗构件例如包括后述的边缘环FR、覆盖环CR、上部电极12的顶板121。
处理模块PM1~PM12具有处理室,具有配置于内部的载物台(载置台)。处理模块PM1~PM12在将基板载置于载物台之后,对内部进行减压并导入处理气体,施加RF电力而生成等离子体,利用等离子体对基板实施等离子体处理。真空搬运模块TM1、TM2和处理模块PM1~PM12由开闭自如的闸阀G1分隔开。在载物台配置有边缘环FR、覆盖环CR等。在与载物台相对的上部配置有用于施加RF电力的上部电极12。
加载互锁模块LL1、LL2配置于真空搬运模块TM1与大气搬运模块LM之间。加载互锁模块LL1、LL2具有能够将内部切换为真空、大气压的内压可变室。加载互锁模块LL1、LL2具有配置于内部的载物台。在将基板自大气搬运模块LM向真空搬运模块TM1搬入时,加载互锁模块LL1、LL2将内部维持为大气压并自大气搬运模块LM接收基板,对内部进行减压并向真空搬运模块TM1搬入基板。在将基板自真空搬运模块TM1向大气搬运模块LM搬出时,加载互锁模块LL1、LL2将内部维持为真空并自真空搬运模块TM1接收基板,将内部升压至大气压并向大气搬运模块LM搬入基板。加载互锁模块LL1、LL2和真空搬运模块TM1由开闭自如的闸阀G2分隔开。加载互锁模块LL1、LL2和大气搬运模块LM由开闭自如的闸阀G3分隔开。
大气搬运模块LM与真空搬运模块TM1相对地配置。大气搬运模块LM例如可以是EFEM(Equipment Front End Module,设备前端模块)。大气搬运模块LM为长方体状,具备FFU(Fan Filter Unit,风机过滤单元),是被保持为大气压气氛的大气搬运室。在大气搬运模块LM的沿着长度方向的一个侧面连接有两个加载互锁模块LL1、LL2。在大气搬运模块LM的沿着长度方向的另一侧面连接有装载端口LP1~LP5。在装载端口LP1~LP5载置用于收纳多个(例如25张)基板的容器(未图示)。容器例如可以是FOUP(Front-Opening UnifiedPod,前开式晶圆传送盒)。在大气搬运模块LM内配置有搬运基板的搬运机器人(未图示)。搬运机器人在FOUP内与加载互锁模块LL1、LL2的内压可变室内之间搬运基板。
收纳模块SM以能够装卸的方式连接于真空搬运模块TM2。收纳模块SM具有收纳室,收纳消耗构件。收纳模块SM例如在对处理模块PM1~PM12内的消耗构件进行更换时与真空搬运模块TM2连接,在消耗构件的更换完成之后自真空搬运模块TM2卸下。由此,能够有效利用处理系统PS的周围的区域。不过,收纳模块SM也可以始终与真空搬运模块TM2连接。收纳模块SM具有位置检测传感器,该位置检测传感器对收纳于收纳室的消耗构件的位置进行检测。消耗构件由搬运机器人TR1、TR2在处理模块PM1~PM12与收纳模块SM之间搬运。真空搬运模块TM2和收纳模块SM由开闭自如的闸阀G4分隔开。
在处理系统PS设有控制部CU。控制部CU控制处理系统的各部分,例如设于真空搬运模块TM1、TM2的搬运机器人TR1、TR2、设于大气搬运模块LM的搬运机器人、闸阀G1~G4。例如,控制部CU构成为选择使搬运机器人TR1、TR2同时搬运边缘环FR和覆盖环CR的同时搬运模式、以及使搬运机器人TR1、TR2仅搬运边缘环FR的单独搬运模式。后述同时搬运模式和单独搬运模式。
控制部CU例如可以是计算机。控制部CU具备CPU(Central Processing Unit,中央处理单元)、RAM(Random Access Memory,随机存储器)、ROM(Read Only Memory,只读存储器)、辅助存储装置等。CPU基于存储到ROM或辅助存储装置的程序进行动作,控制处理系统PS的各部分。
〔等离子体处理装置〕
参照图2对被用作图1的处理系统PS所具备的处理模块PM1~PM12的等离子体处理装置的一例进行说明。
等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、RF电力供给部30、排气系统40、升降机构50和控制部90。
等离子体处理腔室10包括基板支承部11和上部电极12。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内的等离子体处理空间10s的下部区域。上部电极12配置于基板支承部11的上方,能够作为等离子体处理腔室10的顶板的局部发挥功能。
基板支承部11在等离子体处理空间10s中支承基板W。基板支承部11包括下部电极111、静电卡盘112、环组件113、绝缘体115和底座116。静电卡盘112配置于下部电极111上。静电卡盘112在上表面处支承基板W。环组件113包括边缘环FR和覆盖环CR。边缘环FR具有环形状,在下部电极111的周缘部上表面处配置于基板W的周围。边缘环FR例如使等离子体处理的均匀性提高。覆盖环CR具有环形状,配置于边缘环FR的外周部。覆盖环CR例如保护绝缘体115的上表面免受等离子体的影响。在图2的例子中,在覆盖环CR的内周部载置有边缘环FR的外周部。由此,当后述的多个支承销521升降时,覆盖环CR和边缘环FR作为一体进行升降。绝缘体115以包围下部电极111的方式配置于底座116上。底座116固定于等离子体处理腔室10的底部,对下部电极111和绝缘体115进行支承。环形状的一例包括圆环形状。
上部电极12与绝缘构件13一起构成等离子体处理腔室10。上部电极12将来自气体供给部20的1种或1种以上的处理气体向等离子体处理空间10s供给。上部电极12包括顶板121和支承体122。顶板121的下表面划分出等离子体处理空间10s。在顶板121形成有多个气体导入口121a。多个气体导入口121a分别沿顶板121的板厚方向(铅垂方向)贯通。支承体122将顶板121支承成装卸自如。在支承体122的内部设有气体扩散室122a。多个气体导入口122b自气体扩散室122a向下方延伸。多个气体导入口122b分别与多个气体导入口121a连通。在支承体122形成有气体供给口122c。上部电极12将1个或1个以上的处理气体自气体供给口122c经由气体扩散室122a、多个气体导入口122b和多个气体导入口121a向等离子体处理空间10s供给。
在等离子体处理腔室10的侧壁形成有搬入搬出口10p。基板W经由搬入搬出口10p在等离子体处理空间10s与等离子体处理腔室10的外部之间被搬运。搬入搬出口10p由闸阀G1进行开闭。
气体供给部20包括1个或1个以上的气体源21、以及1个或1个以上的流量控制器22。气体供给部20自各个气体源21经由各个流量控制器22向气体供给口122c供给1种或1种以上的处理气体。流量控制器22也可以包括例如质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。再者,气体供给部20也可以包括对1个或1个以上的处理气体的流量进行调制或脉冲化的1个或1个以上的流量调制装置。
RF电力供给部30包括两个RF电源(第1RF电源31a、第2RF电源31b)和两个匹配器(第1匹配器32a、第2匹配器32b)。第1RF电源31a经由第1匹配器32a向下部电极111供给第1RF电力。第1RF电力的频率例如可以是13MHz~150MHz。第2RF电源31b经由第2匹配器32b向下部电极111供给第2RF电力。第2RF电力的频率例如可以是400kHz~13.56MHz。此外,也可以使用DC电源来代替第2RF电源31b。
排气系统40例如能够与设于等离子体处理腔室10的底部的气体排气口10e连接。排气系统40也可以包括压力调整阀和真空泵。利用压力调整阀对等离子体处理空间10s内的压力进行调整。真空泵也可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。
升降机构50使基板W、边缘环FR和覆盖环CR升降。升降机构50包括第1升降机构51和第2升降机构52。
第1升降机构51包括多个支承销511、以及致动器512。多个支承销511贯穿于在下部电极111以及静电卡盘112形成的贯通孔H1,能够相对于静电卡盘112的上表面突出没入。多个支承销511相对于静电卡盘112的上表面突出,由此,使上端与基板W的下表面抵接而对基板W进行支承。致动器512使多个支承销511升降。作为致动器512,例如能够利用DC马达、步进马达、线性马达等马达、气缸等空气驱动机构、压电致动器。该第1升降机构51例如当在搬运机器人TR1、TR2与基板支承部11之间进行基板W的交接时,使多个支承销511升降。
第2升降机构52包括多个支承销521、以及致动器522。多个支承销521贯穿于在绝缘体115形成的贯通孔H2,能够相对于绝缘体115的上表面突出没入。多个支承销521相对于绝缘体115的上表面突出,由此,使上端与覆盖环CR的下表面抵接而对覆盖环CR进行支承。致动器522使多个支承销521升降。作为致动器522,例如能够利用与致动器512相同的致动器。该第2升降机构52例如当在搬运机器人TR1、TR2与基板支承部11之间进行边缘环FR和覆盖环CR的交接时,使多个支承销521升降。在图2的例子中,在覆盖环CR的内周部载置有边缘环FR的外周部。由此,当致动器522使多个支承销521升降时,覆盖环CR和边缘环FR作为一体进行升降。
控制部90对等离子体处理装置1的各部分进行控制。控制部90例如包括计算机91。计算机91例如包括CPU911、存储部912、通信接口913等。CPU911能够构成为基于存储到存储部912的程序进行各种控制动作。存储部912包括从由RAM、ROM、HDD(Hard Disk Drive,硬盘)、SSD(Solid State Drive,固态硬盘)等这样的辅助存储装置构成的组中选择的至少1个存储器类型。通信接口913也可以经由LAN(Local Area Network,局域网)等通信线路而在与等离子体处理装置1之间进行通信。控制部90既可以独立于控制部CU设置,也可以包含于控制部CU。
〔收纳模块〕
参照图3和图4对图1的处理系统PS所具备的收纳模块SM的一例进行说明。
收纳模块SM在框架60上设有腔室70,在腔室70的上部具有机械室81。腔室70能够利用与设于底部的排气口71连接的排气部72对内部进行减压。另外,向腔室70供给例如N2气体作为吹扫气体。由此,能够对腔室70内进行调压。机械室81例如是大气压气氛。
在腔室70内设有储存部75,该储存部75具有载物台73、以及设于载物台73的下部的筐74。储存部75能够利用滚珠丝杠76进行升降。在机械室81内设有对消耗构件的位置、方向等进行检测的线传感器82、以及驱动滚珠丝杠76的马达77。在腔室70与机械室81之间设有由石英等构成的窗84,以使线传感器82能够接收后述的发光部83的光。
载物台73载置消耗构件。载物台73具有与线传感器82相对的发光部83。载物台73能够沿θ方向旋转,使载置的消耗构件例如边缘环FR沿预定的朝向旋转。即,载物台73进行边缘环FR的对准(对位)。在对位中,使边缘环FR的定向平面(OF)对准预定的朝向。另外也可以设为,在对位中,使边缘环FR的中心位置对准。
线传感器82对自发光部83照射的光的光量进行检测,并将检测到的光量向控制部CU输出。在控制部CU中,利用检测到的光量根据边缘环FR的定向平面的有无而变化的情况,对边缘环FR的定向平面进行检测。控制部CU基于检测到的定向平面来对边缘环FR的朝向进行检测。线传感器82例如是CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合器件)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)等线传感器。
筐74设于载物台73的下部。在筐74的内部载置有盒78。盒78是能够自筐74取出的收纳容器。盒78在上下方向上具有间隔地收纳多个消耗构件。在图3的例子中,在盒78收纳有多个边缘环FR。盒78的收纳模块SM的正面的一侧开放。此外,后述盒78的详细情况。
储存部75除了具有载物台73和筐74以外,还在侧面具有由滚珠丝杠76支承的引导件79。滚珠丝杠76将腔室70的上表面和下表面连接,贯通腔室70的上表面而与机械室81内的马达77连接。腔室70的上表面的贯通部以滚珠丝杠76能够旋转的方式被密封。滚珠丝杠76利用马达77而旋转,由此,能够使储存部75沿上下方向(Z轴方向)移动。
收纳模块SM经由闸阀G4以能够装卸的方式与真空搬运模块TM2连接。能够使真空搬运模块TM2的搬运机器人TR2的上叉FK21和下叉FK22经由闸阀G4向腔室70插入。上叉FK21和下叉FK22例如进行边缘环FR向盒78内的搬入、载置于盒78内的边缘环FR的搬出、边缘环FR向载物台73的载置、载置于载物台73的边缘环FR的获取。门80例如在从腔室70内取出盒78时、在向腔室内70内设置盒78时进行开闭。
在储存部75自腔室70的底面侧移动至使盒78与闸阀G4相对的位置等的上部的情况下,发光部85和片数检测传感器86对载置于盒78的边缘环FR的片数进行检测。发光部85例如是LED(Light Emitting Diode,发光二极管)、半导体激光器等。片数检测传感器86对自发光部85照射的光的光量进行检测,并将检测到的光量向控制部CU输出。控制部CU基于检测到的光量来测量自发光部85照射的光被边缘环FR遮挡的次数,由此,对边缘环FR的片数进行检测。片数检测传感器86例如是光电二极管、光电晶体管等。另外,片数检测传感器86也可以是例如CCD、CMOS等线传感器。
此外,在上述的例子中说明了控制部CU基于由收纳模块SM内的线传感器82检测到的光量来计算出边缘环FR的位置信息的情况,但本公开不限于此。例如也可以使用包括对边缘环FR的内周的位置进行检测的内周传感器、以及对边缘环FR的外周的位置进行检测的外周传感器的位置检测传感器。在该情况下,控制部CU基于内周传感器检测到的边缘环FR的内周的位置和外周传感器检测到的边缘环FR的外周的位置,计算出边缘环FR的位置信息。另外,例如,也可以使用其他光学传感器或照相机来代替线传感器82。在该情况下,控制部CU基于照相机拍摄到的图像,例如使用图像处理技术,由此计算出边缘环FR的位置信息。
〔搬运机器人〕
参照图5~图8,对搬运机器人TR2的上叉FK21进行说明。此外,搬运机器人TR2的下叉FK22也可以是与上叉FK21相同的结构。另外,搬运机器人TR1的上叉FK11和下叉FK12也可以是与搬运机器人TR2的上叉FK21相同的结构。
图5是表示未保持搬运对象物的上叉FK21的概略俯视图。如图5所示,上叉FK21在俯视时具有大致字母U形状。上叉FK21构成为能够对例如基板W、搬运治具CJ、边缘环FR、覆盖环CR、第1组装体A1、第2组装体A2进行保持。
搬运治具CJ是自下方支承边缘环FR的治具,能够在仅更换边缘环FR的情况下使用。
第1组装体A1是通过在覆盖环CR上载置边缘环FR而使边缘环FR和覆盖环CR成为一体的组装体。
第2组装体A2是通过在搬运治具CJ上载置边缘环FR而使搬运治具CJ和边缘环FR成为一体的组装体。
图6是表示保持有第1组装体A1(边缘环FR和覆盖环CR)的状态的上叉FK21的概略俯视图。如图6所示,上叉FK21构成为能够保持第1组装体A1。由此,搬运机器人TR2能够同时搬运边缘环FR和覆盖环CR。
图7是表示保持有第2组装体A2(搬运治具CJ和边缘环FR)的状态的上叉FK21的概略俯视图。如图7所示,上叉FK21构成为能够保持第2组装体A2。由此,搬运机器人TR2能够同时搬运边缘环FR和搬运治具CJ。
图8是表示仅保持有搬运治具CJ的状态的上叉FK21的概略俯视图。如图8所示,上叉FK21构成为能够保持未支承边缘环FR的搬运治具CJ。由此,搬运机器人TR2能够单独地对搬运治具CJ进行搬运。
〔盒〕
进一步参照图9,作为收纳模块SM所具有的盒78的一例,对收纳边缘环FR的盒78进行说明。图9是表示收纳模块SM内的盒78的一例的概略立体图。此外,在图9中表示未收纳边缘环FR的状态的盒78。
盒78收纳边缘环FR。盒78具有多个底板781和多个导销782。
多个底板781沿上下方向设成多层。多个底板781载置边缘环FR。各底板781具有大致矩形板状。各底板781例如由树脂、金属形成。各底板781包括载置面781a、外框部781b和叉插入槽781c。
载置面781a载置边缘环FR。
外框部781b在载置面781a的4边中的除了被上叉FK21和下叉FK22插入的正面侧的一边以外的3边的外周部,自载置面781a向上方突出。在该外框部781b上载置另一底板781。
叉插入槽(凹部)781c形成于载置面781a。叉插入槽781c相对于载置面781a凹陷,当搬运机器人TR2将边缘环FR载置于载置面781a时,该叉插入槽781c被上叉FK21和下叉FK22插入。
多个导销782设于载置面781a。各导销782可以具有尖细的圆锥状。当搬运机器人TR2将边缘环FR载置于载置面781a时,多个导销782与边缘环FR的外周部接触而进行引导,以使该边缘环FR载置于载置面781a的预定位置。各导销782可以由树脂或金属等形成。若为树脂制,则能够抑制因与边缘环FR的外周部接触时的摩擦而导致的微粒的产生。
此外,在图9中,例示了收纳边缘环FR的盒78,但关于例如对搬运治具CJ、覆盖环CR、第1组装体A1、第2组装体A2进行收纳的盒78,除了多个导销782以外,也可以是相同的结构。
例如,在收纳覆盖环CR的盒78中,在与由搬运机器人TR2载置于载置面781a的覆盖环CR的内周部接触的位置设有多个导销782。由此,覆盖环CR被引导并载置于载置面781a的预定位置。
另外,例如,在对边缘环FR和覆盖环CR进行收纳的盒78中,在与由搬运机器人TR2载置于载置面781a的边缘环FR的外周部以及覆盖环CR的内周部接触的位置设有多个导销782。由此,边缘环FR和覆盖环CR被引导并载置于载置面781a的预定位置。
参照图10说明将由上叉FK21搬运到收纳模块SM内的边缘环FR载置于盒78的底板781上的情况的定位机构的一例。图10是表示边缘环FR的定位机构的一例的图。图10的(a)是使保持有边缘环FR的上叉FK21进入底板781的上方时的俯视图。图10的(b)表示沿图10的(a)的单点划线B1-B1剖切而得到的截面。图10的(c)是利用上叉FK21将边缘环FR载置于底板781上时的剖视图。
首先,如图10的(a)和图10的(b)所示,边缘环FR在其外周具有缺口FRa。使保持有边缘环FR的上叉FK21进入底板781的上方。缺口FRa例如在俯视时具有字母V形状。字母V形状的张开角度可以适当设定,例如可以是90°。另外,缺口FRa例如也可以在俯视时具有字母U形状等曲线形状。
接下来,如图10的(c)所示,使上叉FK21下降。由此,由上叉FK21保持的边缘环FR被载置于底板781的载置面781a。此时,3个导销782中的1个导销782和边缘环FR的缺口FRa卡合,剩余的两个导销782与边缘环FR的外周接触,由此对边缘环FR进行定位。其结果是,能够在水平方向和旋转方向上相对于底板781对边缘环FR进行定位。
这样,通过利用上叉FK21将边缘环FR载置于底板781上,能够对边缘环FR进行定位。因此,能够在不另外设置进行边缘环FR的定位的对准机构的情况下,将边缘环FR在已定位的状态下向处理模块PM1~PM12搬运。其结果是,能够削减由于将边缘环FR向对准机构搬运而产生的停机时间。另外,能够降低装置导入成本。另外,空间效率提高。不过也可以设为,另外设置对准机构,利用对准机构精密地对边缘环FR进行对位并搬运。
此外,在图10的例子中,示出了边缘环FR在外周具有1个缺口FRa的情况,但缺口FRa的数量不限于此。例如,边缘环FR也可以在外周具有在周向上相互分开的多个缺口FRa。在该情况下优选的是,与多个缺口FRa分别对应地设置导销782。由此,能够减小角度误差。
另外,在图10的例子中,例示了使用上叉FK21的情况,但也可以使用下叉FK22。
参照图11对将由上叉FK21搬运到收纳模块SM内的覆盖环CR载置于盒78的底板781上的情况的定位机构的一例进行说明。图11是表示覆盖环CR的定位机构的一例的图。图11的(a)是使保持有覆盖环CR的上叉FK21进入底板781的上方时的俯视图。图11的(b)表示沿图11的(a)中的单点划线B2-B2剖切而得到的截面。图11的(c)是利用上叉FK21将覆盖环CR载置于底板781上时的剖视图。
首先,如图11的(a)和图11的(b)所示,覆盖环CR在其内周具有缺口CRa。使保持有覆盖环CR的上叉FK21进入底板781的上方。缺口CRa例如在俯视时具有字母V形状。字母V形状的张开角度可以适当设定,例如可以是90°。另外,缺口CRa例如也可以在俯视时具有字母U形状等曲线形状。
接下来,如图11的(c)所示,使上叉FK21下降。由此,由上叉FK21保持的覆盖环CR被载置于底板781的载置面781a。此时,3个导销782中的1个导销782和覆盖环CR的缺口CRa卡合,剩余的两个导销782与覆盖环CR的内周接触,由此对覆盖环CR进行定位。其结果是,能够在水平方向和旋转方向上相对于底板781对覆盖环CR进行定位。
这样,通过利用上叉FK21将覆盖环CR载置于底板781上,能够对覆盖环CR进行定位。因此,能够在不另外设置进行覆盖环CR的定位的对准机构的情况下,将覆盖环CR在已定位的状态下向处理模块PM1~PM12搬运。其结果是,能够削减由于将覆盖环CR向对准机构搬运而产生的停机时间。另外,能够降低装置导入成本。另外,空间效率提高。不过也可以设为,另外设置对准机构,利用对准机构精密地对覆盖环CR进行对位并搬运。
此外,在图11的例子中,示出了覆盖环CR在内周具有1个缺口CRa的情况,但缺口CRa的数量不限于此。例如,覆盖环CR也可以在内周具有在周向上相互分开的多个缺口CRa。在该情况下优选的是,与多个缺口CRa分别对应地设置导销782。由此,能够减小角度误差。
另外,在图11的例子中,例示了使用上叉FK21的情况,但也可以使用下叉FK22。
参照图12对将由上叉FK21搬运到收纳模块SM内的边缘环FR和覆盖环CR载置于盒78的底板781上的情况的定位机构进行说明。图12是表示边缘环FR和覆盖环CR的定位机构的一例的图。图12的(a)是使保持有边缘环FR和覆盖环CR的上叉FK21进入底板781的上方时的俯视图。图12的(b)表示沿图12的(a)中的单点划线B3-B3剖切而得到的截面。图12的(c)是利用上叉FK21将边缘环FR和覆盖环CR载置于底板781上时的剖视图。
首先,如图12的(a)和图12的(b)所示,使保持有边缘环FR和覆盖环CR的上叉FK21进入底板781的上方。具有边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部在俯视时不重叠的结构。即,边缘环FR的外径和覆盖环CR的内径相同,或比覆盖环CR的内径小。边缘环FR在外周具有缺口FRa。覆盖环CR在内周具有缺口CRa。缺口FRa、CRa例如在俯视时具有字母V形状。字母V形状的张开角度可以适当设定,例如可以是90°。另外,缺口FRa、CRa例如也可以在俯视时具有字母U形状等曲线形状。
接下来,如图12的(c)所示,使上叉FK21下降。由此,由上叉FK21保持的边缘环FR和覆盖环CR被载置于底板781的载置面781a。此时,3个导销782中的1个导销782与边缘环FR的缺口FRa以及覆盖环CR的缺口CRa卡合,剩余的两个导销782与覆盖环CR的外周接触,由此,对边缘环FR和覆盖环CR进行定位。其结果是,能够在水平方向和旋转方向上相对于底板781对边缘环FR和覆盖环CR进行定位。
这样,通过利用上叉FK21将边缘环FR和覆盖环CR载置于底板781上,能够对边缘环FR和覆盖环CR进行定位。因此,能够在不另外设置进行边缘环FR和覆盖环CR的定位的对准机构的情况下,将边缘环FR和覆盖环CR在已定位的状态下向处理模块PM1~PM12搬运。其结果是,能够削减由于将边缘环FR和覆盖环CR向对准机构搬运而产生的停机时间。另外,能够降低装置导入成本。另外,空间效率提高。不过也可以设为,另外设置对准机构,利用对准机构精密地对边缘环FR和覆盖环CR进行对位并搬运。
此外,在图12的例子中示出了以下情况:边缘环FR在外周具有1个缺口FRa,覆盖环CR在内周具有1个缺口CRa,但缺口FRa、CRa的数量不限于此。例如也可以是,边缘环FR在外周具有在周向上相互分开的多个缺口FRa,覆盖环CR在内周具有在周向上相互分开的多个缺口CRa。在该情况下优选的是,与多个缺口FRa、CRa分别对应地设置导销782。由此,能够减小角度误差。
另外,在图12的例子中,例示了使用上叉FK21的情况,但也可以使用下叉FK22。
另外,在图12的例子中,说明了在外周或内周对边缘环FR和覆盖环CR进行定位的情况,但并不限定于此。例如,也可以在边缘环FR和覆盖环CR的背面(被载置于载置面781a的一侧的面)设置用于定位的凹部(或凸部)而进行各自的定位。
另外,在图12的例子中,说明了具有边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部不重叠的结构的情况,但并不限定于此,也可以具有边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部重叠的结构。在该情况下也可以是,将边缘环FR保持为已相对于覆盖环CR被定位的状态,在一例中,通过在覆盖环CR的外周设置定位部而对覆盖环CR进行定位,从而对边缘环FR进行定位。另外也可以是,在另一例中,在边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部重叠的情况下,如图13所示,在边缘环FR和覆盖环CR各自的未重叠的区域设置用于定位的凹部FRb、CRb(或凸部)。在该情况下,只要将导销782设于与凹部FRb、CRb卡合的位置即可。由此,能够进行边缘环FR和覆盖环CR各自的定位。
以上,参照图10~图13,例示了使用上叉FK21将边缘环FR和/或覆盖环CR载置于盒78的底板781上的情况,但并不限定于此。例如,也可以在收纳模块SM不运行时,操作者用手将边缘环FR和/或覆盖环CR载置于盒78的底板781上。
参照图14,说明将由上叉FK21搬运到收纳模块SM内的第2组装体A2(搬运治具CJ和边缘环FR)载置于盒78的底板781上的情况。图14所示的动作例如是在当载置于等离子体处理装置1的静电卡盘112上时边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部重叠的情况下且在控制部CU选择并执行后述的单独搬运模式的情况下进行。图14是表示收纳于盒78的第2组装体A2的一例的概略俯视图。
首先,如图14所示,使保持有第2组装体A2的上叉FK21进入底板781的上方。接下来,使上叉FK21下降。由此,由上叉FK21保持的第2组装体A2被载置于底板781的载置面781a。
这样,搬运机器人TR2能够利用上叉FK21对第2组装体A2(搬运治具CJ和边缘环FR)进行保持,从而同时搬运边缘环FR和搬运治具CJ。
此外,在图14的例子中,例示了使用上叉FK21的情况,但也可以使用下叉FK22。
参照图15,说明将由上叉FK21搬运到收纳模块SM内的搬运治具CJ载置于盒78的底板781上的情况。图15所示的动作例如是在当载置于等离子体处理装置1的静电卡盘112上时边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部重叠的情况下且在控制部CU选择并执行后述的单独搬运模式的情况下进行。图15是表示收纳于盒78的搬运治具CJ的一例的概略俯视图。
首先,如图15所示,使保持有搬运治具CJ的上叉FK21进入底板781的上方。接下来,使上叉FK21下降。由此,由上叉FK21保持的搬运治具CJ被载置于底板781的载置面781a。
这样,搬运机器人TR2能够利用上叉FK21保持搬运治具CJ,并单独地对搬运治具CJ进行搬运。
此外,在图15的例子中,例示了使用上叉FK21的情况,但也可以使用下叉FK22。
参照图16,对图3和图4的收纳模块SM所具有的盒78的另一例进行说明。图16是表示收纳模块SM内的盒78的另一例的概略立体图,表示对作为消耗构件的一例的边缘环FR进行收纳的盒78X。
图16所示的盒78X与图9所示的盒78的不同之处在于,盒78X具有倾斜块782b来代替多个导销782,该倾斜块782b具有与边缘环FR的外周部抵接而将边缘环FR保持于预定位置的倾斜面。此外,关于其他结构,可以是与图9所示的盒78相同的结构。
另外,作为又一例也可以设为,盒78具有倾斜块(未图示),该倾斜块具有与覆盖环CR的内周部抵接而将覆盖环CR保持于预定位置的倾斜面。另外,作为又一例也可以设为,盒78具有倾斜块(未图示),该倾斜块具有与边缘环FR的外周部以及覆盖环CR的内周部抵接而将边缘环FR和覆盖环CR保持于预定位置的倾斜面。另外,倾斜块也可以构成为与边缘环FR的内周部抵接而将边缘环FR保持于预定位置。另外,倾斜块也可以构成为与覆盖环CR的外周部抵接而保持覆盖环CR。
〔消耗构件的搬运方法〕
参照图17和图18,作为实施方式的处理系统PS中的消耗构件的搬运方法的一例,说明控制部CU选择并执行使搬运机器人TR2同时搬运边缘环FR和覆盖环CR的同时搬运模式的情况。以下,说明为控制部90包含于控制部CU,控制部CU对搬运机器人TR2和升降机构50进行控制的情况。不过也可以设为,控制部90独立于控制部CU地设置,控制部CU对搬运机器人TR2进行控制,控制部90对升降机构50进行控制。此外,设为具有边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部在俯视时重叠的结构。
如图18的(a)所示,控制部CU使保持有未使用的边缘环FR和覆盖环CR的上叉FK21进入静电卡盘112的上方。
接下来,如图18的(b)所示,控制部CU使多个支承销521自待机位置上升至支承位置。由此,多个支承销521的上端与由上叉FK21保持的覆盖环CR的下表面抵接,该覆盖环CR由多个支承销521抬起,从而该覆盖环CR远离上叉FK21。此时,在覆盖环CR的内周部载置有边缘环FR的外周部。因此,当利用多个支承销521将覆盖环CR抬起时,边缘环FR也与覆盖环CR一起被抬起。即,边缘环FR和覆盖环CR成为一体而远离上叉FK21。
接下来,如图18的(c)所示,控制部CU使未保持搬运对象物的上叉FK21退出。
接下来,如图18的(d)所示,控制部CU使多个支承销521自支承位置下降至待机位置。由此,由多个支承销521支承的边缘环FR和覆盖环CR被载置于静电卡盘112上。根据如上,如图17所示,将边缘环FR和覆盖环CR同时向等离子体处理腔室10内搬入,并载置于静电卡盘112上。
此外,在将载置于静电卡盘112上的边缘环FR和覆盖环CR自等离子体处理腔室10内搬出的情况下,控制部CU执行与前述的边缘环FR以及覆盖环CR的搬入相反的动作。
如以上已说明的那样,根据实施方式的处理系统PS,能够同时搬运边缘环FR和覆盖环CR。
参照图19~图21,作为实施方式的处理系统PS中的消耗构件的搬运方法的另一例,说明控制部CU选择并执行使搬运机器人TR2仅搬运边缘环FR的单独搬运模式的情况。以下,说明为控制部90包含于控制部CU,控制部CU对搬运机器人TR2和升降机构50进行控制的情况。不过也可以设为,控制部90独立于控制部CU地设置,控制部CU对搬运机器人TR2进行控制,控制部90对升降机构50进行控制。此外,设为具有边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部在俯视时重叠的结构。
如图20的(a)所示,控制部CU使对保持有未使用的边缘环FR的搬运治具CJ进行保持的上叉FK21进入静电卡盘112的上方。
接下来,如图20的(b)所示,控制部CU使多个支承销511自待机位置上升至支承位置。由此,多个支承销511的上端与由上叉FK21保持的搬运治具CJ的下表面抵接,该搬运治具CJ由多个支承销511抬起,从而该搬运治具CJ远离上叉FK21。此时,在搬运治具CJ上载置有边缘环FR的内周部。因此,当利用多个支承销511将搬运治具CJ抬起时,边缘环FR也与搬运治具CJ一起被抬起。即,搬运治具CJ和边缘环FR成为一体而远离上叉FK21。
接下来,如图20的(c)所示,控制部CU使未保持搬运对象物的上叉FK21退出。
接下来,如图20的(d)所示,控制部CU使多个支承销521自待机位置上升至支承位置。由此,多个支承销521的上端与载置于静电卡盘112上的覆盖环CR的下表面抵接,该覆盖环CR由多个支承销521抬起,从而该覆盖环CR远离静电卡盘112。另外,载置于搬运治具CJ上的边缘环FR的外周部被载置于覆盖环CR的内周部。
接下来,如图21的(a)所示,控制部CU使未保持搬运对象物的上叉FK21进入搬运治具CJ、边缘环FR以及覆盖环CR与静电卡盘112之间。
接下来,如图21的(b)所示,控制部CU使多个支承销511自支承位置下降至待机位置。此时,边缘环FR的外周部载置于覆盖环CR的内周部,因此仅由多个支承销511支承的搬运治具CJ被载置于上叉FK21上。
接下来,如图21的(c)所示,控制部CU使保持有搬运治具CJ的上叉FK21退出。
接下来,如图21的(d)所示,控制部CU使多个支承销521自支承位置下降至待机位置。由此,由多个支承销521支承的边缘环FR和覆盖环CR被载置于静电卡盘112上。根据如上,如图19所示,仅将边缘环FR搬入等离子体处理腔室10内,并载置于已载置有覆盖环CR的静电卡盘112上。
此外,在仅将载置于静电卡盘112上的边缘环FR和覆盖环CR中的边缘环FR自等离子体处理腔室10内搬出的情况下,控制部CU执行与前述的边缘环FR的搬入相反的动作。
如以上已说明的那样,根据实施方式的处理系统PS,能够在不更换覆盖环CR的情况下,仅单独地搬运边缘环FR。
〔消耗构件的更换方法〕
参照图22对实施方式的消耗构件的更换方法的一例进行说明。图22是表示实施方式的消耗构件的更换方法的一例的流程图。
以下,以仅单独对载置于前述的处理模块PM12的载物台(静电卡盘112)的边缘环FR进行更换的情况举例进行说明。具体而言,对以下情况进行说明:将在处理模块PM12中已使用的边缘环FR收纳于收纳模块SM,并更换为预先收纳于收纳模块SM的未使用的边缘环FR。此外,对于载置于处理模块PM12以外的处理模块PM1~PM11的载物台的边缘环FR,也能够通过同样的方法进行更换。另外,图22所示的实施方式的消耗构件的更换方法通过由控制部CU控制处理系统PS的各部分来进行。
如图22所示,实施方式的消耗构件的更换方法具有消耗程度判断步骤S10、能否更换判断步骤S20、第1清洁步骤S30、搬出步骤S40、第2清洁步骤S50、搬入步骤S60和陈化步骤S70。以下,对各个步骤进行说明。
消耗程度判断步骤S10是对是否需要更换载置于处理模块PM12的载物台的边缘环FR进行判断的步骤。在消耗程度判断步骤S10中,控制部CU对是否需要更换载置于处理模块PM12的载物台的边缘环FR进行判断。具体而言,控制部CU基于例如RF累计时间、RF累计电力、制程的特定步骤的累计值来判断是否需要更换边缘环FR。RF累计时间是指在预定的等离子体处理时在处理模块PM12中被供给高频电力的时间的累计值。RF累计电力是指在预定的等离子体处理时在处理模块PM12中被供给的高频电力的累计值。制程的特定步骤的累计值是指,在处理模块PM12中进行的处理的步骤中的切削边缘环FR的步骤中被供给高频电力的时间的累计值、高频电力的累计值。此外,RF累计时间、RF累计电力和制程的特定步骤的累计值是以例如导入装置的时刻、实施维护的时刻等对边缘环FR进行更换的时刻为起点而计算出的值。
在基于RF累计时间来判断是否需要更换边缘环FR的情况下,控制部CU在RF累计时间已达到阈值的情况下判断为需要更换边缘环FR。与此相对,控制部CU在RF累计时间未达到阈值的情况下判断为不需要更换边缘环FR。此外,阈值是通过预备实验等根据边缘环FR的材质等的种类而确定的值。
在基于RF累计电力来判断是否需要更换边缘环FR的情况下,控制部CU在RF累计电力已达到阈值的情况下判断为需要更换边缘环FR。与此相对,控制部CU在RF累计电力未达到阈值的情况下判断为不需要更换边缘环FR。此外,阈值是通过预备实验等根据边缘环FR的材质等的种类而确定的值。
在基于制程的特定步骤的累计值来判断是否需要更换边缘环FR的情况下,控制部CU在特定的步骤中的RF累计时间或RF累计电力已达到阈值的情况下判断为需要更换边缘环FR。与此相对,控制部CU在特定步骤中的RF累计时间或RF累计电力未达到阈值的情况下判断为不需要更换边缘环FR。在基于制程的特定步骤的累计值来判断是否需要更换边缘环FR的情况下,能够基于被施加高频电力而切削边缘环FR的步骤来计算出更换边缘环FR的时间。因此,能够以特别高的精度计算出更换边缘环FR的时间。此外,阈值是通过预备实验等根据边缘环FR的材质等的种类而确定的值。
在消耗程度判断步骤S10中,在判断为需要更换载置于处理模块PM12的载物台的边缘环FR的情况下,控制部CU进行能否更换判断步骤S20。在消耗程度判断步骤S10中,在判断为不需要更换载置于处理模块PM12的载物台的边缘环FR的情况下,控制部CU重复消耗程度判断步骤S10。
能否更换判断步骤S20是判断处理系统PS的状态是否为能够进行边缘环FR的更换的状态的步骤。在能否更换判断步骤S20中,控制部CU判断处理系统PS的状态是否为能够进行边缘环FR的更换的状态。具体而言,控制部CU在例如在要进行边缘环FR的更换的处理模块PM12中未对基板W进行处理的情况下,判断为能够进行边缘环FR的更换。与此相对,控制部CU当在处理模块PM12中对基板W进行处理的情况下判断为无法进行边缘环FR的更换。另外也可以是,控制部CU在例如与在要进行边缘环FR的更换的处理模块PM12中进行处理的基板W同一批次的基板W的处理结束的情况下,判断为能够进行边缘环FR的更换。在该情况下,控制部CU在与在处理模块PM12中进行处理的基板W同一批次的基板W的处理结束之前的期间,判断为无法进行边缘环FR的更换。
当在能否更换判断步骤S20中判断为处理系统PS的状态是能够进行边缘环FR的更换的状态的情况下,控制部CU进行第1清洁步骤S30。当在能否更换判断步骤S20中判断为处理系统PS的状态是无法进行边缘环FR的更换的状态的情况下,控制部CU重复能否更换判断步骤S20。
第1清洁步骤S30是进行处理模块PM12的清洁处理的步骤。在第1清洁步骤S30中,控制部CU对气体导入系统、排气系统、电力导入系统等进行控制,由此,进行处理模块PM12的清洁处理。清洁处理是指这样的处理:利用处理气体的等离子体等来去除由等离子体处理产生的处理模块PM12内的沉积物,使处理模块PM12内稳定在清洁的状态。通过进行第1清洁步骤S30,当在搬出步骤S40中自载物台将边缘环FR搬出时,能够抑制处理模块PM12内的沉积物扬起。作为处理气体,例如能够使用氧气(O2)气体、氟化碳(CF)系气体、氮(N2)气体、氩(Ar)气体、氦(He)气体、或者上述两种以上的混合气体。另外,在进行处理模块PM12的清洁处理时,根据处理条件,为了保护载物台的静电卡盘112,也可以在将仿真晶圆等基板W载置于静电卡盘112的上表面的状态下进行清洁处理。此外,当在处理模块PM12内不存在沉积物的情况等沉积物不会扬起的情况下,也可以不进行第1清洁步骤S30。另外,在利用静电卡盘112将边缘环FR吸附于载物台的情况下,在接下来的搬出步骤S40之前进行除电处理。
搬出步骤S40是在不使处理模块PM12向大气开放的情况下自处理模块PM12内将边缘环FR搬出的步骤。在搬出步骤S40中,控制部CU对处理系统PS的各部分进行控制,以在不使处理模块PM12向大气开放的情况下,自处理模块PM12内将边缘环FR搬出。具体而言,将闸阀G1打开,利用搬运机器人TR2将载置于处理模块PM12的内部的载物台的边缘环FR自处理模块PM12搬出。接下来,将闸阀G4打开,利用搬运机器人TR2将自处理模块PM12搬出的边缘环FR收纳于收纳模块SM。
第2清洁步骤S50是对处理模块PM12的载物台的载置边缘环FR的面进行清洁处理的步骤。在第2清洁步骤S50中,控制部CU对气体导入系统、排气系统、电力导入系统等进行控制,由此,进行处理模块PM12的载物台的载置边缘环FR的面的清洁处理。第2清洁步骤S50中的清洁处理例如能够以与第1清洁步骤S30相同的方法进行。即,作为处理气体,例如能够使用O2气体、CF系气体、N2气体、Ar气体、He气体、或者上述两种以上的混合气体。另外,在进行处理模块PM12的清洁处理时,根据处理条件,为了保护载物台的静电卡盘112,也可以在将仿真晶圆等基板W载置于静电卡盘112的上表面的状态下进行清洁处理。此外,也可以省略第2清洁步骤S50。
搬入步骤S60是在不使处理模块PM12向大气开放的情况下将边缘环FR向处理模块PM12内搬入,并载置于载物台的步骤。在搬入步骤S60中,控制部CU对处理系统PS的各部分进行控制,以在不使处理模块PM12向大气开放的情况下将边缘环FR向处理模块PM12内搬入。具体而言,将闸阀G4打开,利用搬运机器人TR2将收纳于收纳模块SM的未使用的边缘环FR搬出。接下来,将闸阀G1打开,利用搬运机器人TR2,将未使用的边缘环FR向处理模块PM12搬入,并载置于载物台。例如,控制部CU对处理系统PS的各部分进行控制,通过图20的(a)~图20的(d)和图21的(a)~图21的(d)所示的搬运方法,将收纳于收纳模块SM的边缘环FR载置于处理模块PM12内的载物台。
陈化步骤S70是进行处理模块PM12的陈化处理的步骤。在陈化步骤S70中,控制部CU对气体导入系统、排气系统、电力导入系统等进行控制,由此,进行处理模块PM12的陈化处理。陈化处理是指通过进行预定的等离子体处理而用于使处理模块PM12内的温度、沉积物的状态稳定的处理。另外也可以是,在陈化步骤S70中,在处理模块PM12的陈化处理之后,向处理模块PM12内搬入品质控制用晶圆,并对品质控制用晶圆进行预定的处理。由此,能够确认处理模块PM12的状态是否正常。此外,也可以省略陈化步骤S70。
如以上已说明的那样,根据实施方式的处理系统PS,在不使处理模块PM12向大气开放的情况下,利用搬运机器人TR2自处理模块PM12内将边缘环FR搬出。然后,对处理模块PM12内进行清洁处理,接下来利用搬运机器人TR2将边缘环FR向处理模块PM12内搬入。由此,能够在不用操作员手动进行边缘环FR的更换的情况下,仅单独更换边缘环FR。因此,能够使边缘环FR的更换所需的时间缩短,从而提高生产率。另外,通过在搬入边缘环FR之前对载置边缘环FR的面进行清洁,能够抑制在边缘环FR与载置该边缘环FR的面之间存在沉积物。其结果是,两者的接触变得良好,从而能够良好地维持边缘环FR的温度控制性。
此外,对于同时更换载置于前述的处理模块PM12的载物台(静电卡盘112)的边缘环FR和覆盖环CR的情况,也能够应用与仅单独更换边缘环FR的情况相同的方法。在该情况下,在消耗程度判断步骤S10中,控制部CU判断是否需要更换载置于处理模块PM12的载物台的边缘环FR和覆盖环CR。在搬出步骤S40中,控制部CU对处理系统PS的各部分进行控制,将载置于处理模块PM12的内部的载物台的边缘环FR和覆盖环CR搬出。在搬入步骤S60中,控制部CU对处理系统PS的各部分进行控制,并通过图18的(a)~图18的(d)所示的搬运方法,将收纳于收纳模块SM的边缘环FR和覆盖环CR载置于处理模块PM12内的载物台。
参照图23~图25对被用作图1的处理系统PS所具备的处理模块PM1~PM12的等离子体处理装置的另一例进行说明。
等离子体处理装置1X包括等离子体处理腔室10X和升降机构50X,来代替等离子体处理装置1中的等离子体处理腔室10和升降机构50。此外,其他结构可以与等离子体处理装置1相同。
等离子体处理腔室10X包括基板支承部11X和上部电极12。基板支承部11X配置于等离子体处理腔室10X内的等离子体处理空间10s的下部区域。上部电极12配置于基板支承部11X的上方,能够作为等离子体处理腔室10X的顶板的局部发挥功能。
基板支承部11X在等离子体处理空间10s中支承基板W。基板支承部11X包括下部电极111、静电卡盘112、环组件113X、绝缘体115和底座116。静电卡盘112配置于下部电极111上。静电卡盘112在上表面处支承基板W。环组件113X包括边缘环FRX和覆盖环CRX。边缘环FRX具有环形状,在下部电极111的周缘部上表面处配置于基板W的周围。边缘环FRX例如使等离子体处理的均匀性提高。覆盖环CRX具有环形状,配置于边缘环FRX的外周部。覆盖环CRX例如保护绝缘体115的上表面免受等离子体的影响。在图23的例子中,边缘环FRX的外径和覆盖环CRX的内径相同,或比覆盖环CRX的内径小。即,在俯视时,边缘环FRX和覆盖环CRX并未重叠。由此,边缘环FRX和覆盖环CRX独立地进行升降。绝缘体115以包围下部电极111的方式配置于底座116上。底座116固定于等离子体处理腔室10X的底部,对下部电极111和绝缘体115进行支承。
升降机构50X使基板W、边缘环FRX和覆盖环CRX升降。升降机构50X包括第1升降机构51、第3升降机构53和第4升降机构54。
第1升降机构51包括多个支承销511、以及致动器512。多个支承销511贯穿于在下部电极111以及静电卡盘112形成的贯通孔H1,能够相对于静电卡盘112的上表面突出没入。多个支承销511相对于静电卡盘112的上表面突出,由此,使上端与基板W的下表面抵接而对基板W进行支承。致动器512使多个支承销511升降。作为致动器512,能够利用DC马达、步进马达、线性马达等马达、气缸等空气驱动机构、压电致动器等。该第1升降机构51例如当在搬运机器人TR1、TR2与基板支承部11之间进行基板W的交接时,使多个支承销511升降。
第3升降机构53包括多个支承销531、以及致动器532。多个支承销531向贯穿于在绝缘体115形成的贯通孔H3而能够相对于绝缘体115的上表面突出没入。多个支承销531相对于绝缘体115的上表面突出,由此,使上端与边缘环FRX的下表面抵接而对边缘环FRX进行支承。致动器532使多个支承销531升降。作为致动器532,例如能够利用与致动器512相同的致动器。
第4升降机构54包括多个支承销541、以及致动器542。多个支承销541贯穿于在绝缘体115形成的贯通孔H4而能够相对于绝缘体115的上表面突出没入。多个支承销541相对于绝缘体115的上表面突出,由此,使上端与覆盖环CRX的下表面抵接而对覆盖环CRX进行支承。致动器542使多个支承销541升降。作为致动器542,例如能够利用与致动器512相同的致动器。
在该升降机构50X中,当在搬运机器人TR1、TR2与基板支承部11之间进行边缘环FRX和覆盖环CRX的交接的情况下使多个支承销531、541升降。例如,在利用搬运机器人TR1、TR2将载置于静电卡盘112上的边缘环FRX和覆盖环CRX搬出的情况下,如图24所示,使多个支承销531、541上升。由此,能够利用多个支承销531将边缘环FRX抬起,并且利用多个支承销541将覆盖环CRX抬起,利用搬运机器人TR1、TR2将边缘环FRX和覆盖环CRX同时搬出。
另外,在该升降机构50X中,当在搬运机器人TR1、TR2与基板支承部11之间仅进行边缘环FRX的交接的情况下,使多个支承销531升降。例如,在利用搬运机器人TR1、TR2仅将载置于静电卡盘112上的边缘环FRX搬出的情况下,如图25所示,使多个支承销531上升。由此,利用多个支承销531仅将边缘环FRX抬起,从而能够利用搬运机器人TR1、TR2单独地搬出边缘环FRX。
此外,在上述的实施方式中,边缘环FR、FRX和覆盖环CR、CRX为环状构件的一例,边缘环FR、FRX为内侧环的一例,覆盖环CR、CRX为外侧环的一例。另外,搬运机器人TR1、TR2为搬运装置的一例。另外,支承销521为第1支承销的一例,支承销511为第2支承销的一例,支承销531为第3支承销的一例,支承销541为第4支承销的一例。
应当认为本次所公开的实施方式在所有方面为例示而非限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附权利要求书和其主旨的情况下,以各种方式进行省略、替换、变更。
在上述的实施方式中,作为使边缘环FR和/或覆盖环CR升降的机构,对升降机构50和升降机构50X进行了说明,但并不限定于此。例如,在边缘环FR的外周部和覆盖环CR的内周部重叠的情况下,通过在覆盖环CR形成贯通孔,并且利用具有第1保持部和第2保持部的支承销,能够使边缘环FR和覆盖环CR独立地升降,该第1保持部嵌合于该贯通孔,该第2保持部连接于该第1保持部的轴向并具有自第1保持部的外周突出的突出部。例如,使第1保持部贯通于覆盖环CR的贯通孔,并使第1保持部的顶端与边缘环FR的背面抵接,从而能够单独地抬起边缘环FR。另外,例如,使第1保持部贯通于覆盖环CR的贯通孔,并使第2保持部的突出部与覆盖环CR的下表面抵接,从而能够单独地抬起覆盖环CR。此外,该结构的详细情况记载于美国专利申请公开第2020/0219753号说明书。
在上述的实施方式中,对在收纳模块与处理模块之间搬运边缘环的情况进行了说明,但本公开不限于此。例如,也同样能够应用于搬运安装于处理模块内的其他消耗构件例如覆盖环、上部电极的顶板等来代替边缘环的情况。
Claims (10)
1.一种收纳容器,其是收纳在外周和内周的至少一者具有缺口的环状构件的容器,其中,
所述收纳容器具有载置所述环状构件的底板,
所述底板具有多个导销,该多个导销自所述底板突出,对所述环状构件进行定位,
所述多个导销包括与所述缺口卡合的销。
2.根据权利要求1所述的收纳容器,其中,
所述底板设成多层。
3.根据权利要求1或2所述的收纳容器,其中,
所述底板包括:
载置面,其载置所述环状构件;以及
叉插入槽,其相对于所述载置面凹陷,且供搬运所述环状构件的搬运机器人的叉插入。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的收纳容器,其中,
所述多个导销具有顶端尖细的圆锥状。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的收纳容器,其中,
所述多个导销通过与所述环状构件的所述外周接触而对该环状构件进行定位。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的收纳容器,其中,
所述多个导销通过与所述环状构件的所述内周接触而对该环状构件进行定位。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的收纳容器,其中,
所述环状构件是在等离子体处理时配置于基板的周围的构件。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的收纳容器,其中,
所述环状构件具有在周向上相互分开的多个缺口,
所述多个导销包括与所述多个缺口分别卡合的多个销。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的收纳容器,其中,
所述缺口在俯视时具有字母V形状。
10.一种处理系统,其中,
所述处理系统具备:
收纳模块,其包括收纳容器,该收纳容器收纳在外周和内周的至少一者具有缺口的环状构件;以及
真空搬运模块,其与所述收纳模块连接,具有向所述收纳容器搬运所述环状构件的搬运机器人,
所述收纳容器具有:
底板,其载置所述环状构件;以及
多个导销,其自所述底板突出,对所述环状构件进行定位,
所述多个导销包括与所述缺口卡合的销。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021014289A JP2022117671A (ja) | 2021-02-01 | 2021-02-01 | 収納容器及び処理システム |
JP2021-014289 | 2021-02-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114843168A true CN114843168A (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=82562620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210087175.5A Pending CN114843168A (zh) | 2021-02-01 | 2022-01-25 | 收纳容器和处理系统 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220243336A1 (zh) |
JP (1) | JP2022117671A (zh) |
KR (1) | KR20220111197A (zh) |
CN (1) | CN114843168A (zh) |
TW (1) | TW202236493A (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7503951B2 (ja) * | 2020-07-17 | 2024-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理装置、石英部材及びプラズマ処理方法 |
WO2024071020A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び搬送方法 |
WO2024071130A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
WO2024075592A1 (ja) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、および搬送方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6217663B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-04-17 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TWI268265B (en) * | 2004-08-13 | 2006-12-11 | Au Optronics Corp | Glass substrate cassette |
JP2014007344A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 収容カセット |
JP7134104B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
US11823937B2 (en) * | 2019-08-19 | 2023-11-21 | Applied Materials, Inc. | Calibration of an aligner station of a processing system |
KR102652834B1 (ko) * | 2020-08-07 | 2024-04-02 | 세메스 주식회사 | 용기 및 기판 처리 장치 |
KR102523364B1 (ko) * | 2020-10-07 | 2023-04-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2022103995A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 株式会社ディスコ | テープマウンタ |
-
2021
- 2021-02-01 JP JP2021014289A patent/JP2022117671A/ja active Pending
-
2022
- 2022-01-18 TW TW111102022A patent/TW202236493A/zh unknown
- 2022-01-25 CN CN202210087175.5A patent/CN114843168A/zh active Pending
- 2022-01-27 KR KR1020220012428A patent/KR20220111197A/ko unknown
- 2022-02-01 US US17/589,907 patent/US20220243336A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220243336A1 (en) | 2022-08-04 |
KR20220111197A (ko) | 2022-08-09 |
TW202236493A (zh) | 2022-09-16 |
JP2022117671A (ja) | 2022-08-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |