CN114256050A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于处理基板的装置，该装置包括处理基板的工艺腔室、容纳待传输至工艺腔室中的环状构件的缓冲模块、以及具有内部空间的装载锁定腔室。缓冲模块包括缓冲腔室，缓冲腔室具有缓冲空间，环状构件容纳在该缓冲空间中；支承架；该支承架支承缓冲空间中的环状构件；以及移动支承架的驱动构件。

Description

用于处理基板的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年09月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0123002的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。
背景技术
等离子体是指含有离子、基团以及电子的物质的离子化气体状态。通过将中性气体加热至非常高的温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场来产生等离子体。半导体元件制造工艺可以包括使用等离子体除去基板(诸如，晶圆)上的薄膜的蚀刻工艺。蚀刻工艺是通过等离子体中包含的离子和/或基团与基板上的薄膜碰撞或反应来执行的。
使用等离子体处理基板的装置包括真空气氛下的工艺腔室、在工艺腔室中支承基板的支承卡盘、以及围绕位于支承卡盘上的基板的聚焦环。聚焦环被安装以将等离子体均匀分布在基板的表面上，并且通过等离子与基板一起被蚀刻。当在基板上重复执行蚀刻工艺时，聚焦环也一起被蚀刻使得聚焦环的形状逐渐改变。由于聚焦环形状的改变，离子和/或基团入射至基板上的方向发生了改变，从而改变基板的蚀刻特性。因此，当在预定数量或更多的基板上执行蚀刻工艺时，或者当聚焦环变形而偏离允许范围时，需要更换聚焦环。
图1为示出了在常规的基板处理装置中传输聚焦环的传输顺序的视图。参照图1，常规的基板处理装置10包括：装载端口11，载体位于该装载端口11上，该载体具有容纳在其中的基板(例如，晶圆)或聚焦环；大气压力腔室13，该大气压力腔室13的内部保持在大气压力气氛中；第一传输机械手14，该第一传输机械手14设置在大气压力腔室13中并且将位于装载端口11上的载体中的基板或聚焦环传输至装载锁定腔室15；装载锁定腔室15，该装载锁定腔室15的内侧在大气压力气氛与真空气氛之间切换；真空腔室16，该真空腔室16的内侧保持在真空气氛中；以及第二传输机械手17，该第二机械手17设置在真空腔室16中并且将基板或聚焦环从装载锁定腔室15传输至处理基板的工艺腔室18。
如图1所示，将聚焦环装载至工艺腔室18中的传输顺序包括：第一步骤，该第一步骤将位于装载端口11上的载体中容纳的聚焦环卸载至大气压腔室13；第二步骤，该第二步骤将卸载至大气压力腔室13的聚焦环装载至装载锁定腔室15中；第三步骤，该第三步骤将装载至装载锁定腔室15中的聚焦环卸载至真空腔室16；以及第四步骤，该第四步骤将卸载至真空腔室16的聚焦环装载至工艺腔室18中。将聚焦环从工艺腔室18卸载的传输顺序以四个步骤的相反顺序执行。也就是说，常规的聚焦环的更换顺序是非常复杂的。由于这样，更换聚焦环所花费的时间可能会增加，这可能导致每小时可以处理的基板数量减少。此外，由于通过多个步骤更换聚焦环，因此传输聚焦环的精度可能会降低。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于增加每小时可以处理的基板的数量。
此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于改善传输环状构件的精度。
此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于简化环状构件的传输顺序。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据一实施方案，一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，该工艺腔室处理基板；缓冲模块，该缓冲模块容纳待传输至工艺腔室中的环状构件；以及装载锁定腔室，该装载锁定腔室具有内部空间。缓冲模块包括：缓冲腔室，该缓冲腔室具有缓冲空间，环状构件容纳在缓冲空间中；支承架，该支承架支承缓冲空间中的环状构件；以及驱动构件，该驱动构件移动支承架。
根据一实施方案，驱动构件可以移动支承架，使得支承在支承架上的环状构件在缓冲空间与内部空间之间移动。
根据一实施方案，该装置还可以包括控制器以及传输机械手，该传输机械手在装载锁定腔室与工艺腔室之间传输基板或环状构件。控制器可以控制传输机械手和驱动构件，使得环状构件从缓冲空间移动至内部空间、并且传输机械手从内部空间卸载环状构件并将环状构件传输至工艺腔室中。
根据一实施方案，缓冲腔室可以具有开口，环状构件通过该开口进入和退出缓冲腔室，并且缓冲模块还可以包括选择性地打开和关闭开口的门。
根据一实施方案，该装置还可以包括截止阀，该截止阀设置在缓冲腔室与装载锁定腔室之间、并且选择性地流体连接缓冲空间和内部空间。
根据一实施方案，缓冲腔室和装载锁定腔室可以设置在上/下方向上。
根据一实施方案，装载锁定腔室可以设置在缓冲腔室下方。
根据一实施方案，缓冲模块可以包括：气体供应单元，该气体供应单元将惰性气体供应至缓冲空间中；以及减压管线，该减压管线向缓冲空间提供减压。
根据一实施方案，该装置还可以包括：装载锁定模块，该装载锁定模块包括装载锁定腔室、将惰性气体供应至内部空间中的气体供应管线、以及向内部空间提供减压的减压管线。
根据一实施方案，支承架可以包括：支承部件，该支承部件支承环状构件的下表面；以及对准销，该对准销插入至形成在环状构件的下表面上的对准凹槽中。
根据一实施方案，一种用于处理基板的装置，该装置包括：工艺腔室，该工艺腔室使用等离子体处理基板；缓冲腔室，该缓冲腔室具有缓冲空间，在该缓冲空间中容纳待传输至工艺腔室中的环状构件；装载锁定腔室，该装载锁定腔室具有内部空间，该内部空间的压力在真空气氛与大气气氛之间切换；支承架，该支承架支承缓冲空间中的环状构件；以及驱动构件，该驱动构件在内部空间与缓冲空间之间移动环状构件。
根据一实施方案，驱动构件可以与支承架耦合。
根据一实施方案，该装置还可以包括截止阀，该截止阀设置在缓冲腔室与装载锁定腔室之间、并且选择性地流体连接缓冲空间和内部空间。
根据一实施方案，该装置还可以包括控制器，并且该控制器可以控制截止阀和驱动构件，使得打开截止阀以流体连接缓冲空间和内部空间、并且驱动构件移动支承架以将环状构件从缓冲空间移动至内部空间。
根据一实施方案，该装置还可以包括传输机械手，该传输机械手在装载锁定腔室与工艺腔室之间传输基板或环状构件。控制器可以控制传输机械手和驱动构件、以将移动至内部空间中的环状构件从内部空间卸载并将环状构件传输至工艺腔室中。
根据一实施方案，该装置还可以包括：第一气体供应管线，该第一气体供应管线将气体供应至内部空间中；第一减压管线，该第一减压管线向内部空间提供减压；第二气体供应管线，该第二气体供应管线将气体供应至缓冲空间；以及第二减压管线，该第二减压管线向缓冲空间提供减压。
根据一实施方案，支承架可以包括支承部件，该支承部件支承环状构件的下表面；以及对准销，该对准销插入至形成在环状构件的下表面上的对准凹槽中。
根据一实施方案，一种用于处理基板的装置包括：索引单元，该索引单元具有装载端口，载体位于该装载端口上，该载体具有容纳在其中的基板；以及工艺单元，该工艺单元具有工艺腔室，该工艺腔室使用等离子体处理基板并配备有环状构件。索引单元包括：索引腔室，该索引腔室设置在装载端口与工艺单元之间，索引腔室的内侧保持在大气气氛中；以及第一传输机械手，该第一传输机械手将容纳在载体中的基板传输至工艺单元。工艺单元包括：装载锁定腔室，该装载锁定腔室具有内部空间，该内部空间的压力在真空气氛与大气气氛之间切换；缓冲腔室，该缓冲腔室设置在装载锁定腔室上方并且具有缓冲空间，环状构件容纳在该缓冲腔室中；第二传输机械手，该第二传输机械手从装载锁定腔室卸载基板或环状构件，并将基板或环状构件传输至工艺腔室中；支承架，该支承架支承缓冲空间中的环状构件；以及驱动构件，该驱动构件移动支承架。
根据一实施方案，驱动构件可以移动支承架，使得支承在支承架上的环状构件在缓冲空间与内部空间之间移动。
根据一实施方案，缓冲腔室可以具有开口，环状构件通过该开口进入和退出缓冲腔室，并且该装置还可以包括选择性地打开和关闭开口的门。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且附图中：
图1是示出了在常规基板处理装置中传输聚焦环的传输顺序的视图；
图2是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意图；
图3是示出了图2的装载锁定模块和缓冲模块的视图；
图4是示出了基板位于图3的支承构件上的状态的示意图；
图5是示出了环状构件位于图3的支承构件上的状态的示意图；
图6是示出了环状构件位于图3的支承架上的视图；
图7是示出了图3的驱动构件移动环状构件的状态的示意图；以及
图8是示出了在根据本发明构思的实施方案的基板处理装置中传输环状构件的传输顺序的视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方式，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方式。此外，在描述本发明构思的实施方式时，当与已知的功能或配置相关的详细描述可能使得本发明构思的主题不必要地难以理解时，该详细描述被省略。另外，在整个附图中，执行相似的功能和操作的组件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包含(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应的组件，并且除非另有特别的说明，否则不排除但可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括”、“包含”和“具有”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，组件的形状和尺寸可被夸大以为了清楚的说明。
在下文中，将参照图2至图8详细描述本发明构思的实施方案。
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意图。参照图2，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1000包括索引单元100、工艺单元300和控制器500。当从上方观察时，索引单元100和工艺单元300可以布置在第一方向X上。在下文中，当从上方观察时，垂直于第一方向X的方向定义为第二方向Y。此外，垂直于第一方向X和第二方向Y的方向定义为第三方向Z。本文中，第三方向Z可以指垂直于地面的方向。
索引模块100可以包括装载端口110、索引腔室130和第一传输机械手150。
载体200可以位于装载端口110上。待传输至工艺单元300的基板W(例如，晶圆)可以容纳在位于装载端口110上的至少一些载体200中。载体200可以通过载体传输装置传输并且装载至装载端口110上，或者可以从装载端口110卸载并传输。载体传输装置可以是高架传输装置(overhead transport apparatus，OHT)。然而，本发明构思不限于此，载体200可以由用于传输载体200的各种装置来传输。此外，操作者可以直接将载体200装载至装载端口110上，或者可以直接从装载端口110卸载载体200。
索引腔室130可以设置在装载端口110与工艺单元300之间。索引腔室130的内部可以保持在大气气氛下。第一传输机械手150可以设置在索引腔室130中。第一传输机械手150可以将容纳在载体200中的基板W传输至装载锁定腔室311(将在下面描述)的内部空间312中。
工艺单元300可以包括装载锁定模块310、截止阀320、缓冲模块330、闸阀351和闸阀352、传输腔室360、第二传输机械手370以及工艺腔室380。
传输腔室360可以设置在装载锁定模块310与工艺腔室380之间。传输腔室360的内部可以保持在真空气氛中。第二传输机械手370可以设置在传输腔室360中。第二传输机械手370可以在装载锁定模块310与工艺腔室380之间传输基板W或环状构件FR。如图2所示，第二传输机械手370可以沿着传输腔室360中的轨道或导轨移动。与图2所示的不同，第二传输机械手370可以在不移动的情况下与耦合至传输腔室360的所有工艺腔室380接近。
在一实施方案中，多个传输模块可以被耦合，使得传输腔室360以模块化形式实施。在图2中所示的传输腔室360可以是一个传输模块。虽然图2中未示出，额外的模块化传输模块可以耦合至传输腔室360。一个或多个传输腔室360可以耦合至一个传输模块。传输模块的数量和耦合至传输模块的传输腔室360的数量不限于图2所示的实施方案。当多个传输模块耦合时，第二传输机械手370可以在多个传输模块中移动。可以设置一个或多个第二传输机械手370。第二传输机械手370可以设置在各个传输模块中。
一个或多个工艺腔室380可以连接至传输腔室360。工艺腔室380可以是在基板W上执行工艺的腔室。例如，工艺腔室380可以是通过将处理液体分配至基板W上来处理基板W的液体处理腔室。或者，工艺腔室380可以是通过使用等离子体处理基板W的等离子体腔室。在另一种情况下，一些工艺腔室380可以是通过将处理液体分配至基板W上来处理基板W的液体处理腔室，而其他工艺腔室380可以是通过使用等离子体来处理基板W的等离子体腔室。然而，不限于此，在工艺腔室380中执行的基板处理工艺可以利用众所周知的基板处理工艺进行各种修改。当腔室380是通过使用等离子体处理基板W的等离子体腔室时，等离子体腔室可以是执行通过使用等离子体除去基板W上的薄膜的蚀刻工艺或灰化工艺的腔室。然而，不限于此，在工艺腔室380中执行的等离子体处理工艺可以利用众所周知的等离子体处理工艺进行各种修改。
控制器500可以控制基板处理装置1000。控制器500可以包括工艺控制器、用户界面和存储单元。工艺控制器可以用执行基板处理装置1000的控制的微处理器(计算机)来实现。用户界面可包括：键盘，操作者通过键盘输入命令以管理基板处理装置1000；或显示器，该显示器可视化地显示基板处理装置1000的操作状态。存储单元可以存储工艺配方(process recipe)，例如，用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理装置1000中执行的工艺的控制程序，或用于使每个部件根据各种类型的数据和工艺条件执行工艺的程序。用户界面和存储单元可以连接至工艺控制器。工艺配方可以存储在存储单元的存储介质中。存储介质可以是硬盘、便携式磁盘(例如，CD-ROM、DVD等)、或者半导体存储器(例如，闪存等)。
控制器500可以控制基板处理装置1000以在基板W上执行处理工艺。例如，控制器500可以控制基板处理装置1000、以从载体200卸载待处理的基板W并且将卸载的基板W传输至工艺腔室380中，该载体200在其中容纳有基板W。
此外，当在工艺腔室380中处理预定数量的基板W、或者工艺腔室380中的环状构件FR变形为偏离允许范围时，控制器500可以控制基板处理装置1000以更换工艺腔室380中的环状构件FR。例如，控制器500可以控制第二传输机械手370、以从工艺腔室380卸载使用过的环状构件FR。此外，控制器500可以控制第二传输机械手370、以将从工艺腔室380卸载的、使用过的环状构件FR传输至装载锁定模块310中。此外，控制器500可以控制第二传输机械手370、以将未使用的环状构件FR从装载锁定模块310传输至工艺腔室380中。
在下文中，将详细描述根据本发明构思的实施方案的装载锁定模块310、截止阀320和缓冲模块330。
图3是示出了图2的装载锁定模块和缓冲模块的视图。参照图3，装载锁定模块310可以包括装载锁定腔室211、第一气体供应管线313、第一气体供应源314、第一减压管线315、第一减压构件316和支承构件317。装载锁定模块310可以设置内部空间312，在该内部空间312中临时储存基板W，使得将从具有大气气氛的索引腔室130传输的基板W传输至具有真空气氛的传输腔室360。
装载锁定腔室311可以具有内部空间312。内部空间312可以是临时存储基板W和/或环状构件FR的空间。基板W可以是晶圆。或者，基板W可以指基板型传感器。基板型传感器可以装载至工艺腔室380中且可以监控在工艺腔室380中执行的工艺。环状构件FR可以是设置在工艺腔室380中的工艺套件(process kit)。环状构件FR可以是聚焦环。或者，环状构件FR可以是石英环(或，绝缘环)。
与第一气体供应源314连接的第一气体供应管线313可以将气体供应至内部空间312中。由第一气体供应管线313供应的气体可以是惰性气体。惰性气体可以是含有氮气或氩气的气体。然而，不限于此，惰性气体可以利用众所周知的惰性气体进行各种改变。与第一减压构件316连接的第一减压管线315可以向内部空间312提供减压。第一减压构件316可以是泵。然而，不限于此，第一减压构件316可以利用能够提供减压的各种众所周知的装置来实现。由于第一气体供应管线313将气体供应至内部空间312中，并且第一减压构件316向内部空间312提供减压，所以内部空间312中的压力可以在真空气氛与大气气氛之间切换。
装载锁定腔室311可以具有形成在其前部和后部的开口。形成在装载锁定腔室311前部处的开口可以是与传输腔室360相邻的开口。形成在装载锁定腔室311后部处的开口可以是与索引腔室130相邻的开口。形成在装载锁定腔室311前部和后部处的开口可以分别通过闸阀351和闸阀352选择性地打开和关闭。例如，如图2所示，形成在装载锁定腔室311前部处的开口可以通过第一闸阀351选择性地打开和关闭。形成在装载锁定腔室311后部处的开口可以通过第二闸阀352选择性地打开和关闭。
再次参照图3，支承构件317可以支承基板W。支承构件317可以支承内部空间312中的基板W。第一衬垫318和第二衬垫319可以设置在支承构件317的上表面上。第二衬垫319可以位于比第一衬垫318更远离支承在支承构件317上的基板W的中心的位置。可以设置一个或多个支承构件317。例如，可以设置多个支承构件317。例如，如图4所示，三个支承构件317可以支承基板W的下表面。当基板W(例如，晶圆)由支承构件317支承时，基板W的下表面可以与第一衬垫318接触。此外，如图5所示，当环状构件FR由支承构件317支承时，环状构件FR的下表面可以与第二衬垫319接触。也就是说，因为根据本发明构思的实施方式第一衬垫318和第二衬垫319设置在支承构件317的上表面上，所以支承构件317可以选择性地支承基板W或环状构件FR。
再次参照图3，缓冲模块330可以包括缓冲腔室331、第二气体供应管线333、第二气体供应源334、第二减压管线335、第二减压构件336、支承架337、驱动构件342和门340。缓冲模块330可以容纳待传输至工艺腔室380中的环状构件FR。
缓冲腔室331可以具有缓冲空间332。缓冲空间332可以是容纳环状构件FR的空间。与第二气体供应源334连接的第二气体供应管线333可以将气体供应至缓冲空间332中。由第二气体供应管线333供应的气体可以是惰性气体。惰性气体可以是含有氮气或氩气的气体。然而，不限于此，惰性气体可以利用众所周知的惰性气体进行各种改变。与第二减压构件336连接的第二减压管线335可以向缓冲空间332提供减压。第二减压构件可以是泵。然而，不限于此，第二减压构件336可以利用能够提供减压的各种众所周知的装置来实现。由于第二气体供应管线333将气体供应至缓冲空间332中、并且第二减压构件336向缓冲空间332提供减压，所以缓冲空间332中的压力可以在真空气氛与大气气氛之间切换。
支承架337可以支承缓冲空间332中的环状构件FR。支承架337可以在上/下方向上延伸并可以包括一个或多个支承部件338。例如，支承架337可以包括多个支承部件338。支承部件338可以支承环状构件FR的下表面。支承架337可以包括对准销339。对准销339可以插入至形成在环状构件FR的下表面上的对准凹槽G中(参见图6)。用户可以打开门340，该门340能够选择性地打开和关闭开口，该开口形成在缓冲腔室331的侧壁中，且环状构件FR通过该开口进入和退出缓冲腔室331。用户可以将环状构件FR装载至缓冲空间332中、并且可以将环状构件FR放置在支承架337上。此时，对准销339可以插入至环状构件FR的对准凹槽G中。也就是说，不考虑用户的熟练程度，环状构件FR的位置可以适当地对准，因此可以更准确地传输环状构件FR。
驱动构件342可以移动支承架337。驱动构件342可以与支承架337耦合。驱动构件342可以移动支承架337，使得支承在支承架337上的环状构件FR在缓冲空间332与内部空间312之间移动。驱动构件342可以是移动支承架337的LM导轨。然而，不限于此，驱动构件342可以利用向上、向下移动支承架337的各种众所周知的装置来实现。
装载锁定腔室311和缓冲腔室331可以在上/下方向上设置。例如，缓冲腔室331可以设置在装载锁定腔室311上方。截止阀320可以设置在缓冲腔室331与装载锁定腔室311之间。截止阀320可以选择性地流体连接缓冲腔室331的缓冲空间332和装载锁定腔室311的内部空间312。例如，当将基板W装载至装载锁定腔室311的内部空间312中时，截止阀320可以将缓冲空间332和内部空间312彼此隔离。此外，当更换环状构件FR时，截止阀320可以流体地连接缓冲空间332和内部空间312。因此，支承架337可以向下移动以将环状构件FR从缓冲空间332移动至内部空间312。
图7是示出了图3的驱动构件移动环状构件的状态的视图，并且图8是示出了在根据本发明构思的实施方案的基板处理装置中传输的环状构件的传输顺序的视图。下文中，将参考图7和图8详细地描述根据本发明构思的实施方案的环状构件的传输顺序。为了执行将在下面描述的传输顺序，控制器500可以控制基板处理装置1000。例如，为了执行将在下面描述的传输顺序，控制器500可以控制装载锁定模块310、缓冲模块330、闸阀351和闸阀352、传输腔室360、第二传输机械手370和工艺腔室380。此外，为了执行将在下面描述的传输顺序，控制器500可以控制驱动构件342、截止阀320、第一气体供应源314、第一减压构件316、第二气体供应源334，以及第二减压构件336。
首先，将描述环状构件FR被装载至工艺腔室380中的传输顺序。
在用户将环状构件FR装载至缓冲腔室331中之前，缓冲空间332中的压力可以切换至大气压状态。例如，在用户将环状构件FR装载至缓冲腔室331中之前，第二气体供应源334可以将气体供应至缓冲空间332中并且可以将缓冲空间332中的压力切换至大气压状态。此时，可以关闭截止阀320以将缓冲空间332和内部空间312彼此隔离。
当缓冲空间332中的压力完全切换至大气压状态时，用户可以打开门340并且可以将环状构件FR装载至缓冲空间332中。装载的环状构件FR可以放置在支承架337的支承部件338上。如上所述，对准销339可以设置在支承架337上。对准销339可以插入至形成在环状构件FR上的对准凹槽G中。因此，用户可以仅通过将对齐凹槽G安装在对齐销339上来将环状构件FR定位在正确的位置。
当将环状构件FR完全装载至缓冲空间332中时，缓冲空间332中的压力可以切换至真空气氛。例如，当将环状构件FR完全装载至缓冲空间332中时，第二减压构件336可以向缓冲空间332提供减压、以将缓冲空间332的气氛切换为真空气氛。
当缓冲空间332的气氛切换至真空气氛时，闸阀320可以流体地连接缓冲空间332和内部空间312。
当闸阀320流体连接缓冲空间332和内部空间312时，驱动构件342可以移动支承架337。具体地，驱动构件342可以向下移动支承架337以将环状构件FR从缓冲空间332移动至内部空间312。
当环状构件FR从缓冲空间332移动至内部空间312时，可以打开第一闸阀351。此后，第二传输机械手370可以从内部空间312卸载环状构件FR、并可以将环状构件FR传输至工艺腔室380中。
从工艺腔室380卸载环状构件FR的传输顺序可以按照与上述实施方案相反的顺序执行。然而，当将在工艺腔室380中使用的环状构件FR装载至缓冲腔室331中时，使用过的环状构件FR可以被传输至比支承在支承部件338上的未使用的环状构件FR更低的位置并且可以由支承架337支承。这是为了使附着于使用过的环状构件FR的杂质向未使用的环状构件FR的传输最小化。
根据本发明构思的实施方案的环状构件FR的传输顺序包括：将环状构件FR从装载锁定腔室311卸载至传输腔室360(第一步骤)、以及将卸载至传输腔室360的环状构件FR装载至工艺腔室380中(第二步骤)。相反地，如图1所示，在常规基板处理装置中环状构件FR的传输顺序包括：从载体200卸载环状构件FR(第一步骤)，将环状构件FR装载至装载锁定腔室311中(第二步骤)，将环状构件FR卸载至传输腔室360中(第三步骤)，以及将环状构件FR装载至工艺腔室380中(第四步骤)。换言之，在常规基板处理装置中，直到将环状构件FR装载至工艺腔室380，总共执行了四个步骤。
根据本发明构思的实施方案，省略了从载体200卸载环状构件FR的过程和将环状构件FR从索引腔室130装载至装载锁定腔室311的过程，因此可以进一步简化环状构件FR的传输顺序。由于简化了环状构件FR的传输顺序，所以可以改善传输环状构件FR中的精度。此外，可以增加在基板处理装置1000中每小时可以处理的基板W的数量。
根据本发明构思的实施方案，基板处理装置可以增加每小时可以处理的基板的数量。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板处理装置可以改善传输环状构件中的精度。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板处理装置可以简化环状构件的传输顺序。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室配置为处理所述基板；
缓冲模块，所述缓冲模块配置为容纳待传输至所述工艺腔室中的环状构件；以及
装载锁定腔室，所述装载锁定腔室具有内部空间；
其中，所述缓冲模块包括：
缓冲腔室，所述缓冲腔室具有缓冲空间，所述环状构件容纳在所述缓冲空间中；
支承架，所述支承架配置为支承所述缓冲空间中的所述环状构件；以及
驱动构件，所述驱动构件配置为移动所述支承架。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述驱动构件移动所述支承架，使得支承在所述支承架上的所述环状构件在所述缓冲空间与所述内部空间之间移动。
3.根据权利要求2所述的装置，所述装置还包括：
控制器；以及
传输机械手，所述传输机械手配置为在所述装载锁定腔室与所述工艺腔室之间传输所述基板或所述环状构件，
其中，所述控制器控制所述传输机械手和所述驱动构件，使得所述环状构件从所述缓冲空间移动至所述内部空间、并且所述传输机械手从所述内部空间卸载所述环状构件并将所述环状构件传输至所述工艺腔室中。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述缓冲腔室具有开口，所述环状构件通过所述开口进入和退出所述缓冲腔室，并且
其中，所述缓冲模块还包括配置为选择性地打开和关闭所述开口的门。
5.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括：
截止阀，所述截止阀设置在所述缓冲腔室与所述装载锁定腔室之间、并配置为选择性地流体连接所述缓冲空间与所述内部空间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，所述缓冲腔室和所述装载锁定腔室设置在上/下方向上。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述装载锁定腔室设置在所述缓冲腔室的下方。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，所述缓冲模块包括：
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将惰性气体供应至所述缓冲空间中；以及
减压管线，所述减压管线配置为向所述缓冲空间提供减压。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，所述装置还包括：
装载锁定模块，所述装载锁定模块包括装载锁定腔室、配置为将惰性气体供应至所述内部空间中的气体供应管线、以及配置为向所述内部空间提供减压的减压管线。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，所述支承架包括：
支承部件，所述支承部件配置为支承所述环状构件的下表面；以及
对准销，所述对准销插入至形成在所述环状构件的所述下表面上的对准凹槽中。
11.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室配置为使用等离子体处理所述基板；
缓冲腔室，所述缓冲腔室具有缓冲空间，在所述缓冲空间中容纳待传输至所述工艺腔室中的环状构件；
装载锁定腔室，所述装载锁定腔室具有内部空间，所述内部空间的压力在真空气氛与大气气氛之间切换；
支承架，所述支承架配置为支承所述缓冲空间中的所述环状构件；以及
驱动构件，所述驱动构件配置为在所述内部空间与所述缓冲空间之间移动所述环状构件。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述驱动构件与所述支承架耦合。
13.根据权利要求11或12所述的装置，所述装置还包括：
截止阀，所述截止阀设置在所述缓冲腔室与所述装载锁定腔室之间、并配置为选择性地流体连接所述缓冲空间和所述内部空间。
14.根据权利要求13所述的装置，所述装置还包括：
控制器，
其中，所述控制器控制所述截止阀和所述驱动构件，使得打开所述截止阀以流体地连接所述缓冲空间和所述内部空间，以及所述驱动构件移动所述支承架以将所述环状构件从所述缓冲空间移动至所述内部空间。
15.根据权利要求14所述的装置，所述装置还包括：
传输机械手，所述传输机械手配置为在所述装载锁定腔室与所述工艺腔室之间传输所述基板或所述环状构件，
其中，所述控制器控制所述传输机械手和所述驱动构件、以将移动至所述内部空间中的所述环状构件从所述内部空间卸载并将所述环状构件传输至所述工艺腔室中。
16.根据权利要求11或12所述的装置，所述装置还包括：
第一气体供应管线，所述第一气体供应管线配置为将气体供应至所述内部空间中；
第一减压管线，所述第一减压管线配置为向所述内部空间提供减压；
第二气体供应管线，所述第二气体供应管线配置为将气体供应至所述缓冲空间中；
第二减压管线，所述第二减压管线配置为向所述缓冲空间提供减压。
17.根据权利要求11或12所述的装置，其中，所述支承架包括：
支承部件，所述支承部件配置为支承所述环状构件的下表面；以及
对准销，所述对准销插入至形成在所述环状构件的所述下表面上的对准凹槽中。
18.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
索引单元，所述索引单元具有装载端口，载体位于所述装载端口上，所述载体具有容纳在其中的所述基板；以及
工艺单元，所述工艺单元具有工艺腔室，所述工艺腔室配置为使用等离子体处理所述基板并配备有环状构件，
其中，所述索引单元包括：
索引腔室，所述索引腔室设置在所述装载端口与所述工艺单元之间，所述索引腔室的内侧保持在大气气氛中；以及
第一传输机械手，所述第一传输机械手配置为将容纳在所述载体中的所述基板传输至所述工艺单元，以及
其中，所述工艺单元包括：
装载锁定腔室，所述装载锁定腔室具有内部空间，所述内部空间的压力在真空气氛与大气气氛之间切换；
缓冲腔室，所述缓冲腔室设置在所述装载锁定腔室的上方，所述缓冲腔室具有缓冲空间，所述环状构件容纳在所述缓冲空间中；
第二传输机械手，所述第二传输机械手配置为从所述装载锁定腔室卸载所述基板或所述环状构件、并将所述基板或所述环状构件传输至所述工艺腔室中；
支承架，所述支承架配置为支承所述缓冲空间中的所述环状构件；以及
驱动构件，所述驱动构件配置为移动所述支承架。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述驱动构件移动所述支承架，使得支承在所述支承架上的所述环状构件在所述缓冲空间与所述内部空间之间移动。
20.根据权利要求18或19所述的装置，其中，所述缓冲腔室具有开口，所述环状构件通过所述开口进入和退出所述缓冲腔室，并且
其中，所述装置还包括配置为选择性地打开和关闭所述开口的门。
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