KR20130109680A - 기판 처리를 위한 클러스터 설비 - Google Patents

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KR20130109680A
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Abstract

본 발명은 기판 처리를 위한 클러스터 설비를 제공한다. 본 발명의 클러스터 설비는 내부공간에 기판 반송을 위한 제1반송 장치가 구비된 인덱스 챔버; 상기 인덱스 챔버의 전면에 설치되고, 기판들이 적재된 카세트가 놓여지는 로드 포트들; 상기 인덱스 챔버의 측면에 연결되고, 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈; 상기 인덱스 챔버의 후면에 연결되고, 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능한 제1로드락 챔버들; 상기 제1로드락 챔버들과 연결되고, 기판 반송을 위한 제2반송장치가 구비된 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되고, 기판들이 배치식으로 적재되는 보우트가 구비된 제2로드락 챔버들; 및 상기 제2로드락 챔버들 각각의 상부에 배치되고 상기 보우트에 적재된 기판들을 공정 처리하는 프로세스 챔버들을 포함한다.

Description

기판 처리를 위한 클러스터 설비{Cluster Apparatus for processing a substrate}
본 발명은 기판 처리를 위한 클러스터 설비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는, 기판인 웨이퍼(wafer) 상에 여러 가지 물질을 박막형태로 증착하고 이를 패터닝하여 구현되며, 이를 위하여 증착공정, 식각공정, 세정공정, 건조공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다. 이러한 각각의 공정에서 처리 대상물인 웨이퍼는 해당공정의 진행에 최적의 환경을 가지고 있는 프로세스(process)모듈에서 처리된다.
이와 같이 피(被)처리체인 웨이퍼를 프로세스 모듈로 이송 또는 회송하여 공정 프로세스를 진행할 수 있도록 하는 복합형 장치를 클러스터 장치(Cluster Apparatus)라 한다.
기존 클러스터 장치는 프로세스 모듈에서 한 장의 웨이퍼를 서셉터에 올려놓은 상태에서 공정을 진행하기 때문에 복수의 웨이퍼 처리가 불가능하여 생산성이 떨어진다. 또한, 웨이퍼가 대구경, 대형화되면서 이러한 클러스터 장치의 크기 또한 증가하고 있는바 클러스터 장치의 설치 면적을 감소시키기 위한 노력이 시도되고 있다.
본 발명의 실시예들은 생산성을 높일 수 있는 클러스터 설비를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 배치식으로 기판을 처리할 수 있는 클러스터 설비를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판들이 적재된 카세트가 놓여지는 로드 포트들을 갖는 설비 전방 단부 모듈; 상기 설비 전방 단부 모듈과는 게이트밸브를 통해 연결되고, 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능한 제1로드락 챔버; 상기 제1로드락 챔버와는 게이트밸브를 통해 연결되며, 기판 반송을 위한 반송장치가 구비된 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와는 게이트밸브를 통해 연결되고, 기판들이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛이 구비된 제2로드락 챔버들; 및 상기 제2로드락 챔버들 각각의 상부에 배치되고 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판들을 공정 처리하는 프로세스 챔버들을 포함하는 클러스터 설비가 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 프로세스 챔버는 상기 기판 적재 유닛이 출입할 수 있는 출입구 및 상기 기판 적재 유닛이 수용되는 내부공간을 갖는 반응로; 상기 반응로를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리; 및 상기 반응로 안으로 공정가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버는 진공 상태를 유지할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 클러스터 설비는 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 연결되는 진공 배기부를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 클러스터 설비는 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 간의 교차 오염 방지를 위한 차압 형성 부재를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 차압 형성 부재는 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 설비 전방 단부 모듈은 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈들을 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 설비 전방 단부 모듈은 상기 로드 포트들과 상기 제1로드락 챔버 사이에 배치되어 상기 로드 포트 상에 놓인 카세트와 상기 제1로드락 챔버 간 기판 반송을 위한 반송 장치가 구비된 인덱스 챔버; 및 상기 인덱스 챔버의 측면에 제공되고, 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈을 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기판 적재 유닛은 기판들이 삽입되는 슬롯들을 구비한 보우트를 포함하고, 상기 제2로드락 챔버는 상기 보우트를 상기 반응로의 내부공간으로 로딩/언로딩시키기 위한 승강부재를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 프로세스 챔버들은 기판들에 대해 동일한 공정을 수행하거나 또는 기판들에 대해 서로 다른 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부공간에 기판 반송을 위한 제1반송 장치가 구비된 인덱스 챔버; 상기 인덱스 챔버의 전면에 설치되고, 기판들이 적재된 카세트가 놓여지는 로드 포트들; 상기 인덱스 챔버의 측면에 연결되고, 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈; 상기 인덱스 챔버의 후면에 연결되고, 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능한 제1로드락 챔버들; 상기 제1로드락 챔버들과 연결되고, 기판 반송을 위한 제2반송장치가 구비된 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되고, 기판들이 배치식으로 적재되는 보우트가 구비된 제2로드락 챔버들; 및 상기 제2로드락 챔버들 각각의 상부에 배치되고 상기 보우트에 적재된 기판들을 공정 처리하는 프로세스 챔버들을 포함하는 클러스터 설비가 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 인덱스 챔버와 상기 제1로드락 챔버, 상기 제1로드락 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버 그리고 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버는 게이트밸브를 통해 연결되어, 각각의 챔버 압력을 독립적으로 제어할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 클러스터 설비는 상기 제1로드락 챔버, 상기 트랜스퍼 챔버, 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 연결되는 진공 배기부; 및 상기 제1로드락 챔버, 상기 트랜스퍼 챔버, 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 간의 차압 형성을 위해 각각의 챔버에 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 프로세스 챔버는 상기 기판 적재 유닛이 출입할 수 있는 출입구 및 상기 기판 적재 유닛이 수용되는 내부공간을 갖는 반응로; 상기 반응로를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리; 및 상기 반응로 안으로 공정가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 생산성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실싱예에 의하면, 클러스터 설비에서 배치식으로 기판을 처리할 수 있어 동일 생산량 기준으로 설비 점유면적을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리를 위한 클러스터 설비를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리를 위한 클러스터 설비를 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 변형예에 따른 기판 처리를 위한 클러스터 설비를 나타내는 평면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 클러스터 설비를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리를 위한 클러스터 설비를 나타내는 평면도 및 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리를 위한 클러스터 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(100), 제1로드락 챔버(200)들, 트랜스퍼 챔버(300) 그리고 공정 처리 모듈(400)들을 포함한다.
설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module;EFEM)(100)은 클러스터 설비(1)의 전면에 배치된다. 설비 전방 단부 모듈(100)은 카세트(C)가 로딩 및 언로딩되는 로드 포트(load port)(110)들과, 카세트(C)로부터 기판을 인출하는 기판 이송 로봇(130)이 구비되어 카세트(C)와 제1로드락 챔버(200)들 간에 기판을 이송하도록 인터페이스 하는 인덱스 챔버(120)를 포함한다. 여기서, 기판 이송 로봇(130)은 ATM(Atmosphere)로봇이 사용된다.
인덱스 챔버(120)는 로드 포트(110)들과 제1로드락 챔버(200) 사이에 위치된다. 인덱스 챔버(120)는 전면 패널(122)과 후면 패널(124) 그리고 양측면 패널(126)을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 기판을 이송하기 위한 기판 이송 로봇(130)이 제공된다. 도시하지 않았지만, 인덱스 챔버(120)는 내부 공간으로 입자 오염물이 들어오는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.
인덱스 챔버(120)는 로드락 챔버(200)와 접하는 후면 패널(124)에 로드락 챔버(200)와의 웨이퍼 이송을 위한 통로가 게이트 밸브(GV1)에 의해 개폐된다.
로드 포트(110)들은 인덱스 챔버(120)의 전면 패널(122)상에 일렬로 배치된다. 로드 포트(204)에는 카세트(C)가 로딩 및 언로딩된다. 카세트(C)는 전방이 개방된 몸체와 몸체의 전방을 개폐하는 도어를 갖는 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod)일 수 있다.
인덱스 챔버(120)의 양측면 패널(126)에는 더미 기판 저장부(140)가 제공된다. 더미 기판 저장부(140)는 더미 기판(DW)들이 적층 보관되는 더미 기판 보관용기(142)들을 제공한다. 더미 기판 저장부(140)의 더미 기판 보관용기(142)에 보관되는 더미 기판(DW)들은 공정 처리 모듈(300)에서 기판들이 부족할 경우 사용된다.
제1로드락 챔버(200)는 게이트밸브(GV1)를 통해 설비 전방 단부 모듈(100)과 연결된다. 제1로드락 챔버(200)는 설비 전방 단부 모듈(100)과 트랜스퍼 챔버(300) 사이에 배치된다. 설비 전방 단부 모듈(100)과 트랜스퍼 챔버(300) 사이에는 3개의 제1로드락 챔버(200)가 제공된다. 제1로드락 챔버(200)는 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능하다. 제1로드락 챔버(200)에는 기판이 적재되는 적재용기(210)가 제공된다.
트랜스퍼 챔버(300)는 게이트 밸브(GV2)를 통해 제1로드락 챔버(200)들과 연결된다. 트랜스퍼 챔버(300)는 제1로드락 챔버(200)와 공정 처리 모듈(400) 사이에 배치된다. 트랜스퍼 챔버(300)는 직육면체의 박스 형상을 가지며, 그 내부에는 기판을 이송하기 위한 기판 이송 로봇(330)이 제공된다. 기판 이송 로봇(330)은 제1로드락 챔버(200)와 공정 처리 모듈(400)의 제2로드락 챔버(410)에 구비된 기판 적재 유닛(420)들 간에 기판을 이송한다. 기판 이송 로봇(330)은 1장의 기판 또는 5장의 기판을 반송할 수 있는 앤드 이펙터를 포함할 수 있다. 여기서, 기판 이송 로봇(330)은 진공 환경에서 기판을 이송시킬 수 있는 진공 로봇이 사용된다.
트랜스퍼 챔버(300)에는 3개의 공정 처리 모듈(400)이 게이트 밸브(GV3)를 통해 연결된다. 공정 처리 모듈(400)의 개수는 다양하게 제공될 수 있다. 공정 처리 모듈(400)은 제2로드락 챔버(410)와 프로세스 챔버(450)를 포함한다.
제2로드락 챔버(410)는 게이트 밸브(GV3)를 통해 트랜스퍼 챔버(300)와 연결된다. 제2로드락 챔버(410)에는 기판들이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛(420)과, 기판 적재 유닛(420)을 프로세스 챔버(450)의 반응로(460)의 내부공간으로 로딩/언로딩시키기 위한 승강부재(430)가 제공된다. 기판 적재 유닛(420)은 기판들이 25매, 50매씩 적재될 수 있도록 슬롯들을 구비한 보우트를 포함할 수 있다.
프로세스 챔버(450)는 제2로드락 챔버(410)의 상부에 배치된다. 프로세스 챔버(450)는 반응로(460), 히터 어셈블리(470) 그리고 노즐 유닛(480)을 포함하는 종형 열처리 장치의 구성을 갖는다. 반응로(460)는 기판 적재 유닛(420)가 출입할 수 있는 출입구 및 기판 적재 유닛(420)가 수용되는 내부공간을 갖는다. 히터 어셈블리(470)는 반응로(460)를 둘러싸도록 설치된다. 노즐 유닛(480)은 반응로(460) 안으로 공정가스들을 공급한다.
도 2를 참조하면, 클러스터 설비(1)는 진공배기부(500)와 불활성가스 공급부(600)를 포함한다. 진공배기부(500)는 제1로드락 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300), 제2로드락 챔버(410) 그리고 프로세스 챔버(450) 각각에 연결되어 각 챔버에 진공압을 제공하는 진공라인(510)을 포함한다. 불활성가스 공급부(600)는 제1로드락 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300), 제2로드락 챔버(410) 그리고 프로세스 챔버(450) 간의 차압 형성을 위해 각각의 챔버에 불활성가스를 공급하는 가스 공급라인(610)을 포함한다.
또한, 인덱스 챔버(110)와 제1로드락 챔버(200), 제1로드락 챔버(200)와 트랜스퍼 챔버(300) 그리고 트랜스퍼 챔버(300)와 제2로드락 챔버(410)는 게이트밸브(GV1,GV2,GV3)를 통해 연결되어, 각각의 챔버 압력을 독립적으로 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리를 위한 클러스터 설비는 멀티형 배치 챔버로 구성을 하여 기판 생산성이 우수하다. 특히, 설비 전방 단부 모듈을 제외한 나머지 챔버들은 진공 상태에서 기판을 반송하기 때문에 외기 오염에 대해 안전하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 설비는 프로세스 챔버들을 동일한 공정을 처리하는 장치로 구성하거나 또는 클린(clean) 공정, 데포(depo)공정 그리고 어닐(anneal)공정 등 각기 다른 공정을 연속적으로 진행할 수 있도록 프로세스 챔버들을 서로 다른 공정을 처리하는 장치들로 구성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 변형예에 따른 클러스터 설비를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 클러스터 설비(1a)는 도 1에 도시된 클러스터 설비(1)와 동일한 기능을 갖는 설비 전방 단부 모듈(100), 제1로드락 챔버(200)들, 트랜스퍼 챔버(300) 그리고 공정 처리 모듈(400)들을 포함한다. 다만, 본 변형예에서 트랜스퍼 챔버(300)는 평면에서 바라보았을 때 정사각형으로 이루어지고, 제1로드락 챔버(200)가 연결된 일측면을 제외한 나머지 3개의 측면에 공정 처리 모듈(400)이 각각 배치된 구조를 갖는다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 클러스터 설비는 트랜스퍼 챔버를 직사각형의 기다란 구조 또는 정사각형 구조로 설비 전방 단부 모듈 기준으로 횡방향,종방향 등으로 배치할 수 있으며, 제1로드락 챔버의 반대편 또는 양측면에 배치 타입의 공정 처리 모듈을 배치하여 공정을 진행할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 설비 전방 단부 모듈 200 : 제1로드락 챔버
300 : 트랜스퍼 챔버 400 : 공정 처리 모듈

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 클러스터 설비에 있어서:
    기판들이 적재된 카세트가 놓여지는 로드 포트들을 갖는 설비 전방 단부 모듈(EFEM);
    상기 설비 전방 단부 모듈과는 게이트밸브를 통해 연결되고, 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능한 제1로드락 챔버;
    상기 제1로드락 챔버와는 게이트밸브를 통해 연결되며, 기판 반송을 위한 반송장치가 구비된 트랜스퍼 챔버;
    상기 트랜스퍼 챔버와는 게이트밸브를 통해 연결되고, 기판들이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛이 구비된 제2로드락 챔버들; 및
    상기 제2로드락 챔버들 각각의 상부에 배치되고 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판들을 공정 처리하는 프로세스 챔버들을 포함하는 클러스터 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는
    상기 기판 적재 유닛이 출입할 수 있는 출입구 및 상기 기판 적재 유닛이 수용되는 내부공간을 갖는 반응로;
    상기 반응로를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리; 및
    상기 반응로 안으로 공정가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함하는 클러스터 설비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버는 진공 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 클러스터 설비.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 클러스터 설비는
    상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 연결되는 진공 배기부를 더 포함하는 클러스터 설비.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 클러스터 설비는
    상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 간의 교차 오염 방지를 위한 차압 형성 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클러스터 설비.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 차압 형성 부재는
    상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함하는 클러스터 설비.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 설비 전방 단부 모듈은
    더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈들을 더 포함하는 클러스터 설비.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 설비 전방 단부 모듈은
    상기 로드 포트들과 상기 제1로드락 챔버 사이에 배치되어 상기 로드 포트 상에 놓인 카세트와 상기 제1로드락 챔버 간 기판 반송을 위한 반송 장치가 구비된 인덱스 챔버; 및
    상기 인덱스 챔버의 측면에 제공되고, 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈을 더 포함하는 클러스터 설비.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 적재 유닛은
    기판들이 삽입되는 슬롯들을 구비한 보우트를 포함하고,
    상기 제2로드락 챔버는
    상기 보우트를 상기 반응로의 내부공간으로 로딩/언로딩시키기 위한 승강부재를 더 포함하는 클러스터 설비.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버들은
    기판들에 대해 동일한 공정을 수행하거나 또는 기판들에 대해 서로 다른 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 클러스터 설비.
  11. 클러스터 설비에 있어서:
    내부공간에 기판 반송을 위한 제1반송 장치가 구비된 인덱스 챔버;
    상기 인덱스 챔버의 전면에 설치되고, 기판들이 적재된 카세트가 놓여지는 로드 포트들;
    상기 인덱스 챔버의 측면에 연결되고, 더미 기판들이 저장되어 있는 더미 기판 저장 모듈;
    상기 인덱스 챔버의 후면에 연결되고, 내부공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능한 제1로드락 챔버들;
    상기 제1로드락 챔버들과 연결되고, 기판 반송을 위한 제2반송장치가 구비된 트랜스퍼 챔버;
    상기 트랜스퍼 챔버와 연결되고, 기판들이 배치식으로 적재되는 보우트가 구비된 제2로드락 챔버들; 및
    상기 제2로드락 챔버들 각각의 상부에 배치되고 상기 보우트에 적재된 기판들을 공정 처리하는 프로세스 챔버들을 포함하는 클러스터 설비.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 인덱스 챔버와 상기 제1로드락 챔버, 상기 제1로드락 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버 그리고 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 제2로드락 챔버는 게이트밸브를 통해 연결되어, 각각의 챔버 압력을 독립적으로 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 클러스터 설비.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 클러스터 설비는
    상기 제1로드락 챔버, 상기 트랜스퍼 챔버, 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 각각에 연결되는 진공 배기부; 및
    상기 제1로드락 챔버, 상기 트랜스퍼 챔버, 상기 제2로드락 챔버 그리고 상기 프로세스 챔버 간의 차압 형성을 위해 각각의 챔버에 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 더 포함하는 클러스터 설비.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는
    상기 기판 적재 유닛이 출입할 수 있는 출입구 및 상기 기판 적재 유닛이 수용되는 내부공간을 갖는 반응로;
    상기 반응로를 둘러싸도록 설치되는 히터 어셈블리; 및
    상기 반응로 안으로 공정가스들을 공급하는 노즐유닛을 포함하는 클러스터 설비.
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