JP2022146203A - 基板載置台、基板処理方法及び基板支持部材 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理において基板を載置する基板載置台に静電気力で基板を吸着する際のパーティクルを低減する。【解決手段】プラズマ処理装置において、誘電体によって構成され、内部に静電吸着用の電極４０を有する載置部２２と、載置部上面に設けられ、基板の周辺部よりも内側を支持する誘電体からなる複数の第１の支持部１１０と、載置部上面に設けられ、シリコンまたは窒化アルミニウムによって構成されて基板の周辺部を支持する第２の支持部１２０と、を有する。【選択図】図３

Description

本開示は、基板載置台、基板処理方法及び基板支持部材に関する。

特許文献１には、静電チャックの吸着面にウェハを吸着する際における、吸着前のウェハ温度と吸着後のウェハの最高温度の差を５０℃以下にすることにより、ウェハと静電チャックとの熱膨張差を低減させ、パーティクルの発生を低減させることが開示されている。

特開２０００－１２６６４号公報

本開示にかかる技術は、基板処理において静電気力で基板を吸着する際のパーティクルを低減する。

本開示の一態様は、誘電体によって構成され、内部に静電吸着用の電極を有する載置部と、前記載置部上面に設けられ、基板の周辺部よりも内側を支持する誘電体からなる複数の第１の支持部と、前記載置部上面に設けられ、シリコンまたは窒化アルミニウムによって構成されて前記基板の周辺部を支持する第２の支持部とを有する。

本開示によれば、基板処理において静電気力で基板を吸着する際のパーティクルを低減することができる。

本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図１のプラズマ処理装置における基板載置台の平面図である。 ウェハを吸着保持している載置部の側面断面を模式的に示す説明図である。 図３の載置部の側面断面の拡大図である。 実施の形態にかかるプラズマ処理方法のフローチャートである。 シールバンド上に第２の支持部を配置した載置部の側面断面を模式的に示す説明図である。 図６の載置部の側面断面の拡大図である。 第２の支持部の下方に他の電極を設けた載置部の側面断面を模式的に示す説明図である。 外周縁部に段差部を形成した載置部の側面断面の拡大図である。 第２の支持部の突起と適合する凹部を有する、載置部の側面断面の拡大図である。 第２の支持部の垂下部の下端と適合する凹部を有する、載置部の側面断面の拡大図である。

半導体デバイスの製造工程においてプラズマ処理装置では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）を処理する。かかるプラズマ処理装置には、ウェハを載置して吸着する静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）が設けられ、当該静電チャック上でウェハが吸着保持された状態でプラズマ処理が行われる。

プラズマ処理を行う際には、エッチング処理や成膜処理などの目的のプロセスに応じて、ウェハの温度を調節する必要がある。例えば、ウェハの温度を高温にしてプラズマ処理する場合には、ウェハを加熱（昇温）する必要がある。そこで従来、静電チャックの温度を制御することで、当該静電チャック上に吸着されたウェハの温度を調節することが行われている。

かかる場合、静電チャック上にウェハを載置した際に生じる静電チャックとウェハの熱膨張率の差により、収縮、膨張の際にウェハの裏面と静電チャックの表面が擦れ、ウェハの裏面が摩耗してパーティクルが発生する場合がある。

この点、特許文献１に開示の方法では、吸着前のウェハ温度と吸着後のウェハの最高温度の差を５０℃以下にすることで、パーティクルの低減を図っている。しかしながら、特許文献１に開示の方法では、前記差を５０℃以下にするため、ウェハの予備加熱を行っており、この予備加熱に要する時間分、ウェハ処理のスループットが低下する。特に、プラズマ処理装置とは別に予備加熱室を設ける場合、予備加熱室への搬入出の時間がかかり、スループットはさらに低下する。

本開示にかかる技術は、スループットを低下させることなく基板処理において静電気力でウェハ等の基板を吸着した際のパーティクルを低減する。以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置１の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。なお、本実施形態ではプラズマ処理装置１として、ＲＩＥ型のプラズマ処理装置を例に説明する。

プラズマ処理装置１は、例えばアルミニウム又はステンレス鋼製の金属製の処理容器１０を有している。処理容器１０は電気的に接地されている。また、処理容器１０は内部を密閉可能な円筒形状を有している。処理容器１０の側壁には、ウェハＷの搬入又は搬出時に開閉するゲートバルブ１１が取り付けられている。

処理容器１０内には、基板としてのウェハＷを載置させる基板載置台２０が設けられている。基板載置台２０は、基台２１と、基台２１の上部に設けられ載置部２２を有している。載置部２２は、誘電体、例えばセラミックからなり、後述のように静電チャックとしての機能を有し、載置部２２に支持されたウェハＷを吸着する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハである。

基台２１は、絶縁性の筒状保持部２３を介して、処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部２４に支持されている。筒状保持部２３の上面には、載置部２２の外側を環状に囲む、例えば石英またはシリコンからなるフォーカスリング２５が設けられている。

基台２１は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなる。基台２１には、プラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電源３０が、整合器３１及び給電棒３２を介して電気的に接続されている。高周波電源３０は、所定の高周波、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を基板載置台２０に供給する。このようにして基台２１は下部電極としても機能する。なお、上部電極としては、後述するシャワーヘッド７０が機能する。高周波電源３０からのプラズマ生成用の高周波電力は、基台２１とシャワーヘッド７０との間に容量的に供給される。

載置部２２は、導電膜からなるシート状の静電吸着用の電極４０を、誘電体である誘電層部４１内に設けた構成を有している。かかる構成を有する載置部２２は、誘電体中に片極のみが形成された、いわゆる単極型の静電チャックとしての機能を有している。電極４０には、直流電源４３がスイッチ４４を介して接続されている。そして直流電源４３から電極４０に直流電圧を印加することにより、静電気力、すなわちクーロン力でウェハＷを載置部２２の上面に吸着保持することができる。載置部２２は、接着層Ｎにより基台２１に接着されている。

電極４０への電圧の印加を停止する場合には、スイッチ４４によって接地部４５へと接続する。すなわち、電極４０への電圧の印加停止は、電極４０が接地された状態を意味する。

電極４０への電圧の印加が停止されると、ウェハＷの吸着は解除される。したがって、この状態で、載置部２２へのウェハＷの受け渡しが可能になる。当該受け渡しの際には、昇降ピン４６が用いられる。

昇降ピン４６は、載置部２２の上面から突没するように昇降する柱状の部材であり、例えばセラミックから形成される。昇降ピン４６は、載置部２２の周方向、具体的には、載置部２２の上面の周方向に沿って、互いに間隔を空けて３本以上設けられている。昇降ピン４６は、例えば、上記周方向に沿って等間隔で設けられている。昇降ピン４６は、上下方向に延びるように設けられる。

昇降ピン４６は、支持部材４７に支持されている。支持部材４７は、駆動部４８に接続されて昇降する。駆動部４８は、昇降の駆動力を発生するモータ（図示せず）を有する。昇降ピン４６は、載置部２２の上面から下方に延びた貫通孔に挿通される。

基台２１の内部には冷媒管５０が設けられている。この冷媒管５０には、配管５１、５２を介して、チラーユニット５３から所定温度の冷媒、例えば冷水が循環供給される。

載置部２２の内部にはヒータ５４が設けられている。ヒータ５４には交流電源（図示せず）から所望の交流電圧が印加される。かかる構成により、チラーユニット５３による冷却とヒータ５４による加熱によって載置部２２上のウェハＷの処理温度は所望の温度に調整される。

上述のように載置部２２からの熱は、当該載置部２２の上面に吸着されたウェハＷに伝達される。かかる場合、処理容器１０内が減圧されても熱を効率よくウェハＷに伝達させるために、載置部２２の上面に吸着したウェハＷの裏面に向けて、ＨｅガスやＡｒガス等の伝熱ガスが、ガス供給ライン６０から供給される。ガス供給ライン６０は、伝熱ガス供給源６１に接続されている。

処理容器１０内の天井部には、シャワーヘッド７０が接地電位の上部電極として設けられている。上述の高周波電源３０により、基板載置台２０とシャワーヘッド７０との間に高周波電力が供給される。シャワーヘッド７０は、多数のガス通気孔７１を有する電極板７２と、当該電極板７２を着脱可能に支持する電極支持体７３とを有している。電極支持体７３の内部にはバッファ室７４が設けられている。バッファ室７４のガス導入口７５にはガス供給配管７６を介して処理ガス供給源７７が連結されている。かかる構成により、シャワーヘッド７０から処理容器１０内に所望の処理ガスが供給される。

処理容器１０の内側壁と筒状支持部２４の外側壁との間には排気路８０が形成されている。排気路８０には環状のバッフル板８１が取り付けられている。排気路８０の底部には排気口８２が設けられ、当該排気口８２は排気管８３を介して排気装置８４に接続されている。排気装置８４は真空ポンプ（図示せず）を有しており、処理容器１０内を所定の真空度まで減圧する。

次に基板載置台２０の構成について、図２～図４に基づいて詳述する。図２は基板載置台２０の平面を示しており、図３は、ウェハＷを吸着している状態の載置部２２の側面断面を模式的に示しており、図４は、載置部２２の側面拡大断面を模式的に示している。

図２～図４に示したように、載置部２２の上面には、ウェハＷの周辺部よりも内側を支持する第１の支持部１１０が複数設けられている。載置部２２は、前記したようにセラミックからなるが、たとえば第１の支持部１１０も誘電体、例えばセラミックからなる。第１の支持部１１０の形状は、載置部２２の上面から上に突出している形状を有し、例えば凸形状の微小な円柱形状である。載置部２２の上面から上に突出している形状であれば、円柱形状に限られない。また第１の支持部１１０の上面は上方に凸に湾曲した形状であってもよい。なお図示の都合上図３、図４に示したように、第１の支持部１１０と載置部２２は、断面を示す際に異なったハッチングで表示しているが、両者は同じセラミックからなり、例えば一体成型されている。

また本実施の形態においては、複数の第１の支持部１１０は、図２の破線で示した便宜上の境界Ｘから外側に設けられている外側支持部１１０ａと、内側に設けられている内側支持部１１０ｂとに分けられる。そして内側支持部１１０ｂの高さは外側支持部１１０ａの高さより低く設定されている。この例では、境界Ｘは、３か所に設けられている昇降ピン４６を結ぶ円のすぐ内側に設定されており、内側支持部１１０ｂは、対応するウェハＷの裏面における内側領域を支持し、外側支持部１１０ａは、ウェハＷの裏面の周辺部よりも内側に位置する外側領域を支持する。境界Ｘは、例えば３か所に設けられている昇降ピン４６を結ぶ円の内外近傍に設定することができる。

載置部２２の上面の周辺部には、ウェハＷの周辺部を支持する第２の支持部１２０が設けられている。本実施の形態では、第２の支持部１２０は、全体として平面視で円環形状を有し、さらに図４に示したように、載置部２２の周縁部を境とする外側部１２０ａと内側部１２０ｂとを有している。第２の支持部１２０は、外側部１２０ａの下側に下方に延出する環状の垂下部１２０ｃを有している。したがって、外側部１２０ａの垂直方向の厚さは内側部１２０ｂの垂直方向の厚さよりも厚い。そして載置部２２の外周側面の一部（外周側面の上部）は、外側部１２０ａから続く垂下部１２０ｃによって覆われている。

図４に示したように、第２の支持部１２０の高さは、第１の支持部１１０の高さよりも高い。図示の都合上、図２～図４において、第１の支持部１１０、第２の支持部１２０、載置部２２については、その形状を明確に示すため、実際のサイズよりも誇張して大きく描いている。実際のサイズの一例としては下記の通りである。
第１の支持部１１０の高さ：１０～５０μｍ程度
第２の支持部１２０の高さ：２０～２５０μｍ程度（第１の支持部１１０の高さ＋１０～２００μｍ）
第２の支持部１２０の外側部１２０ａの厚さ：５００～３０００μｍ程度
第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの厚さ：２０～１０００μｍ程度
載置部２２の厚さ：１～３ｍｍ

第２の支持部１２０は、載置部２２の周辺部に載置されることで、載置部２２の周辺部に設けられる。したがって、第２の支持部１２０は載置部２２の上面でウェハＷの周辺部を支持する。また第２の支持部１２０の材質はウェハＷと同じ材質からなり、本実施の形態では、ウェハＷの材質は一般的にシリコンであるから、本実施の形態では第２の支持部１２０の材質もシリコンからなる。

以上のプラズマ処理装置１には、制御部としての制御装置２００が設けられている。制御装置２００は、プラズマ処理装置１に取り付けられた各部、例えば処理ガス供給源７７、排気装置８４、ヒータ５４、直流電源４３、スイッチ４４、整合器３１、高周波電源３０、伝熱ガス供給源６１、チラーユニット５３、昇降ピン４６を昇降させる駆動部４８等を制御する。

制御装置２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御装置２００にインストールされたものであってもよい。当該記憶場体は、一時的または非一時的にブログラム等を記憶するものであってもよい。

プラズマ処理装置１は以上のような構成を有しており、次にこのプラズマ処理装置１を用いて行われるプラズマ処理について、図５のフロー図に基づいて説明する。本実施形態ではプラズマ処理として、例えばドライエッチング処理を行う。

先ず、第２の支持部１２０を処理容器１０内に搬入し（ステップＳ１）、載置部２２の周辺部にセットする（ステップＳ２）。次いでウェハＷを処理容器１０内に搬入し（ステップＳ３）、載置部２２上に載置する。すなわち、第１の支持部１１０と第２の支持部１２０でウェハＷを支持する（ステップＳ４）。

ウェハＷの搬入後、ゲートバルブ１１が閉鎖される。そして、排気装置８４によって処理容器１０内を予め定められた真空度まで減圧する。その後、処理ガス供給源７７からシャワーヘッド７０を介して処理容器１０内にＡｒガスを供給し、処理容器１０内の圧力を調整する。そして直流電源４３から載置部２２の電極４０に対して、例えば１５００Ｖの電圧が印加されると、図３に示したように、載置部２２上にウェハＷが吸着される（ステップＳ５）。そしてガス供給ライン６０から伝熱ガスがウェハＷの裏面に供給される（ステップＳ６）。載置部２２を昇温させることにより、第１の支持部１１０、第２の支持部１２０および伝熱ガスを介してウェハＷが昇温される。

次いで高周波電源３０により、基板載置台２０とシャワーヘッド７０との間に高周波電力を供給し、プラズマを生成する（ステップＳ７）。これによってウェハＷに対してドライエッチング処理が行われる。

上記プロセスにおいて、従来はウェハＷの材質（シリコン）とウェハＷが吸着される載置部の材質（セラミック）とでは、熱膨張率が異なっているため、静電吸着されてウェハＷの温度が上昇し始めると、特にウェハＷの周辺部において擦れが発生し、そのことがパーティクル発生の原因となっていた。ウェハＷの周辺部は、最も熱膨張による変形が大きく、またウェハＷ表面に近い場所であるため、歩留まりへの影響が大きい。

しかしながら、本実施の形態ではウェハＷの周辺部は、ウェハＷと同じ材質からなる第２の支持部１２０によって支持されている。ウェハＷの裏面と第２の支持部１２０との熱膨張率は同じであり第２の支持部１２０とウェハＷの裏面との擦れを抑制することができる。したがって、ウェハＷの周辺部裏面における擦れに起因するパーティクルの発生を抑えることができる。

また、載置部２２の外周側面は、第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃによって覆われている。このため、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの下面と載置部２２の上面との擦れによりパーティクルが生じても、垂下部１２０ｃと載置部２２との間に滞留し、外部（プロセス空間側）に放出されることが抑制される。

ところで、ガス供給ライン６０からはウェハＷの裏面に伝熱ガス、例えばＨｅガスが供給し続けられているが、Ｈｅガスは高価であり、シリコンからなる第２の支持部１２０とウェハＷの裏面周辺部との密着性が良好でないと、その隙間から漏出し続けることになる。この点に関し、図３、図４に示したように、第２の支持部１２０の下方には電極４０が存在しておらず、第２の支持部１２０とウェハＷの裏面との間にはクーロン力が働かないので、当該密着性が懸念される。

しかしながらウェハＷの周辺部よりも内側の領域については、第１の支持部１１０が多数配置されてウェハＷを支持しており、第１の支持部１１０のうち、内側支持部１１０ｂの高さは外側支持部１１０ａの高さより低く設定されているので、図４に示したように、ウェハＷが静電吸着された際には、ウェハＷの周辺部よりも内側の領域は、極めてなだらかに下方に凸に湾曲したように吸着される。そのため、第２の支持部１２０の支持箇所では、その際の反力によって、ウェハＷ裏面との密着性が向上する。したがって、第２の支持部１２０の支持箇所からの伝熱ガスの漏出は抑えられている。

また、図６、図７に示したように、載置部２２の周辺部の上面に円環状のシールバンド１３０を設け、シールバンド１３０の上に第２の支持部１２０を載置してもよい。シールバンド１３０は第１の支持部１１０と同様に、載置部２２と同じセラミックであり、載置部２２と一体成型されていてもよい。かかる場合には、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの厚さを薄くすることができる。そしてさらに、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの下方にまで電極４０を延在させてもよい。これによって、第２の支持部１２０と載置部２２との密着性が向上して、第２の支持部１２０と載置部２２との間からの伝熱ガスの漏出を効果的に抑えることが可能になる。また、これにより、垂下部１２０ｃと載置部２２との間に滞留したパーティクルが、伝熱ガスにより外部（プロセス空間側）に放出されることが抑制される。

かかる場合も含め、図８に示したように、載置部２２の周辺部には、第２の支持部１２０専用の静電吸着用の電極４０ａを、例えば内側部１２０ｂの下方に設けてもよい。これによって、第２の支持部１２０自体を静電吸着によって、載置部２２の上面に強力に密着させることができ、伝熱ガスの漏出を効果的に抑制できる。かかる場合、図９に示したように、ウェハＷの周辺部を除く領域をカバーしている電極４０とは、別の電源供給系統としてもよい。これによって第２の支持部１２０を静電吸着する際の電圧を適切に採用することが可能である。

また、図９に示したように、内側部１２０ｂに適合する段差部２２ｄを載置部２２の上面外周に環状に形成してもよい。これにより、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂを厚くし、機械的強度を向上させることができる。また、第２の支持部１２０と載置部２２の上面との間の流路抵抗が増加し、伝熱ガスの漏出をさらに抑制することかできる。

図１０に示した例は、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの下面に、環状の突起１２０ｄを設け、載置部２２の上面周辺部には、当該突起１２０ｄと適合する環状の凹部２２ｅを形成したものである。この図１０に示した例は、突起１２０ｄと凹部２２ｅとで一種のラビリンス構成を実現している。したがって第２の支持部１２０と載置部２２の上面との間の流路抵抗がさらに増加し、図９に示した例よりも、さらに伝熱ガスの漏出を抑えることが可能である。また、第２の支持部１２０の内側部１２０ｂの下面（突起１２０ｄよりも内側の下面）と載置部２２の上面との擦れによりパーティクルが生じても、突起１２０ｄに遮られ、外部（プロセス空間側）に放出されることが抑制される。さらに、第２の支持部１２０を載置部２２に載置する際の位置合わせに用いることもできる。突起１２０ｄは、図１１に示すように、垂下部１２０ｃの内周面に設けてもよい。また、第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃの下面と基台２１の上面との間が狭い場合、図１１に示すように第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃの下面に突起１２０ｄを設けてもよい。

なお、図１０に示す例においては、突起１２０ｄおよび環状の凹部２２ｅを形成したが、環状の凹部２２ｅのみでもよい。また、環状の凹部２２ｅを形成せず、突起１２０ｄのみを設けてもよい。第２の支持部１２０を、突起１２０ｄにより載置部２２の上面に支持させることにより、第２の支持部１２０と載置部２２の接触面積を低減させ、第２の支持部１２０と載置部２２の上面との擦れにより生じるパーティクルの量を低減させることができる。

図１１に示すように、第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃは、載置部２２の厚さよりも厚くしても良い。すなわち、第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃにより、載置部２２の外周側面全体および接着層Ｎ側面全体を覆うようにしてもよい。垂下部１２０ｃにより接着層Ｎを覆うことにより、接着層Ｎがプラズマにより消耗することも防ぐことができる。

図１１に示す例では、基台２１に第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃの下端部を収容する環状の凹部２１１が設けられている。凹部２１１を設けることにより、第２の支持部１２０を載置部２２から浮き上がることなく、接着層Ｎを確実に覆うことができる。また凹部２１１は、突起１２０ｄと適合するように形成してもよいし、第２の支持部１２０の垂下部１２０ｃの下面ではなく凹部２１１側に突起を設けてもよい。

なお載置部２２は、第２の支持部１２０が設けられる外側載置部と、第１の支持部１１０が設けられる内側載置部とに分割してもよい。これによって、例えば外側載置部と内側載置部との構成や材質を各々適切なものとすることができる。

また第２の支持部１２０の外方端部は、載置部２２に載置されるウェハＷの端部よりも内側に位置するように、第２の支持部１２０の直径方向の大きさを設定してもよい。これによって第２の支持部１２０とウェハＷ裏面との密着部分を、ウェハＷの内側方向に位置することができ、伝熱ガスの漏出をより確実に抑制することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、上記実施形態では、ウェハＷはシリコンウェハである例で説明したが、これに限られない。ウェハＷは、ガラス、ＳｉＣ、ＧａＡｓまたはＧａＮ等であってもよい。この場合、第２の支持部１２０は、それぞれウェハＷと同じ材質であるガラス、ＳｉＣ、ＧａＡｓまたはＧａＮで構成される。

また、第２の支持部１２０は、ウェハＷと同じ材質ではなく、ウェハＷの熱膨張係数と近い値の熱膨張係数を有する材質で代用して構成してもよい。ウェハＷがシリコンウェハである場合、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が挙げられる。ただし、ウェハＷと同じ材質（シリコン）であれば熱膨張差が生じないため、より好ましい。

上述したプラズマ処理装置１は、ＲＩＥ型のプラズマ処理装置を例に説明を行ったが、本実施形態はその他のプラズマ処理装置に採用され得る。

１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
２０ 基板載置台
２２ 載置部
４０ 電極
１１０ 第１の支持部
１２０ 第２の支持部
２００ 制御装置
Ｗ ウェハ

Claims (20)

1. シリコン基板を載置する基板載置台であって、
   誘電体によって構成され、内部に静電吸着用の電極を有する載置部と、
   前記載置部上面に設けられ、前記基板の周辺部よりも内側を支持する誘電体からなる複数の第１の支持部と、
   前記載置部上面に設けられ、シリコンまたは窒化アルミニウムによって構成されて前記基板の周辺部を支持する第２の支持部とを有する、基板載置台。
2. 前記第２の支持部はシリコンにより構成されている、請求項１に記載の基板載置台。
3. 前記第１の支持部は凸形状を有し、前記第２の支持部は円環形状を有している、請求項１又は２のいずれか一項に記載の基板載置台。
4. 前記第２の支持部は、内側部と外側部を有し、
   前記外側部の垂直方向の厚さは前記内側部の垂直方向の厚さよりも厚く、
   前記外側部により前記載置部の外周側面の少なくとも一部が覆われている、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板載置台。
5. 基台と、
   前記基台と前記載置部とを接着する接着層と、を更に有し、
   前記外側部により前記載置部の外周側面の全部および前記接着層の側面が覆われている、請求項４に記載の基板載置台。
6. 前記外側部の下端が、前記基台の上面に形成された凹部内に収容されている、請求項５に記載の基板載置台。
7. 前記第２の支持部の上面の高さは、前記第１の支持部の上面の高さよりも高い、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板載置台。
8. 前記第２の支持部の上面の高さは、前記第１の支持部の上面の高さよりも１０～２００μｍ高い、請求項７に記載の基板載置台。
9. 前記電極は、前記第１の支持部の下方に配置されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板載置台。
10. 前記電極は、前記第２の支持部の下方にまで延在している、請求項９に記載の基板載置台。
11. 静電吸着用の他の電極が、前記第２の支持部の下方に配置されている、請求項９に記載の基板載置台。
12. 前記載置部は、前記第２の支持部が設けられる外側載置部と、前記第１の支持部が設けられる内側載置部とに分割されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板載置台。
13. 前記第２の支持部は前記載置部から取り外し可能である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板載置台。
14. 前記第２の支持部の下面に突起が設けられ、当該突起と適合する凹部が前記載置部に形成されている、請求項４～１３のいずれか一項に記載の基板載置台。
15. 前記複数の第１の支持部は、内側支持部と外側支持部とに分けられ、前記内側支持部の高さは前記外側支持部の高さより低い、請求項１～１４のいずれか一項に記載の基板載置台。
16. 前記載置部の上面周辺部は、前記第２の支持部の下面側に適合する段差部を有する、請求項１～１５のいずれか一項に記載の基板載置台。
17. 前記載置部の上面周辺部にはシールバンドが配置され、前記第２の支持部の内側部は、当該シールバンド上に配置される、請求項１～１５のいずれか一項に記載の基板載置台。
18. 前記第２の支持部の外方端部は、前記基板の端部よりも内側に位置する、請求項１～１７のいずれか一項に記載の基板載置台。
19. 処理容器内で基板を処理する方法であって、
    前記処理容器は、
    誘電体によって構成されて内部に静電吸着用の電極を有する載置部を有し、
    前記載置部の上面には、前記基板の周辺部よりも内側を支持する誘電体からなる複数の第１の支持部が設けられ、
    前記基板と同じ材質からなり、前記基板の周辺部を支持する第２の支持部を、前記処理容器内に搬入して前記載置部上に設置する工程と、
    前記基板を前記処理容器内に搬入し、前記第１の支持部および第２の支持部で前記基板を支持する工程と、
    前記電極に電圧を印加して、前記支持された基板を前記載置部上に静電吸着させる工程と、
    前記静電吸着された基板の裏面に伝熱ガスを供給する工程と、
    前記処理容器内にプラズマを生成して、前記基板をプラズマ処理する工程と、
    を含む、基板処理方法。
20. 静電チャック機能を有するシリコン基板の載置部上に配置されて、当該基板の周辺部を支持する支持部材であって、
    シリコンまたは窒化アルミニウムからなる円環形状を有し、
    前記載置部の外周側面を覆う円環状の垂下部を、周縁部全周に亘って有している、
    基板支持部材。

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