KR20200086626A - 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리 장치의 소모 부품을 용이하게 교환할 수 있다. 플라즈마 처리 장치의 탑재대는 웨이퍼 탑재면과, 링 탑재면과, 리프터 핀과, 구동 기구를 구비한다. 웨이퍼 탑재면에 웨이퍼를 탑재한다. 링 탑재면은 제 1 결합부를 갖는 제 1 링과, 제 1 결합부의 하면에 도달하는 관통 구멍을 갖고 제 1 결합부에 결합하는 제 2 결합부를 갖는 제 2 링을 탑재한다. 또한, 링 탑재면은 관통 구멍에 대응하는 위치에 구멍을 갖고, 웨이퍼 탑재면의 외주측에 마련된다. 리프터 핀은 관통 구멍에 끼워맞춤되는 제 1 보지부와, 해당 제 1 보지부로부터 연장되고, 제 1 보지부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제 2 보지부를 갖는다. 리프터 핀은 제 1 보지부를 링 탑재면측으로 해서 링 탑재면의 구멍 내에 수용된다. 구동 기구는 리프터 핀을 승강 가능하게 구동한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대{PLASMA PROCESSING APPRATUS AND MOUNTING TABLE THEREOF}
이하의 개시는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 탑재대에 관한 것이다.
플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 시스템에 있어서, 플라즈마의 에칭 속도 및/또는 에칭 프로파일을 조정하기 위해, 기판의 반경 방향 외연부 부근에 링 형상의 부재가 배치되는 일이 있다.
예를 들어, 특허문헌 1의 기판 프로세싱 시스템은, 에지 연결 링을 처리 챔버 내의 대좌(臺座)의 반경 방향 외연부에 인접하여 배치한다. 에지 연결 링은 에칭 시에 플라즈마에 침식된다. 그래서, 특허문헌 1에서는, 액추에이터로 에지 연결 링을 상승시켜서 로봇 아암으로 교환할 수 있는 구성을 채용하고 있다.
일본 특허 공개 제 2016-146472 호 공보
본 개시는 플라즈마 처리 장치의 소모 부품을 용이하게 교환하는 기술을 제공한다.
본 개시에 의한 탑재대 및 플라즈마 처리 장치는, 웨이퍼 탑재면과, 링 탑재면과, 리프터 핀과, 구동 기구를 구비한다. 웨이퍼 탑재면에 웨이퍼를 탑재한다. 링 탑재면은 제 1 결합부를 갖는 제 1 링과, 제 1 결합부의 하면에 도달하는 관통 구멍을 갖고 제 1 결합부에 결합하는 제 2 결합부를 갖는 제 2 링을 탑재한다. 또한, 링 탑재면은 관통 구멍에 대응하는 위치에 구멍을 갖고, 웨이퍼 탑재면의 외주측에 마련된다. 리프터 핀은 관통 구멍에 끼워맞춤되는 제 1 보지부와, 해당 제 1 보지부로부터 제 1 보지부의 축방향으로 연장되고, 제 1 보지부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제 2 보지부를 갖는다. 리프터 핀은 제 1 보지부를 링 탑재면측으로 해서 링 탑재면의 구멍 내에 수용된다. 구동 기구는 리프터 핀을 승강 가능하게 구동한다.
본 개시에 의하면, 플라즈마 처리 장치의 소모 부품을 용이하게 교환할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 실시형태에 따른 반송 기구의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3은 리프터 핀의 구성 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 실시형태에 따른 반송 기구에 의한 에지 링의 반송 개시 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 4b는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 에지 링이 들어올려진 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 4c는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 들어올려진 에지 링을 로봇 아암 상에 탑재하기 직전의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 4d는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 들어올려진 에지 링이 로봇 아암 상에 탑재된 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 4e는 실시형태에 따른 반송 기구에 의한 에지 링의 반송 완료 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5a는 실시형태에 따른 반송 기구에 의한 커버 링의 반송 개시 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5b는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 커버 링이 들어올려진 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5c는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 들어올려진 커버 링을 로봇 아암 상에 탑재하기 직전의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5d는 실시형태에 따른 반송 기구에 의해 들어올려진 커버 링이 로봇 아암 상에 탑재된 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5e는 실시형태에 따른 반송 기구에 의한 커버 링의 반송 완료 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 6은 리프터 핀의 제 1 보지부의 길이와, 제 1 반송 높이, 제 2 반송 높이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
플라즈마 처리 장치 내에는 복수의 소모 부품이 배치된다. 예를 들어, 웨이퍼면 내의 플라즈마 처리의 균일도를 높이기 위해서 웨이퍼의 직경 방향 외측에 배치되는 에지 링이 있다. 또한, 탑재대를 보호하기 위해서 에지 링의 직경 방향 외측에 배치되는 커버 링이 있다. 복수의 소모 부품의 교환을 위해서 소모 부품 각각에 전용의 반송 기구를 마련했을 경우, 탑재대의 내부 구조가 복잡하게 된다. 또한, 플라즈마 처리 장치 내의 공간의 제약으로부터, 탑재대 내부나 탑재대 하부에 마련할 수 있는 기구의 위치나 크기는 한정된다. 이 때문에, 플라즈마 처리 장치 내에 배치되는 소모 부품을, 가능한 한 컴팩트한 구성으로 반송 가능하게 하는 것이 바람직하다.
이하에, 개시하는 실시형태에 대해서, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태는 한정적인 것은 아니다. 각 실시형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다.
(실시형태)
도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 도 1의 플라즈마 처리 장치(1)는 금속제, 예를 들면, 알루미늄 또는 스테인리스강제의 보안 접지된 원통형의 처리 용기(10)를 갖고, 해당 처리 용기(10) 내에, 피처리체(기판)로서의 웨이퍼(W)를 탑재하는 원판 형상의 서셉터(하부 전극)(11)가 배치되어 있다. 이 서셉터(11)는 예를 들면, 알루미늄으로 이루어지고, 절연성의 통 형상 보지 부재(12)를 거쳐서 처리 용기(10)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장되는 통 형상 지지부(13)에 지지되어 있다.
처리 용기(10)의 측벽과 통 형상 지지부(13) 사이에는 배기로(14)가 형성되고, 이 배기로(14)의 입구 또는 도중에 환상의 배플판(15)이 배치되는 동시에, 바닥부에 배기구(16)가 마련되고, 해당 배기구(16)에 배기관(17)을 거쳐서 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 게다가, 처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 장착되어 있다.
서셉터(11)에는, 제 1 및 제 2 고주파 전원(21a, 21b)이 정합기(22) 및 급전봉(23)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 여기서, 제 1 고주파 전원(21a)은 주로 플라즈마의 생성에 기여하는 주파수(통상 40㎒ 이상)의 제 1 고주파를 출력한다. 제 1 고주파 전원(21a)은 플라즈마 발생기의 일례이다. 제 2 고주파 전원(21b)은 주로 서셉터(11) 상의 웨이퍼(W)에 대한 이온의 인입에 기여하는 주파수(통상 13.56㎒ 이하)의 제 2 고주파를 출력한다. 정합기(22)에는, 제 1 고주파 전원(21a)측의 임피던스와 부하(주로 전극, 플라즈마, 처리 용기(10))측의 임피던스 사이에 정합을 취하기 위한 제 1 정합기와, 제 2 고주파 전원(21b)측의 임피던스와 부하측의 임피던스 사이에 정합을 취하기 위한 제 2 정합기가 수용되어 있다. 또한, 이온의 인입에 기여하는 전압은 고주파로 한정되지 않는다. 펄스 형상으로 인가되는 직류 전압이어도 좋다. 또한, 도 1에서는 서셉터(11)에 제 1 및 제 2 고주파 전원(21a, 21b)이 접속되는 예를 도시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 후술하는 샤워 헤드(24)(상부 전극)에 제 1 고주파 전원이 접속되고, 서셉터(11)에 제 2 고주파 전원이 접속되어도 좋다.
또한, 처리 용기(10)의 천정부에는, 후술하는 접지 전위의 상부 전극으로서의 샤워 헤드(24)가 배치되어 있다. 이에 의해, 제 1 및 제 2 고주파 전원(21a, 21b)으로부터의 고주파 전압이 서셉터(11)와 샤워 헤드(24) 사이에 인가된다.
서셉터(11)의 상면에는 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 흡착하는 정전 척(25)이 배치되어 있다. 정전 척(25)은 웨이퍼(W)가 탑재되는 원판 형상의 중심부(25a)와, 환상의 내주부(25b)와, 환상의 외주부(25c)로 이루어지고, 중심부(25a)는 내주부(25b)에 대해서 도면 중 상방으로 돌출하여 있다. 또한, 내주부(25b)는 외주부(25c)에 대해서 도면 중 상방으로 돌출하여 있다. 중심부(25a)는 웨이퍼(W)를 탑재하는 웨이퍼 탑재면의 일례이다. 또한, 내주부(25b)는 에지 링(ER)을 탑재하는 링 탑재면의 일례이다. 또한, 외주부(25c)는 커버 링(CR)을 탑재하는 링 탑재면의 일례이다. 이하, 서셉터(11) 및 정전 척(25)을 포함하는, 웨이퍼(W)를 탑재하는 구조부를 탑재대(웨이퍼 지지체)라고도 부른다.
에지 링(ER)은 예를 들면, 실리콘 등의 도전성 재료로 형성되는 링 형상 부재이다. 에지 링(ER)은 플라즈마 처리 시의 웨이퍼면 내의 플라즈마 분포를 균일화하고, 플라즈마 처리의 성능을 향상시키는 기능을 갖는다. 커버 링(CR)은 예를 들면, 석영 등의 절연성 재료로 형성되는 링 형상 부재이다. 커버 링(CR)은 서셉터(11), 정전 척(25) 등을 보호하는 기능을 갖는다. 또한, 커버 링(CR)의 외경측에는, 서셉터(11)를 보호하기 위한 절연 부재(30)가 배치되어 있다. 에지 링(ER)은 제 1 링의 일례이다. 커버 링(CR)은 제 2 링의 일례이다. 에지 링(ER)은 커버 링(CR)과 서로 겹치는 제 1 결합부를 갖는다. 커버 링(CR)은 에지 링(ER)의 제 1 결합부와 서로 겹치는 제 2 결합부를 갖는다. 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)에 대해 더욱 후술한다.
정전 척(25)의 중심부(25a)는 도전막으로 이루어지는 전극판(25d)을 유전막에 끼워넣는 것에 의해서 구성된다. 또한, 내주부(25b)는 도전막으로 이루어지는 전극판(25e)을 유전막에 끼워넣는 것에 의해서 구성된다. 전극판(25d)에는 직류 전원(26)이 스위치(27)를 거쳐서 전기적으로 접속되고 있다. 전극판(25e)에는 직류 전원(28)이 스위치(29)를 거쳐서 전기적으로 접속되고 있다. 그리고, 정전 척(25)은 직류 전원(26)으로부터 전극판(25d)에 인가된 전압에 의해 쿨롬력 등의 정전력을 발생시켜서, 정전력에 의해 정전 척(25)에 웨이퍼(W)를 흡착 보지한다. 또한, 정전 척(25)은 직류 전원(28)으로부터 전극판(25e)에 인가된 전압에 의해 쿨롬력 등의 정전력을 발생시켜서, 정전력에 의해 정전 척(25)에 에지 링(ER)을 흡착 보지한다.
또한, 서셉터(11)의 내부에는, 예를 들면, 원주 방향으로 연장되는 환상의 냉매실(31)이 마련되어 있다. 이 냉매실(31)에는, 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예를 들면, 냉각수가 순환 공급되고, 해당 냉매의 온도에 의해서 정전 척(25) 상의 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다.
또한, 정전 척(25)에는, 웨이퍼용 가스 공급 라인(36a)을 거쳐서 전열 가스 공급부(35a)가 접속되어 있다. 또한, 정전 척(25)에는, 링용 가스 공급 라인(36b)을 거쳐서 전열 가스 공급부(35b)가 접속되어 있다. 웨이퍼용 가스 공급 라인(36a)은 정전 척(25)의 중심부(25a)에 도달한다. 링용 가스 공급 라인(36b)은 정전 척(25)의 내주부(25b)에 도달한다. 또한, 웨이퍼용 가스 공급 라인(36a)과 링용 가스 공급 라인(36b)에 공통의 전열 가스 공급부를 접속하는 구성으로 해도 좋다. 전열 가스 공급부(35a)는 웨이퍼용 가스 공급 라인(36a)을 거쳐서, 정전 척(25)의 중심부(25a)와 웨이퍼(W) 사이에 개재되는 공간에 전열 가스를 공급한다. 또한, 전열 가스 공급부(35b)는 링용 가스 공급 라인(36b)을 거쳐서, 정전 척(25)의 내주부(25b)와 에지 링(ER) 사이에 개재되는 공간에 전열 가스를 공급한다. 전열 가스로서는, 열전도성을 갖는 가스, 예를 들면, He 가스 등이 바람직하게 이용된다.
천정부의 샤워 헤드(24)는 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는 하면의 전극판(37)과, 해당 전극판(37)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 또한, 해당 전극 지지체(38)의 내부에 버퍼실(39)이 마련되고, 이 버퍼실(39)의 가스 도입구(38a)에는 처리 가스 공급부(40)로부터의 가스 공급 배관(41)이 접속되어 있다.
이 플라즈마 처리 장치의 각 구성요소, 예를 들면, 배기 장치(18), 고주파 전원(21a, 21b), 정전 척용의 스위치(27, 29), 직류 전원(26, 28), 칠러 유닛(32), 전열 가스 공급부(35a, 35b) 및 처리 가스 공급부(40) 등은 제어부(43)에 접속되어 있다. 제어부(43)는 플라즈마 처리 장치의 각 구성요소를 제어한다.
제어부(43)는 도시되지 않는 중앙 처리 장치(CPU), 및 메모리라고 하는 기억 장치를 구비하고, 기억 장치에 기억된 프로그램 및 처리 레시피를 읽어내서 실행함으로써, 플라즈마 처리 장치에 있어서 소망한 처리를 실행한다.
또한, 제어부(43)는 다음에 설명하는 반송 기구(50)(도 2 참조)에 접속되어 있다. 제어부(43)는 반송 기구(50)를 제어하여 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)을 반송하기 위한 처리를 실행한다.
(반송 기구(50)의 일례)
도 2는 실시형태에 따른 반송 기구(50)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는 탑재대 상에 탑재되는 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)을 반송하기 위한 반송 기구(50)를 구비한다. 반송 기구(50)는 리프터 핀(51), 봉지부(52), 구동 기구(53)를 갖는다.
도 2의 예에서는, 정전 척(25)의 중심부(25a) 상에 웨이퍼(W)가 탑재되고, 내주부(25b) 상에 에지 링(ER)이 탑재되어 있다. 외주부(25c) 상에는 커버 링(CR)이 탑재되어 있다. 탑재대 상의 정위치에 배치되어 있을 때, 에지 링(ER)의 외주부는 커버 링(CR)의 내주부를 위에서부터 덮는다. 이 때문에, 커버 링(CR)의 내주부는 플라즈마 처리 공간에 노출되지 않는다. 에지 링(ER)으로 덮여지는 커버 링(CR)의 내주부에는, 커버 링(CR)을 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(61)이 형성되어 있다. 에지 링(ER)의 외주부는 제 1 결합부의 일례이며, 커버 링(CR)의 내주부는 제 2 결합부의 일례이다. 또한, 도면에는 표시하지 않지만, 커버 링(CR)의 내주부와 에지 링(ER)의 외주부가 접하는 부분에 위치 결정을 위한 구조를 마련해도 좋다. 예를 들어, 에지 링(ER)의 하면에 오목부를, 커버 링(CR)의 상면에 볼록부를 마련하여 오목부와 볼록부가 결합하도록 구성한다. 그리고, 위치 결정을 위한 구조에, 커버 링(CR)의 관통 구멍(61)을 형성해도 좋다. 예를 들어, 커버 링(CR)의 볼록부를 지나는 위치에 관통 구멍(61)을 형성해도 좋다.
정전 척(25)의 외주부(25c)의 링 탑재면에는, 관통 구멍(61)의 위치에 대응하는 위치에 구멍(63)이 형성되어 있다. 또한, 구멍(63)에 연통하도록 서셉터(11) 내에 구멍(64)이 형성되어 있다.
리프터 핀(51)은 구멍(63, 64) 내에 수용되고, 하방에서 구동 기구(53)에 접속한다. 이하, 구동 기구(53)에 접속하는 리프터 핀(51)의 단부를 기단, 기단과 반대 방향의 단부를 원단(또는 정상부)이라고 부른다. 봉지부(52)는 구멍(64) 내에 배치된다. 리프터 핀(51)은 봉지부(52)를 통해서 하방으로 연장된다. 봉지부(52)는 구멍(63, 64) 내의, 봉지부(52)보다 위의 공간과 아래의 공간의 연통을 방지한다. 봉지부(52)는 예를 들면, 축 시일, 벨로우즈 등이다.
구동 기구(53)는 리프터 핀(51)을 상하로 승강시킨다. 구동 기구(53)의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 구동 기구(53)는 예를 들면, 피에조 액추에이터, 모터 등이다.
리프터 핀(51)은 제 1 보지부(51a), 제 2 보지부(51b), 돌출부(51c)를 갖는다. 제 1 보지부(51a)는 리프터 핀(51)의 원단으로부터 소정의 길이(L1)(도 3, 도 6 참조)로 형성된다. 제 1 보지부(51a)는 커버 링(CR)의 내주부에 형성된 관통 구멍(61)에 소정의 클리어런스로 끼워맞춤되는 단면을 갖는다. 제 2 보지부(51b)는 제 1 보지부(51a)의 기단측으로부터 제 1 보지부(51a)의 축방향으로 연장된다. 제 2 보지부(51b)는 제 1 보지부(51a)로부터 제 1 보지부(51a)의 축방향으로 연장되는 축방향 위치에, 제 1 보지부의 외주로부터 외측을 향해서 돌출하는 돌출부(51c)를 갖는다. 돌출부(51c)가 형성되는 위치에 있어서의 제 2 보지부(51b)의 단면은, 관통 구멍(61)에 끼워맞춤되지 않는 크기 또는 형상이다. 즉, 리프터 핀(51)을 커버 링(CR)의 하면측으로부터 관통 구멍(61)에 삽입하면, 제 1 보지부(51a)는 관통 구멍(61)을 빠져나간다. 그리고, 돌출부(51c)가 커버 링(CR)의 하면에 접촉한다. 제 2 보지부(51b)는 돌출부(51c)에 의해, 관통 구멍(61)의 입구에서 멈추고 커버 링(CR)을 하면으로부터 지지하도록 구성된다.
제 1 보지부(51a), 제 2 보지부(51b), 돌출부(51c)의 구체적인 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 보지부(51a), 제 2 보지부(51b)는 동축 또한 단면 동심원 형상의 봉 형상 부재여도 좋다. 도 3은 리프터 핀(51)의 구성 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 3의 예(A)에서는, 제 1 보지부(51a)의 직경(D1)은 제 2 보지부(51b)의 직경(D2)보다 소경으로 형성된다. 돌출부(51c)는 제 2 보지부(51b)의 원단측에서 직경(D1)으로부터 직경(D2)으로 원통 형상의 리프터 핀(51)의 직경이 커짐으로써 외경측으로 돌출하는 부분이다. 도 3의 예(A)에서는, 커버 링(CR)의 관통 구멍(61)은 제 1 보지부(51a)의 직경(D1)보다 대경으로 형성된다. 한편, 커버 링(CR)의 관통 구멍(61)은 제 2 보지부(51b)의 직경(D2)보다 소경으로 형성된다.
또한, 도 3의 예(B)에서는, 제 1 보지부(51a)의 직경(D1)은 제 2 보지부(51b)의 직경(D2)과 대략 동일하게 형성된다. 돌출부(51c)는 제 2 보지부(51b)의 원단측에서 직경 방향 외향으로 장출(張出)되는 플랜지이다. 돌출부(51c)에 있어서, 제 2 보지부(51b)의 직경은, 직경(D1 및 D2)보다 대경의 D4로 되어 있다. 커버 링(CR)의 관통 구멍(61)의 직경(D3)은 직경(D1 및 D2)보다 크고, 직경(D4)보다 작게 형성된다.
또한, 제 1 보지부(51a), 제 2 보지부(51b)는 단면 다각형상이어도 좋다. 또한, 제 1 보지부(51a)의 단면적은 반드시 제 2 보지부(51b)의 단면적보다 작지 않아도 좋다. 적어도 제 2 보지부(51b)의 원단측에 외측으로 돌출하는 돌출부(51c)가 형성되어 있으면 좋다. 예를 들어, 상기 도 3의 예(B)와 같이, 제 1 보지부(51a) 및 제 2 보지부(51b)를 동일 단면적의 원통 형상으로 형성하고, 제 2 보지부(51b)의 원단측에 돌출부(51c)로서 플랜지를 마련해도 좋다. 또한, 정전 척(25)의 구멍(63) 및 서셉터(11)의 구멍(64)은 리프터 핀(51)을 수용 가능한 크기로 형성된다. 예를 들어, 리프터 핀(51)을 원통 형상으로 구성하는 경우, 구멍(63, 64)은 제 2 보지부(51b)와 소정의 클리어런스로 끼워맞춤되는 원통 형상의 공간으로 한다. 또한, 돌출부(51c)와 커버 링(CR)의 하면의 위치 관계를 안정시키기 위해, 관통 구멍(61)의 하측 개구부를 하방을 향해서 개구가 넓어지는 형상으로 해도 좋다. 이 경우, 돌출부(51c)의 형상은 관통 구멍(61)의 개구부에 접촉하는 형상으로 한다. 예를 들어, 돌출부(51c)는 제 1 보지부(51a)로부터 제 2 보지부(51b)를 향해서 서서히 단면적이 커지는 경사부로 해도 좋다(도 3의 예(C) 참조).
(에지 링(ER)의 반송 예)
다음에, 도 4a 내지 도 4e를 참조하여, 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 에지 링(ER)의 반송에 대해서 설명한다. 도 4a는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 에지 링(ER)의 반송 개시 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 4a에 도시되는 바와 같이, 리프터 핀(51)은 반송 시 이외는 구멍(63, 64) 내에 수용된다. 또한, 도 4a의 예에서는, 리프터 핀(51)의 원단이 커버 링(CR)의 관통 구멍(61) 내에 관통 삽입되어서, 에지 링(ER)에 접촉한 상태로 되어 있지만, 리프터 핀(51)의 원단은 커버 링(CR)보다 아래에 수납되어 있어도 좋다.
도 4b는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 에지 링(ER)이 들어올려진 상태 예를 도시하는 도면이다. 에지 링(ER)의 반송 시에는, 우선 구동 기구(53)가 리프터 핀(51)을 구동하여 상방으로 들어올린다. 리프터 핀(51)이 상승하면, 제 1 보지부(51a)가 커버 링(CR)의 관통 구멍(61)을 관통하여 에지 링(ER)의 하면에 접촉한다. 게다가 리프터 핀(51)이 상승하면, 리프터 핀(51)에 의해 에지 링(ER)이 정전 척(25)의 내주부(25b)로부터 떨어져서 상방으로 들어올려진다. 구동 기구(53)는 미리 설정된 제 1 반송 높이(H1)까지 리프터 핀(51)의 원단을 상승시킨다. 제 1 반송 높이(H1)에 대해서는 더욱 후술한다.
도 4c는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 들어올려진 에지 링(ER)을 로봇 아암(AM) 상에 탑재하기 직전의 상태 예를 도시하는 도면이다. 리프터 핀(51)이 에지 링(ER)을 제 1 반송 높이(H1)까지 들어올린 후, 제어부(43)는 반송용의 로봇 아암(AM)을 처리 용기(10)의 밖으로부터 서셉터(11) 상으로 진입시킨다. 로봇 아암(AM)은 제 1 반송 높이(H1)보다 하측의 높이(H2)에 상면이 위치하는 상태로 수평 방향으로 진행된다. 리프터 핀(51)에 의해 들어올려진 에지 링(ER)의 하방에 로봇 아암(AM)이 배치되면, 구동 기구(53)는 리프터 핀(51)의 하강을 개시한다. 리프터 핀(51)이 하강함으로써, 리프터 핀(51) 상에 보지된 에지 링(ER)은 로봇 아암(AM)의 상면에 탑재된다.
도 4d는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 들어올려진 에지 링(ER)이 로봇 아암(AM) 상에 탑재된 상태 예를 도시하는 도면이다. 에지 링(ER)이 로봇 아암(AM) 상에 탑재된 후, 리프터 핀(51)은 높이(H2)보다 하방으로 그대로 하강을 계속한다. 그리고, 리프터 핀(51)이 구멍(63, 64) 내에 수용되면, 제어부(43)는 에지 링(ER)이 탑재된 로봇 아암(AM)을 처리 용기(10) 밖으로 이동시킨다.
도 4e는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 에지 링(ER)의 반송 완료 시의 상태 예를 도시하는 도면이다. 로봇 아암(AM)이 에지 링(ER)을 처리 용기(10) 밖으로 이동시키고, 리프터 핀(51)이 반송 개시 전의 위치로 퇴피하고, 에지 링(ER)의 반송은 완료한다.
(커버 링(CR)의 반송)
다음에, 도 5a 내지 도 5e를 참조하여, 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 커버 링(CR)의 반송에 대해서 설명한다. 도 5a는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 커버 링(CR)의 반송 개시 시의 상태 예를 도시하는 도면이다.
도 5a에 도시되는 바와 같이, 커버 링(CR)의 반출은 에지 링(ER)이 커버 링(CR) 상에 배치되어 있지 않은 상태에서 실행한다. 리프터 핀(51)의 위치는 에지 링(ER)의 반출 개시 시와 마찬가지이다.
도 5b는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 커버 링(CR)이 들어올려진 상태 예를 도시하는 도면이다. 에지 링(ER)의 반송 시와는 달리, 커버 링(CR)의 반송 시는, 구동 기구(53)는 리프터 핀(51)의 원단을 제 2 반송 높이(H3)까지 상승시킨다. 구동 기구(53)가 리프터 핀(51)을 제 1 보지부(51a)의 길이분만큼 상승시키면, 리프터 핀(51)의 제 2 보지부(51b)의 원단측에 형성된 돌출부(51c)가 커버 링(CR)의 하면에 접촉한다. 돌출부(51c)가 커버 링(CR)의 하면에 접촉한 상태로 더욱 리프터 핀(51)이 상승함으로써, 커버 링(CR)은 정전 척(25)의 외주부(25c)로부터 멀어져서 상방으로 들어올려진다. 구동 기구(53)는 그대로, 제 2 반송 높이(H3)까지 리프터 핀(51)의 원단을 상승시킨다. 그 결과, 제 2 보지부(51b)의 원단, 즉, 커버 링(CR)의 하면은 제 1 반송 높이(H1)까지 상승한다.
도 5c는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 들어올려진 커버 링(CR)을 로봇 아암(AM) 상에 탑재하기 직전의 상태 예를 도시하는 도면이다. 리프터 핀(51)이 커버 링(CR)을 제 1 반송 높이(H1)까지 상승시킨 후, 제어부(43)는 반송용의 로봇 아암(AM)을 처리 용기(10)의 밖으로부터 서셉터(11) 상으로 진입시킨다. 로봇 아암(AM)은 제 1 반송 높이(H1)보다 하방의 높이(H2)에 로봇 아암(AM)의 상면이 위치하도록 수평 방향으로 진행한다. 리프터 핀(51)에 의해 들어올려진 커버 링(CR)의 하방에 로봇 아암(AM)이 배치되면, 구동 기구(53)는 리프터 핀(51)의 하강을 개시한다. 리프터 핀(51)이 하강하고, 제 2 보지부(51b)의 원단의 돌출부(51c)가 높이(H2)에 도달하면, 리프터 핀(51) 상에 보지된 커버 링(CR)은 로봇 아암(AM) 상에 탑재된다.
도 5d는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의해 들어올려진 커버 링(CR)이 로봇 아암(AM) 상에 탑재된 상태 예를 도시하는 도면이다. 커버 링(CR)이 로봇 아암 상에 탑재된 후, 리프터 핀(51)은 더욱 하강하고, 돌출부(51c)가 높이(H2)보다 하방으로 이동한다. 리프터 핀(51)의 하강에 수반하여 제 1 보지부(51a)가 관통 구멍(61)을 통과한다. 그리고, 리프터 핀(51)이 구멍(63, 64) 내에 수용되면, 제어부(43)는 커버 링(CR)이 탑재된 로봇 아암(AM)을 처리 용기(10) 밖으로 이동시킨다.
도 5e는 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 의한 커버 링(CR)의 반송 완료 시의 상태 예를 도시하는 도면이다. 로봇 아암(AM)이 커버 링(CR)을 처리 용기(10) 밖으로 이동시키고, 리프터 핀(51)이 반송 개시 전의 위치로 퇴피하여, 커버 링(CR)의 반송은 완료한다.
이와 같이, 실시형태에 따른 반송 기구(50)에 있어서는, 리프터 핀(51)을 상승시키는 양을, 에지 링(ER) 반송 시와 커버 링(CR) 반송 시로 상이하게 하는 것에 의해, 동일한 리프터 핀(51)을 이용하여, 에지 링(ER)과 커버 링(CR)의 쌍방의 반송을 실현한다. 이 때문에, 리프터 핀(51)을 제 1 보지부(51a)와, 제 1 보지부(51a)로부터 연장되는 축방향 위치에 돌출부(51c)가 마련된 제 2 보지부(51b)로 구성한다. 그리고, 에지 링(ER)과 커버 링(CR)이 서로 겹치는 위치에 있어서, 커버 링(CR)에 관통 구멍(63)을 마련하고 있다.
도 6은 리프터 핀(51)의 제 1 보지부(51a)의 길이(L1)와, 제 1 반송 높이(H1)와, 제 2 반송 높이(H3)의 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 6에 있어서는, 제 1 반송 높이(H1) 및 제 2 반송 높이(H3)는, 정전 척(25)의 외주부(25c)의 상면의 높이를 기준면으로서 설명한다. 우선, 제 1 보지부(51a)의 길이(L1)를 제 1 반송 높이(H1)와 대략 동일하게 한다(도 6, (a)). 또한, 제 2 반송 높이(H3)는 제 1 반송 높이(H1)의 대략 2배이다. 구동 기구(53)는 에지 링(ER)의 반송 시에는, 리프터 핀(51)의 원단을 제 1 반송 높이(H1)까지 상승시킨다(도 6, (b)). 또한, 커버 링(CR)의 반송 시에는, 리프터 핀(51)의 원단을 제 2 반송 높이(H3)까지 상승시킨다(도 6, (c)). 반송 시에 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)을 들어올리는 높이를 공통으로 하여 로봇 아암(AM)의 반송 시의 제어 태양을 공통으로 하기 위해, 도 6의 예에서는, 제 1 보지부(51a)의 길이(L1)=제 1 반송 높이(H1)로 한다. 또한, 제 2 반송 높이(H3)를, 제 1 반송 높이의 대략 2배로 하고 있다.
리프터 핀(51)의 각부의 치수와 반송 시의 상승량을 이와 같이 설정함으로써, 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)을 반송 시에 동일한 높이(제 1 반송 높이(H1))까지 상승시킬 수 있다. 이 때문에, 로봇 아암(AM)의 높이를 변경하는 일 없이 다른 소모 부품의 반송을 실현할 수 있다. 다만, 리프터 핀(51)의 각부의 치수 및 반송 시의 상승량은 상기한 것에 한정되지 않는다. 탑재대 상에 배치되는 부품 각부의 치수나 로봇 아암(AM)의 성능에 따라, 리프터 핀(51)의 각부의 치수 및 반송 시의 상승량을 조정할 수 있다. 이와 같이, 실시형태의 구성에 의하면, 1개의 반송 기구(50)로 복수의 소모 부품을 용이하게 반송할 수 있다.
(반송 대상의 소모 부품)
또한, 상기 실시형태에서는, 실시형태에 따른 반송 기구(50)는 커버 링(CR)과 에지 링(ER)을 반송하는 것으로서 설명하였다. 이에 한정하지 않고, 실시형태에 따른 반송 기구(50)는, 임의의 소모 부품의 복수의 부분 또는 복수의 임의의 소모 부품을 반송하기 위해서 적용할 수 있다.
예를 들어, 에지 링(ER)을 내주 부품과 외주 부품의 2개의 부품으로 구성하고, 내주 부품과 외주 부품 중 소모가 큰 부품을 소모가 적은 부품 상에 서로 일부 겹치도록 구성한다. 그리고, 내주 부품과 외주 부품이 서로 겹치는 부분에 있어서, 하측에 배치되는 부품에 관통 구멍을 마련하여 둔다. 리프터 핀(51)의 제 1 보지부(51a)를 해당 관통 구멍에 관통 삽입 가능한 크기로 형성한다. 또한, 돌출부(51c)를 해당 관통 구멍에 관통 삽입 불가능한 형상 및/또는 크기로 형성한다. 이와 같이 구성하면, 빨리 소모되는 부품(상측에 배치되는 부품)을 독립하여 교환하는 것이 가능하게 되는 동시에, 다른 부분(하측에 배치되는 부품)도 동일한 반송 기구(50)를 이용하여 반송할 수 있다.
또한, 3개 이상의 소모 부품을 1개의 반송 기구로 반송하도록 구성해도 좋다. 예를 들어, 에지 링(ER)을 내주 부품, 외주 부품의 2개의 부품으로 구성하고, 게다가, 커버 링(CR)을 에지 링(ER)의 반경 방향 외측에 배치한다. 그리고, 외주 부품이 배치되는 위치에 있어서, 내주 부품, 외주 부품, 커버 링이 서로 적어도 일부 상하 방향으로 겹쳐지도록 구성한다. 그리고, 하방에 배치되는 소모 부품 2개에, 각각 상이한 단면적의 관통 구멍을 마련한다. 그리고, 최하방에 배치되는 소모 부품에 마련된 관통 구멍의 단면적이 가장 커지도록 한다.
게다가, 각 소모 부품에 마련된 관통 구멍에 대응하는 단면적 또는 돌출부를 갖는 3개 이상의 보지부를 리프터 핀(51)에 마련한다. 예를 들어, 제 1 보지부(51a) 및 제 2 보지부(51b)에 더하여, 제 2 보지부(51b)의 기단측으로부터 연장되는 제 3 보지부를 마련하고, 제 3 보지부의 원단측에 돌출부(51c)와 동일한 제 2 돌기부를 마련한다. 돌출부(51c)와 제 2 돌기부의 형상을 각각, 소모 부품의 관통 구멍에 대응하도록 형성함으로써, 1개의 반송 기구에 의해 3개 이상의 소모 부품을 승강시킬 수 있다.
(소모 정도에 대응한 구성의 변경)
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 커버 링(CR)을 에지 링(ER)의 하방에 배치하는 것으로 하였다. 그러나 이에 한정하지 않고, 외측에 배치되는 소모 부품 쪽이 소모가 격렬한 경우에는, 외측에 배치되는 소모 부품의 내주부가, 내측에 배치되는 소모 부품의 외주부 상에 겹쳐지는 형상으로 해도 좋다.
(반송 기구의 구성의 변형)
또한, 상기 실시형태에서는, 리프터 핀(51)의 수는 특별히 한정되지 않는다. 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상의 리프터 핀(51)을 마련함으로써, 에지 링(ER) 및 커버 링(CR)을 승강할 수 있다. 또한, 리프터 핀(51) 각각에 1개의 구동 기구(53)를 마련해도 좋고, 복수의 리프터 핀(51)에 공통의 1개의 구동 기구(53)를 마련해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 정전 척(25) 및 서셉터(11)에 마련한 구멍(63, 64) 안에서 방전이 생기거나 방전이 격렬해지거나 하는 것을 억제하기 위해, 구멍 안과 탑재대가 동전위 공간이 되도록 구성한다. 예를 들어, 구멍의 주위를 탑재대의 다른 부분과 동일한 금속 재료로 구성한다.
(실시형태의 효과)
상기와 같이, 실시형태에 따른 탑재대 및 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼 탑재면을 구비한다. 또한, 실시형태에 따른 탑재대는 제 1 결합부를 갖는 제 1 링과, 제 1 결합부의 하면에 도달하는 관통 구멍을 갖고 제 1 결합부에 결합하는 제 2 결합부를 갖는 제 2 링을 탑재하는 링 탑재면을 구비한다. 링 탑재면은 관통 구멍에 대응하는 위치에 구멍을 갖고, 웨이퍼 탑재면의 외주측에 마련된다. 실시형태에 따른 탑재대는 게다가, 관통 구멍에 끼워맞춤되는 제 1 보지부와, 제 1 보지부로부터 제 1 보지부의 축방향으로 연장되고, 제 1 보지부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제 2 보지부를 갖고, 제 1 보지부를 링 탑재면측으로 해서 링 탑재면의 구멍 내에 수용되는 리프터 핀을 구비한다. 실시형태에 따른 탑재대는 게다가, 리프터 핀을 승강 가능하게 구동하는 구동 기구를 구비한다. 이와 같이, 실시형태에 따른 탑재대는 구동 기구에 의해 리프터 핀을 링 탑재면의 구멍으로부터 상승시키는 것에 의해, 제 2 링의 관통 구멍을 통해서 리프터 핀을 제 1 링에 접촉시킬 수 있다. 이 때문에, 실시형태에 따른 탑재대는 제 2 링을 링 탑재면 상에 탑재한 채로, 제 1 링을 링 탑재면으로부터 들어올려서 반송할 수 있다. 또한, 실시형태에 따른 탑재대는 구동 기구에 의해 리프터 핀을 상승시켜서 제 2 보지부의 돌출부를 제 2 링의 하면에 접촉시킬 수 있다. 이 때문에, 실시형태에 따른 탑재대는 1개의 리프터 핀을 이용하여 제 1 링 및 제 2 링의 쌍방을 반송할 수 있다. 또한, 실시형태에 따른 탑재대는 1개의 리프터 핀에 의해 복수 소모 부품의 반송을 실현하기 때문에, 반송 기구에 의해 점유되는 공간을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 제 1 보지부 및 제 2 보지부는 동축 또한 단면 동심원 형상의 봉 형상 부재이며, 제 1 보지부의 직경은 제 2 보지부의 직경보다 작다. 이와 같이, 제 1 보지부 및 제 2 보지부를 동심원 형상의 봉 형상 부재로서 형성하는 함으로써, 리프터 핀의 가공 및 제조를 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 제 1 링은 제 2 링보다 웨이퍼 탑재면의 중심측에 배치되고, 제 2 결합부는 제 1 결합부보다 링 탑재면측에 배치된다. 예를 들어, 제 1 링(에지 링)과 제 2 링(커버 링)은 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해서 차례대로 배치된다. 그리고, 내측에 위치하는 제 1 링의 제 1 결합부(에지 링의 외주측)는, 외측에 위치하는 제 2 링의 제 2 결합부(커버 링의 내주측) 상에 위치하도록 구성된다. 이 때문에, 실시형태에 의하면, 웨이퍼에 보다 가까운 위치에 배치되는 제 1 링을 제 2 링을 이동시키는 일 없이 용이하게 반송할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 제 1 링은 도전 재료로 형성되고, 제 2 링은 절연 재료로 형성된다. 이 때문에, 실시형태에 의하면, 제 1 링을, 제 2 링을 이동시키는 일 없이 용이하게 반송, 교환 가능하게 함으로써, 플라즈마 처리의 품질을 안정시킬 수 있다. 또한, 제 1 링의 재질은 예를 들어, 실리콘, 실리콘카바이드(SiC), 그 외 웨이퍼 상에 형성되는 마스크 재료와 동 재료 등으로 좋다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 제 2 링은 제 1 링보다 웨이퍼 탑재면의 중심측에 배치되고, 제 2 결합부는 제 1 결합부보다 링 탑재면측에 배치된다. 이와 같이, 실시형태에 따른 탑재대는 여러 위치에 배치되는 소모의 정도가 다른 복수의 소모 부품에 적용할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대는 게다가, 제 1 링 및 제 2 링 중 적어도 일방을 링 탑재면에 흡착하는 링용 정전 척을 구비한다. 또한, 실시형태에 따른 탑재대는 게다가, 제 1 링 및 제 2 링 중 적어도 일방의 하면과 링 탑재면 사이에 전열 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 더 구비한다. 이 때문에, 실시형태에 따른 탑재대는 제 1 링 및 제 2 링 등의 탑재대 상의 부품의 열을 용이하게 하부 구조물에 놓아줄 수 있다. 이 때문에, 실시형태에 의하면, 전열 시트 등의 구조물을 제 1 링 및 제 2 링과 탑재대 사이에 개재시킬 필요가 없다. 이 때문에, 실시형태에 의하면, 간소한 구조의 리프터 핀에 의해 제 1 링 및 제 2 링을 용이하게 반송할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 구동 기구는 제 1 링의 반송 시, 제 1 보지부의 정상부가 반송 높이에 도달할 때까지 리프터 핀을 상승시킨다. 또한, 구동 기구는 제 2 링의 반송 시, 제 2 보지부의 정상부가 반송 높이에 도달할 때까지 리프터 핀을 상승시킨다. 이와 같이, 실시형태에 의하면, 반송 대상이 제 1 링인지 제 2 링인지에 따라, 리프터 핀의 구동 태양을 바꿈으로써, 1개의 리프터 핀을 이용하여 용이하게 복수 부품의 반송을 실현할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탑재대에 있어서, 리프터 핀의 제 1 보지부의 축방향 길이는, 제 2 링의 축방향의 두께보다 길다. 제 1 보지부를 적어도 제 2 링보다 두껍게 형성함으로써, 제 1 링과 제 2 링 쌍방을 1개의 리프터 핀으로 승강할 수 있다.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 상기의 실시형태는 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
1 : 플라즈마 처리 장치 10 : 처리 용기
11 : 서셉터(하부 전극) 12 : 통 형상 보지 부재
13 : 통 형상 지지부 14 : 배기로
15 : 배플판 16 : 배기구
17 : 배기관 18 : 배기 장치
19 : 반입출구 20 : 게이트 밸브
21a : 제 1 고주파 전원 21b : 제 2 고주파 전원
22 : 정합기 23 : 급전봉
24 : 샤워 헤드 25 : 정전 척
25a : 중심부 25b : 내주부
25c : 외주부 25d, 25e : 전극판
26, 28 : 직류 전원 27, 29 : 스위치
35a, 35b : 전열 가스 공급부 36a : 웨이퍼용 가스 공급 라인
36b : 링용 가스 공급 라인 43 : 제어부
50 : 반송 기구 51 : 리프터 핀
51a : 제 1 보지부 51b : 제 2 보지부
51c : 돌출부 52 : 봉지부
53 : 구동 기구 61 : 관통 구멍
63, 64 : 구멍 CR : 커버 링
ER : 에지 링 W : 웨이퍼

Claims (9)

  1. 웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼 탑재면과,
    제 1 결합부를 갖는 제 1 링과, 상기 제 1 결합부의 하면에 도달하는 관통 구멍을 갖고 상기 제 1 결합부에 결합하는 제 2 결합부를 갖는 제 2 링을 탑재하고, 상기 관통 구멍에 대응하는 위치에 구멍을 갖고, 상기 웨이퍼 탑재면의 외주측에 마련되는 링 탑재면과,
    상기 관통 구멍에 끼워맞춤되는 제 1 보지부와, 상기 제 1 보지부로부터 상기 제 1 보지부의 축방향으로 연장되고, 상기 제 1 보지부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제 2 보지부를 갖고, 상기 제 1 보지부를 상기 링 탑재면측으로 해서 링 탑재면의 구멍 내에 수용되는 리프터 핀과,
    상기 리프터 핀을 승강 가능하게 구동하는 구동 기구를 구비하는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보지부 및 상기 제 2 보지부는 동축 또한 단면 동심원 형상의 봉 형상 부재이며, 상기 제 1 보지부의 직경은 상기 제 2 보지부의 직경보다 작은
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 링은 상기 제 2 링보다 상기 웨이퍼 탑재면의 중심측에 배치되고, 상기 제 2 결합부는 상기 제 1 결합부보다 링 탑재면측에 배치되는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 링은 도전 재료로 형성되고,
    상기 제 2 링은 절연 재료로 형성되는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 링은 상기 제 1 링보다 상기 웨이퍼 탑재면의 중심측에 배치되고, 상기 제 2 결합부는 상기 제 1 결합부보다 링 탑재면측에 배치되는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 링 및 상기 제 2 링 중 적어도 일방을 상기 링 탑재면에 흡착하는 링용 정전 척과,
    상기 제 1 링 및 상기 제 2 링 중 상기 적어도 일방의 하면과 상기 링 탑재면 사이에 전열 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 더 구비하는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동 기구는,
    상기 제 1 링의 반송 시, 상기 제 1 보지부의 정상부가 소정의 높이에 도달할 때까지 상기 리프터 핀을 상승시키고,
    상기 제 2 링의 반송 시, 상기 제 2 보지부의 정상부가 상기 소정의 높이에 도달할 때까지 상기 리프터 핀을 상승시키는
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 보지부의 축방향 길이는 상기 제 2 링의 축방향의 두께보다 긴
    플라즈마 처리 장치의 탑재대.
  9. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    처리 챔버와,
    상기 처리 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 구성된 플라즈마 발생기와,
    웨이퍼 지지체를 포함하고,
    상기 웨이퍼 지지체는,
    웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼 탑재면과,
    제 1 결합부를 갖는 제 1 링과,
    상기 제 1 결합부의 하면에 도달하는 관통 구멍을 갖고 상기 제 1 결합부에 결합하는 제 2 결합부를 갖는 제 2 링과,
    상기 웨이퍼 탑재면의 외주측에 마련되고, 상기 관통 구멍에 대응하는 위치에 구멍을 갖고, 상기 제 1 링 및 상기 제 2 링을 탑재하는 링 탑재면과,
    상기 관통 구멍에 끼워맞춤되는 제 1 보지부와, 상기 제 1 보지부로부터 상기 제 1 보지부의 축방향으로 연장되고, 상기 제 1 보지부의 외주로부터 돌출하는 돌출부를 갖는 제 2 보지부를 갖고, 상기 제 1 보지부를 상기 링 탑재면측으로 해서 링 탑재면의 구멍 내에 수용되는 리프터 핀과,
    상기 리프터 핀을 승강 가능하게 구동하는 구동 기구를 구비하는
    플라즈마 처리 장치.
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