KR20190124048A - 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20190124048A
KR20190124048A KR1020180048113A KR20180048113A KR20190124048A KR 20190124048 A KR20190124048 A KR 20190124048A KR 1020180048113 A KR1020180048113 A KR 1020180048113A KR 20180048113 A KR20180048113 A KR 20180048113A KR 20190124048 A KR20190124048 A KR 20190124048A
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최동민
양진혁
정영훈
노윤서
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세메스 주식회사
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Abstract

예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리는 플레이트, 부시, 및 리프트 핀을 포함할 수 있다. 상기 플레이트는 기판이 안착되도록 구비될 수 있다. 상기 부시는 상기 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비될 수 있다. 상기 리프트 핀은 상기 플레이트에 안착되는 기판의 이면을 지지하도록 상기 부시의 내부홀을 통하여 상기 플레이트로 승강 가능하게 구비될 수 있다. 특히, 상기 부시는 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득할 수 있다.

Description

부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Method for fabricating bush, Assembly for supporting substrate, and Apparatus for processing having the same}
본 발명은 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판이 안착되는 플레이트에 삽입되는 부시의 제조 방법에 관한 것이고, 부시를 포함하는 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치, 표시 장치 등의 제조에서는 기판 상에 박막을 증착하는 공정, 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등과 같은 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
기판 처리 공정은 주로 밀폐된 공간을 제공하는 공정 챔버에서 수행될 수 있다. 공정 챔버에는 유리 기판 또는 반도체 웨이퍼 등과 같은 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리가 구비될 수 있다. 기판 지지 어셈블리에는 기판이 안착되는 플레이트, 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되는 부시, 부시의 내부홀을 통하여 승강하는 리프트 핀 등이 구비될 수 있다.
부시는 주로 실제 크기보다 큰 외형을 갖도록 사출 성형으로 형성한 후 2차 가공을 수행하여 수득하고 있다. 즉, 부시는 사출 성형을 통하여 실제보다 크게 형성한 후 헤드부 체결, 내부홀 형성 등을 수행하고, 이어서 실제 크기를 갖도록 가공하여 수득하는 것이다.
그러나 2차 가공을 통하여 헤드부를 체결할 경우 체결 부위가 약하여 서로 분리되는 상황이 발생할 수 있다. 특히, 2차 가공을 통하여 형성하는 내부홀의 경우에는 표면 조도(surface roughness)가 나쁘고 균일성이 떨어지기 때문에 리프트 핀과의 마찰로 인하여 파티클이 발생하여 기판 처리를 위한 공정에서 불량 요인으로 작용할 수 있다. 아울러, 사출 성형 후 2차 가공을 수행하기 때문에 제조 원가가 높아지는 단점이 있을 수 있다.
본 발명의 일 과제는 전체가 일체형 구조를 가지면서 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀을 가지는 부시의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 과제는 전체가 일체형 구조를 가지면서 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀을 가지는 부시를 포함하는 기판 지지 어셈블리를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 과제는 전체가 일체형 구조를 가지면서 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀을 가지는 부시가 구비되는 기판 지지 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법은 부시의 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 마련하여 상기 성형 공간 내에 상기 부시로 형성하기 위한 수지를 채워 넣는 사출 성형 가공으로 이루어질 수 있다. 그리고 상기 수지를 채울 때 또는 상기 수지를 채운 후 상기 내부핀을 냉각시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 수지는 피크(PEEK : Polyether Ether Ketone) 재질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 수지를 채울 때 상기 성형 공간을 음압으로 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 내부핀의 냉각은 상기 내부핀에 형성되는 핀홀에 냉매를 주입함에 의해 이루어질 수 있다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리는 플레이트, 부시, 및 리프트 핀을 포함할 수 있다. 상기 플레이트는 기판이 안착되도록 구비될 수 있다. 상기 리프트 핀은 상기 플레이트에 안착되는 상기 기판의 이면을 지지하도록 상기 플레이트를 관통하여 승강 가능하게 구비될 수 있다. 상기 부시는 상기 플레이트를 관통하여 상기 리프트 핀이 승강할 때 상기 리프트 핀의 승강을 가이드하는 내부홀을 갖도록 구비될 수 있다. 특히, 상기 부시는 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 내부핀에는 상기 사출 성형 가공시 상기 내부핀을 냉각시킬 수 있는 냉매의 주입이 가능한 핀홀이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 사출 성형 가공시 상기 부시가 형성되는 성형 공간은 음압이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 피크 재질로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트의 이면에 배치되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트의 하부에 삽입되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
상기 본 발명의 또 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 쳄버, 및 기판 지지 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버는 기판을 수용하여 공정을 수행하는 공간을 제공하도록 구비될 수 있다. 상기 기판 지지 어셈블리는 상기 공정 챔버 내에서 공정 수행시 상기 기판을 지지하도록 구비될 수 있다. 상기 기판 지지 어셈블리는 플레이트, 부시, 및 리프트 핀을 포함할 수 있다. 상기 플레이트는 기판이 안착되도록 구비될 수 있다. 상기 리프트 핀은 상기 플레이트에 안착되는 상기 기판의 이면을 지지하도록 상기 플레이트를 관통하여 승강 가능하게 구비될 수 있다. 상기 부시는 상기 플레이트를 관통하여 상기 리프트 핀이 승강할 때 상기 리프트 핀의 승강을 가이드하는 내부홀을 갖도록 구비될 수 있다. 특히, 상기 부시는 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 피크 재질로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트의 이면에 배치되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 부시는 상기 플레이트의 하부에 삽입되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치는 외형과 내부홀을 동시에 형성함으로써 일체형 구조를 가지면서 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀을 가지는 부시를 수득하여 구비할 수 있을 것이다.
이에, 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치는 부시가 일체형 구조를 갖기 때문에 서로 분리되는 상황을 사전에 차단할 수 있을 것이다.
또한, 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치는 부시가 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀을 갖기 때문에 리프트 핀과의 마찰로 인한 파티클의 발생을 최소화하여 기판 처리 공정에서의 불량 요인을 억제할 수 있을 것이다.
그리고 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치는 한 번의 사출 성형 가공을 수행하여 부시를 수득함에 의해 제조 원가를 낮출 수 있기 때문에 가격 경쟁력까지도 확보할 수 있을 것이다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리는 플레이트(plate)(11), 부시(bush)(15), 리프트 핀(lift pin)(17) 등을 포함할 수 있다.
플레이트(11)는 공정 수행시 기판이 안착되도록 구비될 수 있다. 플레이트(11)의 예로서는 기판을 안착시켜 가열할 수 있는 핫-플레이트 등을 들 수 있다. 그리고 플레이트(11)는 서셉터(suscepter), 스테이지(stage), 척(chuck) 등으로도 표현할 수 있다.
부시(15)는 플레이트(11)에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비될 수 있다. 부시(15)는 리프트 핀(17)의 수직 상태를 유지시키고, 특히 리프트 핀(17)의 승하강시 리프트 핀(17)이 좌,우측으로 흔들리는 것을 최소화할 수 있게 리프트 핀(17)을 가이드하도록 구비될 수 있다. 부시(15)는 후술하는 사출 성형을 수행하여 수득해야 하기 때문에 수지(resin) 재질로 이루어져야 할 것이고, 또한 리프트 핀(17)과 마찰이 발생할 수 있기 때문에 마모 특성 등을 고려해야 할 것이다. 이에, 부시(15)는 피크(PEEK : Polyether Ether Ketone) 재질로 이루어질 수 있다.
리프트 핀(17)은 플레이트(11)에 안착되는 기판의 이면을 지지하도록 구비될 수 있다. 이에, 리프트 핀(17)은 부시(15)의 내부홀(13)을 통하여 플레이트(11)로 승강 가능하게 구비될 수 있는 것이다. 리프트 핀(17)은 단일 플레이트(11)에 복수개가 배치되도록 구비될 수 있다. 리프트 핀(17)은 기판의 이면에 접촉시 전기적으로 문제가 없어야 할 것이고, 공정 수행시 가혹 조건 등을 견뎌야 할 것이다. 이에, 리프트 핀(17)은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
리프트 핀(17)은 기판의 이면을 보다 안정적으로 지지하기 위하여 상방은 대경부로 이루어지고 하방은 소경부로 이루어지는 계단식 원주체 구조를 갖도록 구비될 수도 있다. 즉, 리프트 핀(17)은 기판의 이면과 접촉하는 부분에서의 면적이 다른 부분보다 큰 구조를 갖도록 구비될 수 있는 것이다. 언급한 바와 같이, 리프트 핀(17)의 상방이 대경부로 이루어질 경우 플레이트(11)에 형성되는 관통홀 및 부시(15) 또한 리프트 핀(17)의 대경부를 수용하는 구조를 갖도록 형성할 수 있다.
이와 달리, 리프트 핀(17)은 기판 이면과의 접촉시 기판 이면에 가해지는 접촉 손상을 최소화하기 위하여 기판 이면과 접촉하는 단부를 점접촉하는 구조를 갖도록 구비할 수도 있다. 언급한 바와 같이, 리프트 핀(17)의 단부가 점접촉하는 구조를 가질 경우 리프트 핀(17)은 일자 구조를 가질 수 있기 때문에 플레이트(11)에 형성되는 관통홀 및 부시(15) 또한 리프트 핀(17)을 수용할 수 있는 일자 구조를 갖도록 형성할 수 있다.
그리고 도 1에서는 부시(15)가 플레이트(11)에 형성되는 관통홀에 삽입되는 배치 구조를 갖도록 구비될 수 있지만, 이와 달리 도 2에서와 같이 부시(15)가 플레이트(11)의 이면에 배치되는 구조를 갖도록 구비되거나 또는 도 3에서와 같이 부시(15)가 플레이트(11)의 하부에 삽입되는 구조를 갖도록 구비될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리(100)에 구비되는 부시(15)는 한 번의 사출 성형 가공을 통하여 수득하도록 구비될 수 있다. 즉, 부시(15)는 실제 크기를 가지면서 플레이트(11)의 관통홀에 삽입되는 외형 및 리프트 핀(17)이 배치되는 내부홀(13)이 동시에 형성되는 일체형 사출 성형 가공을 통하여 수득하도록 구비될 수 있는 것이다. 이에, 부시(15)는 단 한 번만의 사출 성형 가공으로 수득할 수 있는 것이다.
이하, 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리에 구비되는 부시의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 4를 참조하면, 예시적인 실시예에 따른 부시(15)의 제조에 사용하기 위한 금형(25)으로써, 상부 금형(26)과 하부 금형(27)으로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상부 금형(26)과 하부 금형(27)을 합체하는 금형(25)은 부시(15)의 외형이 형성되는 성형 공간(21)을 가지면서 부시(15)의 내부홀(13)이 형성되는 영역에는 내부핀(23)을 배치되도록 이루어질 수 있다. 상부 금형(26)과 하부 금형(27)을 합체시킬 때 후술하는 음압의 형성을 위한 진공 흡입에 대하여 리크(leak) 부분에는 오-링을 구비시킬 수 있다. 그리고 외형이 형성되는 성형 공간(21)은 플레이트(11)에 실제 구비되는 부시(15)를 제조할 수 있는 크기를 갖도록 이루어질 수 있다.
이에, 언급한 금형(25)을 마련한 후 상부 금형(26) 쪽에 구비되는 수지 공급부(29)를 통하여 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지가 채워지도록 공급할 수 있다. 부시(15)는 피크 재질로 이루어질 수 있기 때문에 성형 공간(21)을 공급되는 수지는 피크(PEEK)를 포함할 수 있다.
그리고 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지를 공급할 때 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법에서는 금형(25)의 성형 공간(21)을 음압으로 형성할 수 있다. 금형(25)의 성형 공간(21)을 음압으로 형성하는 것은 금형(25)의 성형 공간(21)을 진공 흡입함에 의해 달성할 수 있을 것이다. 진공 흡입에 의한 음압의 형성은 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지를 보다 치밀하게 채우기 위함이다. 진공 흡입에 의한 음압을 형성하여 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지가 보다 치밀하게 채워질 경우 보다 견고한 구조를 갖는 부시(15)를 수득할 수 있을 것이다.
이에, 금형(25)의 성형 공간(21)을 음압으로 형성하기 위한 진공 흡입은 수지 공급부(29)가 구비되는 상부 금형(26)과 가장 반대편의 하부 금형(27) 쪽에서 이루어질 수 있다. 따라서 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법에서는 수지 공급부(29)가 구비되는 상부 금형(26)과 가장 반대편의 하부 금형(27) 쪽에 진공 흡입을 위한 진공 펌프 등과 같은 부재가 연결될 수 있을 것이다.
또한, 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법에서는 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지가 채워질 때 또는 금형(25)의 성형 공간(21)으로 수지를 채운 후 부시(15)의 내부홀(13)이 형성되도록 배치시키는 내부핀(23)을 냉각시킬 수 있다. 도시하지는 않았지만, 내부핀(23)의 냉각은 내부핀(23)에 형성되는 핀홀에 냉매를 주입함에 의해 달성될 수 있다.
이와 같이, 내부핀(23)을 냉각시키는 것은 부시(15)의 제조를 위한 사출 성형 가공에서의 온도를 조정하기 위함이다.
예시적인 실시예들에서는 부시(15)의 외형이 형성되는 성형 공간(21)을 가지면서 부시(15)의 내부홀(13)이 형성되는 영역에는 내부핀(23)을 배치되도록 이루어지는 금형(25)을 사용하여 한 번의 사출 성형 가공을 수행하여 부시(15)를 수득할 수 있다.
이에, 예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법은 부시(15)의 외형과 부시(15)의 내부홀(13)을 동시에 형성함과 아울러 부시(15)를 실제 크기를 갖도록 형성할 수 있다.
이에, 예시적인 실시예들에 따르면 일체형 구조를 가지면서 표면 조도가 좋아지고 균일성이 향상되는 내부홀(13)을 가지는 부시(15)를 수득하여 기판 지지 어셈블리(100) 및 기판 처리 장치에 구비할 수 있기 때문에 리프트 핀(17)과의 마찰로 인한 파티클의 발생을 최소화하여 기판 처리 공정에서의 불량 요인을 억제할 수 있을 것이다.
또한, 부시(15)가 일체형 구조를 갖도록 수득할 수 있기 때문에 부시(15)의 헤드부가 분리되는 상황도 차단할 수 있을 것이고, 사출 성형 후 별도 가공을 하지 않기 때문에 부시(15)의 제조에 따른 제조 원가도 낮출 수 있을 것이다.
그리고 도시하지는 않았지만, 예시적인 실시예들에 따른 부시(15)는 측면에 홀들이 형성될 수도 있다.
실제로, 종래의 사출 성형 후 2차 가공을 통하여 수득하는 부시의 내부홀에서의 표면 조도와 예시적인 실시예들에서 같이 한 번의 사출 성형을 통하여 수득하는 부시의 내부홀에서의 표면 조도를 비교해보았다. 그 결과는 종래의 부시의 내부홀에서의 표면 조도(ra)는 평균 1.51 정도임을 확인할 수 있었고, 예시적인 실시예들에 따른 부시의 내부홀에서의 표면 조도(ra)는 평균 0.38 정도임을 확인할 수 있었다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 5를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)는 공정 챔버(31), 기판 지지 어셈블리(100) 등을 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(100)는 도 1에서와 동일하기 때문에 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
공정 챔버(31)는 기판(33)을 수용하여 공정을 수행하는 공간을 제공하도록 구비될 수 있다.
그리고 공정 챔버(31)에는 공정 조건에 따른 공정 챔버(31)로 가스를 공급하기 위한 가스 공급부, 공정 챔버(31)에서의 온도를 조절하기 위한 온도 조절부, 공정 챔버(31)를 진공으로 형성하기 위한 진공 형성부, 공정 챔버(31)를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 플라즈마 형성부 등이 연결될 수 있을 것이다.
또한, 공정 챔버(31)는 기판(33) 상에 박막을 형성하기 위한 증착 챔버, 기판(33) 상에 형성한 박막을 식각하기 위한 식각 챔버, 기판(33)을 세정하기 위한 세정 챔버, 기판(33)을 건조시키기 위한 건조 챔버 등으로 이루어질 수 있다.
이에, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)는 기판 지지 어셈블리(100)를 사용하여 공정 챔버(31)로 이송되는 플레이트(11)로 안착시키거나 또는 플레이트(11)에 안착되어 있는 기판(33)을 승강시킬 수 있다.
따라서 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)를 사용하는 기판(33)의 처리 공정에서는 로봇암, 블레이드 등과 같은 이송 장치를 사용하여 공정 챔버(31)로 기판(33)이 이송되어 플레이트(11) 상부에 위치하면 리프트 핀(17)이 승강하여 기판(33)을 지지할 수 있다. 이때, 이송 장치는 플레이트(11)를 벗어날 수 있다. 그러면 기판(33)이 플레이트(11)에 안착되도록 리프트 핀(17)이 하강할 수 있다. 이와 같이, 기판(33)을 플레이트(11)에 안착시킨 후 기판(33)을 대상으로 박막 증착, 박막 식각, 기판 세정, 기판 건조 등과 같은 처리 공정을 수행할 수 있다. 그리고 처리 공정은 수행한 후 기판(33)이 플레이트(11) 상부에 위치하도록 리프트 핀(17)을 승강시킨다. 이어서, 언급한 이송 장치를 사용하여 기판(33)을 공정 챔버(31) 밖으로 이송함으로써 기판(33) 처리를 위한 공정을 종료할 수 있다.
언급한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)에서도 외형과 내부홀(13)이 동시에 형성되게 외형이 형성되는 성형 공간(21)을 가지면서 내부홀(13)이 형성되는 영역에는 내부핀(23)을 배치시키는 금형(25)을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득하는 부시(15)가 구비될 수 있다.
따라서 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)는 부시(15)와 리프트 핀(17)과의 마찰로 인한 파티클의 발생을 최소화함으로써 기판 처리 공정에서의 불량 요인을 억제할 수 있을 것이고, 부시(15)의 제조에 따른 제조 원가도 낮출 수 있기 때문에 결과적으로 기판 처리 장치(300)에 대한 가격 경쟁력도 확보할 수 있을 것이다.
예시적인 실시예들에 따른 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치는 반도체 장치, 표시 장치의 제조에 적용할 수 있는 것으로써, 세부적으로는 박막 증착, 박막 식각, 기판 세정, 기판 건조 등과 같은 처리 공정에 적용할 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
11 : 플레이트 13 : 내부홀
15 : 부시 17 : 리프트 핀
21 : 성형 공간 23 : 내부핀
25 : 금형 26 : 상부 금형
27 : 하부 금형 29 : 수지 공급부
31 : 공정 챔버 33 : 기판
100 : 기판 지지 어셈블리
300 : 기판 처리 장치

Claims (16)

  1. 기판이 안착되는 플레이트로 리프트 핀이 승강하도록 하는 내부홀을 갖는 부시의 제조 방법에 있어서,
    상기 부시의 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 마련하는 단계;
    상기 성형 공간 내에 상기 부시로 형성하기 위한 수지를 채워 넣는 사출 성형 가공을 수행하는 단계; 및
    상기 수지를 채울 때 또는 상기 수지를 채운 후 상기 내부핀을 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부시의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 수지는 피크(PEEK : Polyether Ether Ketone) 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 부시의 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 수지를 채울 때 상기 성형 공간을 음압으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부시의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 내부핀의 냉각은 상기 내부핀에 형성되는 핀홀에 냉매를 주입함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 부시의 제조 방법.
  5. 기판이 안착되도록 구비되는 플레이트;
    상기 플레이트에 안착되는 상기 기판의 이면을 지지하도록 상기 플레이트를 관통하여 승강 가능하게 구비되는 리프트 핀; 및
    상기 플레이트를 관통하여 상기 리프트 핀이 승강할 때 상기 리프트 핀의 승강을 가이드하는 내부홀을 갖는 부시를 포함하고,
    상기 부시는 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 내부핀에는 상기 사출 성형 가공시 상기 내부핀을 냉각시킬 수 있는 냉매의 주입이 가능한 핀홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 사출 성형 가공시 상기 부시가 형성되는 성형 공간은 음압이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 부시는 피크(PEEK : Polyether Ether Ketone) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  10. 제5 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트의 이면에 배치되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  11. 제5 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트의 하부에 삽입되는 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  12. 기판을 수용하여 공정을 수행하는 공간을 제공하도록 구비되는 공정 챔버; 및
    상기 공정 챔버 내에서 공정 수행시 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리를 포함하고,
    상기 기판 지지 어셈블리는 상기 기판이 안착되도록 구비되는 플레이트와, 상기 플레이트에 안착되는 상기 기판의 이면을 지지하도록 상기 플레이트를 관통하여 승강 가능하게 구비되는 리프트 핀, 및 상기 플레이트를 관통하여 상기 리프트 핀이 승강할 때 상기 리프트 핀의 승강을 가이드하는 내부홀을 갖는 부시를 포함하고, 상기 부시는 외형과 내부홀이 동시에 형성되게 상기 외형이 형성되는 성형 공간을 가지면서 상기 내부홀이 형성되는 영역에는 내부핀을 배치시키는 금형을 사용하는 사출 성형 가공을 수행하여 수득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 부시는 피크(PEEK : Polyether Ether Ketone) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트에 형성되는 관통홀에 삽입되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트의 이면에 배치되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 부시는 상기 플레이트의 하부에 삽입되는 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
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