TWI639482B - 基板支撐設備與包含該基板支撐設備的基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

一種基板支撐設備，能夠防止用於支撐基板的複數個升降銷受到損傷，以及包含此種基板支撐設備的一基板處理設備，其中此種基板支撐設備包含一基座，基座上放置一基板，一升降銷，用於支撐基板，升降銷垂直地穿透基座，以及一套筒，提供於基座中，其中升降銷插入至套筒中，其中套筒由一自潤滑材料形成用於防止升降銷受到損傷。

Description

基板支撐設備與包含該基板支撐設備的基板處理設備
本發明係關於一種發明基板處理設備，並且更特別地，關於一種基板支撐設備，能夠防止用於支撐基板的複數個升降銷損壞，以及包含該基本支撐設備的基本處理設備。
通常，為了製造一太陽能電池、一半導體裝置以及一平板顯示裝置，需要在一基板的一表面上形成一預定的電路圖案或一光學圖案。為此，可執行基板處理的各種過程，舉例而言，在一基板上沉積一預定材料之薄膜的一薄膜沉積過程，透過使用感光材料選擇性曝光此薄膜的一感光過程，以及透過選擇性地去除薄膜的一暴露部分形成一圖案的一蝕刻過程。這些用於基板處理的各種過程可在一處理室內部執行，其中處理室可提供有一基板支撐設備，此基板支撐設備支撐一基板，例如玻璃基板或半導體晶片。
基板支撐設備包含用於支撐基板的一基座，以及複數個升降銷，這些升降銷垂直地插入到穿透基座的一銷插入孔中以便將基板放置於基座上或將基座上放置的基板提升到一裝載/卸載位置。
第1圖為使用根據習知技術的一基板支撐設備的一基板處 理設備之示意圖。
將參照第1圖描述使用根據習知技術的基板支撐設備的基板處理。
首先，如第1圖(a)所示，降低一基座20，以使得每一升降銷40的一頂表面提供於相距基座20的一頂表面的一預定的間隔。在此情況下，一基板(S)裝載至一處理室中，並且然後放置到複數個升降銷40上。
然後，如第1圖(b)所示，升高基座20，以使得由這些個升降銷40支撐的基板(S)放置在基座20的頂表面上。在此情況下，每一升降銷40插入至在基座20的頂表面中形成的銷插入孔中。
如第1圖(c)所示，基座20上放置的基板(S)使用一種基板處理，例如薄膜沉積過程或蝕刻過程進行處理。
在完成基板處理之後，放置在基座20上的基板(S)透過降低基座20放置在這些個升降銷40上，並且然後放置到這些升降銷上的基板(S)40從處理室卸載至外部。
在根據習知技術的基板支撐設備中，提升銷40可在基座20的重複降低或升高的過程中收到破壞或損傷。也就是說，如果升降銷40由於基板(S)的重量與/或下垂不保持在垂直狀態下，則升降銷40在插入到基座20的銷插入孔中的同時在一對角方向上傾斜。在這種情況下，如果基座20上升，則透過銷插入孔的內壁和升降銷40之間的一摩擦力瞬間產生一剪切力，從而破壞或損壞升降銷40。當升降銷40受到損壞時，需要停止設備的作業，這樣導致生產率降低，並且還對由升降銷40支撐的基板(S) 造成損傷。
因此，本發明的實施例在於提供一種基板支撐設備，以及具有此種基板支撐設備的一基板處理設備，藉以克服由於習知技術的限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明之實施例的一方面在於提供一種基板支撐設備，能夠防止用於支撐基板的複數個升降銷受到損傷，以及包含此種基板支撐設備的一基板處理設備。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種基板支撐設備包含一基座，基座上放置一基板，一升降銷，用於支撐基板，升降銷垂直地穿透基座，以及一套筒，提供於基座中，其中升降銷插入至套筒中，其中套筒由一自潤滑材料形成用於防止升降銷受到損傷。
在本發明的一實施例的另一方面中，提供的一種基板處理設備可包含一處理室，用於提供一處理空間；一基板支撐裝置，用於支撐一基板，基板支撐裝置提供於處理室中；以及一氣體分佈裝置，用於將處理氣體分佈於基板上，其中氣體分佈裝置與處理室中提供的基座相面對， 其中基板支撐裝置包含上述的基板支撐設備。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
20‧‧‧基座
40‧‧‧升降銷
100‧‧‧基板支撐設備
120‧‧‧基座
121‧‧‧垂直孔
121a‧‧‧套筒安裝孔
121b‧‧‧銷放置孔
121c‧‧‧階梯環部
140‧‧‧升降銷
142‧‧‧銷支撐件
144‧‧‧銷頭
160‧‧‧套筒
180‧‧‧銷保持托架
182‧‧‧套筒插入孔
184‧‧‧套筒固定槽
210‧‧‧主套筒
211‧‧‧主套筒孔
213‧‧‧頂部主體
213a‧‧‧頂部外螺紋
215‧‧‧底部主體
215a‧‧‧底部外螺紋
217‧‧‧套筒固定部
219‧‧‧第一密封件安裝槽
220‧‧‧頂部導向套筒
221‧‧‧頂部通孔
223‧‧‧頂部導向孔
225‧‧‧頂部內螺紋
227‧‧‧第二密封件安裝槽
230‧‧‧底部導向套筒
231‧‧‧底部通孔
233‧‧‧底部導向孔
235‧‧‧底部內螺紋
240‧‧‧第一密封件
250‧‧‧第二密封件
360‧‧‧套筒
410‧‧‧主套筒
411‧‧‧主套筒孔
413‧‧‧頂部主體
415‧‧‧底部主體
417‧‧‧套筒固定部
420‧‧‧頂部導向套筒
422‧‧‧套筒支撐件
424‧‧‧套筒頭
426‧‧‧銷插入孔
510‧‧‧處理室
512‧‧‧底腔室
514‧‧‧頂腔室
520‧‧‧基板支撐裝置
522‧‧‧升降軸
524‧‧‧波紋管
530‧‧‧氣體分佈裝置
532‧‧‧氣體供給管
S‧‧‧基板
第1圖為使用根據習知技術的一基板支撐設備的一基板處理設備之示意圖；第2圖為根據本發明一個實施例的一基板支撐設備之橫截面圖；第3圖為第2圖所示的一套筒；第4圖為根據本發明另一實施例的基板支撐設備的橫截面圖；第5圖為第4圖中所示的一套筒；以及第6圖為根據本發明的本實施例的一用於處理基板的設備之示意圖。
以下，將參照附圖詳細描述本發明的實施例。
為了說明本發明的實施例，應理解關於術語的以下細節。
如果在上下文中沒有具體的定義，則單數表達的術語應理解為包含一多數表達以及單數表達。如果使用例如「第一」或「第二」的術語，則可以是從其他元件分離的任何一個元件。因此，專利申請範圍的保護範圍不受這些術語的限制。
此外，應當理解的是，術語例如「包含」或「具有」並不排除存在一個或多個特徵、數字、步驟、操作、元件、部件或它們的組合 的可能性。
應當理解的是，術語「至少一個」包含與任何一個項目相關的所有組合。舉例而言，「第一元件、第二元件以及第三元件中的至少一個」可包含從第一元件、第二元件以及第三元件中選擇的兩個或更多元件，以及從第一元件、第二元件以及第三元件中選擇的每一元件的所有組合。
此外，如果提及一第一元件位於一第二結構「之上或上方」，則應當理解的是，第一元件和第二元件可彼此相接觸，或一第三元件可介入於第一元件和第二元件之間。然而，如果使用「正上或正上方」，則應當理解的是，第一元件和第二元件彼此相接觸。
在下文中，將參照附圖描述根據本發明之實施例的一基板支撐設備。
第2圖為根據本發明一個實施例的一基板支撐設備之橫截面圖。第3圖為第2圖所示的一套筒。
請參照第2圖及第3圖，根據本發明一個實施例的用於支撐基板的設備(在下文中，稱為「基板支撐設備」)100可包含一基座120、複數個升降銷140、複數個套筒160以及複數個銷保持托架180。
可移動地設置在用於執行基板處理的處理室(圖未示)的一內底表面上的基座120支撐一基板(S)。基座120可由一金屬材料形成，例如由鋁(Al)材料形成。如果需要的話，用於加熱基板(S)的一加熱器(圖未示)可提供於基座120的內部。
基座120提供有複數個垂直孔121。垂直地插入於基座120中提供的垂直孔121中的每一升降銷140穿過每一垂直孔121。
每一垂直孔121可包含一套筒安裝孔121a、一銷放置孔121b、以及一階梯環部121c。
套筒安裝孔121a形成為具有一中空形狀，此中空形狀具有相距基座120之一底表面的第一高度和直徑。
銷放置孔121b形成為具有一中空形狀，此中空形狀具有相距基座120之一頂表面的第二高度和直徑，第二高度可相比較於第一高度相對較小。
階梯環部121c設置為形成套筒安裝孔121a的一頂表面以及銷放置孔121b的一底表面。階梯環部121c具有套筒安裝孔121a和銷放置孔121b之間的一第三高度。升降銷140插入到階梯環部121c中，並且然後穿過階梯環部121c。
基座120的一厚度可對應於透過將第一高度、第二高度以及第三高度相加在一起而得到的結果值。
每一升降銷140垂直地穿過基座120，並且支撐裝載於基座120的基板(S)。
根據本發明一個實施例的每一升降銷140可包含一銷支撐件142以及一銷頭144。
形成為「|」形狀的銷支撐件142相比較於基座120的厚度相對更長，並且垂直地插入到基座120的垂直孔121中。而且，銷支撐件142的一底表面可固定到處理室的內底表面，或者固定至放置在處理室的內底表面上的具有預定重量的一配重件(或重量)上。銷支撐件142可由一陶瓷材料，例如氧化鋁(Al2O3)形成，但不限於這種材料。例如，銷支撐 件142可由與基座120相同的材料形成。
與銷支撐件142的一頂表面相連接的銷頭144支持基板(S)。銷頭144可形成為具有一預定厚度的一圓形面板或多邊形面板。銷頭144可由與銷支撐件142相同的材料形成，或可由熱導率相比較於銷支撐件142的熱導率更高的材料形成。當基座120降低時，銷頭144從基座120的頂表面的一預定高度突出，並且當基座120上升時銷頭144插入至基座120的銷放置孔121b中，然後放置到階梯環部121c上。
銷支撐件142和銷頭144可由相同的材料製成，並且可形成為具有「T」形的一個整體。
根據本發明的另一實施例，每一升降銷140不包含前述的銷頭144，而是僅包含銷支撐件142。
每一套筒160提供於基座120的垂直孔121中，其中升降銷140穿過垂直孔121。每一套筒160由一自潤滑性材料形成，以使得每一套筒160導向基座120的重複性的向上和向下運動。也就是說，每一套筒160在真空室內部的真空及高溫環境下最小化移動的基座120與固定的升降銷140之間的摩擦，用以從而防止或最小化升降銷140的損傷。舉例而言，每一套筒160可部分或全部地由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃的一自潤滑材料形成，或者可部分或全部地由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃且摩擦係數為0.05至0.5的一自潤滑材料形成。
本發明一個實施例的每一套筒160可包含一主套筒210、一頂部導向套筒220以及一底部導向套筒230。這種情況下，升降銷140，也就是說，銷支撐件142可插入且然後穿過主套筒210穿透主套筒210、頂部 導向套筒220以及底部導向套筒230。
主套筒210可由例如鋁(Al)的金屬材料或例如氧化鋁(Al2O3)的陶瓷材料形成為一管型。根據本發明一個實施例的主套筒210可形成為具有主套筒孔211的一管型，此管型包含一頂部主體213、一底部主體215以及一套筒固定部217。在此種情況下，主套筒孔211的一直徑相比較於升降銷140的一直徑，即銷支撐件142的直徑更大，從而使得主套筒孔211不與升降銷140相接觸。
對應於主套筒210之一頂部區域的頂部主體213與頂部導向套筒220相連接。在與頂部導向套筒220相連接的同時，頂部主體213插入到在基座120的底表面中提供的套筒安裝孔121a中。並且，直徑相比較於頂部主體213更小的一頂部外螺紋213a形成於頂部主體213的一頂部區域中。
對應於主套筒210之一底部區域的底部主體215與底部導向套筒230相連接。當與底部導向套筒230相連接時，在底部主體215從基座120的一底表面突出。並且其直徑相比較於底部主體215的直徑更小的一底部外螺紋215a形成於底部主體215的一底部區域中。
其直徑相比較於頂部主體213和底部主體215中每一個的直徑更大的套筒固定部217提供於頂部主體213與底部主體215之間，其中套筒固定部217以一預定的厚度突出。在這種情況下，套筒固定部217的一頂表面與基座120的底表面相接觸或相連接，以使得套筒固定部217能夠限制插入至套筒安裝孔121a中的頂部主體213的一插入長度，或者能夠防止插入到套筒安裝孔121a中的主套筒210從套筒安裝孔121a分離。
主套筒210插入至套筒安裝孔121a中。例如O形環的一第一密封件240可提供於主套筒210的外圓周表面與套筒安裝孔121a之間。這種情況下，提供於第一密封件240中的一第一密封件安裝槽219形成於主套筒210的外圓周表面中。
頂部導向套筒220形成為一管型，其材料與主套筒210的材料不相同。頂部導向套筒220與主套筒210的頂部區域，也就是說，頂部主體213的頂部區域相連接。當與主套筒210相連接時，頂部導向套筒220插入到在基座120的底表面中形成的套筒安裝孔121a中。因此，頂部導向套筒220保持升降銷140在垂直狀態，並且引導基座120的向上和向下運動。詳細而言，頂部導向套筒220由一自潤滑性材料形成，透過在真空室內部的真空及高溫環境下最小化移動的基座120與固定的升降銷140之間的摩擦力瞬時產生的一剪切力，並且還維持升降銷140於垂直狀態，能夠平滑地導向基座120的上下運動。特別地，頂部導向套筒220可由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃的一自潤滑材料形成，或者可由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃且摩擦係數為0.05至0.5的一自潤滑材料形成，舉例而言，工程塑料材料中的自潤滑材料，也就是說，PTFE(聚四氟乙烯)、PI(聚醯亞胺)、PEI(聚醚醯亞胺)、PBI(聚苯並咪唑)、PAI(聚醯胺醯亞胺)以及PEEK(聚醚醚酮)。
頂部導向套筒220可設置有一頂部通孔221、一頂部導向孔223以及一頂部內螺紋225。
頂部通孔221垂直地穿過頂部導向套筒220，其中頂部通孔221的一直徑相比較於升降銷140的銷支撐件142的直徑相對較大。
頂部導向孔223從頂部通孔221之一內側壁朝向頂部通孔221的中心突出，以使得頂部導向孔223的直徑與升降銷140的銷支撐件142的直徑相對於頂部通孔221的中心相同。此種情況下，頂部導向孔223的一內側壁可形成為一線或平面形狀。因此，頂部導向孔223的內側壁與升降銷140的一外圓周表面形成線或面接觸，以使得頂部導向孔223保持升降銷140於垂直狀態，並引導基座120的向上及向下運動。
頂部內螺紋225形成於頂部導向套筒220的一底部內表面中，並且由此與頂部外螺紋213a的螺絲相連接。
頂部導向套筒220插入到套筒安裝孔121a中。例如O形環的一第二密封件250可提供於頂部導向套筒220的外圓周表面和套筒安裝孔121a之間。這種情況下，待提供於第二密封件250中的一第二密封件安裝槽227形成於頂部導向套筒220的外圓周表面中。
底部導向套筒230形成為一管型，其材料不同於主套筒210的材料。底部導向套筒230與主套筒210的底部區域，也就是說，底部主體215的底部區域相連接。與主套筒210相連接，底部導向套筒230與主套筒210的底部主體215一起從基座120的底表面突出。
底部導向套筒230可由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃的一自潤滑材料形成，或者可由連續使用溫度(CUT)為170℃至310℃且摩擦係數為0.05至0.5的一自潤滑材料形成，舉例而言，工程塑料材料中的自潤滑材料，也就是說，PTFE(聚四氟乙烯)、PI(聚醯亞胺)、PEI(聚醚醯亞胺)、PBI(聚苯並咪唑)、PAI(聚醯胺醯亞胺)或PEEK(聚醚醚酮)。此外，底部導向套筒230可由在上述自潤滑材料的工程塑料中與頂部導向 套筒220相同的材料形成，或與頂部導向套筒220不同的材料形成。如果頂部導向套筒220和底部導向套筒230由不同的材料形成，較佳地，頂部導向套筒220由相比較於底部導向套筒230的材料摩擦係數相對較低且連續使用溫度(CUT)相對較高的材料形成。也就是說，如果升降銷140未保持在垂直狀態，而是相對於一垂直方向(Z)在一對角方向上傾斜，則較佳地，頂部導向套筒220由相比較於底部導向套筒230的材料具有摩擦係數相對較低且連續使用溫度(CUT)相對較高的材料形成，以便減少傾斜的升降銷140相比較於底部導向套筒230與頂部導向套筒220之間的高摩擦強度。
底部導向套筒230可提供有一底部通孔231、一底部導向孔233以及一底部內螺紋235。
底部通孔231垂直地穿過底部導向套筒230，其中底部通孔231的一直徑相比較於升降銷140之銷支撐件142的直徑相對較大。
底部導向孔233從底部通孔231之一內側壁朝向底部通孔231的中心突出，以使得底部導向孔233的直徑與升降銷140的銷支撐件142的直徑相對於底部通孔231的中心相同。此種情況下，底部導向孔233的一內側壁可形成為一線或平面形狀。因此，底部導向孔233與插入至底部通孔231中的升降銷140的一外圓周表面形成線或面接觸，以使得底部導向孔233保持升降銷140於垂直狀態，並引導基座120的向上及向下運動。
底部內螺紋235形成於底部導向套筒230的一頂部內表面中，並且由此與底部外螺紋215a的螺絲相連接。
為了覆蓋插入至基座120的套筒安裝孔121a中之套筒160的側表面，每一銷保持托架180與基座120的底表面相連接以便固定套筒 160的位置，由此穿過套筒160從基座120的底表面突出的升降銷140保持在垂直狀態。這種情況下，每一銷保持托架180可通過使用複數個螺釘或螺栓與基座120的底表面相連接。
每一銷保持托架180可包含一套筒插入孔182以及一套筒固定槽184。
套筒插入孔182垂直地穿過銷保持器托架180，以使得主套筒210的底部主體215與底部導向套筒230插入至套筒插入孔182中。
套筒固定槽184形成在相距銷保持托架180的頂表面的一預定深度，其中套筒固定槽184的一直徑對應於在主套筒210中形成的套筒固定部217的一直徑。插入至套筒插入孔182中的主套筒210的套筒固定部217插入並放置在套筒固定槽184中。
因此，根據本發明的本實施例的上述基板支撐設備100提供有套筒160，其中套筒160不與升降銷140相接觸的區域由例如鋁(Al)的材料形成；並且套筒160與升降銷140相接觸的區域由自潤滑材料形成，以使得可能將升降銷140維持在垂直狀態，並且還可能平滑導向基座120的向上及向下移動，從而防止或者最小化升降銷140透過基座120的重複運動產生的損傷。
第4圖為根據本發明另一實施例的基板支撐設備的橫截面圖。第5圖為第4圖中所示的一套筒。其表示了具有結構上變化的套筒。因此，在下文中，將僅詳細描述此套筒。
套筒360可包含一主套筒410以及一頂部導向套筒420。
主套筒410可由例如鋁(Al)的金屬材料或例如氧化鋁 (Al2O3)的陶瓷材料形成為一管型。根據本發明一個實施例的主套筒410可形成為具有一主套筒孔411的一管型，此管型包含一頂部主體413、一底部主體415以及一套筒固定部417。此種情況下，主套筒孔411的一直徑相比較於升降銷140的一直徑，即銷支撐件142的直徑更大。除了一外螺紋未形成於頂部主體413的一頂部區域及底部主體415的一底部區域中之外，第4圖中所示的主套筒410在結構上與第3圖中所示的主套筒210的結構相同。由此將省去相同部分的重複的解釋。
頂部導向套筒420插入到主套筒410的主套筒孔411中。當插入到主套筒410中時，頂部導向套筒420插入至在基座120的底表面上中形成的套筒安裝孔121a中。因此，頂部導向套筒420將升降銷140保持在垂直狀態，並且還導向基座120的運動。更詳細而言，頂部導向套筒420由與結合第2圖及第3圖解釋的上述頂部導向套筒220相同的材料形成。
頂部導向套筒420可包含一套筒支撐件422、一套筒頭424以及一銷插入孔426。頂部導向套筒420形成為其中銷插入孔426垂直地形成的一「T」形管型。
套筒支撐件422形成為一圓筒形，此圓筒形具有能夠插入到主套筒410的主套筒孔411中的一直徑。
套筒頭424與套筒支撐件422的一頂表面相連接，然後放置到主套筒410的頂表面上。
銷插入孔426垂直地穿過套筒支撐件422和套筒頭424的中心，其中銷插入孔426的一直徑與上述升降銷140的銷支撐件142的直徑相同。
頂部導向套筒420設置在升降銷140的銷支撐件142和主套筒410的主套筒孔411之間，以使得頂部導向套筒420將升降銷140維持在垂直狀態，並且還導向基座120的運動，從而防止升降銷140透過基座120的移動產生的損傷。
如上所述，根據本發明另一實施例的基板支撐設備100能夠透過使用不同種類的材料形成的套筒360將升降銷140維持於垂直狀態，並且導向基座120的運動，從而防止或最小化透過基座120的重複運動產生的升降銷140的損傷。
在根據本發明的實施例的基板支撐設備100中，套筒160及360可由上述的自潤滑性材料形成，並且也可以形成為各種形狀。
根據本發明的一個修改實施例，套筒可包含如第3圖所示的主套筒210、頂部導向套筒220以及底部導向套筒230。其中，主套筒210、頂部導向套筒220以及底部導向套筒230可由自潤滑材料形成，此外也可以形成為一體。
根據本發明的另一修改的實施例，套筒可僅包含如第3圖所示的主套筒210及頂部導向套筒220。這種情況下，上述主套筒210和頂部導向套筒220可由自潤滑材料形成，此外也可形成為一體。
根據本發明的再一修改的實施例，套筒可僅包含第4圖中所示的主套筒410，以及塗覆於主套筒410之主套筒孔411的一內表面上的自潤滑性材料的一塗覆層(圖未示)。在這種情況下，主套筒410可由基於鋁(Al)的材料形成。
第6圖為根據本發明的本實施例的一用於處理基板的設備 之示意圖。
請參考第6圖，本發明的本實施例的用於處理基板的設備(在下文中，稱為「基板處理設備」)可包含一處理室510、一基板支撐裝置520以及一氣體分佈裝置530。
處理室510提供了用於執行化學氣相沉積(CVD)製程的一處理空間，其中處理室510包含一底腔室512以及一頂腔室514。
底腔室512中形成頂部打開的「U」形。一基板入口(圖未示)形成於底腔室512的一側上，基板通過此基板入口進來和出去，並且用於從處理空間排放氣體的一排氣管形成於底腔室512的一底表面上一側上。
在頂腔室514形成於底腔室512之上，用以由此覆蓋底腔室512的頂部。這種情況下，例如O形環的一絕緣件設置於底腔室512與頂腔室514之間，以便將底腔室512與頂腔室514彼此電絕緣。
基板支撐裝置520可移動地提供於處理室510的底腔室512中，由此支撐利用基板傳輸設備(圖未示)裝載到處理空間中的基板(S)。基板支撐裝置520對應於根據本發明實施例的第2圖至第5圖中所示的基板支撐設備100，其中基板支撐裝置520包含基座120、複數個升降銷140、複數個套筒160及360以及複數個銷保持托架180。將省去基板支撐裝置520中包含的上述元件的說明。
基板支撐裝置520的基座120按照基座120由穿過底腔室512之底表面的一升降軸522可移動地支撐的方式提供。升降軸522透過一個波紋管524密封，並且利用升降設備(圖未示)上下移動。
氣體分佈裝置530設置在處理室510的頂腔室514中，同時連通穿過頂腔室514的一氣體供給管532。為了在基板(S)上形成一預定的薄膜，氣體分佈裝置530均勻地分佈藉由氣體供給管532供給到基板(S)上的處理氣體。這種情況下，氣體分佈裝置530可根據使用處理氣體的薄膜沉積過程提供有直流電源、交流電源或高頻電源。
以下將描述利用根據本發明實施例的基板處理設備的薄膜沉積方法。
首先，降低升降軸522，以使得處理室510中提供的基座120下降到起始位置。因此，分別插入到基座120中提供的複數個套筒160及360中且與底腔室512垂直相連接的複數個升降銷140，在相距基座120的頂表面的一預定高度突出。
然後，基板(S)裝載於處理室510的處理空間中，並且然後放置於每一升降銷140的銷頭144上。
在此之後，使得升降軸522上升，以使得基座120上升到處理位置。因此，基座120與升高的升降軸522一起上升，以使得支撐由每一升降銷140之銷頭144所支撐的基板(S)的基座120上升至處理位置。這種情況下，升降銷140的每一銷頭144插入到基座120的銷放置孔121b中。
在處理室510的內部形成真空環境之後，利用氣體分佈裝置530將用於化學氣相沉積(CVD)處理的處理氣體分佈到基板(S)上，用以由此在基板(S)上沉積薄膜。
在根據本發明的實施例的基板處理設備以及使用上述設備的薄膜沉積方法中，每一升降銷140的底表面可與配重件(圖未示)而非 底腔室512相連接。這種情況下，每一升降銷140根據基座120的降低透過在底腔室512之底表面上支撐的配重件，維持在垂直狀態，並且每一升降銷140根據基座120的上升透過配重件從基座120懸掛下來。
根據本發明的基板支撐設備以及具有該設備的基板處理設備，升降銷140維持在垂直狀態，並且基座120的移動透過基座120中提供的自潤滑材料的套筒導向，從而防止或最小化由基座120的重複運動產生的升降銷140的損傷。
此外，透過防止或最小化升降銷140的損傷可能延長升降銷140與套筒的更換時間，從而實現生產率的提高。
對於本領域技術人員顯而易見的是在不脫離本發明的精神或範圍下可進行各種修改和變化。因此，在所附之專利申請範圍及其等同範圍之內，本發明覆蓋的不同的變型和改變。

Claims (11)

  1. 一種基板支撐設備，包含：一基座，該基座上放置一基板；一升降銷，用於支撐該基板，該升降銷垂直地穿透該基座；以及一套筒，提供於該基座中，其中該升降銷插入至該套筒中，其中該套筒由一自潤滑材料形成用於防止該升降銷受到損傷其中該套筒包含一主套筒，提供有該升降銷穿透過的一主套筒孔；一頂部導向套筒，該頂部導向套筒與該主套筒的一頂部區域相連接；以及一底部導向套筒，該底部導向套筒與該主套筒的一底部區域相連接；其中該頂部導向套筒和該底部導向套筒由不同材料形成，與該底部導向套筒的材料相比，該頂部導向套筒由摩擦係數相對較低以及連續使用溫度(CUT)相對較高的材料形成。
  2. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該自潤滑材料為PTFE(聚四氟乙烯)、PI(聚醯亞胺)、PEI(聚醚醯亞胺)、PBI(聚苯並咪唑)、PAI(聚醯胺醯亞胺)以及PEEK(聚醚醚酮)之中的任何一種。
  3. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該自潤滑材料具有 170℃至310℃的連續使用溫度(CUT)，或者該自潤滑材料具有170℃至310℃的連續使用溫度(CUT)且摩擦係數為0.05至0.5。
  4. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該頂部導向套筒由自潤滑材料形成以包含該升降銷穿透過的一頂部通孔。
  5. 如請求項4所述之基板支撐設備，其中該頂部導向套筒包含從該頂部通孔之一內壁突出的一頂部導向孔，以使得該頂部導向孔與插入至該頂部通孔中的該升降銷的一外圓周表面形成為線或面接觸。
  6. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該底部導向套筒由自潤滑材料形成以包含該升降銷穿透過的一底部通孔。
  7. 如請求項6所述之基板支撐設備，其中該底部導向套筒包含從該底部通孔之一內壁突出的一底部導向孔，以使得該底部導向孔與插入至該底部通孔中的該升降銷的一外圓周表面形成為線或面接觸。
  8. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該主套筒由從金屬材料、自潤滑材料以及與該升降銷相同的材料組成的一組中選擇的任何一種形成。
  9. 如請求項1所述之基板支撐設備，其中該頂部導向套筒包含：一套筒支撐件，插入至該主套筒孔中；以及一套筒頭，與該套筒支撐件的一頂部區域相連接且放 置於該主套筒的一頂表面上，其中該升降銷插入至垂直地穿透該套筒頭及該套筒支撐件的一銷插入孔中。
  10. 如請求項1所述之基板支撐設備，更包含用於將該套筒固定至該基座的一銷保持托架。
  11. 一種基板處理設備，包含：一處理室，用於提供一處理空間；一基板支撐裝置，用於支撐一基板，該基板支撐裝置提供於該處理室中；以及一氣體分佈裝置，用於將處理氣體分佈於該基板上，其中該氣體分佈裝置設置在該處理室中，其中該基板支撐裝置包含如請求項1至10中任意一項所述之基板支撐設備。
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