KR20210054112A - 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법 - Google Patents

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류성룡
정홍기
최상준
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Abstract

본 발명은 기판 처리 중 불량 발생률을 낮출 수 있는 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법을 위하여, 챔버와, 상기 챔버 내에 위치하고 상하로 연장된 전기 전도성 핀과, 상기 챔버 내에 위치하고 상기 핀이 통과하는 관통개구를 갖는 전기 전도성 서셉터와, 상기 서셉터의 상기 관통개구 내에 위치하여 상기 서셉터에 전기적으로 연결되도록 고정되고 상기 핀이 통과하는 관통홀을 가지며 상기 핀에 컨택하는 전기 전도성 컨택부를 갖는 전기 전도성 부싱을 구비하는, 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법을 제공한다.

Description

증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법{Deposition apparatus and method of processing substrate using the same}
본 발명의 실시예들은 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 처리 중 불량 발생률을 낮출 수 있는 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법에 관한 것이다.
반도체 장치나 디스플레이 장치 등을 제조하는 과정에서 박막을 형성할 시, 일반적으로 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)을 사용한다. 화학기상증착법은 기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 화학 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술이다. 화학기상증착법은 전구체(precursor)로 사용되는 물질의 종류, 공정 중의 압력 및 반응에 필요한 에너지 전달 방식 등에 따라 APCVD(Atmospheric CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD) 및 MOCVD(Metal Organic CVD)법 등으로 구분된다.
그러나 이러한 종래의 화학기상증착법에는 기판 상에 형성되는 박막이 균일하게 형성되지 않는다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판 처리 중 불량 발생률을 낮출 수 있는 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 챔버와, 상기 챔버 내에 위치하고 상하로 연장된 전기 전도성 핀과, 상기 챔버 내에 위치하고 상기 핀이 통과하는 관통개구를 갖는 전기 전도성 서셉터와, 상기 서셉터의 상기 관통개구 내에 위치하여 상기 서셉터에 전기적으로 연결되도록 고정되고 상기 핀이 통과하는 관통홀을 가지며 상기 핀에 컨택하는 전기 전도성 컨택부를 갖는 전기 전도성 부싱을 구비하는, 증착장치가 제공된다.
상기 서셉터와 상기 부싱을 상기 핀에 대해 상대적으로 상하로 이동시킬 수 있는 이동부(mover)를 더 구비할 수 있다.
상기 컨택부는 상기 핀에 컨택하는 롤러를 포함할 수 있다. 상기 롤러는 상기 서셉터가 상기 핀에 대해 상대적으로 이동할 시 상기 핀에 컨택한 상태로 회전할 수 있다.
상기 핀과 상기 서셉터는 상기 부싱과 상기 컨택부에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 핀이 포함하는 물질의 열팽창계수는 상기 서셉터가 포함하는 물질의 열팽창계수보다 작을 수 있다.
상기 서셉터는 알루미늄을 포함하고, 상기 핀은 전기 전도성 세라믹을 포함할 수 있다.
상기 부싱과 상기 컨택부는 전기 전도성 세라믹을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판이 배치된 엔드이펙터(end effector)를 상술한 증착장치들 중 어느 한 챔버 내에 위치시키는 단계와, 부싱의 컨택부가 핀에 컨택한 상태에서 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 하강시키는 단계와, 엔드이펙터를 하강시켜 기판을 핀 상에 전달하는 단계와, 엔드이펙터를 챔버 외부로 반출하는 단계와, 부싱의 컨택부가 핀에 컨택한 상태에서 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 승강시켜 기판을 서셉터의 기판안착면 상에 안착시키는 단계와, 기판 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 기판처리방법이 제공된다.
상기 안착시키는 단계는, 핀의 상면이 서셉터의 기판안착면의 상면과 일치하도록 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 승강시켜, 기판을 서셉터 상에 안착시키는 단계일 수 있다.
상기 박막을 형성하는 단계는, 서셉터에 전기적 신호를 인가한 상태에서 박막을 형성하는 단계일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 중 불량 발생률을 낮출 수 있는 증착장치 및 이를 이용한 기판 처리방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 서셉터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 1의 IV-IV 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 3은 도 2의 서셉터(10)를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 증착장치는, 챔버(1, 도 4 참조)와, 전기 전도성 서셉터(10)와, 전기 전도성 핀(21, 22)과, 전기 전도성 부싱(30)을 구비한다.
챔버(1)는 증착공정이 진행되는 내부 공간을 갖는다. 이 내부 공간에는 서셉터(10)와 핀(21, 22) 등이 배치된다. 챔버(1)의 일측에는 기판의 로딩 및 언로딩을 위해 반송로봇의 엔드이펙터(end effector)가 출입할 수 있는 게이트가 위치한다. 아울러 증착을 위해 챔버(1) 내부 공간에 소스가스를 공급할 수 있는 소스가스 공급부가 챔버(1)에 설치될 수 있다.
핀(21, 22)은 챔버(1) 내에 위치한다. 이 핀(21, 22)은 (z축을 따라) 상하로 연장된 형상을 갖는다. 핀(21)은 도 2에 도시된 것과 같이, 핀(21)의 전체적인 형상을 결정하는 (z축 방향의) 상하로 연장된 세로봉(21b)과, 이 세로봉(21b)의 (+z 방향) 상부 끝단에 위치하는 헤드(21a)를 갖는다. 헤드(21a)의 (+z 방향) 상면의 면적은, 세로봉(21b)의 연장 방향(z축 방향)에 수직인 평면에서의 세로봉(21b)의 단면의 면적보다 넓다. 즉, 핀(21)은 골프티(golf tee)와 대략 유사한 형상을 갖는다. 이는 핀(22)의 경우에도 마찬가지이다.
챔버(1) 내에 위치하는 서셉터(10)는, 이러한 핀(21, 22)이 통과하는 관통개구(10c)를 갖는다. 서셉터(10)는 기판안착면(10a)을 가져, 증착공정 중 박막 등이 증착될 기판을 지지한다. 이러한 서셉터(10)는 전기적으로 도전성인 물질을 포함하여, 전체적으로 전기적 도전성을 갖는다. 예컨대 서셉터(10)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 물론 기판이 안착되는 기판안착면(10a) 등의 상면과 같은 외측면은 아노다이징처리되어 전기적으로 부도체인 Al2O3 박막으로 덮일 수도 있다.
서셉터(10)는 필요에 따라 도 1에 도시된 것과 같이 그 가장자리를 따라 일주(一周)하는 돌출부(10b)를 가질 수 있으며, 기판안착면(10a)은 서셉터(10)의 (+z 방향) 상면 중 그러한 돌출부(10b) 내측의 부분이다. 서셉터(10)가 이러한 돌출부(10b)를 가짐으로써, 기판안착면(10a) 상에 기판이 안착될 시 기판의 위치를 대략적으로 가이딩할 수 있다. 즉, 돌출부(10b)가 대략 기판의 가장자리에 대응하는 형상을 갖도록 함으로써, 서셉터(10) 상에 기판이 위치하게 될 시 돌출부(10b)에 의해 한정되는 영역 내에 기판이 위치하도록 하여, 서셉터(10) 상의 대략 사전설정된 위치에 기판이 위치하도록 가이딩할 수 있다.
서셉터(10)는 핀(21, 22)이 통과하는 관통개구(10c)를 갖는바, 전기 전도성 부싱(30)은 이 관통개구(10c) 내에 위치한다. 부싱(30)은 도 2에 도시된 것과 같이 서셉터(10)에 컨택하기에, 부싱(30)은 서셉터(10)에 전기적으로 연결된다. 이 부싱(30)은 핀(21, 22)이 통과하는 관통홀(30a)을 갖는다.
도 3에 도시된 것과 같이, 서셉터(10)의 관통개구(10c)의 내면은 다양하게 절곡된 형상을 갖는다. 즉, 서셉터(10)가 움직이는 상하방향(z축 방향)에 수직인 평면(xy평면)에서의 관통개구(10c)의 단면적이, 상하 위치에 따라 다양하게 변할 수 있다. 관통개구(10c)의 단면적의 변화에 따라, 관통개구(10c)는 (+z 방향의) 상부에서 (-z 방향의) 하부로 가면서 서로 연결된 제1관통개구(10c1), 제2관통개구(10c2), 제3관통개구(10c3) 및 제4관통개구(10c4)를 갖는다.
관통개구(10c)의 일부분으로서 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 근방에 위치한 제1관통개구(10c1)는 핀(21)의 헤드(21a)를 수용할 수 있는 단면적을 갖는다. 그리고 제1관통개구(10c1) 바로 아래쪽의 제2관통개구(10c2)는 그 단면적이 제1관통개구(10c1)의 단면적보다 좁아, 핀(21)의 세로봉(21b)은 자유롭게 이동할 수 있지만 핀(21)의 헤드(21a)는 제2관통개구(10c2) 내로 진입하지 못하도록 할 수 있다. 즉, 제1관통개구(10c1)와 제2관통개구(10c2)는 관통개구(10c)의 내면에 절곡부를 형성하여, 핀(21)의 헤드(21a)가 서셉터(10)의 기판안착면(10a)의 (+z 방향) 상부로 노출되도록 하거나 핀(21)의 헤드(21a)가 서셉터(10)의 제1관통개구(10c1) 내에 위치하도록 할 수 있다.
제2관통개구(10c2) 아래쪽의 제3관통개구(10c3)는 그 단면적이 제2관통개구(10c2)의 단면적보다 넓다. 이 제3관통개구(10c3)에는 전술한 것과 같은 부싱(30)이 삽입되어 위치하게 된다. 제2관통개구(10c2)의 단면적과 제3관통개구(10c3)의 단면적이 상술한 것과 같이 상이하기에, 부싱(30)의 (+z 방향) 상부의 위치가 제2관통개구(10c2)와 제3관통개구(10c3)의 경계로 한정된다.
한편, 서셉터(10)가 움직이는 상하방향(z축 방향)에 수직인 평면(xy평면)에서의 부싱(30)의 단면적은, 제3관통개구(10c3)와 그 하부의 제4관통개구(10c4) 사이의 경계에서 변한다. 즉, 부싱(30)의 제3관통개구(10c3) 내의 부분의 단면적이, 부싱(30)의 제4관통개구(10c4) 내의 부분의 단면적보다 넓다. 이에 따라 부싱(30)은 제3관통개구(10c3)와 제4관통개구(10c4) 사이의 경계에서 절곡부를 갖는다.
서셉터(10)의 (-z 방향) 하면에 체결되는 결합부재(40)는, 도 2에 도시된 것과 같이 결합봉(41)과 결합헤드(42)를 갖는다. 즉, 결합부재(40)는 예컨대 못 또는 나사이거나, 이들과 유사한 형상을 가질 수 있다. 결합부재(40)의 결합봉(41)은 서셉터(10)의 하면 근방에 위치하며 상하방향(z축 방향)으로 연장된 형상을 갖는 체결구(10d)에 삽입되며, 결합부재(40)의 결합헤드(42)는 체결구(10d)의 (-z 방향) 하부의 제4관통개구(10c4) 내에 위치한다. 이때 결합부재(40)의 결합헤드(42)는 그 일부분이 부싱(30)의 절곡부에 컨택하여, 부싱(30)을 서셉터(10)의 관통개구(10c) 내에 고정할 수 있다.
전술한 것과 같이 부싱(30)은 핀(21, 22)이 통과하는 관통홀(30a)을 갖는다. 부싱(30)의 관통홀(30a)의 중심축은 서셉터(10)의 관통개구(10c)의 중심축과 일치할 수 있다. 부싱(30)이 서셉터(10)에 체결되어 있기에, 부싱(30)과 서셉터(10)는 함께, 핀(21, 22)에 대해 (z축을 따라서) 상하방향으로 상대적으로 이동할 수 있다.
이러한 부싱(30)은 핀(21, 22)에 컨택하는 컨택부(31)를 갖는다. 컨택부(31)는 도 2에 도시된 것과 같이 핀(21), 구체적으로는 핀(21)의 세로봉(21b)의 외측면에 컨택한다. 이러한 컨택부(31)는 핀(21)에 컨택하는 롤러를 포함할 수 있다. 이 롤러는 도 2에 도시된 것과 같이 디스크 형상을 가질 수 있다. 도 2에서는 도시하고 있지 않지만, 디스크 형상의 롤러인 컨택부(31)는 y축 방향으로 연장된 회전축에 의해 부싱(30)에 연결된다.
도 2에서는 핀(21)의 세로봉(21b)을 중심으로 (-x 방향의) 일측과 (+x 방향의) 타측에 컨택부(31)들이 위치하는 것으로 도시하고 있는바, 세로봉(21b)을 중심으로 (-y 방향의) 다른 일측과 (+y 방향의) 다른 타측에도 컨택부들이 위치할 수 있다. 이를 통해 핀(21)의 세로봉(21b)을 확실하게 지지할 수 있다. 이와 같은 구성의 경우, 롤러인 컨택부(31)는 서셉터(10)가 핀(21)에 대해 상대적으로 상하로 이동할 시, 핀(21)의 세로봉(21b)에 컨택한 상태로 회전하게 된다.
도 4는 도 1의 IV-IV 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 4에서는 이동부(50, mover)와 챔버(1)의 일부분도 개략적으로 도시하고 있다.
이동부(50)는 서셉터(10)와 부싱(30)을 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 (z축 방향의) 상하로 이동시킬 수 있다. 도 4에서는 도시하고 있지 않지만, 이동부(50)는 모터나 유압펌프 등에 연결되어 서셉터(10)와 부싱(30)을 이동시킬 수 있다. 필요에 따라 이동부(50)는 챔버(1)의 외측으로 연장된다. 이 경우 챔버(1)에 형성된 이동부(50)용 관통홀에는 개스킷 등이 장착되어, 챔버(1) 내부와 외부가 해당 관통홀을 통해 연결되지 않도록 할 수 있다.
도 4에 도시된 것과 같은 상태에서 이동부(50)가 서셉터(10)와 부싱(30)을 하방으로 이동시키면, 핀(21, 22)은 서셉터(10) 및 부싱(30)과 함께 하방으로 이동하다가, 핀(21, 22)의 아래쪽 단부가 챔버(1)에 형성된 핀수용부(1a)에 컨택하게 된다. 그 상황에서 이동부(50)가 서셉터(10)와 부싱(30)을 하방으로 더 이동시키면, 핀(21, 22)의 위치는 고정된 상태이기에, 이동부(50)는 서셉터(10)와 부싱(30)을 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 하방으로 이동시킨다. 이에 따라 핀(21, 22)의 헤드는 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상부로 돌출된다.
그러한 상황에서 기판이 배치된 대략 포크(fork) 형상의 엔드이펙터(end effector)를 챔버(1) 내에 위치시키고, 엔드이펙터를 하강시키면, 기판이 핀(21, 22)의 헤드에 전달된다. 기판이 핀(21, 22)에 의해 지지된 되면 엔드이펙터를 챔버(1) 외부로 이동시킨다.
이후, 이동부(50)가 부싱(30)과 서셉터(10)를 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 (+z 방향으로) 승강시키면, 핀(21, 22)의 헤드의 상면과 서셉터(10)의 기판안착면(10a)이 동일 평면 내에 위치하는 순간, 기판이 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상에 안착된다. 물론 그 순간 이후에도 이동부(50)가 부싱(30)과 서셉터(10)를 더 승강시킬 수도 있지만, 그렇다 하더라도 부싱(30)과 서셉터(10)의 핀(21, 22)에 대한 상대적 위치는 더 이상 바뀌지는 않는다. 핀(21)의 헤드(21a)가 서셉터(10)의 제1관통개구(10c1)와 제2관통개구(10c2) 사이의 절곡부에 안착되어, 서셉터(10)와 함께 승강되기 때문이다.
이와 같은 과정을 거쳐 기판이 서셉터(10)의 기판안착면(10a)에 안착되면, 기판 상에 증착이 이루어진다.
이처럼 이동부(50)가 서셉터(10)와 부싱(30)을 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 하방으로 이동시켜 핀(21, 22)의 헤드가 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상부로 돌출되도록 한 후에 기판을 지지하는 엔드이펙터를 챔버(1) 내에 위치시킬 수도 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 기판을 지지하는 엔드이펙터를 챔버(1) 내에 위치시킨 상태에서, 이동부(50)가 서셉터(10)와 부싱(30)을 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 하방으로 이동시켜 핀(21, 22)의 헤드가 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상부로 돌출되도록 할 수도 있다. 이 경우 이후에 엔드이펙터가 하방으로 이동하여 기판을 핀(21, 22) 상에 위치시킬 수 있다. 또는, 기판을 지지하는 엔드이펙터를 챔버(1) 내에 위치시킨 상태에서, 엔드이펙터를 하방으로 이동하면서 동시에 이동부(50)가 서셉터(10)와 부싱(30)을 핀(21, 22)에 대해 상대적으로 하방으로 이동시켜, 핀(21, 22)의 헤드가 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상부로 돌출되도록 하고 기판을 그러한 핀(21, 22) 상에 위치시킬 수도 있다.
증착은 서셉터(10)에 사전설정된 전압을 인가한 상태에서 진행된다. 예컨대 기판 상에 실리콘나이트라이드를 형성할 시, SiH4, N2, H2 및 NH3 가스를 챔버(1) 내로 주입하고, 챔버(1) 내의 전극과 서셉터(10)에 전위차가 발생하도록 하여 소스가스의 반응을 일으킴으로써, 기판 상에 실리콘나이트라이드 층을 형성할 수 있다. 본 실시예에 따른 증착장치를 이용하여 이와 같은 박막을 기판 상에 형성할 시, 균일한 두께의 박막을 형성함으로써 불량 발생률을 획기적으로 줄일 수 있다.
구체적으로, 전기 전도성 핀(21)은 그 세로봉(21b)이 전기 전도성인 컨택부(31)에 컨택하고 있기에, 전기 전도성 핀(21)은 전기 전도성 컨택부(31)에 전기적으로 연결된다. 디스크 형상의 롤러인 전기 전도성 컨택부(31)는 역시 전기 전도성이며 그 일부인 회전축에 의해 전기 전도성인 부싱(30)에 연결되기에, 전기 전도성 컨택부(31)는 전기 전도성 부싱(30)에 전기적으로 연결된다. 그리고 전기 전도성 부싱(30)은 전기 전도성인 서셉터(10)와 컨택하기에, 전기 전도성 부싱(30)은 전기 전도성 서셉터(10)에 전기적으로 연결된다. 결국 전기 전도성 핀(21)은 전기 전도성 서셉터(10)에 전기적으로 연결된다. 그 결과, 박막을 형성하기 위해 서셉터(10)에 전기적 신호가 인가되면, 서셉터(10)의 전위와 핀(21)의 전위가 거의 동일하게 된다. 이에 따라 서셉터(10)에 안착된 기판의 전면(全面)에 대략 균일한 전기장이 형성되고, 그 결과 기판의 전면에 균일한 두께의 박막을 증착할 수 있다.
만일 핀(21)이 도전성 물질을 포함하지 않는다면, 서셉터(10)의 전위와 핀(21)의 전위가 달라지게 된다. 그 결과 서셉터(10)에 안착된 기판의 전면에 균일한 전기장이 형성되지 않게 된다. 그 결과 기판의 핀(21) 근방의 부분에 형성된 박막의 두께가 그 외의 부분에 형성된 박막의 두께와 상이하게 된다. 예컨대 기판의 핀(21) 근방의 부분에 형성된 박막의 두께는 그 외의 부분에 형성된 박막의 두께보다 3% 내지 10% 얇게 될 수 있다. 그러한 두께의 변화는 육안으로 시인될 정도이며, 후속 반도체 제조공정이나 디스플레이 제조공정에서 불량을 야기할 수 있다. 예컨대 무기물층인 버퍼층을 CVD법으로 형성하고 그 버퍼층 상에 반도체층을 형성하고 이를 패터닝하여 복수개의 박막트랜지스터들을 만들 경우, 버퍼층의 두께가 일정하지 않고 위치에 따라 상이하여, 기판 상의 위치에 따라 박막트랜지스터들의 문턱전압의 값이 달라지는 불량을 야기할 수 있다.
하지만 본 실시예에 따른 증착장치의 경우, 핀(21)은 전기 전도성이며 이 전기 전도성 핀(21)은 전기 전도성 서셉터(10)에 전기적으로 연결된다. 따라서 박막을 형성하기 위해 서셉터(10)에 전기적 신호가 인가되면, 서셉터(10)의 전위와 핀(21)의 전위가 거의 동일하게 된다. 이에 따라 서셉터(10)에 안착된 기판의 전면(全面)에 대략 균일한 전기장이 형성되고, 그 결과 기판의 전면에 균일한 두께의 박막을 증착할 수 있다.
한편, 박막을 증착함에 있어서 챔버(1) 내의 온도는 대략 섭씨 360에 이르는 등 고온 환경을 유지하게 된다. 이에 따라 챔버(1) 내의 구성요소들의 열팽창에 의해 불량이 발생하지 않도록 할 필요가 있다. 서셉터(10)는 알루미늄을 포함할 수 있으며, 이에 따라 고온 환경에서 서셉터(10)의 부피가 증가할 수 있다. 하지만 서셉터(10)가 팽창하여 부피가 증가한다 하더라도, 서셉터(10)의 상면과 하면과 외측면의 면적이 늘어나는 방향으로 부피가 증가하는 것이 대부분이며, 서셉터(10)의 관통개구(10c)의 면적이 좁아지는 방향으로 부피가 증가하지는 않는다. 따라서 서셉터(10)가 알루미늄을 포함한다 하더라도 이로 인하여 문제가 발생하지는 않는다.
하지만 서셉터(10)의 관통개구(10c) 내에 위치하는 구성요소들이 고온 환경에서 그 부피가 크게 증가하게 되면, 이는 증착장치의 불량을 야기할 수 있다. 예컨대 핀(21)의 부피가 고온 환경에서 증가하게 되면, 이는 부싱(30)의 관통홀(30a)을 차폐하여 부싱(30)과 서셉터(10)가 핀(21)에 대해 상대적으로 상하운동을 하는 것이 불가능하게 될 수 있다. 따라서 그러한 불량이 발생하는 것을 방지하기 위해, 핀(21)이 포함하는 물질의 열팽창계수는 서셉터(10)가 포함하는 물질의 열팽창계수보다 작도록 할 수 있다. 이 경우 서셉터(10)는 알루미늄을 포함하고, 핀(21)은 전기 전도성 세라믹을 포함할 수 있다. 나아가 핀(21)뿐만 아니라 부싱(30)과 컨택부(31) 역시 전기 전도성 세라믹을 포함하도록 하여, 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
전기 전도성 세라믹은 다양한 방법으로 형성할 수 있는데, 예컨대 Al, Fe, Co 또는 Ni와 같은 금속과 Al2O3나 MgO와 같은 금속산화물과 탄소나노튜브의 혼합물을 섭씨 650도 내지 800도로 가열하고, H2와 같은 환원가스에 노출시켜 금속산화물을 환원시킨 후, N2나 Ar과 같은 운반기체를 이용하여 클로로폼과 같은 액상의 할로젠화 물질에 노출시켜 불순물을 제거하여, 전기 전도성 세라믹을 형성할 수 있다. 또는 알루미나(Al2O3)에 탄소를 첨가하여 전기 전도성 세라믹을 형성할 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, YSZ(Yttria Stabilized Zirconia), ScSZ(Scandia Stabilized Zirconia), GDC(Gadolinia Doped Ceria), LSGM(La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3), LSM(La0.6Sr0.4GnO3-δ) 또는 LSCF(La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ), LNF(LaNi(Fe)O3) 등의 전기 전도성 세라믹 물질을 이용할 수도 있다.
한편, 도 1에 도시된 것과 같이 서셉터(10)의 기판안착면(10a)의 대략 중앙부에 복수개의 핀(21)들이 위치하고, 가장자리에도 복수개의 핀(22)들이 위치할 수 있다. 이때 기판안착면(10a)에 안착되는 기판의 중앙부에서는 증착 과정에서 불량이 발생하지 않아야 하기에, 전술한 것과 같이 핀(21)들은 전기 전도성 물질을 포함하고 서셉터(10)에 전기적으로 연결되도록 할 필요가 있다. 그러나 기판의 가장자리는 대부분 제품의 품질에 큰 영향을 미치지 않기에, 서셉터(10)의 기판안착면(10a)의 가장자리에 위치한 핀(22)들의 경우에는 전기 전도성 물질을 포함하지 않도록 할 수도 있다. 예컨대 디스플레이 장치를 제조하는 경우, 기판의 가장자리 근방은 디스플레이영역이 아니기에, 증착된 박막의 두께에 변화가 있다 하더라도 디스플레이 장치 자체의 불량을 야기하지는 않을 수 있다. 이 경우 핀(22)들은 예컨대 일반 세라믹을 포함하는 세로봉(21b)과, Al2O3를 포함하는 헤드(21a)를 포함할 수 있다.
지금까지는 증착장치에 대해 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 증착장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법, 반도체 제조방법 또는 디스플레이 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다. 반도체 제조방법이나 디스플레이 제조방법의 경우, 전술한 증착장치를 이용하여 균일한 SiO2, SiNx 또는 SiON 등의 무기박막을 형성하는 단계를 포함한다.
예컨대 기판이 배치된 엔드이펙터를 전술한 증착장치의 챔버 내에 위치시킨다. 부싱(30)의 컨택부(31)가 핀(21)에 컨택한 상태에서, 부싱(30)과 서셉터(10)를 핀(21)에 대해 상대적으로 하강시킨다. 그리고 엔드이펙터를 하강시켜 기판을 핀 (21)상에 전달하고, 엔드이펙터를 챔버(1) 외부로 반출한다. 그리고 부싱(30)의 컨택부(31)가 핀(21)에 컨택한 상태에서, 부싱(30)과 서셉터(10)를 핀(21)에 대해 상대적으로 승강시켜, 기판을 서셉터(10)의 기판안착면(10a) 상에 안착시킨다. 그리고 서셉터(10)에 전기적 신호를 인가한 상태에서 박막을 형성한다. 물론 이때 핀(21)에도 서셉터(10)에 인가된 전기적 신호가 인가된 상태에서 균일한 무기박막을 형성하게 된다.
기판을 안착시키는 단계는, 핀(21)의 상면이 서셉터(10)의 기판안착면(10a)의 상면과 일치하도록 부싱(30)과 서셉터(10)를 핀(21)에 대해 상대적으로 승강시켜, 기판을 서셉터(10) 상에 안착시키는 단계이다. 물론 본 발명이 부싱(30)과 서셉터(10)를 상하로 이동시키는 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 부싱(30)과 서셉터(10)는 그 위치가 고정된 상태에서, 핀(21)이 상하로 이동할 수도 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 챔버 10: 서셉터
10a: 기판안착면 10b:돌출부
10c: 관통개구 21: 핀
21a: 헤드 21b: 세로봉
30: 부싱 30a: 관통홀
31: 컨택부 40: 결합부재
41: 결합봉 42: 결합헤드

Claims (11)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하고, 상하로 연장된, 전기 전도성 핀;
    상기 챔버 내에 위치하고, 상기 핀이 통과하는 관통개구를 갖는, 전기 전도성 서셉터; 및
    상기 서셉터의 상기 관통개구 내에 위치하여 상기 서셉터에 전기적으로 연결되도록 고정되고, 상기 핀이 통과하는 관통홀을 가지며, 상기 핀에 컨택하는 전기 전도성 컨택부를 갖는, 전기 전도성 부싱;
    을 구비하는, 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터와 상기 부싱을 상기 핀에 대해 상대적으로 상하로 이동시킬 수 있는 이동부(mover)를 더 구비하는, 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 컨택부는 상기 핀에 컨택하는 롤러를 포함하는, 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 롤러는 상기 서셉터가 상기 핀에 대해 상대적으로 이동할 시 상기 핀에 컨택한 상태로 회전하는, 증착장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 핀과 상기 서셉터는 상기 부싱과 상기 컨택부에 의해 전기적으로 연결된, 증착장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 핀이 포함하는 물질의 열팽창계수는 상기 서셉터가 포함하는 물질의 열팽창계수보다 작은, 증착장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 서셉터는 알루미늄을 포함하고, 상기 핀은 전기 전도성 세라믹을 포함하는, 증착장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 부싱과 상기 컨택부는 전기 전도성 세라믹을 포함하는, 증착장치.
  9. 기판이 배치된 엔드이펙터(end effector)를 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 증착장치의 챔버 내에 위치시키는 단계;
    부싱의 컨택부가 핀에 컨택한 상태에서, 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 하강시키는 단계;
    엔드이펙터를 하강시켜 기판을 핀 상에 전달하는 단계;
    엔드이펙터를 챔버 외부로 반출하는 단계;
    부싱의 컨택부가 핀에 컨택한 상태에서, 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 승강시켜, 기판을 서셉터의 기판안착면 상에 안착시키는 단계; 및
    기판 상에 박막을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 기판 처리방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 안착시키는 단계는, 핀의 상면이 서셉터의 기판안착면의 상면과 일치하도록 부싱과 서셉터를 핀에 대해 상대적으로 승강시켜, 기판을 서셉터 상에 안착시키는 단계인, 기판 처리방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 단계는, 서셉터에 전기적 신호를 인가한 상태에서 박막을 형성하는 단계인, 기판 처리방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5219377B2 (ja) * 2006-03-16 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
KR102197189B1 (ko) * 2013-05-28 2020-12-31 주성엔지니어링(주) 기판 지지 장치
KR20150014179A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 김길중 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터
KR102588347B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-13 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치에 구비되는 기판 지지핀

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