CN101378031A - 基板载置台以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种升降销难以损伤载置台本体的基板载置台。基板载置台具备：载置台本体和升降销(30)，其中，该升降销(30)铅直插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使上述基板升降，升降销(30)具有上部件(30b)和下部件(30a)，具有在它们的边界部(38)的周围设置辅助部件(39)而构成的折断部(35)，当升降销(30)位于支撑位置时，折断部(35)位于载置台本体(4a)的表面位置或者与此相比上方位置，形成折断部(35)，使得当向升降销(30)施加横向力时，该折断部(35)在比升降销(30)变形的力小的力的作用下折断。

Description

基板载置台以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板和半导体晶片等基板进行干蚀刻等处理的基板处理装置中，在处理容器内载置基板的基板载置台以及使用该基板载置台的基板处理装置。
背景技术
例如，在FPD和半导体的制造工艺中，对作为被处理基板的玻璃基板和半导体晶片进行干蚀刻、溅射、CVD(化学气相沉积)等各种处理。
例如，在将基板载置到设置于腔室内的基板载置台上的状态下进行这种处理，通过使基板载置台所具备的多个升降销升降来进行相对于基板载置台的基板的装载和卸载。即，在装载基板时，使升降销处于从载置台本体的表面突出的状态，将载置在搬送臂上的基板转移到升降销上，使升降销下降。另外，在卸载基板时，从在载置台本体上载置基板的状态开始，使升降销上升，使基板从载置台本体表面上升，在该状态下，将基板转移到搬送臂上。这种技术为常用技术，例如在专利文献1中公开了这种技术。
但是，以LCD为代表的FPD用的玻璃基板需要变为大型装置，要求一边超过2m的巨大型装置，基板载置台也变得非常大。另外，为了支撑大型基板，也需要多个升降销。因此，基板载置台本身的价格变得非常高。尤其是在对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻的蚀刻装置的情况下，在腔室内配置一对平行平板电极(上部以及下部电极)，基板载置台作为下部电极起作用，因此，由于安装冷却机构和供电机构等，价格进一步提高。
这种基板载置台，由于设置的多个升降销在载置台本体内升降，因此，在升降销从载置台本体突出的状态下，如果产生搬送臂接触升降销等的事故，则可能对基板载置台本身造成损伤。
尤其是，在伴随着基板的大型化，升降销需要具有强度，以及在基板载置台作为下部电极起作用时，为了在基板面内实现均匀的处理，使升降销为导电性材料等，因此，在升降销采用了不锈钢(SUS)那样的金属制升降销的情况下，通过搬送臂的接触等的横方向的力，使升降销自身产生弯曲，在一系列的搬送动作中，升降销在弯曲的状态下进行升降动作，增大了损伤高价基板载置台的可能性。如上所述，如果使载置台本体产生损伤，则需要更换高价的基板载置台，成为装置成本上升的主要原因。
【专利文献1】：日本特开平11-340208号公报
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种升降销难以对载置台本体产生损伤的基板载置台、以及具备这种基板载置台的基板处理装置。
为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种基板载置台，其在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：载置台本体；和升降销，上述升降销铅直插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使上述基板升降，其中，上述升降销具有上部件和下部件，具有在它们的边界部的周围设置辅助部件而构成的折断(折れ)部，能够取得隐没到上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置台本体突出并支撑基板的支撑位置，当上述升降销位于上述支撑位置时，上述折断部位于上述载置台本体的表面位置或者与此相比的上方位置，形成上述折断部，使得当向上述升降销施加横向力时，上述折断部在比上述升降销变形的力小的力的作用下折断。
在上述第一观点中，优选上述上部件和上述下部件在上述边界部被粘结。另外，优选上述辅助部件形成覆盖上述边界部周围的环状。另外，优选上述辅助部件粘结上述上部件以及上述下部件。而且，优选上述辅助部件具有在与上述上部件和上述下部件的边界部相对应的位置形成缩颈(括れ)的缩颈部。
优选上述上部件、上述下部件和上述辅助部件为金属制，更优选为不锈钢制。另外，上述上部件优选采用具有金属制芯材和覆盖其周围以及上部的树脂部件的结构。
在本发明的第二观点中，提供一种基板载置台，其在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：载置台本体；和升降销，上述升降销铅直插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使上述基板升降，其中，上述升降销能够取得隐没到上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置台本体突出并支撑基板的支撑位置，具有当位于上述支撑位置时、在上述载置台本体的表面位置或者与此相比上方位置形成缩颈的缩颈部，形成上述缩颈部，使得当向上述升降销施加横向力时，上述缩颈部在比上述升降销变形的力小的力的作用下折断。
在上述第二观点中，优选上述升降销为金属制，更优选为不锈钢制。另外，上述升降销优选采用在上述缩颈部的上方具有金属制芯材和覆盖其周围以及上部的树脂部件的结构。另外，上述升降销，可以在上述缩颈部的上下用不同部件构成。
在上述第一、第二观点中，能够形成下述构成：上述处理装置为进行等离子体处理的装置，上述载置台本体作为下部电极起作用。
在本发明的第三观点中，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备：收容基板的处理容器；设置在上述处理容器内、载置基板的基板载置台；和在上述处理室内对基板进行规定处理的处理机构，上述基板载置台具有上述第一或者第二观点的结构。
在上述第三观点中，上述处理机构可以采用下述结构，具备：向上述处理容器内供给处理气体的气体供给机构；对上述处理容器内进行排气的排气机构；和在上述处理容器内生成上述处理气体的等离子体的等离子体生成机构。另外，上述等离子体生成机构可以采用下述构成，具有：作为下部电极起作用的上述基板载置台；相对基板载置台设置的上部电极；和向基板载置台施加高频电力的高频电源。
根据本发明，升降销具有上部件和下部件，具有在它们的边界部的周围设置辅助部件而构成的折断部，可以具有：隐没到上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置台本体突出并支撑基板的支撑位置，当上述升降销位于上述支撑位置时，上述折断部位于上述载置台本体的表面位置或者与此相比的上方位置，形成上述折断部，使得当向上述升降销施加横向力时，上述折断部在比上述升降销变形的力小的力的作用下折断，因此，升降销支撑基板并升降时，可以通过辅助部件保持足够大的强度，在受到横向力作用时，折断部在升降销变形之前折断，因此，能够防止由于升降销变形而直接损伤载置台本体，或者升降销在变形的状态下仍旧进行升降动作而损伤载置台本体。尤其是，通过在辅助部件的与上部件和下部件的边界部相对应的位置形成缩颈部，辅助环确实从缩颈部断裂，当施加规定以上大小的横向力时，升降销可以确实在折断部折断。
另外，根据本发明，升降销具有：当位于支撑位置时，在上述载置台本体的表面位置或者与此相比的上方位置形成有缩颈的缩颈部，当向上述升降销施加横向力时，上述缩颈部在比上述升降销变形的力小的力的作用下折断，因此，当升降销支撑基板并升降时，可以保持足够大的强度，当受到横向力作用时，升降销在变形之前在缩颈部折断，所以可以防止由于升降销变形而直接损伤载置台本体，或者升降销在变形的状态下仍旧进行升降动作而损伤载置台本体。
附图说明
图1是表示设置有作是本发明一个实施方式涉及的基板载置台的基座的处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。
图2是放大表示图1的处理装置的基座的截面图。
图3是用于说明基座本体中的升降销的配置的平面图。
图4是表示作为本发明一个实施方式涉及的基板载置台的基座所使用的升降销的结构的一个例子的图。
图5是用于说明本实施方式的基座中的升降销的维修方法的概略图。
图6是表示将图4的升降销的上部件作成用树脂件覆盖不锈钢制的芯材的结构的例子的图。
图7是表示在本实施方式所示基座中的升降销的辅助部件上形成的缩颈部的其它例子的截面图。
图8是表示升降销的变形例的图。
图9是表示在升降销上设置的辅助部件的其它例子的水平截面图。
图10是表示升降销的其它变形例的图。
图11是表示在图10的升降销上形成的缩颈部的其它例子的侧视图。
图12是表示升降销的结构的其它例子的图。
符号说明
1   处理装置(等离子体蚀刻装置)
2   腔室(处理容器)
3   绝缘板
4   基座(基板载置台)
4a  基座本体(载置台本体)
5   基材
5a  凸部
6   绝缘部件
7   间隔部件
11  喷淋头(气体供给单元)
20  排气装置
25  高频电源(等离子体生成单元)
30  升降销
30a 下部件
30b 上部件
35  折断部
36、37 凸部
38  边界部
39  辅助部件
40、40′、40″ 缩颈部
41  维修部
42  芯材
43  树脂件
50、50′、50″ 缩颈部
G 玻璃基板
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1为表示设置有作为本发明一个实施方式涉及的基板载置台的基座的处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。该等离子体蚀刻装置1为对FPD用玻璃基板G进行规定的处理的装置，作为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置而构成。在此，作为FPD，例示了液晶显示器(LCD)、场致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
该等离子体蚀刻装置1具有角筒形状的腔室2，该腔室2由例如表面经过铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝形成。
在该腔室2内的底部设置有作为基板载置台的基座4，该基座4用于载置作为被处理基板的玻璃基板G。该基座4具有：基座本体4a、向基座本体4a装载玻璃基板G以及从基座本体4a卸载玻璃基板G的升降销30。
基座本体4a与用于供给高频电力的供电线23连接，该供电线23与匹配器24以及高频电源25连接。从高频电源25向基座4供给例如13.56MHz的高频电力。
在上述基座4的上方设置有与该基座4平行相对的作为上部电极起作用的喷淋头11。喷淋头11被支撑在腔室2的上部，其内部具有内部空间12，并且在与基座4的对置面上形成有多个喷出处理气体的喷出孔13。该喷淋头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头11的上面设置有气体导入口14，该气体导入口14与处理气体供给管15连接，处理气体供给源18通过阀16以及质量流量控制器17与该处理气体供给管15连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体，可以使用卤素气体、O2、Ar等通常在本领域应用的气体。
在上述腔室2底部形成有排气管19，该排气管19与排气装置20连接。排气装置20具备涡轮分子泵等真空泵，由此可以对腔室2内抽真空、直至达到规定的减压气氛。另外，在腔室2的侧壁上设置有基板搬入搬出口21、和开闭该基板搬入搬出口21的闸阀22，在该闸阀22打开的状态下，可以在该腔室2与邻接的负载锁定室(图中未示)之间搬送基板G。
接着，参照图2所示的放大图对作为本发明一个实施方式涉及的基板载置台的基座4进行详细说明。
如上所述，该基座4具有：基座本体4a和升降销30，基座本体4a具有：金属制基材5、和在基材5周边设置的绝缘部件6。
在腔室2的底壁2a上以与基座本体4a的周边部对应的方式设置有由绝缘体形成的间隔部件7，在该间隔部件7上载置有基座本体4a。间隔部件7和底壁2a之间、间隔部件7和基座本体4a之间被气密地密封，在基座本体4a和底壁2a之间形成有大气气氛的空间31。而且，通过该空间31可以起到大气绝缘的作用。在底壁2a中埋设有支撑基座本体4a的由陶瓷等绝缘体形成的多个绝缘部件32，通过插入贯通孔的螺栓33固定底壁2a和基座本体4a，其中，该贯通孔铅直设置在这些绝缘部件32的中心。
在基座本体4a的上面、即基材5的表面形成有多个由电介体材料形成的突起状凸部5a，这些凸部5a处于周围被绝缘部件6包围的状态。绝缘部件6a的上面和凸部5a的上面高度相同，当将玻璃基板G载置到基座本体4a上时，该玻璃基板G与绝缘部件6的上面以及凸部5a的上面接触。
升降销30插通在基座2的底壁设置的孔2b以及在基座本体4a的基材5上设置的孔5b，如图3所示，在与玻璃基板G周边部相当的位置上设置有10个，在中央部设置有3个，共设置有13个。升降销30通过图中未示的驱动机构进行升降，在没有对处理中等的玻璃基板G进行搬送时，位于隐藏到基座本体4a内的退避位置，在装载以及卸载玻璃基板G时，如图2所示，在从基座本体4a表面向上方突出的状态下位于支撑玻璃基板G的支撑位置。另外，在升降销30的下端用螺旋夹固定导电性的挡板60。在挡板60和基座本体4a之间设置有用于遮断真空气氛和大气气氛的导电性的波纹管62。因此，在升降销30具有导电性的情况下，升降销30通过波纹管62以及挡板60与基座本体4a电连接，保持相同电位。在挡板60的下面设置有绝缘部件61。
升降销30具有下部件30a和上部件30b，它们的边界部分成为当受到横向力作用时折断的折断部35。当升降销30位于支撑位置(图2的状态)时，该折断部35位于基座本体4a的表面位置或者稍上面的位置。而且，当升降销30位于支撑位置时，在向升降销30的突出部分施加比使升降销30变形的力小的规定大小的横向力时，从折断部35折断。
具体地说，如图4所示，在折断部35中、在凸部36和凸部37之间形成有边界部38，通过粘合剂在该边界部38处粘结该凸部36和该凸部37，其中，该凸部36设置在下部件30a的上端部中央，该凸部37设置在上部件30b的下端部中央。而且，在包括边界部38的凸部36和凸部37的周围设置有呈环状的辅助部件39。用粘合剂粘结辅助部件39和凸部36、37之间。另外，在辅助部件39外周的与边界部38相对应的部分形成有缩颈部40。
通过调节辅助部件39的长度(即，凸部36、37的长度)、辅助部件39的厚度、缩颈部40的深度等，或者通过在边界部38中设置间隙，可以调节从折断部35处折断时的力的最小值，在玻璃基板G的升降动作时，折断部35能够不变形地照常动作，但是，由于搬送臂从侧面对升降销30进行碰撞等，而对该升降销30施加规定值以上的力时，在升降销30变形之前，辅助部件39容易在缩颈部40发生断裂，升降销30在折断部35的边界部38处折断。
在折断部35的正下方位置设置有维修部41，在进行安装、拆卸升降销30等的维修时充当扳手等工具。以往的这种维修在支撑玻璃基板G的支撑位置进行，因此，当玻璃基板G位于支撑位置时，如图5(a)所示，维修部41需要从基座本体4a表面向上突出。如果在本实施方式中采用上述方式，则受到横向力作用时折断的折断部35位于距离基座本体4a表面相当远的上方位置。但是，理想的是，优选升降销的折断位置接近基座本体4a的表面。因此，如图5(b)所示，在支撑位置，确保折断部35的高度位置达到基座本体4a的表面高度或者稍微高于基座本体4a表面高度的适当位置之后，重新设置使该升降销30从该支撑位置进一步上升后的维修位置，作为升降销30的停止位置，如图5(c)所示，通过使升降销30位于该维修位置，使维修部41位于比基座本体4a表面靠上的位置，可以对升降销30进行维修。当然，也可以如现有技术那样，仅仅设置退避位置和支撑位置这2个位置，在支撑位置安装、拆卸升降销。
优选升降销30牢牢地安装在腔室2下方的图中未示安装部上，并且，具有在玻璃基板G进行升降动作时所需要的强度，从上述观点来看，优选由不锈钢(SUS)等金属构成下部件30a、上部件30b、辅助部件39。另外，从在基板面内进行均匀的蚀刻处理的观点来看，优选升降销30的下部件30a以及上部件30b具有导电性，通过折断部35从上部件30b的前端向下部件30a的下端电导通，使该上部件30b和该下部件30a与基座本体4a具有相同电位，从上述观点来看，优选由不锈钢(SUS)等金属构成升降销30。从确实取得导通的观点来看，优选使用导电性粘合剂作为粘合剂。如上所述，通过使升降销30具有导电性，升降销30通过导电性波纹管62以及挡板60与基座本体4a电连接，与基座本体4a形成相同电位。
但是，在上部件30b为金属的情况下，可能由于孔5b处的与基座本体4a的磨伤、对玻璃基板G造成损伤等而产生故障，另外，可能在生成等离子体时产生异常放电。从防止产生上述磨伤或玻璃基板G的损伤、以及防止异常放电的观点来看，优选上部件30b为树脂部件。另一方面，通过由导电性树脂构成上部件30b，虽然不能防止异常放电，但是可以防止由于与基座本体4a的磨伤以及损伤而产生的故障，并且可以进行均匀的蚀刻。但是，在上部件30b仅用树脂制的情况下，可能强度不够。
如图6所示，为了确保强度，并且防止产生上述磨伤、玻璃基板G的损伤、以及防止异常放电，优选上部件30b采用通过树脂件43覆盖由不锈钢(SUS)形成的芯材42周围的结构。
接着，对这样构成的等离子体蚀刻装置1的处理动作进行说明。
首先，利用图中未示的搬送臂通过基板搬入搬出口21将作为被处理基板的玻璃基板G从图中未示的负载锁定室搬入到腔室2内，并将其载置到在基座本体4a上面、即在基座本体4a表面形成的由电介体材料构成的凸部5a以及绝缘部件6上。在这种情况下，升降销30向上方突出并位于支撑位置，将搬送臂上的玻璃基板G转移到升降销30上。之后，使升降销30下降，将玻璃基板G载置到基座本体4a上。
之后，关闭闸阀22，通过排气装置20将腔室2内抽真空至规定真空度。然后，打开阀16，通过质量流量控制器17调整从处理气体供给源18供给的处理气体的流量，并通过处理气体供给管15、气体导入口14将该处理气体导入喷淋头11的内部空间12，再通过喷出孔13向基板G均匀地喷出，在调节排气量的同时将腔室2内控制为规定压力。
在该状态下，通过匹配器24从高频电源25向基座本体4a施加高频电力，在作为下部电极的基座4和作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场，生成处理气体的等离子体，通过该等离子体对玻璃基板G进行蚀刻处理。
在如上述那样进行蚀刻处理之后，停止从高频电源25施加高频电力，并停止导入处理气体之后，将腔室2内的压力调整为规定压力，通过升降销30使玻璃基板G上升到支撑位置。在该状态下，打开闸阀22，向腔室2内插入图中未示的搬送臂，将位于升降销30上的玻璃基板G转移到搬送臂上。然后，通过基板搬入搬出口21将玻璃基板G从腔室2内搬出到图中未示的负载锁定室。
在上述处理中，在搬入以及搬出玻璃基板G时，升降销30位于从基座本体4a表面突出的支撑位置，但是，在这种情况下，产生搬送臂碰撞升降销等故障，受到横向力作用。而且，在这时的力为使升降销变形的大小时，在以往会产生下述情况：由于这时的力而使升降销30产生变形，直接损伤基座本体4a，或者升降销30在变形的情况下继续使用，从而损伤基座本体4a。
与此相对，在本实施方式中，当搬送臂碰撞等的横向力作用于升降销30时，如果该力为规定值以上，则辅助部件39的缩颈部40在升降销30变形之前发生断裂，升降销30在折断部35的边界部38处折断。因此，可以防止基座本体4a损伤。
另一方面，升降销30需要具有一定程度的强度，从而，在支撑玻璃基板G时不会产生折断或弯曲。从上述观点来看，在边界部38处用粘合剂粘结下部件30a和上部件30b，使得升降销30在支撑玻璃基板G时不会从边界部38处折断，另外，使辅助部件39作为加固件起作用。即，辅助部件39在通常使用时作为加固件起作用，在受到横向力作用时起到断裂引导部件的作用，从而，从缩颈部40处开始断裂。
如上所述，在本实施方式中，从加固升降销30的观点来看，在边界部38处用粘合剂粘结下部件30a和上部件30b，但是，如果辅助部件39的加固功能足够强，则不一定要用粘合剂进行粘结。另外，辅助部件39和下部件30a以及上部件30b之间不一定必须用粘合剂粘结。
另外，辅助部件39的缩颈部的形状不限于图4所示形状，只要同时具有加固件的功能以及断裂引导部件的功能，也可以采用各种形状，例如，可以采用图7(a)所示形状的缩颈部40′、或图7(b)所示形状的缩颈部40″。
另外，并不是必须在辅助部件39中设置缩颈部40。即，只要搬送臂碰撞升降销30时辅助部件39确实断裂，并从粘结部38处折断，则如图8所示，也可以不设置缩颈部40。
另外，如上所述，不限于完全覆盖边界部38的周围的环状辅助部件39，如果具有作为上述加固剂的功能以及作为断裂引导部件的功能，则例如图9的横截面图所示，也可以为覆盖边界部38的周围的一部分的辅助部件39′。
另外，也可以不在升降销30中设置上述辅助部件39。例如，也可以如图10所示，将下部件30a和上部件30b设置成一个整体，在它们之间形成缩颈部50、作为折断部35。在这种情况下，需要形成缩颈部50，该缩颈部50确保足够强度，使得在升降玻璃基板G时不产生变形，在升降销30处于支撑位置时受到横向力作用的情况下，在升降销30变形之前在此处断裂、折断。因此，考虑到构成升降销30的材料的强度，需要调整缩颈部的缩颈量和形状等。从上述观点来看，缩颈部的形状不限于图10的缩颈部50，也可以采用各种形状，可以采用例如图11(a)所示形状的缩颈部50′、或图11(b)所示形状的缩颈部50″。
而且，当重视确保升降销30支撑玻璃基板G时的强度、防止折断，并且防止与基座本体4a的磨伤、玻璃基板G的损伤以及异常放电时，如图12所示，可以不设置折断部35，将升降销30的上部设置成用树脂件62覆盖不锈钢制的芯材61的周围的结构。
而且，本发明不限于上述实施方式，可以进行各种变形。
例如，在本实施方式中，对向下部电极施加高频电力的RIE型电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中的作为下部电极的基座上应用本发明的基板载置台的例子进行了说明，但是，并不限定于此，可以在灰化、CVD成膜等其它蚀刻处理装置中应用本发明的基板载置台，该装置可以为向上部电极供给高频电力的装置，另外，不限于电容耦合型，也可以为电感耦合型装置。另外，不限于等离子体处理，本发明的基板载置台也可以应用于其它处理装置。
另外，被处理基板不限于FPD用玻璃基板G，也可以为半导体晶片等其它基板。

Claims (17)

1.一种基板载置台，其在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：
载置台本体；和
升降销，所述升降销铅直插通所述载置台本体，以相对于所述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使所述基板升降，其中，
所述升降销具有上部件和下部件，具有在它们的边界部的周围设置辅助部件而构成的折断部，能够取得隐没到所述载置台本体内的退避位置、和从所述载置台本体突出并支撑基板的支撑位置，
当所述升降销位于所述支撑位置时，所述折断部位于所述载置台本体的表面位置或者与此相比的上方位置，形成所述折断部，使得当向所述升降销施加横向力时，所述折断部在比所述升降销变形的力小的力的作用下折断。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述上部件和所述下部件在所述边界部被粘结。
3.如权利要求1或2所述的基板载置台，其特征在于：
所述辅助部件形成覆盖所述边界部的周围的环状。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述辅助部件与所述上部件以及所述下部件粘结。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述辅助部件具有在与所述上部件和所述下部件的边界部相对应的位置形成缩颈的缩颈部。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述上部件、所述下部件和所述辅助部件为金属制。
7.如权利要求6所述的基板载置台，其特征在于：
所述上部件、所述下部件和所述辅助部件为不锈钢制。
8.如权利要求1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述上部件具有金属制芯材和覆盖其周围以及上部的树脂部件。
9.一种基板载置台，其在基板处理装置中载置基板，其特征在于，包括：
载置台本体；和
升降销，所述升降销铅直插通所述载置台本体，以相对于所述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使所述基板升降，其中，
所述升降销能够取得隐没到所述载置台本体内的退避位置、和从所述载置台本体突出并支撑基板的支撑位置，具有当位于所述支撑位置时、在所述载置台本体的表面位置或者与此相比上方位置形成缩颈的缩颈部，形成所述缩颈部，使得当向所述升降销施加横向力时，所述缩颈部在比所述升降销变形的力小的力的作用下折断。
10.如权利要求9所述的基板载置台，其特征在于：
所述升降销为金属制。
11.如权利要求10所述的基板载置台，其特征在于：
所述升降销为不锈钢制。
12.如权利要求9所述的基板载置台，其特征在于：
对于所述升降销，所述缩颈部的上方部分具有金属制芯材和覆盖其周围和上部的树脂部件。
13.如权利要求9所述的基板载置台，其特征在于：
所述升降销，在所述缩颈部的上下用不同的部件构成。
14.如权利要求1～13中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述处理装置是进行等离子体处理的装置，所述载置台本体作为下部电极起作用。
15.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容基板的处理容器；
设置在所述处理容器内，载置基板的基板载置台；和
在所述处理室内对基板进行规定处理的处理机构，
所述基板载置台具有权利要求1～14中任一种结构。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理机构具有：向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构；对所述处理容器内进行排气的排气机构；和在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成机构。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于：
所述等离子体生成机构具有：作为下部电极起作用的所述基板载置台；相对基板载置台设置的上部电极；和向基板载置台施加高频电力的高频电源。
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