JP7348744B2

JP7348744B2 - 基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

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Publication number: JP7348744B2
Application number: JP2019083213A
Authority: JP
Inventors: 将俊島崎
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Priority date: 2019-04-24
Filing date: 2019-04-24
Publication date: 2023-09-21
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Also published as: TWI810443B; JP2020181871A; KR20200124604A; TW202109729A

Description

本発明は、基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。

近年における半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウェハやガラスプレートなどの基板上に複数の層を堆積させたり、基板に対してストレスの強い膜や比較的厚い膜を形成したりすることがある。このような場合、基板に凹状の反りが生じうるため、リソグラフィ装置で基板上にパターンを形成する工程等において、基板保持装置（基板ステージ）に基板を正常に保持させることが困難になりうる。特許文献１には、チャック表面にウェハ吸着用の吸気溝と空気排出用の排気溝とを一定間隔で平行する渦巻状に形成し、排気溝の外周端を本体外縁に開口させることで、ウェハの適正な吸着と平面精度を向上させるウェハチャックプレートが開示されている。

実開昭６０－１４２０３６号公報

例えば凹状の反りが生じた基板は、外周部に向かうほど矯正しにくくなる。そのため、当該基板を基板保持装置で効率的に保持するには、基板の外周部に向かうほど、基板を吸引する力（吸引力）を大きくすることが好ましい。

そこで、本発明は、反りが生じた基板を効率的に保持するために有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての基板保持装置は、基板を保持する基板保持装置であって、保持された前記基板に対向する対向面に排気孔を有するベースと、前記ベースから突出して前記基板を支持する支持部材と、を含み、前記支持部材は、前記対向面の中心部の周りを少なくとも３周した一続きの渦巻形状を有し、前記中心部から外側に向かう方向において、ｎ周目部分（ｎは自然数）とｎ＋１周目部分との間隔より、前記ｎ＋１周目部分とｎ＋２周目部分との間隔の方が狭くなるように構成されている、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、反りが生じた基板を効率的に保持するために有利な技術を提供することができる。

第１実施形態の基板保持装置の構成を示す概略図第１実施形態の基板保持装置の構成を示す断面図従来の基板保持装置における基板の保持過程を示す図基板保持装置の構成例を説明するための図支持部材における渦巻形状の周回数を示す図支持部材における流路幅を示す図基板の反りを示す図基板の吸引力を維持させるために必要な流路幅を示す図第２実施形態の基板保持装置の構成を示す概略図露光装置の構成を示す概略図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の基板保持装置１０ａの構成について説明する。基板保持装置１０ａは、半導体ウェハやガラスプレートなどの基板Ｗを保持するための装置であり、例えば、ベース１１と、隔壁部材１２と、支持部材１３とを含みうる。本実施形態では、半導体ウェハなどの円形の基板Ｗを保持する基板保持装置１０ａの構成例について説明する。図１は、本実施形態の基板保持装置１０ａを上方（＋Ｚ方向側）から見た図であり、図２は、図１に示す基板保持装置１０ａのＡ－Ａ断面図である。また、各図では、水平面において互いに直交する方向をＸ方向およびＹ方向とし、鉛直方向をＺ方向とする。

ベース１１は、基板保持装置１０ａにより基板Ｗが正常に保持されたときに当該基板Ｗに対向する対向面（＋Ｚ方向側の面）を有し、当該対向面に排気孔１１ａを有する。排気孔１１ａは、図２に示すように、真空ポンプなどの排気装置３０と連通しており、排気装置３０を制御して排気孔１１ａから気体を排出することにより、ベース１１の上に配置された基板Ｗをチャック（吸引）することができる。本実施形態の場合、図１に示すように、ベース１１には、図１に示すように、基板Ｗの中心部が配置される位置に複数（３個）の排気孔１１ａが設けられている。なお、排気孔１１ａの数は３個に限られるものではなく、１～２個または４個以上であってもよい。

隔壁部材１２は、基板Ｗの外周部を支持するように、ベース１から＋Ｚ方向に突出した部材である。隔壁部材１２は、基板保持装置１０ａにより基板Ｗが正常に保持されたときに基板Ｗとベース１１との間に密閉空間が形成されるように、基板Ｗの外周部に沿った形状（本実施形態ではリング状）に構成されうる。

支持部材１３は、隔壁部材１２の内側において基板Ｗを支持するように、ベース１１から＋Ｚ方向に突出した部材である。支持部材１３は、図１に示すように、ベース上において、ベース１１の対向面の中心部の周りを少なくとも３周した一続き（連続した）渦巻形状を有する。本実施形態の場合、排気孔１１ａを含む領域１１ｂ（以下では、「中央領域１１ｂ」と呼ぶことがある）を中心として少なくとも３周した一続きの渦巻形状を有する。そして、支持部材１３の一方の端部は複数の排気孔１１ａの間（具体的には、ベース１１の対向面の重心、隔壁部材１２の重心）に位置し、支持部材１３の他方の端部は隔壁部材１２に接続される。このように支持部材１３を渦巻形状に構成することで、排気孔１１ａから排出される気体の流路１５が渦巻形状に構成されるため、基板Ｗを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持（吸引）することができる。

また、基板保持装置１０ａは、保持後の基板Ｗの撓みを低減するため、図１に示すように、隔壁部材１２の内側（例えば、支持部材１３の間）におけるベース１１上に、複数のピン形状や細長いリブ形状で構成された第２支持部材１４を有してもよい。図１に示す例では、図を分かり易くするため、複数のピン形状で構成された第２支持部材１４が、隔壁部材１２の内側の一部にだけ設けられているが、第２支持部材１４は隔壁部材１２の内側の全体に対して設けられうる。

このように渦巻形状に構成された支持部材１３を有する基板保持装置１０ａでは、複数の層が堆積されたり比較的厚い膜が形成されたりして凹状の反りが生じた基板Ｗを、当該反りを矯正しながら保持することができる。例えば、凹状の反りが生じた基板Ｗは、基板保持装置１０ａに搬送された直後では、基板Ｗの中心部は支持部材１３に接触しているが、基板Ｗの外周部は支持部材１３に対して浮いた（離間した）状態である。この状態で排気装置３０を制御し、排気孔１１ａにより基板Ｗとベース１１との間の排気を開始すると、まず基板Ｗの中心部が保持（吸引）され、それから、支持部材１３により渦巻形状に構成された流路１５に沿って基板Ｗが徐々に保持（吸引）されていく。このように、基板保持装置１０ａは、渦巻形状に構成された流路１５に沿って、基板Ｗの中心部から外周部に向かって徐々に吸引し、基板Ｗの反りを矯正しながら保持することができる。

また、凹状の反りが生じている基板Ｗは、外周部に向かうほど矯正しにくくなる。そのため、基板保持装置１０ａにより基板Ｗの反りを矯正しながら基板Ｗを効率的に保持するためには、基板Ｗの外周部に向かうほど、基板Ｗを吸引する力（吸引力）を大きくすることが好ましい。吸引力を大きくする方法としては、例えば、排気装置３０を増設したり排気装置３０の排気量を増加させたりする方法が挙げられるが、これらの方法では装置が複雑化して大掛かりになりうる。

そこで、本実施形態の基板保持装置１０ａでは、支持部材１３は、図２に示すように、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ）より、ｎ＋１周目部分とｎ＋２周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ＋１）の方が狭くなるように構成されている。例えば、支持部材１３は、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔が外側に向かうにつれて狭くなるように構成されている。なお、「ｎ」は、渦巻形状に構成された支持部材１３の周回数を示しており、１以上の自然数である。このように構成された基板保持装置１０ａでは、凹状の反りが生じた基板Ｗを保持する際に、基板Ｗの外周部に向かうほど基板Ｗの吸引力を大きくすることができるため、基板Ｗの反りを矯正しながら基板Ｗを効率的に保持することができる。

例えば、支持部材１３は、ｎ＋１周目部分とｎ＋２周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ＋１）が、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ）に対して６０～９５％の範囲内になるように構成されるとよい。より好ましくは、支持部材１３は、ｎ＋１周目部分とｎ＋２周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ＋１）が、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅ｗ_ｎ）に対して７５～８５％の範囲内になる箇所を含むように構成されるとよい。

［基板Ｗの平面矯正の原理］
本実施形態の基板保持装置１０ａが基板Ｗを矯正しながら効率的に保持することができる原理について、リング形状の支持部材を有する従来の基板保持装置５０と比較しながら説明する。

図３は、従来の基板保持装置５０における基板Ｗの保持過程を示す図である。図３（ａ）は、従来の基板保持装置５０を上方（＋Ｚ方向）から見た図であり、図３（ｂ）～（ｃ）は、図３（ａ）に示す従来の基板保持装置５０のＢ－Ｂ断面図である。従来の基板保持装置５０は、図３（ａ）に示すように、例えば、ベース５１と、基板Ｗの外周部を支持するリング状の隔壁部材５２と、隔壁部材５２の内側において基板Ｗを支持するリング状の複数の支持部材５３とを有する。ベース５１には、リング状の複数の支持部材５３の間に排気孔５１ａが設けられている。

このように構成された従来の基板保持装置５０では、凹状の反りを有する基板Ｗを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持していく過程において、基板Ｗと基板保持装置５０との隙間から気体が流入する。このような隙間の面積は、隙間の高さを「ｈ」で規定すると、図３（ｂ）に示すように半径ｒ１の位置で基板Ｗを保持する場合には２π×ｒ１×ｈとなる。また、図３（ｃ）に示すように、半径ｒ１より大きい半径ｒ２の位置で基板Ｗを保持する場合には２π×ｒ２×ｈとなる。この場合では、図３（ｂ）のときより基板Ｗの保持位置での円周が大きくなることで隙間の面積が増えるため、その分、気体の流速が低下し、それに伴い基板Ｗの吸引力も低下しうる。つまり、基板Ｗの保持位置が基板Ｗの外周部に向かうほど、基板Ｗを矯正して保持することが困難になりうる。

一方、渦巻形状の支持部材１３を有する本実施形態の基板保持装置１０ａでは、凹状の反りを有する基板Ｗを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持していく過程において、ベース１１と支持部材１３と基板Ｗとで規定される流路１５から気体が流入する。つまり、気体が流入する隙間の面積は、基板Ｗを保持する位置の半径に依存せずに、支持部材１３のｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅Ｗ_ｎ）に依存することとなる。例えば、図４の一点鎖線で示す位置Ｐで基板Ｗの保持を行う場合、気体が流入する隙間の面積は（ｒ_ｎ＋１－ｒ_ｎ）×ｈとなる。「ｒ_ｎ」はｎ周目部分の半径を示し、「ｒ_ｎ＋１」はｎ＋１周目部分の半径を示している。

本実施形態の場合、支持部材１３におけるｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅Ｗ_ｎ）は、外側に向かうにつれて狭くなっている。即ち、基板Ｗの保持位置が基板Ｗの外周部に向かうほど、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分とで規定される流路１５の断面積が小さくなる。そのため、基板Ｗの保持位置が基板Ｗの外周部に向かうほど、気体の流速を増加させ、それに伴い基板Ｗの吸引力も増加させることができる。これにより、凹状の反りが著しく生じている基板Ｗであっても、基板Ｗを矯正しながら外周部まで効率的に且つ確実に保持することができる。

［支持部材の構成例］
次に、渦巻形状を有する支持部材１３の具体的な構成例について説明する。
支持部材１３の渦巻形状は、例えば渦巻曲線（螺旋曲線）によって表されうる。渦巻曲線は、図４に示すように、隔壁部材１２の重心を原点とした極座標系におけるｎ周目部分までのベクトル長（半径ベクトル長）をｒ_ｎ、半径ベクトルの回転角をθとした場合、ｒ_ｎ＝ａ×θ^ｂの式で表される。この式において、定数ａは、支持部材１３の１周目部分の寸法（例えば、径の大きさ）を規定するための値である。また、定数ｂは、回転角θに対するｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅Ｗ_ｎ）の減少率を規定するための定数である。定数ｂは、０より大きく１より小さい場合（０＜ｂ＜１）には、外側に向かうほど流路幅Ｗ_ｎが狭まり、１に等しい場合（ｂ＝１）には、半径方向において一定の流路幅Ｗ_ｎとなり、１より大きい場合（ｂ＞１）には、外側に向かうほど流路幅Ｗ_ｎが広がる。本実施形態の支持部材１３は、外側に向かうにつれて流路幅Ｗ_ｎが狭くなるように構成されるため、定数ｂは、０＜ｂ＜１を満たすように設定されうる。定数ａおよび定数ｂは、任意に設定可能であるが、保持対象となる基板Ｗの反りの形状、反りの量、基板Ｗの大きさ、排気孔１１ａからの排気量に応じて適宜設定されうる。

例えば、ａ＝２５、ｂ＝０．５とした場合、支持部材１３における渦巻形状の周回数は、図５に示すように５周となり、支持部材１３におけるｎ周目部分とｎ＋１周目部分と間隔（流路幅Ｗ_ｎ）は、図６に示すように、外側に向かうほど減少する。ここで、図６に示す例では、半径ベクトル長ｒ_ｎが６２．９［ｍｍ］以下となる範囲では流路幅Ｗ_ｎが単調増加しているが、これは、６２．９［ｍｍ］までは１周目部分であり、その値から２周目部分が開始することを示している。本実施形態の支持部材１３は、ｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅Ｗ_ｎ）が外側に向かうにつれて狭くなる構成であり、「ｎ」は１以上の自然数である。つまり、本実施形態の支持部材１３では、２周目部分が開始して、１周目部分と２周目部分との間に流路１５が形成される回転角θから、即ち、半径ベクトル長ｒ_ｎ＝６２．９［ｍｍ］以降において流路幅Ｗ_ｎが徐々に減少するように構成される。

一方、基板Ｗの反りの形状は、半導体製造工程で成膜・熱処理を行う過程において、一般的に放物面形状となる。放物面形状は、中心を通る平面状のある一軸で断面を切った場合に、高さｚ、半径ｒ、反り形状の曲率をｃとした場合、ｚ＝ｃ×ｒ^２の式で表される。この場合、このような反り形状を有する基板Ｗは、基板保持装置１０ａ（支持部材１３）の上に配置しただけの状態では、図７に示すように、基板Ｗの外周部に向かうほど基板保持装置１０ａと基板Ｗとの隙間が大きくなる。つまり、基板Ｗを矯正することができる負圧を当該隙間に形成することが基板Ｗの外周部に向かうほど困難になり、基板Ｗの矯正を行いにくくなる。

このような反り形状を有する基板Ｗを矯正しながら保持する場合、基板Ｗの外周部に向かうほど、基板Ｗの吸引力を大きくすることが好ましい。しかしながら、排気装置３０の排気量に制限があり、排気装置３０を増設することは装置の複雑化や装置コストの増加を招いてしまう。そのため、本実施形態の基板保持装置１０ａでは、排気装置３０の排気量に制限がある中で吸引力を増加させるため、基板Ｗの外周部に向かうにつれて流路幅Ｗ_ｎを狭めていくことにより、基板Ｗと基板保持装置１０との間における気体の流速を増加させている。

基板Ｗと基板保持装置１０ａとの隙間は、図７に示すように、基板Ｗの外周部に向かうほど半径ベクトル長ｒ_ｎの二乗（ｒ^２）で広くなるため、当該隙間における気体の流速が１／ｒ^２に低下し、吸引力が１／ｒ^４に低下する。したがって、基板Ｗの外周部に向かっても吸引力を維持させるためには、流路幅を１／ｒ^２以上の比率で減少させることが好ましい。これにより、外周部に向かうほど低下する基板Ｗの吸引力を補償し（即ち、吸引力を維持させ）、基板Ｗを矯正しながら効率よく保持することができる。具体的には、流路幅Ｗ_ｎを、Ｗ_ｎ＝（ｒ_ｎ＋１－ｒ_ｎ）と規定した場合、基板Ｗの吸引力を維持させるためには、Ｗ_ｎ／（ｒ_ｎ／ｋ）^２≦（ａ×（θ＋２π）^ｂ－ａ×θ^ｂ）の条件を満たす必要がある。上記の式において、「ｒ_ｎ」は、ｎ周目部分の半径ベクトル長を示し、「ｒ_ｎ＋１」は、ｎ＋１周目部分の半径ベクトル長を示している。また、「ｋ」は、支持部材１３の１周目部分の寸法（例えば半径ベクトル長）を示している。例えば、ａ＝２５、ｂ＝０．５とした場合、基板Ｗの吸引力を維持させるために必要な流路幅Ｗ_ｎは、図８に示すようになる。

上述したように、本実施形態の基板保持装置１０ａは、渦巻形状を有する支持部材１３を有しており、支持部材１３におけるｎ周目部分とｎ＋１周目部分との間隔（流路幅Ｗ_ｎ）が外側に向かうにつれて狭くなるように構成されている。これにより、凹状の反りが生じている基板Ｗであっても、基板Ｗの外周部に向かうにつれて吸引力を増加させ、当該基板Ｗを矯正しながら効率的に保持することができる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態の基板保持装置１０ｂについて説明する。本実施形態の基板保持装置１０ｂは、第１実施形態の基板保持装置１０ａの構成を基本的に引き継ぐものであるが、隔壁部材１２および支持部材１３の形状が異なる。具体的には、第１実施形態の基板保持装置１０ａは、例えば半導体ウェハなどの円形の基板Ｗを保持するために円形状に構成されているが、本実施形態の基板保持装置１０ｂは、例えばガラスプレートなどの矩形の基板Ｗを保持するために矩形状に構成されている。

図９は、本実施形態の基板保持装置１０ｂを上方（＋Ｚ方向）から見た図である。図９に示すように、本実施形態の基板保持装置１０ｂでは、隔壁部材１２および支持部材１３が矩形状に構成されている。この場合においても、第１実施形態と同様に、凹状の反りが生じている基板Ｗであっても、基板Ｗの外周部に向かうにつれて吸引力を増加させ、当該基板Ｗを矯正しながら効率的に保持することができる。

＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。本実施形態では、上記の基板保持装置をリソグラフィ装置に適用した例について説明する。リソグラフィ装置としては、例えば、基板を露光する露光装置、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置（インプリント装置、平坦化装置）、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。以下では、上記の基板保持装置を露光装置に適用する例について説明する。

図１０は、露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、照明光学系１０１と、マスクステージ１０２と、投影光学系１０３と、基板ステージ１０４と、制御部１０５とを含みうる。制御部１０５は、例えばＣＰＵやメモリ等を有するコンピュータによって構成され、露光装置１００の各部を制御する（基板Ｗの露光処理を制御する）。また、制御部１０５は、上述した排気装置３０を制御するように構成されうる。

照明光学系１０１は、光源（不図示）から射出された照明光でマスクＭ（原版）の一部を照明する。照明光としては、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やｇ線（波長４３６ｎｍ）、ＫｒＦ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦ光（波長１９３ｎｍ）などが用いられうる。マスクステージ１０２は、マスクＭを保持してＸＹ方向に移動可能に構成される。投影光学系１０３は、マスクＭに形成されたパターンのうち、照明光学系１０１によって照明された一部の像を基板Ｗに投影する。基板ステージ１０４は、基板Ｗを保持してＸＹ方向に移動可能に構成される。基板ステージ１０４は、例えば、基板を保持する基板チャック１０４ａと、基板チャック１０４ａ（基板Ｗ）をＸＹ方向に駆動する基板駆動部１０４ｂとを含む。上述した第１実施形態の基板保持装置１０ａまたは第２実施形態の基板保持装置１０ｂは、基板チャック１０４ａとして適用されうる。

マスクステージ１０２の位置は、第１計測部１０６によって計測される。第１計測部１０６は、例えばレーザ干渉計を含み、マスクステージ１０２に設けられたミラー１０７に光（レーザ光）を照射し、ミラー１０７からの反射光によってマスクステージ１０２の位置を計測する。また、基板ステージ１０４の位置は、第２計測部１０８によって計測される。第２計測部１０８は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ１０４に設けられたミラー１０９に光（レーザ光）を照射し、ミラー１０９からの反射光によって基板ステージ１０４の位置を計測する。

マスクステージ１０２により保持されたマスクＭと基板ステージにより保持された基板Ｗとは、投影光学系１０３を介して光学的に共役な位置（投影光学系１０３の物体面および像面）にそれぞれ配置される。制御部１０５は、第１計測部１０６および第２計測部１０８の計測結果に基づいて、マスクステージ１０２と基板ステージ１０４とを投影光学系１０３の投影倍率に応じた速度比で相対的に同期走査する。これにより、マスクＭのパターンを基板上に転写することができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（露光装置）を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０ａ、１０ｂ：基板保持装置、１１：ベース、１１ａ：排気孔、１２：隔壁部材、１３：支持部材、１４：第２支持部材、１５：流路

Claims

基板を保持する基板保持装置であって、
保持された前記基板に対向する対向面に排気孔を有するベースと、
前記ベースから突出して前記基板を支持する支持部材と、
を含み、
前記支持部材は、前記対向面の中心部の周りを少なくとも３周した一続きの渦巻形状を有し、前記中心部から外側に向かう方向において、ｎ周目部分（ｎは自然数）とｎ＋１周目部分との間隔より、前記ｎ＋１周目部分とｎ＋２周目部分との間隔の方が狭くなるように構成されている、ことを特徴とする基板保持装置。
前記支持部材は、前記ｎ周目部分と前記ｎ＋１周目部分との間隔が外側に向かうにつれて狭くなるように構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
前記支持部材は、前記方向において、前記ｎ＋１周目部分と前記ｎ＋２周目部分との間隔が、前記ｎ周目部分と前記ｎ＋１周目部分との間隔に対して７５～８５％の範囲内になる箇所を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
前記ベースは、複数の前記排気孔を有し、
前記支持部材の一方の端部は、複数の前記排気孔の間に位置している、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持装置。
前記支持部材の外側に配置され、前記ベースから突出して前記基板の外周部を支持する隔壁部材を有し、
前記支持部材の他方の端部は、前記隔壁部材に接続されている、ことを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
前記ベースから突出して前記基板を支持するピン形状の第２支持部材を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板保持装置。
前記支持部材は、円形の渦巻形状を有する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板保持装置。
前記支持部材は、矩形の渦巻形状を有する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板保持装置。
前記対向面の重心を原点とした極座標系における前記ｎ周目部分までのベクトルの長さをｒ_ｎ、当該ベクトルの回転角をθとしたとき、前記支持部材の渦巻形状は、ｒ_ｎ＝ａ×θ^ｂを満たすように構成され、
定数ａは、前記支持部材の１周目部分の寸法を規定するための値であり、
定数ｂは、回転角θに対する前記ｎ周目部分と前記ｎ＋１周目部分との間隔の減少率を規定するための値であり、０より大きく１より小さい値に設定される、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板保持装置。
前記ｎ周目部分と前記ｎ＋１周目部分との間隔をｗ_ｎ、前記支持部材の１周目部分の寸法をｋとしたとき、前記支持部材は、
ｗ_ｎ／（ｒ_ｎ／ｋ）^２≦（ａ×（θ＋２π）^ｂ－ａ×θ^ｂ）／（ａ×θ^ｂ／ｋ）^２
を満たすように構成されている、ことを特徴とする請求項９に記載の基板保持装置。
基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板保持装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。