KR20010015371A - 기판가열처리장치 및 온도제어방법 - Google Patents
기판가열처리장치 및 온도제어방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010015371A KR20010015371A KR1020000041330A KR20000041330A KR20010015371A KR 20010015371 A KR20010015371 A KR 20010015371A KR 1020000041330 A KR1020000041330 A KR 1020000041330A KR 20000041330 A KR20000041330 A KR 20000041330A KR 20010015371 A KR20010015371 A KR 20010015371A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- cooling medium
- heating plate
- substrate
- set temperature
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 기판에 가열처리를 실시하기 위한 기판가열처리장치에 있어서,기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 가열 플레이트와,상기 가열 플레이트 내에 설치되어 가열 플레이트를 승온시키는 히터와,상기 가열 플레이트를 강온(降溫)시키기 위한 냉각수단과,상기 히터 및 상기 냉각수단을 제어하여 가열 플레이트의 온도를 설정온도로 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 냉각수단이,상기 가열 플레이트 내에 형성되어 내부에 상기 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류(通流)되는 냉각매체로와,상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 냉각매체로는, 상기 가열 플레이트의 면에 평행하면서 동시에 평면상에 형성된 적어도 하나의 냉각매체로 패턴을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 냉각매체로의 냉각매체로 패턴은, 상기 히터의 기판측과, 상기 히터의 기판과 반대측에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 냉각매체로 패턴은, 냉각매체의 입구 및 출구를 가지고, 이들 입구와 출구가 근접해서 설치됨과 동시에, 냉각매체로의 상기 입구측 부분의 적어도 일부와 상기 출구측 부분의 적어도 일부가 근접해 있으며, 동시에 냉각매체로가 굴곡되어 있는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 냉각매체로 패턴은, 점대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 냉각매체로 패턴은, 각각 복수의 분할로로 이루어지고, 각 분할로가 냉각매체의 입구 및 출구를 가지는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어수단은, 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도로까지 강온시킬 때, 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 냉각매체를 상기 냉각매체로에 공급하고, 상기 가열 플레이트의 온도를 설정온도 이하로까지 강온시켜, 그 후 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도로까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어수단은, 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 강온시킬 때, 상기 가열 플레이트의 온도와 설정온도를 바탕으로 설정온도 보다 온도가 높은 냉각매체 정지온도를 설정하고, 상기 공급수단을 제어하여 상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급하여 상기 가열 플레이트의 온도가 냉각매체 정지온도까지 강온되었을 때, 냉각매체의 공급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어수단은, 상기 가열 플레이트를 설정온도로 승온시킬 때, 상기 냉각매체의 공급수단을 정지시킨 상태에서, 상기 히터를 작동시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 10에 있어서,상기 제어수단은, 상기 가열 플레이트를 설정온도로 승온시킬 때, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 이상으로 승온되었을 경우, 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 냉각매체 공급수단은,상기 냉각매체 공급로에 액체의 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급배관과,상기 냉각매체 공급로에 퍼지기체를 공급하는 퍼지기체 배관과,이들 중 어느 하나를 냉각매체 공급로로 안내하도록 절환하는 절환밸브를 가지고,상기 제어수단은, 액체의 냉각매체를 상기 냉각매체 공급로에 통류시킨 후, 상기 절환밸브를 절환하여 퍼지기체를 통류시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 12에 있어서,상기 제어수단은, 상기 퍼지기체의 공급을 정지시킨 후, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 보다 높지 않고 동시에 가열 플레이트의 온도와 경과시간과의 미분값이 양이 아닌 경우, 또한, 상기 가열 플레이트의 온도가 소정시간 동안에 승온되지 않을 때, 또는, 상기 미분값 0 이하가 소정시간 이상 계속되었을 때, 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도 까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 12에 있어서,상기 제어수단은, 상기 퍼지기체의 공급을 정지시킨 후, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 보다 높고 동시에 가열 플레이트의 온도와 경과시간과의 미분값이 양인 경우에는, 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도로부터 소정온도 낮은 온도 이하의 온도까지 강온될 때 까지, 퍼지기체를 상기 냉각매체로에 공급하고, 그 후 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 기판에 가열처리를 실시하기 위한 기판가열처리장치에 있어서,기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 가열 플레이트와,상기 가열 플레이트 내에 설치되어 가열 플레이트를 승온시키는 히터와,상기 가열 플레이트 내에 형성되어 내부에 상기 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류되는 냉각매체로와,상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급수단과,상기 히터 및 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 상기 가열 플레이트의 온도를 제어함과 동시에, 상기 가열 플레이트의 온도를 제 1 설정온도에서 제 2 설정온도로 변경할 때, 상기 제 1 설정온도에서 가열되는 기판의 가열처리가 종료된 직후, 상기 제 2 설정온도로의 변경을 개시하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 기판가열처리장치에 있어서,기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 제 1 가열 플레이트와, 상기 제 1 가열 플레이트 내에 설치되어 상기 제 1 가열 플레이트를 승온시키는 제 1 히터와, 상기 제 1 가열 플레이트 내에 형성되어 내부로 상기 제 1 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류되는 제 1 냉각매체로를 구비하는 제 1 가열처리유닛과,기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 제 2 가열 플레이트와, 상기 제 2 가열 플레이트 내에 설치되어 상기 제 2 가열 플레이트를 승온시키는 제 2 히터와, 상기 제 2 가열 플레이트 내에 형성되어 내부에 상기 제 2 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류되는 제 2 냉각매체로를 구비하는 제 2 가열처리유닛과,상기 제 1 및 제 2 냉각매체로에 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급수단과,상기 제 1 및 제 2 히터 및 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 상기 제 1 및 제 2 가열 플레이트의 온도를 제어함과 동시에, 상기 제 1 및 제 2 가열 플레이트의 온도를 제 1 설정온도에서 상기 제 1 설정온도 보다도 낮은 제 2 설정온도로 변경할 때, 상기 냉각매체 공급수단에 의해 상기 제 1 냉각매체로에 냉각매체를 공급시키고, 소정시간 후에 상기 제 2 냉각매체로에 냉객매체를 공급시키는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 16에 있어서,상기 제 1 가열처리유닛과 상기 제 2 가열처리유닛이 적층배치되고,상기 제 1 가열처리유닛이 상기 제 2 가열처리유닛 보다도 하방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 청구항 16에 있어서,상기 제어수단은, 상기 제 1 및 제 2 가열 플레이트의 온도를 제 1 설정온도에서 제 2 설정온도로 변경할 때, 상기 제 1 설정온도에서 가열되는 기판의 가열처리가 종료된 직후에 순서대로 상기 제 2 설정온도로의 변경을 개시하는 것을 특징으로 하는 기판가열처리장치.
- 기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트 내에 설치되어 가열 플레이트를 승온시키기 위한 히터와, 상기 가열 플레이트 내에 형성되어 내부에 상기 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류되는 냉각매체로를 갖춘 기판가열처리장치에 있어서 상기 가열 플레이트의 온도를 제어하기 위한 온도제어방법에 있어서,상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 강온시킬 때, 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 냉각매체를 상기 냉각매체로에 공급하여, 상기 가열 플레이트의 온도를 설정온도 이하까지 강온시키고,그 후, 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 기판을 근접 또는 재치시켜 기판에 가열처리를 실시하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트 내에 설치되어 가열 플레이트를 승온시키기 위한 히터와, 상기 가열 플레이트 내에 형성되어 내부에 상기 가열 플레이트를 강온시키기 위한 냉각매체가 통류되는 냉각매체로를 갖춘 기판가열처리장치에 있어서 상기 가열 플레이트의 온도를 제어하기 위한 온도제어방법에 있어서,상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 강온시킬 때, 상기 가열 플레이트의 온도와 설정온도를 바탕으로, 설정온도 보다 온도가 높은 냉각매체 정지온도를 설정하고,상기 공급수단을 제어하여 상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급하고,상기 가열 플레이트의 온도가 냉각매체 정지온도까지 강온되었을 때, 냉각매체의 공급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 가열 플레이트를 설정온도로 승온시킬 때, 상기 냉각매체의 공급수단을 정지시킨 상태에서 상기 히터를 작동시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 청구항 21에 있어서,상기 제어수단은, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 이상으로 승온된 경우에는, 상기 냉각매체 공급수단을 제어하여 상기 냉각매체로에 냉각매체를 공급하는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 냉각매체는 액체이며, 냉각매체를 상기 냉각매체 공급로에 통류시킨 후, 퍼지기체를 통류시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 청구항 23에 있어서,상기 퍼지기체의 공급을 정지시킨 후, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 보다 높지 않고, 동시에, 가열 플레이트의 온도와 경과시간과의 미분값이 양이 아닌 경우, 또한 상기 가열 플레이트의 온도가 소정시간 동안에 승온되지 않을 때, 또는 상기 미분값 0 이하가 소정시간 이상 계속되었을 때, 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
- 청구항 23에 있어서,상기 퍼지기체의 공급을 정지시킨 후, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도 보다 높고 동시에 가열 플레이트의 온도와 경과시간과의 미분값이 양인 경우에는, 상기 가열 플레이트의 온도가 설정온도로부터 소정온도 낮은 온도 이하의 온도까지 강온될 때 까지, 퍼지기체를 상기 냉각매체로에 공급하고, 그 후 상기 히터를 작동시켜 상기 가열 플레이트의 온도를 소정의 설정온도까지 승온시키는 것을 특징으로 하는 온도제어방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20507999 | 1999-07-19 | ||
JP99-205079 | 1999-07-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010015371A true KR20010015371A (ko) | 2001-02-26 |
KR100655528B1 KR100655528B1 (ko) | 2006-12-08 |
Family
ID=37517317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000041330A KR100655528B1 (ko) | 1999-07-19 | 2000-07-19 | 기판가열처리장치 및 온도제어방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3605550B2 (ko) |
KR (1) | KR100655528B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764627B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-10-08 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
KR100793171B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-01-10 | 세메스 주식회사 | 베이크 공정 장치 및 상기 베이크 공정 장치에 구비되는 가열판의 냉각 방법 |
KR101434425B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2014-09-02 | (주) 예스티 | 급속 냉각 기능을 갖는 히터장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4302376B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
JP2003282403A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
JP2006085330A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Espec Corp | 温度制御装置 |
JP4788575B2 (ja) * | 2006-11-09 | 2011-10-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造装置用保持体 |
JP5104192B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2012-12-19 | 凸版印刷株式会社 | レジスト塗布基板の熱処理装置及びその熱処理方法 |
CN104281015B (zh) * | 2014-09-26 | 2018-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显影装置及显影方法 |
KR102265285B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2021-06-14 | 세메스 주식회사 | 열처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000216911A patent/JP3605550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-19 KR KR1020000041330A patent/KR100655528B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764627B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-10-08 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
KR100793171B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-01-10 | 세메스 주식회사 | 베이크 공정 장치 및 상기 베이크 공정 장치에 구비되는 가열판의 냉각 방법 |
KR101434425B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2014-09-02 | (주) 예스티 | 급속 냉각 기능을 갖는 히터장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100655528B1 (ko) | 2006-12-08 |
JP3605550B2 (ja) | 2004-12-22 |
JP2001093829A (ja) | 2001-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100700764B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP4699283B2 (ja) | 熱処理板の温度制御方法、プログラム及び熱処理板の温度制御装置 | |
KR100701035B1 (ko) | 기판 처리시스템 및 기판 처리방법 | |
JP3665826B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP4153781B2 (ja) | 熱処理装置および基板処理装置 | |
KR101314001B1 (ko) | 온도 제어 방법, 온도 조절기 및 열처리 장치 | |
KR100905258B1 (ko) | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
US20030005707A1 (en) | Heat treatment unit, cooling unit and cooling treatment method | |
KR100655528B1 (ko) | 기판가열처리장치 및 온도제어방법 | |
JP2001143850A (ja) | 基板の加熱処理装置,基板の加熱処理方法,基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100704749B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP3585217B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2008013211A1 (en) | Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system | |
TW201117257A (en) | Temperature increase control method for heating device for substrate treatment system, program, computer recording medium, and substrate treatment system | |
US6338582B1 (en) | Substrate delivery apparatus and coating and developing processing system | |
WO2006085527A1 (ja) | 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5107318B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JPH11345765A (ja) | 半導体ウェ―ハ上のレジストをベ―キングするための装置 | |
JP3998389B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4034285B2 (ja) | 温度調節システム及び温度調節方法 | |
JP3648150B2 (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
JP3684325B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3982672B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
JPH10340835A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JPH11317338A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121121 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181119 Year of fee payment: 13 |