WO2020066571A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 Download PDF

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WO2020066571A1
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WO
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substrate
transfer
wafer
arm
transfer arm
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PCT/JP2019/035362
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English (en)
French (fr)
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太洋 岡▲ざき▼
高橋　哲
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株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J13/00—Controls for manipulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a method for manufacturing a semiconductor device, and a recording medium.
  • a substrate processing apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device includes a processing chamber that processes a substrate such as a wafer, and a transfer device that loads a substrate into and out of the processing chamber.
  • a processing chamber that processes a substrate such as a wafer
  • a transfer device that loads a substrate into and out of the processing chamber.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-82071 discloses a transfer device and a substrate holder (tweezer) provided in the transfer device.
  • the present disclosure provides a technique for improving the substrate transfer capability of a substrate transfer device and improving the processing capability of a substrate processing device.
  • a substrate transfer device configured to transfer the substrate by driving the first substrate transfer arm and the second substrate transfer arm, respectively;
  • a substrate cooling unit configured to cool the substrate, and a transfer chamber in which the substrate transfer device is disposed, At least one substrate processing chamber disposed adjacent to the transfer chamber and configured to perform a process of heating the substrate;
  • a load lock chamber disposed adjacent to the transfer chamber,
  • a control unit for controlling the substrate transfer device, Has The control unit includes: A first transfer process for controlling the first substrate transfer arm to transfer the substrate in the load lock chamber into the substrate processing chamber; and performing a first transfer process on the substrate mounted (loaded) in the substrate cooling unit.
  • the first transfer processing is performed such that the maximum value of the acceleration applied to the substrate is larger than the maximum value of the acceleration applied to the substrate in the second transfer processing.
  • a technique is provided that is configured to control a substrate transfer arm and the second substrate transfer arm.
  • the technology according to the present disclosure it is possible to improve the substrate transfer capability of the substrate transfer device and improve the processing capability of the substrate processing device.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view of a part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view of another part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1.
  • 1 is a configuration diagram of a substrate cooling unit according to a first embodiment of the present disclosure as viewed from above.
  • FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram of a substrate cooling unit according to a first embodiment of the present disclosure as viewed from a side.
  • 1 is a schematic configuration diagram of a substrate transfer device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a perspective view illustrating an example of a tweezer according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a perspective view illustrating an example of another tweezer according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of a controller of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating an outline of a substrate processing step according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a sequence diagram comparing a sequence of substrate transport by the substrate transport device according to the first embodiment of the present disclosure with a sequence of substrate transport by the substrate transport device according to the comparative example.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a state when a thermally deformed substrate is transported on the tweezer according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a perspective view illustrating an example of a tweezer according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 cut along the Y-axis direction.
  • FIG. 3 is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 cut along the X-axis direction.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a housing 11 and a controller 121 that controls each component of the substrate processing apparatus 10.
  • the load lock chambers 14 a and 14 b, the first processing chamber group 116, and the second processing chamber group 117 are arranged inside the housing 11 with the transfer chamber 12 as the center.
  • Gate valves 361a and 361b are provided between the transfer chamber 12 and the load lock chambers 14a and 14b, respectively. When the gate valves 361a and 361b are opened, the transfer chamber 12 and the load lock chambers 14a and 14b can communicate with each other.
  • Gate valves 351a and 351b are also provided between the transfer chamber 12 and the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117, respectively.
  • the transfer chamber 12 and the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117 can communicate with each other.
  • the inside of each of the transfer chamber 12, the load lock chambers 14a and 14b, the first processing chamber group 116, and the second processing chamber group 117 is connected to an exhaust path (not shown) and an exhaust valve provided in the exhaust path.
  • a vacuum pump 118 Connected to a vacuum pump 118 (see FIG. 9).
  • the vacuum pump 118 and each exhaust valve are controlled by a controller so that the pressure inside the transfer chamber 12, the load lock chambers 14a and 14b, the first processing chamber group 116, and the second processing chamber group 117 becomes a predetermined value. 121.
  • two substrate cooling units 13a and 13b are arranged.
  • An EFEM (Equipment Front End Module) 18 as a front module is disposed outside the housing 11 so as to face the load lock chambers 14a and 14b.
  • the EFEM 18 is configured to be able to mount, for example, a hoop (FOUP: Front Open Unified Pod) for stocking 25 wafers 1 as substrates.
  • a hoop FOUP: Front Open Unified Pod
  • an atmospheric robot 19 capable of transferring the wafer 1 between the load lock chambers 14a and 14b and the hoop in the atmosphere is provided in the EFEM 18.
  • substrate supports (boats) 20 for accommodating, for example, 25 wafers 1 at regular intervals in the vertical direction.
  • the wafer 1 is held in each of the load lock chambers 14a and 14b by the substrate support 20.
  • the substrate support 20 is made of, for example, silicon carbide (SiC), aluminum, or the like.
  • the substrate support 20 is configured to move in the vertical direction (up and down direction) in the load lock chambers 14a and 14b, and is configured to rotate around a rotation axis extending in the vertical direction. (See arrow in FIG. 2).
  • the first processing chamber group 116 includes processing chambers 16a and 16b as substrate processing chambers
  • the second processing chamber group 117 includes processing chambers 17a and 17a as an example of the substrate processing chamber. 17b.
  • substrate holders 36a and 36b and a robot arm 40 are provided, respectively.
  • the processing chamber 16a and the processing chamber 16b communicate with each other via a connection space 48.
  • the connection space 48 is provided between the processing chamber 16a and the processing chamber 16b.
  • the connecting space 48 is provided with a partition member 46 (see FIG. 2).
  • the robot arm 40 is configured to receive the wafer 1 transported by the robot 30 described later (see FIG. 2) and place it on the substrate holding tables 36a and 36b. Further, the robot arm 40 is configured to transfer the processed wafer 1 placed on the substrate holding tables 36a and 36b onto the tweezers of the robot 30.
  • the substrate holders 36a and 36b have built-in heaters 37a and 37b as heating units, respectively.
  • the heaters 37a and 37b can raise the temperature of the wafer 1 to 450 ° C.
  • the wafer 1 is annealed by raising (heating) the temperature of the wafer 1 by the heaters 37a and 37b in the processing chambers 16a and 16b.
  • the temperature of the wafer 1 can be raised to 450 ° C. by the heaters 37a and 37b built in the substrate holders 36a and 36b.
  • the present embodiment may be configured so that the temperature of the wafer 1 can be raised to a higher temperature according to the type of processing performed on the wafer 1.
  • a configuration may be employed in which the temperature of the wafer 1 can be raised to about 1000 ° C. by additionally providing a lamp heater in each of the processing chambers 16a and 16b.
  • substrate cooling units 13a and 13b are provided in the transfer chamber 12.
  • the substrate cooling unit 13b has the same configuration as the substrate cooling unit 13a.
  • the substrate cooling unit 13a includes a substrate cooling plate 131a as a substrate cooling member.
  • the substrate cooling plate 131a is provided with four spacers 152a as substrate holding units.
  • the four spacers 152a are configured to support the wafer 1 above the substrate cooling plate 131a.
  • the substrate holding unit is configured by the spacer 152a.
  • the substrate holding unit is not limited to the spacer 152a.
  • the substrate holding unit can be configured to be able to support the wafer 1 above or below each substrate cooling plate at a predetermined interval from the upper or lower surface of the substrate cooling plate.
  • the substrate holding unit may be configured by a support pin formed in a projection shape or a bar shape.
  • the substrate holding unit may be configured by a holder or the like extending from the outside of the substrate cooling plate 131a so as to support the outer edge of the wafer 1.
  • a driving device for vertically moving the plurality of substrate holding units may be provided in the substrate cooling unit 13a, so that the plurality of substrate holding units and the wafer 1 supported by the plurality of substrate holding units can be moved up and down. .
  • a coolant passage 153a through which the coolant flows is provided inside the substrate cooling plate 131a.
  • the upper surface side and the lower surface side of the substrate cooling plate 131a are cooled by the coolant flowing through the coolant channel 153a.
  • the wafer 1 supported by the spacer 152a is configured to be cooled.
  • the substrate cooling plate 131a can also be regarded as a structure constituted by a plate-like structure constituting a main body and a coolant channel 153a provided inside the plate-like structure.
  • the plate-like structure is made of, for example, a metal such as stainless steel.
  • the substrate cooling unit 13a further includes a refrigerant supply unit (refrigerant supply unit) 155 for supplying a refrigerant to the refrigerant flow path 153a.
  • the refrigerant cooled in the refrigerant supply unit 155 is supplied to one end of the refrigerant flow path 153a, and circulates from the other end of the refrigerant flow path 153a to return to the refrigerant supply unit 155.
  • the refrigerant supply unit 155 is configured such that the temperature and the flow rate of the refrigerant supplied to the refrigerant channel 153a can be individually adjusted.
  • water is used as the refrigerant.
  • another liquid may be used as the refrigerant.
  • a gas may be used as the refrigerant.
  • the wafer 1 may be cooled using a thermoelectric element such as a Peltier element instead of the coolant channel 153a.
  • the substrate cooling plate 131a is provided with a notch having the same shape as a finger plate 321a (see FIG. 7) of the tweezer 32a and a finger plate 321b of the tweezer 32b to be described later. This allows the finger plates 321a and 321b to move vertically inside the notch.
  • FIG. 4 shows a state where the finger plate 321b is inserted into the notch.
  • the heated wafer 1 is placed on the upper surface of the substrate cooling plate 131a in the processing chambers 16a, 16b, etc., so that the wafer 1 can be rapidly cooled to, for example, room temperature.
  • the temperature of the coolant flowing through the coolant channel 153a may be further lowered so that the wafer 1 can be cooled to below room temperature.
  • the wafer 1 is heated until the temperature of the wafer 1 reaches a predetermined temperature (for example, 100 to 300 ° C.) lower than the temperature before being loaded into the substrate cooling units 13a and 13b. 1 may be placed on the substrate cooling plates 131a and 131b to cool the wafer 1.
  • the substrate cooling units 13a and 13b are provided in the transfer chamber 12.
  • the wafer 1 transferred to the substrate cooling units 13a and 13b is cooled under the same atmosphere as the transfer chamber 12. That is, no configuration such as a gate valve is provided between the substrate cooling units 13a and 13b and the transfer chamber 12 to separate them.
  • the transfer chamber 12 includes wafers between the load lock chambers 14a and 14b, the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117, and the substrate cooling units 13a and 13b.
  • a robot 30 is provided as an example of a substrate transport device that transports the substrate 1.
  • the robot 30 includes a tweezer, which is an example of a substrate holder that holds the wafer 1 (see FIG. 4) from below, and an arm, which is an example of a substrate transfer arm that moves the tweezer.
  • the tweezers are composed of a tweezer 32a as an example of a first substrate holder and a tweezer 32b as an example of a second substrate holder.
  • the arm is composed of an arm 34a provided with a tweezer 32a at the tip and an arm 34b provided with a tweezer 32b at the tip.
  • the tweezers 32a and 32b each have a bifurcated shape, and are spaced apart at predetermined intervals in the vertical direction.
  • the tweezers 32a and 32b extend substantially horizontally and in the same direction from the arms 34a and 34b, respectively.
  • Each of the tweezers 32a and 32b is configured to support the wafer 1 to be transferred. The detailed structure of the tweezers 32a and 32b will be described later.
  • the arms 34a and 34b are configured so as to be able to independently move horizontally in the horizontal direction (X1 and X2 directions in FIG. 6).
  • the arms 34a and 34b are configured so as to be separately rotatable in the direction R in FIG.
  • each of the arms 34a and 34b is configured to be individually movable up and down in the Z direction in FIG.
  • the arms 34a and 34b are arranged so as to be individually movable without interfering with each other.
  • the tweezers 32a are located on the upper side and the tweezers 32b are located on the lower side, so that they can move independently without interference.
  • the tweezer 32a is an example of a substrate holder that supports the wafer 1 which is a disk-shaped substrate having a diameter of, for example, 300 mm.
  • the tweezer 32a has a finger plate 321a as an example of a first plate-shaped body that is a support base of the wafer 1.
  • the finger plate 321a is formed in a bifurcated fork shape using, for example, an oxide-based ceramic material (alumina ceramic or the like) or SiC.
  • the finger plate 321a has a pair of band-shaped portions. Each band-shaped portion is arranged so as to overlap a part of the wafer 1 in a state where the tweezers 32 a support the wafer 1. Further, the tip of each band-shaped portion extends to a position outside the outer peripheral edge of the wafer 1 when the tweezers 32 a support the wafer 1.
  • a first support portion 322a including a plurality of protrusions is provided on the finger plate 321a.
  • the first support portion 322a is provided on the circumference of a circle whose diameter is smaller than the diameter of the wafer 1 and whose center is located at the same position as the center of the wafer 1 (that is, on the circumference of a concentric circle smaller than the diameter of the wafer 1).
  • a first support portion 322a including a plurality of protrusions protruding from the upper surface of the finger plate 321a toward the wafer 1 is formed.
  • each of the plurality of protrusions forming the first support portion 322a is formed of a columnar pad.
  • Each of the plurality of columnar pads is formed of a rubber material (a polymer material having rubber elasticity at room temperature). Further, the top surfaces of the plurality of pads protruding from the upper surface of the finger plate 321a are in contact with the lower surface of the wafer 1 (the surface opposite to the surface to be processed). These pads constitute a first support portion 322a that supports the lower surface of the wafer 1.
  • a first support portion 322a that supports the lower surface of the wafer 1.
  • the coefficient of friction (frictional force) between the first support portion 322a (particularly, the contact surface with the lower surface of the wafer 1) and the lower surface of the wafer 1 can be increased.
  • the rubber material it is particularly desirable to use a synthetic rubber having excellent properties such as heat resistance and abrasion resistance.
  • synthetic rubber such as fluoro rubber, silicon rubber, or perfluoroelastomer is used.
  • the heat resistance temperature of these synthetic rubbers is generally about 200 to 350 ° C.
  • the diameter of the pad in order to obtain a sufficient frictional force between the first support portion 322a and the lower surface of the wafer 1, is desirably ⁇ 5.0 mm or more. Further, in order to avoid sticking of the pad to the lower surface of the wafer 1, it is preferable that the diameter of the pad be 20.0 mm or less. In the present embodiment, the diameter of the pad is 10.0 mm.
  • the columnar pads constituting the first support portion 322a are dispersedly arranged at a plurality of locations on the finger plate 321a surface (upper surface) on one circumference which can support the wafer 1 evenly.
  • the plurality of locations capable of uniformly supporting the wafer 1 include, for example, a plurality of locations that are point-symmetric with respect to the center point (center of gravity) of the upper surface of the wafer 1 and a line passing through the center point of the upper surface of the wafer 1.
  • There are a plurality of locations e.g., a plurality of locations on the left and right sides
  • the columnar pads constituting the first support portion 322a are dispersedly arranged at four locations separated from each other on one circumference on the upper surface of the finger plate 321a.
  • pads there are four support points (pads) on one circumference on the upper surface of the finger plate 321a.
  • the four support locations (pads) uniformly support, for example, four locations near the outer peripheral edge of the wafer 1.
  • a support portion for the wafer 1 is configured by these four support portions.
  • pads are dispersedly arranged at four positions of the finger plate 321a.
  • the arrangement of the pads is not limited to the four positions on the finger plate 321a.
  • the pads may be dispersedly arranged at, for example, less than four places or five or more places on the finger plate 321a. Note that, among the plurality of columnar pads forming the first support portion 322a, it is preferable that a plurality of pads having a symmetrical relationship have the same support area for the wafer 1.
  • An arc-shaped guide side wall 324a corresponding to the outer peripheral shape of the wafer 1 is provided at the tip of each band-shaped portion of the finger plate 321a. Also, an arc-shaped guide side wall 324a corresponding to the outer peripheral shape of the wafer 1 is provided on the side facing the tip end of each band-shaped portion (ie, the root side of the tweezers 32a). These guide side walls 324a are each formed higher than a pad which is a convex portion forming the first support portion 322a.
  • the tweezer 32b is an example of a substrate holder that supports the wafer 1 as in the case of the tweezer 32a.
  • This tweezer 32b has a finger plate 321b as an example of a forked fork-shaped second plate-shaped body that is a support base of the wafer 1.
  • a second support portion 322b is provided on the finger plate 321b.
  • the second support portion 322b is configured by a plurality of convex portions arranged in a region surrounded by the guide side wall 324b and on the circumference of a concentric circle smaller than the diameter of the wafer 1.
  • the plurality of protrusions forming the second support portion 322b are formed so as to protrude from the upper surface of the finger plate 321b toward the wafer 1.
  • the configuration of the finger plate 321b and the guide side wall 324b is the same as the configuration of the finger plate 321a and the guide side wall 324a of the tweezer 32a.
  • the guide side walls 324b are formed to be higher than the convex portions forming the second support portions 322b.
  • the second support portion 322b is configured by a plurality of convex portions each formed in an arc shape (hereinafter, referred to as “arc-shaped convex portions”). Each of the plurality of arc-shaped convex portions is formed of the same material as the finger plate 321b. The top surfaces of the plurality of arc-shaped protrusions protruding from the upper surface of the finger plate 321b are in contact with the lower surface of the wafer 1, respectively. A second support portion 322 b that supports the lower surface of the wafer 1 is configured by these arc-shaped convex portions.
  • the first support portion 322a of the tweezer 32a is configured by a plurality of pads formed of a rubber material.
  • the second support portion 322b of the tweezer 32b is constituted by a plurality of arc-shaped convex portions formed of the same material as the finger plate 321b. Due to this structural difference, the tweezers 32a and 32b have the following differences.
  • the pads constituting the first support 322a are formed of a rubber material.
  • the plurality of pads constituting the second support 322b are formed of a ceramic material, SiC, or the like. Therefore, the friction coefficient (friction force) of the first support portion 322a on the lower surface of the wafer 1 to be transferred is larger than the friction coefficient (friction force) of the second support portion 322b on the lower surface of the wafer 1. Therefore, when the wafer 1 is transported using the tweezers 32a, displacement and slippage of the wafer 1 during transport are less likely to occur than when the wafer 1 is transported using the tweezers 32b.
  • the transfer of the wafer 1 using the tweezers 32a is smaller than the transfer of the wafer 1 using the tweezers 32b. Therefore, the displacement and slippage of the wafer 1 hardly occur. Therefore, when the wafer 1 is transported using the tweezers 32a, the transfer speed of the wafer 1 is reduced while suppressing the occurrence of slippage and slippage of the wafer 1 while the wafer 1 is transported using the tweezers 32b. It can be higher than the transport speed.
  • the pads constituting the first support 322a are formed of a rubber material. Therefore, the heat resistant temperature of the first support portion 322a is lower than the heat resistant temperature of the second support portion 322b formed of a ceramic material, SiC, or the like. Therefore, when the wafer 1 having a temperature higher than the heat resistant temperature of the tweezers 32a is transported by using the tweezers 32a, deformation of the pad formed of the rubber material or sticking of the pad to the lower surface of the wafer 1 are likely to occur. That is, it is not desirable to transport the wafer 1 heated to a temperature higher than the heat resistant temperature of the rubber material of the pad using the tweezers 32a. It is desirable that the wafer 1 heated to a temperature higher than the heat resistant temperature of the rubber material of the pad be transported using the tweezers 32b.
  • the controller 121 which is an example of a control unit (control means), includes a CPU (Central Processing Unit) 121a, a RAM (Random Access Memory) 121b, a storage device 121c, and an I / O port 121d. It is configured as a computer.
  • the RAM 121b, the storage device 121c, and the I / O port 121d are connected via an internal bus 121e so that data can be exchanged with the CPU 121a.
  • An input / output device 122 configured as, for example, a touch panel or the like is connected to the controller 121.
  • the storage device 121c is configured by, for example, a flash memory or an HDD (Hard Disk Drive).
  • a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus a process recipe in which a procedure and conditions for performing a substrate processing step described later are described (stored) in a readable manner.
  • the process recipe functions as a program for causing the controller 121 (CPU 121a) to execute each procedure in a substrate processing process described later.
  • the process recipe, the control program, and the like are collectively simply referred to as a program.
  • the process recipe is simply referred to as a recipe.
  • the program in this specification may include only a recipe alone, may include only a control program, or may include both a recipe and a control program.
  • the RAM 121b is configured as a memory area that temporarily stores programs, data, and the like read by the CPU 121a.
  • the I / O port 121d is connected to the robot 30, the gate valves 351a, 351b, 361a, 361b, the refrigerant supply unit 155, the robot arm 40, the heaters 37a, 37b, and the like.
  • the CPU 121a is configured to read and execute a control program from the storage device 121c and read a recipe from the storage device 121c in response to an input of an operation command from the input / output device 122 or the like.
  • the CPU 121a performs a substrate transport operation by the robot 30, an opening / closing operation of the gate valves 351a, 351b, 361a, and 361b, a temperature adjusting operation of the heaters 37a and 37b, an activation and a stop of the vacuum pump 118, in accordance with the contents of the read recipe. And a substrate transfer operation and the like by the atmospheric robot 19 are controlled.
  • the controller 121 installs the above-described program stored in an external storage device (for example, a magnetic disk such as a hard disk, an optical disk such as a CD, a magneto-optical disk such as an MO, or a semiconductor memory such as a USB memory) 123 in a computer.
  • an external storage device for example, a magnetic disk such as a hard disk, an optical disk such as a CD, a magneto-optical disk such as an MO, or a semiconductor memory such as a USB memory
  • the storage device 121c and the external storage device 123 are configured as computer-readable recording media.
  • the storage device 121c and the external storage device 123 are also simply referred to as a recording medium.
  • the recording medium in this specification may include only the storage device 121c alone, may include only the external storage device 123, or may include both the storage device 121c and the external storage device 123.
  • the program may be provided to the computer without using the external storage device 123 but using a communication unit such as the Internet or
  • the CPU 121a transfers the unprocessed wafer 1 from the EFEM 18 into the load lock chamber 14a, and hermetically closes the load lock chamber 14a. Thereafter, the CPU 121a opens the gate valve 361a, and makes the load lock chamber 14a communicate with the transfer chamber 12.
  • the CPU 121a drives the arm 34a of the robot 30 and receives the wafer 1 held by the substrate support 20 in the load lock chamber 14a by the tweezer 32a. After that, the CPU 121a opens the gate valve 351a or the gate valve 351b, and transfers the wafer 1 on the tweezer 32a to either the first processing chamber group 116 or the second processing chamber group 117.
  • the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117 process the wafer 1 in the same manner. Therefore, hereinafter, a case where the wafer 1 is loaded into the first processing chamber group 116 and the wafer 1 is processed will be described.
  • the wafer 1 is loaded into the second processing chamber group 117 and the wafer 1 is processed. The description of the case is omitted.
  • the robot 30 When processing the wafer 1 transported to the first processing chamber group 116 in the processing chamber 16a, the robot 30 inserts the tweezer 32a holding the wafer 1 into the first processing chamber group 116, and the substrate holding table 36a The wafer 1 is placed thereon.
  • the robot 30 When processing the wafer 1 transferred to the first processing chamber group 116 in the processing chamber 16b, the robot 30 inserts the tweezer 32a holding the wafer 1 into the first processing chamber group 116, and The transfer of the wafer 1 is performed between 40 and the tweezer 32a.
  • the robot arm 40 operates to place the received wafer 1 on the substrate holder 36b.
  • first transfer step S110 the process of transferring the wafer 1 from the load lock chamber 14a or the load lock chamber 14b into the first processing chamber group 116 or the second processing chamber group 117 by the robot 30 is referred to as a first transfer step S110. Called. As described later, in the present embodiment, in the first transporting step S110, the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so that only the arm 34a and the tweezer 32a are used and the arm 34b and the tweezer 32b are not used. .
  • the controller 121 CPU 121a
  • Substrate processing step S120 Thereafter, the CPU 121a closes the gate valve 351a, and heats the wafer 1 on the substrate holders 36a, 36b by the heaters 37a, 37b, respectively. As a result, a predetermined process is performed on the wafer 1.
  • the temperature of the wafer 1 is raised to 400 ° C., and the wafer 1 is subjected to an annealing process.
  • the CPU 121a opens the gate valve 351a. Thereafter, the CPU 121a drives the arm 34b of the robot 30 to insert the tweezer 32b into the first processing chamber group 116, and receives the processed wafer 1 on the substrate holding table 36a by the tweezer 32b, or The wafer 1 processed on the holding table 36b is received by the tweezer 32b from the robot arm 40. Subsequently, the robot 30 transfers the processed wafer 1 held on the tweezer 32b from the first processing chamber group 116 to the substrate cooling unit 13a or the substrate cooling unit 13b via the transfer chamber 12. Convey and load.
  • the substrate cooling unit 13a and the substrate cooling unit 13b cool the wafer 1 similarly. Therefore, the case where the wafer 1 is transferred to the substrate cooling unit 13a and cooled will be described below, and the description of the case where the wafer 1 is transferred and cooled to the substrate cooling unit 13b will be omitted.
  • the robot 30 transports the wafer 1 to the substrate cooling unit 13a and places the wafer 1 on the spacer 152a. Specifically, the robot 30 moves the tweezers 32b above the substrate cooling plate 131a in a state where the lower surface of the wafer 1 supported by the tweezers 32b is higher than the spacer 152a. Subsequently, the robot 30 places the wafer 1 on the spacer 152a by lowering the tweezers 32b downward.
  • the step of transferring the wafer 1 from the first processing chamber group 116 or the second processing chamber group 117 to the substrate cooling unit 13a or the substrate cooling unit 13b by the robot 30 is referred to as a second transfer step S130.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so as to use only the arm 34b and the tweezer 32b and not use the arm 34a and the tweezer 32a. .
  • Substrate cooling step S140 The lower surface of the wafer 1 placed on the substrate cooling plate 131a is in contact with the substrate cooling plate 131a cooled by the refrigerant flowing inside. Thereby, the wafer 1 is cooled until the temperature becomes lower than the predetermined temperature. In the present embodiment, the wafer 1 is cooled down to a temperature lower than 200 ° C.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) in the third transport step S150 so that only the arm 34a and the tweezer 32a are used and the arm 34b and the tweezer 32b are not used. .
  • a sequence A in FIG. 11 is an operation sequence of the robot 30 according to the present embodiment
  • a sequence B is an operation sequence of the robot 30 according to the comparative example.
  • the upper part shows the substrate transfer operation by the arm 34a
  • the lower part shows the substrate transfer operation by the arm 34b.
  • the arm 34a includes the tweezer 32a
  • the arm 34a has the same configuration as the tweezer 32b.
  • This tweezer is referred to as a "tweezer 32b '" for convenience of description below. That is, in the comparative example, the arm 34b includes the tweezer 32b, and the arm 34a includes the tweezer 32b 'having the same configuration as the tweezer 32b.
  • the maximum value Va of the acceleration applied to the wafer 1 when the wafer 1 is transferred using the arm 34a including the tweezer 32a is defined as the maximum acceleration Va.
  • the maximum value Vb of the acceleration applied to the wafer 1 when the wafer 1 is transferred using the arm 34b including the tweezer 32b is set as the maximum acceleration Vb.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so that the maximum acceleration Va becomes larger than the maximum acceleration Vb.
  • the maximum value Va 'of the acceleration applied to the wafer 1 when the wafer 1 is transferred using the arm 34a including the tweezer 32b' is defined as the maximum acceleration Va '.
  • the maximum value Vb 'of the acceleration applied to the wafer 1 when the wafer 1 is transferred using the arm 34b including the tweezer 32b is set as the maximum acceleration Vb'.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so that the maximum acceleration Va 'and the maximum acceleration Vb' are the same.
  • the present embodiment is different from the comparative example.
  • Other configurations are the same as those of the comparative example and the present embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • the term “acceleration” mainly means acceleration applied to the wafer 1 in the horizontal direction during the transfer of the wafer 1. Further, the “acceleration” in the present specification includes all accelerations applied in the moving direction of the wafer 1 by a frictional force acting between the first support portion 322a or the second support portion 322b and the lower surface of the wafer 1. .
  • the robot 30 performs the first transfer step S110 using the arm 34a and the tweezers 32a, and prevents the robot 30 from executing the first transfer step S110 using the arm 34b and the tweezers 32b. It is controlled by the controller 121 (CPU 121a). At this time, the robot 30 drives the arm 34a such that the maximum acceleration Va applied to the wafer 1 in the transfer of the wafer 1 using the arm 34a becomes the acceleration vh.
  • the wafer 1 is transferred by the arm 34a including the tweezer 32b '.
  • the robot 30 drives the arm 34a such that the maximum acceleration Va 'applied to the wafer 1 in the transfer of the wafer 1 using the arm 34a becomes an acceleration vl smaller than the acceleration vh.
  • the acceleration vh is an acceleration that is allowed under the condition that no displacement and slippage occur between the wafer 1 and the tweezer 32a when the first transfer step S110 and the third transfer step S150 are performed using the tweezer 32a.
  • the acceleration vl is set to an allowable acceleration under the condition that no deviation and slippage occur between the wafer 1 and the tweezers 32b, 32b ′ when the second transfer step S130 is performed using the tweezers 32b, 32b ′. This is the maximum value.
  • the difference between the maximum values of the allowable accelerations vh and vl is caused by the following two differences between the first transport step S110 and the third transport step S150 and the second transport step S130. .
  • the wafer 1 generally maintains a flat surface at normal temperature. However, when the wafer 1 is heated, a temperature deviation occurs on the front and back of the wafer 1 or in the plane of the wafer 1. Due to this temperature deviation, the wafer 1 may be distorted, warped, or wavy deformed. For this reason, the wafer 1 that has been heated in the course of the predetermined processing (that is, the wafer 1 in the second transfer step S130) is the wafer 1 before being heated in the processing chambers 16a and 16b, or The possibility of deformation or the degree of deformation is larger than that of the wafer 1 cooled in the substrate cooling units 13a and 13b (that is, the wafer 1 in the first transfer step S110 or the third transfer step S150). .
  • the wafer 1 when the wafer 1 is deformed in the second transfer step S130 so as to warp from the center side of the wafer 1 to the outer edge side, as shown at a point A in the figure.
  • the lower surface (back surface) of the wafer 1 is supported by the limited portion of the second support portion 322b. Therefore, the contact area between the lower surface of wafer 1 and second support portion 322b is reduced. As a result, the frictional force between the lower surface of the wafer 1 and the second support 322b decreases, and the holding force of the second support 322b that holds the wafer 1 decreases.
  • the maximum acceleration vl allowed in the second transfer step S130 where the deformation of the wafer 1 is likely to occur is defined as:
  • the maximum acceleration vh allowed in the first transfer step S110 and the third transfer step S150 in which the deformation of the wafer 1 is relatively unlikely to occur is set to be smaller.
  • the maximum acceleration vh in the first transfer step S110 and the third transfer step S150 in which the deformation of the wafer 1 is relatively unlikely to occur is the maximum acceleration vh in the second transfer step S130. It can be larger than vl.
  • the maximum acceleration vl in the second transfer step S130 may be set differently according to the temperature (processing temperature) at which the temperature of the wafer 1 is increased in the predetermined processing performed in the processing chambers 16a and 16b. .
  • the processing temperature is relatively low
  • the maximum acceleration vl may be changed to be large
  • the processing temperature is relatively high
  • the maximum acceleration vl may be changed to be small.
  • the use of the tweezers 32a for holding the wafer 1 on the first support portion 322a enables the use of the tweezers 32b and 32b 'for holding the wafer 1 on the second support portion 322b.
  • the acceleration vh> the acceleration vl can be satisfied.
  • the transfer speed (transfer) of the wafer 1 in the present step is performed. Throughput) can be maximized.
  • the present embodiment is inferior to the present embodiment in terms of the transfer speed (transfer throughput) of the wafer 1. As shown in FIG. 11, the time required to complete this step is longer in the comparative example than in the present embodiment.
  • the acceleration vh and the acceleration vl do not need to be the maximum values under the above-described conditions, and may be at least the acceleration vh> the acceleration vl. However, from the viewpoint of maximizing the transfer throughput of the wafer 1, it is desirable that the accelerations vh and vl be the maximum values under the above-described conditions as in the present embodiment.
  • this step (first transfer step S110) is performed before the substrate processing step S120 in which the wafer 1 is heated. Therefore, in this step, the temperature of the transferred wafer 1 is lower than the temperature after being heated in the substrate processing step S120. Therefore, in this step, even if the wafer 1 is transported by using the tweezers 32a holding the wafer 1 by the first support portions 322a formed of pads made of a rubber material, the deformation of the pads and the lower surface of the wafer 1 There is almost no need to consider issues such as sticking a pad to a pad.
  • the temperature is lower than the heat-resistant temperature (hereinafter, also referred to as “first temperature”) of the rubber material of the pad constituting the first support portion 322a by using the arm 34a and the tweezer 32a. Only the wafer 1 is transferred.
  • first temperature heat-resistant temperature
  • the present step (second transfer step S130) is performed after the substrate processing step S120 in which the wafer 1 is heated. Therefore, in this step, the temperature of the transferred wafer 1 is higher than the temperature before being heated in the substrate processing step S120. Therefore, when the wafer constituting the first support portion 322a is to be transported using the tweezers 32a formed of a rubber material in the present process, the temperature of the wafer 1 becomes equal to the heat resistant temperature of the rubber material (the first temperature). ), The pad may be deformed, or the pad may adhere to the lower surface of the wafer 1.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so that this step is performed using the arm 34b and the tweezer 32b, and not performed using the arm 34a and the tweezer 32a. That is, in this step, the wafer 1 having a temperature higher than the heat resistant temperature (first temperature) of the rubber material of the pad constituting the first support portion 322a is transferred using only the arm 34b and the tweezer 32b.
  • the controller 121 CPU 121a
  • the wafer 1 having a temperature higher than the heat resistant temperature (first temperature) of the rubber material of the pad constituting the first support portion 322a is transferred using only the arm 34b and the tweezer 32b.
  • the robot performs the third transporting step S150 using the arm 34a and the tweezers 32a, and does not execute this step using the arm 34b and the tweezers 32b.
  • 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a).
  • the robot 30 drives the arm 34a such that the maximum acceleration Va applied to the wafer 1 in the transfer of the wafer 1 using the arm 34a becomes the acceleration vh.
  • the wafer 1 is transferred by the arm 34a including the tweezer 32b '.
  • the robot 30 drives the arm 34a so that the maximum acceleration Va ′ applied to the wafer 1 becomes an acceleration vl smaller than the acceleration vh in the transfer of the wafer 1 using the arm 34a.
  • One transfer speed transport throughput
  • the time required to complete this step is longer in the comparative example than in the present embodiment.
  • the controller 121 (CPU 121a) of the present embodiment includes the first transfer step S110 for transferring the wafer 1 from the load lock chamber 14a to the first processing chamber group 116 and the load lock chamber from the substrate cooling unit 13a.
  • a third transfer step S150 of transferring the wafer 1 to the substrate 14b is performed by the arm 34a
  • a second transfer step S130 of transferring the wafer 1 from the first processing chamber group 116 to the substrate cooling unit 13a is performed by the arm 34a.
  • the robot 30 is controlled so as not to allow the robot 30 to operate.
  • the controller 121 of the present embodiment controls the robot 30 so that the arm 34b executes the second transfer step S130 and prevents the arm 34b from executing the first transfer step S110 and the third transfer step S150. I do.
  • the tweezers 32a are connected to the wafer 1 below the heat resistant temperature (first temperature) of the rubber material of the pad constituting the first support portion 322a.
  • the tweezers 32b are configured to transfer only the wafer 1 that exceeds the heat resistant temperature (first temperature) of the rubber material of the pad constituting the first support portion 322a.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so that the arm 34a transfers only the wafer 1 having a temperature lower than the first temperature and the arm 34b transfers only the wafer 1 having a temperature higher than the first temperature. Is done.
  • the third transfer step S150 is performed.
  • the time required for completing the transfer of the wafer 1 from the substrate cooling unit 13a to the load lock chamber 14b can be reduced as compared with the case of the comparative example. That is, the transfer throughput of the wafer 1 can be improved, and the productivity of the substrate processing apparatus 10 can be improved.
  • the first support portion 322a can be made of a material such as a rubber material having a large force for holding the wafer 1 (ie, having a large friction coefficient).
  • the deformation of the pad constituting the first support portion 322a can be suppressed, the frequency of replacement of components such as the pad can be reduced.
  • the pad constituting the first support portion 322a from sticking to the lower surface of the wafer 1. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a transfer error of the wafer 1 due to the pad being stuck to the lower surface of the wafer 1 and the deterioration of the quality of the wafer 1.
  • the substrate transfer operation is performed in the substrate processing apparatus 10 including the substrate cooling units 13a and 13b.
  • the frequency at which the step of transporting the low-temperature wafer 1 is performed immediately after the heat treatment is performed as compared with the case where the substrate transport operation is performed in the substrate processing apparatus without the substrate cooling units 13a and 13b.
  • the transfer throughput of the wafer 1 can be more effectively improved by increasing the transfer speed in the step of transferring the wafer 1 at a low temperature equal to or lower than the first temperature.
  • the semiconductor device can be manufactured with high efficiency.
  • a column-shaped pad has been described as an example of the convex portion forming the first support portion 322a.
  • the protrusions that form the first support portion 322a are not limited to the columnar pads. That is, the convex portion forming the first support portion 322a may be configured by a member formed in an annular shape. More specifically, the member formed in an annular shape may be constituted by an O-ring.
  • FIG. 13 shows an example in which the first support portion 322a 'is formed by O-ring in the tweezer 32a. The top surface of the O-ring is formed to be lower than the guide side wall 324a, similarly to the pad in the above-described embodiment.
  • the shape of the convex portion forming the first support portion 322a is not limited to a columnar shape, and may be various shapes such as a prismatic shape and an arc shape.
  • a tweezer cooling step S200 of cooling the tweezers 32b by the substrate cooling units 13a and 13b is further performed.
  • Tweezer cooling step S200 In the first embodiment, when the wafer 1 is placed on the spacer 152a in the second transfer step S130, the tweezers 32b are lowered. However, in the tweezer cooling step S200, after the wafer 1 is placed on the spacer 152a, the tweezer 32b is further moved to a position below the substrate cooling plate 131a, and the robot 30 moves the tweezer 32b at that position for a predetermined time. Is controlled.
  • the tweezers 32a are vertically lowered to a position lower than the lower surface of the substrate cooling plate 131a, and the tweezers 32b are stopped at that position for a predetermined time.
  • the portion below the substrate cooling plate 131a refers to a position including a portion below a notch through which the tweezers 32b provided on the substrate cooling plate 131a pass downward.
  • the tweezers 32b whose temperature has increased can be rapidly cooled by the wafer 1 supported by the tweezers 32b.
  • the above-mentioned predetermined time for maintaining the stopped state of the tweezers 32a may be any time as long as the tweezers 32b can be substantially cooled.
  • the above-mentioned predetermined time can be, for example, 5 to 60 seconds.
  • the tweezers 32b are stopped below the substrate cooling plate 131a.
  • the tweezers 32b may be stopped above the substrate cooling plate 131a.
  • the tweezers 32b can be continuously cooled by the substrate cooling units 13a and 13b while cooling the wafer 1.
  • the operation of transferring the wafer 1 between the inside of the first processing chamber group 116 and the inside of the second processing chamber group 117 is executed.
  • the robot 30 is controlled by the controller 121 (CPU 121a) so as not to perform the operation.
  • the controller 121 CPU 121a
  • the second transfer step S130 is performed. Only the operation of transporting the wafer 1 to the substrate cooling units 13a and 13b as described above is performed, so that the heated wafer 1 is not continuously transported by the tweezers 32b. Therefore, it is possible to prevent the tweezers 32b from being excessively heated.
  • the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117 are examples of a substrate processing chamber.
  • the substrate processing apparatus 10 is an annealing apparatus
  • the substrate processing apparatus of the present disclosure is not limited to an annealing apparatus. That is, the present disclosure can be applied to a substrate processing apparatus in which the temperature of a substrate rises in a processing chamber regardless of the processing content in the processing chamber.
  • the substrate processing apparatus for example, an apparatus that performs another processing such as a film forming process, an etching process, a diffusion process, an oxidation process, a nitriding process, or an ashing process is given.
  • the case where one tweezer 32a is provided on the arm 34a and one tweezer 32b is provided on the arm 34b is described as an example.
  • the number of tweezers 32a and 32b provided on the arms 34a and 34b is not limited to one. That is, the arms 34a and 34b may each be configured to have a plurality of tweezers.
  • the number of arms provided on the robot 30 is not limited to two. That is, the robot 30 may be configured to have a substrate transfer arm other than the arms 34a and 34b.
  • the load lock chambers 14a and 14b into which the wafer 1 is unloaded in the first transfer step S110 and the load lock chambers 14a and 14b into which the wafer 1 is loaded in the third transfer step S150 are different examples.
  • the load lock chambers 14a and 14b for unloading or loading the wafer 1 can be changed. That is, in the first transfer step S110 and the third transfer step S150, the load lock chambers 14a and 14b into which the wafer 1 is unloaded or loaded may be the same.
  • the substrate to be transferred is the wafer 1
  • the substrate to be transferred is not limited to the wafer 1. That is, the substrate to be transported in the present disclosure may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, or the like.
  • the substrate processing apparatus 10 has the plurality of processing chambers 16a, 16b, 17a, and 17b as the substrate processing chamber is described as an example.
  • the substrate processing apparatus can have at least one substrate processing chamber.
  • the present disclosure can be implemented in various forms, and the technical scope of the present disclosure is not limited to the above embodiments.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 10 for example, the configuration of the first processing chamber group 116 and the second processing chamber group 117
  • the configuration of the substrate processing apparatus 10 is merely a specific example, and does not deviate from the gist thereof. It goes without saying that various changes can be made.

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Abstract

基板処理装置の制御部は、第１の基板搬送アームを制御して、ロードロック室内の基板を基板処理室内へ搬送する第１の搬送処理と、搬送室内に設けられた基板冷却ユニットに載置された基板をロードロック室内へ搬送する第３の搬送処理と、を実行させ、第２の基板搬送アームを制御して、基板処理室内の基板を基板冷却ユニットへ搬送し、基板冷却ユニットに載置する第２の搬送処理を実行させ、第１の搬送処理と第３の搬送処理では、基板にかかる加速度の最大値が、第２の搬送処理において基板にかかる加速度の最大値よりも大きくなるように第１の基板搬送アームおよび第２の基板搬送アームを制御する。

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
　本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、および記録媒体に関する。
　半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置は、ウエハ等の基板を処理する処理室と、当該処理室内への基板の搬入および当該処理室内からの基板の搬出を行う搬送装置とを備えている。例えば特開２０１２－８２０７１号公報には、搬送装置および当該搬送装置が備える基板保持具（ツィーザ）が開示されている。
　搬送装置による基板の搬送能力（搬送スループット）は、搬送装置を備える基板処理装置全体における基板処理能力に大きく影響するため、搬送装置による基板の搬送能力の向上が求められている。
　本開示は、基板搬送装置における基板搬送能力を向上させ、基板処理装置の処理能力を改善する技術を提供する。
　本開示の一態様によれば、
　第１の基板搬送アームと第２の基板搬送アームをそれぞれ駆動することにより基板を搬送するよう構成された基板搬送装置と、
　前記基板を冷却するよう構成された基板冷却ユニット、及び前記基板搬送装置が内部に配置された搬送室と、
　前記搬送室と隣接するように配置され、前記基板を加熱する処理が行われるよう構成された少なくとも１つの基板処理室と、
　前記搬送室と隣接するように配置されたロードロック室と、
　前記基板搬送装置を制御する制御部と、
　を有し、
　前記制御部は、
　前記第１の基板搬送アームを制御して、前記ロードロック室内の前記基板を前記基板処理室内へ搬送する第１の搬送処理と、前記基板冷却ユニットに載置（装填）された前記基板を前記ロードロック室内へ搬送する第３の搬送処理と、を実行させ、
　前記第２の基板搬送アームを制御して、前記基板処理室内の前記基板を前記基板冷却ユニットへ搬送し、前記基板冷却ユニットに載置する第２の搬送処理を実行させ、
　前記第１の搬送処理と前記第３の搬送処理では、前記基板にかかる加速度の最大値が、前記第２の搬送処理において前記基板にかかる加速度の最大値よりも大きくなるように前記第１の基板搬送アームおよび前記第２の基板搬送アームを制御するよう構成されている技術が提供される。
　本開示に係る技術によれば、基板搬送装置における基板搬送能力を向上させ、基板処理装置の処理能力を改善することができる。
本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 図１に示す基板処理装置の一部分の垂直断面図である。 図１に示す基板処理装置の他の一部分の垂直断面図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板冷却ユニットを上方から見た構成図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板冷却ユニットを側方から見た断面構成図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板搬送装置の概略構成図である。 本開示の第１の実施形態に係るツィーザの一例を示す斜視図である。 本開示の第１の実施形態に係る他のツィーザの一例を示す斜視図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置のコントローラの構成例を示すブロック図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板処理工程の概要を示すフロー図である。 本開示の第１の実施形態に係る基板搬送装置による基板搬送のシーケンスと、比較例に係る基板搬送装置による基板搬送のシーケンスとを比較するシーケンス図である。 本開示の第１の実施形態に係るツィーザ上で熱変形した基板を搬送する際の状態の一例を示す断面図である。 本開示の他の実施形態に係るツィーザの一例を示す斜視図である。
＜本開示の第１の実施形態＞
　以下に、本開示の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（１）基板処理装置の構成
　先ず、本実施形態にかかる基板処理装置の構成例について、図１～７を参照しながら説明する。本実施形態では、基板処理装置が基板に対してアニール処理を行うためのアニール装置である場合を例に挙げる。図２は、図１で示される基板処理装置をＹ軸方向に沿って切断した垂直断面図である。図３は、図１で示される基板処理装置をＸ軸方向に沿って切断した垂直断面図である。
　図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１と、基板処理装置１０の各構成部を制御するコントローラ１２１とを備えている。
　筐体１１内には、搬送室１２を中心として、２つのロードロック室１４ａ，１４ｂ、第１の処理室群１１６、および第２の処理室群１１７が配置されている。搬送室１２と各ロードロック室１４ａ，１４ｂとの間には、それぞれゲートバルブ３６１ａ，３６１ｂが設けられている。これらのゲートバルブ３６１ａ，３６１ｂが開くことで、搬送室１２内と各ロードロック室１４ａ，１４ｂ内とが連通可能なように構成されている。また、搬送室１２と第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７との間にもそれぞれゲートバルブ３５１ａ，３５１ｂが設けられている。このゲートバルブ３５１ａ，３５１ｂが開くことで、搬送室１２内と第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７内とが連通可能なように構成されている。なお、搬送室１２、ロードロック室１４ａ，１４ｂ、第１の処理室群１１６、および第２の処理室群１１７の各々の内部は、図示しない排気路及び排気路に設けられた排気バルブを介して真空ポンプ１１８（図９参照）に接続されている。真空ポンプ１１８及び各排気バルブは、搬送室１２、ロードロック室１４ａ，１４ｂ、第１の処理室群１１６、および第２の処理室群１１７の内部の圧力が所定の値となるように、コントローラ１２１によって制御される。また、搬送室１２内には、２つの基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂが配置されている。
　筐体１１外には、ロードロック室１４ａ，１４ｂと面するように、フロントモジュールであるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。ＥＦＥＭ１８は、例えば、基板であるウエハ１を２５枚ストックするフープ（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ　Ｏｐｅｎ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）を搭載可能に構成されている。また、ＥＦＥＭ１８内には、大気中にて各ロードロック室１４ａ，１４ｂとフープとの間でウエハ１の移載を行うことが可能な大気ロボット１９（図９参照）が設けられている。
（ロードロック室）
　図２に示すように、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内には、例えば２５枚のウエハ１を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０がそれぞれ設けられている。この基板支持体２０によって、各ロードロック室１４ａ，１４ｂ内にウエハ１が保持される。基板支持体２０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）、又はアルミニウム等で構成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ，１４ｂ内において、鉛直方向（上下方向）に移動するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている（図２の矢印参照）。
（第１・第２の処理室群）
　図１に示すように、第１の処理室群１１６は、基板処理室としての処理室１６ａ，１６ｂを有し、第２の処理室群１１７は、基板処理室の一例としての処理室１７ａ，１７ｂを有している。また、第１の処理室群１１６内と第２の処理室群１１７内には、それぞれ基板保持台３６ａ，３６ｂとロボットアーム４０が設けられている。処理室１６ａと処理室１６ｂとは、連接空間４８を介して連通している。連接空間４８は、処理室１６ａと処理室１６ｂとの間に設けられている。また、連接空間４８には、仕切り部材４６（図２参照）が設けられている。
　ロボットアーム４０は、後述するロボット３０（図２参照）により搬送されたウエハ１を受け取り、基板保持台３６ａ，３６ｂにそれぞれ載置するように構成されている。また、ロボットアーム４０は、基板保持台３６ａ，３６ｂに載置されている処理済みのウエハ１を、ロボット３０のツィーザ上へ移載するように構成されている。
　図２に示すように、処理室１６ａ，１６ｂでは、基板保持台３６ａ，３６ｂにそれぞれ載置された２枚のウエハ１が同時に処理される。基板保持台３６ａ，３６ｂには、加熱部としてのヒータ３７ａ，３７ｂがそれぞれ内蔵されている。ヒータ３７ａ，３７ｂは、ウエハ１を４５０℃まで昇温可能である。本実施形態では、処理室１６ａ，１６ｂ内において、ヒータ３７ａ，３７ｂによってウエハ１を昇温（加熱）することにより、ウエハ１に対するアニール処理を行う。
　なお、本実施形態では基板保持台３６ａ，３６ｂに内蔵されたヒータ３７ａ，３７ｂによりウエハ１を４５０℃まで昇温可能な構成とした。しかし、本実施形態は、ウエハ１に対する処理の種類に応じて、より高温までウエハ１を昇温可能な構成としてもよい。例えばランプヒータを処理室１６ａ，１６ｂ内にそれぞれ更に設けることにより、ウエハ１を１０００℃程度まで昇温可能な構成としてもよい。
（基板冷却ユニット）
　搬送室１２内には、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂが設けられている。なお、基板冷却ユニット１３ｂは、基板冷却ユニット１３ａと同様の構成を有している。図４および図５に示すように、基板冷却ユニット１３ａは、基板冷却部材としての基板冷却プレート１３１ａを備えている。
　基板冷却プレート１３１ａには、基板保持部としてのスペーサ１５２ａが４個設けられている。４個のスペーサ１５２ａは、基板冷却プレート１３１ａの上方で、ウエハ１を支持するように構成されている。なお、本実施形態では、基板保持部をスペーサ１５２ａにより構成している。しかし、基板保持部は、スペーサ１５２ａに限らない。基板保持部は、各基板冷却プレートの上方又は下方において、基板冷却プレートの上面又は下面から所定の間隔でウエハ１を支持できるように構成可能である。例えば、突起状若しくは棒状に形成された支持ピンで基板保持部を構成してもよい。また、基板冷却プレート１３１ａの外側からウエハ１の外縁を支持するように延出した保持具などで基板保持部を構成してもよい。また、複数の基板保持部を上下方向に昇降させる駆動装置を基板冷却ユニット１３ａに設け、複数の基板保持部、及び複数の基板保持部で支持されたウエハ１を昇降可能に構成してもよい。
　基板冷却プレート１３１ａの内部には、冷媒が流れる冷媒流路１５３ａが設けられている。この冷媒流路１５３ａを流れる冷媒によって、基板冷却プレート１３１ａの上面側及び下面側が冷却される。これにより、スペーサ１５２ａによって支持されたウエハ１が、冷却されるように構成されている。基板冷却プレート１３１ａは、本体を構成する板状構造体と、板状構造体の内部に設けられた冷媒流路１５３ａと、によって構成された構造として捉えることもできる。板状構造体は、例えばステンレス等の金属により構成される。
　図５に示すように、基板冷却ユニット１３ａは更に、冷媒を冷媒流路１５３ａに供給する冷媒供給ユニット（冷媒供給部）１５５を備えている。冷媒供給ユニット１５５において冷却された冷媒は、冷媒流路１５３ａの一端へ供給され、冷媒流路１５３ａの他端から冷媒供給ユニット１５５へ戻るように循環する。冷媒供給ユニット１５５は、冷媒流路１５３ａへ供給する冷媒の温度および流量を個別に調整できるように構成されている。
　本実施形態では、冷媒として水を用いている。しかし、冷媒には、他の液体（冷却溶媒）を用いてもよい。また、冷媒として気体を用いてもよい。また、冷媒流路１５３ａではなく、ペルティエ素子等の熱電素子を用いてウエハ１を冷却してもよい。
　また、基板冷却プレート１３１ａには、図４に示すように、後述するツィーザ３２ａのフィンガープレート３２１ａ（図７参照）、およびツィーザ３２ｂのフィンガープレート３２１ｂと同形状の切り欠きが設けられている。これにより、フィンガープレート３２１ａ，３２１ｂが、切り欠きの内側を鉛直方向に移動可能とされている。図４は、フィンガープレート３２１ｂが切り欠き内に挿入されている様子を示している。
　本実施形態では、処理室１６ａ，１６ｂ等において、加熱されたウエハ１を基板冷却プレート１３１ａの上面に載置して、ウエハ１を例えば室温まで急速に冷却可能な構成としている。但し、冷媒流路１５３ａに流す冷媒温度を更に低くして、ウエハ１を室温未満まで冷却可能な構成としてもよい。また、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂにおいて、ウエハ１の温度を必ずしも室温まで冷却する必要はない。処理スループット等を考慮して、ウエハ１の温度が、室温より高く、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂ内に搬入される前の温度よりも低い所定の温度（例えば１００～３００℃）となるまで、ウエハ１を基板冷却プレート１３１ａ，１３１ｂ上に載置してウエハ１の冷却を行うようにしてもよい。
　また、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂは、搬送室１２内に設けられている。基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂに搬送されたウエハ１は、搬送室１２と同じ雰囲気下で冷却される。すなわち、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂと搬送室１２との間には、ゲートバルブなどの両者間を隔てる構成は設けられていない。
（ロボット（基板搬送装置））
　図１に示すように、搬送室１２内には、ロードロック室１４ａ，１４ｂと、第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７と、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂとの間でウエハ１を搬送する基板搬送装置の一例としてのロボット３０が設けられている。図６に示すように、ロボット３０は、ウエハ１（図４参照）を下面から支持するように保持する基板保持具の一例であるツィーザと、当該ツィーザを移動させる基板搬送アームの一例としてのアームとを備えている。
　ツィーザは、第１の基板保持具の一例であるツィーザ３２ａと、第２の基板保持具の一例であるツィーザ３２ｂとから構成されている。アームは、ツィーザ３２ａを先端に備えるアーム３４ａと、ツィーザ３２ｂを先端に備えるアーム３４ｂとから構成されている。ツィーザ３２ａおよびツィーザ３２ｂは、ともに二又状の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間されている。また、ツィーザ３２ａおよびツィーザ３２ｂは、アーム３４ａおよびアーム３４ｂからそれぞれ略水平で、かつ、同じ方向に延びている。これらのツィーザ３２ａおよびツィーザ３２ｂは、それぞれが搬送対象物であるウエハ１を支持するように構成されている。ツィーザ３２ａおよびツィーザ３２ｂの詳細な構造については後述する。
　アーム３４ａ，３４ｂは、それぞれが別個に、水平方向（図６中のＸ１，Ｘ２方向）に水平移動できるように構成されている。また、アーム３４ａ，３４ｂは、それぞれが別個に、図６中のＲ方向に回転移動できるように構成されている。さらに、アーム３４ａ，３４ｂは、それぞれが別個に、図６中のＺ方向に昇降移動できるように構成されている。アーム３４ａ，３４ｂは、互いが干渉することなく個別移動が可能となるように配置されている。本実施形態では、ツィーザ３２ａが上方側に位置し、ツィーザ３２ｂが下方側に位置した状態で、それぞれが干渉することなく別個に移動し得るように構成されている。
（上ツィーザ）
　ツィーザ３２ａは、図７に示すように、例えばφ３００ｍｍの円板状基板であるウエハ１を支持する基板保持具の一例である。このツィーザ３２ａは、ウエハ１の支持基体である第１の板状体の一例としてのフィンガープレート３２１ａを有している。フィンガープレート３２１ａは、例えば酸化物系のセラミック材料（アルミナセラミック等）又はＳｉＣにより、二股フォーク状に形成されている。また、フィンガープレート３２１ａは、一対の帯形状部分を有している。各帯形状部分は、ツィーザ３２ａがウエハ１を支持している状態において、ウエハ１の一部に重なるように配置されている。また、各帯形状部分の先端は、ツィーザ３２ａがウエハ１を支持している状態において、ウエハ１の外周端縁よりも外側の位置まで延びている。
　フィンガープレート３２１ａ上には、複数の凸部により構成される第１の支持部３２２ａが設けられている。第１の支持部３２２ａは、ウエハ１の径より小さく、中心がウエハ１の中心と同じ位置にある円の円周上（すなわちウエハ１の径より小さい同心円の円周上）に設けられている。後述するガイド側壁３２４ａによって囲まれるフィンガープレート３２１ａ上の領域内には、フィンガープレート３２１ａの上面からウエハ１側に向けて突出する複数の凸部により構成される第１の支持部３２２ａが形成されている。ここで、第１の支持部３２２ａを構成する複数の凸部は、それぞれ円柱状のパッドにより構成されている。
［第１の支持部］
　複数の円柱状のパッドのそれぞれは、ゴム材料（室温においてゴム弾性を有する高分子材料）により形成されている。また、フィンガープレート３２１ａの上面から突出する複数のパッドの頂面は、ウエハ１の下面（被処理面の反対面）にそれぞれ当接される。これらのパッドによって、ウエハ１の下面を支持する第１の支持部３２２ａが構成されている。本実施形態では、第１の支持部３２２ａをゴム材料で形成されたパッドにより構成することにより、第１の支持部３２２ａをフィンガープレート３２１ａと同材料で形成されたパッド等により構成する場合に比べて、第１の支持部３２２ａ（特にウエハ１の下面との接触面）とウエハ１の下面との間の摩擦係数（摩擦力）を大きくすることができる。
　ゴム材料としては特に、耐熱性および耐摩耗性等の特性に優れた合成ゴムを用いることが望ましい。ゴム材料としては、例えば、フッ素ゴム、シリコンゴム、又はパーフロロエラストマー等の合成ゴムが用いられる。これらの合成ゴムの耐熱温度は、一般的に２００～３５０℃程度である。
　本実施形態において、第１の支持部３２２ａとウエハ１の下面との間で十分な摩擦力を得るため、パッドの直径はφ５．０ｍｍ以上であることが望ましい。また、ウエハ１の下面へのパッドの張り付きを避けるため、パッドの直径はφ２０．０ｍｍ以下であることが望ましい。本実施形態では、パッドの直径をφ１０．０ｍｍとしている。
　また、第１の支持部３２２ａを構成する円柱状のパッドは、フィンガープレート３２１ａ面上（上面上）の一つの円周上において、ウエハ１を均等に支持可能な複数箇所に分散して配置されている。ウエハ１を均等に支持可能な複数箇所としては、例えば、ウエハ１の上面の中心点（図心）を基準とした場合に点対称となる複数箇所、およびウエハ１の上面の中心点を通る線分を基準とした場合に線対称となる複数箇所（左右均等な複数箇所等）が挙げられる。第１の支持部３２２ａを構成する円柱状のパッドは、フィンガープレート３２１ａの上面上の一つの円周上において、互いに離間する４箇所に分散配置されている。
　このようにフィンガープレート３２１ａの４箇所へパッドを分散配置することによって、フィンガープレート３２１ａの上面上の一つの円周上には、４つの支持箇所（パッド）が存在する。４つの支持箇所（パッド）は、例えば、ウエハ１の外周端縁近傍の４箇所を均等に支持する。これら４つの支持箇所によって、ウエハ１に対する支持部が構成される。なお、ここでは、パッドをフィンガープレート３２１ａの４箇所へ分散配置した例を挙げている。しかし、パッドの配置は、フィンガープレート３２１ａの４個所に限定されない。パッドは、例えばフィンガープレート３２１ａの４箇所未満、又は５箇所以上へ分散配置してもよい。なお、第１の支持部３２２ａを構成する複数の円柱状のパッドのうち、対称関係にある複数のパッドは、ウエハ１に対する支持面積を互いに等しく構成することが望ましい。
［ガイド側壁］
　フィンガープレート３２１ａの各帯形状部分の先端部分には、ウエハ１の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁３２４ａが設けられている。また、各帯形状部分の先端部分と対向する側（すなわちツィーザ３２ａの根本側）にも、ウエハ１の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁３２４ａが設けられている。これらのガイド側壁３２４ａは、第１の支持部３２２ａを構成する凸部であるパッドよりもそれぞれ高く形成されている。
（下ツィーザ）
　ツィーザ３２ｂは、図８に示すように、ツィーザ３２ａと同様、ウエハ１を支持する基板保持具の一例である。このツィーザ３２ｂは、ウエハ１の支持基体である二股フォーク状の第２の板状体の一例としてのフィンガープレート３２１ｂを有している。
　フィンガープレート３２１ｂ上には、第２の支持部３２２ｂが設けられている。第２の支持部３２２ｂは、ガイド側壁３２４ｂによって囲まれる領域内で、かつ、ウエハ１の径より小さい同心円の円周上に配置された複数の凸部により構成されている。第２の支持部３２２ｂを構成する複数の凸部は、フィンガープレート３２１ｂの上面からウエハ１側に向けて突出するように形成されている。フィンガープレート３２１ｂ及びガイド側壁３２４ｂの構成は、ツィーザ３２ａのフィンガープレート３２１ａ及びガイド側壁３２４ａの構成と同様である。また、ガイド側壁３２４ｂは、第２の支持部３２２ｂを構成する凸部よりもそれぞれ高く形成されている。
（第２の支持部）
　第２の支持部３２２ｂは、それぞれ円弧状に形成された複数の凸部（以下、「円弧状凸部」という）により構成されている。これら複数の円弧状凸部は、いずれもフィンガープレート３２１ｂと同材料によって形成されている。また、フィンガープレート３２１ｂの上面から突出する複数の円弧状凸部の頂面は、ウエハ１の下面にそれぞれ当接される。これらの円弧状凸部によって、ウエハ１の下面を支持する第２の支持部３２２ｂが構成されている。
（上ツィーザと下ツィーザの対比）
　ここで、ツィーザ３２ａとツィーザ３２ｂとの構成の相違について説明する。上述の通り、ツィーザ３２ａの第１の支持部３２２ａは、ゴム材料により形成される複数のパッドにより構成されている。これに対して、ツィーザ３２ｂの第２の支持部３２２ｂは、フィンガープレート３２１ｂと同材料により形成された複数の円弧状凸部により構成されている。この構造上の相違点によりツィーザ３２ａとツィーザ３２ｂは、以下のような違いを有している。
（搬送可能速度の相違）
　第１の支持部３２２ａを構成する複数のパッドは、ゴム材料で形成されている。一方、第２の支持部３２２ｂを構成する複数のパッドは、セラミック材料又はＳｉＣ等により形成されている。そのため、搬送対象であるウエハ１の下面に対する第１の支持部３２２ａの摩擦係数（摩擦力）が、ウエハ１の下面に対する第２の支持部３２２ｂの摩擦係数(摩擦力）に比べて大きい。したがって、ツィーザ３２ａを用いてウエハ１を搬送する場合は、ツィーザ３２ｂを用いてウエハ１を搬送する場合に比べて、搬送中におけるウエハ１のずれおよび滑りが発生しにくい。より具体的には、例えば、搬送中にウエハ１にかかる加速度が同じ場合であっても、ツィーザ３２ａを用いてウエハ１を搬送する場合は、ツィーザ３２ｂを用いてウエハ１を搬送する場合に比べて、ウエハ１のずれおよび滑りが発生しにくい。したがって、ツィーザ３２ａを用いてウエハ１を搬送する場合は、ウエハ１のずれおよび滑りの発生を抑制しながら、ウエハ１の搬送速度を、ツィーザ３２ｂを用いてウエハ１の搬送する場合のウエハ１の搬送速度よりも大きくすることができる。
（搬送可能なウエハ温度の相違）
　第１の支持部３２２ａを構成する複数のパッドは、ゴム材料で形成されている。そのため、第１の支持部３２２ａの耐熱温度は、セラミック材料又はＳｉＣ等により形成されている第２の支持部３２２ｂの耐熱温度に比べて低い。したがって、ツィーザ３２ａの耐熱温度よりも高い温度のウエハ１をツィーザ３２ａを用いて搬送すると、ゴム材料で形成されたパッドの変形、又はウエハ１の下面へのパッドの張り付きが発生しやすくなる。すなわち、パッドのゴム材料の耐熱温度よりも高い温度まで加熱されたウエハ１を、ツィーザ３２ａを用いて搬送することは望ましくない。パッドのゴム材料の耐熱温度よりも高い温度まで加熱されたウエハ１は、ツィーザ３２ｂを用いて搬送することが望ましい。
（コントローラ）
　図９に示すように、制御部（制御手段）の一例であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、およびＩ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、およびＩ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように接続されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
　記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、又はＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムと、後述する基板処理の工程を行う手順および条件等が記載されたプロセスレシピと等が、読み出し可能に格納（記憶）されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）に実行させるプログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピおよび制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書におけるプログラムとは、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、レシピおよび制御プログラムの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａよって読み出されたプログラムおよびデータ等が一時的に保持されるメモリ領域として構成されている。
　Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、ロボット３０、ゲートバルブ３５１ａ，３５１ｂ，３６１ａ，３６１ｂ、冷媒供給ユニット１５５、ロボットアーム４０、およびヒータ３７ａ，３７ｂ等に接続されている。
　ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ロボット３０による基板搬送動作、ゲートバルブ３５１ａ，３５１ｂ，３６１ａ，３６１ｂの開閉動作、ヒータ３７ａ，３７ｂの温度調整動作、真空ポンプ１１８の起動および停止、および大気ロボット１９による基板搬送動作等を制御するように構成されている。
　コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、又はＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃおよび外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、記憶装置１２１ｃおよび外部記憶装置１２３を総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書における記録媒体には、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、記憶装置１２１ｃおよび外部記憶装置１２３の両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネット又は専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
（２）基板処理装置の動作
　次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０の動作について、図１０に示す基板処理装置１０における基板処理フローに沿って説明する。
（大気側搬入工程Ｓ１００）
　まず、ＣＰＵ１２１ａは、ＥＦＥＭ１８からロードロック室１４ａ内へ未処理のウエハ１を移載し、ロードロック室１４ａ内を気密に閉塞する。その後、ＣＰＵ１２１ａは、ゲートバルブ３６１ａを開放し、ロードロック室１４ａと搬送室１２を連通させる。
（第１の搬送工程Ｓ１１０）
　続いて、ＣＰＵ１２１ａは、ロボット３０のアーム３４ａを駆動して、ロードロック室１４ａ内の基板支持体２０が保持するウエハ１をツィーザ３２ａで受け取る。その後、ＣＰＵ１２１ａは、ゲートバルブ３５１ａ又はゲートバルブ３５１ｂを開放し、ツィーザ３２ａ上のウエハ１を、第１の処理室群１１６内又は第２の処理室群１１７内のいずれかへ搬送する。なお、第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７は、ウエハ１を同様に処理する。そのため、以下では、第１の処理室群１１６内へウエハ１を搬入し、ウエハ１を処理する場合について説明し、第２の処理室群１１７内へウエハ１を搬入し、ウエハ１を処理する場合の説明は省略する。
　第１の処理室群１１６に搬送されたウエハ１を処理室１６ａで処理する場合、ロボット３０は、ウエハ１を保持するツィーザ３２ａを第１の処理室群１１６内に挿入し、基板保持台３６ａ上にウエハ１を載置する。また、第１の処理室群１１６に搬送されたウエハ１を処理室１６ｂで処理する場合、ロボット３０は、ウエハ１を保持するツィーザ３２ａを第１の処理室群１１６内に挿入し、ロボットアーム４０とツィーザ３２ａとの間でウエハ１の受け渡しを行う。ロボットアーム４０は、受け取ったウエハ１を基板保持台３６ｂ上に載置するように動作する。
　ここで、ロボット３０により、ロードロック室１４ａ又はロードロック室１４ｂ内から第１の処理室群１１６又は第２の処理室群１１７内にウエハ１を搬送するまでの工程を第１の搬送工程Ｓ１１０と称する。
　後述するように、本実施形態では、第１の搬送工程Ｓ１１０において、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａのみを用い、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。
（基板処理工程Ｓ１２０）
　その後、ＣＰＵ１２１ａは、ゲートバルブ３５１ａを閉塞し、基板保持台３６ａ，３６ｂ上のウエハ１をヒータ３７ａ，３７ｂによってそれぞれ加熱する。これにより、ウエハ１に所定の処理が施される。本実施形態では、ウエハ１が４００℃まで昇温され、ウエハ１にアニール処理が実行される。
（第２の搬送工程Ｓ１３０）
　第１の処理室群１１６内での処理が完了すると、ＣＰＵ１２１ａは、ゲートバルブ３５１ａを開放する。その後、ＣＰＵ１２１ａは、ロボット３０のアーム３４ｂを駆動させて、ツィーザ３２ｂを第１の処理室群１１６内へ挿入し、処理された基板保持台３６ａ上のウエハ１をツィーザ３２ｂで受け取るか、又は基板保持台３６ｂ上で処理されたウエハ１をロボットアーム４０からツィーザ３２ｂで受け取る。続いて、ロボット３０は、ツィーザ３２ｂ上に保持された処理済みのウエハ１を第１の処理室群１１６内から搬送室１２内を介して、基板冷却ユニット１３ａ又は基板冷却ユニット１３ｂのいずれかへ搬送して装填する。なお、基板冷却ユニット１３ａおよび基板冷却ユニット１３ｂは、ウエハ１を同様に冷却する。そのため、以下では、基板冷却ユニット１３ａへウエハ１を搬送して冷却する場合について説明し、基板冷却ユニット１３ｂへウエハ１を搬送して冷却する場合については、説明を省略する。
　ロボット３０は、基板冷却ユニット１３ａにウエハ１を搬送し、スペーサ１５２ａ上にウエハ１を載置する。具体的には、ロボット３０は、ツィーザ３２ｂで支持したウエハ１の下面の高さがスペーサ１５２ａよりも高い状態で、ツィーザ３２ｂを基板冷却プレート１３１ａの上方に移動させる。続いて、ロボット３０は、ツィーザ３２ｂを下方に降下させることにより、ウエハ１をスペーサ１５２ａ上に載置する。
　ここで、ロボット３０により、第１の処理室群１１６又は第２の処理室群１１７内から基板冷却ユニット１３ａ又は基板冷却ユニット１３ｂにウエハ１を搬送する工程を第２の搬送工程Ｓ１３０と称する。
　後述するように、本実施形態では、第２の搬送工程Ｓ１３０において、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂのみを用い、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。
（基板冷却工程Ｓ１４０）
　基板冷却プレート１３１ａ上に載置されたウエハ１の下面は、内部を流れる冷媒により冷却された基板冷却プレート１３１ａと接する。これにより、ウエハ１が、所定の温度未満になるまで冷却される。本実施形態では、２００℃未満になるまでウエハ１が冷却される。
（第３の搬送工程Ｓ１５０）
　ウエハ１を所定の温度未満まで冷却する冷却工程が完了すると、ロボット３０は、アーム３４ａを駆動させてツィーザ３２ａを基板冷却ユニット１３ａ内に挿入し、基板冷却プレート１３１ａ上に載置された冷却済みのウエハ１をツィーザ３２ａで受け取る。
　続いて、ＣＰＵ１２１ａは、ゲートバルブ３６１ｂを開放し、ツィーザ３２ａで受け取ったウエハ１を、ロードロック室１４ｂ内の空き状態の基板支持体２０上へ移載する。
　ここで、ロボット３０により、基板冷却ユニット１３ａ又は基板冷却ユニット１３ｂからロードロック室１４ｂ内にウエハ１を搬送するまでの工程を第３の搬送工程Ｓ１５０と称する。
　後述するように、本実施形態では、第３の搬送工程Ｓ１５０において、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａのみを用い、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。
（大気側搬出工程Ｓ１６０）
　以上のような処理動作が繰り返されて、ロードロック室１４ｂ内の基板支持体２０が所定数の処理済みのウエハ１を受け取ると、ＣＰＵ１２１ａによってゲートバルブ３６１ｂが閉塞され、ロードロック室１４ｂ内が大気に開放される。その後、処理済みのウエハ１がロードロック室１４ｂ内からＥＦＥＭ１８へ移載され、図示しない外部搬送装置により外部に搬出される。
（３）ロボット３０による基板搬送動作
　続いて、上述した第１～第３の搬送工程Ｓ１１０，Ｓ１３０，Ｓ１５０におけるロボット３０の動作について、図１１を用いて本実施形態と比較例との対比を行いながら詳述する。図１１中のシーケンスＡは、本実施形態に係るロボット３０の動作シーケンスであり、シーケンスＢは、比較例に係るロボット３０の動作シーケンスである。また、シーケンスＡ，Ｂの各々において、上段はアーム３４ａによる基板搬送動作を示しており、下段はアーム３４ｂによる基板搬送動作を示している。
　ここで、本実施形態と比較例との相違点の一つは、本実施形態ではアーム３４ａがツィーザ３２ａを備えるのに対して、比較例ではアーム３４ａがツィーザ３２ｂと同一の構成を有するツィーザ（以下説明の便宜のためこのツィーザを「ツィーザ３２ｂ´」と称する）を備える点である。すなわち、比較例では、アーム３４ｂがツィーザ３２ｂを備え、アーム３４ａがツィーザ３２ｂと同一の構成を有するツィーザ３２ｂ´を備えている。
　また、本実施形態では、ツィーザ３２ａを備えるアーム３４ａを用いてウエハ１を搬送する際にウエハ１にかかる加速度の最大値Ｖａを最大加速度Ｖａとする。また、本実施形態では、ツィーザ３２ｂを備えるアーム３４ｂを用いてウエハ１を搬送する際にウエハ１にかかる加速度の最大値Ｖｂを最大加速度Ｖｂとする。本実施形態では、最大加速度Ｖａが最大加速度Ｖｂよりも大きくなるように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。一方、比較例では、ツィーザ３２ｂ´を備えるアーム３４ａを用いてウエハ１を搬送する際にウエハ１にかかる加速度の最大値Ｖａ´を最大加速度Ｖａ´とする。また、比較例では、ツィーザ３２ｂを備えるアーム３４ｂを用いてウエハ１を搬送する際にウエハ１かかる加速度の最大値Ｖｂ´を最大加速度Ｖｂ´とする。比較例では、最大加速度Ｖａ´と最大加速度Ｖｂ´とが同じになるように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。このように本実施形態と比較例は異なる。その他の構成については、比較例と本実施形態は同様であるため、説明を省略する。
　なお、本明細書における「加速度」とは、主にウエハ１の搬送中においてウエハ１に水平方向にかかる加速度を意味する。また、本明細書における「加速度」には、第１の支持部３２２ａ又は第２の支持部３２２ｂとウエハ１の下面との間に働く摩擦力によってウエハ１の移動方向にかかる加速度全般も含まれる。
（第１の搬送工程）
　本実施形態では、上述の通り、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いて第１の搬送工程Ｓ１１０を実行し、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いて第１の搬送工程Ｓ１１０を実行しないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。この際、ロボット３０は、アーム３４ａを用いたウエハ１の搬送においてウエハ１にかかる最大加速度Ｖａが加速度ｖｈとなるようにアーム３４ａを駆動する。
　一方、比較例では、第１の搬送工程において、ツィーザ３２ｂ´を備えるアーム３４ａによりウエハ１を搬送する。この際、ロボット３０は、アーム３４ａを用いたウエハ１の搬送においてウエハ１にかかる最大加速度Ｖａ´が加速度ｖｈよりも小さい加速度ｖｌとなるようにアーム３４ａを駆動する。
　加速度ｖｈは、ツィーザ３２ａを用いて第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０を行う際に、ウエハ１とツィーザ３２ａとの間でずれおよび滑りが発生しないという条件下において許容される加速度の最大値である。加速度ｖｌは、ツィーザ３２ｂ，３２ｂ´を用いて第２の搬送工程Ｓ１３０を行う際に、ウエハ１とツィーザ３２ｂ，３２ｂ´との間でずれおよび滑りが発生しないという条件下において許容される加速度の最大値である。
　ここで、許容される加速度ｖｈ，ｖｌの最大値の違いは、第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０と、第２の搬送工程Ｓ１３０との間における次の２点の違いにより生じる。
＜基板に熱変形が発生することに起因する違い＞
　まず、第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０と、第２の搬送工程Ｓ１３０とでは、搬送される基板の温度に違いがある。具体的には、第２の搬送工程Ｓ１３０では、処理室１６ａ，１６ｂ内における所定の処理の過程で昇温された状態のウエハ１が搬送される。一方、第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０では、処理室１６ａ，１６ｂにおいて昇温される前のウエハ１、又は、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂにおいて冷却された後のウエハ１が搬送される。
　ここで、ウエハ１は一般的に、常温では平面を維持している。しかし、ウエハ１が加熱されると、ウエハ１の表裏、あるいはウエハ１の面内に温度偏差が発生する。この温度偏差によって、ウエハ１に歪み、反り、又は波打つ変形などが生じることがある。このため、所定の処理の過程で昇温された状態であるウエハ１（すなわち、第２の搬送工程Ｓ１３０におけるウエハ１）は、処理室１６ａ，１６ｂにおいて昇温される前のウエハ１、又は、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂにおいて冷却された後のウエハ１（すなわち、第１の搬送工程Ｓ１１０又は第３の搬送工程Ｓ１５０におけるウエハ１）に比べて、変形が生じる可能性又は変形の度合いが大きくなる。
　また、例えば図１２に示すように、第２の搬送工程Ｓ１３０において、ウエハ１の中央側から外縁側に向かって反り上がるようにウエハ１が変形が発生すると、図中に示す点Ａのように、第２の支持部３２２ｂの限られた部分においてウエハ１の下面（裏面）を支持する状態となる。したがって、ウエハ１の下面と第２の支持部３２２ｂとの接触面積が減少する。この結果、ウエハ１の下面と第２の支持部３２２ｂとの間の摩擦力が減少し、ウエハ１を保持する第２の支持部３２２ｂの保持力が低下する。また、ウエハ１を保持する第２の支持部３２２ｂの保持力の低下に伴って、ウエハ１の搬送中にツィーザ３２ｂ上でウエハ１の位置ずれが生じると、ウエハ１の下面と第２の支持部３２２ｂとの間で擦れが発生し、ウエハ１の下面に傷が発生したり、パーティクルが発生したりすることがある。
　従って、搬送中のウエハ１の位置ずれおよび位置ずれに伴う擦れの発生を避けるため、本実施形態では、ウエハ１の変形が生じやすい第２の搬送工程Ｓ１３０において許容される最大の加速度ｖｌを、ウエハ１の変形が相対的に生じにくい第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０において許容される最大の加速度ｖｈよりも小さくする。換言すると、本実施形態によれば、ウエハ１の変形が相対的に生じにくい第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０における最大の加速度ｖｈを、第２の搬送工程Ｓ１３０における最大の加速度ｖｌよりも大きくすることができる。
　また、ウエハ１が加熱されることにより生じる変形は、一般的に、ウエハ１の温度が高くなるほど発生しやすく、また、変形の度合いも大きくなりやすい傾向がある。したがって、処理室１６ａ，１６ｂにおいて行われる所定の処理においてウエハ１が昇温される温度（処理温度）に応じて、第２の搬送工程Ｓ１３０における最大の加速度ｖｌを異なるように設定してもよい。例えば、処理温度が相対的に低くなる場合は、最大の加速度ｖｌが大きくなるように変更し、処理温度が相対的に高くなる場合は、最大の加速度ｖｌが小さくなるように変更してもよい。
＜ツィーザの構成に起因する違い＞
　また、上述の通り、本実施形態では、第１の支持部３２２ａ上でウエハ１を保持するツィーザ３２ａを用いることにより、第２の支持部３２２ｂ上でウエハ１を保持するツィーザ３２ｂ，３２ｂ´を用いる場合に比べて、ウエハ１のずれおよび滑りが発生しない加速度値を大きくすることができる。すなわち、本実施形態では、加速度ｖｈ＞加速度ｖｌとすることができる。
　本実施形態では、加速度ｖｈ＞加速度ｖｌとし、最大加速度Ｖａ＝ｖｈ、最大加速度Ｖｂ＝ｖｌとして本工程（第１の搬送工程Ｓ１１０）を実行することにより、本工程におけるウエハ１の搬送速度（搬送スループット）を最大化することができる。一方、比較例では、最大加速度Ｖａ＝Ｖｂ＝ｖｌとして本工程を実行するため、ウエハ１の搬送速度（搬送スループット）の観点で、本実施形態に劣っている。図１１において示す通り、本工程完了までに要する時間は、本実施形態の場合よりも比較例の場合の方が長い。
　なお、他の実施形態としては、加速度ｖｈ及び加速度ｖｌはそれぞれ、前述した条件下における最大値である必要はなく、少なくとも加速度ｖｈ＞加速度ｖｌであればよい。ただし、ウエハ１の搬送スループットを最大化するという観点からは、本実施形態のように、加速度ｖｈ，ｖｌが前述した条件下における最大値であることが望ましい。
　ここで、本工程（第１の搬送工程Ｓ１１０）は、ウエハ１が加熱される基板処理工程Ｓ１２０よりも前に実行される。そのため、本工程において、搬送されるウエハ１の温度は、基板処理工程Ｓ１２０により加熱された後の温度よりも低い。したがって本工程では、ゴム材料により形成されたパッドにより構成された第１の支持部３２２ａでウエハ１を保持するツィーザ３２ａを用いてウエハ１を搬送しても、パッドの変形、およびウエハ１の下面へのパッドの張り付きといった課題をほとんど考慮する必要がない。
　換言すれば、本工程では、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いて、第１の支持部３２２ａを構成するパッドのゴム材料の耐熱温度（以下、「第１の温度」とも称する）以下の温度であるウエハ１のみを搬送する。
（第２の搬送工程）
　本実施形態では、上述の通り、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いて第２の搬送工程Ｓ１３０を実行するようにロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。また、本工程においては、本実施形態および比較例のいずれもが、ツィーザ３２ｂを備えるアーム３４ｂによりウエハ１を搬送する。したがって、本工程では、本実施形態と比較例のいずれにおいても、ロボット３０は、ウエハ１にかかる最大加速度Ｖｂが加速度ｖｌとなるように（すなわち、Ｖｂ＝ｖｌとなるように）アーム３４ｂを駆動する。
　すなわち、図１１において示す通り、本工程完了までに要する時間は、本実施形態の場合と比較例の場合で同じである。
　ここで、本工程（第２の搬送工程Ｓ１３０）は、ウエハ１が加熱される基板処理工程Ｓ１２０よりも後に実行される。そのため、本工程において、搬送されるウエハ１の温度は、基板処理工程Ｓ１２０により加熱される前の温度よりも高い。したがって、第１の支持部３２２ａを構成するパッドがゴム材料で形成されたツィーザ３２ａを用いて本工程におけるウエハ１を搬送しようとした場合、ウエハ１の温度が当該ゴム材料の耐熱温度（第１の温度）を超え、パッドの変形又はウエハ１の下面へのパッドの張り付きが発生する可能性がある。
　本実施形態では、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いて本工程を実行し、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いて本工程を実行しないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。すなわち、本工程では、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂのみを用いて、第１の支持部３２２ａを構成するパッドのゴム材料の耐熱温度（第１の温度）を超える温度のウエハ１を搬送する。このように、本工程においてアーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂのみを用いるようにロボット３０を制御することによって、ツィーザ３２ａにゴム材料を用いることによる上述の課題を回避することができる。
（第３の搬送工程）
　本実施形態では、第１の搬送工程Ｓ１１０と同様に、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いて第３の搬送工程Ｓ１５０を実行し、アーム３４ｂ及びツィーザ３２ｂを用いて本工程を実行しないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。この際、ロボット３０は、アーム３４ａを用いたウエハ１の搬送においてウエハ１にかかる最大加速度Ｖａが加速度ｖｈとなるようにアーム３４ａを駆動する。
　また、比較例は、第１の搬送工程Ｓ１１０と同様に、本工程において、ツィーザ３２ｂ´を備えるアーム３４ａによりウエハ１を搬送する。この際、ロボット３０は、アーム３４ａを用いたウエハ１の搬送において、ウエハ１にかかる最大加速度Ｖａ´が加速度ｖｈよりも小さい加速度ｖｌとなるようにアーム３４ａを駆動する。
　したがって、本実施形態では、第１の搬送工程Ｓ１１０の場合と同様に、加速度ｖｈ＞加速度ｖｌとし、最大加速度Ｖａ＝ｖｈ、最大加速度Ｖｂ＝ｖｌとして本工程を実行することにより、本工程におけるウエハ１の搬送速度（搬送スループット）を最大化することができる。図１１において示す通り、本工程完了までに要する時間は、本実施形態の場合よりも比較例の場合の方が長い。
　また、本実施形態における本工程では、第１の搬送工程Ｓ１１０の場合と同様に、アーム３４ａ及びツィーザ３２ａを用いて、第１の温度以下のウエハ１のみを搬送する。
　以上のように、本実施形態のコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）は、ロードロック室１４ａから第１の処理室群１１６へウエハ１を搬送する第１の搬送工程Ｓ１１０と、基板冷却ユニット１３ａからロードロック室１４ｂへウエハ１を搬送する第３の搬送工程Ｓ１５０をアーム３４ａに実行させるとともに、第１の処理室群１１６から基板冷却ユニット１３ａへウエハ１を搬送する第２の搬送工程Ｓ１３０をアーム３４ａに実行させないように、ロボット３０を制御する。また、本実施形態のコントローラ１２１は、第２の搬送工程Ｓ１３０をアーム３４ｂに実行させるとともに、第１の搬送工程Ｓ１１０と第３の搬送工程Ｓ１５０をアーム３４ｂに実行させないように、ロボット３０を制御する。
　また、本実施形態における第１～第３の搬送工程Ｓ１１０，Ｓ１３０，Ｓ１５０では、ツィーザ３２ａが第１の支持部３２２ａを構成するパッドのゴム材料の耐熱温度（第１の温度）以下のウエハ１のみを搬送するように構成され、ツィーザ３２ｂが第１の支持部３２２ａを構成するパッドのゴム材料の耐熱温度（第１の温度）を超えるウエハ１のみを搬送するように構成されている。また、アーム３４ａが第１の温度以下のウエハ１のみを搬送するように、かつ、アーム３４ｂが第１の温度を超えるウエハ１のみを搬送するように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。
（４）本実施形態にかかる効果
　本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
　本実施形態によれば、図１１において示す通り、第１の搬送工程Ｓ１１０においてロードロック室１４ａから第１の処理室群１１６へのウエハ１の搬送を開始してから、第３の搬送工程Ｓ１５０において基板冷却ユニット１３ａからロードロック室１４ｂへのウエハ１の搬送を完了するまでの間の所要時間を、比較例の場合よりも短縮することが可能となる。すなわち、ウエハ１の搬送スループットを向上し、基板処理装置１０の生産性を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、ツィーザ３２ａを構成する第１の支持部３２２ａを形成する材料として、耐熱温度の低い材料を適用することが許容される。そのため、第１の支持部３２２ａを形成する材料の選択自由度を大きくすることができる。たとえば、第１の支持部３２２ａを、ゴム材料のようなウエハ１を保持する力が大きい（すなわち摩擦係数が大きい）材料により構成することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、第１の支持部３２２ａを構成するパッドの変形を抑制することができるので、パッド等の部品交換の頻度を少なくすることができる。
　また、本実施形態によれば、第１の支持部３２２ａを構成するパッドがウエハ１の下面に張り付くのを回避することができる。そのため、パッドがウエハ１の下面に張り付くことによるウエハ１の搬送エラーの発生、およびウエハ１の品質低下などを防止することができる。
　また、本実施形態によれば、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂを備える基板処理装置１０において基板搬送動作を行う。そのため、本実施形態では、基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂを備えない基板処理装置において基板搬送動作を行う場合に比べて、低温のウエハ１を搬送する工程が実行される頻度が、加熱処理された直後のウエハ１のような高温のウエハ１を搬送する工程が実行される頻度よりも相対的に大きい。したがって、第１の温度以下のような低温のウエハ１を搬送する工程における搬送速度を大きくすることで、より効果的にウエハ１の搬送スループットを向上させることができる。
　以上のような本実施形態にかかる基板処理装置１０を用いて半導体装置を製造すれば、半導体装置の製造を高効率で行うことが可能となる。
　また、第１の実施形態では、第１の支持部３２２ａを構成する凸部として円柱状のパッドを例に説明した。しかし、第１の支持部３２２ａを構成する凸部は、円柱状のパッドに限定されない。すなわち、第１の支持部３２２ａを構成する凸部としては、円環状に形成された部材により構成されてもよい。より具体的には、円環状に形成された部材はＯ－ｒｉｎｇにより構成されてもよい。図１３では、ツィーザ３２ａにおいて、Ｏ－ｒｉｎｇにより第１の支持部３２２ａ´が構成される例が示されている。Ｏ－ｒｉｎｇの頂面の高さは、上述した実施形態におけるパッドと同様、ガイド側壁３２４ａよりもそれぞれ低く形成されている。
　また、第１の支持部３２２ａを構成する凸部の形状は円柱状に限られず、角柱状および円弧状等の種々の形状とすることもできる。
＜本開示の第２の実施形態＞
　また、本開示の第２の実施形態では、第１の実施形態における第２の搬送工程Ｓ１３０の後、ツィーザ３２ｂを基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂによって冷却するツィーザ冷却工程Ｓ２００を更に行う。
（ツィーザ冷却工程Ｓ２００）
　第１の実施形態では、第２の搬送工程Ｓ１３０においてウエハ１をスペーサ１５２ａ上に載置する際に、ツィーザ３２ｂを下方に降下させる。しかし、ツィーザ冷却工程Ｓ２００では、スペーサ１５２ａ上にウエハ１を載置した後、更にツィーザ３２ｂを基板冷却プレート１３１ａの下方の位置まで移動させ、その位置でツィーザ３２ｂを所定時間維持するようにロボット３０が制御される。具体的には、スペーサ１５２ａ上にウエハ１を載置した後、ツィーザ３２ａをそのまま基板冷却プレート１３１ａの下面よりも低い位置まで垂直降下させ、その位置でツィーザ３２ｂを所定時間だけ停止させる。なお、本明細書において基板冷却プレート１３１ａの下方とは、基板冷却プレート１３１ａに設けられたツィーザ３２ｂを下方に通過させるための切り欠きの下方を含む位置のことである。
　本工程を行うことにより、温度が上昇していたツィーザ３２ｂを、ツィーザ３２ｂに支持されていたウエハ１によって急速に冷却することができる。ツィーザ３２ｂを冷却することにより、熱によるツィーザ３２ａの変形および劣化を抑制することができる。
　ツィーザ３２ａの停止状態を維持させる上述の所定時間は、ツィーザ３２ｂを実質的に冷却可能な時間であればよい。しかし、上述の所定時間が長すぎると、ウエハ１の搬送スループットを低下させたり、ウエハ１を搬送する際に、過冷却されたツィーザ３２ｂによってウエハ１に顕著な温度偏差を生じさせたりしてしまう可能性がある。そのため、上述の所定時間は、例えば５～６０秒とすることができる。
　また、本実施形態では、ツィーザ３２ｂを基板冷却プレート１３１ａの下方に停止させる例について説明した。しかし、基板冷却ユニット１３ａの構成によっては、ツィーザ３２ｂを基板冷却プレート１３１ａの上方において停止させるようにしてもよい。
　なお、本実施形態では、搬送室１２内に基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂが設けられているため、ウエハ１を冷却しながら、ツィーザ３２ｂを基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂによって冷却し続けることができる。
＜本開示の第３の実施形態＞
　また、本開示の第３の実施形態では、アーム３４ａ，３４ｂのいずれにおいても、第１の処理室群１１６内と第２の処理室群１１７内との間でウエハ１を搬送する動作を実行しないように、ロボット３０がコントローラ１２１（ＣＰＵ１２１ａ）により制御される。このようにロボット３０を制御することにより、第１の処理室群１１６内および第２の処理室群１１７内で昇温されたウエハ１をアーム３４ｂが搬送する際に、第２の搬送工程Ｓ１３０のように基板冷却ユニット１３ａ，１３ｂにウエハ１を搬送する動作のみが行われるため、昇温されたウエハ１をツィーザ３２ｂで連続搬送することがない。したがって、ツィーザ３２ｂが過度に加熱されることを防止することができる。なお、第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７は、基板処理室の一例である。
＜本開示の他の実施形態＞
　上述した実施形態では、基板処理装置１０がアニール装置である場合を例に挙げた。しかし、本開示の基板処理装置は、アニール装置に限定されない。すなわち、本開示は、処理室内での処理内容によらず、処理室において基板の昇温が生じる基板処理装置に適用することが可能である。基板処理装置としては、例えば、成膜処理、エッチング処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、又はアッシング処理等の他の処理を行う装置が挙げられる。
　また、上述した実施形態では、アーム３４ａにツィーザ３２ａが１つ設けられ、アーム３４ｂにツィーザ３２ｂが１つ設けられる場合を例に挙げた。しかし、アーム３４ａ，３４ｂにそれぞれ設けられるツィーザ３２ａ，３２ｂの数は、１つに限定されない。すなわち、アーム３４ａ，３４ｂは、それぞれ複数のツィーザを有するように構成されてもよい。
　また、上述した実施形態では、ロボット３０が２本のアーム３４ａ，３４ｂを有する場合を例に挙げた。しかし、ロボット３０に設けられるアームの本数は、２本に限定されない。すなわち、ロボット３０は、アーム３４ａ，３４ｂ以外の他の基板搬送用のアームを有するように構成されてもよい。
　また、上述した実施形態では、第１の搬送工程Ｓ１１０でウエハ１が搬出されるロードロック室１４ａ，１４ｂと、第３の搬送工程Ｓ１５０でウエハ１が搬入されるロードロック室１４ａ，１４ｂとが異なる例について説明した。しかし、第１の搬送工程Ｓ１１０および第３の搬送工程Ｓ１５０において、ウエハ１を搬出又は搬入するロードロック室１４ａ，１４ｂは変更可能である。すなわち、第１の搬送工程Ｓ１１０及び第３の搬送工程Ｓ１５０において、ウエハ１が搬出又は搬入されるロードロック室１４ａ，１４ｂを同一にしてもよい。
　また、上述した実施形態では、搬送対象物である基板がウエハ１である場合を例に挙げた。しかし、搬送対象物である基板は、ウエハ１に限定されない。すなわち、本開示において搬送対象物となる基板は、フォトマスク、プリント配線基板、又は液晶パネル等であってもよい。
　また、上述した実施形態では、基板処理装置１０が、基板処理室としての複数の処理室１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂを有する場合を例に挙げた。しかし、基板処理装置は、少なくとも１つの基板処理室を有することができる。
　以上のように、本開示は色々な形態で実施され得るので、本開示の技術的範囲が上述の実施形態に限定されることはない。例えば、上述した実施形態で説明した基板処理装置１０の構成（例えば第１の処理室群１１６および第２の処理室群１１７等の構成）は一具体例に過ぎず、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可能であることはいうまでもない。
　なお、２０１８年９月２７日に出願された日本国特許出願２０１８－１８１４１６号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (11)

  1. 　第１の基板搬送アームと第２の基板搬送アームをそれぞれ駆動することにより基板を搬送するよう構成された基板搬送装置と、
    　前記基板を冷却するよう構成された基板冷却ユニット、及び前記基板搬送装置が内部に配置された搬送室と、
    　前記搬送室と隣接するように配置され、前記基板を加熱する処理が行われるよう構成された少なくとも１つの基板処理室と、
    　前記搬送室と隣接するように配置されたロードロック室と、
    　前記基板搬送装置を制御する制御部と、
    　を有し、
    　前記制御部は、
    　前記第１の基板搬送アームを制御して、前記ロードロック室内の前記基板を前記基板処理室内へ搬送する第１の搬送処理と、前記基板冷却ユニットに載置された前記基板を前記ロードロック室内へ搬送する第３の搬送処理と、を実行させ、
    　前記第２の基板搬送アームを制御して、前記基板処理室内の前記基板を前記基板冷却ユニットへ搬送し、前記基板冷却ユニットに載置する第２の搬送処理を実行させ、
    　前記第１の搬送処理と前記第３の搬送処理では、前記基板にかかる加速度の最大値が、前記第２の搬送処理において前記基板にかかる加速度の最大値よりも大きくなるように前記第１の基板搬送アームおよび前記第２の基板搬送アームを制御するよう構成されている、
    　基板処理装置。
  2. 　前記制御部は、
    　前記第１の基板搬送アームでは第１の温度以下の前記基板のみを搬送し、
    　前記第２の基板搬送アームでは前記第１の温度を超える前記基板のみを搬送するように、前記基板搬送装置を制御するように構成されている、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第１の基板搬送アームは、前記基板の下面を支持するよう構成された第１の基板保持具を備え、
    　前記第２の基板搬送アームは、前記基板の下面を支持するよう構成された第２の基板保持具を備え、
    　前記第１の基板保持具は、
    　前記基板の下に配置される第１の板状体と、
    　前記第１の板状体の上面上に配置された複数の凸部により構成され、前記基板の下面を支持するように構成された第１の支持部と、
    　を有し、
    　前記第２の基板保持具は、
    　前記基板の下に配置される第２の板状体と、
    　前記第２の板状体の上面上に配置された複数の凸部により構成され、前記基板の下面を支持するように構成された第２の支持部と、
    　を有し、
    　前記第１の支持部は、前記第２の支持部を構成する材料よりも摩擦係数が大きい材料により構成されている、
    　請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記第１の支持部は、ゴム材料により構成されている、
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 、
    　前記第２の支持部は、セラミック材料、又は炭化珪素により構成されている、
    　請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記第１の支持部を構成する材料の耐熱温度は、前記第２の支持部を構成する材料の耐熱温度よりも低い、
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１の温度は、前記第１の支持部を構成する材料の耐熱温度である、
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  8. 　前記基板冷却ユニットは、
    　基板冷却プレートと、
    　前記基板を前記基板冷却プレートの上方又は下方で保持するように構成された基板保持部と、
    　を有し、
    　前記第２の基板搬送アームは、前記基板の下面を支持するよう構成された第２の基板保持具を有し、
    　前記制御部は、
    　前記第２の搬送処理では、前記基板を前記基板保持部によって前記基板冷却プレートの上方又は下方で保持させた後、前記第２の基板保持具が、前記基板冷却プレートの上方又は下方において所定時間停止するように、前記第２の基板搬送アームを制御するように構成されている、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 　前記基板処理室は複数設けられ、
    　前記制御部は、
    　複数の前記基板処理室のうち、一の前記基板処理室から他の前記基板処理室へ前記基板を搬送する動作を実行しないように、前記第１の基板搬送アーム及び前記第２の基板搬送アームを制御するように構成されている、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 　搬送室内に設けられた基板搬送装置の第１の基板搬送アームを用い、且つ前記基板搬送装置の第２の基板搬送アームを用いずに、ロードロック室内の基板を基板処理室内へ搬送し、前記基板処理室内で前記基板を加熱する第１の搬送工程と、
    　前記第２の基板搬送アームを用い、且つ前記第１の基板搬送アームを用いずに、前記基板処理室内の前記基板を、前記搬送室内に設けられた基板冷却ユニットに搬送して前記基板冷却ユニットに載置し、前記基板冷却ユニットにより前記基板を冷却する第２の搬送工程と、
    　前記第１の基板搬送アームを用い、且つ前記第２の基板搬送アームを用いずに、前記基板冷却ユニットに載置された前記基板を前記ロードロック室内へ搬送する第３の搬送工程と、
    　を有し、
    　前記第１の搬送工程と前記第３の搬送工程では、前記第１の基板搬送アームによる前記基板の搬送時に前記基板にかかる加速度の最大値を、前記第２の搬送工程において、前記第２の基板搬送アームによる前記基板の搬送時に前記基板にかかる加速度の最大値よりも大きくする、
    　半導体装置の製造方法。
  11. 　コンピュータにより基板処理装置に所定の手順を実行させるプログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体であって、
    　前記所定の手順は、
    　搬送室内に設けられた基板搬送装置の第１の基板搬送アームを用い、且つ前記基板搬送装置の第２の基板搬送アームを用いずに、ロードロック室内の基板を、前記基板を加熱する基板処理室内へ搬送する第１の搬送手順と、
    　前記第２の基板搬送アームを用い、且つ前記第１の基板搬送アームを用いずに、前記基板処理室内の前記基板を、前記搬送室内に設けられ、前記基板を冷却する基板冷却ユニットに搬送して、前記基板冷却ユニットに載置する第２の搬送手順と、
    　前記第１の基板搬送アームを用い、且つ前記第２の基板搬送アームを用いずに、前記基板冷却ユニットに載置された前記基板を前記ロードロック室内へ搬送する第３の搬送手順と、
    　を有し、
    　前記第１の搬送手順と前記第３の搬送手順では、前記第１の基板搬送アームによる前記基板の搬送時に前記基板にかかる加速度の最大値を、前記第２の搬送手順において、前記第２の基板搬送アームによる前記基板の搬送時に前記基板にかかる加速度の最大値よりも大きくする、
    　コンピュータにより読み取り可能な記録媒体。
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