JP2003109962A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットの低下を抑制しつつ処理結果の
ばらつきを防止する。 【解決手段】 プロセスチューブ11の内部を加熱する
ヒータ32は第一ヒータ部32a〜第十ヒータ部32j
に細かく分割され、各ヒータ部32a〜32jはゾーン
長を短縮し得るように構成されている。プロセスチュー
ブ11の内部に敷設されたカスケード熱電対37には十
個の熱電対部37a〜37jが設定され、各熱電対部3
7a〜37jは各ヒータ部32a〜32jに対向され、
計測結果を温度コントローラ33に送信するようになっ
ている。 【効果】 ヒータ32のゾーン長をボート21のウエハ
Wの保持領域に対応して短縮することにより、予め設定
された熱処理条件で加熱できるため、ウエハWの枚数が
減少したバッチでもダミーウエハを補充せずに通常のバ
ッチと同一の熱処理条件をもって同等の熱処理結果を得
ることができる。
ばらつきを防止する。 【解決手段】 プロセスチューブ11の内部を加熱する
ヒータ32は第一ヒータ部32a〜第十ヒータ部32j
に細かく分割され、各ヒータ部32a〜32jはゾーン
長を短縮し得るように構成されている。プロセスチュー
ブ11の内部に敷設されたカスケード熱電対37には十
個の熱電対部37a〜37jが設定され、各熱電対部3
7a〜37jは各ヒータ部32a〜32jに対向され、
計測結果を温度コントローラ33に送信するようになっ
ている。 【効果】 ヒータ32のゾーン長をボート21のウエハ
Wの保持領域に対応して短縮することにより、予め設定
された熱処理条件で加熱できるため、ウエハWの枚数が
減少したバッチでもダミーウエハを補充せずに通常のバ
ッチと同一の熱処理条件をもって同等の熱処理結果を得
ることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置(furn
ace )に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、I
Cという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエ
ハという。)に酸化処理や拡散処理および拡散だけでな
くイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のための
リフローやアニール等の熱処理に使用される熱処理装置
に利用して有効な技術に関する。 【0002】 【従来の技術】ICの製造方法における酸化処理や拡散
処理等の熱処理には、バッチ式ホットウオール形熱処理
装置(以下、ホットウオール形熱処理装置という。)
が、広く使用されている。ホットウオール形熱処理装置
は、ウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチュ
ーブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセス
チューブ内を加熱するヒータと、処理室内の温度の均一
化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータと
の間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、処理室内
に敷設されてヒータをフィードバック制御するのに使用
される熱電対と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて
整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボ
ートとを備えており、処理室内に炉口から搬入されたボ
ート上のウエハ群をヒータによって加熱することによ
り、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されて
いる。 【0003】このようなホットウオール形熱処理装置に
おいては、ヒータの長さ方向の加熱領域(以下、ゾーン
という。)を複数のゾーンに分割するとともに、複数の
ゾーンをカスケード制御することにより、処理室の長さ
方向の温度分布を適正に制御することが実施されてい
る。すなわち、ヒータが長さ方向において複数のヒータ
部に分割されるとともに、処理室内には複数個のカスケ
ード熱電対が配置され、各ヒータ部が複数個のカスケー
ド熱電対によってカスケード制御されるようになってい
る。 【0004】ところで、このようなホットウオール形熱
処理装置においては、一回の処理作業(以下、バッチと
いう。)相互間の処理状況のばらつきを抑制するため
に、各バッチ間の処理条件を同一に調整することが、一
般的に実施されている。例えば、製品になるウエハ(以
下、プロダクトウエハという。)の一回のバッチで処理
すべき枚数が減少した場合には、製品とならないウエハ
(以下、ダミーウエハという。)を減少した枚数分のプ
ロダクトウエハの代わりに補充することにより、枚数が
減少したバッチの処理条件と、枚数が減少しない時のバ
ッチの処理条件とが一致されている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たホットウオール形熱処理装置においては、ダミーウエ
ハの分だけコストアップとなり、また、スループットが
低下するため、ICの製造コストが大幅に増加してしま
うという問題点がある。 【0006】本発明の目的は、コストアップおよびスル
ープットの低下を抑制しつつ処理結果のばらつきの発生
を防止することができる熱処理装置を提供することにあ
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明に係る熱処理装置
は、プロセスチューブを加熱するヒータが複数のゾーン
に分割されており、これらゾーンの長さが調整自在に構
成されていることを特徴とする。 【0008】前記した手段によれば、製品になる基板の
一回で処理すべき枚数が減少した場合には、ダミーの基
板を補充する代わりにヒータのゾーンの長さを短縮する
ことにより、枚数が減少した時の加熱条件と枚数が減少
しない時の加熱条件とを一致させることができるため、
補充するダミーの基板の分だけコストアップやスループ
ットが低下するのを防止することができるとともに、一
回の処理作業相互間の処理状況のばらつきを抑制するこ
とができる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0010】本実施の形態において、図1に示されてい
るように、本発明に係る熱処理装置はICの製造方法に
おける熱処理工程を実施するホットウオール形熱処理装
置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)10と
して構成されている。 【0011】図1に示されているホットウオール形熱処
理装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて
固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備え
ており、プロセスチューブ11は石英ガラスが使用され
て上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されてい
る。プロセスチューブ11の筒中空部はボートによって
長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入さ
れる処理室12を実質的に形成しており、プロセスチュ
ーブ11の下端開口はウエハを出し入れするための炉口
13を実質的に構成している。したがって、プロセスチ
ューブ11の内径は取り扱うウエハの最大外径(例え
ば、三百mm)よりも大きくなるように設定されてい
る。 【0012】プロセスチューブ11の外側には均熱チュ
ーブ14が同心円に配されて被せられている。均熱チュ
ーブ14は炭化シリコン(SiC)または石英ガラスが
使用されて、内径がプロセスチューブ11の外径よりも
大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され
ており、プロセスチューブ11にその外側を取り囲むよ
うに同心円に被せられている。プロセスチューブ11と
均熱チューブ14との間の下端部は多段の円筒筐体形状
に構築されたスカベンジャ15によって気密封止されて
おり、スカベンジャ15がホットウオール形熱処理装置
の機枠30に支持されることにより、プロセスチューブ
11および均熱チューブ14は垂直に据え付けられた状
態になっている。 【0013】プロセスチューブ11の下端部には排気管
16が接続されており、排気管16は排気装置(図示せ
ず)に接続されて処理室12を排気し得るようになって
いる。 【0014】スカベンジャ15には原料ガス供給装置お
よびキャリアガス供給装置(いずれも図示せず)に接続
されたガス導入管17が挿入されており、ガス導入管1
7はプロセスチューブ11の側面に沿って上方に敷設さ
れてプロセスチューブ11の上端部において処理室12
に連通するように接続されている。ガス導入管17によ
って処理室12の上端部に導入されたガスはプロセスチ
ューブ11の処理室12を流下して排気管16によって
排気される。 【0015】プロセスチューブ11には下端開口を閉塞
するシールキャップ20が、垂直方向下側から当接され
るようになっている。シールキャップ20はプロセスチ
ューブ11の外径と略等しい円盤形状に構築されてお
り、プロセスチューブ11の外部に垂直に設備されたエ
レベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるよ
うに構成されている。シールキャップ20の中心線上に
はボート21が垂直に立脚されて支持されるようになっ
ている。 【0016】ボート21は上下で一対の端板22、23
と、両端板22と23との間に架設されて垂直に配設さ
れた三本の保持部材24とを備えており、三本の保持部
材24には多数の保持溝25が長手方向に等間隔に配さ
れて互いに対向して開口するように刻設されている。ボ
ート21は三本の保持部材24の保持溝25間にウエハ
Wを挿入されることにより、複数枚のウエハWを水平に
かつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するよう
になっている。ボート21とシールキャップ20との間
には内部に断熱材(図示せず)が封入された断熱キャッ
プ部26および支柱27が配置されており、断熱キャッ
プ部26および支柱27はボート21をシールキャップ
20の上面から持ち上げた状態に支持することにより、
ボート21の下端を処理室12の炉口13の位置から適
当な距離だけ離間させるように構成されている。 【0017】図1に示されているように、プロセスチュ
ーブ11の外側は断熱カバー31によって全体的に被覆
されており、断熱カバー31の内側にはプロセスチュー
ブ11の内部を加熱するヒータ32が均熱チューブ14
の周囲を包囲するように同心円に設備されている。断熱
カバー31およびヒータ32はホットウオール形熱処理
装置の機枠30に支持されることによって垂直に据え付
けられている。図2に示されているように、ヒータ32
は電気抵抗体から構成されており、プロセスチューブ1
1の長さ方向において複数に細かく分割されている。本
実施の形態においては、ヒータ32は上側から順に、第
一ヒータ部32a、第二ヒータ部32b、第三ヒータ部
32c・・・第十ヒータ部32jに十分割されており、
これらヒータ部32a〜32jは温度コントローラ33
によって互いに連携および独立してシーケンス制御され
るように構成されている。 【0018】図2に示されているように、ヒータ32の
十個のヒータ部32a〜32jには電源35がトライア
ック36を介してそれぞれ二個ずつを一組として閉回路
を構成するように接続されており、各閉回路には切換ス
イッチ34−3、34−6、34−8および34−9が
それぞれ介設されている。さらに、第一ヒータ部32a
と第二ヒータ部32bとの中間点と第一電源35−1と
の間には切換スイッチ34−1が、第二ヒータ部32b
と第三ヒータ部32cとの中間点と第二電源35−2と
の間には切換スイッチ34−2が、第三ヒータ部32c
と第四ヒータ部32dとの中間点と第三電源35−3と
の間には切換スイッチ34−4が、第四ヒータ部32d
と第五ヒータ部32eとの中間点と第四電源35−4と
の間には切換スイッチ34−5が、第五ヒータ部32e
と第六ヒータ部32fとの中間点と第五電源35−5と
の間には切換スイッチ34−7が、それぞれ介設されて
いる。ヒータ32のゾーンの長さはこれらの切換スイッ
チ34−1〜34−9を適宜に選定することにより、所
望の長さに設定し得るように構成されている。 【0019】プロセスチューブ11の下端部にはカスケ
ード熱電対37が貫通されて支持されており、カスケー
ド熱電対37の挿入端部は処理室12の内周面に沿って
垂直に敷設された状態になっている。カスケード熱電対
37には十個の熱電対部37a、37b、37c、37
d・・・37jが設定されており、各熱電対部37a〜
37jは処理室12において各ヒータ部32a〜32j
にそれぞれ対向するように配置されている。各熱電対部
37a〜37jは計測結果を温度コントローラ33にそ
れぞれ送信するようになっており、温度コントローラ3
3は各熱電対部37a〜37jからの計測温度によって
各ヒータ部32a〜32jをフィードバック制御するよ
うになっている。すなわち、温度コントローラ33は各
ヒータ部32a〜32jの目標温度と各熱電対部37a
〜37jの計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合
には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するよ
うになっている。 【0020】次に、前記構成に係るホットウオール形熱
処理装置の作用を温度制御を主体にして説明する。ま
ず、一度に処理可能な最大枚数を処理する通常のバッチ
処理について説明する。 【0021】図1に示されているように、複数枚(一度
に処理可能な最大枚数)のウエハWを整列保持したボー
ト21はシールキャップ20の上にウエハW群が並んだ
方向が垂直になる状態で載置され、エレベータによって
差し上げられてプロセスチューブ11の炉口13から処
理室12に搬入(ボートローディング)されて行き、シ
ールキャップ20に支持されたままの状態で処理室12
に存置される。 【0022】プロセスチューブ11の内部が排気管16
によって排気されるとともに、プロセスチューブ11の
内部がヒータ32の各ヒータ部32a〜32jによって
温度コントローラ33のシーケンス制御の目標温度(例
えば、600〜1200℃)に加熱される。この際、ヒ
ータ32の各ヒータ部32a〜32jのシーケンス制御
の目標温度とこれらヒータ部32a〜32jの加熱によ
るプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度との誤
差は、カスケード熱電対37の各熱電対部37a〜37
jの計測結果に基づくフィードバック制御によって補正
される。 【0023】この通常のバッチ処理に際しては、図2に
示されたヒータ32の給電回路において、切換スイッチ
34−3、34−6、34−8および34−9が閉じら
れ、切換スイッチ34−1、34−2、34−4、34
−5および34−7が開かれる。この給電回路の制御に
より、図1に示されているように、ヒータ32は上から
順に、アッパゾーンU、センタアッパゾーンCU、セン
タゾーンC、センタロアゾーンCLおよびロアゾーンL
の五つのゾーンを形成する。すなわち、アッパゾーンU
は第一ヒータ部32aと第二ヒータ部32bによって、
センタアッパゾーンCUは第三ヒータ部32cと第四ヒ
ータ部32dによって、センタゾーンCは第五ヒータ部
32eと第六ヒータ部32fによって、センタロアゾー
ンCLは第七ヒータ部32gと第八ヒータ部32hによ
って、ロアゾーンLは第九ヒータ部32iと第十ヒータ
部32jによって、それぞれ形成されている。 【0024】以上の温度制御による熱処理が実施されて
予め設定された熱処理時間が経過すると、ヒータ32の
加熱が温度コントローラ33のシーケンス制御によって
停止される。プロセスチューブ11の内部の温度が降下
されて行き予め設定された降下時間が経過すると、シー
ルキャップ20が下降されて炉口13が開口されるとと
もに、ボート21に保持された状態でウエハW群が炉口
13からプロセスチューブ11の外部に搬出される。 【0025】ところで、IT(情報技術)等の技術革新
が進む今日、多品種少量生産に対応可能なICの製造方
法の開発が要望されている。この多品種少量生産に対応
可能なICの製造方法における熱処理工程においては、
一つのロットのプロダクトウエハの枚数がホットウオー
ル形熱処理装置の一回のバッチのプロダクトウエハの枚
数に満たない場合が多々発生する。具体例で説明する
と、通常のホットウオール形熱処理装置における一回の
バッチのプロダクトウエハの枚数が150枚程度である
のに対し、多品種少量生産における熱処理工程の実施に
際しては、一つのロット自体のプロダクトウエハの枚数
が、例えば、50〜75枚になってしまう場合が発生す
る。 【0026】大量生産下のICの製造方法においては、
一つのロットの構成に際してホットウオール形熱処理装
置における一回のバッチのプロダクトウエハの枚数(1
50枚)について配慮することができる。しかしなが
ら、少量生産に対応可能なICの製造方法においては、
一つのロット自体のプロダクトウエハの枚数がホットウ
オール形熱処理装置の通常の一回のバッチの枚数に満た
ないために、通常の一回のバッチにおけるプロダクトウ
エハの枚数(150枚)よりも大幅に減少した枚数(例
えば、50〜75枚)をもってホットウオール形熱処理
装置による熱処理工程を実施しなければならないことに
なる。 【0027】このように減少した枚数(50〜75枚)
のプロダクトウエハのバッチに対するホットウオール形
熱処理装置による熱処理工程の実施に際して、その減少
した時の熱処理条件を通常の枚数(150枚)の熱処理
条件と一致させるためにダミーウエハをボートに補充す
ると、その補充枚数は多数枚(75〜100枚)になっ
てしまうため、ダミーウエハのコストが少量生産のIC
の製造コストに大きく影響してしまう。 【0028】そこで、本実施の形態においては、図3に
示されているように、減少したウエハの枚数分の空きス
ペースがプロセスチューブの処理室内に形成された場合
には、ヒータ32のゾーン長を短縮することにより、図
1に示されているウエハが減少しない通常のバッチと同
等の熱処理結果を得るものとしている。この際、図3に
示されているように、ボート21に保持可能な枚数より
も少ない枚数のウエハWがボート21に保持されるに際
しては、その複数枚のウエハWをボート21の処理室1
2の上部すなわち処理室12のガス流の上流側に詰めて
保持するものとしている。すなわち、ボート21の下側
領域に空きスペースが発生しても、ダミーウエハを補充
しないままにしておく。但し、均熱化やガス流の整流等
の補充以外の作用を果たす所謂サイドダミーウエハ(図
示せず)はプロダクトウエハW群の両脇である上端部お
よび下端部にそれぞれ適当な枚数ずつ配置される。例え
ば、サイドダミーウエハは5枚や10枚、15枚程度ず
つ配置される。 【0029】減少した処理枚数のウエハWがボート21
の上部に詰められて処理されるに際しては、図2に示さ
れたヒータ32の給電回路において、切換スイッチ34
−3、34−6、34−8および34−9が開かれ、切
換スイッチ34−1、34−2、34−4、34−5お
よび34−7が閉じられる。この給電回路の制御によ
り、図3に示されているように、ヒータ32は図1の通
常の処理の場合に比べて短くなったアッパゾーンU、セ
ンタアッパゾーンCU、センタゾーンC、センタロアゾ
ーンCLおよびロアゾーンLを形成する。すなわち、ア
ッパゾーンUは第一ヒータ部32aによって、センタア
ッパゾーンCUは第二ヒータ部32bによって、センタ
ゾーンCは第三ヒータ部32cによって、センタロアゾ
ーンCLは第四ヒータ部32dによって、ロアゾーンL
は第五ヒータ部32eによって、それぞれ形成されてい
る。そして、第五ヒータ部32f〜第十ヒータ部32j
は使用されない状態になる。 【0030】以上のように、ボート21が保持可能な枚
数よりも少ない枚数のプロダクトウエハWをボート21
の上部すなわち処理室12のガス流の上流側に詰めて保
持するとともに、ヒータ32のゾーン長をその保持領域
に対応して短縮することにより、ボート21に保持され
たプロダクトウエハW群を予め設定された熱処理条件に
よって加熱することができるため、プロダクトウエハW
の枚数が減少したバッチであってもダミーウエハを補充
せずに、枚数が減少しない通常のバッチと同一の熱処理
条件をもって同等の熱処理結果を得ることができる。 【0031】つまり、プロダクトウエハWの一回で処理
すべき枚数が減少した場合であっても、枚数が減少しな
い時の熱処理条件と一致させることができるため、一回
の処理作業相互間の処理状況のばらつきを抑制すること
ができ、ICの製造方法における品質および信頼性を高
めることができる。 【0032】また、ダミーウエハを補充する代わりにヒ
ータのゾーン長を短縮することにより、枚数が減少した
時の加熱条件を枚数が減少しない時の加熱条件と一致さ
せることができるため、補充するダミーウエハの分だけ
スループットが低下するのを防止することができ、IC
の製造方法における製造コストを低減させることができ
る。 【0033】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0034】例えば、ヒータの分割段数およびカスケー
ド熱電対の測定位置の段数は、十段に限らない。 【0035】ヒータのゾーン長の変更調整手段として
は、図2に示された電気回路を使用するに限らない。 【0036】本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形
熱処理装置に限らず、バッチ式横形ホットウオール形熱
処理装置や縦形および横形ホットウオール形減圧CVD
装置等の熱処理装置全般に適用することができる。 【0037】前記実施の形態ではウエハに処理が施され
る場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプ
リント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよ
び磁気ディスク等であってもよい。 【0038】 【発明の効果】本発明によれば、スループットの低下を
抑制しつつ処理結果のばらつきの発生を防止することが
できる。
ace )に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、I
Cという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエ
ハという。)に酸化処理や拡散処理および拡散だけでな
くイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のための
リフローやアニール等の熱処理に使用される熱処理装置
に利用して有効な技術に関する。 【0002】 【従来の技術】ICの製造方法における酸化処理や拡散
処理等の熱処理には、バッチ式ホットウオール形熱処理
装置(以下、ホットウオール形熱処理装置という。)
が、広く使用されている。ホットウオール形熱処理装置
は、ウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチュ
ーブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセス
チューブ内を加熱するヒータと、処理室内の温度の均一
化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータと
の間に敷設された均熱チューブ(均熱管)と、処理室内
に敷設されてヒータをフィードバック制御するのに使用
される熱電対と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて
整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボ
ートとを備えており、処理室内に炉口から搬入されたボ
ート上のウエハ群をヒータによって加熱することによ
り、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されて
いる。 【0003】このようなホットウオール形熱処理装置に
おいては、ヒータの長さ方向の加熱領域(以下、ゾーン
という。)を複数のゾーンに分割するとともに、複数の
ゾーンをカスケード制御することにより、処理室の長さ
方向の温度分布を適正に制御することが実施されてい
る。すなわち、ヒータが長さ方向において複数のヒータ
部に分割されるとともに、処理室内には複数個のカスケ
ード熱電対が配置され、各ヒータ部が複数個のカスケー
ド熱電対によってカスケード制御されるようになってい
る。 【0004】ところで、このようなホットウオール形熱
処理装置においては、一回の処理作業(以下、バッチと
いう。)相互間の処理状況のばらつきを抑制するため
に、各バッチ間の処理条件を同一に調整することが、一
般的に実施されている。例えば、製品になるウエハ(以
下、プロダクトウエハという。)の一回のバッチで処理
すべき枚数が減少した場合には、製品とならないウエハ
(以下、ダミーウエハという。)を減少した枚数分のプ
ロダクトウエハの代わりに補充することにより、枚数が
減少したバッチの処理条件と、枚数が減少しない時のバ
ッチの処理条件とが一致されている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たホットウオール形熱処理装置においては、ダミーウエ
ハの分だけコストアップとなり、また、スループットが
低下するため、ICの製造コストが大幅に増加してしま
うという問題点がある。 【0006】本発明の目的は、コストアップおよびスル
ープットの低下を抑制しつつ処理結果のばらつきの発生
を防止することができる熱処理装置を提供することにあ
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明に係る熱処理装置
は、プロセスチューブを加熱するヒータが複数のゾーン
に分割されており、これらゾーンの長さが調整自在に構
成されていることを特徴とする。 【0008】前記した手段によれば、製品になる基板の
一回で処理すべき枚数が減少した場合には、ダミーの基
板を補充する代わりにヒータのゾーンの長さを短縮する
ことにより、枚数が減少した時の加熱条件と枚数が減少
しない時の加熱条件とを一致させることができるため、
補充するダミーの基板の分だけコストアップやスループ
ットが低下するのを防止することができるとともに、一
回の処理作業相互間の処理状況のばらつきを抑制するこ
とができる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0010】本実施の形態において、図1に示されてい
るように、本発明に係る熱処理装置はICの製造方法に
おける熱処理工程を実施するホットウオール形熱処理装
置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)10と
して構成されている。 【0011】図1に示されているホットウオール形熱処
理装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて
固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備え
ており、プロセスチューブ11は石英ガラスが使用され
て上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されてい
る。プロセスチューブ11の筒中空部はボートによって
長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入さ
れる処理室12を実質的に形成しており、プロセスチュ
ーブ11の下端開口はウエハを出し入れするための炉口
13を実質的に構成している。したがって、プロセスチ
ューブ11の内径は取り扱うウエハの最大外径(例え
ば、三百mm)よりも大きくなるように設定されてい
る。 【0012】プロセスチューブ11の外側には均熱チュ
ーブ14が同心円に配されて被せられている。均熱チュ
ーブ14は炭化シリコン(SiC)または石英ガラスが
使用されて、内径がプロセスチューブ11の外径よりも
大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され
ており、プロセスチューブ11にその外側を取り囲むよ
うに同心円に被せられている。プロセスチューブ11と
均熱チューブ14との間の下端部は多段の円筒筐体形状
に構築されたスカベンジャ15によって気密封止されて
おり、スカベンジャ15がホットウオール形熱処理装置
の機枠30に支持されることにより、プロセスチューブ
11および均熱チューブ14は垂直に据え付けられた状
態になっている。 【0013】プロセスチューブ11の下端部には排気管
16が接続されており、排気管16は排気装置(図示せ
ず)に接続されて処理室12を排気し得るようになって
いる。 【0014】スカベンジャ15には原料ガス供給装置お
よびキャリアガス供給装置(いずれも図示せず)に接続
されたガス導入管17が挿入されており、ガス導入管1
7はプロセスチューブ11の側面に沿って上方に敷設さ
れてプロセスチューブ11の上端部において処理室12
に連通するように接続されている。ガス導入管17によ
って処理室12の上端部に導入されたガスはプロセスチ
ューブ11の処理室12を流下して排気管16によって
排気される。 【0015】プロセスチューブ11には下端開口を閉塞
するシールキャップ20が、垂直方向下側から当接され
るようになっている。シールキャップ20はプロセスチ
ューブ11の外径と略等しい円盤形状に構築されてお
り、プロセスチューブ11の外部に垂直に設備されたエ
レベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるよ
うに構成されている。シールキャップ20の中心線上に
はボート21が垂直に立脚されて支持されるようになっ
ている。 【0016】ボート21は上下で一対の端板22、23
と、両端板22と23との間に架設されて垂直に配設さ
れた三本の保持部材24とを備えており、三本の保持部
材24には多数の保持溝25が長手方向に等間隔に配さ
れて互いに対向して開口するように刻設されている。ボ
ート21は三本の保持部材24の保持溝25間にウエハ
Wを挿入されることにより、複数枚のウエハWを水平に
かつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するよう
になっている。ボート21とシールキャップ20との間
には内部に断熱材(図示せず)が封入された断熱キャッ
プ部26および支柱27が配置されており、断熱キャッ
プ部26および支柱27はボート21をシールキャップ
20の上面から持ち上げた状態に支持することにより、
ボート21の下端を処理室12の炉口13の位置から適
当な距離だけ離間させるように構成されている。 【0017】図1に示されているように、プロセスチュ
ーブ11の外側は断熱カバー31によって全体的に被覆
されており、断熱カバー31の内側にはプロセスチュー
ブ11の内部を加熱するヒータ32が均熱チューブ14
の周囲を包囲するように同心円に設備されている。断熱
カバー31およびヒータ32はホットウオール形熱処理
装置の機枠30に支持されることによって垂直に据え付
けられている。図2に示されているように、ヒータ32
は電気抵抗体から構成されており、プロセスチューブ1
1の長さ方向において複数に細かく分割されている。本
実施の形態においては、ヒータ32は上側から順に、第
一ヒータ部32a、第二ヒータ部32b、第三ヒータ部
32c・・・第十ヒータ部32jに十分割されており、
これらヒータ部32a〜32jは温度コントローラ33
によって互いに連携および独立してシーケンス制御され
るように構成されている。 【0018】図2に示されているように、ヒータ32の
十個のヒータ部32a〜32jには電源35がトライア
ック36を介してそれぞれ二個ずつを一組として閉回路
を構成するように接続されており、各閉回路には切換ス
イッチ34−3、34−6、34−8および34−9が
それぞれ介設されている。さらに、第一ヒータ部32a
と第二ヒータ部32bとの中間点と第一電源35−1と
の間には切換スイッチ34−1が、第二ヒータ部32b
と第三ヒータ部32cとの中間点と第二電源35−2と
の間には切換スイッチ34−2が、第三ヒータ部32c
と第四ヒータ部32dとの中間点と第三電源35−3と
の間には切換スイッチ34−4が、第四ヒータ部32d
と第五ヒータ部32eとの中間点と第四電源35−4と
の間には切換スイッチ34−5が、第五ヒータ部32e
と第六ヒータ部32fとの中間点と第五電源35−5と
の間には切換スイッチ34−7が、それぞれ介設されて
いる。ヒータ32のゾーンの長さはこれらの切換スイッ
チ34−1〜34−9を適宜に選定することにより、所
望の長さに設定し得るように構成されている。 【0019】プロセスチューブ11の下端部にはカスケ
ード熱電対37が貫通されて支持されており、カスケー
ド熱電対37の挿入端部は処理室12の内周面に沿って
垂直に敷設された状態になっている。カスケード熱電対
37には十個の熱電対部37a、37b、37c、37
d・・・37jが設定されており、各熱電対部37a〜
37jは処理室12において各ヒータ部32a〜32j
にそれぞれ対向するように配置されている。各熱電対部
37a〜37jは計測結果を温度コントローラ33にそ
れぞれ送信するようになっており、温度コントローラ3
3は各熱電対部37a〜37jからの計測温度によって
各ヒータ部32a〜32jをフィードバック制御するよ
うになっている。すなわち、温度コントローラ33は各
ヒータ部32a〜32jの目標温度と各熱電対部37a
〜37jの計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合
には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するよ
うになっている。 【0020】次に、前記構成に係るホットウオール形熱
処理装置の作用を温度制御を主体にして説明する。ま
ず、一度に処理可能な最大枚数を処理する通常のバッチ
処理について説明する。 【0021】図1に示されているように、複数枚(一度
に処理可能な最大枚数)のウエハWを整列保持したボー
ト21はシールキャップ20の上にウエハW群が並んだ
方向が垂直になる状態で載置され、エレベータによって
差し上げられてプロセスチューブ11の炉口13から処
理室12に搬入(ボートローディング)されて行き、シ
ールキャップ20に支持されたままの状態で処理室12
に存置される。 【0022】プロセスチューブ11の内部が排気管16
によって排気されるとともに、プロセスチューブ11の
内部がヒータ32の各ヒータ部32a〜32jによって
温度コントローラ33のシーケンス制御の目標温度(例
えば、600〜1200℃)に加熱される。この際、ヒ
ータ32の各ヒータ部32a〜32jのシーケンス制御
の目標温度とこれらヒータ部32a〜32jの加熱によ
るプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度との誤
差は、カスケード熱電対37の各熱電対部37a〜37
jの計測結果に基づくフィードバック制御によって補正
される。 【0023】この通常のバッチ処理に際しては、図2に
示されたヒータ32の給電回路において、切換スイッチ
34−3、34−6、34−8および34−9が閉じら
れ、切換スイッチ34−1、34−2、34−4、34
−5および34−7が開かれる。この給電回路の制御に
より、図1に示されているように、ヒータ32は上から
順に、アッパゾーンU、センタアッパゾーンCU、セン
タゾーンC、センタロアゾーンCLおよびロアゾーンL
の五つのゾーンを形成する。すなわち、アッパゾーンU
は第一ヒータ部32aと第二ヒータ部32bによって、
センタアッパゾーンCUは第三ヒータ部32cと第四ヒ
ータ部32dによって、センタゾーンCは第五ヒータ部
32eと第六ヒータ部32fによって、センタロアゾー
ンCLは第七ヒータ部32gと第八ヒータ部32hによ
って、ロアゾーンLは第九ヒータ部32iと第十ヒータ
部32jによって、それぞれ形成されている。 【0024】以上の温度制御による熱処理が実施されて
予め設定された熱処理時間が経過すると、ヒータ32の
加熱が温度コントローラ33のシーケンス制御によって
停止される。プロセスチューブ11の内部の温度が降下
されて行き予め設定された降下時間が経過すると、シー
ルキャップ20が下降されて炉口13が開口されるとと
もに、ボート21に保持された状態でウエハW群が炉口
13からプロセスチューブ11の外部に搬出される。 【0025】ところで、IT(情報技術)等の技術革新
が進む今日、多品種少量生産に対応可能なICの製造方
法の開発が要望されている。この多品種少量生産に対応
可能なICの製造方法における熱処理工程においては、
一つのロットのプロダクトウエハの枚数がホットウオー
ル形熱処理装置の一回のバッチのプロダクトウエハの枚
数に満たない場合が多々発生する。具体例で説明する
と、通常のホットウオール形熱処理装置における一回の
バッチのプロダクトウエハの枚数が150枚程度である
のに対し、多品種少量生産における熱処理工程の実施に
際しては、一つのロット自体のプロダクトウエハの枚数
が、例えば、50〜75枚になってしまう場合が発生す
る。 【0026】大量生産下のICの製造方法においては、
一つのロットの構成に際してホットウオール形熱処理装
置における一回のバッチのプロダクトウエハの枚数(1
50枚)について配慮することができる。しかしなが
ら、少量生産に対応可能なICの製造方法においては、
一つのロット自体のプロダクトウエハの枚数がホットウ
オール形熱処理装置の通常の一回のバッチの枚数に満た
ないために、通常の一回のバッチにおけるプロダクトウ
エハの枚数(150枚)よりも大幅に減少した枚数(例
えば、50〜75枚)をもってホットウオール形熱処理
装置による熱処理工程を実施しなければならないことに
なる。 【0027】このように減少した枚数(50〜75枚)
のプロダクトウエハのバッチに対するホットウオール形
熱処理装置による熱処理工程の実施に際して、その減少
した時の熱処理条件を通常の枚数(150枚)の熱処理
条件と一致させるためにダミーウエハをボートに補充す
ると、その補充枚数は多数枚(75〜100枚)になっ
てしまうため、ダミーウエハのコストが少量生産のIC
の製造コストに大きく影響してしまう。 【0028】そこで、本実施の形態においては、図3に
示されているように、減少したウエハの枚数分の空きス
ペースがプロセスチューブの処理室内に形成された場合
には、ヒータ32のゾーン長を短縮することにより、図
1に示されているウエハが減少しない通常のバッチと同
等の熱処理結果を得るものとしている。この際、図3に
示されているように、ボート21に保持可能な枚数より
も少ない枚数のウエハWがボート21に保持されるに際
しては、その複数枚のウエハWをボート21の処理室1
2の上部すなわち処理室12のガス流の上流側に詰めて
保持するものとしている。すなわち、ボート21の下側
領域に空きスペースが発生しても、ダミーウエハを補充
しないままにしておく。但し、均熱化やガス流の整流等
の補充以外の作用を果たす所謂サイドダミーウエハ(図
示せず)はプロダクトウエハW群の両脇である上端部お
よび下端部にそれぞれ適当な枚数ずつ配置される。例え
ば、サイドダミーウエハは5枚や10枚、15枚程度ず
つ配置される。 【0029】減少した処理枚数のウエハWがボート21
の上部に詰められて処理されるに際しては、図2に示さ
れたヒータ32の給電回路において、切換スイッチ34
−3、34−6、34−8および34−9が開かれ、切
換スイッチ34−1、34−2、34−4、34−5お
よび34−7が閉じられる。この給電回路の制御によ
り、図3に示されているように、ヒータ32は図1の通
常の処理の場合に比べて短くなったアッパゾーンU、セ
ンタアッパゾーンCU、センタゾーンC、センタロアゾ
ーンCLおよびロアゾーンLを形成する。すなわち、ア
ッパゾーンUは第一ヒータ部32aによって、センタア
ッパゾーンCUは第二ヒータ部32bによって、センタ
ゾーンCは第三ヒータ部32cによって、センタロアゾ
ーンCLは第四ヒータ部32dによって、ロアゾーンL
は第五ヒータ部32eによって、それぞれ形成されてい
る。そして、第五ヒータ部32f〜第十ヒータ部32j
は使用されない状態になる。 【0030】以上のように、ボート21が保持可能な枚
数よりも少ない枚数のプロダクトウエハWをボート21
の上部すなわち処理室12のガス流の上流側に詰めて保
持するとともに、ヒータ32のゾーン長をその保持領域
に対応して短縮することにより、ボート21に保持され
たプロダクトウエハW群を予め設定された熱処理条件に
よって加熱することができるため、プロダクトウエハW
の枚数が減少したバッチであってもダミーウエハを補充
せずに、枚数が減少しない通常のバッチと同一の熱処理
条件をもって同等の熱処理結果を得ることができる。 【0031】つまり、プロダクトウエハWの一回で処理
すべき枚数が減少した場合であっても、枚数が減少しな
い時の熱処理条件と一致させることができるため、一回
の処理作業相互間の処理状況のばらつきを抑制すること
ができ、ICの製造方法における品質および信頼性を高
めることができる。 【0032】また、ダミーウエハを補充する代わりにヒ
ータのゾーン長を短縮することにより、枚数が減少した
時の加熱条件を枚数が減少しない時の加熱条件と一致さ
せることができるため、補充するダミーウエハの分だけ
スループットが低下するのを防止することができ、IC
の製造方法における製造コストを低減させることができ
る。 【0033】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0034】例えば、ヒータの分割段数およびカスケー
ド熱電対の測定位置の段数は、十段に限らない。 【0035】ヒータのゾーン長の変更調整手段として
は、図2に示された電気回路を使用するに限らない。 【0036】本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形
熱処理装置に限らず、バッチ式横形ホットウオール形熱
処理装置や縦形および横形ホットウオール形減圧CVD
装置等の熱処理装置全般に適用することができる。 【0037】前記実施の形態ではウエハに処理が施され
る場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプ
リント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよ
び磁気ディスク等であってもよい。 【0038】 【発明の効果】本発明によれば、スループットの低下を
抑制しつつ処理結果のばらつきの発生を防止することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるホットウオール形
熱処理装置を示す正面断面図である。 【図2】ヒータの電気回路図である。 【図3】プロダクトウエハの減少時の処理の一例を示す
正面断面図である。 【符号の説明】 W…ウエハ(基板)、10…ホットウオール形熱処理装
置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)、11
…プロセスチューブ、12…処理室、13…炉口、14
…均熱チューブ、15…スカベンジャ、16…排気管、
17…ガス導入管、20…シールキャップ、21…ボー
ト、22、23…端板、24…保持部材、25…保持
溝、26…断熱キャップ部、30…機枠、31…断熱カ
バー、32…ヒータ、32a〜32j…ヒータ部、33
…温度コントローラ、34…切換スイッチ、35…電
源、36…トライアック、37…カスケード熱電対、3
7a〜37j…熱電対部。
熱処理装置を示す正面断面図である。 【図2】ヒータの電気回路図である。 【図3】プロダクトウエハの減少時の処理の一例を示す
正面断面図である。 【符号の説明】 W…ウエハ(基板)、10…ホットウオール形熱処理装
置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)、11
…プロセスチューブ、12…処理室、13…炉口、14
…均熱チューブ、15…スカベンジャ、16…排気管、
17…ガス導入管、20…シールキャップ、21…ボー
ト、22、23…端板、24…保持部材、25…保持
溝、26…断熱キャップ部、30…機枠、31…断熱カ
バー、32…ヒータ、32a〜32j…ヒータ部、33
…温度コントローラ、34…切換スイッチ、35…電
源、36…トライアック、37…カスケード熱電対、3
7a〜37j…熱電対部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 4K063 AA05 AA12 BA12 CA01 CA03
CA04 FA01
5F045 AA20 AB32 BB08 EC02 EK06
EK22 EK30 GB05
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 プロセスチューブを加熱する複数のゾー
ンに分割されたヒータの各ゾーンの長さが調整自在に構
成されていることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001306400A JP2003109962A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001306400A JP2003109962A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003109962A true JP2003109962A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19126043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001306400A Pending JP2003109962A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003109962A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107924826A (zh) * | 2015-09-28 | 2018-04-17 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 |
-
2001
- 2001-10-02 JP JP2001306400A patent/JP2003109962A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107924826A (zh) * | 2015-09-28 | 2018-04-17 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 |
CN107924826B (zh) * | 2015-09-28 | 2021-08-20 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 |
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