CN102315151A - 基板承载台、基板处理装置及基板处理系统 - Google Patents

基板承载台、基板处理装置及基板处理系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102315151A
CN102315151A CN2011101850404A CN201110185040A CN102315151A CN 102315151 A CN102315151 A CN 102315151A CN 2011101850404 A CN2011101850404 A CN 2011101850404A CN 201110185040 A CN201110185040 A CN 201110185040A CN 102315151 A CN102315151 A CN 102315151A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
load bearing
bearing component
central
periphery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101850404A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102315151B (zh
Inventor
小田桐正弥
村木雄介
富士原仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102315151A publication Critical patent/CN102315151A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102315151B publication Critical patent/CN102315151B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。

Description

基板承载台、基板处理装置及基板处理系统
技术领域
本发明涉及基板承载领域，特别涉及一种例如在半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
背景技术
先前，在真空中的半导体工艺等中的基板(硅片)处理中，为了提高处理均匀性，而进行用以使基板表面温度均匀化的温度调节。作为基板温度调节方法，一般采用如下方法，在承载基板的基板承载台(承载台)的内部设置制冷剂通道，使制冷剂流入该通道，由来自基板承载台的放射热，冷却承载在基板承载台上的基板表面进行温度调节。
例如，在专利文献1中，公开了一种等离子体处理装置，在该等离子体处理装置中，在基板承载台的内部设置2个同心圆状的制冷剂通道，使流入外侧通道的制冷剂和流入内侧通道的制冷剂的温度成为相对不同的温度，并通过使对接受来自腔室内壁的放射热的基板周缘部进行的冷却比对基板中央部进行的冷却强，使基板的表面温度均匀化。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平9-17770号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，流入温度相互不同的制冷剂的2个系统的制冷剂通道是在1个基板承载台的内部邻接，导致这2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，因此，有可能无法独立控制基板的中央部和周缘部各自的冷却。即，无法分别对承载在基板承载台上的基板的中央部及周缘部进行精密的温度管理、温度控制，从而难以使受到来自腔室内壁的放射热较大影响的基板周缘部的表面温度、和受此影响较小的基板中央部的表面温度均匀化。因此，由于基板处理中的基板表面整个面的条件未能均匀化，所以，存在无法均匀地进行基板处理的问题。进而，在等离子体处理装置内，因基板承载台为一体构成，也将成为导致2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，从而无法独立控制中央部及周缘部的基板温度的原因。
因此，鉴于所述问题等，本发明的目的在于提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
[解决问题的技术手段]
为了达到所述目的，根据本发明，提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；以及支撑台，支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。另外，在此调温表示温度控制、温度调节。
在所述基板承载台上承载2片以上的基板，所述周缘承载部件是由2个以上的周缘部、和使该周缘部彼此结合的周缘结合部构成，所述中央承载部件是由形状与所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部、和使该中央部彼此结合的中央结合部构成，在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状的间隙，在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙，所述周缘结合部及所述中央结合部可分别结合在所述支撑台。而且，也可以在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置连通到调温介质循环循环机构的调温通道。
而且，根据来自其他观点的本发明，提供一种基板处理装置，其在真空处理空间处理基板，且包含进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、以及承载所述基板的基板承载台，且，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部进行温度控制的中央承载部件、支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，也可以设置连通到调温介质循环机构的调温通道。而且，所述处理腔室也可以包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
进而，根据来自其他观点的本发明，提供一种基板处理系统，其包含搬运基板的搬运部、进行基板处理的处理部、及进行基板加热处理的加热部，且，所述处理部是由进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、及承载所述基板的基板承载台构成，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，也可以设置连通到调温液循环机构的调温通道。而且，所述处理腔室也可以包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
[发明的效果]
根据本发明，提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
附图说明
图1是基板处理装置的概略截面图。
图2是关于基板承载台的说明图，图2(a)是各部件(周缘承载部件、中央承载部件、支撑台)未连结状态下的基板承载台的正面透视图，图2(b)是使各部件连结的状态下的基板承载台的正面透视图。
图3是基板处理系统的说明图，图3(a)是基板处理系统的透视概略图，图3(b)是基板处理系统的侧视截面图。
[符号的说明]
1 基板处理装置
10 处理腔室
20 基板承载台
22 处理气体供给机构
23 处理气体导入部
25 真空泵
26 排气口
28 支撑销
29 升降机构
30 突起部
40 周缘承载部件
41 周缘部
43 周缘结合部
50 中央承载部件
51 中央部
53 中央结合部
55 支撑台
56、59 间隙
57 孔部
58 凸部
60、62 调温通道
70、71 调温介质循环机构
100 基板处理系统
107 处理部
110 加热部
115 加热机构
120 搬运部
125 搬运臂
130、131 闸阀
W 基板
W1 基板周缘部
W2 基板中央部
具体实施方式
以下，参照图式对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书及图式中，对于实质上具有相同的功能构成的构成要素，通过标注相同的符号来省略重复说明。而且，在以下的本发明的实施方式中，以同时配置、处理2片基板W的基板处理装置1为一例实施方式，进行说明。
图1是本发明实施方式的基板处理装置1的概略截面图。如图1所示，基板处理装置1是由处理腔室10、和配置在处理腔室10内进行基板W的处理时承载基板W的基板承载台20构成。另外，在图1中图示了基板W承载在2片基板承载台20的上表面的情形。而且，在处理腔室10中，设置有连通到处理气体供给机构22的例如喷头形状的处理气体导入部23和连通到真空泵25的排气口26。由此，处理腔室10内便可进行真空抽吸，而且，在基板W处理时，从处理气体导入部23将处理气体导入到处理腔室10内。
而且，在处理腔室10中，设置有多根支撑销28，这些支撑销28是通过贯穿基板承载台20，向此基板承载台20的上方突出来支撑基板W，进行基板W对基板承载台20的承载。支撑销28是由结合在支撑销28使支撑销28沿铅直方向(图1中的上下方向)升降的升降机构29而构成为升降自如。另外，如图1所示，升降机构29是由设置在处理腔室10外部的作为例如气缸等的驱动部29a、和连接在驱动部29a且从驱动部29a伸入到处理腔室10内的升降部29b构成。支撑销28是安装在升降部29b，因此，支撑销28也和通过驱动部29a运转而升降的升降部29b联动地进行升降。当将基板W承载在基板承载台20的上表面时，使支撑销28以特定的长度向基板承载台20的上方突出，且在使基板W承载在此突出的支撑销28上端的状态下，以支撑销28的前端接近基板承载台20的上表面附近的方式使支撑销28下降，由此，将基板W承载在基板承载台20上。
而且，在基板承载台20的上表面设置有微小的突起部30，当如上所述，基板W在由支撑销28支撑的状态下，下降到基板承载台20的上表面附近为止时，基板W以通过基板承载台20上表面的突起部30而悬浮在基板承载台20上表面上的状态(和基板承载台20大致不接触的状态)承载。另外，在本实施方式的基板处理装置1中，相对于1片基板W设置有3根支撑销28，而且，突起部30也相对于1片基板W设置在3个部位，通过由3根支撑销28对基板W进行3点支撑，而使基板W支撑、升降，并利用设置在基板承载台20的上表面的3个部位(相对于1片基板)突起部30，而使基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20上。在此，基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20的上表面的原因在于，如果将基板W直接承载在基板承载台20上，则会导致存在于基板承载台20表面的颗粒等杂质有可能附着在基板W表面。
图2是关于基板承载台20的说明图。在此，为了进行说明，而在图2(a)中表示以下说明的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台55)未经连结状态下的基板承载台20的正面透视图，且在图2(b)中表示使各部件连结状态下的基板承载台20的正面透视图。在此，基板承载台20在所述图1所示的基板处理装置1中，配置在处理腔室10内时，以图2(b)所示的各部件经连结的状态进行配置。
如图2所示，基板承载台20是由承载基板周缘部W1的周缘承载部件40、承载基板中央部W2的中央承载部件50、及支撑周缘承载部件40及中央承载部件50的支撑台55构成。周缘承载部件40是由2个大致圆环形状的周缘部41、以及使2个周缘部41以水平并排配置的状态结合的周缘结合部43构成。而且，中央承载部件50是由2个大致圆板形状的中央部51、以及使2个中央部51以水平并排配置的状态结合的中央结合部53构成。在此，周缘部41的内周形状和中央部51的形状的关系是对应关系。即，如图2(b)所示，当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，构成为中央部51收纳在大致圆环形状的周缘部41的中心部的空间41a。因此，空间41a的平面(上表面)形状和中央部51的平面(上表面)形状为大致相同形状，且，中央部51的上表面面积变得小于空间41a的上表面面积。而且，周缘部41的上表面面积和中央部51的上表面面积成为大致相等的面积。
如上所述，由于周缘部41的形状和中央部51的形状的关系为对应关系，所以，如图2(b)所示当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，在周缘部41和中央部51之间，沿水平方向形成有环状间隙56。而且，如图2(a)所示，在中央结合部53的中央部，设置有例如四边形的孔部57，且构成基板承载台20时的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台55)是通过未图示的螺丝部件而结合，中央结合部53和支撑台55也通过未图示的螺丝部件而结合。另外，为了进行结合，而在支撑台55设置有形状和孔部57对应的凸部58。在此，在周缘结合部43和中央结合部53之间，以沿铅直方向形成间隙59的方式进行各部件的结合，其结果，周缘承载部件40和中央承载部件50以互不接触的状态构成基板承载台20。
另一方面，如图1所示，在周缘承载部件40的内部设置有调温通道60，且在中央承载部件50的内部设置有调温通道62。各调温通道60、62例如连通到蓄积有冷却水等制冷剂的调温介质循环机构70、71。即，可通过调温介质循环机构70、71运转，而使制冷剂在调温介质循环机构70、71和各调温通道60、62之间进行循环。另外，调温通道60连通到调温介质循环机构70，调温通道62连通到调温介质循环机构71，调温介质循环机构70、71的运转可在每一调温通道(调温通道60、调温通道62)中独立进行控制。借此，可通过控制分别流入调温通道60、调温通道62的制冷剂的温度、流速等，而分别独立控制对周缘承载部件40的基板周缘部W1的调温效果(冷却效果)和对中央承载部件50的基板中央部W2的调温效果(冷却效果)。即，像这样设置的调温通道60、62对基板W的冷却是以如下的方式进行：通过设置在周缘承载部件40内部的调温通道60的冷却能力来冷却基板周缘部W1，通过设置在中央承载部件50内部的调温通道62的冷却能力来冷却基板中央部W2，由此，分别通过不同的调温通道的冷却能力来冷却基板周缘部W1和基板中央部W2。
而且，基板W是以只与突起部30前端接触的状态承载在基板承载台20上，且在基板W和基板承载台20(周缘承载部件40、中央承载部件50)之间形成有间隙75。此基板W和基板承载台20之间的间隙75与基板W的厚度相比极窄，所以，基板W的调温(温度控制)可以通过和周缘承载部件40及中央承载部件50的热交换而进行。而且，在基板处理时，处理腔室10内变成处理气体环境下，所以，所述基板W和基板承载台20之间的间隙中也有处理气体进入，从而进一步促进基板W和周缘承载部件40及中央承载部件50的热交换，有效地进行基板W的调温(温度控制)。
在具备以上说明的构成即基板承载台20的基板处理装置1中，进行基板处理。由本实施方式的基板处理装置1进行的基板处理并无特别限定，但可例示例如使用作为处理气体的HF气体、NH3气体，对形成在基板W表面的SiO2膜进行处理，且经由之后的加热处理，将SiO2膜从基板W上去除的基板清洗处理等。不仅限于例示的基板清洗处理，为了在各种基板处理中，均匀地进行基板处理，而必须使处理中的基板W的表面温度均匀，所以，需要进行基板W的表面温度的温度管理、温度控制。在基板处理中，在基板W上存在有来自比基板W温度高的处理腔室10的内壁的放射热引起的供热，尤其，基板周缘部W1和处理腔室10的内壁的距离短于和基板中央部W2的距离，因此，基板周缘部W1中供热多于基板中央部W2。因此，为了使基板W的表面温度均匀，而必须进行基板承载台20的基板的温度管理、温度控制。
设置在本实施方式的基板处理装置1中的基板承载台20，如上所述包含周缘承载部件40和中央承载部件50，且在周缘承载部件40和中央承载部件50之间，分别形成有水平方向的间隙56和铅直方向的间隙59，所以，周缘承载部件40和中央承载部件50相互为非接触。由于基板处理中的处理腔室10内处于经真空抽吸的状态，所以，所述间隙56、间隙59被真空隔热，使得周缘承载部件40和中央承载部件50的温度互不影响。即，设置在周缘承载部件40内的调温通道60的温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的温度互不影响。因此，周缘承载部件40和中央承载部件50分别独立地控制为特定的温度。
通过对设置在周缘承载部件40内的调温通道60的制冷剂温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的制冷剂温度进行相互独立的温度管理、温度控制，而使由调温通道60冷却(温度控制)的基板周缘部W1、和由调温通道62冷却(温度控制)的基板中央部W2的温度管理、温度控制独立且精密地进行。因此，可以精密地使基板处理时的基板W的整体表面温度均匀化。即，例如当因来自处理腔室10的内壁的放射热而使基板周缘部W1比基板中央部W2高温时，可以通过将调温通道60的制冷剂温度控制为比调温通道62的制冷剂温度低的温度，而和基板中央部W2相比，对基板周缘部W1进行强冷却，使基板W整体表面温度均匀。
另外，在所述的本发明的实施方式中，对通过调温介质循环机构70、71运转，而使制冷剂流入调温通道60、62，冷却基板W表面的情形进行了说明，但为了进行基板W的精密温度控制，例如，有时也使经加热的特定温度的流体流入。
其次，以下对具备本实施方式的基板处理装置1的基板处理系统100进行说明。图3是基板处理系统100的说明图。另外，图3(a)是基板处理系统100的透视概略图，图3(b)是基板处理系统100的侧视截面图。
如图3所示，基板处理系统100主要由包含基板处理装置1的处理部107、加热部110和搬运部120构成。在此，基板处理装置1连通到未图示的制冷剂蓄积装置，且处理部107和加热部110邻接配置，加热部110和搬运部120邻接配置。在基板处理装置1和加热部110之间设置有闸阀130，且在加热部110和搬运部120之间设置有闸阀131。另外，在所述未图示的制冷剂蓄积装置内，配置有本实施方式中说明的调温介质循环机构70、71，在加热部110内配置有加热基板W的例如作为热板等的加热机构115，在搬运部120配置有搬运基板W的搬运臂125。
在以图3所示方式构成的基板处理系统100中，例如当进行将形成在基板W表面的SiO2膜去除的清洗处理时，首先，通过搬运臂125运转而将基板W从搬运部120搬运到基板处理装置1内，并承载在基板处理装置1内的基板承载台20。在基板处理装置1内，以基板W整体表面温度保持均匀的状态，利用HF气体、NH3气体等处理气体进行基板处理。接下来，通过搬运臂125运转，而将由处理气体处理的基板W搬运到加热部110内的加热机构115。在加热部110中，对基板W实施例如热板处理等热处理，并通过处理气体将基板W上生成的生成物去除。于是，通过搬运臂125运转，而将由这种工序清洗的基板W从基板处理系统100中搬出。
在以上说明的本发明的基板处理系统100中，可以能够在基板处理装置1中均匀地进行基板处理的方式，精密地使基板处理时的基板W整体的表面温度均匀化。所以，例如当进行将形成在基板W表面的SiO2膜去除的清洗处理时，处理气体对SiO2膜进行的处理可均匀且有效地进行。由此，加热部110的热处理对基板W上的多余生成物的去除也可均匀且有效地进行，从而使基板处理系统100中基板W的清洗处理能够对基板整体均匀地进行。
以上，说明了本发明的实施方式的一例，但本发明并不限定于图示的方式。作为本领域技术人员，当知在权利要求范围记载的思想范畴内，可设想各种变更例或者修正例，且应理解这些变更例或者修正例当然属于本发明的技术范围。
例如，在所述实施方式的一例中，说明了如下情况，即，在周缘承载部件40和中央承载部件50之间，形成有水平方向的间隙56和铅直方向的间隙59，且在经真空抽吸的处理腔室10内，间隙56、59为真空隔热，但也可以对间隙56、59施用例如多孔陶瓷等隔热部件。借此，周缘承载部件40和中央承载部件50之间的隔热性进一步提高，周缘承载部件40和中央承载部件50相互间的温度变化引起的影响减少，从而可更精密地对设置在周缘承载部件40内的调温通道60的制冷剂温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的制冷剂温度独立地进行温度管理、温度控制。
而且，对如下内容进行了说明，即，在所述实施方式的基板处理装置1中，来自处理腔室10的内壁的放射热的供热，相比基板W的中心部(基板中心部W2)，更大地作用于周缘部(基板周缘部W1)，导致基板W的表面温度变得不均匀，但为了减少这个问题，且尽量抑制由处理腔室10内壁对基板W的供热，也可以对处理腔室10的内壁施用隔热部件。此时，隔热部件可以在处理腔室10的内壁整面施用，而优选在处理腔室10内壁的基板W附近施用这些隔热部件。
而且，在所述实施方式的基板处理装置1中，对周缘承载部件40及中央承载部件50均以固定在处理腔室10内的状态进行配置的情况进行了说明，但也可以分别升降自如地配置周缘承载部件40及中央承载部件50。即，在所述实施方式中，周缘承载部件40及中央承载部件50是通过未图示的螺丝部件结合在支撑台55上，但也可以使周缘承载部件40及中央承载部件50以升降自如的状态得到支撑台55支撑。
例如，考虑在处理腔室10内设置使周缘承载部件40及中央承载部件50分别独立升降的控制部，在承载基板W的状态下，使周缘承载部件40、中央承载部件50中的一个或两者进行升降，从而控制基板W和周缘承载部件40或中央承载部件50的热交换，将基板W的表面温度保持为最佳值。可通过微调基板W和周缘承载部件40之间的间隔，而更精密地进行基板W表面温度的温度管理、温度控制，从而可使基板的表面状态达到预期状态(例如，表面温度均匀的状态)。
[产业上的可利用性]
本发明可应用于例如半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。

Claims (9)

1.一种基板承载台，其供承载基板，且包含：
周缘承载部件，承载所述基板的周缘部并进行温度控制；
中央承载部件，承载所述基板的中央部并进行温度控制；以及
支撑台，支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件；
且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
2.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于：
在所述基板承载台上承载2片以上的基板，
所述周缘承载部件是由2个以上的周缘部、和使所述周缘部彼此结合的周缘结合部构成，
所述中央承载部件是由形状与所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部、和使所述中央部彼此结合的中央结合部构成，
在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状的间隙，
在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙，
所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。
3.根据权利要求1或2所述的基板承载台，其特征在于：
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
4.一种基板处理装置，其在真空处理空间中处理基板，且包含：
进行基板处理的处理腔室、
对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、
将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、以及
承载所述基板的基板承载台，
且，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成，
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到制冷剂循环机构的制冷剂通道。
6.根据权利请求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
7.一种基板处理系统，其包含搬运基板的搬运部、进行基板处理的处理部、及进行基板加热处理的加热部，
且，所述处理部是由进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、及承载所述基板的基板承载台构成，
所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成，
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
8.根据权利请求7所述的基板处理系统，其特征在于：
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
9.根据权利请求7或8所述的基板处理系统，其特征在于：
所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
CN201110185040.4A 2010-06-30 2011-06-28 基板承载台、基板处理装置及基板处理系统 Active CN102315151B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-149652 2010-06-30
JP2010149652A JP5101665B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102315151A true CN102315151A (zh) 2012-01-11
CN102315151B CN102315151B (zh) 2014-02-12

Family

ID=45398798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110185040.4A Active CN102315151B (zh) 2010-06-30 2011-06-28 基板承载台、基板处理装置及基板处理系统

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9153465B2 (zh)
JP (1) JP5101665B2 (zh)
KR (1) KR101317992B1 (zh)
CN (1) CN102315151B (zh)
DE (1) DE102011108632A1 (zh)
TW (1) TWI436447B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106256923A (zh) * 2015-06-16 2016-12-28 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法以及基板载置台
CN108257893A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 三星电子株式会社 基板处理装置和包括其的基板处理系统
CN109461691A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 晶圆支撑装置
CN114453346A (zh) * 2022-01-19 2022-05-10 中国科学院微电子研究所 一种针对碳纳米管表面残留有机物的去除设备和去除方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5171969B2 (ja) * 2011-01-13 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2013162774A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for independent wafer handling
WO2013187192A1 (ja) * 2012-06-13 2013-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US10242903B2 (en) * 2012-11-30 2019-03-26 Nikon Corporation Suction device, carry-in method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP6541374B2 (ja) 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN105489527B (zh) * 2014-09-19 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置以及半导体加工设备
US10096495B2 (en) 2014-12-26 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP6584286B2 (ja) 2015-10-26 2019-10-02 日本発條株式会社 ヒータユニット
US10446419B2 (en) * 2016-03-11 2019-10-15 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
JP6512182B2 (ja) 2016-06-27 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
TWI661510B (zh) * 2017-09-06 2019-06-01 京鼎精密科技股份有限公司 晶圓支撐裝置
KR102429979B1 (ko) * 2018-11-08 2022-08-08 주식회사 원익아이피에스 공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치
KR102510315B1 (ko) * 2022-12-27 2023-03-15 주식회사 우원기술 로드락 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0557840U (ja) * 1991-12-28 1993-07-30 国際電気株式会社 Ｃｖｄ装置のウェーハ置台
JP2006521017A (ja) * 2003-03-17 2006-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板を化学的処理する処理システムおよび方法
JP2009117486A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Nippon Dennetsu Co Ltd サセプタ
CN101504928A (zh) * 2008-02-06 2009-08-12 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03113722A (ja) 1989-09-25 1991-05-15 Fuji Electric Co Ltd 磁気ディスクの製造方法
JP3300380B2 (ja) * 1991-03-26 2002-07-08 日本碍子株式会社 半導体製造装置
JPH0661900B2 (ja) * 1991-09-02 1994-08-17 正三郎 角 装飾用編地シートまたは装飾用編地リボン
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JPH0917770A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
JP3650248B2 (ja) 1997-03-19 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6143082A (en) * 1998-10-08 2000-11-07 Novellus Systems, Inc. Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber
JP2001127142A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
DE10043600B4 (de) * 2000-09-01 2013-12-05 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten
JP2002184558A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Ibiden Co Ltd ヒータ
JP2003031341A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Espec Corp プレートヒータ
US6592675B2 (en) * 2001-08-09 2003-07-15 Moore Epitaxial, Inc. Rotating susceptor
JP3921060B2 (ja) 2001-08-31 2007-05-30 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
US7347901B2 (en) 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20050051098A1 (en) 2003-09-05 2005-03-10 Tooru Aramaki Plasma processing apparatus
US20060027169A1 (en) 2004-08-06 2006-02-09 Tokyo Electron Limited Method and system for substrate temperature profile control
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2007242648A (ja) 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
US8287688B2 (en) 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
JP2010149652A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Nissan Motor Co Ltd 油圧制御装置
JP3155802U (ja) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 ウエハー載置装置
JP5119297B2 (ja) * 2010-06-30 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0557840U (ja) * 1991-12-28 1993-07-30 国際電気株式会社 Ｃｖｄ装置のウェーハ置台
JP2006521017A (ja) * 2003-03-17 2006-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板を化学的処理する処理システムおよび方法
JP2009117486A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Nippon Dennetsu Co Ltd サセプタ
CN101504928A (zh) * 2008-02-06 2009-08-12 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106256923A (zh) * 2015-06-16 2016-12-28 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法以及基板载置台
CN106256923B (zh) * 2015-06-16 2018-09-28 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法以及基板载置台
CN108257893A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 三星电子株式会社 基板处理装置和包括其的基板处理系统
CN108257893B (zh) * 2016-12-29 2022-10-21 三星电子株式会社 基板处理装置和包括其的基板处理系统
CN109461691A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 晶圆支撑装置
CN114453346A (zh) * 2022-01-19 2022-05-10 中国科学院微电子研究所 一种针对碳纳米管表面残留有机物的去除设备和去除方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101317992B1 (ko) 2013-10-14
JP2012015285A (ja) 2012-01-19
KR20120002465A (ko) 2012-01-05
DE102011108632A1 (de) 2012-01-26
TW201230242A (en) 2012-07-16
TWI436447B (zh) 2014-05-01
CN102315151B (zh) 2014-02-12
US9153465B2 (en) 2015-10-06
JP5101665B2 (ja) 2012-12-19
US20120000612A1 (en) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102315151B (zh) 基板承载台、基板处理装置及基板处理系统
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI527140B (zh) 具有共享資源之處理腔室及其使用方法
TWI683926B (zh) 底座型基於流體的熱控制
TWI674638B (zh) 工件處理系統及其設備
KR101719444B1 (ko) 기판 지지 장치
US20150030766A1 (en) Pedestal bottom clean for improved fluorine utilization and integrated symmetric foreline
US10312062B2 (en) Temperature control system and temperature control method
US10405376B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
TWI647785B (zh) 恒定質量流多層次冷卻劑路徑之靜電式夾具
KR102228490B1 (ko) 기판 처리 장치 및 액 공급 장치
US10081033B2 (en) Heat exchange system, and substrate processing apparatus having same
CN100437966C (zh) 可分区控温的静电卡盘系统
CN106575619A (zh) 多基板热管理设备
CN105009260A (zh) 热耦合的石英圆顶热沉
CN212991070U (zh) 静电卡盘和半导体设备
KR100786583B1 (ko) 챔버의 척 냉각장치
CN107275251B (zh) 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置
TW202331826A (zh) 具快速排熱能力之高溫基座
JP2006179770A (ja) 基板表面処理装置
JP2010164269A (ja) 大型基板用熱処理炉
TW201742950A (zh) 溫度控制系統及應用其之用以處理基板之系統及對應之控制基板支撐件組件之溫度的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant