JP2014534614A5 - - Google Patents

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静電チャック１１０の処理表面１２８に配置された本発明のいくつかの実施形態に基づく複数の溝１２４が図３に示されている。例えば、上で論じたように、これらの複数の溝１２４を利用して、基板１０１の裏側の表面に裏側ガスを供給することができる。例えば、このガスを使用して、セラミック板１２０と基板１０１の間の均一な熱伝達を容易にすることができる。さらに、例えば圧力トランスデューサまたは適当な任意の圧力感知装置によって溝１２４の圧力を監視することができる。例えば、溝１２４内の圧力低下が、例えば亀裂などの基板１０１の損傷を知らせていることがある。この圧力低下の結末として、チャンバ内での堆積処理を停止して、静電チャック１１０が処理環境にさらされることを防ぐことができる。

Claims (13)

  1. 処理チャンバ内の静電チャックの温度を制御する装置であって、
    処理チャンバ内に配置された静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、
    前記静電チャックの冷却能力を調整するために前記静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリと
    を備え、
    前記複数の冷却板が、前記静電チャックの中心部分の温度を制御するように構成された内側冷却板と、前記静電チャックの外側部分の温度を制御するように構成された環状の外側冷却板とを含み、前記内側冷却板は、前記環状の外側冷却板の中央開口部内に配置される、装置。
  2. 前記冷却アセンブリが、前記冷却アセンブリの底面と前記処理チャンバの胴体との間に配置された１つまたは複数のばねによって前記静電チャックに係合した、請求項１に記載の装置。
  3. 前記複数の冷却板がそれぞれ、その中を通して冷却材を循環させるように構成された１本または数本の冷却材導管を含む、請求項１に記載の装置。
  4. 前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１に記載の装置。
  5. 前記内側および外側冷却板の上面が前記静電チャックの底面に接触した、請求項１に記載の装置。
  6. 前記セラミック板の前記基板支持表面に形成された複数の溝であり、前記静電チャック上に基板が配置されたときに前記基板の底面を横切ってガスを流すように構成された複数の溝と、
    前記複数の溝のうちの少なくとも１つの溝に、前記セラミック板内の中心入口点を通してガスを供給する中心ガス管路と、
    前記セラミック板内の複数の外側入口点を介して前記複数の溝のうちの少なくともいくつかの溝に至る複数の外側ガス管路と
    をさらに備える、請求項１に記載の装置。
  7. 前記中心ガス管路は、前記内側冷却板を通り、前記複数の外側ガス管路は、前記外側冷却板を通る、請求項６に記載の装置。
  8. 前記セラミック板内に配置された１つまたは複数の電極と、
    前記セラミック板内に配置された１つまたは複数のヒータと
    をさらに備え、前記内側および外側冷却板が、（ａ）前記１つまたは複数の電極に供給された電力の量、及び（ｂ）前記１つまたは複数のヒータに供給された熱のうちの少なくとも一方に基づいて冷却能力を調整するように構成された、
    請求項１から７のいずれかに記載の装置。
  9. 基板が存在するときに前記１つまたは複数のヒータと前記基板の間の熱伝達を制御するよう調節されるように、前記内側および外側冷却板が構成された、請求項８に記載の装置。
  10. 前記複数の冷却板が、前記静電チャックの底面に接触した上冷却板と、前記上冷却板の底面に接触した下冷却板とを含む、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
  11. 前記上冷却板と前記静電チャックの間に熱伝導性の箔が配置された、請求項１０に記載の装置。
  12. 前記上および下冷却板への冷却材の流れを独立して制御することにより、前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１０に記載の装置。
  13. 前記内側および外側冷却板がそれぞれ上および下冷却板を含み、前記内側および外側冷却板に含まれる前記上および下冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
CN104040710B (zh) * 2012-01-06 2017-11-28 诺发系统公司 用于均匀传热的自适应传热方法和系统
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US9404176B2 (en) 2012-06-05 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path
JP5975755B2 (ja) 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2015013143A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An end effector for transferring a substrate
WO2015013142A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
KR20180110213A (ko) 2013-08-06 2018-10-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부
US9196514B2 (en) * 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
US10431435B2 (en) 2014-08-01 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Wafer carrier with independent isolated heater zones
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
CN104400298B (zh) * 2014-12-15 2017-01-25 天津科信磁性机械有限公司 水冷式磁力模块及其操作方法
US10497606B2 (en) * 2015-02-09 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Dual-zone heater for plasma processing
US10249526B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for high temperature processes
US10770270B2 (en) 2016-06-07 2020-09-08 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
TWI835063B (zh) * 2016-07-28 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 基板夾持裝置、用於製造此裝置之方法及用於處理或將樣本成像之儀器及方法
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
US10867816B2 (en) * 2016-12-13 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for wafer backside cooling
TWI617813B (zh) * 2017-02-09 2018-03-11 矽品精密工業股份有限公司 檢測設備
US11011355B2 (en) * 2017-05-12 2021-05-18 Lam Research Corporation Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
JP6924618B2 (ja) 2017-05-30 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びプラズマ処理装置
JP6811144B2 (ja) * 2017-05-30 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の静電チャックを運用する方法
US20190371577A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Applied Materials, Inc. Extreme uniformity heated substrate support assembly
JP7133992B2 (ja) * 2018-06-07 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
US11837491B2 (en) 2018-10-11 2023-12-05 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Electrostatic chuck and reaction chamber
JP7199200B2 (ja) * 2018-11-01 2023-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法
KR102472864B1 (ko) * 2019-08-06 2022-12-02 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조방법
US11424096B2 (en) * 2019-11-05 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Temperature controlled secondary electrode for ion control at substrate edge
CN112951695B (zh) * 2019-11-26 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备
CN111607785A (zh) * 2020-05-26 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 一种加热装置及半导体加工设备
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
CN112509954B (zh) * 2021-02-04 2021-06-08 北京中硅泰克精密技术有限公司 半导体工艺设备及其承载装置
KR102368832B1 (ko) 2021-07-08 2022-03-02 에이피티씨 주식회사 다중 가열 영역 구조의 정전 척

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342842A (ja) * 1993-05-31 1994-12-13 Tokyo Electron Ltd 処理装置における貼り合わせ構造
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
JP3297771B2 (ja) * 1993-11-05 2002-07-02 ソニー株式会社 半導体製造装置
JPH09195037A (ja) * 1996-01-09 1997-07-29 Ulvac Japan Ltd 加熱冷却装置及びこれを用いた真空処理装置
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US6033478A (en) * 1996-11-05 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer support with improved temperature control
WO1998029704A1 (en) * 1997-01-02 1998-07-09 Cvc Products, Inc. Thermally conductive chuck for vacuum processor
JPH11307513A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sony Corp 絶縁体基板対応プラズマ処理装置
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
JP3980187B2 (ja) * 1998-07-24 2007-09-26 日本碍子株式会社 半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法
JP2001021281A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp 均熱装置
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
DE60045384D1 (de) * 1999-09-29 2011-01-27 Tokyo Electron Ltd Mehrzonenwiderstandsheizung
EP1098354A2 (en) * 1999-11-08 2001-05-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling temperature in a semiconductor processing system
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
KR100387524B1 (ko) * 2001-01-26 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법
JP3825277B2 (ja) * 2001-05-25 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
JP5630935B2 (ja) * 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP2007088411A (ja) * 2005-06-28 2007-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法
US20070044914A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Katsuji Matano Vacuum processing apparatus
JP5069452B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7649729B2 (en) * 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
CN102160167B (zh) * 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
WO2010095720A1 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 日本碍子株式会社 セラミックス－金属接合体及びその製法
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control

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